一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所处行业
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于A... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所处行业
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片业务（通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。
　　2、主要产品
　　（1）NOR Flash存储芯片
　　公司NOR Flash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。
　　公司自主研发的NOR Flash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，具备高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益等特点。
　　①技术工艺：公司的NOR Flash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（Floating Gate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NOR Flash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司也对NORD架构的NOR Flash产品进行研发，致力于保持产品及技术领先。
　　②制程技术：目前销售的主要NOR Flash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊工规等产品保留65nm工艺节点，其他全系NOR Flash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NOR Flash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NOR Flash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NOR Flash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPI Dual Mode）和四线（SPI Quad Mode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NOR Flash产品已通过AEC-Q100的标准认证，公司将致力于实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NOR Flash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业领先水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）MCU芯片
　　公司目前销售的ZB32L002、ZB32L003、ZB32L031、ZB32L032、ZB32M013、ZB32M033系列共计30余款型号产品，均为基于M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片。相关产品具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流、丰富的集成外设以及高性价比等特点并集成高精度模数转换器（ADC）、实时时钟（RTC）、比较器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模拟和数字外设。产品支持休眠模式和深度休眠模式两种低功耗模式，其中深度休眠模式可在3μs内快速唤醒，系统动态功耗低于100μA/MHz，深度休眠模式下的功耗则低于1μA。目前，公司已基本完成通用低功耗MCU产品线的布局。ZB32L002、ZB32L003、ZB32L031、ZB32L032系列覆盖了从20PIN-48PIN的多种应用场景，使得客户在选择基于M0+核心的MCU时拥有更全面的选项。基于M0+内核的电机MCU产品ZB32M013、ZB32M033已全面铺开推广销售，并开始研发基于M4内核的高端MCU产品。
　　2026年上半年度MCU团队全面优化了产品架构设计，完成了新一代核心IP模块的验证与迭代，并围绕低功耗、融合电机控制等关键领域展开前瞻性研发。通过与上游伙伴的深度协作，团队在工艺兼容性、电机算法优化及多场景适配能力上实现了突破性进展，MCU产品线通过“生态先行”策略，积极拓展下游应用场景的渗透力。团队与国内头部家电及消费电子客户建立了深度定制化合作，并已建立起意向订单储备。
　　（3）大容量存储产品业务
　　a.NAND
　　2026年公司已量产主流24nm和19nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，其产品内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统single die方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。2026年上半年公司已量产两款产品，可以满足不同细分领域客户对产品性能和价格的不同需求。
　　b.SDNAND
　　2026年公司已量产主流24nm和19nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TF card产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。SD NAND产品在标准SD接口基础上进行了针对性优化，为客户提供了更灵活的系统集成方案。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECC Engine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，在数据吞吐率较高的工控、通信设备等领域具有稳定的应用需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求，基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖4GB、8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　报告期内，公司持续关注UFS（通用闪存存储）技术的发展趋势与市场需求。UFS作为eMMC的下一代嵌入式存储接口标准，在顺序读写速度和随机读写性能方面具有显著优势，尤其在AI终端设备对存储带宽要求不断提升的背景下，UFS产品的战略重要性日益凸显。公司正进行UFS产品的技术预研和方案评估工作，为后续产品布局奠定基础。
　　e.DRAM产品
　　2026年上半年，公司DRAM产品线以DDR4产品为主力，同时完成DDR3产品的技术论证和方案规划。
　　DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。公司产品已涵盖4Gb和8Gb两大主流容量。产品速率最高可达行业DDR4标准的3200Mbps，能够满足消费电子、网络通信、工业控制等领域对内存带宽的基本需求。
　　（4）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AI SoC芯片、AI通用算法模型、AI定制算法模型开发和AI模组。
　　AI SoC芯片，采用RISC内核，功能强大，适配性强，性价比高，已实现大批量出货。
　　AI算法软件，包括TinyML视频分割算法、TinyML视觉识别算法、TinyML语音识别算法、TinyML语音声纹算法和TinyML语音降噪算法5大类别，具有模型精简、占用硬件资源少、能耗低的优势，广泛部署到通用MCU/DSP硬件上运行。其中，语音算法已适配国内主流芯片，并同步完善工具链，开发AI开放平台，实现快速响应和快速送样，帮助用户快速项目落地。
　　AI模组，融合了芯片、算法产品以及软件部署技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　（三）主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NOR Flash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内公司实现营业收入52,841.35万元，同比增长203.21%；实现归属于上市公司股东的净利润13,963.83万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,475.91万元。影响经营业绩的主要因素：
　　报告期内，存储芯片行业正处于新一轮景气周期的上升阶段，市场呈现出供需趋紧、价格普涨的势态，受益于存储芯片市场产业趋势，公司营业收入较去年同期有明显上升，实现量价齐升。报告期内，公司营收规模显著攀升，产品盈利能力大幅提升，推动公司整体经营业绩实现大幅增长。
　　（一）NOR Flash存储芯片
　　NOR Flash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产品的同时持续研发新产品，为公司未来发展蓄力。
　　1.通过持续优化先进的ETOX工艺制程，并重点攻坚50nm与4Xnm节点，成功实现了晶体管密度的提升与动态/静态功耗的双重优化，显著降低工作功耗，能效比（Energy Efficiency）获得质的飞跃。不仅直接降低产品的运行成本，更是在功耗敏感型应用领域确立了关键优势。
　　2.积极布局先进的NORD工艺制程NOR Flash产品，在提供强大环境适应力（稳定可靠，宽温工作）的同时，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携性设计上的潜力。
　　3.致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI166MHz和DTR104MHz的业界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计算、边缘设备及实时响应应用提供了强大的底层硬件支持。
　　4.针对PC环境对数据安全性的高要求，研发整合了应答保护单调计数器（RPMC）技术的产品。RPMC机制通过强制单调递增的响应计数，为每次交互提供唯一性标识，从根本上阻断了重放攻击的可能性。这直接强化了数据的抗篡改能力，并提升了涉及固件更新、安全启动、版权保护等关键PC操作的可靠性保障。
　　（二）MCU芯片
　　2026年上半年，公司MCU业务持续推进产品优化及应用拓展，不断完善低功耗M0系列产品，在HDMI、四轴飞行器、科学计算器、无线充电及TFT显示设备等原有应用领域进一步扩大销售规模，同时面向风筒、吸尘器及电动工具等电机控制应用的MCU产品已完成客户送样。在市场方面，公司进一步加强与重点客户的合作，积极推动MCU产品在高附加值应用领域的导入，不断提升市场份额和业务规模，并同时开展多电机控制的家电应用MCU立项研发工作。
　　2026年上半年，车规、工控等中高端MCU在本轮涨价潮中率先修复价格体系，与低端消费类通用产品的分化进一步加剧。公司在整体市场份额上与前排厂商有所差距，但在电机控制、AI语音模组、超低功耗物联网等细分赛道已形成差异化竞争优势，出货量增速远超行业平均，正处于关键成长期。
　　（三）AI业务
　　2026年上半年，公司AIBU致力于AI算法、AI模组及端侧AI解决方案的产品体系及市场销售。AI算法包括端侧智能设备语音算法和端侧视觉算法，AI语音识别算法在3C数码产品例如空调伴侣、加湿器、玩具类产品实现批量出货，并完成AIGC硬件平台部署；AI人脸识别算法成功落地办公终端设备。AI模组产品已实现商业化落地，在照明灯控、玩具和家电等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商。
　　（四）大容量存储业务
　　2026年上半年，公司NAND、eMMC和DRAM产品三大产品线均实现了从技术研发到规模化量产的关键跨越，产品矩阵初步成型。在行业高景气周期的驱动下，公司各产品线迎来了量价齐升的机遇，进一步提升了在存储芯片市场中的份额和行业地位。
　　1.2026年上半年公司在利基型NAND Flash领域取得了显著的阶段性成果，三大产品系列均实现规模化量产和稳定供货。SPI NAND凭借其接口简洁、占用PCB面积小的优势，在物联网模块、智能家居、可穿戴设备等空间受限的应用场景中获得客户认可。SD NAND依托标准SD2.0接口的广泛兼容性，在教育电子、工业数据采集、便携式设备等领域实现了批量出货。PPI NAND则凭借并行接口的高吞吐率特性，在网络通信设备、工业控制主板等对数据传输速率要求较高的应用中持续贡献营收。
　　2.2026年上半年公司嵌入式存储产品线以eMMC5.1产品为核心，实现了从技术研发到规模化量产的完整跨越，产品矩阵初步成型。eMMC产品完成了从4GB到256GB共计六种容量规格的全系列覆盖。这一完整的产品序列使公司能够为不同层次的嵌入式应用提供“一站式”选型服务，最大320MB/s的顺序读取速度和动态SLC缓存技术的加持，使公司eMMC产品在同类竞品中具备了良好的性能竞争力，已广泛应用于智能电视、安卓盒子、教育电子、智能家居、安防监控等消费级和工业级嵌入式领域。同时报告期内公司已完成UFS产品的技术预研和方案评估。随着AI终端设备对存储性能要求的持续提升，UFS作为eMMC的下一代技术演进方向，其市场渗透率正加速提升，公司前瞻性的技术布局将为后续UFS产品的快速推出奠定基础。
　　3.2026年上半年，公司DRAM产品线以DDR4产品量产为核心成果，已与晶圆代工厂建立了合作关系，稳定DDR4产品的持续供应能力。并同步推进DDR3产品的规划布局，已完成DDR3产品的技术论证和方案规划。DDR4产品成功实现量产并稳定供货，产品覆盖4Gb和8Gb两大主流容量规格，速率最高达3200Mbps。3200Mbps是DDR4行业标准的最高速率等级，标志着公司DDR4产品的性能已达到行业主流水平，同时提供-45℃~95℃工规级产品。公司DDR4产品已进入消费电子、网络通信设备、工业控制等应用领域，依托灵活的市场策略和快速响应能力获取市场份额。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NOR FLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力；在MCU业务方面，一方面持续升级迭代原有MCU产品，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升产品出货量和产品市场份额，另外一方面积极布局电机控制领域，挖掘细分市场需求和客户，为MCU业务带来新的业务增量。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NAND Flash、eMMC芯片及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nm NOR Flash制程和55nm eFlash MCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2026年上半年公司的研发费用为4,902.75万元，占营业收入比例为9.28%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONG LU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、完善的质量管理体系与可靠性保障能力
　　公司始终重视质量管理能力建设，坚持以客户需求为导向，通过建立统一的质量管控标准，对委外晶圆制造及封装测试环节实施一致性的质量管理要求，确保产品质量的稳定性和一致性。同时，公司引入风险管理理念，定期开展质量事件平行展开的持续改进（CIP）活动，提前识别并管控潜在风险。通过不断完善不良质量成本，减少质量损失。公司持续完善质量管理体系，目前已通过ISO9001:2015、QC080000:2017等体系认证，部分产品已通过AEC-Q100车规级认证，并积极推进NOR Flash及MCU产品的车规级可靠性测试，为公司拓展汽车电子等高可靠性应用市场奠定基础。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NOR Flash有关核心技术
　　公司NOR Flash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NOR Flash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clock gating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NOR Flash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围，部分产品已通过AEC-Q100Grade2105℃验证。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
　　通过以上技术创新，公司NOR Flash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求并实现了从2Mbit至512Mbit、工作电压1.8V~3.3V的全系列容量产品的量产。在报告期内，2款新产品完成了流片工作，1款产品已经进入送样阶段，另有3款产品进入试产阶段。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.适用于电机控制方案的特色IP研发
　　着力电机控制技术的更新迭代，从应用端入手，定位需求，研发特色IP，对重点IP的主要功能进行扩展和增强，大幅提升软硬件的交互性能。主要涵盖以下方向：
　　研发少PIN低成本的单线通信IP，降低运动控制方案中BOM成本；
　　研发CORDIC数学运算IP，提升家电控制方案中数据运算效率，减少软件耗时。
　　研发增强高性能定时器IP功能，扩展多通道、更灵活的PWM输出和软硬件刹车方式，可更高效地实现家电控制方案中的移相、降噪、保护控制；
　　研发增强模数转换器IP功能，扩展多段、更灵活的序列控制和注入控制，实现外部采样通道和数据通道的自由映射，为家电控制方案中外部采集对象和采集序列提供了灵活多变的选择。
　　b.高集成度电机控制产品技术
　　公司持续深化在高集成度电机控制芯片领域的战略布局，成功设计出集成三相半桥栅极驱动的专用MCU芯片，全面支持P+NMOSFET与全N-MOS两种主流拓扑架构。该芯片通过单芯片“主控+驱动”的高度集成方案，显著缩减了PCB占用面积，大幅降低了外围元器件数量与系统BOM成本，同时有效规避了分立方案带来的PCB布线复杂及干扰问题。这一技术突破精准契合了电动工具、清洁电器及高速风筒等市场对模组小型化、轻量化的迫切需求，在提升生产良率与系统可靠性的同时，进一步夯实了公司“芯片+算法”软硬协同的生态壁垒。
　　c.电机驱动技术
　　公司在电机控制技术领域持续突破，通过构建平台化参考控制算法架构，成功实现了方波与FOC（磁场定向控制）两类核心算法的统一管理与底层复用，大幅提升了研发效率与代码稳定性；在此基础上，公司进一步完成了面向量产落地的电机控制算法专用平台设计，针对电动工具、清洁电器、高速风筒及散热风机等高潜力细分场景进行了深度定制化开发，精准匹配了各应用领域对高启动扭矩、超高速运行及极致静音等差异化性能指标的需求。该平台化战略不仅显著降低了系统BOM成本，更有效缩短了下游客户的整机开发周期，为公司持续抢占中高端电机控制市场份额提供了坚实的技术支撑。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于NOR Flash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、人声活动检测(VAD)、FFT、自动增益控制(AGC)、iFFT、回声消除等语音前处理和后处理所需的处理模块，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.软硬件协同设计技术
　　结合存算一体阵列的计算特性和芯片规格，有针对性地优化AI算法结构，使得存算芯片和算法模型之间的匹配度更高。从工程学角度，同步约束芯片硬件规格与模型软件架构，最大化发挥硬件的资源利用率和软件的算法性能，避免出现互相掣肘的跛脚方案。
　　d.系统级三维集成互连技术
　　利用三维堆叠技术将存算一体芯片的不同电路模块分别使用最合适工艺制程流片，通过3D晶圆级连接组合在一起形成单颗完整功能的芯片，突破了现有工艺的瓶颈，提高产品的开发效率、同时发挥各模块的特性、实现高性能并减小芯片面积。
　　e.多电源域高能效的PMU设计
　　存算一体芯片需要根据当前的使用状态和使用环境，灵活切换工作状态。通过定制的多电源域高能效的PMU设计，能够平衡多种环境下的功耗表现，减少功耗浪费，让系统获得最佳的功耗表现。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝以及数据增强、数据清洗等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.传统数字信号处理技术
　　传统的数字信号技术使用业界沉淀多年的技术链路，人工定制所需的算法，尤其在有降噪需求为代表的应用领域，具备可靠、有效、轻量化的特点。通过稳态降噪算法、回声消除算法等，能够有效提升TinyML在强噪声环境下的表现。
　　c.平台即服务（PaaS）技术
　　公司构建了适合自身TinyML技术的语音服务平台，客户能够通过平台获取满足自身定制需求的TinyML软件服务，通过PaaS平台的长值守和快速响应特性，加速用户端产品的开发和落地。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.离在线语音交互技术
　　公司已打通云侧和端侧配合所需的技术链路，有效结合离线语音识别技术的低延迟、高隐私安全的特点和在线丰富资源的高性能表现，扩充用户选择的灵活性。能够用于AIGC玩具为代表的应用场景。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得10项发明专利，取得3项集成电路布图设计。
　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业总收入52,841.35万元，同比增长203.21%；实现归属于母公司所有者的净利润13,963.83万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润13,475.91万元。影响经营业绩的主要因素：
　　报告期内，存储芯片行业正处于新一轮景气周期的上升阶段，市场呈现出供需趋紧、价格普涨的态势，受益于存储芯片市场产业趋势，公司营业收入较去年同期有明显上升，实现量价齐升。报告期内，公司营收规模显著攀升，产品盈利能力大幅提升，推动公司整体经营业绩实现大幅增长。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NOR Flash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NOR Flash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M3、M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的主营产品为NOR Flash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NOR Flash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NOR Flash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　（二）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为70.25%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　（三）财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　根据集成电路行业特点，产品毛利率受到市场需求、产能供给等多方面因素影响，若公司未来营业收入规模出现显著波动，或受市场竞争影响导致产品单价出现显著波动，或受产能供应影响导致产品单位成本上升，公司将面临毛利率波动或下降的风险。公司主要产品NOR Flash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为39,424.05万元，占期末流动资产的比例为26.80%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为4,928.71万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　3、汇兑损益风险风险
　　公司境外销售与采购规模增加，其销售与采购活动主要以美元等外币计价和结算，汇率大幅波动可能给公司运营带来汇兑损益风险。
　　（四）宏观环境风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年11月30日至2026年11月29日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。
　　（2）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　（五）其他风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　2025年1月公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明　　(一)主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务情况　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFlash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。　　2、主要产品　　（1）NORFlash存储芯片　　公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。　　公司自主研发的NORF... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFlash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。
　　2、主要产品
　　（1）NORFlash存储芯片
　　公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。
　　公司自主研发的NORFlash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，具备高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益等特点。
　　①技术工艺：公司的NORFlash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（FloatingGate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NORFlash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司也对NORD架构的NORFlash产品进行研发，致力于保持产品及技术领先。
　　②制程技术：目前销售的主要NORFlash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊工规等产品保留65nm工艺节点，其他全系NORFlash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NORFlash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NORFlash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NORFlash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPIDualMode）和四线（SPIQuadMode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NORFlash产品已通过AEC-Q100的标准认证，公司将致力于实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NORFlash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业领先水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）通用MCU芯片
　　公司目前销售的ZB32L002、ZB32L003、ZB32L030、ZB32L032系列共计30余款型号产品，均为基于ArmCortex-M0+内核的通用32位微控制器（MCU）。相关产品具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流及高性价比等特点，并集成ADC、RTC、比较器、多通道UART等多种模拟与数字外设。产品支持休眠和深度休眠两种低功耗模式，其中深度休眠模式可在约3μs内快速唤醒，系统动态功耗低于100μA/MHz，深度休眠功耗低于1μA。目前，公司已基本完成通用
　　低功耗MCU产品线布局。ZB32L003、ZB32L031、ZB32L032系列产品覆盖20PIN—48PIN多种封装规格，可满足不同应用场景需求。
　　报告期内，公司同步推进基于M0+内核的电机控制MCU产品ZB32M013、ZB32M033的市场推广，公司研发团队完成新一代核心IP模块的优化与验证，持续加强在低功耗设计、电机控制融合及多场景适配等关键技术领域的研发。通过与产业链合作伙伴的协同，公司在工艺适配、电机控制算法优化等方面取得进展，并持续推进MCU产品生态建设。目前，公司已与国内部分家电及消费电子客户开展定制化合作，并已建立起意向订单储备。
　　（3）大容量存储产品业务
　　a.SPINAND2025年公司已量产主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，其产品内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统singledie方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。2026年上半年公司将量产一款性价比更高的产品，可以满足不同细分领域客户对产品性能和价格的不同需求。
　　b.SDNAND2025年公司已量产主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TFcard产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。目前公司正在搭载主流1xnm晶圆研发一款新的产品，以确保产品价格和供应的竞争力。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECCEngine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求，基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖4GB、8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　e.DRAM产品
　　DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。2025年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易失性和非易失性利基型产品的全覆盖。公司DDR4产品在2025年上半年量产。产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps，封装形式包含BGA78和BGA96，可满足主流客户的需求。同时公司已经在积极布局新的产品线DDR5和LPDDR产品，以满足客户的不同需求。
　　（4）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AISoC芯片、AI通用算法模型、AI定制算法模型开发和AI模组。
　　AISoC芯片，采用RISC内核，功能强大，适配性强，性价比高，2025年实现大批量出货。
　　AI算法软件，包括TinyML视频分割算法、TinyML视觉识别算法、TinyML语音识别算法、TinyML语音声纹算法和TinyML语音降噪算法5大类别，具有模型精简、占用硬件资源少、能耗低的优势，广泛部署到通用MCU/DSP硬件上运行。
　　AI模组，融合了芯片、算法产品以及软件部署技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　(二)主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NORFlash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。公司目前主要营收来源于NORFlash存储芯片业务。
　　2025年全球存储器行业继续呈现结构性增长与供需失衡并存的态势，AI、大数据、物联网（IoT）、智能汽车、工业控制等下游应用对存储芯片的需求快速增长推动整体市场规模稳定扩大。在细分产品中，NORFlash作为高可靠性、低功耗且具备快速随机读写能力的非易失性存储器，仍在工业与车载控制等场景保持稳定需求增长。根据MordorIntelligence的报告，2025年全球NORFlash市场规模为30.5亿美元，2026年预计达32.3亿美元，2026至2031年将以5.75%的复合年增长率持续增长，到2031年市场规模将达到42.7亿美元。
　　在价格方面，2025年下半年NORFlash价格开始回暖。一方面，头部厂商由于AI、车规工业等高端领域对大容量NORFlash的持续拉动，加大投入，使得NORFlash在整体成熟制程存储价格上涨周期中表现出价格上行趋势；另一方面，晶圆代工产能及封装产能的高景气度，使得供给端价格上涨。根据市场行情来看，2025下半年以来NORFlash单品价格相较2024年整体上涨，部分主力产品（如中大容量NORFlash）在下游积极备货的需求窗口下已实现价格上调，同时预计对2026年整体价格趋势保持乐观态度。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　（1）NORFlash业务
　　公司长期专注于NORFlash存储芯片的研发设计，在核心架构、电路设计及低功耗技术等方面形成了一定技术积累，在工作频率、可靠性、温度范围等关键指标方面与行业主流水平保持一致，部分型号在读写、擦除电流等功耗指标方面具有一定优势。整体技术水平处于国内厂商较为领先的位置，部分产品指标达到行业先进水平。公司NORFlash产品已实现50nm、55nm制程量产，并于2025年顺利量产NORD架构小容量产品，制程和技术水平与行业主流厂商处于相近水平。
　　（2）MCU业务
　　当前全球MCU市场仍由国际厂商主导，高端应用领域主要由意法半导体（ST）、恩智浦（NXP）、瑞萨电子（Renesas）等企业占据主要份额，国产厂商正通过技术研发和产品迭代逐步提升市场竞争力。
　　公司MCU业务处于发展阶段，围绕ARMCortex-M0+内核持续推进产品升级与系列化布局，同时开始在电机专用市场开始研发布局，加大在家电控制、工业控制及汽车电子等领域的市场拓展力度。随着产品线不断丰富和客户基础逐步扩大，公司MCU业务规模预计持续增长，市场影响力将稳步提升。
　　（3）大容量存储业务
　　公司自2024年开展大容量存储业务，目前该业务还处于起步阶段，在利基市场初步完成产品卡位，但目前体量尚小，技术实力尚在追赶。未来，公司的地位变化高度依赖战略执行与突围成效，将不断开发新的原厂资源，丰富产品种类，持续扩展客户和提高市场份额，逐步成为公司新的业务增长方向。
　　（4）AI业务
　　公司围绕端侧AI应用方向开展业务布局，形成了涵盖AI算法、AI模组及端侧AI解决方案的产品体系，其中AI算法和AI模组产品已实现商业化落地。在AI产品商业化方面，公司在照明灯控、玩具和家电等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）NORFlash
　　在新技术方面，NORFlash主要采用ETOX、SONOS和NORD三种技术架构。其中，ETOX架构凭借成熟的量产经验及自主知识产权，仍为当前主流技术路线；SONOS架构在小容量产品中具有一定优势，但通常涉及国外厂商授权；NORD架构近年来在晶圆厂推动下快速发展，在小容量产品领域逐步展现竞争优势。在制程方面，ETOX主流工艺已由65nm向5xnm节点演进，基于5xnm工艺的产品已逐步实现规模量产并在多数消费电子领域替代65nm产品，部分领先厂商正在推进4xnm节点研发。NORD架构产品则由90nm向65nm、55nm节点持续升级。整体来看，NORFlash技术正向低功耗、低电压、高性能及更高容量方向发展，其中NORD架构在编程效率、擦除速度及功耗控制方面具有一定优势。
　　在新兴产业方面，NORFlash的市场需求不仅来自传统消费电子产品的升级换代，还受益于可穿戴设备、AMOLED智能手机、物联网设备、5G基站、新能源汽车及智能终端等领域的快速发展。国内厂商依托较高性价比逐步进入市场，并通过提升产品容量及制程水平形成一定竞争优势。
　　未来，随着国内企业在技术与资金方面的持续积累，行业有望通过优化芯片设计、升级制程工艺及提升生产效率实现成本与性能优势，并逐步向中高容量产品及工业控制、汽车电子、服务器等高附加值应用领域拓展。随着汽车智能化和AI技术的发展，车规级NORFlash与AI服务器存储需求预计将持续增长。
　　（2）MCU
　　在新技术方面，MCU正由传统通用控制芯片向面向垂直应用场景的系统级解决方案发展。厂商通过异构计算架构、先进封装与嵌入式存储技术，并结合完善的软件生态，在保证低功耗的同时提升实时计算和智能处理能力。
　　在新兴产业方面，MCU的需求主要来自工业自动化与能源系统、智能家居与物联网设备以及智能终端与消费电子产品等领域。其中，工业与能源应用对MCU的实时控制能力要求较高，需要具备高精度PWM、快速ADC及高可靠性控制能力；智能终端设备则推动端侧AI能力与低功耗计算的融合发展。
　　在新业态方面，电机控制技术成为MCU重要发展方向之一。随着直流无刷电机、智能机器人及自动化设备的快速发展，市场对电机控制芯片的定制化设计及控制算法能力提出更高要求。
　　在新模式方面，MCU行业逐步形成“芯片+软件+算法”一体化解决方案的发展模式，通过完善开发工具链与应用生态，降低客户开发门槛并提升产品竞争力。未来MCU技术将持续向低功耗、高安全性、低成本、高可靠性及智能化方向发展。
　　（3）大容量存储业务
　　随着半导体工艺不断逼近物理极限，存储技术的发展正逐步由单纯依赖制程微缩向架构优化、材料创新及先进封装等多维技术路径协同推进。在DRAM领域，先进制程持续向更小节点演进，同时高带宽存储（HBM）通过三维堆叠和先进封装实现更高带宽与更低延迟，成为人工智能计算的重要支撑；在NANDFlash领域，3D堆叠层数不断提升，但行业发展逐步由单纯增加堆叠层数转向架构优化和单位存储效率提升，以进一步降低单位存储成本并提高可靠性。此外，MRAM、ReRAM等新型存储技术在部分高可靠性和嵌入式应用场景中逐步得到应用，与传统存储技术形成互补发展格局。
　　与此同时，人工智能、云计算及智能终端的发展持续带动存储需求结构升级，高性能计算和AI服务器对高带宽内存及高性能存储产品的需求明显提升，而消费电子产品功能升级也推动终端设备对存储容量和性能提出更高要求。在应用场景不断扩展的背景下，存储产业链合作模式持续深化，模组厂商逐步由单一产品集成向系统级解决方案提供者转变，通过主控方案优化、固件开发及应用适配能力，为终端客户提供更完整的产品解决方案。总体来看，在人工智能和数字化应用快速发展的推动下，存储行业正由以规模和周期为主导的发展模式逐步向以技术创新和应用价值为核心的发展阶段演进。
　　（4）AI业务
　　近年来，端侧AI与生成式AI应用持续发展，端云协同架构的重要性不断提升。端侧设备通过本地AI算法实现实时感知与隐私保护，云端则依托大模型能力提供更复杂的智能服务，形成端云协同的AI应用模式。
　　随着生成式AI技术的发展，终端设备对语音交互、环境感知及自学习能力的需求持续提升，相关算（如语音自学习、回声消除等）逐步在智能家电、可穿戴设备、消费电子及智能玩具等AIoT产品中得到应用，并与云端大模型形成互补。
　　未来，端侧AI将围绕离线化、实时化和本地自主决策能力持续演进，通过端云一体化交付、场景化定制及“硬件+服务”融合模式推动产业发展。随着技术进步，AI系统将进一步向低功耗、高安全性、端云协同与深度应用实体经济方向发展。
　　二、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司实现营业总收入47,464.96万元，较上年度同比增长27.49%；实现归属母公司净利润-9,949.39万元；公司资产总额136,405.87万元，较上年度同比减少7.76%；归属于母公司所有者权益为126,897.51万元，较上年度同比减少6.94%。2025年度公司亏损的原因分析如下：1、报告期内，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，同时受益于行业整体的向好发展，公司营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平；
　　2、报告期内，公司继续坚持团队建设，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平；
　　3、报告期内，下游市场的景气度提升，公司所处行业市场供求关系向好，公司本年计提的资产减值损失金额较上年同期显著减少，但对公司净利润仍有较大影响。
　　（一）NORFlash业务
　　2025年，公司NORFlash业务围绕技术平台升级、产品结构优化及重点应用市场拓展持续推进，整体经营保持稳步发展态势。在技术与产品方面，公司依托50nm工艺平台持续推进产品迭代升级，16Mbit、64Mbit及128Mbit等系列产品实现稳定量产并广泛应用于工业控制、消费电子及通信等领域，产品良率水平及成本控制能力进一步提升。同时，公司持续推进大容量NORFlash产品研发，1.8V256Mbit及512Mbit产品（集成ECC纠错功能）已完成流片，计划于2026年下半年送样客户，公司在高容量、高可靠性存储产品领域的技术能力进一步增强，为后续进入5G通信、汽车电子及高性能计算等高端应用市场奠定了基础。此外，公司新一代NORD架构产品持续推进，4Mbit产品已实现量产，2Mbit及8Mbit产品正在研发过程中，新架构产品体系逐步完善，为公司拓展KGD合封等细分应用市场提供了新的产品基础。
　　在市场方面，面对行业需求波动及市场竞争加剧的环境，公司持续优化产品结构及市场策略。在中小容量产品市场通过工艺优化及NORD架构小容量合封方案进一步提升成本竞争优势；在高端应用领域，公司积极推进大容量产品布局，为汽车电子、AI服务器等新兴应用领域的市场需求做好产品储备。同时，在国产替代及供应链安全需求持续提升的背景下，公司不断加强与重点客户及产业链伙伴的合作，在电子烟、智能穿戴、智能家居及安防监控等重点应用领域持续提升市场份额，实现NORFlash产品出货规模稳步增长。
　　（二）MCU业务
　　2025年，公司MCU业务持续推进产品优化及应用拓展。公司不断完善低功耗M0系列产品，在HDMI、四轴飞行器、科学计算器、无线充电及TFT显示设备等原有应用领域进一步扩大销售规模。同时，公司积极挖掘细分市场需求，与客户合作开发面向风筒、吸尘器及电动工具等电机控制应用的MCU产品，持续拓展产品应用场景。在市场方面，公司进一步加强与重点客户的合作，积极推动MCU产品在高附加值应用领域的导入，不断提升市场份额和业务规模。
　　（三）大容量存储产品业务
　　2025年，公司大容量存储产品业务在NANDFlash、嵌入式存储(eMMC)及DRAM等产品线均取得阶段性进展。在SPINAND、SDNAND及PPINAND产品线上，公司实现了基于24nm主流晶圆的量产，产品内置ECC纠错算法，提升了可靠性与数据传输效率，并通过多种封装形式满足客户多样化需求。eMMC产品覆盖4GB至256GB多种容量，支持高性能顺序读写及动态SLC缓存，嵌入固件算法保障了低延迟、高数据保持性和长使用周期，服务智能电视、IPC、手机终端及AIoT等市场。DRAM产品方面，公司DDR4产品已在2025年上半年量产，容量覆盖4Gb和8Gb，速率最高达3200Mbps，并布局模组合作模式，初步实现易失性与非易失性利基型存储产品组合，为客户提供稳定可靠的存储解决方案。
　　（四）AI业务
　　2025年，公司AI业务在存算推理芯片研发、TinyMLAI软件开发及AI产品商业化推广三方面取得一定成果。在存算推理芯片领域，公司重点推进SRAM存算项目的商业化进程，评估了现有产品的市场表现，明确了自研芯片的差异化方向，并制定了低功耗语音SoC产品定义，芯片设计已于2025下半年启动，按计划推进。TinyMLAI软件开发方面，公司不断优化端侧算法能力，结合数字信号处理、离在线语音交互、稳态降噪和回声消除等技术，实现语音识别、声纹识别及离在线一体功能，技术能力在智能家居及AIGC玩具领域接近行业领先。AI产品商业化方面，公司在照明灯控、玩具等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商，持续在3C夜灯稳定出货；同时公司在家电领域实现了出货突破，在按摩椅、按摩仪等产品形态上落地批量出货。并同步建设全天候PaaS语音平台，助力产品落地与服务能力提升。
　　（五）运营质量协调提升，支撑业务发展
　　2025年度，公司持续优化运营管理体系，在成本控制、供应保障、研发支持及质量管理等方面取得积极进展。公司根据市场环境变化动态优化采购策略，通过集中化采购提升议价能力，保持产品成本竞争力；同时加强与上游供应商的协同配合，持续推进库存动态管理，期末库存保持在合理水平。生产供应方面，公司全年供应交付总体稳定，特别是第四季度在市场需求回暖背景下交付能力进一步提升，较好满足了客户需求。同时公司积极推进新产品在新的晶圆厂的流片改版，并完成多款存储及嵌入式产品的封装开发与量产导入，为新产品推广提供了有力保障。同时，公司持续完善质量管理体系，通过优化供应商质量管理机制、与委外厂签署质量协议、拓展QC080000产品环保认证等措施，不断提升产品质量稳定性和客户满意度，为公司整体运营效率和产品竞争力的提升提供支撑。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NORFLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力；在MCU业务方面，一方面持续升级迭代原有MCU产品，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升产品出货量和产品市场份额，另外一方面积极布局电机控制领域，挖掘细分市场需求和客户，为MCU业务带来新的业务增量。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NANDFlash、eMMC芯片及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nmNORFlash制程和55nmeFlashMCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2025年公司的研发费用为11,488.46万元，占营业收入比例为24.20%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONGLU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、完善的质量管理体系与可靠性保障能力
　　公司始终重视质量管理能力建设，坚持以客户需求为导向，通过建立统一的质量管控标准，对委外晶圆制造及封装测试环节实施一致性的质量管理要求，确保产品质量的稳定性和一致性。同时，公司引入风险管理理念，定期开展质量事件平行展开的持续改进（CIP）活动，提前识别并管控潜在风险。公司持续完善质量管理体系，目前已通过ISO9001:2015、QC080000:2017等体系认证，部分产品已通过AEC-Q100车规级认证，并积极推进NORFlash及MCU产品的车规级可靠性测试，为公司拓展汽车电子等高可靠性应用市场奠定基础。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NORFlash有关核心技术
　　公司NORFlash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NORFlash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clockgating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NORFlash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围，部分产品已通过AEC-Q100Grade2105℃验证。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
　　通过以上技术创新，公司NORFlash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.定制化电机应用模拟子系统设计
　　定制化电机应用模拟子系统设计，包含ADC，PGA，DAC，以及芯片内部参考电压源VREFI；在高精度、小信号采样的应用方案中，需要ADC、DAC、PGA等支持独立于系统电源电压、且比系统电源电压更低的参考基准，可以实现对测量对象更精细的采样（比如ADC、DAC）或调整（比如PGA）。设计高精度多档位的基准源IP，可向信号链系统提供功能丰富、独立可控的参考基准。通过精度、温度、偏置电流等Trim可调的方式实现参考基准的高精度输出；通过修改输入接口控制改变分压输出实现参考基准的多档位输出；利用以上几个不同功能的模拟IP的系统化设计实现高效的电机控制应用。
　　b.PGA自动切换技术
　　电机控制专用MCU普遍存在多PGA运行工况，常规方案通过单芯片内部集成多PGA实现控制，不仅增加芯片整体成本，还会占用更多芯片通用管脚。为此，我们研发PGA自动切换技术，采用芯片内部集成单PGA的设计，通过根据工况需求灵活切换输入通道，以更少的PGA实现多PGA控制效果，有效节省芯片通用管脚、降低芯片成本。同时，为适配电机矢量控制中电流快速采样的需求，优化提升PGA的压摆率及带宽，在切换点处与ADC模块、TIM模块设计内部连接，切换方式及时序可根据用户需求灵活调节，确保PGA切换工作不受ADC工作速率影响，保障用户实时采样需求及控制稳定性。
　　c.总线预取技术
　　由于eFlash的读取具有较大的延迟，在CPU及总线工作于较高频率时，需要增加若干个额外的等待周期才能保证读取的数据是稳定且正确的，而这无疑降低了CPU的执行效率；解决方案一般是在CPU或总线上增加Cache或预取电路。而对于Cortex-M0+级别的低成本MCU，Cache实现的成本过高，不是理想的方案；业界主流方案是在eFlash控制器内增加预取电路，在总线空闲时由eFlash控制器发起预取；但此方案将eFlash接口控制电路及预取电路紧密耦合，在eFlash位宽/接口控制逻辑发生改变时，需要较大的设计及验证工作量。因此，将预取电路与eFlash接口控制电路解耦，将预取电路在总线上实现。此方案的优势在于独立的预取电路不再受限于eFlash本身的规格，具有较高的复用度，更换eFlash后设计验证成本都更低，且风险可控。
　　d.FLASH分块读保护
　　既有产品的Flash读保护逻辑，仅能实现对整个Flash配置保护或不保护；但针对目前的一些进阶应用需求，如用户希望电机算法的核心参数不被第三方恶意读取的同时也能被可信的程序正常调用，整体的读保护就不够灵活。分块读保护支持灵活的大小配置，实现对Flash指定区域的读保护。在开启了此功能后，被保护的区域，仅能被CPU指令读，无法被DMA或调试器读取，也无法被CPU以数据方式读取；此时，即使第三方将恶意程序运行于SRAM或烧写进Flash，这些恶意程序仍无法读出被保护区域的数据；同时，通过配置还可以选择是否在进行Flash片擦的时候擦除被保护区域。该读保护方式，在保护了核心代码的同时，也给与用户开发更大的自由度和灵活性。
　　e.非先进工艺制程上实现SPI高速通信技术
　　在电子烟屏幕驱动等应用中，对SPI的速度通常会有较高的要求；而目前市场上主流Cortex-M0+的低成本MCU，SPI的通信频率在非先进制程上通常不超过24MHz，此频率下，无法满足显示的流畅性。通过优化设计以及后端布局，在90nm工艺节点上实现36MHzSPI通信，从而提升产品的市场竞争力。
　　f.电机驱动技术
　　电机控制专用MCU是公司核心技术布局重点，算法团队深耕FOC（磁场定向控制）算法领域，实现场景化技术突破，产品深度适配消费类、家电两大核心赛道，同时前瞻布局工控领域新增长极。消费类场景中，团队自研无感FOC高速控制与无噪音单电阻电流重构技术，达成全转速域无感控制；搭配直接闭环启动、堵转不失速技术，显著提升电动工具、个人护理产品的响应速度与运行可靠性；通过谐波抑制与电流波形整形优化，进一步降低电机噪音，契合消费端对静音体验的严苛要求。家电场景聚焦节能、静音与多模式适配，算法团队通过负载感知动态调优，自动匹配最优运行曲线，搭配高性能无传感位置观测器，兼容空调、冰箱、洗衣机等多品类家电需求，既实现一级能效与智能运行，又有效降低系统BOM成本。未来，公司将持续加码研发，在巩固消费类、家电市场优势的基础上，向工控领域拓展：依托高精度三环控制、电机参数自辨识、模型预测控制等工控级核心技术，布局伺服驱动、工业机器人等高端装备市场，并探索AI融合控制等前沿方向，为客户提供全场景高效电机控制解决方案。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于NORFlash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、人声活动检测(VAD)、FFT、自动增益控制(AGC)、iFFT、回声消除等语音前处理和后处理所需的处理模块，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.软硬件协同设计技术
　　结合存算一体阵列的计算特性和芯片规格，有针对性地优化AI算法结构，使得存算芯片和算法模型之间的匹配度更高。从工程学角度，同步约束芯片硬件规格与模型软件架构，最大化发挥硬件的资源利用率和软件的算法性能，避免出现互相掣肘的跛脚方案。
　　d.系统级三维集成互连技术
　　利用三维堆叠技术将存算一体芯片的不同电路模块分别使用最合适工艺制程流片，通过3D晶圆级连接组合在一起形成单颗完整功能的芯片，突破了现有工艺的瓶颈，提高产品的开发效率、同时发挥各模块的特性、实现高性能并减小芯片面积。
　　e.多电源域高能效的PMU设计
　　存算一体芯片需要根据当前的使用状态和使用环境，灵活切换工作状态。通过定制的多电源域高能效的PMU设计，能够平衡多种环境下的功耗表现，减少功耗浪费，让系统获得最佳的功耗表现。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝以及数据增强、数据清洗等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.传统数字信号处理技术
　　传统的数字信号技术使用业界沉淀多年的技术链路，人工定制所需的算法，尤其在有降噪需求为代表的应用领域，具备可靠、有效、轻量化的特点。通过稳态降噪算法、回声消除算法等，能够有效提升TinyML在强噪声环境下的表现。
　　c.平台即服务（PaaS）技术
　　公司构建了适合自身TinyML技术的语音服务平台，客户能够通过平台获取满足自身定制需求的TinyML软件服务，通过PaaS平台的长值守和快速响应特性，加速用户端产品的开发和落地。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.离在线语音交互技术
　　公司已打通云侧和端侧配合所需的技术链路，有效结合离线语音识别技术的低延迟、高隐私安全的特点和在线丰富资源的高性能表现，扩充用户选择的灵活性。能够用于AIGC玩具为代表的应用场景。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得11项发明专利，新提交21项发明专利申请，新提交3项集成电路布图设计申请。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　情况说明
　　公司看好电机专用MCU市场，本年度加大对“电机专用MCU芯片研发及产业化项目”的投资规模。
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润-9,949.39万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-11,424.15万元。2025年，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平，同时叠加存货跌价准备的计提、期间费用率仍处在较高水平等因素，导致业绩仍然亏损。公司经营业绩受到行业景气度、市场需求变化、激烈竞争的影响，存在周期性波动风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NORFlash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NORFlash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的营收主要贡献来源于NORFlash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NORFlash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NORFlash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为71.70%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　2025年公司综合毛利率为17.12%，公司毛利率水平仍处于较低水平。产品毛利率受行业特性、市场需求、产能供给等多方面因素影响。公司主要产品NORFlash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为29,820.93万元，占期末流动资产的比例为22.87%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为5,780.14万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　(六)行业风险
　　1、半导体行业周期波动风险
　　公司经营业绩和盈利能力的改善除得益于持续的研发投入和产品迭代升级外，受半导体行业景气度影响亦较大。2022年以来，受地缘政治变化、短期经济冲击及半导体行业周期波动等综合因素影响，下游需求减弱，进而影响公司的经营业绩和盈利水平。虽然自2025年下半年以来，公司所处行业市场回暖，产品价格回升，但未来存储器行业市场仍存在周期性波动，将会对公司营收规模及毛利率产生不利影响。公司经营业绩受半导体行业景气度影响较大，存在周期性波动的风险。
　　(七)宏观环境风险
　　1、税收优惠政策变化的风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。《高新技术企业证书》将于2026年11月到期，公司拟于2026年进行高新技术企业资格复审，根据《关于高新技术企业资格复审期间企业所得税预缴问题的公告》（国家税务总局公告2011年第4号）规定，本公司在通过复审之前，高新技术企业资格有效期内，企业所得税暂按15%的税率预缴。
　　（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度（2021年度）起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
　　（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除;形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业总收入47,464.96万元，同比增长27.49%；实现归属于母公司所有者的净利润-9,949.39万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-11,424.15万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，同时受益于行业整体的向好发展，公司营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平；
　　2、报告期内，公司继续坚持团队建设，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平；
　　3、报告期内，下游市场的景气度提升，公司所处行业市场供求关系向好，公司本年计提的资产减值损失金额较上年同期显著减少，但对公司净利润仍有较大影响。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　公司自成立以来，以市场需求为导向，以自主创新为驱动，坚持“产品领先”的发展战略，专注于存储芯片领域和MCU芯片。公司同步进行存算一体AI芯片的研发，向端侧AI业务发力。公司深化核心业务发展，巩固“存储+控制+AI”一体化战略结构，公司将通过持续的技术迭代、产品升级以及新业务领域的拓展，不断完善产品结构，保持产品性能和成本竞争优势，同时加强供应链协同和质量管理能力，进一步提升产品可靠性与市场竞争力。
　　未来，公司将持续提升市场份额、品牌形象和行业影响力，致力于发展成为具有国际竞争力的集成电路设计企业，为客户提供高速、低功耗、高性价比及高可靠性的芯片产品以及完善的解决方案和服务，为终端客户持续创造价值。
　　(三)经营计划
　　1、NORFlash业务
　　2026年，公司将围绕NORFlash业务持续推进技术创新与市场拓展，进一步提升核心竞争力。在产品与技术方面，公司将持续加大研发投入，推动NORFlash大容量、高性能、高可靠性产品的研发，重点布局面向AI应用、5G基站及汽车电子等高可靠性场景的高性能产品，同时加快低功耗、低成本产品在物联网及可穿戴设备等领域的应用推广。在市场拓展方面，公司将持续深化与消费电子领域头部客户的合作，推动NORFlash在智能手机、TWS耳机等终端产品中的应用规模，同时加快车规级NORFlash产品的认证与导入，把握汽车电子化趋势带来的市场机遇，并积极拓展工业控制、智能电表及5G通信设备等领域的应用市场。
　　2、MCU业务
　　2026年，公司MCU业务将重点围绕巩固低功耗通用产品市场优势及发力电机控制专用领域从而推进产品多元化布局。在通用低功耗产品板块，公司将继续发挥ZB32L003系列的超低待机功耗优势和ZB32L031系列的高性能特点，进一步扩大在电子烟、智能水表及烟感传感器等功耗敏感领域的市场份额。在电机控制专用市场领域，公司计划在ZB32M013、ZB32M033等专用电机MCU产品上完成从技术验证到规模化营收的跨越，重点覆盖国内电动工具和智能家居电机控制市场。同时，公司将持续丰富M0内核产品线，并推进M4内核产品研发，以满足高端MCU市场需求，进一步提升产品竞争力和市场拓展能力。
　　3、大容量存储产品业务
　　2026年，公司将围绕产品迭代升级、产品容量覆盖扩展及市场渗透持续推进大容量存储业务发展。在利基型NANDFlash产品线上，公司将继续搭载国际主流原厂晶圆，优化封装及固件设计，提高性能和可靠性，重点服务智能穿戴、网通设备及IoT等细分领域，进一步提升市场份额。在eMMC产品线上，公司将补齐4GB至256GB容量产品覆盖，提供多样化的成本、性能及供应组合方案，并在智能电视、机顶盒、平板电脑等关键市场提升占有率。DRAM产品方面，公司将持续推进DDR5和LPDDR产品研发，深耕模组设计，以满足网通设备、机顶盒、智能电视、工业控制及5G基站等细分市场客户日益增长的存储需求，构建“易失性+非易失性”全系列利基型存储产品组合，增强客户粘性并提升整体竞争力。
　　4、AI业务
　　2026年，公司将围绕智能家居、智能穿戴和生成式AI三大战略方向，聚焦核心产品和生态建设。智能家居方面，将以现有3C产品和小家电市场为基础，提升市场覆盖率和占有率，同时优化语音识别在复杂噪声环境下的性能，并探索品牌市场拓展。智能穿戴方面，将以低功耗为核心，加速存算芯片和低功耗方案研发，为便携式产品提供高效AI解决方案，实现业务突破。生成式AI方面，将以AIGC玩具为切入点，利用离线语音算法保持先发优势，并梳理上下游环节，择机拓展业务，同时关注小语言模型（SLM）本地部署的可行性和市场需求。在生态建设方面，公司将完善产品工具链和开发平台，提高客户开发效率，降低开发门槛，加速产品和项目落地，实现AI业务可持续发展。
　　5、夯实运营与质量保障，支撑业务高速发展
　　2026年，公司将持续优化运营与质量管理，以支撑业务快速增长。公司继续秉承Fabless轻资产模式，强化与核心供应商的战略协同，保障产能供应与供应链稳定；推行跨部门联动的动态成本优化机制，通过集中采购与市场预判提前锁定成本，并建立库存全生命周期管理体系，实现需求驱动的动态水位管控；构建“市场-设计-生产”闭环响应机制，提升客户紧急订单交付能力；同步升级封装技术，加速导入效率及低成本方案验证，降低设计和量产风险。与此同时，公司将深化流程改进，持续提升产品质量和品牌形象，应用质量工具识别并改进不良成本，提高产品性价比；面向高端市场，推进NORFlash及MCU产品车规级AEC-Q100认证，并完善生产质量管控，为高可靠性产品的市场拓展和持续竞争力奠定基础。
　　6、提升信息披露质量与治理水平，赋能公司价值传递
　　2026年，公司在董事会的领导和支持下，将持续提升信息披露质量与公司治理水平，确保披露内容真实、准确、完整、及时、公平，优化信息收集、整理、审核及发布全流程机制，杜绝虚假或误导性信息。同时，公司将完善董事及高级管理人员薪酬与绩效考核体系，强化激励约束机制，使其与公司长期业绩及风险控制有效挂钩，提升治理效能。公司还将积极把握市场环境改善的机遇，深化投资者沟通，拓展与长期价值关注方的交流渠道，精准阐释公司发展动力与潜在价值，增进市场理解和投资信心，为公司稳健发展和内在价值长期提升构筑坚实基础。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）公司所处行业　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。　　（二）主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务情况　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCor... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所处行业
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、AI芯片业务（通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）和大容量存储产品。
　　2、主要产品
　　（1）NOR Flash存储芯片
　　公司NOR Flash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。自主研发的NOR Flash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐。
　　①技术工艺：公司的NOR Flash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（Floating Gate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NOR Flash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司预计2025下半年将推出基于NORD工艺的新架构FLASH小容量产品。
　　②制程技术：目前销售的主要NOR Flash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊应用领域产品保留65nm工艺节点，其他全系NOR Flash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NOR Flash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NOR Flash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NOR Flash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPI Dual Mode）和四线（SPI Quad Mode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NOR Flash产品已通过AECQ-100的标准认证，公司致力于未来实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NOR Flash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）MCU芯片
　　公司目前销售的M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片共包含超过30种型号。这些芯片采用55nm超低功耗嵌入式闪存技术制造，具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流、
　　丰富的集成外设以及高性价比等特点。这些系列产品集成了高精度模数转换器（ADC）、实时时钟（RTC）、比较器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模拟和数字外设。它们同时支持两种低功耗工作模式：休眠模式和深度休眠模式，后者允许在3μs内快速唤醒。整个系统的动态功耗低于100μA/MHz，而深度休眠模式下的功耗则低于1μA。
　　（3）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡。
　　AI SoC芯片，采用RISC内核，功能全面，适配小规模端侧AI模型的部署和计算，性价比高，在消费类、工控类等应用市场已批量出货。
　　AI算法模型，包括TinyML视频分割算法、视觉识别算法、语音侦测算法、语音识别算法、语音声纹算法和语音降噪算法6大类别，具有模型精简、精准度高、能耗低的优势，已广泛部署到通用MCU/DSP/SoC等硬件产品上运行。
　　AI模组板卡，融合了芯片、算法产品以及软件部署和SDK开发技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出针对不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。
　　公司不同系列产品既能够用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　（4）大容量存储产品业务
　　a.SPINAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller，内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统single die方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。
　　b.SDNAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SD接口controller，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TF card产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECC Engine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求。基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　e.DRAM产品
　　DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。2025年上半年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易失性和非易失性利基型产品的全覆盖。公司DDR4产品在2025年上半年量产。产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。
　　（三）主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NOR Flash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于去年同期下滑。
　　2、报告期内，公司加大人才引进与培养，做好公司团队建设。同时，公司持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平。
　　3、报告期内，公司持续加速库存去化，计提的资产减值损失金额同比大幅减少，但公司存货周转率仍然处于较低水平，基于谨慎原则对存货进行资产减值损失计提，对公司净利润仍有较大影响。
　　（一）NOR Flash存储芯片
　　NOR Flash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产品的同时持续研发新产品，为公司未来发展蓄力。
　　1.通过持续优化先进的ETOX工艺制程，并重点攻坚50nm与55nm节点，成功实现了晶体管密度的提升与动态/静态功耗的双重优化，显著降低工作功耗，能效比（Energy Efficiency）获得质的飞跃。不仅直接降低产品的运行成本，更是在功耗敏感型应用领域确立了关键优势。
　　2.积极布局先进的NORD工艺制程NOR Flash产品，在提供强大环境适应力（稳定可靠，宽温工作）的同时，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携性设计上的潜力。
　　3.致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI166MHz和DTR100MHz的业界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计算、边缘设备及实时响应应用提供了强大的底层硬件支持。
　　4.针对PC环境对数据安全性的高要求，研发整合了应答保护单调计数器（RPMC）技术的产品。RPMC机制通过强制单调递增的响应计数，为每次交互提供唯一性标识，从根本上阻断了重放攻击的可能性。这直接强化了数据的抗篡改能力，并提升了涉及固件更新、安全启动、版权保护等关键PC操作的可靠性保障。
　　（二）MUC芯片
　　公司上半年通用低功耗MCU产品线销售额同比增加59.98%，出货量同比增长102.99%，ZB32L003系列产品以超低待机功耗与超高性价比优势，在电动工具、HDMI设备、四轴飞行器、智能水表及烟感传感器等领域取得突破。目前MCU产品线已完成20PIN-48PIN布局，覆盖多样化应用场景。同时，公司电机控制MCU产品线（ZB32M022系列)）成功实现小批量试产与技术闭环（芯片设计-算法支持-方案Demo），正在导入消费电子（风筒、美甲机、玩具车电调）与工业领域（高速吸尘器、电动工具、气泵）等多家客户。两大产品线协同发力，为下半年及未来业绩增长奠定坚实基础。
　　（三）AI业务
　　2025年上半年，公司AIBU致力于TinyML AI算法、AI算法模组和AI解决方案等产品的开发于市场销售。AI算法包括端侧智能设备语音算法和端侧视觉算法，AI语音识别算法在3C数码产品例如空调伴侣、加湿器、玩具类产品实现批量出货，并完成AIGC硬件平台部署；AI人脸识别算法成功落地办公终端设备。AI算法模组在3C夜灯市场出货量占据50%以上市场份额，灯控和风扇灯领域突破百万台套出货，小家电（风扇/茶吧机/取暖器）、潮玩玩具、智能门锁完成设计并预计Q3起试产。AI解决方案依托离在线一体与多模态融合技术，重点攻坚AIGC玩具、小家电及办公智能体市场，核心项目将于下半年商业落地。
　　（四）大容量存储业务
　　2025年上半年，公司持续推进存储业务战略布局，成果显著：在利基型NAND Flash领域，新增single die SPI NAND及高性能32Gb SD NAND产品，预计三季度量产后将形成覆盖高、中、低端的差异化产品组合，更好满足网络通信、智能穿戴等细分应用客户；嵌入式存储芯片产品线新增256GB容量可以更好满足平板电脑、低端智能手机等客户需求，同时增加适配2家国际主流NAND Flash，增强了产品供应链的安全和稳定性。公司2025年1月搭载国内主流原厂2xnm DRAM晶圆，量产了第一代DDR4模组产品，DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，广泛应用于智能电视、安防监控、网通设备和工业控制等领域，后续将为公司业务带来新的增量。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NOR FLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力。同时加大MCU产品出货量，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升公司产品市场份额。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NAND Flash、eMMC芯片及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nm NOR Flash制程和55nm eFlash MCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2025年上半年公司的研发费用为4,283.05万元，占营业收入比例为24.58%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONG LU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、质量管控深度赋能公司发展
　　公司一直致力于强化质量管理、服务客户、提升客户满意度。上半年公司已通过ISO9001:2015和OC080000:2017体系认证，进一步完善公司质量管理架构，并通过专业工具的培训进一步提高员工能力，从而提升产品竞争力。公司始终关注于持续改进，不断优化内部管理流程，尤其是不断提高晶圆制造和封装测试的质量监控能力与标准，确保产品始终具备很强的市场竞争力。公司聚焦未来，持续推进NOR Flash产品和MCU产品车规级AEC-Q100标准测试认证，为公司扩展车规高端市场奠定坚实基础。同时公司始终坚持以顾客为导向的理念，以顾客的需求作为内在驱动力，确保交付的产品符合客户期望。通过以上措施，能力建设和流程建设同向发力为公司高质量发展保驾护航。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NOR Flash有关核心技术
　　公司NOR Flash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠
　　性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NOR Flash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clock gating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NOR Flash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
　　通过以上技术创新，公司NOR Flash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.高频高精度低功耗片内振荡器设计
　　MCU片内不同模块对时钟精度有着不同的需求，使用片内的高频高精度振荡器HIRC96M，在工业温度范围内可达到2%的频率精度，配合片内自校准技术在一定应用范围内可以取代晶振加PLL的时钟组合，达到减低芯片成本，同时降低芯片功耗，增加运行效率的作用。
　　b.宽电源电压工作范围的模拟设计技术
　　MCU中的模拟IP都实现了在宽电源电压范围内（1.8V~5.5V）可正常工作，拓宽了MCU产品的应用范围，增加使用便利性的同时也一定程度上减低了用户系统级设计成本。
　　c.时钟异常监测以及快速切换技术
　　MCU使用外部晶振工作时，存在晶振意外停止的情况，此种情况下可能存在锁死通信网络，以及电机控制失控等情况，为提升MCU的可靠性，业界通用做法是检测到外部晶振时钟异常的时候，切换到内部时钟，从而为软件处理提供可能性以及所需的时间，但既有的时钟安全系统需要在设定的计数值溢出后才可以检测到时钟停止，且需要其他时钟源作为辅助时钟，通常需要数十个外部晶振时钟周期。对于电机等高响应速度的应用，我们新设计了更高速的时钟安全监测切换电路，新的时钟安全监测切换电路，针对外部晶振的意外停止，首先不需要其他时钟源辅助，其次可以做到4~5个外部晶振周期就可以检测出晶振的停止并完成切换，从而可以快速关断电机驱动或者复位芯片，进一步提高可靠性。
　　d.内部振荡器自动校准功能
　　MCU芯片内部振荡器需要经过校准测试后才能出厂使用，为进一步降低测试成本，设计了自动校准电路，该校准电路有几个重要特性，①校准源可灵活选择，如使用外部晶振，外部时钟输入，或者外部指定宽度的信号输入，②电路可以选择二分法或者指定校准点/间隔，兼顾了测试初期和量产时的测试时间，③自动完成内部振荡器的校准以及校准参数的保存，从而减少量产测试时间。
　　e.电机控制算法技术
　　电机控制专用MCU是未来MCU市场重要的细分领域之一，公司高度重视电机控制市场的技术创新与研发投入，积极组建专业团队，致力于攻克行业技术难题，提升公司产品核心竞争力。
　　公司电机方案团队在电机控制技术领域取得了一系列显著成果，特别是在FOC（磁场定向控制）算法能力方面取得了一系列突破。包括：高速电机控制技术、直接闭环启动技术、堵转不失速快速启动技术、高频注入检测初始位置技术、电机参数辨识技术等。这些技术点的突破，不仅提升了公司产品的性能和竞争力，也为公司未来的业务拓展和市场份额的提升奠定了坚实的基础。在未来的研发工作中，公司将继续加大对电机控制技术的研发投入，不断优化现有技术，探索新的技术方向，为客户提供更优质、更高效的电机控制解决方案。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于Nor Flash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频预处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、低功耗人声活动检测(VAD)和低功耗FFT等，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.开发者友好的软硬件协同技术
　　为了提高对于第三方算法的适配，避免芯片只能运行有限的固化算法，公司针对存算芯片设计了一套自研的存算指令集架构，存算芯片能够根据编译完成的程序指令完成多样化的算子计算和数据流控制。同时，公司还基于指令集构建了对常用AI算子的支持，允许开发者进行多样化、自定义的模型部署和使用。后续公司还将继续优化，以期提供更好的SDK和开发生态。
　　d.系统级开发技术
　　综合CiNOR或者数字存算的AI加速模块，构建以神经网络为代表的AI算法的完整计算系统。最大化地利用整个系统的计算资源和存储资源，以完成更高效的AI推理任务。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。目前已具备4bit,8bit,16bit及混合精度的模型设计能力。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大化发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.TinyML的鲁棒性增强技术
　　在数据预处理、结果后处理等阶段，通过合适的数据清洗、数据增强、路径优化等方法，结合传统的信号处理技术，提升模型在外部干扰和复杂环境下的准确度、一致性和鲁棒性。公司同时也在构建多维度的语音算法能力，全方位提高TinyML方案在多样化场景中的性能和竞争力。目前公司的TinyML音频算法可在风噪、振动、混响、回声等强干扰环境下稳定运行。
　　c.TinyML的端侧部署技术
　　公司从应用出发，结合算法逻辑，对算子进行重新整合和优化，减少推理过程中不必要的算力浪费和资源占用，以期最大程度地发挥出端侧设备和算法的性能。已具备将PyTorch的算法模型高效地部署在Cortex-M系列、Cortex-A系列和RISC系列等MCU及其配套协处理器（如DSP、GPU和NPU等）的开发能力，涉及多种语音、视觉和时序信号应用。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.TinyML的商业化技术
　　对具体场景的应用需求、痛点、人机交互等因素进行分析，对算法逻辑进行优化，综合调控AI功能的识别率、误报率等性能。提供包括关键词识别、声纹识别、语音降噪、人声行为检测、音乐人声分离、离在线一体等一整套语音解决方案，为智能家居、智能玩具、智能监护等领域提供所需要的完善方案。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得3项发明专利，取得6项集成电路布图设计，新提交2项发明专利申请。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。

　　五、风险因素
　　（一）业绩波动风险
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。2025年上半年市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于去年同期下滑，同时公司基于谨慎性原则，在充分考虑期末存货的售价和适销性的基础上，报告期内计提存货跌价准备3,329.94万元，综合因素导致业绩亏损。若未来公司主要产品的销售单价和毛利率受行业波动和市场竞争等因素影响进一步下滑，则公司业绩存在继续下滑的风险。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NOR Flash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NOR Flash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M3、M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的主营产品为NOR Flash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NOR Flash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NOR Flash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为82.21%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　2025年上半年度公司产品所处行业市场竞争激烈，为加大出货量和占据市场份额，公司主要产品平均销售单价较去年同期均出现下滑，导致公司2025上半年综合毛利率水平仍然处于较低水平，2025年上半年公司综合毛利率为12.31%。公司主要产品NOR Flash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为33,360.38万元，占期末流动资产的比例为24.93%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为8,894.59万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　3、应收账款回收风险
　　报告期期末，公司应收账款账面价值为14,444.49万元，占流动资产的比例为10.79%。应收账款余额占当期营业收入的比例为84.68%。若下游客户财务状况出现不利变化或其他原因导致不能及时回款，公司可能存在应收账款无法回收的风险，进而对公司未来业绩造成不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。
　　（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
　　（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　（六）其他风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。 收起▲