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公司名称:深圳市民德电子科技股份有限公司 | 所属地域:广东省 |
| 英文名称:Shenzhen Minde Electronics Technology Ltd. | 所属申万行业:电子 — 其他电子Ⅱ | |
| 曾 用 名:- | 公司网址: www.mindeo.cn |
| 主营业务: AiDC设备的研发、生产和销售业务,以及功率半导体晶圆代工、设计和分销业务。 | ||
| 产品名称: AI工业读码器 、AI感应影像平台 、嵌入式AI扫描模组 、MOS场效应二极管(MFER) 、高压VDMOS 、高压BCD 、TVS等功率器件 、分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET) 、超级结MOSFET 、快恢复二极管(FRD) |
控股股东:
许文焕、许香灿 (持有深圳市民德电子科技股份有限公司股份比例:12.51、10.85%)
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实际控制人:
许文焕、许香灿 (持有深圳市民德电子科技股份有限公司股份比例:12.51、10.85%)
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最终控制人:
许文焕、许香灿 (持有深圳市民德电子科技股份有限公司股份比例:12.51、10.85%)
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| 董事长: 许文焕 | 董 秘: 陈国兵 | 法人代表: 黄效东 |
| 总 经 理: 黄效东 | 注册资金: 1.71亿元 | 员工人数: 581 |
| 电 话: 86-0755-86329828 | 传 真: 86-0755-86022683 | 邮 编: 518057 |
| 办公地址: 广东省深圳市南山区高新区中区科技园工业厂房25栋1段5层(1)号 | ||
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公司简介:
深圳市民德电子科技股份有限公司的主营业务是AiDC设备的研发、生产和销售业务,以及功率半导体晶圆代工、设计和分销业务。公司的主要产品是AI工业读码器、AI感应影像平台、嵌入式AI扫描模组、MOS场效应二极管(MFER)、高压VDMOS、高压BCD、TVS等功率器件、分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET)、超级结MOSFET、快恢复二极管(FRD)。截至报告期末,公司拥有有效授权注册专利107项,其中:发明专利46项、实用新型专利49项、外观设计专利12项;另有软件著作权登记31项,集成电路布图设计权16项,PCT10项。 |
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| 成立日期:2004-02-23 | 发行数量:1500.00万股 | 发行价格:15.60元 |
| 上市日期:2017-05-19 | 发行市盈率:22.8400倍 | 预计募资:2.07亿元 |
| 首日开盘价:18.72元 | 发行中签率: 0.01% | 实际募资:2.34亿元 |
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主承销商:长城证券股份有限公司
上市保荐人:长城证券股份有限公司
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历史沿革:
深圳市民德电子科技股份有限公司(以下简称“本公司”或“公司”)的前身原深圳市民德电子科技有限公司经深圳市市场监督管理局批准,于2004年2月23日在深圳市南山注册成立,于2015年5月7日整体变更为股份公司。本公司《营业执照》统一社会信用代码:91440300758620182W,注册地址为深圳市南山区高新区中区科技园工业厂房25栋1段5层(1)号。
深圳市民德电子科技股份有限公司(以下简称“本公司”或“公司”)的前身原深圳市民德电子科技有限公司经深圳市市场监督管理局批准,于2004年2月23日在深圳市南山注册成立,于2015年5月7日整体变更为股份公司。本公司《营业执照》统一社会信用代码:91440300758620182W,注册地址为深圳市南山区高新区中区科技园工业厂房25栋1段5层(1)号。
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