Public Christophe Fouquet全球市场趋势Industry & ASML的技术路线图ESG ASML Investor Day Veldhoven，Netherlands 2024年11月14日总裁兼首席执行官Small Talk 2024 附件 99.2
大众•半导体行业保持强劲，随着对超级计算的重大投资正在发生，以及整个行业正准备在所有关键的未来应用中插入人工智能，预计人工智能将创造更多机会•我们的行业将需要重大创新，以应对人工智能预期的成本和功耗挑战，这将在产品组合转向先进逻辑和DRAM的过程中进一步推动行业路线图•我们的客户仍然是我们战略的核心，我们相信光刻技术仍将是他们创新的核心。我们还预计，更多用于先进逻辑和内存工艺的关键光刻曝光将继续支持我们的客户应对他们的挑战•我们预计，我们将EUV技术1扩展到下一个十年的能力，2将整体光刻扩展到支持3D前端集成和3提高我们DUV产品的性能和成本效益，将继续通过灵活和多功能的产品组合满足客户的所有需求•我们将继续利用我们庞大且不断增长的系统安装基础（DUV，EUV）在> 20年的生命周期内提供高价值服务和升级• ASML重视强大的行业合作伙伴关系，这对我们的成功以及我们对ESG领导地位的集体承诺至关重要。我们预计，我们将EUV技术扩展到下一个十年并扩展我们多才多艺的整体光刻产品组合的能力，可能会将ASML置于人工智能机会的核心。这将继续在本十年创造收入和盈利能力的显着增长。第2页2024年11月14日
Public A客户信任和合作伙伴关系仍然是ASML战略的核心Seon-Yong Cha，SKHynix CTO我们预计，我们将EUV技术扩展到下一个十年并扩展我们多才多艺的整体光刻产品组合的能力，可能会将ASML置于AI机会的核心。这将继续在本十年创造收入和盈利能力的显着增长。第3页2024年11月14日
公众我们看到我们的社会从无处不在的芯片到无处不在的AI芯片Gen AI打开了无穷无尽的机会，预计到2030年将为GDP增加6-13T美元的价值连接世界气候变化和资源稀缺社会和经济转变自动化医疗保健、医疗技术技术技术主权工作、远程学习云基础设施超连接边缘计算能源转型电气化、智能移动农业创新更智能地利用有限的资源第4页*资料来源：麦肯锡公司，GenAI：半导体行业的下一个S曲线？| 2024年3月物联网2024年11月14日
公共物联网云基础设施边缘计算能源转型自动化医疗、医疗技术技术主权工作、远程学习超连接电气化、智能移动农业创新更智能地利用有限资源AI具有强大潜力，可推动整个行业跨多个应用领域向前发展主流市场放量增长同时高性能继续遵循摩尔定律I-Line先进细分市场主流细分市场先进细分市场主流细分市场300mm 300mm 300mm 300mm 300mm 200mm 300mm 300mm 200mm 300mm 200mm 200mm 150mm 300mm ArFi KrF ArF DRAM NAND MPU analog power optical sensors non-optical sensors logic mainstream logicspecialty memory advanced packaging EUV US TW CN EU JP USKR IRL 2024年11月14日第5页
公共云基础设施边缘计算能源转型自动化医疗保健、医疗技术技术主权工作、远程学习超连接电气化、智能移动农业创新更智能地利用有限的资源我们再次确认我们的观点，呼吁到2030年全球半导体销售额超过1T美元人工智能领域的重大投资正在进行中，其向消费者产品推出的确切步伐仍不得而知> 1T $ 2030 Semi销售额2015100200300400500600700800900100020162017201820192020202020212022202220232024 S e m i s a le s [ B $ ] 0高性能计算40%其他物联网汽车移动数据AI功率计算（+内存）第6页*资料来源：Kevin Zhang，台积电，半导体行业：现在与未来，IEEE固态电路大会，2024年2月*资料来源：WSTS和加特纳全球数据中心和边缘AI需求预计将同比大幅增长，在2030年占到Semi销售需求的> 40%，并为我们的行业连接物联网传感器主流边缘计算AI产生一些上行空间？*资料来源：麦肯锡公司，GenAI：半导体行业的下一个S曲线？| 2024年3月2024年11月14日
公开第7页Semi Equipment Hardware ASML Peers Semi Non-Semi 2023年亏损尽管市场低迷，半导体生态系统仍有相当的手段来驱动创新，该生态系统在2023年产生了超过865B美元的息税前利润Logic IDM Foundry Wafers Distributor E D A A A u to M o ti v e PC S m a rt p h o n e c o n tr a c t m a n u fa c tu ri n g s e rv e r in d u s tr ia l c o n s u m e r Products Foundry Semi Peers Non-Semi Semi Manufacturing Semi Design Software and Services资料来源：企业营销（CMKT）分析；公司报告；注：EBIT =息税前利润。箱型规模与EBITDA之比2024年11月14日
Public半导体生态系统已将其约一半的息税前利润进行再投资，以推动长期创新和增长，我们预计这种情况将持续第8页201520162017 E B IT [ B $ ] 2018年437R & D [ B $ ] 2019年20202021202290080070060050040030020010002023449540616564616883817865197220252289318348404468504资料来源：企业营销（CMKT）分析；公司报告；注：息税前利润=息税前利润。1046 2024e 54110002024年11月14日
公共计算能力的摩尔定律还活着并且很好每个封装的晶体管继续每两年翻一番，从而能够在2030年前达到一万亿个来源：nn Kelleher，ntel，“摩尔定律——现在和未来”，ntel投资者日2022年2月17日，T ra n s是要rs P e r P a c k a g e（lo g）志在到2030年达到一万亿个晶体管的intel内部分析英特尔产品。基于仍在设计中的产品的未来预测。未来的晶体管计数是预测，本质上是不确定的。200520102015202020252030200019951990第9页2x/2yrs 2024年11月14日
超越摩尔定律的公共高性能计算需求我们预计，生成式AI将要求加速摩尔定律能源使用可能会为向前的训练能力设置天花板如果未提及第10页C o m p u te p e r p a c k a g e [ F L O P s ] 2x/2yrs e n e rg y u s e p e r p a c k a g e [ J ]-0.6x/2yrs 200520102015202020252030200019951990 AI的计算需求来源：高性能计算：https://top500..org/lists/top500/基于FP64性能；消费者GPU：nVidia & AMD基于FP32性能的数据表来源：EPOCH，“著名模型”2024年6月，2024年11月更新AI所需能源2024年11月14日
公共高性能计算生成型AI，2030年高性能算力超越摩尔定律，> 70%的数据中心需求可由AI驱动，代表> 90%的Gen AI FLOPs第11页C o m p u te p e r p a c k a g e [ F L O P s ] 2x/2yrs e n e rg y u s e p e r p a c k a g e [ J ]-0.6x/2yrs 200520102015202020252030200019951990 11月14日，2024来源：高性能计算：基于FP64性能的https://top500.org/lists/top500/；消费者GPU：基于FP32性能的nVidia & AMD数据表来源：EPOCH，“值得注意的型号”2024年6月，2024年11月更新
公共生成AI，高性能算力超越摩尔定律超级计算机架构有潜力满足AI需求Page 12高性能计算C o m p u te [ F lo p s ] 2x/2yrs摩尔定律E n e rg y u s e [ J ]（Energy per flop）-0.4x/2yrs Energy per flop + compute eff。-0.6x/2yrs 3x/2yrs计算效率200520102015202020252030200019951990 Argonne Leadership Computing Facility：https://www.alcf.anl.gov/aurora高性能计算Aurora超级计算机（HPC和AI应用）交付2,000，000,000，000,000FLOP 2024年11月14日
公共生成AI，高性能计算能力超越摩尔定律架构成本必须降低才能充分启用AI机会Aurora超级计算机（HPC和AI应用）提供2,000，000,000，000,000，000,000，000FLOP，使用~85K CPU/GPU，> 20PB内存用于计算，> 230PB内存用于存储，成本约为5亿美元成本：> 5亿美元第13页Argonne Leadership Computing Facility：https://www.alcf.anl.gov/aurora 2024年11月14日
公共生成AI，高性能算力超越摩尔定律必须解决快速增长的能耗问题，以防止训练能力出现天花板19521960 1968200820161023102110191017101510131011109107105103101 T ra in in in g c o m p u te（f l o p s）d e e p l e a rn in g e ra in c lu d in g f e a tu re e x tr a c ti o n l a rg e s c a le e ra c o mb in in g c o m p le x d a ta s e ts Argonne Leadership Computing Facility：https://www.alcf.anl.gov/aurora。|来源：苏姿丰，AMD，ITF 5月21日202410252022 GEN E RA TI V E A I Aurora超级计算机（HPC和AI应用）使用60MW和每分钟34,00加仑的水用于冷却能源消耗，提供2,000，000,000，000,000，000FLOP：> 60MW page 14November 14,2024
高性能计算的公共可扩展性永无止境………但必须迎接新的成本和能源挑战，才能释放AI机会AI计算架构1 AI架构成本2半导体行业需要以最低的成本提供最高的计算能力/晶体管密度，包括尽可能低的二氧化碳排放第15页AI能源消耗3成本估算：~500m $ 2 exa FLOPS 60MW资料来源：苏姿丰，AMD，ITF 2024年5月21日Argonne Leadership Computing Facility：https://www.alcf.anl.gov/aurora 2024年11月14日
Public我们预计AI应用将加速对先进逻辑路线图的需求20182020202320252027202920312033203520372039未来的2D和3D创新正在为未来15年铺平道路page 16 2024年11月14日
Public我们预计AI应用将改变DRAM架构和体积未来的DRAM应该集成额外的逻辑功能以提高性能和能效第17页“P M可以通过向DR M内存添加额外的逻辑功能来提高内存绑定工作负载的性能和能效”2024年11月14日
公用1010010002015202020252030因此，我们继续预计逻辑和DRAM的晶体管将强劲增长，我们预计半导体需求组合将转向先进的逻辑和DRAM Page 18 D R A M G b p ro d u c e d [ 1018/m o n th ] C GR’15-'23：18% DRAM来源：逻辑历史：ASML终端市场模型，DRAM历史：WSTS，预测：ASML 1010010002015202020252030 T ra n s is to rs p ro d u c e d [ 1018/m o n th ] C GR‘15-’23：26%逻辑2024年11月14日
公共成本和能源降低应是未来工艺优化的核心1。增加每一步处理好的晶体管数量2。简化整体流程3。最大限度地降低每个加工步骤的成本和排放40~80个周期第19页必须降低晶圆图案化的总成本和总排放以支持AI路线图晶圆图案化的总成本和排放可以通过以下方式降低：CO2 2024年11月14日
公开页201Source：ASML，不包括标准电池片设计方面的创新G o o d p ri n te d t ra n s is to r/€ [ A.U. ] 1 ASML几十年来以更低的成本提供了更高的晶体管密度我们相信EUV可伸缩性和整体光刻可以将我们的历史趋势延伸到下一个十年（关键层）2005201020152020202520303020352040随着时间的推移整体光刻能力ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 ArFi EUV 0.33 EUV 0.55 EUV 0.75 2024年11月14日
公开页面211来源：ASML，不包括标准电池片设计方面的创新G o o d p ri n te d t ra n s is to r/eU.1 [ a.u. ] 1 ASML几十年来以更低的成本提供了更高的晶体管密度我们相信EUV可扩展性和整体光刻可以将我们的历史趋势延伸到下一个十年（关键层）200520102015202020252025203020352040随着时间的推移整体光刻能力2024年11月14日
公用202420302024203020242030好的印刷晶体管CO2技术成本环境成本+ 150%/曝光-30%/曝光-50%/曝光EUV可扩展性ASML的创新可以扩展EUV光刻的优势以更低的成本和能源为客户提供更多好的晶体管，同时提高了TERM22页=好的印刷晶体管光刻曝光成本CO2注：不考虑可能的通货膨胀的成本/曝光减少2024年11月14日
公开第23页=好的印刷晶体管光刻总成本CO2 ASML的创新可以扩展EUV光刻的好处以更低的成本和能源为客户提供更多好的晶体管@为ASML增加盈利能力2024年11月14日
Public Good打印晶体管分辨率生产率精确度图案化良率×××运营成本环境成本系统成本寿命/+ 1吨CO2 = 200欧元+光刻总成本ASML打算在各个方面进行创新，以最大限度地提高其产品组合价值，每件产品（EUV、DUV……）的创新将针对特定的客户和市场需求Page24 = 2024年11月14日
Public ACustomer信任和合作伙伴关系仍然是ASML战略的核心Seon-Yong Cha，SKHynix CTO我们预计，我们将EUV技术扩展到下一个十年并扩展我们多才多艺的整体光刻产品组合的能力，可能会将ASML置于AI机会的核心。这将继续在本十年创造收入和盈利能力的显着增长。
Public We expected that semiconductor manufacturers will continue to drive shrink reducing transistor dimensions likely remains the easiest way to drive density up at reduced cost page 26 SP：single patterning，DP：double patterning，QP：quadruple patterning，EPE：edge placement error source：1Luc van den Hove，IMEC，ITF May 21,202405 101530202521181614285,24，33,53，5 public data customer projection 2020202320252027202920312033203517143,822M e ta l p it c h，L in e a r s c a le大批量生产年份7203920371235321.4 1.0 0.7 0.2 0.5 0.3 sub-0.2逻辑金属间距[ nm ]边缘放置误差[ nm ]不确定性5,54，55,8节点名称1 [ nm ] 40估计2024年11月14日
公共逻辑和DRAM有望推动进一步的关键光刻曝光我们预计EUV 0.33 NA层将继续增加节点上的节点Page 27 20252029-203020252029-2030高低高-低-低-低-高20292029-2030高-低-低-高NXE 0.33 NA低-高# o f E U V 0.33 n A E x p o s u re s # o f E U V 0.33 n A E x p o s u re s 10-20 % EUV支出CAGR 15-25 % EUV支出CAGR DRAMLOGIC EUV光刻0.33NA曝光（加权平均）EUV光刻0.33NA曝光量（加权平均）2024年11月14日
Public EUV 0.33 NA可以使多图案进一步转换为单次曝光转换，从而为我们的客户带来成本、产量和循环时间收益page 28 202220242026202820302032 Single Expose（EUV 0.33 NA）a v e ra g e p a tt e rn in g c o s t p e r la y e r 20182020 LOGIC（LE-LE-LE – layer）DRAM（SA-LE-LE-layer）LOGIC（LE-LE – layer）213 Legend：LE = Litho-Etch | SA =自对齐多图案成本单次曝光成本2024年11月14日
公共EUV 0.33 NA可以实现进一步的多图案到单次曝光转换，从而导致2025年至2030年期间ASML的EUV曝光数量增加第29页202220242026202820302032 SE（EUV）A V e ra g e p a tt e rn in g c o s t p e r la y e r 64% 25% 17% 58% 33% 3% LE-LE-LE SE（EUV）LOGIC – 5层2 DRAM（DUV-EUV）202520271 3x LE SE 2019 LOGIC（DUV-EUV）2x LE SE 2028 LOGIC（DUV-EUV）3 Litho CAPEX Litho OPEX Non Litho Ref。（SE DUV）SE DUV 4x SPACER 2x SPACER 2x LESE SE LOGIC（LE-LE-LE – layer）DRAM（SA-LE-LE – layer）LOGIC（LE-LE – layer）> 4x > 2x > 1.5x > 1.5x litho强度% o f p a tt e rn in g c o s t图例：LE = Litho-Etch | SA = Self aligned 2024年11月14日
Public 0.55 NA EUV opportunity starts now as 0.33 NA EUV transitions to multi-patterning on < 26nm pitch critical layers SP：single patterning，DP：double patterning，QP：quadruple patterning source：1Luc van den Hove，IMEC，ITF May 21,202405 10153020 single expose 0.55 double expose 0.55 0.55 NA EUV adoption opportunity single expose 0.33 2521181614285,24，33,53，5 public data customer projectation estimate 2020202320252027202920312033203517143N o d e，m e ta l p it c h，l in e a r s c a le大批量生产年份7203920371235321,41，00,70，20,50，3 sub-0.2逻辑金属间距[ nm ]边缘放置误差[ nm ]不确定性5,54，55,8节点名称1 [ nm ] 40 pages 30November 14,2024
Public LOGIC：高NAEUV使1.5D和2D设计具有更大的设计自由度单曝光简化减少了工艺步骤、循环时间并提高了良率水平方向的曝光NXE 1次曝光NXE 2次曝光NXE 3 P22结合垂直方向的P28。第31页这种多次曝光方法由于其复杂性，不能在大批量制造中进行。高NA单花纹低NA多花纹高NA逻辑金属：~35%成本效益和工艺简化暴露高NA1 2024年11月14日
Public Logic和DRAM预计将推动进一步的关键光刻曝光，在2026-27年的大批量制造中插入高NA，到十年结束时采用20252029-2030 DRAMLOGIC 4-6 2-3预期平均高NA层第32页20252029-2030高低高低低High High # o f E U V 0.33 N A E x p o s u re s 4-9 EUV光刻0.33NA等效曝光（加权平均）> 2030 # o f E U V 0.33 N A E x p o s u re s > 2030 > 3 EUV光刻0.33NA等效曝光（加权平均）2024年11月14日
Public High NA EUV的最新光学创新为我们在不对称镜面上实现的EUV路线图皮克计稳定性（1/200 Si原子）奠定了基础Page 33 NA > 0.5 High NA镜面计量在蔡司掩膜级Wafer level NA0.33 Wafer level掩膜级2024年11月14日
公共EUV源功率持续规模化有机会实现> 1000W 740W EUV功率演示EUV源功率规模化20102015202020250100200300400500600 E U V s o u rc e p o w e r [ W a tts ]产品2037008009001000-确定未来达到> 1000W的措施12研究1 EUV等离子体1 μ m预脉冲1 μ m细化脉冲10 μ m主脉冲2等离子体工艺用于1和10 μ m红外源靶材稀化靶材锡滴1 μ m架构液滴重复率第34页2024年11月14日
Public High NA EUV光学支持更高生产力的愿景EUV平台EUV性能和生产力可远延至未来十年（> 2030）0.33 NA 0.55 NA 0.75 NA Today EXE平台NXE平台系统共性~50%~95%未来：更高生产力平台第35页2024年11月14日
公共0.75 NA EUV机会是在下一个十年，届时将需要< 16nm间距更高的生产力平台可以设计以支持未来的Hyper NA需求第36页SP：单图案，DP：双图案，QP：四重图案来源：1Luc van den Hove，IMEC，ITF 2024年5月21日单曝光0.7505 101530202521181614285,24，33,53，5公共数据客户预测估计2020202320252027202920312033203517143,82223 E P E [ n m ]，N o d e，M e ta l p it c h，L in e a r s c a le量产年份7203920371235321,41，00,70，20,50，3 sub-0.2逻辑金属间距[ nm ]边缘放置误差[ nm ]不确定性5,54，55,8节点名称1 [ nm ] 40 Multi Expose 0.75 0.75 NA EUV采用机会2032年后逻辑替代多图案0.55 NA被0.75 NA单一图案双重曝光0.55 2024年11月14日
公共我们预计前端3D集成将补充2D在驱动密度上的收缩前端3D集成挑战将引发新的litho机会面向所有半导体产品第37页Stack LOGIC W-W混合W-W Fusion W-W | D-W Fusion Overlay 3D NAND BSPN CFET HVM2026 > 2032 Array CMOS Logic Bare-Si Logic Bonding 5nm → 2nm50nm → 25nm 2.5nm → 1.6nm Litho KrF NXE/EXE TERM/EXE Array W-W/D-W hybrid array CMOS 50nm → 25nm KrF NAND DRAM W-W hybrid W-W/D-W hybrid 3D ARRAY4F2 2D array > 2027 > 2032 > 2032 Array CMOS Array CMOS Array > 4.5nm6nm → 3nm 6nm → 3nm ArFiArFi ArFi >
公共整体光刻应支持前端3D集成计量和扫描仪控制在前和后粘合是覆盖所需的关键工艺点page 38预粘合CMOS扫描仪校正和控制ARRAY扫描仪和离线计量21执行器后粘合Bonding ARRAY CMOS执行器大晶圆变形3计量光刻扫描仪整体光刻工艺控制点执行器321 > 5000测量/晶圆50-100nm叠加误差> 2000测量/晶圆< 5nm叠加误差< 5nm叠加误差整体光刻带来规范内的叠加误差大规模计量2024年11月14日
公共光刻是补偿工艺指纹的强大工具校正能力提升~5个数量级，now @每次曝光阶段100000个参数曝光阶段100%的晶圆被测量100%的晶圆被逐场处理计量阶段偶指奇数指灰滤波器X Y Z光学中心线剂量机械手柔性照明器栅格阶段1975198019851995199520002005201020152020202510001001010.1 o v e rl a y [ n m ] 1,0001001011，000 # u s e r s e le c ta b le l it h o c o rr e c ti o n s 100,000增加单场校正能力，晶圆、批次扫描仪和过程控制软件2024年11月14日第39页
公共晶圆键合可推动DRAM存储器的晶体管密度增加DRAM路线图目前有3个场景正在发挥作用，所有场景都包括键合，需要重大创新第40页202520262027202820292030203120322033203420352036 D1c D1d D0a D0b D0b D0c D0d D0e D0f 1）CBA：CMOS键合阵列– CMOS逻辑晶片键合到存储器阵列2）堆叠：阵列键合– 2个或更多内存阵列晶片相互键合。基于晶圆或芯片的6F26F2来源：企业营销（CMKT）分析
公共晶圆键合可推动DRAM存储器的晶体管密度增加DRAM路线图目前有3个场景正在发挥作用，所有场景都包括键合，需要重大创新Page 41 20252026202720282029203020312033203420352036 1c 1d 0a 0b 0c D0d D0e D0f 1）CBA：CMOS键合阵列– CMOS逻辑晶片键合到存储器阵列2）堆叠：阵列键合– 2个或更多内存阵列晶片相互键合。基于晶圆或芯片的6F26F2 2032 6F2 + CBA 4F2 + CBA4F2内存载体LOGIC Bonding内存载体LOGIC Bonding来源：企业营销（CMKT）分析2024年11月14日
公共晶圆键合可推动DRAM存储器的晶体管密度增加DRAM路线图目前有3个场景正在发挥作用，所有场景都包括键合，需要重大创新Page 42 20252026202720282029203020312033203420352036 1c 1d 0a 0b 0c D0d D0e D0f 1）CBA：CMOS键合阵列– CMOS逻辑晶片键合到存储器阵列2）堆叠：阵列键合– 2个或更多内存阵列晶片相互键合。基于晶圆或芯片的6F26F2 2032 6F2 + CBA 4F2 + CBA4F2内存载体LOGIC Bonding内存载体LOGIC Bonding 3D Integration 0d 0e 0f来源：企业营销（CMKT）分析2024年11月14日
公共晶片键合可推动DRAM存储器的晶体管密度增加DRAM路线图目前有3个场景正在发挥作用，所有场景都包括键合，需要重大创新Page 43 20252026202720282029203020312033203420352036 1c 1d 0a 0b 0c 0d 0e 0f 1）CBA：CMOS键合阵列– CMOS逻辑晶片键合到存储器阵列2）堆叠：阵列键合– 2个或更多内存阵列晶片相互键合。基于晶圆或芯片的6F26F2 4F2 + CBA4F2 2032 6F2 + CBA 3D阵列~> 125层2D阵列4F2 + CBA/阵列2D阵列6F2 + CBA/阵列内存载体LOGIC内存载体LOGIC Bonding Bonding + Stacking Bonding + Stacking Bonding来源：企业营销（CMKT）分析2024年11月14日
Public Bonding CBA Bonding Cost of Technology remains a major criteria for our customers ' roadmap choices EUV scalability and wholistic polithography can support future front end 3D integration schemes page44 20232025202720282030203220342035203720392041 b it c o s t s c a lin g（$/g b）– L o g s c a le 3D Array performance today；5 layers 3D Array cost chIf produced in HVM with today's capacity 6F2/4F2 6F2 3D array insertion in 2032 requires 125 layers new DRAM factories new equipment 125L new material？3D Array 2D Array来源：企业营销（CMKT）分析2024年11月14日
公开页4520232025202720282030203220342035203720392041 3D阵列性能今天；5层3D阵列成本挑战性能理论125层如果以HVM生产具有今天的能力3D阵列6F2/4F2 6F2 3D阵列插入2032年需要125层新的DRAM工厂新设备125 L CBA键合+堆叠键合+堆叠键合技术成本仍然是我们客户选择路线图的主要标准EUV可扩展性和整体光刻可以支持未来的前端3D集成方案300 L新材料？B it c o s t s c a lin g（$/g B）– l o g s c a le 2D Array来源：企业营销（CMKT）分析2024年11月14日
公众ASML仍然致力于实现其温室气体中和雄心加强价值链中的合作，旨在加速气候行动第46页帮助社会将全球气温上升限制在1.5 ° C的改善杠杆2025203020402050巴黎协定类别继续合作以消除产品使用产生的排放▪提高ASML产品的能效▪支持行业努力改善获得负担得起的可再生能源的机会，便利客户在2040年前获得100%可再生电力▪合作作为半导体行业的规模可信的碳去除选项合作采购GHG中性产品▪设定低碳设计规范▪支持向可再生能源过渡▪获得供应商的承诺，以补偿产品向ASML产生的任何剩余排放截至2030年G re e e n h o u s e g a s n e u tra l g re e n h o u s e g a s n e u tra l继续推动能效&可再生能源▪减少能源使用▪使用可再生能源▪补偿截至2025年的任何剩余排放量▪减少能源使用▪使用可再生能源▪补偿任何剩余排放截至2025年G re e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e eASML基于FRS的最近年度报告和SML向美国证券交易委员会提交的20-F表格的最近年度报告，包括战略报告中关于依赖我们价值链中的第三方减排量的风险因素和附录-关于排放目标的特别说明温室气体中性：剩余排放量，在SML努力达到其GHG减排目标后，以根据公认质量标准验证的相同数量的碳信用额作为补偿
公共450400350300250200150100500我们的EUV创新也有望在15年内推动客户的EUV能耗下降，我们预计每片暴露的晶片所需能量将减少80% 2018202120232033每片晶片能量的改善总功率当量100%每片晶片绝对功率能量202520292031202720% 100% 50% A T P T H O U G H P U T 30 m J [ W P H ]每小时晶片T O TA L P O W E R E Q U IV A le n t（k W）每小时晶片总数2024年11月14日第47页
具有公共吸引力和包容性的社区STEM ESG创新员工为我们社区的积极改进和经验做出贡献增加社会解决一些关键挑战所需的人才库支持创新想法以解决关键的ESG挑战与我们社区中的人们互动并为他们提供关怀ASML正在增加与社区的互动SML和社区因彼此的存在而受益并支持彼此的发展2024年11月14日第48页
公开前瞻性陈述本文件和相关讨论包含1995年《美国私人证券诉讼改革法案》含义内的前瞻性陈述，包括关于我们的战略、计划和预期趋势的陈述，包括终端市场和技术行业的趋势和商业环境趋势，包括人工智能的出现及其对半导体行业的潜在机会和期望，包括计算能力、先进逻辑节点和DR M存储器，关于摩尔定律和到2030年预期晶体管增长和期望的陈述，全球市场趋势和技术、产品和客户路线图，长期前景和预期光刻和半导体行业增长和趋势以及到2030年及以后的半导体销售和半导体市场机会的预期增长、晶圆需求和产能的预期增长以及额外的晶圆产能要求、我们客户的预期投资，包括对我们的技术和晶圆产能的投资、增加产能的计划、光刻支出的预期增长、增长机会，包括服务和升级的增长机会以及已安装基地管理销售的增长机会、整体光刻业务的预期增长和毛利率以及应用产品的预期潜在市场，对不断增长的安装基数、SML及其供应商的产能、系统的预期生产、模型场景和2030年的更新模型的预期和收益，包括2030年的年度收入和毛利率机会和发展潜力、展望和预期、建模或潜在的财务结果，包括收入机会、毛利率、研发成本、SG & A成本、资本支出、现金转换周期和2030年的年化有效税率，以及这些预期、建模或潜在金额所依据的假设和驱动因素，以及我们的业务和财务模型所依据的其他假设、预期趋势，半导体终端市场的前景和增长以及长期增长机会、需求和需求驱动因素、我们产品的预期机会和增长驱动因素以及技术创新，包括DUV EUV、High NA、Hyper NA、Applications和其他影响生产力和成本的产品、晶体管尺寸、逻辑和DRAM收缩、代工竞争、有关股息和股票回购的声明以及我们的资本回报政策，包括期望通过不断增长的股息和回购向股东返还大量现金，以及有关能源产生和消费趋势以及能源效率驱动的声明，减排和温室气体中和目标和目标日期，以实现温室气体中和、运营零浪费和其他ESG目标和雄心，并计划在ESG中保持领先地位、在全球范围内增加技术主权以及对半导体销售的预期影响，包括世界各国的具体目标、增加代工业务的竞争、2024年的估计和其他非历史陈述。你一般可以通过使用“可能”、“将”、“可以”、“应该”、“项目”、“相信”、“预期”、“计划”、“估计”、“预测”、“潜在”、“机会”、“情景”、“指导”、“打算”、“继续”、“目标”、“未来”、“进展”、“目标”等词语来识别这些陈述，以及这些词语或类似词语的变体。这些陈述不是历史事实，而是基于当前对我们的业务以及我们未来和潜在财务业绩的预期、估计、假设、模型、机会和预测，读者不应过分依赖它们。前瞻性陈述并不能保证未来的业绩，并涉及大量已知和未知的重大风险和不确定性。这些风险和不确定性包括但不限于客户需求、半导体设备行业产能、全球对半导体和半导体制造产能的需求、光刻工具利用率和半导体库存水平、半导体行业和终端市场的总体趋势和消费者信心、总体经济状况的影响，包括当前宏观经济环境对半导体行业的影响、围绕市场复苏的不确定性，包括复苏的时间、通货膨胀、利率、战争和地缘政治发展的影响、流行病的影响、我们系统的性能，技术进步的成功和新产品开发的步伐以及客户对新产品的接受和需求，我们的生产能力和调整能力以满足需求，供应链能力，零部件及时可用，原材料， 关键制造设备和合格员工、我们生产满足需求的系统的能力、订购、发货和确认收入的系统数量和时间、与净预订量波动和我们将预订转化为销售的能力相关的风险、订单取消或推出的风险以及出口管制下已订购系统的发货限制、与技术、产品和客户路线图以及摩尔法相关的风险、与贸易环境、进出口和国家安全法规和订单相关的风险及其对我们的影响，包括出口法规变化的影响以及此类法规对我们获得必要许可证和向某些客户销售我们的系统和提供服务的能力的影响、汇率波动、税率变化、可用流动性和自由现金流以及流动性要求、我们为债务再融资的能力、可用现金和可分配准备金以及影响股息支付和股票回购的其他因素、我们根据股票回购计划回购的股票数量，我们执行专利和保护知识产权的能力以及知识产权纠纷和诉讼的结果、我们实现ESG目标和执行ESG战略的能力、可能影响SML业务或财务业绩的其他因素，包括实际结果可能与模型存在重大差异的风险、我们为2030年和其他未来期间提供的潜力和机会，以及SML截至2023年12月31日止年度的20-F表格年度报告以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的其他文件中包含的风险因素中指出的其他风险。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日作出。除法律要求外，我们不承担在本报告发布之日后更新任何前瞻性陈述或使此类陈述符合实际结果或经修订的预期的义务。本文件和相关讨论包含有关我们在实现某些能效和温室气体减排目标方面的方法和临时进展的声明，包括我们实现温室气体中和的雄心。提到“温室气体中性”是指在SML努力达到其GHG减排目标之后，剩余的排放量将通过根据公认质量标准核实的相同数量的碳信用额公吨得到补偿。第49页2024年11月14日
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