展览99.3

 

推动技术战略
进入摩尔定律
下一个十年
马丁·van den Brink
总统兼
首席技术官

 

技术战略
整体光刻路线图是由我们独特的
提供客户价值的关键信息模式控制解决方案
2021年9月29日
提高了产品性能。
•摩尔定律依然有效！行业创新•ASML的全面产品组合与我们的
继续，在系统扩展的推动下，提供高价值客户的路线图，提供具有成本效益的解决方案
半导体产品。从前沿节点到成熟节点的所有应用程序
•半导体系统可扩展实现指数级•我们的下一代EUV技术High-NA正在取得进展
性能的提高和能量的降低将成为推动光刻技术发展的引擎
数据交换的显著增长。下一个十年
•客户的路线图需要继续缩减，•继续执行我们的战略优先事项，预计
减少边缘放置错误以推动负担得起的扩展为我们的客户提供具有成本效益的解决方案，使
进入下一个十年。将该行业的路线图延伸到下一个十年，以及
支持我们的长期可持续发展承诺
2

•摩尔定律的演变和客户路线图
ASML的战略重点
3

摆在我们面前的逻辑重大设备创新
扩展路线图将继续扩展到1纳米并超越幻灯片4
2021年9月29日
3nm2nm1、5nm1nm及以上
PP:44-48，MP:21-24PP:40-44，MP:18-21PP:40-44，MP:18-21PP:38-42，MP:15-18
BPR BPR
FinFET纳米片，BPR叉片，VHV STD电池拱。CFET，BEOL W/AIRGAP2D原子通道
5T5T<5T4T<4T
埋入式动力导轨纳米片叉片金属蚀刻W/气隙金属蚀刻W/气隙
聚丙烯:聚沥青
MP:密度金属间距（nm）
垂直-水平-垂直cfet:互补fet
资料来源:IMEC，Sri Samavedam，“未来逻辑扩展:走向原子通道和解构芯片”，IEDM，2020年12月。公众
4

创新不仅限于设备层面
台积电向300B以上晶体管迈进的系统路线图
2021年9月29日
Wow:Wafer on Wafer CoWos:Chip on Wafer on Subster HBM:3D高速存储器Re分布层
SOC:片上系统COW:片上芯片FPGA:现场可编程网格ArrayInfo:集成扇出式SOIC:系统集成芯片
>300BTSMC—SOIC
晶体管
INFO150B
晶体管
考斯
>50b
15个晶体管
晶体管
7b
晶体管
200MOS晶体管
几个晶体管
3D FinFET新型沟道材料
HKMG2P2EEUV
浸没电极金属氧化物ESL
SiGe低R势垒自对准线W/柔性空间
Cu/Lowk Co封头低损伤硬化低K&新型铜充填体
资料来源:Mark Liu，台积电，“释放创新的未来”，ISSCC，2021年2月15日公开
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创新不仅限于设备层面
台积电向300B以上晶体管迈进的系统路线图
2021年9月29日
Wow:Wafer on Wafer CoWos:Chip on Wafer on Subster HBM:3D高速存储器Re分布层
SOC:片上系统COW:片上芯片FPGA:现场可编程网格ArrayInfo:集成扇出式SOIC:系统集成芯片
设备扩展（包括代工供应链）TSMC-SOIC
电路扩展（包括代工客户）
尺寸缩放（包括LITO供应链）信息
铸造客户的体系结构扩展
考斯
芯片级别朝
系统级别
3D FinFET新型沟道材料
HKMG2P2EEUV
浸没电极金属氧化物ESL
SiGe低R栅极自对准线W/柔性空间
Cu/Lowk Co封头低损伤硬化低K&新型铜充填体
资料来源:Mark Liu，台积电，“释放创新的未来”，ISSCC，2021年2月15日公开
6

摩尔定律的演变:下一个十年
自2005年以来，传统的缩放指标（如时钟频率）已经饱和。
2021年9月29日
公共数据统计推测
1020投影
丹纳德波斯特丹纳德
1018比例缩放
1016
1014
1012
1010
108
106
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 19902000201020202030
资料来源:Karl Rupp，发表人:高通公司Shekar Bokar，“后摩尔定律时代计算的未来”，国际会议
高性能计算，网络存储和分析，2020年11月18日。公众
7

摩尔定律的演变:下一个十年
晶体管和岩层密度的标度测量在这十年中仍在继续下滑8。
2021年9月29日
公共数据统计推测
1020投影
DennardPost Dennard
1018缩放
1016
1014
1012
1010晶体管密度2
【#/mm2】
108设备和布局
优化Litso密度2
106（接触聚沥青*金属沥青）-1
【109/mm2】
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 19902000201020202030
资料来源:Karl Rupp2ASML数据和使用Rupp公开的投影
8

摩尔定律的演变:下一个十年
结合幻灯片9测量能量和时间效率的系统度量
2021年9月29日
系统和设备的节能性能定义为
【1/J.S】
如果应用于单个设备:
EEP=FC/E
FC=时钟频率【S-1】
E=晶体管开关能量【J】
使用Dennard模型，当维数与k-1、频率与k成比例时，
K-和功率密度常数的面积如下:
基于k4的eep设备级天平
如果密度（~K2）每2年增长2倍，那么EEP（~K4）每2年增长4倍。
资料来源:Robert H.Dennard等人，《极小物理尺寸离子注入MOSFET的设计》，IEEE固态电路杂志，第9卷，1973年10月，第256-268页。公众
9

摩尔定律的演变:下一个十年
设备节能性能的增长自2005年以来已经饱和。
2021年9月29日
公共数据统计推测
1020投影
DennardPost DennardSystem能量
1018ScalingScaling高效性能3
【1/J.S】
1016从晶体管到
系统缩放
1014晶体管能量
高效性能2
1012年【1/2月】
1010晶体管密度2
【#/mm2】
108设备和布局
优化Litso密度2
106（接触聚沥青*金属沥青）-1
【109/mm2】
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 199020002010202020302040
资料来源:Karl Rupp，2ASML数据和使用Rupp公开的投影。
10

摩尔定律的演变:下一个十年
系统节能性能增长3倍/2年，到2040年继续下滑11
2021年9月29日
资料来源:台积电，Mark Liu，“释放创新的未来”，ISSCC，2021年2月15日。公众
11

摩尔定律的演变:下一个十年
从每晶体管的成本到密度，再到系统的时间和能量成本
2021年9月29日
1020能源
1018表现3
1016
1014Tor Energy
表现2
1012
小行星1010
108设备和布局
优化Litso密度2
106（接触聚沥青*金属沥青）-1
【109/mm2】
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 199020002010202020302040
资料来源:Karl Rupp，2ASML数据和使用Rupp，3Mark Liu，TSMC，在2005年标准化到晶体管EEP的投影。公众
12

摩尔定律的演变:下一个十年
系统伸缩以满足性能和能耗需求幻灯片13
2021年9月29日
1020
系统改进系统系统能量
高效性能3
以晶体管缩放为主的1018缩放【1/J.S】
1016从晶体管到
系统缩放
1014晶体管能量
高效性能2
1012年【1/2月】
1010晶体管密度2
【#/mm2】
108设备和布局
优化Litso密度2
106（接触聚沥青*金属沥青）-1
【109/mm2】
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 199020002010202020302040
资料来源:Karl Rupp，2ASML数据和使用Rupp，3Mark Liu，TSMC，在2005年标准化到晶体管EEP的投影。公众
13

AMD3D芯片给出了3.1-3.8EEP的改进
通过将内存与处理器集成在一个软件包中，幻灯片14
2021年9月29日
降低3倍功率，
4-25%的速度提升
结构硅
64MB L3高速缓存芯片
铜-铜直接键合
通过硅通孔
硅对硅通信
多达8核“Zen3”CCD
“加速生态系统”，计算
14

摩尔定律的演变:下一个十年
系统伸缩以满足性能和能耗需求幻灯片15
2021年9月29日
公共数据统计推测
1020投影
系统改进系统系统能量
效率性能3
以晶体管缩放为主的1018缩放【1/J.S】
1016从晶体管到
系统缩放
1014晶体管能量
效率性能2
1012年【1/2月】
1010晶体管密度2
【#/mm2】
108设备和布局
优化Litso密度2
106（接触聚沥青*金属沥青）-1
【109/mm2】
104时钟频率1
【MHz】
102
1
1970 1980 199020002010202020302040
资料来源:Karl Rupp，2ASML数据和使用Rupp，3Mark Liu，TSMC，在2005年标准化到晶体管EEP的投影。公众
15

岩质密度在这十年里继续增加。
覆盖和光学接近校正误差急剧缩小幻灯片16
2021年9月29日
每6年2次
资料来源:平均客户路线图由ASML Extrapolation扩展至2021年5月，平均为2020年IRDS路线图Mustafa Badaroglu，
“IRDSIFT–更多摩尔春季会议，IEEE，2020年4月21日公开
16

未来十年的内存路线图
DRAM扩展到10nm以下和NAND堆叠继续>600层幻灯片17
2021年9月29日
德拉姆
十年后，NowChallenge<10nm
1Y1Z1A1B1C1D0A
NAND
10年后的现在挑战>600层
961281762XX3XX4XX5XX6XX
资料来源:SK Hynix，S.H.Lee，“Memory’s Journey to the Future ITC World，IEEE IRPS21March21,2021public
17

光刻技术层的投影
幻灯片18
2021年9月29日
KrF
逻辑层堆栈
5nm3nm2nm~1.5nm1nm
KrF
DRAM EUV-High-NA
层堆栈
1A1B1C0A0BeUV
阿尔菲
ARF
KrF
KrF I线
3D-NAND层堆栈
176L2XXL3XXL4XXL5XXL
2021 ~2030
资料来源:ASML公司战略和市场预测
18

光刻技术层的投影
DUV和EUV幻灯片19驱动光刻层数增长
2021年9月29日
KrF
逻辑层堆栈
5nm3nm2nm~1.5nm1nm
KrF
DRAM EUV-High-NA
层堆栈
1A1B1C0A0BeUV
DUV
KrF
3D-NAND层堆栈
176L2XXL3XXL4XXL5XXL
2021 ~2030
资料来源:ASML公司战略和市场预测
19

半导体和收缩路线图:未来几十年
幻灯片20
2021年9月29日
在接下来的十年里，系统扩展将继续满足人们的需求。
10
1962年先进半导体解决方案中的锂收缩
组件10仍然是提高电路密度和成本的关键。
1965年
成本10
10 1970
ASML的制造含义
收缩路线图需要创新来改进LITHO
1以更低的成本和更高的生产率来实现性能。
1 10 10 10 10 10
每个集成电路的元件数量
我们继续通过建立信任来捍卫我们的方法。
与客户的关系，以更强的整体产品.
20

摩尔定律的演进与客户路线图
•ASML的战略重点
21

ASML的战略重点
幻灯片22
2021年9月29日
加强——提高执行能力，以交付性能、成本
客户信任和对客户需求的稳健性
整体LITHO和-建立在边缘放置错误的领先地位
应用程序
DUV-驱动DUV性能和市场份额
竞争力
EUV
工业化-EUV大批量生产性能，坡道和支持
High-Na–支持未来节点的LITHO简化
公众
22

我们的整体投资组合比以往任何时候都更加重要。
带幻灯片23的光刻扫描仪
2021年9月29日
先进的控制能力
蚀刻和
沉积工具
进程窗口进程窗口
预测和控制
增强
光学接近校正IELDSTAR电子束
计算光刻光学计量学
计算计量学电子束计量学
电子束检查
进程窗口
检测
公众
23

我们的整体投资组合比以往任何时候都更重要。
幻灯片24
2021年9月29日
EUV DUV
高-na
应用程序
公众
24

应用:战略方向
为光学和电子束计量和检查提供领先的解决方案幻灯片25
应用程序2021年9月29日
客户价值ASML应用产品路线图
捕获更多晶圆签名以提高生产率
提高稳健的晶圆上过程控制•稳健的对准方案
纳米
更紧密的处理能力•单束分辨率和应用
3+’6西格玛控制•边缘放置错误控制
•自由形式的OPC和机器学习
良好的晶片捕捉小缺陷，实现•多波束分辨率
每日先进节点的产量•计算指导的检查
单位成本
更多固定测量•生产率/多波束
计量和检验预算•电子束平台合并
•OPC的准确性、速度和用户友好性
更快的解决时间
产出时间•单一过程控制平台和分析
公众
25

电子束检测具有固有的分辨率优势
通过增加平行度来提高多波束滑动26的吞吐量
应用程序2021年9月29日
1000000min缺陷大小
2nm及以下节点
100000光学量
明亮的领域
10000次检查
1000Gen3多波束（2028）
增加100人
【毫米/小时】吞吐量
启用
10个额外的HVMgen2多波束（~2024）
GHPUT应用程序
Throu1
0.1Gen1Multibeam（2021）
0.01扫描
电子
显微镜
0.00 1电子束成像（研发）
0.0001
60 40201086421
缺陷大小【nm】公开
26

计量、检验和图案控制路线图
幻灯片27
应用程序2021年9月29日
2020 2021 202220232024 2025
扫描仪接口
和控制软件增加扫描仪驱动（DUV和EUV），EPE控制
覆盖计量学快速级，多波长，计算计量学，
YieldStar设备内计量
e-Beam EP5 0.1纳米精度，12个单场vi w，Beam9k v hle（选项）高分辨率，大型EP6现场高R精度，视图，高R分辨率EP7下一代
Massive Metrology，EPE Metrologyep7XLE
EP5XS18.5keV着陆能量EP5XLE30keV着陆能量
50kev着陆能量
电子束缺陷
检测多波束、快速准确、着陆能量高、导引检测
计算改进模型精度，反OPC，
光刻机与深度学习、蚀刻模型
公众
27

NXT:2050i在客户批量生产
DUV20%的覆盖改善，更快的可靠性和生产力爬坡下滑28
2021年9月29日
NXT:2050i
匹配的机器专用卡盘
覆盖~1.2nMoverlay~0.8nm
在18天内每天生产6000片5000片晶圆，在13周内生产200180小时的可靠性
180
5000nxt:2050i160nxt:2050i
更快的坡道140更高的可用性
4000
120
每天（小时）
3000 100
晶片MTBI80
2000
60
40
1000
20
0 0
123456789 1011121314151617181920212223nxt:2000i1234567810111213141516171819
完成安装后几天完成安装后几周
NXT:2050iPublic
28

DUV:战略方向
DUV提供先进能力和更高生产力的领先解决方案幻灯片29
2021年9月29日
客户价值ASML DUV产品路线图
Overlay改进Overlay（稳定性），特别是•NXT:2100i，光学和对准方面的改进
用于匹配到EUV
生产率&每天在•浸入式芯片公司生产出更多优质晶圆
每片晶圆的可用性成本更低扫描速度更快
•用于干式光刻的XT到NXT转换
•为已安装的基地提供具有成本竞争力的服务，提高生产力
整个产品生命周期•增值服务解决方案增加可用性
节点性能
新的市场生产力和覆盖性能为•成熟的XT平台与应用程序特定的选择
特定应用•为成熟市场（>40纳米）扩展i-line产品组合
•晶圆厂替代解决方案
循环可持续产品和服务产品•系统节点扩展包路线图
经济•优化再利用以确保具有成本竞争力的供应
公众
29

支持所有细分市场的DUV产品组合
DUV幻灯片30
2021年9月29日
英格兰，半音高2020212022202320242025
在先进的NXT:2050i NXT平台上继续创新NXT:2000i，以改进NXT:2100i成像、覆盖和生产率
关键
Arfi1.35Na，38nm2.0nm|275wph1.5nm|295wph1.3nm|295wph
LEVERAGEMID—NXT:1980Di Advanced NXT PlatforNXT:1980EI改进的生产力NXT:1980FI
2.5nm|275wph2.5nm|295wph2.5nm|330wph
Xtxt:1460K
Arf0.93Na，57向先进的5nm|205wph nxtor平台7.5nm|228wph转移，以改善成像、覆盖和生产率
NXT:1470Next
NxT4nm|300wph
0.93Na，80Productivitynmxt:在XT平台上增加1060K xt:1060K+PEP
5nm|205wph|220wph
KrF XTXT:860MXT:860N
在-250WPHXT平台上，生产率提高了7.5nm|260wph
0.80纳米，110纳米
为PerformanceXT:870和Productivitnext迁移到高级NXT平台
NxT7.5nm|330wph
i-line0.65NA，220Productivitynmxt:在XT平台上增加400L，并迁移到Next Systemxt:400M用于大容量应用程序
20nm**|230wph20nm**|250wph
27%34%30%
66%70%
公众
30

EUV0.33NA的采用由平台成熟度在
EUV大批量制造幻灯片31
2021年9月29日
100%
3000系统输出
每天最大晶圆（单系统，每周平均）95%
2500 90%
已安装的基础系统可用性
日4周移动平均值（期末）85%
2000
每80%
15075%的可用性
晶圆70%
1000 65%
60%
500
55%
0 50%
2017 2018 201920202021
ASML承诺有望带来EUV可用性>95%
到2025年将硅片日产量提高50%以上
来源:ASML已安装的基础数据公开
31

EUV:战略方向
EUV支持高级节点的具有成本效益的伸缩Slide32
2021年9月29日
使用EUV ASML EUV产品的客户价值改进
更好的设备性能:更简单•技术路线图:每个节点（分辨率），提高
设计和卓越的电成像、覆盖和缺陷（分划板和晶片）
纳米性能水平）
满足晶圆厂产能所需工具减少
由于更高的吞吐量•随着时间的推移，生产率路线图:提高生产率
生产率>200wph，可用性>97%
关键层与改进子系统的模式成本节约重点:
替代品（3台ARFI浸入式和
以上）
良好•晶圆源（在线填充，更高功率，高反射镜）
每天每成本更高的产量，因为更少的多•镜子（镜子加热措施，冷却镜）
图案层（高达9%）
•阶段和分划线（分划线加热，高精度快速）
阶段、膜层耐用性）
降低了工艺复杂度，导致•对齐（#标记、标记大小、晶片夹紧鲁棒性）
循环时间和更短的学习周期和更快的-
上市时间收益率
公众
32

高钠值以防止循环时间和过程复杂性的增加
EUV LIKE Low NA DID用于浸入式幻灯片33
2021年9月29日
5插入首选
EuveUV
娜娜
3 --
0.33 0.55
（a.依赖）DuveUV-0.33NaEUV-0.55NA
复杂性周期时间（Product3）
0.33-NA插入支持SingleHigh-NA插入机会
工艺步骤，减少循环时间的模式，不需要任何摩尔定律
增加循环时间的掩蔽惩罚
2
替代选择
拟议基线
1
10 1001,000
16nm10nm7nm5nm3nm2nm
晶体管密度【MTR/MM】节点（等效节点名称）【nm】
注:假设每个掩膜层公开时间为1.2天
33

HIGH-NA EUV:战略方向
EUV支持为下一代高级节点提供具有成本效益的伸缩
2021年9月29日
客户价值高-NAEUV ASML高-NAEUV产品改进
0.55NA支持1.7倍更小的功能
和2.9倍增加的密度•技术路线图:每个节点（分辨率），提高
纳米成像、覆盖和缺陷（分划板和晶片）
级别）
更高的成像对比度可实现40%
地方基民盟的进步•随着时间的推移，生产率路线图:提高生产率
1.4倍的性能降低了1.4倍的模式变异性
低剂量
15%的模式成本节省关键焦点成功插入
层次与替代方案（2倍EUV）我们的客户
良好•与现有EUV平台的晶圆通用性，以减少
较高的收益率是由于较低的多重技术风险、开发成本和转换成本
图案层:在客户处减少35%的口罩数量
低于2nm工艺节点
•关注系统成熟度和支持的适用性
降低过程复杂性，使我们的客户获得更高的性能预期
循环时间和15%的缩短学习周期，并更快地与我们的客户进行早期接触，以解决
上市时间--时间产出生态系统的准备状态
公众
34

High-NA-EUV正处于实现阶段
多个ASML和供应商位置的EUV幻灯片35
2021年9月29日
德国Oberkochen光学系统制造厂
维尔德霍芬，
荷兰，
系统底层测试
EUV0.55NA光学
法国土伦，车架铣削，美国威尔顿，系统顶级测试
公众
35

EUV0.55NA有望加入EUV投资组合
EUV将在2025-2026年实现高销量，同时继续改进0.33NA平台幻灯片36
2021年9月29日
2020 2021 202220232024 2025
0.33Na连续成像，NXE:3600Doverlay和生产率提高
具有客户先进的1.1nmnode|160hvmwph要求.<1.1nm|>195wph/220wph<0.8nm|>220wph
EUV ASMLR&DHVM
0.55NA实现当前十年后可负担得起的扩展
EXE:5000EXE:5000EXE:5200
在ASML Fab<1.1nm|150wph<0.8nm|220wph时
EXE平台，EUV0.55NA NXE平台，EUV0.33NA
公众
36

EUV、DUV和High-NA平台之间的ST共性
幻灯片37
TRU允许更快、更具成本效益的创新、生产和维护
DUV EUV
对准传感器
通用技术水平传感器
用于两种计量方法
DUV&EUV平台晶圆处理
NXT（193nm干燥）
通用技术
用于
DUV产品:NXT
NXT:870NXT:1470NXT:2050i
EUV EUV High-NA
对准传感器源
液位传感器计量
通用技术晶圆分级机
用于两个分划线舞台
EUV平台晶圆处理
37

ST每天最大限度地为客户提供优质晶圆
幻灯片38
TRU将于2021年9月29日将系统停机时间最小化
100% 100%100%
系统停机时间系统停机时间服务
根据客户需求
标准化
定义>97%特定于流程的效率低下
例如，系统下降以满足
客户规格，图层
系统关闭后的资格，
缺陷监测和更多>90-95%
> 85-90%
系统正常运行时间系统正常运行时间生成
能够生产客户的晶圆
圆片
历史服务模式:新的服务模式:
最大限度地提高扫描仪的可用性，最大限度地提高每天的晶圆利用率
公众
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ST EUV是最节能的解决方案
幻灯片39
TRU我们预计，在2021年9月29日之前，替代工艺的净能源节约将超过45%。
EUV0.33EUV0.55
减少电力消耗
浸没至EUV0.33生产率【WPH】EUV0.33至EUV0.55at220WPH
侧壁辅助干燥
四极模式Arfi
Euvlito-Etch-Lito-Etch0.33Na-46%
100wph-45%金属化
Metologylito-etch0.55Na
145WPH沉积
（今日）05101520
韦特奇
220WPH
(2025)
0 5 101520
资料来源:Sri Samavedam A.O.，IMEC，“逻辑扩展的未来:走向原子通道和解构芯片”，IEDM，2020年12月，由ASML扩展。公众
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技术战略
整体光刻路线图是由我们独特的
提供客户价值的关键信息模式控制解决方案40
2021年9月29日
提高了产品性能。
•摩尔定律依然有效！行业创新•ASML的全面产品组合与我们的
继续，在系统扩展的推动下，提供高价值客户的路线图，提供具有成本效益的解决方案
半导体产品。从前沿节点到成熟节点的所有应用程序
•半导体系统可扩展实现指数级•我们的下一代EUV技术High-NA正在取得进展
性能的提高和能量的降低将成为推动光刻技术发展的引擎
数据交换的显著增长。下一个十年
•客户的路线图需要继续缩减，•继续执行我们的战略优先事项，预计
减少边缘放置错误以推动负担得起的扩展为我们的客户提供具有成本效益的解决方案，使
进入下一个十年。将该行业的路线图延伸到下一个十年，以及
支持我们的长期可持续发展承诺
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前瞻性陈述
幻灯片41
2021年9月29日
本演示文稿包含前瞻性陈述， 包括有关预期行业和商业环境趋势（包括预期增长）的声明， 展望和预期财务业绩， 包括预期的净销售额， 毛利率， 研发成本， SG&A成本和有效税率， 2025年的年度收入机会， 2025年的财务模型以及假设和预期增长率和驱动因素， 预期增长率，包括2020-2025年和2020-2030年的增长率， 总可寻址市场， 2025年以后的增长机会，光刻和计量检测系统的预期年增长率，以及安装基地管理的预期年增长率， 到2030年可寻址市场的预期趋势， 逻辑和内存收益机会的预期趋势， 长期增长机会和前景， 需求和需求驱动因素的预期趋势， 系统和应用程序的预期效益和性能， 半导体终端市场趋势， 半导体行业的预期增长，包括未来几年的预期需求增长和资本支出， 预期的晶圆需求增长和对晶圆产能的投资， 预计光刻市场的需求、增长和支出， 增长机会和驱动因素， EUV和DUV需求的预期趋势， 销售， 展望， 路线图， 机会和容量增长以及预期的EUV采用， 盈利能力， 可用性， 生产率和产量以及对晶圆需求的估计和价值的提高， 应用程序业务的预期趋势， 安装的基础管理的预期趋势，包括预期收入和目标利润率， 应用程序业务的预期趋势和增长机会， 对高回报的期望， 增加产出能力的预期， 计划， 战略和战略重点及方向， 期望增加容量， 产量和产量以满足需求， 摩尔定律将继续下去的期望和摩尔定律的演变， 产品， 技术和客户路线图， 以及有关资本分配政策的声明和意向， 股息和股票回购， 包括打算通过股票回购和不断增长的年度股息以及与ESG承诺有关的声明，继续向股东返还大量现金， 可持续发展战略， 目标， 举措和里程碑。你通常可以通过使用“可能”这样的词来识别这些陈述， “威尔”， “可以”， “应该”， “项目”， “相信”， “预期”， “期待”， “计划”， “估计”， “预测”， “潜力”， “意愿”， “继续”， “目标”， “未来”， “进步”， “目标”和这些词或类似词的变体。这些说法不是历史事实， 而是基于当前的预期， 估计， 关于我们的业务以及我们未来财务业绩和读者的假设和预测不应过分依赖它们。前瞻性陈述不能保证未来的表现，并涉及大量已知和未知的风险和不确定性。这些风险和不确定性包括， 没有限制， 经济状况；产品需求与半导体设备行业产能， 全球对半导体的需求和制造能力利用率， 半导体终端市场趋势， 总体经济状况对消费者信心和对客户产品需求的影响， 我们系统的性能， 新冠肺炎疫情的影响以及为遏制疫情而采取的措施对全球经济和金融市场的影响， 以及ASML及其客户和供应商， 以及其他可能影响ASML销售和毛利率的因素， 包括客户需求和ASML获得其产品供应的能力， 研发计划和技术进步的成功，新产品开发的步伐，以及客户对新产品的接受和需求， 生产能力和我们增加产能以满足需求的能力， 所订购系统的数量和时间， 已发运并确认为收入， 以及订单取消或推出的风险， 我们系统的生产能力，包括系统生产和供应链能力延迟的风险， 制约因素， 短缺和中断， 半导体工业的发展趋势， 我们执行专利和保护知识产权的能力，以及知识产权纠纷和诉讼的结果， 原材料的供应， 关键的制造设备和合格的员工以及劳动力市场的趋势， 地缘政治因素， 贸易环境；进出口和国家安全法规和秩序及其对我们的影响， 实现可持续发展目标的能力， 汇率和税率的变化， 可用流动性和流动性要求， 我们为债务再融资的能力， 可用现金和可分配准备金， 以及其他影响因素， 股息支付和股票回购， 股票回购计划的结果以及ASML截至12月31日的年度20-F表年度报告中包含的风险因素中指出的其他风险， 2020年以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的文件。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日做出。在本报告日之后，我们没有义务更新任何前瞻性陈述，也没有义务使这些陈述符合实际结果或修订后的预期， 法律规定的除外。公众，
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ASML Small Talk2021 42