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EUV产品和商业机会执行副总裁Christophe Fouquet


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EUV产品和商业机会关键信息幻灯片2021年9月29日ASML EUV光刻技术通过提供光刻分辨率的改进,扩展了我们的逻辑和DRAM客户路线图,我们的客户正在逻辑节点中使用EUV,并于2021年开始在DRAM节点中使用EUV。EUV层的采用继续增长,以降低模式复杂性和成本ASML EUV能力提升与其生产力路线图相结合,有望在未来几年支持我们的客户激增的需求EUV产品路线图有望扩展我们的EUV平台并同时引入EUV0.55NA平台,以提供全面而灵活的解决方案,以满足客户对模式缩放的持续需求,直到下一个十年,我们希望通过合并执行我们的价值增强产品路线图,随着时间的推移,继续提高EUV的盈利能力雄心勃勃的系统和服务成本降低路线图


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EUV0.33NA同时用于逻辑和DRAM,EUV0.33NA扩展和EUV0.55NA的引入预计将把EUV值扩展到下一个十年。我们增加的EUV产品和服务价值预计将继续推动盈利能力的提高


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EUV0.33NA正在生产中,用于逻辑和DRAM的所有先进半导体制造商预计将在2021年9月29日幻灯片4中运行EUV,到2024年生产基于当今最先进(1Z)工艺节点的最快、最大容量的移动存储器,三星新推出的16GB LPDDR5是第一款使用EUV技术大规模生产的内存,提供了移动DRAM中最高的速度和最大的容量。消息来源:三星,新闻稿,韩国,2020年8月30日来源:苹果,新闻稿,2020年11月10日SK Hynix开始使用EUV设备大规模生产1ANM DRAM SK Hynix,首尔,2021年7月12日美光宣布到2024年实现EUV晶圆厂来源:英特尔,Pat Gelsinger,《工程的未来》,3月23日,资料来源:《登记册》,2021年7月。


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EUV0.33NA在大批量生产中的平台成熟度使其得以采用幻灯片52021年9月29日100%3000系统每天输出95%最大晶圆(单个系统,每周平均值)2500安装基础系统可用性90%天4周移动平均值(期末)85%2000每80%75%1500可用性晶圆70%1000065%60%50055%50%02017 2018 2019 2020 2021ASML承诺有望带来EUV可用性>95%到2025年,将晶圆的日产量提高50%以上。


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EUV0.33NA预计将继续采用逻辑和DRAM,以支持最先进的设备路线图幻灯片62021年9月29日30实际今天Roadma20逻辑曝光内存的最大最小数10020192020 2022 2023 20242025public


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EUV的采用增加,预计将导致与2021年相比,2025年每年EUV晶片的移动增加>2倍2021年9月29日幻灯片800%30今天实际路线图(雄心)年度内存每20个逻辑曝光最大晶片的内存最少10个EUV数字逻辑总数100%020182019年2020年2021年2022年2023年2024年2025年公共


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ASML将通过增加出货量来满足EUV需求和系统生产率幻灯片82021年9月29日今天实际路线图400%【#】年WPH*】300%每个【通过200%的测试/容量船舶系统|100%2018年2020年2021年2022年2023年2024年2025年NXE:3400B NXE:3400C NXE:3600D NXE:3800E NXE:3800E NXE:3800E NXE:4000F*WPH=每小时晶圆


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ASML将通过增加出货量来满足EUV需求和系统生产力下滑92021年9月29日800%今天实际路线图(雄心)700%年【#】晶圆厂模型:EUV估计(3600D)WPH】X晶圆厂容量曝光系统内存每600%年(KWSPM*)每个晶圆厂WPH【单位【4510-209-18逻辑放置500%曝光内存容量400%1-62-9】通过晶圆300%的晶圆需求/产能EU EUV SHIPM系统200%100%*逻辑总数2018年2020年2022年2023年2024年2025年NXE:3400B NXE:3400C NXE:3600D NXE:3600D NXE:3800E NXE:3800E NXE:4000F*2018参考=100%公开


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比之前预计的更高的DRAM采用率将是EUV需求下滑的另一个驱动因素2021年9月29日800%今天实际内存700%每600%500%曝光400%晶圆300%EUV200%逻辑总计100%2018年2020年2021年2022年2023年2025年公开


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EUV减少了光刻和工艺步骤,从而产生明显的缺陷,成本和周期时间减少幻灯片112021年9月29日没有EUV–EUV(0.33NA)关键的总120%LITHO掩模工艺步骤#工艺STEPSNO EUV无EUV100%无EUV EUV(0.33NA)EUV80%(0.33NA)EUV(0.33NA)60%EUV值给客户40%无EUV减缺陷20%基于EUV的成本降低0%更短的周期时间节点公开


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三星报告称,在EUV引入时,与多图形浸没相比,缺陷减少了20%幻灯片2021年9月12日29日消除了多图形相关的缺陷,缺陷比率图案化ARFI MPT EUV集>20%DRAM D1XBLP【%】SEM图像比缺陷,提高了图案化精度和成本BLP ARFI MPT EUV设置ARFI EUV减少步骤的数量和累积的缺陷来源:三星投资者论坛,2020年11月公开


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EUV同时为逻辑和DRAM生产,其采用预计将继续扩大EUV扩展,EUV0.55NA的推出预计将把EUV值扩展到下一个十年。我们增加的EUV产品和服务价值预计将继续推动盈利能力


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预计ASML将继续以客户要求的速度扩展DUV和EUV平台,幻灯片1429Sept.2021mWavelength NA,半音高2020 2021 2022 2023 2024 2025duv nxt:2000i nxt:2050i nxt:2100i Next1.35na,38nm2.0nm|275wph1.5nm|295wph1.3nm|295wph nxe:3400c Nxe:3600d Nxe:3800e Nxe:4000f Euv0.33na,13nm233<0.8nm|>220wph1.5nm|135wph/145wph1.1nm|160wph<1.1nm|>195wph/220wph晶圆/小时基于30mJ/cm1)185wph@20mJ/cm2)170wph@20mJ/cm3)吞吐量升级产品:匹配机覆盖(nm)|吞吐量产品状况发布发展定义公众


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EUV0.55NA预计将被添加到EUV产品组合中,以支持2025年的大批量生产—2026幻灯片152021年9月29日\Wavelength NA,半间距2020年2021年2022年2023年2024年2025年NXE:3400C NXE:3600D NXE:3800E NXE:4000F0.33NA,13nm23<0.8nm|>220wph1.5nm|135wph/145wph1.1nm|160wph<1.1nm|>195wph/220wph早期访问客户EUV客户时机0.55NA ASML研发HVM EXE:5000EXE:5000EXE:5200.55NA,8nm1at ASML Fab<1.1nm|150wph<0.8nm|220wph euv0.55na更高的分辨率可实现1.7倍更小的功能而2.9倍增加密度的晶圆/小时是基于30MJ/cm EUV0.55Na更高的成像对比度1)185WPH@20MJ/cm2)170WPH@20MJ/cm能够使本地CDU提高40%3)吞吐量升级并提高关键层上的生产力产品:匹配机覆盖|吞吐量产品状态发布开发定义公开


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对于这两种逻辑,EUV0.55NA预计将在2025年至2026年期间再次减少Litho和Process步骤和DRAM幻灯片162021年9月29日关键LITHO掩模总工艺步骤EUV值给客户120%EUV EUV减小缺陷无EUV(0.33Na)无EUV(0.33Na)100%EUV EUV(0.33Na)成本降低(0.55Na)(0.55Na)EUV80%EUV(0.33Na)更短的周期时间60%M40%20%无EUV0%EUV(0.33NA)EUV(0.55NA)2021 2025-2026 2021 2025-2026DRAM预期DRAM预期


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EUV0.55NA是EUV技术的一个进化步骤,我们有源,我们开发了新的光学幻灯片1729月2021NXT EUV0.33NA EUV0.55NA系统转换平台到平台高193nm深紫外光13.5nm EUV光13.5nm EUV光13.5nm EUV光源现有的许多变化技术来源:不同的界面低高大气条件真空条件真空条件现有的许多扫描仪改变技术更高的加速/速度级低的高透射光学反射光学许多变形镜与光学新的光学改变更高的精度低的公开光学


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我们的EUV0.55NA平台的很大一部分预计将与我们的EUV0.33NA共同使用,以降低引入风险,成本和研发幻灯片2021年9月18日29日分划板处理分划板舞台投影光学箱照明源晶片处理圆片台驱动激光专用公众


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EUV光学投影镜ASML和蔡司在反射镜设计和独特的计量系统上的合作幻灯片2021年9月19日29日EUV0.55NA反射镜计量在蔡司公共全面运行


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极紫外光学投影镜,尺寸和精度前所未有的反射镜,幻灯片2021年9月29日极紫外0.55NA光学:直径1米,精度20pm,如果你将这些反射镜放大到地球的大小,最大的误差将是公众头发直径的大小。


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整合EUV0.55NA的设施进行中幻灯片2021年9月21日29日洁净室,Fab ASML Veldhoven Public


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EUV0.55NA制造有望提高质量通过集成4个预选模块的周期时间幻灯片2021年9月22日29日预选模块:分划线预选模块:光学模块:来源预选模块:圆片集成现在正在ASML上为所有4个预选模块进行圆片集成分划线光学圆片源源源顶框架,威尔顿集成,Oberkochen Metro框架,Veldhoven光学平台,圣地亚哥驱动激光器,Veldhoven船,圣地亚哥公共


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EUV同时为逻辑和DRAM生产,其采用预计将继续扩大EUV扩展,EUV0.55NA的推出预计将把EUV值扩展到下一个十年。我们增加的EUV产品和服务价值预计将继续推动盈利能力


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EUV产品增加服务价值和幻灯片24成本降低预计将推动更好的盈利能力2021年9月29日400%今天实际路线图300%日**每ghput200%2nm晶圆【nm】平均主干100%1nm Ove SY2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025NXE:3400B NXE:3400C NXE:3400C NXE:3600DNXE:3600D NXE:3800E NXE:3800E NXE:4000F*与2018年标准化,基于30MJ公共


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EUV产品和商业机会关键信息幻灯片252021年9月29日ASML EUV光刻技术通过提供光刻分辨率的改进,扩展了我们的逻辑和DRAM客户路线图,我们的客户正在逻辑节点中使用EUV,并于2021年开始在DRAM节点中使用EUV。EUV层的采用继续增长,以降低模式复杂性和成本ASML EUV能力提升与其生产力路线图相结合,有望在未来几年支持我们的客户激增的需求EUV产品路线图有望扩展我们的EUV平台并同时引入EUV0.55NA平台,以提供全面而灵活的解决方案,以满足客户对模式缩放的持续需求,直到下一个十年,我们希望通过合并执行我们的价值增强产品路线图,随着时间的推移,继续提高EUV的盈利能力雄心勃勃的系统和服务成本降低路线图


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前瞻性陈述幻灯片262021年9月29日本演示文稿包含前瞻性陈述, 包括有关预期行业和商业环境趋势(包括预期增长)的声明, 展望和预期财务业绩, 包括预期的净销售额, 毛利率, 研发成本, SG&A成本和有效税率, 2025年的年度收入机会, 2025年的财务模型以及假设和预期增长率和驱动因素, 预期增长率,包括2020-2025年和2020-2030年的增长率, 总可寻址市场, 2025年以后的增长机会,光刻和计量检测系统的预期年增长率,以及安装基地管理的预期年增长率, 到2030年可寻址市场的预期趋势, 逻辑和内存收益机会的预期趋势, 长期增长机会和前景, 需求和需求驱动因素的预期趋势, 系统和应用程序的预期效益和性能, 半导体终端市场趋势, 半导体行业的预期增长,包括未来几年的预期需求增长和资本支出, 预期的晶圆需求增长和对晶圆产能的投资, 预计光刻市场的需求、增长和支出, 增长机会和驱动因素, EUV和DUV需求的预期趋势, 销售, 展望, 路线图, 机会和容量增长以及预期的EUV采用, 盈利能力, 可用性, 生产率和产量以及对晶圆需求的估计和价值的提高, 应用程序业务的预期趋势, 安装的基础管理的预期趋势,包括预期收入和目标利润率, 应用程序业务的预期趋势和增长机会, 对高回报的期望, 增加产出能力的预期, 计划, 战略和战略重点及方向, 期望增加容量, 产量和产量以满足需求, 摩尔定律将继续下去的期望和摩尔定律的演变, 产品, 技术和客户路线图, 以及有关资本分配政策的声明和意向, 股息和股票回购, 包括打算通过股票回购和不断增长的年度股息以及与ESG承诺有关的声明,继续向股东返还大量现金, 可持续发展战略, 目标, 举措和里程碑。你通常可以通过使用“可能”这样的词来识别这些陈述, “威尔”, “可以”, “应该”, “项目”, “相信”, “预期”, “期待”, “计划”, “估计”, “预测”, “潜力”, “意愿”, “继续”, “目标”, “未来”, “进步”, “目标”和这些词或类似词的变体。这些说法不是历史事实, 而是基于当前的预期, 估计, 关于我们的业务以及我们未来财务业绩和读者的假设和预测不应过分依赖它们。前瞻性陈述不能保证未来的表现,并涉及大量已知和未知的风险和不确定性。这些风险和不确定性包括, 没有限制, 经济状况;产品需求与半导体设备行业产能, 全球对半导体的需求和制造能力利用率, 半导体终端市场趋势, 总体经济状况对消费者信心和对客户产品需求的影响, 我们系统的性能, 新冠肺炎疫情的影响以及为遏制疫情而采取的措施对全球经济和金融市场的影响, 以及ASML及其客户和供应商, 以及其他可能影响ASML销售和毛利率的因素, 包括客户需求和ASML获得其产品供应的能力, 研发计划和技术进步的成功,新产品开发的步伐,以及客户对新产品的接受和需求, 生产能力和我们增加产能以满足需求的能力, 所订购系统的数量和时间, 已发运并确认为收入, 以及订单取消或推出的风险, 我们系统的生产能力,包括系统生产和供应链能力延迟的风险, 制约因素, 短缺和中断, 半导体工业的发展趋势, 我们执行专利和保护知识产权的能力,以及知识产权纠纷和诉讼的结果, 原材料的供应, 关键的制造设备和合格的员工以及劳动力市场的趋势, 地缘政治因素, 贸易环境;进出口和国家安全法规和秩序及其对我们的影响, 实现可持续发展目标的能力, 汇率和税率的变化, 可用流动性和流动性要求, 我们为债务再融资的能力, 可用现金和可分配准备金, 以及其他影响因素, 股息支付和股票回购, 股票回购计划的结果以及ASML截至12月31日的年度20-F表年度报告中包含的风险因素中指出的其他风险, 2020年以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的文件。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日做出。在本报告日之后,我们没有义务更新任何前瞻性陈述,也没有义务使这些陈述符合实际结果或修订后的预期, 法律规定的除外。公众,


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ASML Small Talk2021投资者日虚拟