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DUV产品和商业机会Ron Kool执行副总裁业务线DUV ASML ASML Small Talk2021投资者日虚拟


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DUV产品和商业机会关键信息幻灯片2021年9月29日DUV需求处于创纪录的高位,在可预见的将来,在先进和成熟的市场细分技术创新的推动下,先进逻辑的需求将保持强劲内存市场将继续发展;我们扩展了所有波长的路线图,在NXT平台上提高性能和生产力,以支持行业的成本通过在XT产品组合的基础上,结合解决电源设备、传感器等细分市场的特定需求的解决方案,在成熟市场(包括Moore以外的应用)进行节能扩展,将带来一个增长机会,这些解决方案旨在为客户优化安装基础,人们越来越重视增值服务,同时提高生产力和性能。


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市场上有先进的逻辑和存储器、成熟的逻辑和模拟节点,而且摩尔市场上安装了基础公共设备


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在强劲的市场推动下,DUV业务前景显著改善,工艺复杂性增加和安装基数增长幻灯片42021年9月29日2018年DUV安装基数20%DUV安装基数50%2025年2018年50%系统80%DUV系统2018年我们的预测假设,由于采用EUV,浸入式需求将减少,市场增长符合历史趋势


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DUV业务前景显著改善,这得益于强劲的市场,流程复杂性的提高以及安装基数的增长2021年9月29日2021年9月5日2021年DUV安装基数30%25%2025年2021年70%DUV系统DUV系统驱动因素包括技术创新,过程复杂性的增加导致了对所有波长的更多需求,并增加了已安装的基础业务机会


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DUV解决众多细分市场专业存储器幻灯片6成熟逻辑2021年9月29日300毫米300毫米200毫米子分割逻辑300毫米模拟前端应用程序“更多摩尔”特殊应用程序成熟300毫米“更多”Than Moore”细分200mm先进功率300mm(40nm)MPU细分150mm(28nm)非光学传感器EUV300mm光学ARFI传感器DRAM ARF300mm KrF300mm先进I-Line Pack G NAND来源:ASML Public


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光刻层投影技术光刻层数增加,由DUV驱动和EUV幻灯片7IR SEP2021KrF逻辑层堆栈5nm3nm2nm~1.5nm1nm KrF DRAM EUV–High-Na Layer Stack1a1b1b1c0a0b Euv Duv KrF3d-NAND层堆栈176l2xxl3xxl4xxl5xxl2021~2030来源:ASML Public


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我们的终端市场日益相互依存,需要完整的解决方案组合幻灯片82021年9月29日EUV150mm ARFI模拟200mm ARF LNA功率分集中高光学130nm传感器180nm KrF逻辑150mm口径调谐器非光学I线传感器45nm5nm逻辑180NM公共


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DUV产品组合,以支持所有细分市场幻灯片92021年9月29日波长na,半间距2020年2021年2022年2023年2024年2025年nxt:2000i nxt:2050i nxt:2100i下一个关键2.0nm|275wph1.5nm|295wph1.3nm|295wph arfi1.35na,38nm NxT:1980di NxT:1980Ei NxT:1980fI mid—critical2.5nm|275wph2.5nm|295wph2.5nm|330wph xT:1460k xT5nm|205wph或7.5nm|228wph arf0.93nA,57nm nxT:1470nxT4nm|300wph0.93nA,80nm XT:1060K XT:1060K+PEP5nm|205wph5nm|220wph XT:860m XT:860N KrF XT7nm**|240—250wph7.5nm|260wph0.80nA,110nm NXT:870nxT7.5nm|330wph i-line0.65nA,220nm XT:400L XT:400M下一个20nm**|230wph20nm**|250wph27%30%34%5%产品:匹配机覆盖|吞吐量95%66%70%产品状态发布开发定义**晶圆内场公开


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NXT转换提高了KrF和ArF的生产力显著下滑102021年9月29日27%每260片晶片330小时KrF XT:860N NXT:8702021 2022小时46%每300片晶片205ArF NXT:1470第一个LITO系统显示>300WPH XT:1460NXT:1470 20192021


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我们将通过提高工厂产量和扫描仪生产率来支持客户的晶圆需求2021年9月11日至29日(WPH)性能增长1.7倍


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市场上有先进的逻辑和存储器、成熟的逻辑和模拟节点,而且摩尔市场上安装了基础公共设备


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NXT:2050i在批量生产中对客户覆盖改善20%,更快的可靠性生产率提升幻灯片1329Sept.2021nxt:2050i匹配机专用卡盘覆盖层~1.2nm覆盖层~0.8nm6000 5,000片/天在18天内200 180小时在13周内可靠性180 5000nxt:2050i nxt:2050i160更快的斜坡140更高的可用性第4000天每120(小时)3000100晶片MTBI8020006040100200123456789 1011121314151617181920212223nxt:2000i123456781011121314安装完成后15 16171819天安装完成后几周Public NXT:2050i


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NXT:2100i与NXT:2050i相比,在产品覆盖方面提高了20%,这是典型的DRAM应用幻灯片2021年9月14日29日幻灯片分划板处理程序更快的调节和更低的分划板到分划板的温度变化投影光学改进型镜头和交叉匹配晶圆台控制改进覆盖和寿命改进2D分划线阶段网格校准对准12种颜色减少影响分划线负载误差65分,小分,结合光学传感器的覆盖布局改进的扫描仪改进的相机和热计量软件调节改进的设置用于覆盖NXT:2100i吞吐量295WPH生产力MMO1.3nm覆盖在产品覆盖1.4nm上


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NXT平台减少资本投入,Fab Space NXT每月从100K晶圆开始带来17%的占地面积减少幻灯片152021年9月29日用例:100KWSPM5ARF(干)20KRF层172m5x xt:1460K(205wph)140m4x nxt:1470(300wph)Arf(干)Arf(干)482m14x xt:860n(260wph)421m12x nxt:870(330wph)KrF KrF总计654m561m


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市场上有先进的逻辑和存储器、成熟的逻辑和模拟节点,而且摩尔市场上安装了基础公共设备


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我们支持以成熟的逻辑进行增长。和模拟节点交付约30%提高了生产力对于相同的处理能力幻灯片172021年9月29日350nxt:1980fi300xt:860n xt:400m250xt:1460k nxt:1960bi小时200xt:860h xt:400h每xt:1450h晶圆150 100 50nxt xt0 2013 2023 2013 2023 2013 2023 2023arfi arfi i i-line公共线路


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成熟市场:差异化应用空间强劲增长预期短期和长期受现有驱动和新幻灯片1829 2021年9月29日的应用基板模拟成熟光学非光功率尺寸【毫米】厚度【M】逻辑传感器厚300毫米标准(775)Si Si Si Si Si薄玻璃厚Altic GaN on Si200毫米标准(725)Si Si Si Si Si Si Si Si Si薄玻璃陶瓷SiC厚150毫米标准(675)Si SiGe SOI Si陶瓷薄GaAs材料:Si:硅,AlTiC:铝-钛-碳,GaN:氮化镓,SiGe:硅锗,SiC:碳化硅,SOI:绝缘体上的硅,GaAs:砷化镓公共


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超过XT平台支持的摩尔市场与应用特定的对准和晶片处理选项幻灯片2021年9月29日XT平台:ARF,KrF,I线晶片处理选项对准选项晶片尺寸:150/200/300毫米对准通过玻璃晶片厚度:0.3—1.5毫米背面对准材料:硅,GaN on Si,Smash Extensions to200mm玻璃,陶瓷功率光学非光点传感器翘曲晶圆台流量和毛刺节距器件与许多变化的基板(厚度)公共


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市场上有先进的逻辑和存储器、成熟的逻辑和模拟节点,而且摩尔市场上安装了基础公共设备


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2020年1000多个系统曝光100多万片晶圆16个系统曝光更多每年超过200万片300毫米的晶圆2021年9月29日幻灯片>1.00 0.0001.057>1.500.000341>2.00 0.00071晶圆每年862片晶圆每年167382591784948316268741473025’11“12‘13’14‘15’16‘17’18‘19’20‘11’12‘13’14‘15‘16‘17’18‘19‘20‘11’12‘13’14‘15’16‘17‘18‘19’20晶圆代工存储器


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已安装的基础生产力每日晶圆产品的机会下滑2021年9月22日增强封装每日晶圆服务在最短的提前期和投资时间内扩大晶圆厂产能


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DUV Immersion–升级路线图系统节点扩展包生产力包幻灯片23系统模块化创建晶圆厂灵活性客户在研究中2021年9月29日匹配190WPH230WPH250WPH275WPH295WPH330WPH机器覆盖NXT:1950i5.5nm NXT:1960BI4.5nm NXT:1965CI4.5nm NXT:1970CI3.5nm NXT:1980Di NXT:1980EI NXT:1980FI2.5nmNXT:2000i2.0nm NXT:2050i1.5nm NXT:2100i1.3nm公开


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服务和升级提升价值和工具的使用寿命主升级超过NXT扫描仪使用寿命幻灯片242021年9月29日系统服务升级PEP软件示例:NXT:1960BI SNEP UVLS升级服务收入系统收入2009年2010年2012年2013年2014年2015年2017年2018年2019年2020年2021年2022年202420220262027年2028年20292030 20312032203320342035 203620372038产品成熟度UVLS:UV电平传感器,SNEP:系统节点扩展包,PEP:生产力增强包public


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DUV产品和商业机会关键信息幻灯片252021年9月29日DUV需求处于创纪录的高位,在可预见的将来,在先进和成熟的市场细分技术的推动下,先进逻辑的技术创新预计将保持强劲内存市场将继续发展;我们扩展了所有波长的路线图,在NXT平台上提高性能和生产力,以支持行业的成本通过在XT产品组合的基础上,结合解决电源设备、传感器等细分市场的特定需求的解决方案,在成熟市场(包括Moore以外的应用)进行节能扩展,将带来一个增长机会,这些解决方案旨在为客户优化安装基础,人们越来越重视增值服务,同时提高生产力和性能。


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前瞻性陈述幻灯片262021年9月29日本演示文稿包含前瞻性陈述, 包括有关预期行业和商业环境趋势(包括预期增长)的声明, 展望和预期财务业绩, 包括预期的净销售额, 毛利率, 研发成本, SG&A成本和有效税率, 2025年的年度收入机会, 2025年的财务模型以及假设和预期增长率和驱动因素, 预期增长率,包括2020-2025年和2020-2030年的增长率, 总可寻址市场, 2025年以后的增长机会,光刻和计量检测系统的预期年增长率,以及安装基地管理的预期年增长率, 到2030年可寻址市场的预期趋势, 逻辑和内存收益机会的预期趋势, 长期增长机会和前景, 需求和需求驱动因素的预期趋势, 系统和应用程序的预期效益和性能, 半导体终端市场趋势, 半导体行业的预期增长,包括未来几年的预期需求增长和资本支出, 预期的晶圆需求增长和对晶圆产能的投资, 预计光刻市场的需求、增长和支出, 增长机会和驱动因素, EUV和DUV需求的预期趋势, 销售, 展望, 路线图, 机会和容量增长以及预期的EUV采用, 盈利能力, 可用性, 生产率和产量以及对晶圆需求的估计和价值的提高, 应用程序业务的预期趋势, 安装的基础管理的预期趋势,包括预期收入和目标利润率, 应用程序业务的预期趋势和增长机会, 对高回报的期望, 增加产出能力的预期, 计划, 战略和战略重点及方向, 期望增加容量, 产量和产量以满足需求, 摩尔定律将继续下去的期望和摩尔定律的演变, 产品, 技术和客户路线图, 以及有关资本分配政策的声明和意向, 股息和股票回购, 包括打算通过股票回购和不断增长的年度股息以及与ESG承诺有关的声明,继续向股东返还大量现金, 可持续发展战略, 目标, 举措和里程碑。你通常可以通过使用“可能”这样的词来识别这些陈述, “威尔”, “可以”, “应该”, “项目”, “相信”, “预期”, “期待”, “计划”, “估计”, “预测”, “潜力”, “意愿”, “继续”, “目标”, “未来”, “进步”, “目标”和这些词或类似词的变体。这些说法不是历史事实, 而是基于当前的预期, 估计, 关于我们的业务以及我们未来财务业绩和读者的假设和预测不应过分依赖它们。前瞻性陈述不能保证未来的表现,并涉及大量已知和未知的风险和不确定性。这些风险和不确定性包括, 没有限制, 经济状况;产品需求与半导体设备行业产能, 全球对半导体的需求和制造能力利用率, 半导体终端市场趋势, 总体经济状况对消费者信心和对客户产品需求的影响, 我们系统的性能, 新冠肺炎疫情的影响以及为遏制疫情而采取的措施对全球经济和金融市场的影响, 以及ASML及其客户和供应商, 以及其他可能影响ASML销售和毛利率的因素, 包括客户需求和ASML获得其产品供应的能力, 研发计划和技术进步的成功,新产品开发的步伐,以及客户对新产品的接受和需求, 生产能力和我们增加产能以满足需求的能力, 所订购系统的数量和时间, 已发运并确认为收入, 以及订单取消或推出的风险, 我们系统的生产能力,包括系统生产和供应链能力延迟的风险, 制约因素, 短缺和中断, 半导体工业的发展趋势, 我们执行专利和保护知识产权的能力,以及知识产权纠纷和诉讼的结果, 原材料的供应, 关键的制造设备和合格的员工以及劳动力市场的趋势, 地缘政治因素, 贸易环境;进出口和国家安全法规和秩序及其对我们的影响, 实现可持续发展目标的能力, 汇率和税率的变化, 可用流动性和流动性要求, 我们为债务再融资的能力, 可用现金和可分配准备金, 以及其他影响因素, 股息支付和股票回购, 股票回购计划的结果以及ASML截至12月31日的年度20-F表年度报告中包含的风险因素中指出的其他风险, 2020年以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的文件。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日做出。在本报告日之后,我们没有义务更新任何前瞻性陈述,也没有义务使这些陈述符合实际结果或修订后的预期, 法律规定的除外。公众,


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