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Navitas宣布与PSMC合作生产200mm氮化镓的计划
下一阶段战略预计将加强供应链、驱动创新、提高成本效率——支持GaN向AI数据中心、EV、太阳能、家电领域的爬坡。
加利福尼亚州 TORRANCE，2025年7月1日— Navitas Semiconductor（纳斯达克：NVTS），下一代GaNFast的行业领导者™氮化镓（GaN）和GeneSiC™碳化硅（SiC）功率半导体，今日宣布与力晶半导体制造公司（PSMC或力晶）达成战略合作伙伴关系，开始生产并继续开发同类最佳的200mm硅基GaN技术。
Navitas的GaN IC产品组合预计将在位于台湾新竹的Fab 8B中使用Powerchip的200mm。该晶圆厂自2019年开始运营，支持GaN的各种大批量制造工艺，从微型LED到射频GaN器件。
力晶的能力包括改进的180nm CMOS工艺，提供更小、更先进的几何形状，从而带来性能、功率效率、集成度和成本方面的改进。Navitas WBG技术平台高级副总裁Sid Sundaresan博士表示：“在180nm工艺节点上生产200mm硅基氮化镓，使我们能够继续创新更高功率密度、更快、更高效的器件，同时提高成本、规模和制造良率。”
力晶预计将制造Navitas的GaN产品组合，其额定电压范围为100V至650V，支持48V基础设施对GaN不断增长的需求，包括超大规模AI数据中心和EV。预计2025年Q4初期装置获资质。100V家族预计将于1H26首先在力晶开始生产，而该公司预计650V设备将在未来12-24个月内从Navitas的现有供应商台积电过渡到力晶。
Navitas最近在AI数据中心、EV和太阳能市场发布了多项公告，包括与NVIDIA合作支持GaN和SiC技术，用于1MW IT机架及以上的800V HVDC架构。Enphase宣布其下一代iQ9将包括Navitas的650 V双向GaNFast IC，长安汽车宣布其首款采用Navitas的GaNSafe技术的商用GaN基OBC（车载充电器）。
Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“我们很自豪能与Powerchip合作推进大批量的200毫米硅基氮化镓生产，并期待在未来几年共同推动持续创新。”“通过与力晶的合作，我们处于有利地位，可以推动产品性能、技术演进和成本效率方面的持续进步。”
“力晶科技与Navitas在GaN-on-Si技术上合作多年，我们很高兴地宣布，产品认证已接近完成——将我们带到了量产的边缘”，力晶科技总裁兼董事Martin Chu表示。“基于这一强大的合作伙伴关系，力晶致力于扩大我们的合作，并持续支持纳微探索和发展GaN市场。”
关于力晶半导体制造公司
力晶半导体制造公司（PSMC）是一家台湾半导体代工厂，开发、制造、分销先进的存储组件及其他集成
电路。PSMC成立于1994年，运营着多座12英寸和8英寸晶圆厂，提供代工服务、设计、制造、测试服务。他们因在开发和制造一系列半导体产品方面的专业知识而受到认可，这些产品包括功率集成电路、分立元件和图像传感器。
关于Navitas
纳微半导体（纳斯达克：NVTS）是唯一一家纯粹的、下一代功率半导体公司，庆祝功率创新10周年，成立于2014年。GaNFast™功率IC集成了氮化镓（GaN）电源和驱动，具有控制、传感和保护，可实现更快的充电、更高的功率密度和更大的节能。互补GeneSiC™功率器件是优化的大功率、高电压、高可靠性碳化硅（SiC）解决方案。重点市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费者。超300项Navitas专利已发布或正在申请中，拥有业内首个也是唯一的20年GaNFast质保。Navitas是全球首家获得CarbonNeutral®-认证。
Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GeneSiC和Navitas徽标是Navitas Semiconductor Limited及其附属公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标记是或可能是用于识别其各自所有者的产品或服务的商标或注册商标。
前瞻性陈述
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联系方式
Llew Vaughan-Edmunds，产品管理和营销高级总监
info@navitassemi.com