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EX-99.4 5 表994.htm EX-99.4 展览994

Public Peter Vanoppen EUV产品与商机ASML投资者日荷兰Veldhoven 2024年11月14日执行副总裁兼业务线负责人0.55 NA EUV Small Talk 2024 Teun van Gogh执行副总裁兼业务线负责人0.33 NA EUV 附件 99.4

公钥消息• EUV已达到大批量制造成熟度，为持续创新提供坚实基础。• NXE：3800E的生产率提高了38%，叠加层提高了13%，并计划为NXE：4000F及更高版本提供额外的生产率和叠加层改进。• IMec ASML High NA EUV实验室于6月启用，EUV客户已全部曝光关键层。数据证明了该系统通过减少剂量，实现单次曝光和2D布局设计，将关键层的成本比0.33 NA降低20-35 %的能力。•首批High NA EUV系统在客户处投入使用，标志着采用High NA EUV的一个关键里程碑。•未来，0.33 NA和0.55 NA的EUV系统都将用于关键曝光。未来十年的EUV路线图包括引入高生产力平台，并将为0.33 NA、0.55 NA和潜在的Hyper NA实现负担得起的扩展。•将结合生产力和性能升级，利用基于价值的服务模式来利用不断增长的安装基础机会。

公用13.5 EUV波长[ nm ] 436 g线365 i-line 248 KrF 193 ARF和浸入科技 EUV光刻使分辨率提高2个数量级，使最先进的芯片制造第3页R e s o lu ti o n [ n m ] 10100100011985 19901995200020052010201520202025 > 2030 ArF（193nm）EUV 0.33 NA（13.5nm）EUV 0.55 NA（13.5nm）ArF 浸入科技（193nm）KrF（248nm）i-line（365nm）NA + 67% NXT：1950i TERM0：3400 EXE：5x00 丨XT：1400 NA + 45% EUV 0.75 NA（13.5nm）NA + 36% 2024年11月14日

公开第4页20222018 24Q3：93.5% 202020192021 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q3 Q4 [ % ] 18Q4：64% 19Q4：82% 20Q4：84% 21Q4：87% 22Q4：90% 23Q4：93%系统出货数量（累计NXE：3400B/C，NXE：3600D，NXE：3800E）可用性（全球系统总数）Q3 Q4 N u m b e r o f s y s te m s s h ip p e d（c u m u la tiv e n x e：3400 b/c，n x e：3600 d & n x e：3000 e）85455355627692381151270.33 NA EUV系统超过93.5%的全球平均可用性（2024年第三季度）迈向95%的全球可用性2024年11月14日

公用NXE生产力多年来稳步提升NXE：3800E使我们的客户的生产力能够迈出下一大步第5页3500300025002000150010005000201820202019202120222023 W a fe rs p p e r d a y（W p d）2024（Q3）1751501251007550250 W a fe rs p e r h o u r（W p h）NXE：3400B NXE：3400C TERM0NXE：3600D 200225 NXE：3800E 40004500 Max WPD for a single system-one day Max WPD单个系统-一周平均220 wph 160 wph 145*WPH137*WPH*包括生产力提升一揽子计划（PEP）2024年11月14日

公用NXE：3800E将生产率从160 WpH提高到220 WpH（+ 38%）并叠加13%，以在2 nm节点上启用EUV第6页更高加速度矩阵级更低像差投影光学针对在更高功率500W EUV源下的稳定性进行了优化，在更高的锡滴频率下运行，并具有新的锡管理架构，更快、双槽负载锁定、晶圆处理程序更高加速度的晶圆级矩阵钳针对更高功率EXE/NXE特定模块进行了优化*ASML验收测试，朝向刻蚀参考晶片叠加，NXE：3600D规格为1.1nm项目NXE：3600D NXE：3800E分辨率13 nm 13 nm全晶圆CDU ≤ 0.7 nm ≤ 0.7 nm产品叠加≤ 1.7 nm ≤ 1.5 nm匹配叠加≤ 1.1 nm ≤ 0.9 nm TPT at 30mJ/cm2 160 WpH 220 WpH叠加吞吐量2024年11月14日

Public30-Sep-2024 | 0.33 NA EUV系统，用于大批量制造。13215-2 | Slide 7在220 WpH时的专用夹头覆盖NXE：3800E –在220 WpH时的专用夹头覆盖0.6 nm，在0.8 nm时的规格匹配的机器覆盖显示出预期的性能改进1.6 1.4 1.2 10.8 0.6 0.4 0.20在195 WpH时的匹配的机器覆盖人口：丨NXE：3400C，NXE：3600D，NXE：3800E 丨NXE：3600D规格：1.1nm NXE：3400B/C规格：1.5nm N X E：380 E s p e c：0.9 n m [ n m ]每个bar代表在ASML工厂覆盖X X：

公用EUV客户正在安装NXE：2024年起在其研发和HVM站点安装3800E NXE：在DRAM、LOGIC和代工客户安装3800 Page 8 JP TW KR US 2024年11月14日

公开第9页20232024202520262027202820292030203120322033节点（分辨率）0.7 nm2 nm 1.x nm 1 nm3 nm 0.5 nm 0.33NA 13 nm分辨率NXE：3600D 1.1 nm | 160 WpH丨NXE 丨NXE：3800E MMO 0.9 nm | 220 WpH TERM2：4000F MMO < 0.8 nm | ≥ 250 WpH丨NXE NXE：4200g ≥ 280 WpH MMO = Matched-Machine Overlay（30mJ/cm2剂量下的吞吐量为0.33NA）Reticle阶段，加速度提高25% 1μ m PP/RP*600W源支持提高生产率晶圆级降低晶圆交换开销NXE：3800E NXE：4000F功率500W 600W吞吐量220WpH 250WpH产品叠加≤1.5 nm ≤ 1.3 nm匹配Overlay ≤ 0.9 nm ≤ 0。8 nm NXE：4000F产能随共源提升，EXE晶圆级技术及进化型掩模级加速提升。与NXE的共同技术NXE：下一个NXE：在≥ 250WpH和0.8nm匹配的机器叠加下指定为4000F，可提高生产率（14%）和叠加，从而在1.4nm节点上启用0.33NA EUV*PP预脉冲/RP稀薄脉冲2024年11月14日

Public Good打印晶体管分辨率生产率AccuracyPatterning产量×××运营成本环境成本系统成本寿命/+ 1吨CO2 = 200欧元+总光刻成本ASML将在EUV方面进行创新，以降低好的打印晶体管的成本我们的产品组合包括0.33 NA、0.55 NA和潜在的Hyper NA，将为我们的客户提供充分的灵活性第10页= 2024年11月14日

Public High NA EUV机会现在开始，因为0.33 NA EUV在< 26nm间距关键层上过渡到多图案SP：单一图案，DP：双重图案，QP：四重图案来源：1Luc van den Hove，IMEC，ITF 2024年5月21日0510153020单一曝光0.55双重曝光0.55 0.55 NA EUV采用机会单一曝光0.33双重曝光0.33 2521181614285,24，33,53，5公共数据客户预测估计2020202320252027202920312033203517143,82223 E P E [ n m ]，N o d e，m e ta l p it c h，l in e a r s c a le大批量生产年份7203920371235321,41，00,70，20,50，3 sub-0.2逻辑金属间距[ nm ]边缘放置误差[ nm ]不确定性5,54，55,8节点名称1 [ nm ] 40第11页2024年11月14日

Public High NA EUV –引入高分辨率、高对比度成像技术SML整体光刻路线图的最新成员High NA EUV Lithography •一流的叠加性能•用于LCDU增益的高对比度成像•单曝光与多图案化•高对比度成像可用于较低剂量•高对比度•密度提高2.8倍•工艺简化•设计灵活性提高，2D图案分辨率生产力AccuracyPatterning Yield = Single Expose EXE – LE NXE Non-litho Litho opex Litho capex Legend：LE = Litho-Etch 1.2X Page2024年11月14日12页

公高NAEUV技术价值和客户利益第13页客户利益高NAT技术价值少掩模=图案化工艺缺陷少流程简化，改进的边缘放置误差通过图案化降低缺陷密度通过启用单一图案化（从多图案化）降低成本以更高的对比度减少剂量（生产力）启用2D设计（设备单元收缩）1）2）3）每次减少口罩节省1-2天更短的周期时间更少的图案化晶圆厂空间0.55 NA更高的分辨率可实现1.7倍更小的特征和2.8倍的密度更高的成像对比度可在1.4倍的低剂量下将局部CDU 1.4倍的模式可变性降低40% 0552024年11月14日

公用十年发展致2024年6月启用联合IMec ASML实验室法国：铣削本体美国：短冲程掩模阶段荷兰：700m2高-NA组装楼启用法国：大型框架焊接新设施德国：光学计量模块集成新设施2020-2022模块资格2022-2023 2023-2024系统资格2024 >晶圆曝光2018-2021模块制造设计系统2014-2018变形设计圣地亚哥：来源资格德国Illuminator Integration Veldhoven：资格waferstage Wilton：资格认证reticlestage Veldhoven System Integration Joint Lab第14页2024年11月14日

Public Litho Cluster：系统安装正在进行中并跟踪合格的高NA扫描仪计量室轨道IMEC/ASML高NA实验室支持未来插入高NA实验室为所有EUV客户提供早期访问第15页公开

公众客户在High NA EUV实验室中曝光了关键层&验证了在High NA上的好处被认可的进展及其在实现具有成本效益的缩放方面的重要性被认可第16页Mark Philips（英特尔）在SPIE Photomask Technology上对High NA进行了报道，2024年9月在High NA系统上总共曝光了> 10,000片晶圆，其中包括在实验室中的> 1300 DRAM和代工客户晶圆，预计到2000年年底达到~2000片晶圆17501500125010007505005002500Q2 Q3 Q4 today # la b w a fe rs e x p o s e d 2024 DRAM foundry 2024年11月14日

共公开> 10000片晶圆曝光高NA系统包括实验室> 1300片DRAM和晶圆代工客户晶圆，预计到2000年年底达到~2000片晶圆17501500125010007505005005002500Q2 Q3 Q4 today # la b w a fe rs e x p o s e d 2024 DRAM FOUNDRY客户在High NA EUV lab中暴露了关键层&验证了High NA上的好处被认可的进展及其在实现具有成本效益的缩放方面的重要性被认可第17页Mark Philips（英特尔）在SPIE光掩模技术上关于High NA的报道，2024年9月• High NA EUV来了：健康的工具，可在现场使用，拥有全套整体应用•生态系统已准备好支持工艺开发：线路板、抗蚀剂、底层、刻蚀、OPC和计量•更高NA的预期收益在抗蚀剂图像中很明显•避免过度掩模分裂的成本和复杂性的时机恰到好处，采用0.33 NA EUV Mark Philips 2024年11月14日

Public High NA EUV高对比度成像增加了工艺窗口，同时减少了剂量要求和图案化缺陷，从而导致更高的生产率和更好的产量x位[ nm ]阈值NA = 0.55 x位[ nm ] A e ri a l im a g e i n te n s it y [ a u ] NA = 0.33阈值0.33 0.55第18页NA 0.55 NA 0.33 A e ri a l im a g e i n te n s it y [ a u ] 2024年11月14日

Public High NA EUV为2D设计布局提供了一个新的设计机会，这可以实现更高的逻辑单元密度（因此可以缩放）和互连层的优化路由，从而减少金属层的总数第19页0.33 NA 0.55 NA 0.55 NA分辨率和对比度可实现2D金属的单次曝光，替换两个金属和一个通过层水平方向连接3个晶体管P22结合垂直方向P28所需的两个金属层（1D）和额外的VIA层0.55 NA单曝光图像金属1垂直金属2水平通过1321 2D金属接触晶体管132接触晶体管1 2024年11月14日

通过间距对接触孔图案（DRAM层）进行公共高NAEUV曝光显示出更高的对比度，从而改善了LCDU并降低了剂量Page 20 P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA0.55 NALCDU剂量LCDU剂量2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm 63 mJ/cm ² 66 mJ/cm ² 66 mJ/cm ² 72*mJ/cm ² 73*mJ/cm ²基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm ² 53 mJ/cm ² 47 mJ/cm ² 51 mJ/cm ² 45 mJ/cm ² 2.3 nm 45 mJ/cm ²*23%照明器效率2024年11月14日

通过间距对接触孔图案（DRAM层）进行的公共高NA EUV曝光显示出更高的对比度，从而改善了LCDU并降低了剂量第21页P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU剂量LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm ² 53 mJ/cm ² 47 mJ/cm ² 51 mJ/cm ² 45 mJ/cm ² 2.3 nm 45 mJ/cm ²剂量与0.55 NA 191 mJ/cm ² 209 mJ/cm ² 193 mJ/cm ² 220*mJ/cm ² 238*mJ/cm ²*23%照明器效率2024年11月14日

Public High NA EUV曝光在接触孔图案（DRAM层）上通过间距显示出更高的对比度，导致改进的LCDU和降低剂量第22页P40 P36 P34 P32 P30 0.33 NA 0.55 NA LCDU剂量LCDU 2.4 nm 2.6 nm 2.7 nm 3.0 nm 3.6 nm基于40nm CAR P28 1.4 nm 1.5 nm 1.6 nm 1.7 nm 2.0 nm 48 mJ/cm ² 53 mJ/cm ² 47 mJ/cm ² 51 mJ/cm ² 45 mJ/cm ² 2.3 nm 45 mJ/cm ²剂量相同LCDUAs 0.55 NA在相同的LCDU下，高NA与低NA暴露相比成本效益为50%成本效益49% 50% 50% NA.N.A. 191mJ/cm ² 209mJ/cm ² 193mJ/cm ² 220*mJ/cm ² 238*mJ/cm ²*23%照明器效率2024年11月14日

Public LOGIC [ P19 ]：High NA EUV single exposure will enable~35% cost benefit and significant process simplification compared to multi patterning 0.33 NA EUV page 23 exposure 0.55 NA litho etch 0.33 NA multi patterning 0.55 NA single patterning exposure 0.33 NA 1 exposure 0.33 NA 2 exposure 0.33 NA 3 litho etch litho etch cut T2T~15nm | etchP19后1成本效益是根据吞吐量和估计的非光刻成本计算得出的。2024年11月14日

Public LOGIC [ P30 ]：~20%成本效益和工艺简化从双曝光0.33 NA EUV到单曝光高NA EUV Page 24中心到中心30 nm随机via 0.33 NA多图案0.55 NA单图案曝光0.55 NA 1高NA单曝光图像曝光0.33 NA 1曝光0.33 NA 2成本效益是根据通量和估计的非光刻成本计算得出的。2024年11月14日

Public LOGIC [ P36 ]：更高的对比度能够在更好的成像质量下实现更低的曝光剂量，从而实现更高的生产率和更低的成本第25页单次曝光比较（Logic via层，18 nm孔，间距36 nm）0.33 NA CD均匀性（LCDU）NXE EXE变形接触孔无缺陷接触孔0.55 NA剂量250mJ/cm2 52晶圆/小时瞳孔剂量77mJ/cm2 136晶圆/小时2024年11月14日

Public DRAM 15nm接触孔：高NA可实现高生产率单次曝光从三次曝光（2x 0.33NA EUV + 1x DUV）移动到单次曝光0.55 NA EUV Page 26 CD SEM图片：15nm接触孔（开发后）0.33 NA + DUV多图案化0.55 NA单次图案化曝光0.33 NA 1次曝光0.33 NA 2次曝光DUV 3次曝光0.55 NA 1 Litho etch 0.55 NA单次曝光图像成本效益是根据通量和估计的非光刻成本计算得出的。|*取决于CD SEM设置和后处理Litho etch Litho etch Trim Main etch High NA DRAM电容器：~30%成本收益和工艺简化2024年11月14日

公共DRAM 15 nm接触孔：高NA的更高对比度可在更好的成像质量下实现更低的曝光剂量，从而产生更高的生产率和更低的成本第27页单次曝光比较（DRAM电容层，15 nm孔）0.33 NA CD均匀性（LCDU）0.33NA曝光的NXE EXE瞳孔仅能使用23%的光，降低生产率变形接触孔无缺陷接触孔0.55 NA瞳孔0.55NA曝光可使完全100%的光被使用，保持全产能剂量148 mJ/cm2 22晶圆/小时剂量44 mJ/cm2 155晶圆/小时2024年11月14日

公共高NA半场曝光要求大芯片拼接工程解决方案可用，可实现分辨率拼接第28页14nm线（28nm间距）12nm线（24nm间距）初始EXE曝光显示将A和B场拼接在一起的可行性0.33NA全场0.55NA半场场与多个小芯片掩膜A掩膜B场与单个大芯片的曝光场数是使用同一掩膜的两倍；无需拼接的图像在两个掩膜之间拆分；可能需要拼接图案掩膜A掩膜A B A 2024年11月14日

公共EUV产品路线图，可实现面向0.33NA EUV的高生产力平台的负担得起的扩展，0.55NA EUV和未来十年潜在的超级NA第29页202320242025202620272028202920302030203120322033节点（分辨率）0.7 nm2 nm 1.x nm 1 nm3 nm 0.5 nm 0.55 NA 8 nm分辨率EXE：5200B MMO < 0.8 nm | 175 WpH EXE：50001.1 nm | 110 WpH EXE 5200C MMO < 0.8 nm | ≥ 185 WpH EXE：5400D ≥ 95 WpH EXE高生产率下一个NXE高生产力下一个超级NA机会高生产力共同平台30%每次曝光成本MMO = 30 mJ/cm2剂量时匹配的机器叠加0.33NA通量50 mJ/cm2剂量时0.55NA通量0.33NA 13nm分辨率NXE：3600D 1.1nm | 160WpH丨NXE NXE：Next EX：Next OEE（整体设备效率）和生产率持续提升2024年11月14日

公共高生产率通用平台可通过去一个模块化框架架构实现模块化机器支持框架允许晶圆厂中的产品组合灵活性•通用源•通用接口/模块•通用高传输高柔性照明器•共享舞台加速创新，以实现高生产率低NA（0.33）通用模块产品特定模块低NA框架适配器高NA（0.55）灵活基座位置高NA Hyper NA（0.75）↓ T ra c le n g th Hyper NA reobject image shift page 30November 14,2024

公共EUV源功率持续规模化有机会实现> 1000W 740W EUV功率演示-确定的措施在未来达到> 1000W EUV源功率规模化20102015202020250100200300400500600 E U V-s o u rc e p o w e r [ W a tts ]产品20303700800900100012研究1 EUV等离子体1 μ m预脉冲1 μ m细化脉冲10 μ m主脉冲2等离子体工艺用于1和10 μ m红外源靶材稀化靶材锡滴1 μ m构架液滴重复率第31页2024年11月14日

0.33 NA和0.55 NA的公共高透射光学器件使生产力迈出重要一步高透射光学器件在高生产率通用平台上启用Page 32 0.55 NA柔性照明器：▪使传输增加~1.4倍▪生产力向300WpH扩展▪启用改进对比度和扩展分辨率限制▪启用0.33NA柔性照明器0.55NA0.33NA高透射POB上的通用垂直源角高透射POB：▪使传输增加> 2倍▪启用生产力> 450 WpH的扩展▪启用通用垂直源角2024年11月14日

光学领域的公共创新，来源和阶段可实现EUV生产力的缩放单个图案0.55 NA EUV在生产力方面将优于双重图案0.33 NA EUV第33页图表显示产品名称/吞吐量in WPH500550450400350300250 T h ro u g h p u t [ W p h ] 200150100500 2015-2020 2020-2025 2030-20352025-2030 NXE：3400B NXE：3400C NXE：3600D 丨NXE：3800E 丨NXE：4000F丨NXE NXE：4200G 0.33 NA单曝光（30mJ/cm2）0.33 NA：高生产率平台估计0.33 NA双曝光（30mJ/cm2）0.55 NA单曝光（50mJ/cm2生产力平台预估预估2024年11月14日

公共EUV安装基数将在未来几年进一步增长，> 20年生命周期预期ASML支持客户在整个生命周期内优化其0.33 NA EUV和0.55 NA EUV安装基础的输出第34页可用性（服务）生命周期延长（服务）升级每次曝光成本（服务）增加车队可用性减少机器长停机性能扩展增加系统能力整个生命周期内的成本路线图在NXE内标准化服务行动和EXE升级机器以延长寿命R e la ti v e s a le s o v e r th e s c a n n n e r lif e ti m e 123456789 10111213141516171819200亿50% 100% 150% 200% 250%年升级和服务系统销售300%超过20年，服务&升级预计将为客户和ASML增加显着价值2024年11月14日

公开前瞻性陈述本文件和相关讨论包含1995年《美国私人证券诉讼改革法案》含义内的前瞻性陈述，包括关于我们的战略、计划和预期趋势的陈述，包括终端市场和技术行业的趋势和商业环境趋势，包括人工智能的出现及其对半导体行业的潜在机会和期望，包括计算能力、先进逻辑节点和R M存储器，关于摩尔定律和到2030年预期晶体管增长和期望的陈述，全球市场趋势和技术、产品和客户路线图，长期前景和预期光刻和半导体行业增长和趋势以及到2030年及以后的半导体销售和半导体市场机会的预期增长、晶圆需求和产能的预期增长以及额外的晶圆产能要求、我们客户的预期投资，包括对我们的技术和晶圆产能的投资、增加产能的计划、光刻支出的预期增长、增长机会，包括服务和升级的增长机会以及已安装基地管理销售的增长机会、整体光刻业务的预期增长和毛利率以及应用产品的预期可寻址mar et，不断增长的安装基数的预期和收益、SML及其供应商的产能、系统的预期生产、模型场景和2030年的更新模型，包括2030年的年度收入和毛利率机会和发展潜力、前景和预期、建模或潜在的财务结果，包括收入机会、毛利率、研发成本、SG & A成本、资本支出、现金转换周期和2030年的年化有效税率，以及这些预期、建模或潜在金额的假设和驱动因素，以及我们的业务和财务模型的其他假设、预期趋势，半导体终端市场的前景和增长以及长期增长机会、需求和需求驱动因素、我们产品的预期机会和增长驱动因素以及技术创新，包括DUV EUV、High NA、Hyper NA、Applications和其他影响生产力和成本的产品、晶体管尺寸、逻辑和DRAM收缩、代工竞争、关于股息和股票回购的声明以及我们的资本回报政策，包括期望通过不断增长的股息和回购向股东返还大量现金，以及关于能源产生和消费趋势以及能源效率驱动的声明，减排和温室气体中和目标和目标日期，以实现温室气体中和、运营零浪费和其他ESG目标和雄心，并计划在ESG中保持领先地位、在全球范围内增加技术主权以及对半导体销售的预期影响，包括世界各国的具体目标、增加代工业务的竞争、2024年的估计和其他非历史陈述。你一般可以通过使用“可能”、“将”、“可以”、“应该”、“项目”、“相信”、“预期”、“计划”、“估计”、“预测”、“潜在”、“机会”、“情景”、“指导”、“打算”、“继续”、“目标”、“未来”、“进展”、“目标”等词语来识别这些陈述，以及这些词语或类似词语的变体。这些陈述不是历史事实，而是基于当前对我们的业务以及我们未来和潜在财务业绩的预期、估计、假设、模型、机会和预测，读者不应过分依赖它们。前瞻性陈述并不能保证未来的业绩，并且涉及大量已知和未知的重大风险和不确定性。这些风险和不确定性包括但不限于客户需求、半导体设备行业产能、全球对半导体和半导体制造产能的需求、光刻工具利用率和半导体库存水平、半导体行业和终端市场的总体趋势和消费者信心、总体经济状况的影响，包括当前宏观经济环境对半导体行业的影响、围绕市场复苏的不确定性，包括复苏的时间、通货膨胀、利率、战争和地缘政治发展的影响、流行病的影响、我们系统的性能，技术进步的成功和新产品开发的速度和客户对新产品的接受和需求，我们的生产能力和调整能力以满足需求，供应链能力，零部件及时可用，原材料，关键制造设备和合格员工，我们生产满足需求的系统的能力，订购、发货和确认收入的系统的数量和时间，与净预订量波动和我们将预订转化为销售的能力相关的风险，订单取消或推出的风险以及出口管制下对已订购系统发货的限制，与技术、产品和客户路线图以及摩尔法相关的RIS，与贸易环境、进出口和国家安全法规和订单相关的风险及其对我们的影响，包括出口法规变化的影响以及此类法规对我们获得必要许可证和向某些客户销售我们的系统和提供服务的能力的影响、汇率波动、税率变化、可用流动性和自由现金流以及流动性要求、我们为债务再融资的能力、可用现金和可分配准备金，以及影响股息支付和股票回购的其他因素，我们根据股票回购计划回购的股票数量，我们执行专利和保护知识产权的能力以及知识产权纠纷和诉讼的结果，我们实现ESG目标和执行ESG战略的能力，可能影响SML业务或财务业绩的其他因素，包括实际结果可能与我们为2030年和其他未来期间提供的模型、潜力和机会存在重大差异的风险，以及SML截至12月31日止年度的20-F表格年度报告中包含的RS因素中指出的其他RS因素，2023以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的文件。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日作出。除法律要求外，我们不承担在本报告发布之日后更新任何前瞻性陈述或使此类陈述符合实际结果或经修订的预期的义务。本文件和相关讨论包含与我们在实现某些能效和温室气体减排目标方面的方法和临时进展相关的陈述，包括我们实现温室气体中和的雄心。提到“温室气体中和”是指在SML努力达到其GHG减排目标之后，剩余的排放量将由根据公认质量标准验证的相同数量的碳信用额公吨来补偿。第36页2024年11月14日

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