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应用产品和商业机会业务线应用程序执行副总裁Jim Koonmen

应用产品和商业机会关键信息幻灯片22021年9月29日应用业务预计将以20%的复合年增长率增长，在2020年至2025年期间，毛利率强劲应用产品组合支持ASML扫描仪业务， 我们独特的能力，帮助客户最大限度地提高模式性能，推动边缘放置误差的改善，提供光学和电子束计量和检测的领先解决方案，将ASML的完整产品组合集成到一个整体LITHO解决方案中，以进行优化和控制岩石学过程增长的主要动力是我们的EPE路线图的扩展:新的计量， 检测和控制产品扩展了路线图创新产品结合了计算技术， YieldStar Overlay Metrology和E-Beam Metrology的硬件和软件产品支持将EUV引入HVM深度学习在计算岩性和缺陷检测两方面的新应用，以提高性能，

市场和产品路线图整体光刻技术推动EPE电子束检测技术的改进

应用领域的增长机会来自关键细分市场的技术变化幻灯片4 2021年9月29日行业驱动技术变化分辨率吞吐量高分辨率单光束/光学多光束每10亿故障检测测量光学覆盖:基于图像的到基于精确衍射的光学电子束精密光学覆盖:靶材设备计量海量计量电子束:小场大场市场TAMS物理模型深度学习计算模型精度矩形自由曲面掩模图形光刻计算成本4.0b CPU混合/GPU计算3.3b转换到EPE覆盖/CD EPE扫描仪和EUV到HVM HVM:DUV DUV+EUV过程控制软件高级校正低高阶扫描仪校正2017年2020年2025年公共TAM基于ASML解释的VLSI研究和Gartner

计量，检测和图案控制路线图幻灯片52021年9月29日2021年2022年2023年2024年2025年扫描仪接口增加扫描仪驱动（DUV和EUV），EPE控制和控制软件覆盖计量快速阶段，多波长，计算计量学，YieldStar设备内计量电子束单波束高分辨率，大视场、计量海量计量、EPE计量E-Beam缺陷多波束、阶段快速准确、着陆能量高、导向检测计算精度提高模型精度、反OPC、光刻机和深度学习、蚀刻模型公开

市场和产品路线图整体光刻技术推动EPE电子束检测技术的改进

我们的整体产品组合比以往任何时候都更重要，具有幻灯片2021年9月29日先进的控制能力EUV:NXE和DUV:XT以及ETCH和EXE平台NXT平台沉积工具工艺窗口过程窗口预测和控制增强覆盖光学接近校正CD YieldStar电子束计算光刻光学计量和计算计量电子束计量电子束检测过程窗口检测公开

我们的整体产品组合比以往任何时候都更重要，具有幻灯片82021年9月29日先进的控制能力EUV:NXE和DUV:XT以及ETCH和EXE平台NXT平台沉积工具工艺窗口过程窗口预测和控制增强光学接近校正YieldStar电子束计算光刻光学计量和计算计量电子束计量电子束检测过程窗口检测公开

我们的整体产品组合比以往任何时候都更重要，具有幻灯片92021年9月29日先进的控制能力EUV:NXE和DUV:XT以及ETCH和EXE平台NXT平台沉积工具工艺窗口过程窗口预测和控制增强光学接近校正YieldStar电子束计算光刻光学计量和计算计量电子束计量电子束检测过程窗口检测公开

在流程的每个步骤中，所有可用的数据都使用扫描仪计量、Yieldstar、HMI计量和检查来优化幻灯片2021年9月29日取样，以进行扫描仪控制，并作为收益率代理用于更快的产后量时间蚀刻后蚀刻/CMP计算后蚀刻光刻后蚀刻电子束光刻计量计量计量检测配方配方配方配方配方配方配方数据数据数据数据虚拟计算平台HMI电子束HMI电子束整体扫描仪YieldStar混合地铁计量检测应用应用应用VCP应用程序单一用户界面、共同特征、控制框架——通过每一步ASML共享功能和（域）模型分析基础数据基础设施设备和自动化集成、安全、数据解决方案客户通用计算硬件客户公共

市场和产品路线图整体光刻技术推动EPE电子束检测技术的改进

减少边缘放置误差是提高成品率局部CD误差的关键，由于随机性，变得越来越重要幻灯片1229Sept.2021nm250边缘放置误差:叠加误差和CD均匀性的组合误差（全局EPE是成品率CDU的最佳预测指标，局部CD误差和OPC误差（CD:临界尺寸，OPC:掩模光学近距离校正

YieldStar Overlay计量学-在LITO和蚀刻之后表征过程误差并实现准确的功能放置幻灯片132021年9月29日光学覆盖计量-在Lito光学覆盖计量之后-蚀刻后LITO蚀刻YS385YS1385计量计量精确覆盖数据在实际器件上的精确覆盖数据校正~800点x4晶圆~10,000点x2晶圆每批每隔几天进行LITO覆盖控制:LITO稀疏后+蚀刻后精炼公

推动EPE的改进需要高保真度，快速和准确的计量，以最大限度地提高幻灯片142021年9月29日扫描仪的校正能力计量监测控制覆盖YieldStar B层到最终的双层EPE模式如设计>1,000个测量/晶圆<5分钟单层EPE层A HMI EPX>10,000个测量/晶圆60分钟单层EPE层B晶圆HMI EPX计算EPE签名控制软件>10,000个测量/晶圆60分钟公共

ASML扫描仪，以改善EPE和产量ASML扫描仪是唯一能够找到，度量并纠正对于幻灯片152021年9月29日图案变化FlexRay照明器偶指奇指剂量灰滤镜光学机械手Y Z分划线台计量台曝光台100%的晶圆100%的晶圆被测量处理过的晶圆逐场扫描仪驱动器在逐场的基础上正确地公开

更严格的EPE要求驱动增加的计量学ASML提供准确，经济有效的覆盖，EPE，和缺陷计量幻灯片162021年9月29日每批量度十亿覆盖EPE缺陷EPE要求141200万【Nm】108要求6千EPE4201520182024202720320覆盖20182018202420272030EPE缺陷检查公众

需要十亿分之二的控制策略缺陷感知的监测和控制在EUV随机时代的今天，服务器芯片的尺寸可以达到800mm2。

在EUV随机性1mm1mm的时代，每mm2可以有>100m的接触孔，并且每个节点增加了1.5倍。今天，服务器芯片的尺寸可以达到~800mm2

EUV随机变量时代的缺陷感知监测和控制幻灯片2021年9月19日29日SEM图像:示例缺少接触孔，所以~80b这些需要起作用的功能中，每mm2可以有>100m的接触孔现在每个节点增加了1.5倍，服务器芯片的尺寸可以达到800mm2。

市场和产品路线图整体光刻驱动EPE改进电子束检测

高分辨率电子束与光学亮场检测高分辨率电子束比光学检测具有更高的分辨率，幻灯片2129Sept.2021能够检测微小的图案保真度缺陷客户设计缩放光学亮场电子束能够捕获每10亿到10nm的部分特征尺寸检查缺乏灵敏度图案保真度缺陷与纳米分辨率金属层设计光学亮场图像高分辨率电子束图像基于设计的检测程序。SPIE9778，微光刻的计量、检测和过程控制，97780O（2016年4月21日）

电子束检测具有固有的分辨率优势，通过增加与多波束滑动的平行度来增加吞吐量2021年9月29日2nm节点的100万分钟缺陷大小并且在100000以下的光亮场检测10000 1000Gen3多波束（~2028）增加的100【mm/hr】吞吐量使10个额外的HVM Gen2多波束（~2024）GHPut应用程序包括1 0.1Gen1多波束（2021）扫描0.01电子显微镜0.00 1图像单电子束（研发）0.0001 6040201086421缺陷大小【nm】公开

电子束检查:电压对比度和物理缺陷电子束检查的独特能力，以发现成品率限制缺陷幻灯片2329Sept.2021Vc检查:层间物理检查的检测:检测引起电开和短路的层内缺陷的设计等缺陷工艺弱点Escan Escan EPX在所有细分市场的DRAM和3D NAND中大量使用HMI是电子束检测HMI的技术领导者，通过高电流、充电控制和快速数据速率使HMI处于领先地位

Multibeam同时解决VC和物理缺陷检查，在高分辨率幻灯片242021年9月29日VC检查:层间物理检查的检测:检测导致电开和短路的层内缺陷，例如设计缺陷和过程弱点Escan Escan Epx p（-1,1）p（0,1）p（-1,0）p（0,0）p（1,0）Escan p（-1，-1）p（0，-1）p（1，-1）Escan多波束公共波束

Multibeam利用ASML核心技术提高电子束检测吞吐量用于大批量生产的幻灯片2021年9月29日3Brion的计算技术:单光束系统深度学习支持的图像质量增强设计基于缺陷检查吞吐量2ASML的舞台技术:高速运动高位置精度1HMI的高级电子光学和MEMS高质量SEM图像，同时进行9束扫描

Multibeam:从ESCAN1000（3x3）和驾驶ESCAN1100学习的实施现状幻灯片2021年9月26日29日（5x5）预计在2021年第四季度首次发货的资格认证Multibeam技术具有挑战性，我们经历了一些计划延迟:终止了原始的开发合作关系，我们为团队增加了更多的专业知识，并开发了新的多波束IP我们对多波束仍然充满信心，并致力于实现其市场潜力3eScan1000原型（3x3beams）今天运行并正在评估客户对来自ESCAN1100（5x5波束）ESCAN1100 5x5多波束系统的系统资格的成像结果全速移动；预计2021年第四季度首次发货

应用产品和商业机会关键信息幻灯片272021年9月29日应用业务预计将以约20%的复合年增长率增长，在2020年至2025年期间毛利率强劲应用产品组合支持ASML扫描仪业务， 我们独特的能力，帮助客户最大限度地提高模式性能，推动边缘放置误差的改善，提供光学和电子束计量和检测的领先解决方案，将ASML的完整产品组合集成到一个整体LITHO解决方案中，以进行优化和控制岩石学过程增长的主要动力是我们的EPE路线图的扩展:新的计量， 检测和控制产品扩展了路线图创新产品结合了计算技术， YieldStar Overlay Metrology和E-Beam Metrology的硬件和软件产品支持将EUV引入HVM深度学习在计算岩性和缺陷检测两方面的新应用，以提高性能，

前瞻性陈述幻灯片282021年9月29日本演示文稿包含前瞻性陈述， 包括有关预期行业和商业环境趋势（包括预期增长）的声明， 展望和预期财务业绩， 包括预期的净销售额， 毛利率， 研发成本， SG&A成本和有效税率， 2025年的年度收入机会， 2025年的财务模型以及假设和预期增长率和驱动因素， 预期增长率，包括2020-2025年和2020-2030年的增长率， 总可寻址市场， 2025年以后的增长机会，光刻和计量检测系统的预期年增长率，以及安装基地管理的预期年增长率， 到2030年可寻址市场的预期趋势， 逻辑和内存收益机会的预期趋势， 长期增长机会和前景， 需求和需求驱动因素的预期趋势， 系统和应用程序的预期效益和性能， 半导体终端市场趋势， 半导体行业的预期增长，包括未来几年的预期需求增长和资本支出， 预期的晶圆需求增长和对晶圆产能的投资， 预计光刻市场的需求、增长和支出， 增长机会和驱动因素， EUV和DUV需求的预期趋势， 销售， 展望， 路线图， 机会和容量增长以及预期的EUV采用， 盈利能力， 可用性， 生产率和产量以及对晶圆需求的估计和价值的提高， 应用程序业务的预期趋势， 安装的基础管理的预期趋势，包括预期收入和目标利润率， 应用程序业务的预期趋势和增长机会， 对高回报的期望， 增加产出能力的预期， 计划， 战略和战略重点及方向， 期望增加容量， 产量和产量以满足需求， 摩尔定律将继续下去的期望和摩尔定律的演变， 产品， 技术和客户路线图， 以及有关资本分配政策的声明和意向， 股息和股票回购， 包括打算通过股票回购和不断增长的年度股息以及与ESG承诺有关的声明，继续向股东返还大量现金， 可持续发展战略， 目标， 举措和里程碑。你通常可以通过使用“可能”这样的词来识别这些陈述， “威尔”， “可以”， “应该”， “项目”， “相信”， “预期”， “期待”， “计划”， “估计”， “预测”， “潜力”， “意愿”， “继续”， “目标”， “未来”， “进步”， “目标”和这些词或类似词的变体。这些说法不是历史事实， 而是基于当前的预期， 估计， 关于我们的业务以及我们未来财务业绩和读者的假设和预测不应过分依赖它们。前瞻性陈述不能保证未来的表现，并涉及大量已知和未知的风险和不确定性。这些风险和不确定性包括， 没有限制， 经济状况；产品需求与半导体设备行业产能， 全球对半导体的需求和制造能力利用率， 半导体终端市场趋势， 总体经济状况对消费者信心和对客户产品需求的影响， 我们系统的性能， 新冠肺炎疫情的影响以及为遏制疫情而采取的措施对全球经济和金融市场的影响， 以及ASML及其客户和供应商， 以及其他可能影响ASML销售和毛利率的因素， 包括客户需求和ASML获得其产品供应的能力， 研发计划和技术进步的成功，新产品开发的步伐，以及客户对新产品的接受和需求， 生产能力和我们增加产能以满足需求的能力， 所订购系统的数量和时间， 已发运并确认为收入， 以及订单取消或推出的风险， 我们系统的生产能力，包括系统生产和供应链能力延迟的风险， 制约因素， 短缺和中断， 半导体工业的发展趋势， 我们执行专利和保护知识产权的能力，以及知识产权纠纷和诉讼的结果， 原材料的供应， 关键的制造设备和合格的员工以及劳动力市场的趋势， 地缘政治因素， 贸易环境；进出口和国家安全法规和秩序及其对我们的影响， 实现可持续发展目标的能力， 汇率和税率的变化， 可用流动性和流动性要求， 我们为债务再融资的能力， 可用现金和可分配准备金， 以及其他影响因素， 股息支付和股票回购， 股票回购计划的结果以及ASML截至12月31日的年度20-F表年度报告中包含的风险因素中指出的其他风险， 2020年以及向美国证券交易委员会提交的其他文件和提交的文件。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日做出。在本报告日之后，我们没有义务更新任何前瞻性陈述，也没有义务使这些陈述符合实际结果或修订后的预期， 法律规定的除外。公众，

ASML Small Talk2021投资者日