表格6-K
证券交易委员会
W华盛顿特区，阿什顿20549
F或月2025年11月第2期
Tower Semiconductor Ltd.
（注册人姓名翻译成英文）
拉马特加夫里尔工业园
P.O. Box 619，Migdal Haemek，Israel 2310502
（主要行政办公室地址）
用复选标记表明注册人是否提交或将提交年度报告的封面表格20-F或表格40-F。
表格20-F☒表格40-F☐
根据1934年《证券交易法》第12g3-2（b）条，通过提供本表格所载信息，用复选标记表明注册人是否也因此向委员会提供了信息。
有☐无☒
2025年11月12日，注册人宣布在Tower领先的SIPHO和EIC光学平台上提供新的CPO代工技术
签名
根据1934年《证券交易法》的要求，注册人已正式安排由以下签署人代表其签署本报告，并因此获得正式授权。
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Tower Semiconductor Ltd.
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日期：2025年11月12日
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签名：
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/s/Nati Somekh
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名称：Nati Somekh
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职称：公司秘书
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高塔半导体宣布可在Tower领先的SIPHO和EIC上使用新的CPO代工技术
光学平台
借力多年的堆叠式BSI传感器生产，Tower的晶圆级3D-IC技术解锁SiPho与EIC工艺的集成
面向Co-Packaged Optics等新兴应用，包括Cadence设计工具对堆叠平台技术的全面支持
以色列Migdal Haemek – 2025年11月12日– 高塔半导体（NASDAQ/TASE：TSEM）是一家高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂，该公司今天宣布扩展其现有的、成熟的300mm晶圆键合技术，该技术最初是为堆叠式BSI图像传感器开发并处于量产状态，从而能够在其行业领先的硅光子（SiPho）和SiGe BiCMOS工艺中实现异构3D-IC集成，包括Cadence设计工具对堆叠平台技术的全面支持。 新产品代表着在将晶圆级3D集成（需要同时使用多个PDK）扩展到图像传感以外的新领域方面向前迈出的重要一步，从而满足了对用于数据中心应用的紧凑型高性能系统不断增长的市场需求。
基于多年来在200mm和300mm晶圆上的大批量堆叠传感器生产，Tower的晶圆键合技术使堆叠晶圆（例如，SiPho（PIC-光子IC）和SiGe（EIC-电子IC））能够在晶圆规模上创建完全集成的3D-IC。这种能力将来自不同工艺技术的特定应用功能集成到单个高密度芯片中，以更小的外形尺寸提供更强的功能和性能。这种晶圆级的3D-IC技术支持新兴应用，例如Co-Packaged Optics（CPO），它结合了PIC和EIC，其中紧凑、高性能的集成是必不可少的。
“我们在CIS技术大批量晶圆堆叠方面的长期经验为下一阶段的3D集成奠定了基础，”高塔半导体总裁Marco Racanelli博士说。“随着我们先进的300毫米晶圆键合工艺现在支持单一3D IC上的多种晶圆技术，我们正在使客户能够实现CPO所需的新水平的性能、功能和集成密度。”
Tower已经成功展示了晶圆键合工艺的精密对齐和可靠性。作为工艺技术的补充，Tower与铿腾电子合作扩展了他们的Virtuoso Studio异构集成流程——该流程允许在统一的设计环境中对多种工艺技术进行共仿真和共验证。这种增强的设计使能能力现在可供我们的客户用作参考流程。
“高塔半导体与Cadence联手，为多技术堆叠式芯片提供全面的设计流程，”客户设计支持副总裁Samir Chaudhry博士说,高塔半导体.“这使设计人员能够在一个Cadence设计项目内进行布局、检查连接性，并完全模拟基于多个技术平台构建的3D IC和晶圆键合芯片。与高塔半导体 SiGe BiCMOS和SiPho PDK兼容，-新的3D-IC设计流程现已得到两家公司的全面支持，大大提高了在复杂的多技术芯片项目上的首次通过成功率。”
“Cadence和Tower已经成功合作了二十多年，帮助我们相互的模拟IC客户凭借其复杂的设计取得了首次通过的成功”，Cadence定制设计和系统设计与分析产品产品管理副总裁Ashutosh Mauskar说.“支持使用Tower技术的PIC/EIC分系统的芯片到晶圆和晶圆到晶圆应用的异构集成流程的验证，意味着我们共同的客户可以依靠强大而统一的技术流程来帮助他们按时交付高质量的产品。”
这一扩展加强了Tower在3D-IC和异构集成方面的领先地位，提供了先进的模拟解决方案，加速了下一代市场的创新。
有关该公司技术平台的更多信息，参观这里.
关于高塔半导体
Tower Semiconductor Ltd.（NASDAQ/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗和航空航天以及国防等不断增长的市场的客户提供技术、开发和工艺平台。高塔半导体专注于通过长期合作伙伴关系及其先进和创新的模拟技术产品，对世界产生积极和可持续的影响，该产品由SiGe、BiCMOS、混合信号/CMOS、射频CMOS、CMOS图像传感器、非成像传感器、显示器、集成电源管理（BCD和700V）、光子学和MEMS等广泛的可定制工艺平台组成。高塔半导体还为IDM和无晶圆厂公司提供世界一流的快速准确设计周期的设计使能以及包括开发、转移和优化的工艺转移服务。为了为其客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，高塔半导体在以色列拥有一个运营设施（200mm），在美国拥有两个（200mm），在日本拥有两个（200mm和300mm），这是它通过其在TPSCo的51%持股所拥有的，与意法半导体在意大利Agrate共享一个300mm设施，以及可以使用英特尔在新墨西哥工厂的300mm产能走廊。欲了解更多信息，请访问：www.towersemi.com.
关于前瞻性陈述的安全港
本新闻稿包含前瞻性陈述，这些陈述受到风险和不确定性的影响。实际结果可能与此类前瞻性陈述预测或暗示的结果有所不同。如向美国证券交易委员会（“SEC”）和以色列证券管理局提交的那样，Tower最近提交的20-F、F-3、F-4和6-K表格文件中的“风险因素”标题下包含了对可能影响本新闻稿中包含的前瞻性陈述的准确性或可能影响Tower业务的风险和不确定性的完整讨论。Tower不打算更新，并明确表示不承担任何更新义务，本新闻稿中包含的信息。
高塔半导体公司联系人：Orit Shahar | + 972-74-7377440 |oritsha@towersemi.com
高塔半导体投资者关系联系人：利亚特·阿夫拉罕| + 972-4-6506154 |liatavra@towersemi.com