半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务。
电子工艺装备、电子元器件
半导体装备 、 真空新能源装备 、 电阻 、 电容 、 晶体器件 、 模块电源 、 微波组件
组装生产集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;销售集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;技术咨询;技术开发;技术转让;经济贸易咨询;投资及投资管理;货物进出口;技术进出口;代理进出口。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
营业收入 X
| 业务名称 | 营业收入(元) | 收入比例 | 营业成本(元) | 成本比例 | 主营利润(元) | 利润比例 | 毛利率 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
加载中...
|
||||||||
| 客户名称 | 销售额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 客户一 |
50.05亿 | 12.72% |
| 客户二 |
44.29亿 | 11.25% |
| 客户三 |
23.27亿 | 5.91% |
| 客户四 |
19.45亿 | 4.94% |
| 客户五 |
16.54亿 | 4.20% |
| 供应商名称 | 采购额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 供应商一 |
11.56亿 | 3.50% |
| 供应商二 |
8.24亿 | 2.49% |
| 供应商三 |
8.21亿 | 2.48% |
| 供应商四 |
6.53亿 | 1.98% |
| 供应商五 |
6.10亿 | 1.85% |
| 客户名称 | 销售额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 客户一 |
30.58亿 | 10.25% |
| 客户二 |
13.56亿 | 4.54% |
| 客户三 |
13.34亿 | 4.47% |
| 客户四 |
12.88亿 | 4.32% |
| 客户五 |
12.84亿 | 4.30% |
| 供应商名称 | 采购额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 供应商一 |
14.23亿 | 5.21% |
| 供应商二 |
10.20亿 | 3.73% |
| 供应商三 |
7.40亿 | 2.71% |
| 供应商四 |
6.73亿 | 2.46% |
| 供应商五 |
6.04亿 | 2.21% |
| 客户名称 | 销售额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 客户一 |
24.07亿 | 10.90% |
| 客户二 |
12.12亿 | 5.49% |
| 客户三 |
11.94亿 | 5.41% |
| 客户四 |
7.99亿 | 3.62% |
| 客户五 |
6.47亿 | 2.93% |
| 供应商名称 | 采购额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 供应商一 |
3.95亿 | 1.95% |
| 供应商二 |
3.22亿 | 1.59% |
| 供应商三 |
2.94亿 | 1.45% |
| 供应商四 |
2.93亿 | 1.45% |
| 供应商五 |
2.89亿 | 1.42% |
| 客户名称 | 销售额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 客户1 |
13.19亿 | 8.98% |
| 客户2 |
6.92亿 | 4.71% |
| 客户3 |
6.27亿 | 4.27% |
| 客户4 |
6.15亿 | 4.19% |
| 客户5 |
5.17亿 | 3.52% |
| 供应商名称 | 采购额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 供应商1 |
9.46亿 | 4.37% |
| 供应商2 |
8.49亿 | 3.92% |
| 供应商3 |
5.98亿 | 2.76% |
| 供应商4 |
4.99亿 | 2.30% |
| 供应商5 |
4.70亿 | 2.17% |
| 客户名称 | 销售额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 客户1 |
7.50亿 | 7.75% |
| 客户2 |
7.29亿 | 7.53% |
| 客户3 |
6.95亿 | 7.18% |
| 客户4 |
4.33亿 | 4.48% |
| 客户5 |
3.50亿 | 3.61% |
| 供应商名称 | 采购额(元) | 占比 |
|---|---|---|
| 供应商1 |
9.76亿 | 5.55% |
| 供应商2 |
7.68亿 | 4.37% |
| 供应商3 |
6.80亿 | 3.87% |
| 供应商4 |
6.62亿 | 3.77% |
| 供应商5 |
5.13亿 | 2.92% |
一、报告期内公司从事的主要业务 公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备;电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。 在半导体装备业务板块,公司的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备,广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解... 查看全部▼
一、报告期内公司从事的主要业务
公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备;电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。
在半导体装备业务板块,公司的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备,广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。
在真空新能源装备业务板块,公司深耕高压、高温、高真空技术,主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等,广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域,为新材料、新工艺、新能源等领域的绿色制造提供技术支持。
在精密元器件业务板块,公司推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展,主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等,广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域,为客户提供高端精密元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。
二、报告期内公司所处行业情况
(一)半导体装备业务板块
2025年全球半导体市场实现结构性突破,行业规模创历史新高,据权威机构初步统计,全球半导体市场规模达7930亿美元,同比增长21%。行业已逐步脱离传统消费电子主导的周期波动模式,形成以人工智能(AI)算力需求为核心,汽车电子化、工业智能化、能源革命等多领域协同驱动的增长格局,抗周期属性显著增强,为上游半导体设备产业提供了坚实的需求支撑。
AI产业的快速渗透是市场增长的核心引擎,AI相关半导体器件需求呈爆发式增长,其中高带宽内存(HBM)、AI处理器等产品营收增幅显著,直接拉动存储芯片进入量价齐升的发展周期。2025年,全球存储芯片市场迎来前所未有的景气上行周期,自2024年底启动的价格复苏,于2025年逐步演变为全行业的“超级周期”,DRAM和NAND Flash价格持续上涨,库存水平降至历史低位,产能利用率接近满载。这场由人工智能驱动的行业景气度提升,不仅重塑了传统的供需格局,也加速了技术创新和产业竞争格局的演变。同时,全球供应链区域化布局调整,叠加下游产能扩张需求,强化了半导体产业的增长韧性,为国产半导体设备产业带来历史性发展机遇。
亚太地区与美洲成为全球半导体市场增长的核心板块,两大区域合计贡献超七成市场增量。其中亚太地区凭借完善的制造体系与产能优势,稳居全球半导体制造核心地位;中国大陆作为亚太市场的重要增长极,依托本土产业链升级与产能扩张需求,持续释放市场潜力,成为全球半导体设备需求的核心策源地之一,为本土设备产业的技术迭代与市场拓展提供了广阔空间。
在行业发展的推动下,2025年全球半导体制造设备市场同步实现高速增长,据公开数据显示,全年设备总销售额达1330亿美元,同比增长13.7%,创历史峰值。从区域分布看,中国大陆连续多个季度稳居全球最大半导体设备市场,本土晶圆厂在制程扩产与技术升级方面的持续投入,成为驱动设备需求增长的核心力量。行业整体呈现订单兑现加速、景气度向好的特征,国产设备阵营营收均保持较高增幅。
1.逻辑芯片制程设备
2025年,AI算力需求成为驱动逻辑芯片制程设备增长的核心引擎。其中,面向中国市场的中高端制程需求尤为旺盛,本土晶圆厂的持续扩产进一步放大了设备采购需求。同时,汽车电子、工业控制等领域对逻辑芯片的刚性需求也在稳步释放。从设备类型看,刻蚀、薄膜沉积、热处理等设备是关键品类:刻蚀设备向更高精度、高选择比升级;薄膜沉积设备需满足纳米级膜层均匀性控制,以支撑多重曝光工艺的图形化精度;热处理设备则致力于提升批量处理的稳定性与工艺适配性,减少多工序叠加带来的良率损耗,模块化设计已成为主流趋势。在国产化方面,国内已形成覆盖逻辑电路核心工艺的设备解决方案,核心性能逐步接近国际先进水平。国产设备在新建产线中的渗透率持续提升,凭借工艺优化、更优的性价比与快速的服务响应,形成了显著的本土优势。
2.存储芯片制程设备
2025年,存储芯片市场进入景气度上行的“超级周期”。HBM凭借高带宽、低延迟特性成为AI服务器核心存储方案,3D NAND堆叠层数持续进阶,DRAM技术迭代推动存储密度与性能同步提升。全球存储厂商加速扩产,产能向HBM及高端3D NAND倾斜,带动全产业链设备需求激增。从设备类型看,高深宽比工艺设备和HBM专用的TSV(硅通孔)设备成为新的增长点。TSV设备涵盖深孔刻蚀、ALD、铜种子层PVD、电镀填充等多个环节,其稳定性直接决定芯片互连可靠性。在国产化方面,国产设备已构建起贯穿存储芯片全制程的设备矩阵,整体国产化率较上年显著提升。公司的刻蚀、CVD、PVD、热处理、湿法清洗、电镀等设备成功适配3D NAND与HBM制造需求,已进入多家头部存储厂商的批量采购清单,成为其核心供应商。
3.特色工艺制程设备
2025年,在汽车电子化、物联网、功率半导体等下游需求推动下,特色工艺制程产能持续扩张。国内新建晶圆产线聚焦8英寸与12英寸产线,BCD、SOI、CIS、硅基微显等特色工艺成为差异化竞争焦点,带动相关设备需求稳步增长。设备需求以刻蚀、薄膜沉积、湿法清洗、去胶、离子注入及热处理设备为主,对稳定性和量产效率要求较高。例如,清洗设备需适配不同工艺节点的污染物去除,实现低损伤、高洁净度控制;离子注入机以中低能机型为主,适配特色工艺制程掺杂技术;立式炉设备凭借其批量处理能力,成为氧化、扩散、退火等热处理工艺的核心装备。目前,国产设备已成为特色工艺制程领域的主要供应商,在本土晶圆厂扩产中成为核心供给力量,成本与本地化服务优势显著。
4.先进封装设备
得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的不断提升,以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的强烈需求,先进封装技术迎来关键增长阶段,其中AI与高性能计算、通信与基础设施、汽车电子成为增长主力。2.5D封装通过硅中介层实现水平方向的芯片间高速互联,从而实现HBM和GPU的高带宽互联。3D封装使用TSV等技术,在垂直方向对芯片进行堆叠互联,通过最大化带宽、最小化延迟和面积,实现极致集成与密度。混合键合技术作为下一代高密度集成的关键,多家厂商正推动其大规模量产进程。此过程中,先进封装装备技术也快速迭代,部分前道工艺向封装环节延伸,拉动刻蚀、薄膜沉积、电镀、键合等设备的需求。根据公开信息,2025年全球半导体封装设备销售额64亿美元,同比增长19.6%,2026年和2027年将继续增长9.2%和6.9%,驱动力来自先进封装、异构集成的加速渗透。与此同时,国内设备厂商依托本土产业链的协同优势,已在大部分细分领域实现关键突破。
5.化合物半导体设备
碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体凭借高频、高压、耐高温特性,在新能源汽车、5G/6G通信、光伏逆变器、Micro LED等领域加速替代硅基半导体,市场规模快速增长,2025年SiC晶圆制造设备市场规模超44亿美元,GaN外延设备市场同比增长25%,技术路线向大尺寸、高质量外延层方向迭代。设备方面,核心设备包括外延生长、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等设备,需适配化合物半导体材料的特殊物理化学特性。外延生长设备需精准控制外延层厚度与纯度,降低缺陷密度;刻蚀设备需实现高选择性刻蚀,避免材料损伤;薄膜沉积设备则要满足异质结构的界面兼容性要求,保障器件性能稳定性。从国产设备进展看,依托硅基半导体设备及LED设备的技术沉淀,国产设备在化合物半导体专用设备领域快速突破。通过产学研协同,国产化率已经较高,支撑国内化合物半导体产业规模化发展。
6.新兴领域设备
量子芯片、光电集成等新兴技术快速兴起,成为半导体设备新的增长极。其中,量子芯片聚焦超高精度制程探索,光电集成推动光电子与微电子器件异构融合,开始进入技术研发与小批量验证阶段。设备需求方面,新兴领域需求呈现定制化、高精度特征,量子芯片制造需高精度刻蚀、高真空镀膜设备,实现单原子级工艺控制;光电集成设备需适配异质材料键合与图形化需求;AI赋能的智能化设备成为研发重点。国产化方面,国产设备厂商积极布局新兴领域设备研发,部分应用设备已实现落地,部分核心技术取得突破,为后续产业化奠定基础,产学研协同成为技术迭代的核心动力。
7.半导体设备国产化整体态势
2025年,国内半导体设备国产化进程进入加速爬升期。刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗等关键设备的国产化率持续提高,产业生态正从单一设备突破向全链条协同演进。设备企业与晶圆厂、材料厂商深化工艺合作,有效缩短了技术验证周期,同时核心零部件的自主化率不断提升,增强了供应链的韧性。在政策支持与市场需求的双重驱动下,国产设备订单增长显著,行业维持高景气度。
伴随国产化进程提速,行业内部竞争日趋激烈,尤其是特色工艺制程、化合物半导体设备等赛道,参与企业增多使得竞争压力持续上升,推动行业加速向技术驱动转型。良性竞争有效加速了半导体设备的国产化进程,推动企业优化产品性能、提升服务质量与成本控制能力,推动头部国产设备在本土产线的渗透率快速提升。同时,研发投入的持续加码与中高端制程的技术攻坚,助力行业向高端化、高质量发展转型。未来,公司将进一步聚焦核心技术与平台化能力,聚焦平台化设备供给、核心部件自主可控及中高端制程突破能力,为国产化进程突破注入持续动力。
(二)真空新能源装备业务板块
1.真空装备领域
2025年,国内真空热处理装备行业市场规模稳步增长。真空热处理装备行业发展紧密对接国家战略与先进制造需求,尤其在航空航天、新能源汽车、半导体零部件、真空电子器件等关键领域表现突出。航空工业、商业航天等领域对材料性能的极致要求,持续为真空热处理、真空镀膜等高端真空装备提供稳定需求。半导体制造成为增长强劲的新引擎,随着产业自主化进程加速,先进陶瓷、石英等关键零部件材料热处理设备市场空间广阔,同时,新能源汽车、风电与机器人等战略新兴产业的需求共振,共同为磁性材料设备开辟了可观的市场空间,为行业带来新的增长点。新能源汽车产业发展迅猛,高强度、轻量化零部件对真空热处理设备需求持续拓展。政策层面,大规模设备更新行动与“绿色制造”倡导,推动加快真空装备升级换代步伐,符合国家节能降碳标准的先进装备成为市场的优先选择。真空热处理装备在绿色化、高端化、精密化和智能化方向持续深化,企业逐渐从单一设备供应商向综合解决方案服务商转型,为国家战略性新兴产业的核心竞争力提升提供保障。
2.新能源光伏装备领域
在新能源光伏领域,2025年,我国光伏产业链主要环节总体呈现调整趋势。多晶硅、硅片产量同比下降29.6%、10%,组件出口量下降8.3%,由高速扩张转向结构调整。从技术路线看,2025年N型TOPCon电池片市占率仍然超过87%,异质结技术市占率提升至3.0%,XBC技术提升至6.7%,两者展现出巨大的技术潜力与发展空间。另外,由现有电池片技术与钙钛矿技术结合的叠层技术产品中,量产组件的最高转换效率已达29.1%,有望成为未来的重点发展路线。全球光伏行业扩产主要为地域范围增加,重点的光伏扩产地域已从东南亚扩展到中东、非洲等新兴地区。虽然国产光伏设备技术水平已领先全球,但装备领域的研发升级仍在持续。扩散、PECVD、LPCVD、湿法、激光等工艺技术装备,正在从“高产能、高可靠”的基本要求,向“智能化”“绿色化”“整体化”的解决方案升级,推动光伏装备向高端技术水平不断延伸。
3.新能源锂电装备领域
在新能源锂电装备领域,随着技术的不断成熟与市场的逐步拓展,新型锂电材料及设备的市场空间将持续扩大。复合集流体可为锂电池提供高安全、高能量密度、低成本的解决方案,卷绕PVD镀膜设备作为复合集流体制备的核心设备,有望成为推动锂电技术升级的关键力量。2025年全球锂离子电池总体出货量2280.5GWh,同比增长47.6%。预计2030年复合集流体卷绕PVD设备需求将达到188亿元人民币,渗透率将达到22%。与此同时,固态电池产业化进程在2025年明显加速。技术层面,半固态电池已实现量产装车,成为市场主流;全固态电池在关键技术上取得重要突破。产业层面,主要厂商已规划于2026年起逐步推进量产。据行业预测,到2030年,全球固态电池出货量有望突破600GWh,市场渗透率将超过10%,为锂电装备领域开辟重要的新增长空间。
4.氢燃料电池装备领域
在氢燃料电池装备领域,随着氢燃料电池的持续迭代,技术渐趋成熟,加之上游电源结构朝着清洁化加速转型,氢燃料电池有望在未来步入快速发展阶段,PVD镀膜可提升氢燃料电池双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性。在交通领域,氢能汽车将成为重要的应用场景,2025年全年国内共销售10782辆,同比增长51.2%。
氢燃料电池市场的未来预期,也推动氢能PVD镀膜设备进入规模化发展新阶段。
(三)精密元器件业务板块
中国精密元器件行业正处于快速发展阶段,市场规模持续扩大,根据行业研究报告,预计到2030年,中国精密元器件市场规模将达到2800至3200亿元,年复合增长率达16.5%,高于全球平均水平。从细分产品来看,压电石英晶体频率元器件产业正处在充满活力的快速成长期。钽电容器行业呈现需求扩容、技术突破、格局重构的清晰发展态势,下游多领域需求爆发、行业技术迭代加速且国产化替代进程持续深化,电阻器行业也正处于需求扩容、高端升级、国产替代三重驱动的高景气周期。此外,磁性材料正向高频化、低损耗、高稳定性演进,电感器变压器向平面化、小型化、集成化升级,超高压陶瓷电容器则朝着高电压、大容量、低局放方向发展。各类细分领域协同升级、稳步发力,推动中国市场成为全球相关产业的增长引擎。
三、核心竞争力分析
公司始终秉承“推动产业进步,创造无限可能”的企业使命,立足半导体基础产品领域,深耕半导体装备、真空新能源装备、精密元器件等业务板块,致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。
1.持续高强度创新,筑牢技术核心壁垒
创新是公司立足行业的根本,也是突破关键技术的武器。公司深度融入北京国际科技创新中心建设,依托产学研协同创新体系,与国内顶尖高校、科研院所开展深度合作,形成了从基础研究到产业应用的高效协同创新网络。2025年,公司继续保持高强度研发投入,全年研发投入达72.77亿元,同比增长34.74%。这种持续投入转化为丰硕的技术成果,截至2025年底,公司累计申请专利超11300件,授权专利超6500件,位居国内集成电路装备企业前列。
在核心业务领域,公司迎来多项里程碑:薄膜沉积领域,物理气相沉积(PVD)设备实现逻辑、存储、特色工艺、先进封装等主流晶圆制造场景的全面覆盖,并完成第1000台整机交付;热处理领域,立式炉累计出货量突破1000台;真空新能源领域,核心设备累计出货量突破15000台。同时,离子注入、电镀、键合设备等高端设备顺利落地,为国产中高端制程装备提供了核心支撑。这种从研发投入到技术突破,到市场落地的良性循环,让公司始终紧跟全球技术迭代节奏。
2.全链条平台化布局,构建差异化竞争优势
作为国内平台型设备商,公司构建了半导体装备、真空新能源装备、精密元器件等多位一体的业务矩阵,涵盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、电镀、键合等全系列产品,可为客户提供一站式工艺装备解决方案。这种平台化布局带来多重优势:一方面,有效减少客户多源采购成本,提升工艺协同效率,增强客户粘性,2025年公司批量订单主要来自存储芯片、逻辑芯片和先进封装领域的头部客户;另一方面,通过业务板块协同,公司将半导体装备的核心技术向真空新能源领域延伸,开发多款光伏、精密光学、锂电及氢能等设备,打造第二增长曲线。此外,公司通过并购芯源微补齐涂胶显影短板,进一步完善平台化能力,强化综合竞争壁垒。
3.高素质人才团队,夯实发展核心动能
半导体装备行业属于技术密集型领域,人才是企业持续发展的核心资源。公司始终重视人才团队建设,构建了一支规模庞大、结构优良的研发队伍。截至2025年底,公司研发人员达6511人,较2024年增长42.07%。这支团队涵盖半导体工艺、机械设计、电子控制、等离子技术、软件技术等多个领域,核心成员拥有丰富的行业经验,成为技术创新的中坚力量。
公司通过完善的人才培养与激励机制留住核心人才,依托国家级企业技术中心、4个北京市级技术与工程中心的平台优势,为人才提供广阔的技术攻关与职业发展空间。同时,通过“产学研协同”模式,与高校、科研机构深度合作,培养专业人才,形成“引进—培养—留存—发展”的完整人才生态,为企业技术迭代与平台化拓展提供持续动能。
4.以客户为中心理念,实现生态化深度绑定
公司秉持“以客户为中心”的核心价值观,通过深度绑定客户构建稳固的合作生态。在国内市场,公司与国内头部厂商建立长期战略合作。同时,凭借技术实力突破海外壁垒,成功进入多家海外厂商的供应链体系。公司通过协同研发、定制化服务和快速响应与客户实现深度绑定,参与下游客户的工艺验证过程,针对客户需求定制设备解决方案,缩短客户产线调试周期;建立本地化服务团队,快速响应设备运维与工艺优化需求;牵头构建从设备到材料、制造的协同生态,与客户形成共生共荣的发展格局。这种深度绑定不仅保障了订单稳定性,更让公司精准把握下游工艺需求,驱动技术创新。
5.全流程质量管控,夯实品牌信誉基石
半导体装备对稳定性与可靠性要求极高,质量始终是企业生存与发展的生命线。2025年,公司将“成就客户,以质取胜”确立为质量方针,并以“让北方华创成为值得信赖的高质量代名词”为质量目标,系统开展“质量年”系列活动。公司构建了覆盖研发、供应链、制造到服务的全价值链一体化质量管理体系,推动质量责任层层压实,实现贯穿业务全流程的穿透式管控。
这一系列扎实行动,让公司在市场中持续赢得认可。凭借对质量的执着追求与严苛标准,公司设备在集成电路、先进封装、化合物半导体等领域实现稳定可靠运行,逐步打破对于国产品牌在质量上的认知偏见,成为客户信赖的核心供应商,为产业链的自主可控提供了坚实保障。
四、主营业务分析
(一)概述
1.半导体装备
2025年,公司半导体装备业务持续发展,营业收入、市场占有率均快速增长,业务规模、量产能力与核心竞争力全面提升。同时,公司全年大幅度增加研发投入,核心知识产权布局持续完善,关键技术壁垒不断拓宽,为产品迭代升级、产业化落地与市场拓展提供了坚实的技术支撑。
围绕公司战略布局,公司稳步推进新产品开发及产业化应用,产品端实现多项突破。报告期内,公司成功推出离子注入设备、电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新产品,实现12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉等核心设备的规模化量产。公司立式炉、物理气相沉积(PVD)设备继刻蚀机之后,顺利实现交付数量突破1000台的行业里程碑,充分印证了公司在集成电路装备领域成熟稳定的规模化量产能力和全流程交付保障能力。报告期内,公司完成对芯源微的并购整合,进一步完善了半导体装备领域全链条产品布局,拓宽了业务覆盖边界,综合服务能力与市场竞争优势持续增强。
(1)刻蚀设备
刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备,通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料,形成半导体器件所需的微观结构。按照刻蚀机理及刻蚀材料的区别,主要包括以下品类:
①ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术,通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体,生成高密度等离子体。设备可在低工作气压下实现快速刻蚀,核心优势在于能独立控制离子能量与通量,可精准优化各向异性刻蚀能力,刻蚀深宽比表现优异,适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工,是工艺制程的核心刻蚀设备之一。
②CCP刻蚀设备采用平行板电容耦合方式产生等离子体,通过调节射频功率和气体配比,既能实现较高刻蚀速率,又具备宽泛的工艺窗口。其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著,兼容性强,常用于存储芯片的深孔、沟槽结构刻蚀。③高选择性刻蚀设备通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术,实现超高刻蚀选择比。可精准去除目标材料,同时最大限度保护掩膜层及周边非目标结构,避免损伤。主要应用于精细结构释放、堆叠层间选择性刻蚀等高精度工艺场景,是先进半导体器件制造中保障结构完整性的关键设备。
④等离子去胶机通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体,使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化,转化为挥发性产物后被排出,完成去胶处理。其核心优势为无化学污染、处理效率高,且能适配不同光刻胶类型,广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。
⑤专注于晶圆边缘处理,采用定向等离子体轰击技术,针对性消除薄膜沉积不均匀导致的晶圆边缘缺陷。在12英寸晶Bevel刻蚀设备圆制造中应用广泛,核心用于晶背清洁、边缘残留去除,可有效防止后续封装及互连过程中出现铜互连断裂、漏电等问题,保障晶圆整体良率。
IBE刻蚀设备(离子束刻蚀设备)⑥基于物理轰击原理,通过离子源产生高能离子束,直接轰击晶圆表面目标材料实现刻蚀。刻蚀过程基本不受化学反应影响,具有极高的刻蚀精度、方向性和均匀性,刻蚀速率稳定可控。适用于MEMS器件、光电子器件(如激光器、探测器)等对精度和表面质量要求极高的场景,也用于先进制程的精细辅助刻蚀。
根据权威机构数据,2025年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为18.5%,全球市场规模约1580亿元人民币。公司在刻蚀设备领域,已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的多系列产品布局。2025年公司刻蚀设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的刻蚀设备包括:
(2)薄膜沉积设备
薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备,与刻蚀设备协同工作,通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积一层或多层均匀薄膜,用于构建器件的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构。根据沉积原理与工艺需求,主流设备主要包括PVD、CVD、外延设备、ALD及电镀设备五大类。
①PVD(物理气相沉积设备)基于物理过程实现薄膜沉积,核心是在真空环境中,通过蒸发、溅射等方式将靶材原子或分子从源体剥离,使PVD其在晶圆表面凝聚、成膜。主流技术分为蒸发镀和溅射镀两类,其中溅射镀因膜层均匀性、致密性更优,应用更为广泛。设备优势在于膜层与基底附着力强、成分可控性好,沉积速率适中,可适配金属、合金、陶瓷等多种靶材。主要应用于半导体器件的金属布线(如铝、铜薄膜)、阻挡层(如钛、钽薄膜)、电极层沉积,也是面板、光伏等领域的通用型沉积设备。
②CVD(化学气相沉积设备)通过气相化学反应实现薄膜沉积,核心是将含薄膜元素的气态前驱体通入反应腔,在晶圆表面发生分解、化合等反应,生成固态薄膜并沉积。根据反应条件差异,可细分为常压CVD、低压CVD、等离子体增强CVD(PECVD)、金属有机物CVD(MOCVD)等子类。设备优势在于膜层台阶覆盖性极佳、厚度均匀性好,可沉积多种介质膜、半导体膜,兼容性强。广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的介质层、栅极层沉积,是半导体量产中应用广泛的沉积设备之一。
③EPI(外延设备)EPI属于高精度专用沉积设备,核心是在单晶衬底表面,沿衬底晶格方向生长出与衬底晶格结构、取向一致的单晶薄膜(外延层),确保薄膜的电学、光学特性最优。设备优势在于外延层晶格匹配度高、缺陷密度极低,能精准调控薄膜组分与厚度。主要应用于集成电路、功率半导体(如氮化镓、碳化硅器件)、光电子器件的核心薄膜沉积,是高端半导体器件制造的关键设备。
④ALD(原子层沉积设备)ALD基于循环式化学吸附原理实现原子级薄膜沉积,核心是将两种或多种前驱体交替通入反应腔,每种前驱体仅在晶圆表面发生单原子层化学吸附,通过排空步骤清除未反应前驱体后,再通入下一种前驱体发生反应,循环往复形成薄膜。设备最大优势在于薄膜厚度可精准控制到原子级,均匀性极佳,台阶覆盖能力远超传统CVD,且沉积温度低、膜层致密无孔隙。适用于特殊薄膜沉积(如高K介质层、金属栅极薄膜)、MEMS器件精细结构沉积,是半导体先进制程突破的核心沉积设备。
⑤电镀设备电镀设备基于电化学沉积原理,将晶圆作为阴极浸入含目标金属离子的电镀液中,通过施加电流使金属离子在晶圆表面还原、沉积形成薄膜。核心优势在于沉积速率快、金属填充能力极强,能高效填充高深宽比结构。目前主流应用于半导体铜互连工艺的金属填充,也用于封装环节的金属镀层沉积。
根据权威机构数据,2025年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.0%,全球市场规模约1870亿元人民币。公司在薄膜沉积设备领域,已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025年,公司薄膜沉积设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的薄膜沉积设备包括:
(3)热处理设备
热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备,核心作用是通过精准控温、控制气氛处理,优化晶圆材料的晶体结构、电学性能,修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤,同时实现杂质激活、薄膜致密化等目标。根据处理方式、效率及制程适配性,主流热处理设备主要包括管式氧化、管式退火、单片退火设备等类型。
①管式氧化设备管式氧化设备用于在晶圆表面生长氧化膜,通过将晶圆置于密封介质管内,在高温环境下通入氧化剂,使硅衬底与氧化剂发生化学反应生成氧化膜。设备采用批量处理模式,可同时放入数百片晶圆,通过精准控制温度、氧化时间、气体流量及氛围,调控氧化膜的厚度、致密性及均匀性。其优势在于批量处理效率高、成本低,膜层与衬底结合力强,适配多种氧化工艺需求。主要应用于半导体器件的栅氧化层、场氧化层、钝化氧化层生长,是逻辑芯片、存储芯片及功率半导体制造中的基础热处理设备。
②管式退火设备管式退火设备在惰性氛围或还原性氛围下进行,通过高温加热、保温、缓慢降温的流程,可修复离子注入后晶圆晶格的损伤,激活掺杂杂质以提升导电性,同时实现薄膜致密化、应力释放及金属硅化物形成等工艺目标。设备优势在于处理量大、工艺稳定性好、成本可控,能适配不同材料的退火需求。广泛应用于离子注入后退火、沉积薄膜后致密化退火、金属布线退火等场景。
③单片快速热处理设备(RTP)针对先进制程对热处理精度、热预算控制的严苛需求研发,采用单片式处理模式,一次仅处理一片晶圆。核心通过快速热退火技术,利用高效热源,实现晶圆的极速升温和降温,在极短时间内完成退火过程。其核心优势在于热预算极低,可有效抑制杂质扩散,避免晶圆表面图形变形,同时晶圆面内温度均匀性极高,能精准调控退火效果,减少工艺偏差。主要应用于高精度杂质激活、浅结退火、金属硅化物退火及先进封装中的局部热处理,是先进半导体器件制造中保障性能与精度的关键设备。
根据权威机构数据,2025年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.2%,全球市场规模约190亿元人民币。公司在热处理设备领域,已形成了管式氧化设备、管式退火设备和快速热处理设备的全系列布局。公司主要批量销售的热处理设备包括:
(4)湿法清洗设备
半导体湿法清洗设备是晶圆制造全流程中的核心辅助设备,通过化学试剂与物理作用结合,去除晶圆表面的颗粒杂质、金属污染物、有机残留、氧化层等污染物,同时避免损伤晶圆表面微观结构,为刻蚀、薄膜沉积、热处理等核心工艺提供洁净基底。其分类核心依据为处理方式、工艺效率及制程适配性,主流类型包括槽式清洗设备、单片清洗设备、物理刷洗设备等类型。
①槽式清洗设备槽式清洗设备的核心结构为密封清洗槽,通过将多片晶圆装入花篮,浸入配置好的化学试剂中,配合加热、搅拌或溢流功能,实现批量清洗。设备可根据工艺需求切换不同试剂槽,完成清洗、漂洗、干燥全流程一体化处理。优势在于批量处理效率高、设备结构简单、采购及运行成本低,能适配中低制程的通用清洗需求。
②单片清洗设备针对工艺制程对清洗精度、洁净度的严苛要求研发,采用单片式处理模式,一次仅对一片晶圆进行精准清洗。核心通过高压喷淋系统将化学试剂定向喷射至晶圆表面,配合晶圆高速旋转,实现试剂均匀覆盖与污染物快速剥离,同时可精准控制试剂用量、喷淋压力、温度及清洗时间。优势在于清洗精度极高,能有效避免批量清洗中晶圆间的交叉污染,晶圆面内洁净度均匀性优异,且化学试剂量可控、环保性更强,是12英寸晶圆量产中的主流湿法清洗设备。
③物理清洗设备以物理刷洗为核心,搭配化学试剂或超纯水喷淋,通过高精度柔性毛刷与晶圆表面轻柔接触旋转,剥离顽固颗粒杂质及附着污染物,同时通过喷淋系统及时带走脱落杂质,避免二次污染。设备优势在于对大尺寸颗粒、顽固附着杂质的去除效果显著,刷洗压力、转速可精准调控,适配不同晶圆尺寸及表面结构。主要应用于晶圆边缘清洗、背面颗粒去除、厚光刻胶残留预处理等场景。
根据权威机构数据,2025年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%,全球市场规模约470亿元人民币。
公司在湿法设备领域,已形成了单片设备、槽式设备全面布局。2025年,公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购,丰富了公司在物理刷洗和单片清洗领域的布局。公司已批量销售的湿法设备主要包括:
(5)离子注入设备
离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性,是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子,在电场作用下加速至预定能量,再精确注入半导体材料,实现原子的替换或添加,进而调控材料性能。2025年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.0%,全球市场规模约170亿元人民币。
公司已批量销售的离子注入设备包括:
(6)涂胶显影设备
涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备,主要与光刻机配合进行作业,通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理,从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。
根据权威机构数据,2025年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为2.8%,全球市场规模约240亿元人民币。公司控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商,主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。
(7)键合设备
键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备,通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联,其技术路线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。其中混合键合直接决定了芯片互连的密度与性能上限,对芯片或晶圆进行活化、清洗、对准、键合,实现芯片间百纳米级精度的直接铜-铜连接,已成为实现高性能三维异质异构集成不可或缺的战略性技术。根据权威机构数据,2025年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。公司的键合设备主要包括临时键合机、解键合机、混合键合设备等。
2.真空新能源装备
2025年,全球光伏行业进入深度调整周期,行业产能过剩矛盾持续凸显,下游终端装机需求不及预期,光伏产业链全环节价格持续下行,上游电池、组件制造厂商扩产意愿大幅收缩,直接导致光伏设备市场需求显著萎缩;同时行业内同质化竞争加剧、价格战持续升级,进一步压缩了设备厂商的盈利空间,对公司真空新能源装备板块原有光伏核心业务的订单获取、交付节奏、营收规模与盈利水平均带来了较大的负面冲击。
面对光伏行业持续下行的经营压力,公司依托真空技术领域数十年的深厚积累与同源技术优势,坚持战略转型与产业并购双轮驱动,多维度拓宽业务增长空间。一方面主动推进业务结构优化,快速将业务重心向半导体材料专用装备、氢能核心制备与储运装备、锂电高端制造装备等新兴高景气赛道拓展,围绕新应用场景开展定制化技术研发与产品开发,相关市场拓展、客户验证与订单落地均取得阶段性突破;另一方面通过产业并购完善细分赛道布局,报告期内公司完成对成都国泰真空的收购整合,充分发挥双方在真空技术领域的协同效应,补全了公司在高端光学镀膜设备赛道的产品矩阵,成功切入光学镜头、光通讯元器件等高端光学核心应用场景,大幅打开了高端光学领域的市场增长空间,进一步丰富了真空装备业务的应用场景与盈利维度。
通过系列战略调整,公司真空新能源装备业务逐步对冲光伏行业下行带来的经营影响,构建起多赛道协同发展的业务格局,为板块长期可持续发展开辟了全新的增长曲线。
(1)晶体生长设备
晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备,通过直拉法(CZ)、区熔法(FZ)或化学气相沉积(CVD)等工艺,在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体,广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度,确保晶体结构完整和低缺陷密度,从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级,晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代,支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。
公司主要批量销售的晶体生长设备包括:
(2)真空热工设备
真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备,其通过抽真空技术消除气体干扰(如氧化、污染),精准调控材料性能,广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备包括真空热处理炉(用于金属退火、淬火等工艺,提升力学性能)、真空钎焊炉(无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件)、真空镀膜设备(通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层)以及真空烧结炉(实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结)等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势,可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材料需求增长,真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进,成为高端制造业的核心装备。
公司主要批量销售的真空热工设备包括:
(3)新能源光伏设备
公司深耕新能源光伏电池片设备,引领行业技术不断升级。公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备,覆盖182至230mm多种大尺寸方形或矩形片。通过等离子场、电场、气场、温度场等理论研究和开发试验,持续推进单管结构升级与产能提升。目前,已能够为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方案。公司已完成在TOPCon、XBC工艺路线大产能设备的行业布局。低压扩散设备、低压硼扩设备具备较强市场竞争力,各类扩散、氧化、退火类设备技术性能优异。LPCVD可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备,以430MW/年单机产能引领行业发展,覆盖TOPCon/XBC两类主流技术路线。PECVD设备覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层电池技术。ALD设备的双倍舟技术,舟槽利用率大幅提升。经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合,公司累计发布了近百款量产型光伏设备,实现头部客户全覆盖,并出口东南亚、中东、非洲等地区,成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。
公司主要批量销售的新能源光伏装备包括:
(4)新能源锂电设备
新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材(如PET、PI)表面沉积纳米级金属层(铜、铝等),形成“三明治”结构,替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。该设备可实现超薄(微米级)、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产,可提升电池能量密度,同时抑制锂枝晶生长,增强锂电池安全性与循环寿命。其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求,广泛应用于动力电池、储能系统等领域,助力新能源产业向高效、安全方向升级。
公司主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括:
(5)氢燃料电池装备
氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备,旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性,满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。
公司主要批量销售的氢能装备包括:
3.精密元器件
2025年,公司精密元器件业务保持稳健发展态势,持续深耕核心技术研发与产品矩阵升级,不断提升核心产品的市场覆盖度与场景适配能力。报告期内,公司成功开发石英压力传感器芯体、抗振动高能钽电容、电子封装外壳系列等多款新产品,突破多项核心工艺瓶颈,进一步拓宽了精密元器件业务的应用边界与业务领域,为业务长期发展夯实了技术与产品基础。受下游客户降价诉求提升、行业市场竞争持续加剧等因素影响,报告期内公司精密元器件业务毛利率出现明显下降。
在高端精密元器件领域,公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品,拓展新应用。新开发高功率密度负载点电源,可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。公司积极布局模拟信号链产品,已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品,并积极拓展数字存储类产品,已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。报告期内,公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体,在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势;完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发,解决行业痛点,产品性能指标大幅提升;进行了耐高温阳极设计,开发了耐高温电解液及耐高温结构材料,并对结构进行了优化攻关,完成了耐高温液体钽电容器的开发。成功开发电子封装外壳系列产品,目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。公司研发的超高压陶瓷电容器,采用自研的陶瓷粉体配方,在相同的体积条件下,介质耐电压性能高于行业平均水平,在充放电寿命及耐温方面具有明显优势,目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。
公司主要批量销售的精密元器件包括:
五、公司未来发展的展望
(一)行业发展趋势
1.半导体装备板块
当前半导体装备行业正处于多重利好共振的黄金发展期,增长动力强劲且可持续。一方面,AI算力需求的爆发式增长重塑产业格局,直接带动相关装备需求大幅增长;同时3D NAND向更高层数迭代,对刻蚀、沉积等设备的精度和效率要求大幅提升,为具备高端设备供应能力的企业提供了广阔市场空间。据公开预测,2026年全球半导体设备销售额将突破1450亿美元,同比增长9%,三年增长态势明确。另一方面,国产替代已成为行业发展的核心驱动力,政策与市场形成合力加速推进。目前国内半导体设备国产化率仍然较低,未来五年有望持续提升。这样的市场环境为以公司为代表的国产平台型企业提供了较好的替代窗口期。
2.真空新能源装备板块
真空装备行业正朝着高端化和智能化的方向发展,新材料与新技术的应用,使得真空装备在电池生产、新型材料制备、热处理等领域的应用更加广泛和高效。公司将以高温、高真空、高压热处理、工业PVD、CVD设备为基础,积极拓展先进薄膜制备技术,加快半导体技术对光学、新型显示等领域的技术赋能,为客户提供全面解决方案。同时,光伏行业对低成本和高效率的极致追求,推动XBC、钙钛矿叠层技术研发和商业化加速。随着新技术路线的渗透,光伏设备迭代更新需求将逐步得到释放。固态电池、硅基负极、4680大圆柱电池等新型电池技术的量产,带来锂电设备新机遇。公司将以扩散氧化、LPCVD、PECVD、热处理、PVD、ALD设备为基础,加快对光伏、新型锂电技术赋能,为客户提供创新解决方案。
3.精密元器件板块
精密元器件技术将持续向小型化、集成化、高精密、高可靠方向深度演进,AI算力、新能源、通信、工业控制等高端应用需求稳步释放,国产化替代与产业链自主可控进程持续深化,为行业带来广阔的技术革新空间与市场发展机遇。公司布局的石英晶体器件、石英微机电传感器、精密电阻器、新型电容器、微波组件、模拟芯片、模块电源等系列化核心产品,契合行业发展趋势,有望充分受益于行业结构性机遇,迎来更为广阔的市场空间与成长前景。
(二)公司经营展望
公司将始终坚守“以客户为中心,以价值创造者为本,持续创新”的核心价值观,将其贯穿于研发、生产、营销、服务全经营链条,以质量为根基、以创新为引擎,双向驱动品牌价值升级,筑牢可持续发展的核心壁垒。
1.深耕“以客户为中心”,构建品牌信任根基
公司始终将客户需求作为经营决策的首要准则,依托覆盖全球的4大区域服务中心、6个备件调拨中心及8个核心备件库房,搭建全生命周期服务体系,实现设备运维响应、问题排查、备件补给的高效协同。通过建立“客户反馈—研发优化—产品迭代”的双向闭环机制,结合季度回访、年度满意度调研及战略共创会,精准捕捉客户在先进制程、产能提升等方面的核心诉求,定制化提供成套设备解决方案。同时以ISO体系为抓手,严格把控设备交付全流程质量。持续强化“可靠、高效、共赢”的品牌认知,深化与头部客户的长期共生关系。
2.践行“以价值创造者为本”,激活品牌发展内生动力
人才是半导体装备行业的核心资产,也是质量管控与技术创新的核心载体。公司将继续通过股权激励、员工持股计划等绑定核心技术骨干,搭建“学术+产业”双导师制,与高校和科研院所共建联合实验室,形成从人才培养到成果转化的全链条体系,将核心人才流失率控制在较低水平。针对研发、生产、服务等各环节的价值贡献者,建立精准激励机制,鼓励团队在质量管控中精益求精、在技术攻关中突破创新,形成“人人为质量负责、人人为创新赋能”的组织氛围,为品牌注入持续向上的活力。
3.坚守“持续创新”,锻造品牌技术核心竞争力
创新是突破关键技术、实现品牌升级的关键路径,公司未来将持续聚焦中高端制程,攻坚关键技术,通过基础研发与工程化应用协同推进,力争实现产品性能与国际头部企业对标。同时以创新驱动质量升级,将专利技术转化为质量管控标准,优化设备核心零部件可靠性设计与全流程质检流程,从源头规避产品隐患,推动公司从国内领先装备企业向世界一流集成电路装备企业稳步迈进。
4.以价值观为引领,铸就质量与创新的品牌双翼
质量是品牌的生命线,创新是品牌的成长线。公司始终坚守三大核心价值观,并将其贯穿于研发、生产、营销、服务的全链条之中。我们以“成就客户,以质取胜”为质量方针,以“让北方华创成为值得信赖的高质量代名词”为质量目标,推动质量管控与技术创新双向驱动、深度融合:通过技术创新不断突破质量的性能上限,通过扎实的质量体系确保创新成果的稳定与可靠。在国产化浪潮与全球产业变革中,公司致力于以过硬的产品与可信赖的品牌,持续赢得客户选择,逐步迈向世界一流集成电路装备企业。
(三)可能面对的风险
1.市场竞争与盈利压力风险
国内半导体装备国产化进程提速,市场竞争从“进口替代”转向“国内同业较量”,成熟制程设备出现同质化竞争迹象,可能引发价格战。为抢占市场份额,设备售价或面临下调压力,可能压缩毛利率;同时,公司为维持技术领先地位,需持续加大研发投入,高位研发费用率进一步增加盈利压力。
为应对市场竞争风险,公司的对策包括:一是聚焦差异化竞争,集中资源攻坚中高端制程设备等细分领域,打造技术壁垒,提升产品溢价能力。二是优化成本管控体系,通过规模化生产、供应链集中采购等方式降低生产成本,对冲售价压力;合理规划研发投入结构,聚焦核心技术攻关,提高研发资金使用效率。三是深化客户绑定,依托成套设备解决方案与全生命周期服务,提升客户粘性,优先锁定头部晶圆厂长期订单,同时拓展新兴应用场景,拓宽收入来源。
2.技术迭代滞后风险
半导体装备行业技术壁垒高、迭代周期短,新兴制程快速兴起,对设备精度、效率、兼容性的要求持续提升。各友商凭借深厚技术积累加速产品升级,形成直接竞争。若公司研发投入不足、技术攻关进度滞后,或对行业技术趋势判断偏差,可能导致产品技术落后于市场需求,削弱核心竞争力,进而影响市场份额与品牌影响力。
为应对技术迭代风险,公司的对策包括:一是持续加大研发投入,保持研发费用率稳定在高位,攻坚核心技术,搭建从基础研发,到工程化应用,到产品迭代的全链条研发体系,加快中高端制程设备验证与量产节奏。二是强化产学研协同,与国内著名高校科研院所联合研发,提前布局下一代半导体装备技术,精准预判行业技术趋势。三是加强与下游晶圆厂深度合作,共建工艺验证平台,同步迭代设备与工艺,确保产品适配新制程需求,维持技术竞争力。
3.高端人才短缺与流失风险
半导体装备行业对复合型高端人才需求迫切,工艺整合工程师、软件算法工程师等核心岗位缺口显著,行业人才竞争白热化。公司虽有完善的人才激励体系,但仍面临国际巨头与国内同行的双重挖角压力,核心人才流失或高端人才招聘不及预期,将直接影响研发项目推进、产品迭代速度与生产经营稳定性,制约战略落地效率。
为应对人才短缺风险,公司的对策包括:一是优化人才激励机制,扩大股权激励覆盖范围,绑定人才与企业发展。二是搭建全方位人才培养体系,通过内部技能培训等方式,自主培养复合型人才。三是营造优质人才生态,完善薪酬福利体系与职业发展通道,打造开放创新的工作氛围,提升人才留存率,同时借助全球招聘渠道,引进海外高端技术与管理人才。
4.地缘政治与供应链风险
全球半导体产业地缘政治博弈加剧,部分国家持续强化对华半导体设备及零部件出口管制,公司海外供应链稳定性受政策波动影响较大。同时,海外市场拓展面临不确定性,出口订单可能因政策限制延长交付周期,甚至被迫终止,对全球化战略与生产经营形成冲击。
为应对地缘政治风险,公司的对策包括:一是继续推进核心零部件本土化替代,联合国内优质供应商开展技术攻关,建立国产化零部件验证与量产体系,进一步降低进口依赖;同时构建多元化供应链,分散供应风险。二是强化合规经营管理,组建专业合规团队,规避政策壁垒。
5.并购后整合风险
外延并购是公司完善产品矩阵、补全技术短板的重要举措,但半导体行业并购整合难度较高。若对并购标的技术适配性、专利壁垒评估不足,可能导致标的技术难以融入现有体系;文化差异、管理模式冲突可能引发核心团队流失,导致技术传承断裂。
为应对并购整合风险,公司的对策包括:一是精准把控并购节奏,前期开展全面尽调,重点评估标的技术成熟度、专利合规性、团队稳定性及与公司战略的适配性。二是建立专业化整合团队,并购后快速推进文化融合、管理模式统一与业务协同;搭建技术整合平台,推动标的技术与公司现有产品体系融合,加速产业化落地。
收起▲