主营业务:
公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
报告期业绩:
截至2025年6月30日营业收入为793,805千元人民币。
报告期业务回顾：
1.深耕主业，强化巩固竞争优势2025年上半年，公司持续提升核心产品的产能产量。公司济南工厂的产能产量通过技术与工艺提升稳步推进，上海临港工厂已于2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，目前正在推进二阶段产能提升计划，两个工厂合计设计产能已突破40万片。
2025年上半年，公司实现营业收入人民币7.94亿元；归属于上市公司股东的净利润人民币1,088.02万元。这一变动主要系公司战略性加大了研发投入。
2.前瞻的研发布局和研发能力，构筑技术壁垒，实现创新通过前瞻性研发布局和持续性研发投入，公司形成了全球领先的碳化硅材料相关研发能力，并形成了覆盖全生产环节的核心技术储备，并在行业中处于领先地位：(i)在粉料制备环节，公司自主开发了高真空度的粉料反应腔室，设计了特殊反应工艺，从而控制粉料中主要电活性杂质浓度和氮浓度；(ii)在长晶环节，公司通过自主设计长晶设备，对坩埚、保温进行设计，实现了均匀热场结构，提升了晶体质量和生产效率；公司形成了系统性的缺陷表征与控制技术，有效降低了包括微管、多型夹杂、位错等在内的缺陷密度；(iii)在衬底加工环节，以长期积累的海量衬底加工大数据为基础，公司开发了多块拼接多线切片技术，解决了拼接棒长与切片质量关系的行业难题，通过优化切片液的流变性和磨料形貌、粒径及分布的调控，大幅度降低了切片的表面损伤；公司还研发了一整套的磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。公司的技术能力使公司能够精确控制碳化硅衬底的性能，实现所生产碳化硅衬底的近零微管缺陷，提高生产效率并降低加工成本，同时确保衬底质量的一致性。公司注重对研发成果的保护，将上述核心技术转化为知识产权，构建起技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，2024年度，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
公司获得了国内宽禁带半导体材料领域首个基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》三级证书，这体现了公司在研发管理和知识产权管理方面取得的成绩。
除了专利转化外，公司的核心技术已经具体化为专有技术体系。如公司基于自主开发的应力量化表征技术体系，实现了对碳化硅衬底应力的量化表征，进而实现对生产工艺的良好控制及持续改进。这允许对衬底质量进行深度控制，规避如晶圆翘曲、缺陷增值、器件失效及光学镜片光栅变形脱落等问题。
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3.强大的量产能力，实现高质、高效、高稳定性的交付公司经过多年行业深耕、工艺经验积累，已取得突破，实现产能快速提升。截至报告期末，公司已在山东及上海建立两个生产基地，合计设计年产能超过40万片碳化硅衬底。公司的产能与公司丰富的生产管理经验互为补充，确保公司碳化硅衬底的质量。公司积极践行精益生产理念，制定了标准化生产流程，引入先进的自动化和智能化设备，减少人工干预，提高生产过程的稳定性和可靠性。公司持续对生产过程进行实时监控、有效分析并持续改进。公司强大的生产管理能力使得公司在规模化交付上进一步领先行业。
3.1大尺寸快速量产及生产一致性保障能力公司在8英寸产品的量产能力上领先于竞争对手，公司的生产管理团队已经形成了一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验。在前瞻性布局方面，公司提前对晶体生长设备进行差异化设计，使得其具备兼容8英寸和6英寸碳化硅衬底生产工艺的能力。随著近年来8英寸碳化硅衬底需求上升，公司的工厂可以快速从生产6英寸碳化硅衬底切换至8英寸碳化硅衬底。
公司不仅在生产质量方面表现卓越，而且在大尺寸碳化硅衬底产品的质量方面亦同样出色，并确保生产过程中的生产一致性。这保证批量交付的碳化硅衬底的质量，并为公司的全球客户提供稳定的交付保障。此外，基于客户反馈，公司能对8英寸碳化硅衬底产品的生产工艺持续进行迭代升级，进一步构筑高竞争壁垒。3.2有效晶体生长厚度提升能力碳化硅晶锭的有效厚度如果能够提升，一方面可以节约昂贵的碳化硅籽晶用量；另一方面单个晶锭切割出来的衬底增加，能够大幅降低碳化硅衬底的生产成本。然而，提升有效厚度在量产端面临诸多挑战，包括如何确保晶体生长时厚度增加和碳化硅粉料消耗对生长腔室内部热场不会造成改变。公司解决了上述生产难题，并通过高效的生产管理能力，保证了大量离散的长晶设备产出结果的一致性。公司的碳化硅衬底有效厚度已超过60毫米，处于行业领先水平，而行业平均水平约为20毫米。
3.3高良品及低缺陷公司的碳化硅衬底已达到近零微管，表现为无堆垛层错、低基底面位错(BPD)密度、低螺位错(TSD)密度及低刃位错(TED)密度。公司已进一步制定并实施Z计划，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。3.4高智能化生产能力公司注重生产的智能化及自动化。一方面，智能化工厂一旦稳定运行，将大幅减少人为因素产生不利影响的风险，这对高品质衬底的制备至关重要。另一方面，高度自动化将帮助公司有效优化相关人力成本。以上海生产基地为例，其在设计之初即定位为智慧工厂。因此，公司为该生产基地配备了高性能、智能化的设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺。在公司的上海生产基地，公司运用信息系统实现了生产品质实时分析、监测和预警，在工艺控制、信息采集、运行环节都完成了信息化建设，对生产工艺持续优化升级。公司通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了炉具点火与装载、工艺选择以及操作控制与管理的自动化，从而在晶体生长设施中实现了无人化运营。公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。
为顺应下游应用的发展趋势，公司积极进行产品创新，这让公司能够抓住每个随时出现的市场机会。例如，公司在业内战略性率先布局电动汽车领域，于2022年较早的通过了车规级IATF16949体系认证，公司的碳化硅衬底已得到国际一线领先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的碳化硅衬底产品已成功深度切入可再生能源与AI两大高增长赛道，同时，公司通过技术创新，合理设计晶体生长工艺，解决大尺寸热场下的成核均匀性及诱生的微管、多型夹杂等缺陷问题，实现具有良好面型、高平整度、低粗糙度的高质量车规级碳化硅衬底，获得了客户的高度认可。2023年，公司获国际头部汽车厂商授予的‘优秀供应商奖’荣誉。2025年上半年，随著全球新能源汽车、可再生能源产业等领域的持续扩张，能源变革日益成为全球发展的核心目标，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。同时，碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。
公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。2025年7月，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司（以下简称‘舜宇奥来’）达成战略合作，开启了微纳米光学领域和新材料领域两家龙头企业合作新篇章。此次合作，通过整合天岳先进的材料优势与舜宇奥来的光学技术专长，将助力碳化硅衬底材料在光学领域的应用，开拓一个新兴的蓝海市场。
2025年8月，公司与东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称‘东芝电子元件’）就公司开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议，双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志著向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。随著碳化硅行业全面迈入‘12英寸新时代’，公司将以超大尺寸技术及产品为支点，持续深耕碳化硅半导体材料的蓝海市场。
(II)研发创新情况公司致力于研发创新，重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发，确保公司不仅紧跟科技进步，并不断改进公司产品，巩固公司宽禁带半导体材料领导者的地位。2025年上半年，公司研发费用人民币7,584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。公司在碳化硅衬底及生产技术的研发方面投入了大量资源，保障了高品质碳化硅衬底的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。
公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。
截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计63人，占研发人员总数的36.63%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。
(III)半年度成果和荣誉2024年12月，公司荣获由中国电子信息行业联合会经严格评审并颁发的数据管理能力成熟度模型(DCMM)3级认证，这是公司以宽禁带半导体技术立足数字化低碳化发展又一里程碑式成就。公司已构建起一套全面且规范的数据管理制度，为企业决策及管理运营提供可靠、科学且高效的数据支撑，从而显著提升企业的市场竞争力和管理先进性，保障了企业的稳健运营。2025年5月，山东省政府正式发布2025年第四批‘好品山东’品牌名单，公司凭藉全球领先的碳化硅技术实力、绿色低碳智造成果及国际化品牌影响力荣耀登榜！这标志著企业以持续创新和高质量发展，成为山东省乃至中国半导体产业的‘标杆力量’。
2025年6月，公司获得第二十五届中国专利银奖。公司此次获得中国专利银奖，是对公司技术创新能力和技术发明产业化能力的重大肯定，也是对公司在碳化硅半导体领域核心关键技术重大突破以及自主可控的充分认可。
2025年6月4日，公司凭藉其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的‘半导体电子材料’类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。历届获奖企业主要包括英飞凌、索尼、美光等国际半导体巨头，此次获奖标志著我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破，彰显了中国宽禁带半导体材料技术的国际领先地位。
(IV)H股成功挂牌上市为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，2024年12月，公司发布计划在境外发行股份（H股）并在中国香港联合交易所有限公司上市（以下简称‘本次H股上市’）公告，正式启动本次H股上市相关筹备事项。未来碳化硅衬底价格将持续下降，主要受两个因素推动：首先是生产技术和工艺路线的迭代升级带来的单位成本下降；随著碳化硅晶体生长等环节良率的提升以及衬底尺寸的扩大，各器件单位成本将持续下降。其次是规模效应，随著全球尤其是中国碳化硅衬底头部制造商的产能扩张，头部制造商在成本分摊、生产自动化和工艺优化、供应链采购、技术积累等方面展现出显著的规模效应，从而推动衬底价格的下降。衬底价格下降将推动更多下游场景采用碳化硅衬底。1.保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，公司计划通过公司在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统。凭藉公司领先的技术、产能及高效的生产优势，公司将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提高其在功率半导体市场的渗透率。
业务展望：
2025年上半年，随著全球新能源汽车、可再生能源产业等领域的持续扩张，能源变革日益成为全球发展的核心目标，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。同时，碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。
公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。2025年5月，山东省政府正式发布2025年第四批‘好品山东’品牌名单，公司凭藉全球领先的碳化硅技术实力、绿色低碳智造成果及国际化品牌影响力荣耀登榜！这标志著企业以持续创新和高质量发展，成为山东省乃至中国半导体产业的‘标杆力量’。
2025年6月，公司获得第二十五届中国专利银奖。公司此次获得中国专利银奖，是对公司技术创新能力和技术发明产业化能力的重大肯定，也是对公司在碳化硅半导体领域核心关键技术重大突破以及自主可控的充分认可。
2025年6月4日，公司凭藉其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的‘半导体电子材料’类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。历届获奖企业主要包括英飞凌、索尼、美光等国际半导体巨头，此次获奖标志著我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破，彰显了中国宽禁带半导体材料技术的国际领先地位。
(IV)H股成功挂牌上市为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，2024年12月，公司发布计划在境外发行股份（H股）并在中国香港联合交易所有限公司上市（以下简称‘本次H股上市’）公告，正式启动本次H股上市相关筹备事项。作为碳化硅行业的领导者，秉承公司既定的发展战略，公司将以‘先进品质持续’的经营理念，凭藉领先的技术、产能及高效的生产优势，努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提升其在功率半导体市场的渗透率，开创可持续发展的经营基业。未来碳化硅衬底价格将持续下降，主要受两个因素推动：首先是生产技术和工艺路线的迭代升级带来的单位成本下降；随著碳化硅晶体生长等环节良率的提升以及衬底尺寸的扩大，各器件单位成本将持续下降。其次是规模效应，随著全球尤其是中国碳化硅衬底头部制造商的产能扩张，头部制造商在成本分摊、生产自动化和工艺优化、供应链采购、技术积累等方面展现出显著的规模效应，从而推动衬底价格的下降。衬底价格下降将推动更多下游场景采用碳化硅衬底。1.保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，公司计划通过公司在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统。凭藉公司领先的技术、产能及高效的生产优势，公司将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提高其在功率半导体市场的渗透率。6.寻求战略投资、合作或收购为增强技术能力、拓展业务布局，未来公司计划对与公司形成互补或协同效应的半导体行业的技术、团队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。通过战略性投资、合作或收购，公司计划完善公司的技术组合、提高生产工艺、提升产品品质、拓展销售网络，并扩大公司的可触达市场，从而驱动公司的未来增长。
3.经营计划2025年下半年，公司将顺应新形势变化，继续坚持‘先进品质持续’的理念，坚持以‘成为国际著名的半导体材料公司’为战略目标，重点做好以下几方面工作。
1.销售方面，全面高质量合规，加强碳化硅衬底产品与新能源及AI两大市场双轮驱动，持续发挥高品质、大尺寸产品优势，加快拓展新兴应用领域并持续提升碳化硅产品渗透率；进一步深化对外合作，积极拓展全球优质龙头客户，最大化挖掘产品的全球市场潜力。
2.产品方面，全力打造拳头产品，健全碳化硅衬底产品全生命周期管理，整合资源，推动销售高质量增长。3.研发方面，持续推进在基础研究、产品开发以及工程研发等核心技术领域的研发力度，高效利用研发资源，提升创新效能，突出创新高质量化，加快新应用领域碳化硅产品上市进度。
4.运营管理方面，强化卓越运营，优化资源配置，推进数字化与信息化建设进程，大力提升管理效率与水平；注重优才引进，强化干部培养，夯实干部主体责任，加强绩效考核，加速优胜劣汰。公司将运用新技术、新手段、新理念等多项并举，有效提升运营效率，持续推进降本增效。
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