天岳先进
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主营业务:
　　1.主要业务公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。

报告期业绩:
　　公司导电型碳化硅衬底全球市场份额达27.6%,登顶世界第一;其中8英吋产品市占率高达51.3%,牢牢掌控了大尺寸时代的主动权。

报告期业务回顾：
　　—碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括新能源汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智慧手机、半导体镭射等。
　　功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，主要包括功率二极体、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
　　根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。全球碳化硅功率半导体器件在全球功率半导体器件市场中的渗透率由1.1%增至5.8%，预计于2030年将达到22.6%。
　　从具体应用领域来看，根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，应用于新能源汽车的碳化硅功率半导体器件全球收入的复合年增长率高达66.7%，而从2024年到2030年，新能源汽车领域的复合年增长率仍高达36.1%，将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长。光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现出强劲的增长势头，未来预测期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%。家用电器、低空飞行和资料中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度，应用于上述领域的碳化硅功率半导体器件全球收入的预测复合年增长率预计将达到39.2%。除此之外，碳化硅在其他新兴领域的应用也在层出不穷，如AI眼镜领域。碳化硅材料可应用于AI眼镜的光波导镜片中。碳化硅材料折射率显著高于高折射率玻璃和铌酸锂，可以实现更大的视角及更简单的全彩显示结构，减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，从而显著提升AI眼镜的用户体验。由于碳化硅材料卓越的光学特性，AI眼镜行业市场预计将大幅增长，至2030年，全球出货量将超过6,000万副。
　　公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。
　　根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元增长至2023年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年增长率为39.0%。1.2技术进步驱动单位成本持续降低，经济性提升加速全行业渗透。
... 　　2025年，碳化硅行业正处于尺寸升级与工艺革新的关键视窗期。报告期内，衬底技术向大尺寸化演进的趋势愈发明确。随著公司大尺寸衬底生产技术的日臻成熟和良率的稳步提升，技术端晶体生长、切片、磨抛工艺的进步显著提升了碳化硅衬底的生产效率，并降低了生产成本。随著技术的不断进步和产能的扩大，预计碳化硅衬底的成本将进一步降低，经济性和市场渗透率将继续提升。
　　技术进步带来的经济性红利，促使碳化硅的应用门槛进一步降低。碳化硅的使用经济性优势已不再局限于新能源汽车和资料中心等顶尖领域，在工业自动化、智慧电网、轨道交通以及以空调、洗衣机为代表的高端家电等消费电子领域，碳化硅替代传统硅基半导体的进程明显加快。行业报告显示，公司本年度8英寸衬底市场占比已超过50%，6英寸占比27.5%，公司引领的尺寸升级不仅提升了自身竞争力，更带动了全产业链的规模化效应，推动SiC应用向全工业领域渗透。(4)行业由粗放扩张转向追求品质与系统化能力。站在2026年初的时间点回望，单纯的产能规模已无法建立构筑有效的经营能力，行业竞争重心已全面向稳定交付、品质保障、及客户生态圈迁移。头部企业正在凭藉多年积累的大规模、稳定、高品质交付的绩效，与全球头部客户建立更加紧密的合作关系。碳化硅产业已告别草莽式的粗放增长阶段阶段，正式步入以先进品质、极致成本、稳定供应为特征的高品质发展时代。2025年至2026年初，衬底尺寸升级依然是行业最重要的结构性趋势之一：6英寸是行业目前最为主流出货品类，同时8英寸正快速起量，并成为盈利与成本博弈的胜负手，12英寸是下一代技术和话语权的高地。
　　6英寸方面，由于工艺成熟、良率相对稳定且设备体系完善，6英寸导电型衬底仍是当前出货的主流，在全球衬底出货中占比超过九成，尤其在国内应用中仍承担著大部分量产需求。但6英寸器件市场已经进入‘红海时代’，竞争最为激烈。在这一路径中，中国市场的重要性显著提升。报告期内，中国碳化硅市场占全球份额显著提升，未来有望成为全球最大单一市场；国内厂商在6英寸替代、8英寸突破和12英寸探索上同步推进，形成了与海外龙头之间从‘追赶’迈向‘局部并跑乃至领先’的新格局。2025年碳化硅下游需求从新能源汽车这一领域加速迈向更多领域，包括新能源、AI、工业、消费等更多场景，行业抗周期能力和中长期成长确定性在行业波动年中进一步增强。
　　新能源仍是最大基本盘，并于2025年尾开始出现加速增长的迹象。电动汽车的碳化硅功率器件正逐步从高价位段向中低价位段延伸，光伏、储能、充电桩、电网、轨交等领域的渗透率亦随著碳化硅器件单位成本的下降而快速提升。在AI资料中心方面，弗若斯特沙利文预计2030年全球AI资料中心容量将达299GW，较2023年净增244GW，2023年至2030年复合增速达27.4%，届时资料中心耗电占全球电力消费比重或由1.4%升至10%；
　　800VHVDC架构、SST、PSU等环节，碳化硅凭藉高效率、高频、高温与高功率密度优势，被视为降低能耗、提升机柜功率密度和优化散热设计的关键材料。
　　在AI终端与光学领域，碳化硅材料凭藉高折射率及优异光学性能，在AI眼镜╱AR眼镜光波导中的应用逐步从概念验证走向生态共建。多方预计2030年全球AI/AR眼镜出货量将超过6,000万副，以碳化硅为基底的光波导片可带来更大视场角、更简化的全彩显示结构并降低重量和成本，公司已与全球光学领域应用龙头建立联合开发关系，推动这一新兴场景的产业化落地。
　　此外，在先进封装、高端散热、滤波器、智慧电网、家电与工控等方向，碳化硅的高热导、高频、耐高压与耐高温等多重特性不断被挖掘，例如用于AI晶片封装的散热仲介层、TF-SAW滤波器基底、特高压电网P型衬底等，需求端的多元化趋势日益显著。2.4国产化与全球化并行碳化硅衬底的长验证周期和高切换成本决定了客户资源即是壁垒。具备全球Tier1客户认证、签订长期供货协议(LTA)、并在EV、AI资料中心、工业、光学先进封装等多场景深度协同的企业，将在价格战与景气波动中展现出更强韧性。公司通过‘A+H’双融资平台进一步增强海外品牌认知与资本实力，配合在东南亚等地布局海外产能，应对地缘政治与贸易壁垒的能力更加扎实，逐步建立起更加稳定的‘Chinaforglobal’和‘ChinaforChina’双回圈的供应体系。
　　同时，国内碳化硅产业链在衬底、外延、器件与装备等环节加速突破，2025年国产碳化硅产品加速发展，国内下游企业竞争力边际加强，国产厂商成为碳化硅行业愈来愈重要的玩家；同时，海外IDM与国内厂商之间的合作亦在深化。2025年，公司与诸多国内下游客户亦建立起更加深厚的合作绑定关系，为下一步发展做好了充分准备。
　　2025年至2026年是碳化硅行业发展的关键阶段：低端、无差异化能力的产能以及缺乏自研能力、无头部客户绑定的厂商将加速出清或边缘化；具备技术领先、成本优势、多场景应用理解和系统解决方案能力的企业，将在AI与新能源双轮驱动下获得更大的成长空间和行业话语权。公司在材料科学领域的持续深耕正在引领多个产业的发展，以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提供核心支撑，赋能未来科技革命。公司的碳化硅衬底可广泛应用于新能源汽车、AI资料中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。凭藉行业领先的技术创新能力、强大的量产能力、高品质的产品组合、与上下游市场参与者建立的紧密合作生态及高效的管理能力，公司正在引领碳化硅行业蓬勃向前发展。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的碳化硅衬底经客户制成功率器件及射频器件，该等器件最终应用于诸如新能源汽车、AI资料中心及光伏储能等多领域的终端产品中，同时，公司积极向AI资料中心、微纳光学、先进封装等新兴领域拓展，碳化硅衬底材料在新兴领域发展潜力巨大。
　　公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、品质检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据Yole旗下的智慧财产权调查公司资料，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
　　全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面具有显著优势。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进(SICC)市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司战略执行的成果。1.主要业务公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进(SICC)市场份额为27.6%，位居全球第一。
　　公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸反复运算升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热仲介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。2.Mainproductsandservices2.主要产品及服务情况2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
　　2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
　　2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
　　2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
　　上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘著可再生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
　　公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。公司是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭藉公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及品质检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高品质生长介面控制及缺陷控制的难题。
　　2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志著公司向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。2.赋能‘AI+新能源’双轮驱动的多元化应用生态能力公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解，同时围绕客户需求开展协同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景渗透，展现出较强的生态赋能能力。
　　碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类下游产品中。结合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向，而是进一步延伸至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开发能力。
　　在新能源领域，碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随著电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。在先进封装与高端散热领域，碳化硅凭藉高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装仲介层等方向。公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率雷射器晶片的散热层，并已形成批量出货，验证了碳化硅作为散热材料在产业端规模化应用的可行性。并持续在AI、资料中心和先进散热部件等新应用场景推动技术突破。这类应用本质上是利用碳化硅在热管理和材料稳定性方面的优势，服务于AI算力中心高功率、高散热密度场景。
　　在滤波器与先进通信方面。碳化硅已应用于TF-SAW滤波器等方向，先进通信基站中的渗透率也正逐年提升。公司正围绕碳化硅在高频高速通信场景的材料优势，与客户共同推动产品验证和应用落地。
　　总体来看，公司围绕‘AI+新能源’的多元应用生态能力，持续拓展客户行业，将碳化硅材料的‘电、光、声、热’等多维特性逐步转化为可量产、可验证、可协同开发的产品能力。随著下游更多新场景从验证走向规模化，公司有望凭藉这种跨场景理解和快速回应能力，进一步提升行业渗透率和客户黏性。公司大尺寸产品的快速量产能力，是其制造体系的重要体现。以上海生产基地为例，其于2023年1月开始设备进场，到同年5月即实现产品交付，并于2024年上半年已经达到年产30万片碳化硅衬底的量产能力，而原计划实现该目标的时间为2026年。这表明公司生产管理团队已形成一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验，可在较短周期内完成从专案建设到客户交付的落地，这对公司海外产能的布局也至关重要。
　　在良率、厚度与一致性方面，公司同样具备领先能力。目前公司已解决有效晶体生长厚度提升的量产难题，有效厚度超行业平均水准。更高的有效厚度意味著单个晶锭可切出更多衬底，有助于大幅降低单位产品成本。与此同时，公司产品已达到近零微管水准，并表现为无堆垛层错、低BPD、低TSD和低TED密度。公司还实施‘Z计划’，旨在实现高品质产品及无缺陷交付。
　　在智慧制造方面，公司持续推进AI和数位元化工厂建设。上海工厂在设计之初即定位为智慧工厂，配备高性能、智慧化设备，通过AI和数位化技术持续优化工艺；公司运用资讯系统实现生产品质即时分析、监测和预警，并通过部署机器人系统和智慧设备单元，实现了操作控制与管理的自动化，部分晶体生长设施实现无人化运营。高自动化和高资讯化能力，一方面减少了人为干预带来的品质波动，另一方面提高了生产效率和一致性。3.1技术与品牌荣誉方面慧工厂’，彰显智慧制造领域的标杆水准，以及‘山东省新材料领军培育企业’‘济南市服务产业链发展优质链主企业’，凸显在区域产业发展中的核心引领作用。此外，公司此前获得的‘2025行家极光奖’之‘全球SiC衬底影响力企业’及‘2025年度优秀产品奖’，进一步巩固了其行业引领地位。
　　3.2ESG与规范经营方面
　　公司凭藉系统化的ESG管理体系与扎实的可持续发展实践，荣获2025年度上市公司最佳ESG实践奖，体现了公司在环境、社会和治理方面的卓越表现；公司始终保持高水准的资讯披露品质，持续提升规范运作水准和投资者关系管理品质，不仅树立了科创板上市公司规范经营的良好标杆，更以符合国际资本市场的合规运营标准，为本次港股成功上市奠定了坚实基础，也为国产碳化硅企业对接全球资本树立了合规典范。同时，公司获评‘济南市工业节水示范企业’，积极践行黄河流域生态保护战略，彰显绿色发展理念。

业务展望：
　　1.3多元物理特性触发跨界融合，SiC加速向新兴蓝海市场延伸。
　　报告期内，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的‘电力电子功率器件’向基于其多元物理特性的‘多功能应用’转变。碳化硅具备的高禁带宽度、高热导率、高折射率及化学稳定性，使其在多个新兴赛道展现出巨大的应用潜力。
　　微纳光学领域：碳化硅的高折射率和低损耗特性，使其成为制造微透镜、光波导等微纳光学元件的理想材料。公司通过与光学头部客户的战略合作，已实现在AR/VR及精密光学传感领域的初步应用。
　　先进封装领域：利用碳化硅极高的热导率，将其作为大功率晶片的散热基板或封装材料，能够有效解决高性能晶片的‘热管理’难题。
　　超高压电力领域：随著高品质P型碳化硅衬底的研发突破，其在智慧电网、特高压直流输电等领域的应用正进入实测阶段，为构建新型电力系统提供了关键材料保障。
　　未来，随著12英寸等更大尺寸衬底布局的推进，以及液相法等前沿制备技术的产业化，碳化硅衬底将持续打破现有应用边界，形成‘一材多用、跨界赋能’的新产业格局，为公司提供持续的增长动力。总体而言，公司多元化的产能布局，大尺寸快速量产能力，高一致性的平直保障和持续降本的系统能力，为公司服务全球头部客户打下了坚实基础，也为公司在行业竞争中保持韧性和扩大份额提供了关键支撑。
　　4.深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力
　　碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部优质客户是公司长期发展的基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形成了稳定深入的客户生态优势。
　　目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，并已进入国际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力。
　　从品牌与市场地位看，公司已具备较强国际影响力。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进(SICC)市场份额为27.6%，位居全球第一。同时公司的稳步发展也获得了头部客户的广泛认可和尊重，使得公司在行业议价、行业标准理解和制定和产业链协同中拥有更强影响力。2026年，天岳先进将继续以‘成为国际著名的半导体材料公司’为战略目标，立足新能源和AI引领未来科技革命的契机，始终秉持‘先进品质持续’的经营理念，引领行业和技术发展，以高品质产品为客户创造更大的价值。
　　2026年，公司将继续围绕以下重点工作，推动天岳先进高质量发展，提升公司长期投资价值。
　　（一）坚持主业聚焦，稳步提升大尺寸产能与有效利用率
　　公司将继续以碳化硅衬底主业为核心，围绕济南与上海临港两大基地，系统梳理并优化现有6/8英寸产线的产能结构与排产节奏，并审慎推进资本开支，稳步提升有效产能利用率与交付能力，并通过工艺优化、瓶颈环节扩能与智能排产等方式，提升整体产出效率，保障客户供货稳定性。公司将继续以‘8英寸绝对领先、全球头部客户首选供应商、大尺寸高质量衬底量产标杆’作为年度经营重点。在8英寸方面，公司计划在2026年继续推进8英寸产品占比：一方面通过进一步提升8英寸良率和稳定性，巩固其在公司收入中的主力地位，另一方面加快更多车规级及工业客户的量产导入节奏。在12英寸方面，将围绕已完成的导电N型、P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，重点推进与头部客户的合作，为即将到来的具备规模化交付条件时的快速产业化奠定基础。2026年，公司计划以高品质产品和高质量服务为基底构筑品牌力，构筑以技术和服务质量为锚的盈利修覆路径，维护行业健康利润率。公司将坚持价值定价，综合产品尺寸、质量、服务内容与长期战略保供能力，与客户建立以性能与可靠性为基础的长期合作关系，杜绝内卷式的价格博弈，重视客户满意度、良率与交付时效，并通过工艺进步和精益制造确保降本增效工作的顺利展开，并以内生性盈利支撑持续研发和智能工厂叠代投入，有力提升经营质量。2026年，公司将继续以‘成为国际著名的半导体材料公司’为战略目标，立足新能源和AI引领未来科技革命的契机，始终秉持‘先进品质持续’的经营理念，引领行业和技术发展，以高品质产品为客户创造更大的价值。企业使命：为客户创造最大价值，为股东提供更大回报，为员工提供最佳福祉，为社会创造最大财富。
　　企业愿景：成为国际著名的半导体公司。
　　企业战略：先进、品质、持续。核心价值观：技术为本，人才至上；谦逊做人，勤俭做事；诚实守信，自我批判。
　　品牌内涵：LOGO‘SICC’由SIC和C组成。
　　SIC代表主营业务碳化硅衬底，C是‘公司’简称。立体切角设计强调晶体元素和立体感，象征对高品质、先进性和持续发展的追求。
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