一、经营情况讨论与分析　　报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。　　（一）市场营销　　2023年以来，公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。
　　（一）市场营销
　　2023年以来，公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。
　　产品结构方面：
　　（1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，由于2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段，整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响，整体IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的IGBT产品实现了销售收入2.66亿元，比去年同期下滑了33.97%，销售占比从去年的22.33%下降到今年的18.09%。公司预计2024年光伏需求会有所回暖、进而促进IGBT产品的销售回升，其他变频、小家电、汽车等领域的IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。
　　（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，持续实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量，与联合电子、伯特利等tier1厂商实现深入合作，导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际tier1厂商；在AI服务器领域，公司已经在行业头部客户实现批量销售，并将进一步放大规模；其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户，公司持续实现销售份额的提升；大疆无人机、卧龙电驱、商络电子等其他新兴应用领域客户，公司亦在不断加强深入合作。公司的SGT-MOSFET产品2023年实现了销售收入5.46亿元，比去年下降了19.80%，主要系受到之前产品价格波动的影响，但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势；销售占比相对稳定，为37.11%。随着公司在汽车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大，预计公司2024年SGT产品的销售规模将得以进一步提升。
　　（3）SJ-MOSFET产品方面，2023年实现销售收入1.84亿元，相比去年减少了13.56%，销售占比从去年同期的11.83%提升至12.52%。公司4代SJMOS产品系列型号齐全，已经开始批量交付，2024年公司将全面开展SJMOS产品从3代到4代的替换，并加大对于AI服务器和数据中心、汽车OBC、充电桩等领域的推广，以进一步促进SJMOS产品的销售，成为公司新的业绩增长点。
　　（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多，应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，但市场波动对Trench-MOSFET的影响也大，公司积极采取了让利保市场的策略，并进一步促进了销售规模。2023年TrenchMOS产品实现销售收入4.54亿，相比去年下降了9.34%，但销售数量和市占率获得显著提升，其销售占比从2022年的27.79%提升至2023年的30.84%。
　　市场结构和客户结构方面：
　　2023年公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极挖掘原有市场客户的合作机会，通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。
　　汽车电子领域：公司目前已经推出200款车规级MOSFET产品。2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，持续扩大销售规模，实现了多款产品的大批量供应；同时对联合电子、伯特利等国内头部Tier1持续规模出货，截至目前，公司已经获得联合电子20多个汽车电子项目的定点通知书，合作时间从2024年持续到2029年。公司的产品涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、驾驶辅助域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多，出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。
　　光伏储能领域：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。
　　AI服务器领域：2023年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已经在AI算力领域头部客户实现批量销售，且将进一步快速增长。
　　（二）研发创新
　　2023年度，公司实现研发投入8,731.42万元，占营业收入的比例为5.91%。截至目前，公司共有专利196项，其中发明专利86项（不含已到期专利）。2023年全年新增产品600余款。
　　IGBT平台：
　　1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试，正在进行客户端导入测试，产品交直流参数已经达到预期水平，正在同步做良率优化，同系列光伏逆变应用的业界最大电流TO-247Pus封装单管产品1200V160A产品正在进行客户应用验证，650V200A单管样品已完成直流参数验证，正在进行交流参数验证；
　　2）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证，正在做交流参数优化；
　　3）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证，符合设计预期，正在进行交流参数验证；
　　4）IGBT并联SiC二极管产品已通过客户验证，开始批量出货；
　　5）具有不同反向恢复特性的600V和1200VFRD系列产品已经全部进入量产，其他电压平台正在开发流片中。
　　SJMOS平台：
　　1）第四代超结MOS（SJMOS）平台在8寸和12寸都已进入全面稳定量产，500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货；
　　2）在现有量产的第四代超结平台上，针对600V和650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻（Rsp）优化，相较于第四代产品，器件Rsp进一步降低12%，该系列新增加产品型号超过30款，已经进入量产阶段；
　　3）搭载快速恢复体二极管的第四代800V深沟槽SJMOS平台140mΩ产品交直流参数已经达设计预期，器件Rsp相较于三代产品降低35%，产品正在进行良率提升和终端客户应用测试；
　　4）第五代SJMOS平台工程流片中，650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，目前已经通过1000小时以上可靠性考核，正在进行客户验证和良率提升。
　　SGTMOS平台：
　　1）针对车规应用的P沟道150VSGTMOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段；
　　2）具有业界最小单位元胞尺寸（CePitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展；
　　3）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，代表产品已完成车规认证，正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展；
　　4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用；
　　5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产，正在进行车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，产品主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用；
　　6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工程验证，产品正在进行可靠性评估，以100V产品为例：器件Rsp相较于同规格最优竞品小20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低15%以上，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%，产品主要针对混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。
　　TrenchMOS平台：
　　1）针对汽车应用，基于8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性P沟道60V~200V设计与工艺固化，系列产品全面量产，多款产品通过车规认证，后续会衍生开发P沟道30V~60V产品平台；
　　2）具有高元胞密度（0.75umCePitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台开发完成，以P40V为例，器件Rsp相较于上一代降低31%，系列产品全面量产并持续拓展规格型号；
　　3）具有超高元胞密度（0.55umCePitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工程开发中，正在进行成品级测试和可靠性考核评估；
　　4）应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的12V~24VCSPMOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测；
　　5）基于12寸平台完成多款车规级产品开发，产品批量交付汽车客户；
　　6）12寸N沟道30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代，以N30V为例，Rsp相较于上一代降低16%，持续进行系列产品拓展；
　　7）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65umCePitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台开发流片中。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　1）公司已开发完成1200V23mohm~75mohm和750V26mohmSiCMOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；
　　2）650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品、650V460mohmD-ModeGaNHEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大产品平台中已有140余款典型产品基于APQP完成了产品开发，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，另有70余款产品认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了P20V、P30V、P40V、P60V、P100V、P150V、P200V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N120V、N200V、N250V、N150V、N650V、N1200V等，且在持续扩充增量中。
　　公司的车规产品已大批量交付近90家Tier1厂商及终端车企，除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外，在线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域已实现大规模应用。
　　公司将持续基于IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在顾客导向过程中，基于客户的需求，运用APQP,PPAP,DFMEA等工具实现满足客户需求的车规产品的开发。在资源管理过程中，基于管理评审、经营计划等，协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产。在客户支持过程中，基于VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证，包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等，通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，并积极引入高学历人才，以进一步加强新能源光储充、汽车电子、工业自动化、AI服务器与数据中心，以及半导体功率模块产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来，随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，与各主要供应商继续保持良好合作关系，并开发更多的封测领域供应商，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
　　2023年芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前SiCMOSFET产品和GaNHEMT产品均已实现工程产出。其他部分工作完成如下：1）项目管理试点推行（比亚迪专项、光伏专项）达成预期；2）降低封装成本，针对十余家封装厂进行全面议价；3）完成STOLL、双面散热等新品引入；4）配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品封装厂巡线工作；5）细化未投料产品生产管理，有效缩短生产周期等。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理，并在2023年顺利通过SGSIATF16949体系换证审核。
　　2023年，电基集成全面提升组织的ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系和IECQQC080000有害物质管理体系的系统化和执行效果；深化改革公司的EAP设备自动化系统、TMS测试管理系统和条码系统，加快建设智能工厂和数字化车间建设，为公司持续发展提供了源源不断的动力，推动公司向更高标准和更专业的方向发展。
　　SOP8和PDFN3.3x3.3等新封装形式目前处于小批量阶段，sTOLL等无引脚先进功率封装处于设备调试状态。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员具有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有优秀的生产品质管理经验。截至目前，金兰已经完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，并逐步通过车规质量体系IATF16949审核。
　　产品开发方面：
　　（1）开发完成：基于650V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款模块产品完成开发。其中应用在110KW光伏逆变器上的第一款产品450A/650V已通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用在集中式逆变器上的产品600A/1200V开发完成，通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用于车用冷却泵控制的产品50A/1200V已通过客户测试，即将开始小批量生产。
　　（2）正在开发：基于650V和1000V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏储能/光伏逆变领域的IGBT模块产品正开发。包括应用于光伏储能的100KW模块300A/1000V、125KW模块400A/1000V、215KW模块600A/1000V;应用于光伏逆变的150KW模块600A/650V、320KW升压模块600A/1000V和320KW逆变模块600A/1000V。以上产品将在2024年上半年完成开发并送客户测试验证。
　　金兰2023年申请专利13项（其中2项为发明专利），已授权2项实用新型。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片15款（2023年新增9款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片16款（2023年新增10款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增高侧驱动、马达驱动两条产品线（推出6款新品），适用于重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用。
　　国硅2023年通过国家高新技术企业、国家级科技型中小企业、创新型中小企业、无锡市“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定。2023年获得无锡市科技局“太湖之光”科技攻关（产业前瞻及关键技术研发）立项、无锡市工信局集成电路产业发展资金项目立项、无锡市人社局“创响无锡”项目立项，并顺利通过2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。
　　（五）内部管理
　　2023年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。
　　（六）资本市场
　　公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　2023年上半年，公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙），主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新，符合公司未来发展战略规划，有利于抓住行业快速发展的契机，拓宽投融资渠道，整合多方资源，可以进一步增强公司的整体实力。
　　2023年下半年，公司参股投资了无锡金源半导体科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司两个项目，该两项投资有利于促进公司的业务横向与纵向协同，以及新技术的开发。
　　（七）荣誉奖项
　　2023年，公司新增荣誉如下：
　　2023年国家级专精特新小巨人企业
　　2023年江苏省科技成果转化项目
　　2023年江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目
　　2023年无锡市集成电路产业扶持项目
　　2023年无锡市高新区（新吴区）飞凤人才基金
　　2023年无锡市高新区（新吴区）支持新产品研发项目
　　2023年无锡市高新区（新吴区）支持关键人才引进和扎根
　　2023年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定
　　2022年无锡市高新区（新吴区）科技领军人才创新创业项目
　　2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业。
　　
　　二、报告期内公司所处行业情况
　　1、行业特点及发展趋势
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%—25%之间。
　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。
　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yoe数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。
　　发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGTMOSFET、SJMOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。
　　2、市场规模分析
　　2023年，受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体行业市场增速有所放缓。Gartner公司发布了2023年全球半导体行业报告，显示全球半导体收入总额为5,330亿美元，较2022年下降11.1%。据中华人民共和国海关总署公布的2023年进出口主要商品数据，2023年全年集成电路出口2,678.3亿个，同比下降1.8%；全年集成电路进口4,796亿个，同比下降10.8%。
　　尽管2023年全年数据经历了周期性下滑，但跟踪世界半导体贸易统计（WSTS）组织的月度数据，2023年第三季度开始呈现增长趋势，第四季度持续回暖，WSTS预测2024年全球半导体销售额将增长13.1%。
　　功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占15.1%；中国功率半导体的市场规模，预计2024年将达到206亿美元，占全球市场约为38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　（1）从产品品类角度分析
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。
　　（2）从应用领域角度分析
　　随着新能源汽车和充电桩、光伏及储能、AI服务器及数据中心、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　①新能源汽车及充电桩：新四化持续推动功率器件市场增长
　　汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下，新能源车的优势逐渐显露，预计未来渗透率将不断提高。
　　中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）数据显示，2023年我国新能源汽车产销量分别达958.7万辆和949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，市场占有率达31.6%。2023年我国汽车出口491万辆（整车出口485.28万辆），出口量首次超过日本，成为全球第一大汽车出口国。2024年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，中汽协发布的《2024中国汽车市场整体预测报告》预测2024年新能源汽车销量为1,150万辆左右，出口量为550万辆左右；2024年我国汽车总销量将达到3,100万辆，同比增长3%。乘用车销量在2,680万辆左右，同比增长3.1%。新能源汽车销量将达到1,150万辆左右，同比增长20%。新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量。
　　新四化即电动化、智能化、网联化、共享化，电动化指的是新能源动力系统领域；智能化指的是无人驾驶或者驾驶辅助子系统；网联化指的是车联网布局；共享化，指的是汽车共享与移动出行。在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。
　　充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国充电联盟数据显示，2023年，充电基础设施增量为338.6万台。国家能源局数据显示，截至2023年底，我国充电基础设施总量达859.6万台，同比增长65%。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　②AI服务器及数据中心：新技术发展带来广阔空间
　　随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。
　　服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。
　　以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热风扇等服务器重要部件中有广泛应用。以浪潮、华为、联想、新华三为代表的国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。
　　③光伏储能：库存改善、加速渗透
　　随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2023年国内光伏新增装机达到216.88GW，同比大幅增长148%，接近此前四年新增装机总和。截至2023年12月底，国内太阳能发电装机容量约610GW，正式超越水电约420GW的装机规模，成为全国装机量第二大电源形式，在电力能源结构主体地位进一步提升。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024年中国新增光伏装机保守情况达到190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。
　　中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2023年我国逆变器出口实现99.54亿美元，同比2022年的89.38亿美元，上升11.37%。与此同时，逆变器出口环比改善，库存去化进展超市场预期。
　　IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。
　　④传统领域：工业、家电及其他市场稳健增长
　　根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，工业占比35%，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。
　　工业方面，我国处于工业4.0快速发展时期，在《“十四五”智能制造发展规划》中政府提出明确发展目标：到2025年，规模以上制造业企业基本普及数字化，重点行业骨干企业初步实现智能转型。到2035年，规模以上制造业企业全面普及数字化，骨干企业基本实现智能转型。工业4.0，即第四次工业革命，是生产中的物联网，可使整个价值链连接在一起，智能机器将彼此交换信息，并自行组织，整个价值链中的流程将实现互联和自动化。因此，整个生产将变得更高效、更敏捷。工业自动化是工业4.0的关键之一，主要利用电子电气、机械、软件组合实现，即通过计算机控制系统和自动化机械来代替人类决策和参与制造过程，使工厂的生产和制造过程更加自动化、效率化、精确化，并具有可控性及可视性，同时也能提高生产速度、控制质量和提高安全性。功率半导体作为实现整流、变频的主要器件之一在工业4.0的实现当中发挥着不可替代的作用。
　　家电方面，变频家电能够智能调节压缩机转速，从而减少能源浪费，变频家电相比传统家电能够减少高达30%至40%的电力消耗，且能够在较宽的电压范围内正常工作，低噪音更环保，在节能减排的环保趋势及消费者需求升级下，我国变频家电渗透率不断提升。白色家电一般要求在家中使用5至10年，产品稳定性、可靠性要求高，技术门槛高。功率半导体在家电实现两大功能：电流转换（交/直流电变换）、电源供应（电流升/降压输出），是变频家电的核心。
　　除上述应用外，功率半导体在安防、医疗设备、锂电保护、5G通信、物联网等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。
　　
　　三、报告期内公司从事的业务情况
　　1、主要业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号3,000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、市场地位
　　公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。
　　
　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
　　此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。业绩变化的主要原因系：2023年度，公司下游应用市场的整体景气度延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。但与此同时，公司积极应对市场变化和响应客户需求，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心、无人机等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在高端市场的应用规模及影响力。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。
　　同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
　　(三)经营计划
　　新的一年，公司将继续提升和巩固在IGBT和MOSFET产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下：
　　1、产品开发与技术创新计划
　　（1）丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。在公司目前多产品系列的基础上，公司未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。
　　（2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于第七代微沟槽高功率密度场截止IGBT产品、半导体功率器件集成技术等国际先进技术，公司将进一步推进其产业化进程，提升产品核心竞争力。
　　（3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。
　　（4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。
　　2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划
　　封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。
　　公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。
　　3、人力资源建设计划
　　（1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一支高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。
　　（2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。
　　4、市场开拓与宣传建设计划
　　（1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、光伏和储能、AI服务器与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。
　　（2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。
　　（3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。
　　(四)可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场整体保持稳步增长，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大汽车电子、光伏和储能、AI服务器与数据中心等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，促进业绩规模的稳定性乃至增长。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华等国内少数几家具备MOSFET、IGBT等8英寸和12英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号2000余款，电压覆盖12V~1700... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号2000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、行业情况
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)”大类下“半导体分立器件制造(3972)”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
　　半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、光伏储能、智能装备制造、物联网、5G等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
　　（2）市场规模分析
　　根据Omida数据显示，全球功率半导体市场规模，预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；其中中国功率半导体市场规模，预计2024年市场规模将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率IC和功率模块三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等。据中商产业研究院数据，功率半导体分立器件中，以MOSFET和IGBT为代表的晶体管占比最大，约28.8%。以MOSFET、IGBT、SiC MOSFET为代表的功率器件需求旺盛。
　　②按应用领域
　　受益于新能源汽车和充电桩、光伏逆变及储能、服务器及数据中心等市场领域的快速发展，工业自动化、消费电子等行业的稳步拓展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　新能源汽车：智能化、电动化驱动功率器件市场增长
　　汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下，新能源车的优势逐渐显露，预计未来渗透率将不断提高。据中汽协发布的数据显示，2023年1至6月，我国新能源汽车产销分别完成378.8万辆和374.7万辆，同比分别增长42.4%和44.1%，市场占有率达到28.3%。
　　汽车受智能化、电动化、网联化和软件化等产业趋势驱动，电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET均有广泛使用。根据据半导体行业纵横数据，混动和纯电动汽车上功率半导体价值量分别占单车半导体总价值的40%和55%。据英飞凌统计数据，纯电动汽车半导体价值量预估在1000美元左右，而功率半导体达550-600美元左右。
　　充电桩：政策利好密集释放，迎来高景气周期
　　受益于新能源汽车快速增长，与之配套的充电桩市场亦呈现快速发展态势，城市充电设施持续稳步增加，农村公共充电基础设施受政策利好刺激，也在快速发展，作为充电基础设施的充电桩产业，迎来了蓬勃发展的机遇期。根据中国充电联盟数据，2022年我国车桩比为2.6:1，预计到2027年车桩比有望达到2:1。随着全球新能源汽车加速渗透，预计2022年至2025年全球充电桩年增量将由410万座/年增至1094万座/年，我国充电桩年增量将由250万座/年增至580万座/年。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　光伏储能：加速渗透，前景可期
　　随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，中国政府一直致力于推动清洁能源发展，光伏产业是其中的重要组成部分。为促进光伏行业的发展政府出台了一系列支持政策，包括补贴、税收优惠和市场准入等。中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上具有竞争力，出口量持续增长。
　　中高压MOSFET、IGBT及碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。据中国光伏行业协会数据，至2025年，中国新增光伏装机保守预测为90GW，同比增长10%。据未来智库数据预测，2025年中国光伏逆变器市场规模达196亿元。据中商产业研究院数据，光伏逆变器主要由机械件、电感和半导体器件构成，其中功率模块及分立器件成本占比约为9%。
　　服务器及数据中心：爆发式增长带来广阔空间
　　服务器根据场景需求变化，经历通用服务器、云服务器、边缘服务器、AI服务器四种模式。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。
　　以SGT MOSFET、SJ MOSFET、Gate Driver、DrMOS为代表的功率半导体在CPU/GPU供电、同步整流、PFC、LLC、散热风扇等服务器重要部件中有广泛应用。国产服务器厂商全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。据IDC预测，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2025年达317.9亿美元，2023-2025年CAGR为22.7%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。据Trend Force预测，2026年全球AI服务器出货量将进一步提升，2022-2026年CAGR达到10.8%。
　　工业自动化：工业4.0智能转型带动功率半导体增长
　　我国处于工业4.0快速发展时期，在《“十四五”智能制造发展规划》中政府提出明确发展目标：到2025年，规模以上制造业企业基本普及数字化，重点行业骨干企业初步实现智能转型。到2035年，规模以上制造业企业全面普及数字化，骨干企业基本实现智能转型。
　　自动化是工业4.0的关键之一，而功率IGBT作为实现整流、变频的主要器件之一在工业4.0的实现当中发挥着不可替代的作用。
　　此外，功率半导体在消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。
　　（3）行业特点及发展趋势
　　在功率半导体设计制造环节，目前主要有IDM模式和Fabless模式，两方都在发挥各自优势，新洁能自成立以来始终主要采用Fabless的经营模式。IDM模式一般重资产，工厂投入相对较大，对产能规划要求相对精准可控，对各类专业人才需求大，在产能协同、成本控制、需求响应速度等方面具有较强优势，但也易受制于巨额的固定投入。而Fabless模式下，设计公司和Foundry可以共同合作开发先进工艺以提升产品竞争力。新洁能作为国内头部设计公司，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达到了良好效果。
　　功率半导体自诞生以来，从基材的迭代、微沟槽结构的优化、先进封装、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的功耗及损耗。发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口逐步转向自给自足。在中高端领域，如SGT MOSFET、SJ MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家仍主要追随海外厂家技术发展路线并积极谋求创新。据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期，给国内厂家留有充足的发展时间，有望成为最先被国产化的领域之一。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入75,848.51万元，较去年同期减少了11.92%；其中主营业务收入75,640.06万元，较去年同期减少了11.96%；归属于上市公司股东的净利润14,761.29万元，较去年同期减少了36.98%；扣除股份支付影响后的净利润为17,048.85万元，较去年同期减少了36.00%。
　　2023年第二季度，公司实现营业收入38,480.89万元，环比第一季度增长2.98%；实现归属于上市公司股东的净利润8,266.03万元，环比第一季度增长27.26%。
　　（一）市场开发与销售
　　2023年上半年，公司下游应用市场的整体景气度延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、服务器电源和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在高端市场的应用规模及影响力。
　　产品结构方面：
　　（1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，虽然光伏储能行业上半年需求有所减弱，但公司积极调整结构进行应对，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，实现了IGBT产品销售规模的持续增长。2023年上半年公司的IGBT产品实现了销售收入18,205.67万元，相比去年同期增长了45.43%，销售占比从去年同期的14.57%提升到今年的24.07%；此外，公司的新品大电流IGBT单管逐渐上量，IGBT模块产品在客户端的验证顺利推进，更大功率的IGBT模块产品亦在有序开发中。
　　（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额得以扩大；如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位，与联合电子、伯特利等tier1厂商合作实现深入合作，并导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际tier1厂商；在算力服务器领域，公司已经与长城、浪潮等公司展开积极合作，并有望进一步放大规模；其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户，公司均实现了销售份额的进一步提升。2023年上半年，SGT产品实现了销售收入25,682.43万元，相比去年同期下降了28.63%，销售占比从去年同期的41.89%减少到今年的33.95%。随着公司在多个细分领域的份额拓展，预计下半年SGT产品的销售规模有望提升。
　　（3）SJ-MOSFET产品方面，公司的产品工艺平台已经升级至第四代，在国内处于领先水平，产品系列得以进一步丰富，目前已处于快速上量阶段；随着公司与客户合作的进一步深入，客户认可度和黏性的增加，公司的SJ-MOSFET产品产品同样在新能源汽车和充电桩、算力服务器、家电、高端工控等应用领域的市场份额取得了长足进展，产品销售规模有望跨上新的台阶。2023年上半年实现销售收入9,440.47万元，相比去年同期减少了4.58%，销售占比从去年同期的11.52%提升至12.48%。
　　（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多且细分应用领域多样。在此基础上，公司亦对Trench-MOSFET产品进行了进一步开发升级，成功导入至新能源汽车等新兴应用领域并实现批量销售，促进了在相关应用领域产品市场份额的提升。2023年上半年实现销售收入21,289.79万元，相比去年同期下降了22.26%，销售占比从去年同期的31.88%降低至28.15%。
　　市场结构和客户结构方面：
　　2023年上半年，公司进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、服务器电源等领域的拓展力度，同时，公司亦积极发展工业自动化、智能短距离交通、消费电子应用等下游应用领域的业务机会，推动了公司的稳健发展。从具体结构来看：
　　汽车电子方面：2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，公司通过加大汽车客户的销售人员配置与支持力度，实现了产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程跟踪与服务协调，并得以进一步扩大合作规模、拓展合作深度；公司的车规产品已大批量交付近60家Tier1厂商及终端车企，除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外，新增导入线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域。2023年下半年公司在汽车电子领域的销售规模预计将得到快速提升，目标成为汽车市场出货品种最多、出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。
　　光伏储能方面：相比于去年，2023年上半年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场的实际情况，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源、昱能科技等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，以尽快成为光伏储能领域的国产IGBT模块的第一品牌。
　　（二）研发创新
　　2023年上半年，公司进一步加大了研发投入，当期共计研发投入4,691.76万元，相比去年同期增长了22.40%，占当期营业收入的比例为6.19%。
　　2023年上半年，公司（含子公司）新增授权专利18项，其中发明专利13项、实用新型专利5项；当期申报专利4项，其中发明专利4项；新增产品200余款。截至目前，公司共有187项专利，34项集成电路布局设计，2000余款产品。
　　IGBT平台：
　　（1）使用第七代微沟槽场截止技术的650V逆导型IGBT（RC-IGBT）产品已通过终端客户测试，开始批量投产；
　　（2）创新设计具有更大工艺容宽的第七代650V微沟槽高功率密度IGBT工艺平台在华虹8寸与12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性；
　　（3）创新设计具有更大工艺容宽的第七代1200V微沟槽更高功率密度IGBT工艺平台在华虹8寸与12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性；
　　（3）应用于光伏逆变领域的业界最大电流的1200V TO-247plus封装单管产品1200V160A产品在12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性；
　　（4）大功率模块用高元胞集成度1200V200A芯片已在华虹8寸平台进行工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性；
　　（5）独创设计具有正温度系数的模块用650V和1200V高性能快恢复二极管（FRD）芯片已进入风险试产，1000V平台正在开发中。
　　（6）基于650V和1200V平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变领域的IGBT模块产品正在开发，其中应用在110KW光伏逆变器上的第一款产品450A/650V已开发完成，客户测试正在进行中，预计9月可完成第一阶段的性能测试。
　　SJ-MOS平台：
　　（1）针对新一代新能源汽车OBC、充电桩、高能效中大功率服务器电源和工业电源、储能电源、变频家电等行业需求，全面拓展第四代沟槽栅超结MOSFET系列产品在8寸和12寸平台的电压、电流、封装外形规格，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达25%，形成了电压覆盖500V、600V、650V、700V，导通电阻覆盖10毫欧姆(mΩ)~2欧姆(Ω)，封装外形新增TOLL、DFN8*8、TO-247-4L等100余款的立体产品系列，产品处于快速爬坡上量阶段；
　　（2）在第四代沟槽栅SJ-MOS平台基础上，进一步创新优化了600V、650V特征导通电阻（Rsp），相较于第四代产品，器件特征导通电阻进一步降低12%，达到华虹同平台最优水平；
　　（3）第四代深沟槽SJ-MOS800V平台已在8寸平台工程流片，预计2023年底前完成该工艺平台开发；
　　（4）第五代SJ–MOS平台工程流片中，650V产品特征导通电阻可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，正在进行终端结构优化和良率提升。
　　SGT-MOS平台：
　　（1）针对车规应用的P60V SGT MOS平台完成工艺固化，参数性能业界领先，可靠性达到车规级，进入风险量产阶段；
　　（2）业界最小元胞尺寸N25V第三代SGT MOS平台基本固化，特征导通电阻Rsp降至3.8毫欧平方毫米（mΩ.mm2）；
　　业界最小元胞尺寸N30V第三代SGT MOS平台固化，Rsp较上一代产品降低39%，正在进行电流规格拓展，形成系列化产品；
　　业界最小元胞尺寸N40V第三代SGT MOS平台晶圆测试结果符合预期，正在进行封装评估；
　　N25V~N40V第三代SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通讯电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用。
　　（3）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGT MOS完成工艺开发，其特征导通电阻（Rsp）可以低至85毫欧平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同规格最优竞品小40%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达25%以上，产品主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用。
　　（4）基于12寸平台，达到业界领先水平的低品质因子、高鲁棒性N60V、N85V、N100V第三代SGT MOS均在进行产品工程流片阶段，以100V产品为例：其特征导通电阻（Rsp）可低至35毫欧平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同规格最优竞品小20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低15%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达30%，该平台预计陆续会于2023年第三季度和第四季度完成工艺流程固化，产品主要针对混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。
　　Trench-MOS平台：
　　（1）在8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性P60V~150V器件结构设计和工艺固化，已出多套产品版，工程流片中；
　　（2）8寸平台0.75-0.8um单位元胞尺寸（cell pitch）P30~40V产品平台设计与工艺固化，多套产品版进入风险试产阶段；
　　（3）8寸平台0.55um单位元胞尺寸（cell pitch）N12V产品平台工程流片中，器件设计参数性能达到业界领先；
　　（4）在12寸平台完成多款车规级产品开发，产品进入风险量产阶段；在12寸平台评估开发pitch小于0.75um NMOS产品工艺平台。
　　汽车电子方面：SGT-MOS、Trench-MOS、SJ-MOS、IGBT四大产品平台中已有近120款典型产品基于APQP完成了产品开发，且多数已通过了AEC-Q101车规可靠性考核，其电压范围覆盖了P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N150V、N650V、N1200V等，并在持续持续扩充增量中。公司持续基于IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在客户需求的基础上，通过内部顾客导向过程，接收客户需求，运用APQP、PPAP、DFMEA等工具实现产品的开发；在资源管理过程中，基于管理评审、经营计划等，协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产；在支持过程中，基于VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证，包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等，通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品，持续满足客户需求，提高客户满意度。
　　第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成1200V23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品通过客户验证，并实现小规模销售；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，并积极引入高学历人才，以进一步加强新能源汽车和充电桩、光伏储能、服务器电源和数据中心、高端工控等相关应用领域的产品开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来，随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，与各主要供应商继续保持良好合作关系，并开发更多的封测领域供应商，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
　　芯片代工环节：
　　（1）公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司；
　　（2）功率IC产品，公司已与国内外各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产；
　　（3）公司已与相关CP测试公司建立合作，拥有了12寸产品的CP测试能力；
　　（4）为满足IGBT大电流单管与IGBT大功率模块的差异化合封需求，公司自主研发多款FRD产品，并积极开发新的FRD芯片代工资源，协调FRD供应商增加更多产能。公司已与与杭州立昂微电子股份有限公司实现合作，目前已有18款FRD产品，部分型号已进入风险量产阶段；
　　（5）公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前SiC MOSFET产品和GaN HEMT产品均已实现工程产出。
　　封装测试环节：
　　（1）汽车电子产品方面，公司已与日月光、成都集佳、长电科技、子公司电基集成等多家具备车规供应能力的封测厂展开合作，完成多个产品封装形式的规模量产，并进一步扩大了车规产品的规模；
　　（2）功率IC产品，公司均已开发了相应的封装与测试外协厂，以实现功率IC产品的快速放量；
　　（3）子公司金兰半导体的第一条IGBT模块封装测试生产线已经建设完成，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，目前已建设产能为1万个模块/月，将于下半年逐步补充配套设备，以实现达产产能6万个模块/月。
　　（四）子公司发展情况
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过SGS IATF16949体系认证。
　　2023年上半年，电基集成实现收入4,790.21万元，较上年同期增长约22.76%。
　　IATF16949汽车质量体系换证审核，全面提升公司的ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系和IECQ QC080000有害物质管理体系执行效果；全面完善公司的EAP设备自动化系统、TMS测试管理系统和条码系统，加快建设智能工厂和数字化车间建设，推动公司向更高标准和更专业的方向发展。
　　SOP8和PDFN3.3x3.3等新封装形式目前处于工程验证和小批量阶段，sTOLL等无引脚先进功率封装已经进行了设备的调试安装，并针对车载和工业设备应用的大功率双面散热封装项目进行了立项。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，致力于先进半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、光伏储能、5G基站电源、工业电源等对功率模块产品的需求持续增加，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，多数成员拥有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验以及生产品质管理经验；已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，目前设计产能为1万个模块/月，2023年下半年逐步补充相关配套设备，以实现达产产能6万个模块/月。
　　相关产品的开发工作进展顺利，基于650V和1200V平台、使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片、多款应用于光伏逆变领域的IGBT模块产品正在有序开发，其中应用于110KW光伏逆变器上的第一款产品450A/650V已开发完成，客户测试正在进行中，预计9月可完成第一阶段性能测试；在2023年下半年，计划完成应用于光伏逆变领域1200V平台的2款产品开发，并在2023年底前完成在客户处第一阶段性能测试；1000V平台用于光伏逆变器和光伏储能的多款产品也列入2023年下半年开发计划，计划在2023年底或2024年初完成开发送客户测试；并尽快推动产品的量产以及产能爬坡工作。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自公司实现控股以来，国硅持续加强研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片10款（2023年上半年新增4款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片12款（2023年上半年新增6款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增250V高侧驱动芯片产品线（推出4款新品），适用于重卡、高速电摩等应用。2023年上半年国硅集成累计完成工程批验证25V~700V桥式驱动芯片12款，预计今年四季度实现量产。
　　2023年上半年，国硅集成入选了江苏省“创新型中小企业”、江苏省“科技型中小企业”，入库无锡市“雏鹰企业”，顺利通过2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。
　　（五）内部管理
　　2023年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，树立良好资本市场形象。
　　（六）投资情况
　　公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　2023年上半年，公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙），其中公司出资1,000.00万元，主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新，符合公司未来发展战略规划，有利于抓住行业快速发展的契机，拓宽投融资渠道，整合多方资源，可以进一步增强公司的整体实力。除此以外，公司不存在其他对外投资情形。
　　（七）主要荣誉奖项
　　2023年上半年，公司新增荣誉和奖项如下：
　　2023年国家级专精特新小巨人企业；
　　2023年度江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目
　　2023年度无锡高新区（新吴区）“飞凤人才基金（组织人才专项）
　　2022年第二批无锡高新区（新吴区）科技领军人才创新创业项目-创业类

　　三、风险因素
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、数据中心、高端工控等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。

　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有187项专利（其中美国专利1项），集成电路布局图34项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文20篇，其中SCI收录论文13篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经在客户端送样测试中；在化合物半导体领域，公司的SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有2000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、数据中心、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　报告期内，公司共实现营业收入181,094.68万元，较去年同期增长19.87%；其中主营业务收入180,490.72万元，较去年同期增长19.78%；归属于上市公司股东的净利润43,518.10万元，较去年同期增长4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为50,352.54万元，较去年同期增长20.45%。　　（一）市场开发与销售　　2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用市场需求下行，光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，积极提升产... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入181,094.68万元，较去年同期增长19.87%；其中主营业务收入180,490.72万元，较去年同期增长19.78%；归属于上市公司股东的净利润43,518.10万元，较去年同期增长4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为50,352.54万元，较去年同期增长20.45%。
　　（一）市场开发与销售
　　2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用市场需求下行，光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，积极提升产能规模并扩大产品供应，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能、数据中心等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力。
　　产品结构方面：2022年以来，公司进一步加大了IGBT、SGT-MOSFET和SJ-MOSFET产品的销售投入，从结果来看：
　　（1）IGBT产品作为光伏、储能行业的重点应用产品，公司持续加大芯片及封装全方位的资源投入，2022年实现销售收入40,299.03万元，比去年同期增长了398.23%，销售占比从去年同期的5.37%提升到22.33%，预计2023年公司IGBT产品的销售将继续加速放量；
　　（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，其中有较多料号近年来进入汽车电子领域并持续放量，2022年实现销售收入68,059.05万元，相比去年同期增长了15.21%；销售占比从去年同期的39.20%减少至37.71%；
　　（3）SJ-MOSFET产品方面，公司持续加大数据中心、汽车OBC、充电桩、微型逆变器等下游应用领域的开拓，2022年实现销售收入21,297.89万元，相比去年同期增长了38.41%；其销售占比从去年同期的10.21%提升至11.80%；
　　（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，报告期内公司结合市场情况减少了其销售规模，销售占比从去年同期的45.14%降低至27.72%。
　　市场结构和客户结构方面：公司2022年度进一步降低了智能短距离交通应用以及部分消费电子应用的市场份额，积极发展汽车电子、光伏和储能、数据中心及通信、工业自动化等中高端行业应用。
　　从全年来看，公司的下游应用领域如下所示：
　　从趋势变化来看：
　　汽车电子方面：2022年公司与比亚迪继续扩大合作规模，目前已经实现近三十款产品的大批量供应。同时，公司对理想、蔚来、小鹏、极氪、上汽、吉利、长城、奇瑞、江淮、五菱等十余家车企的出货规模稳步提升，且已经正式通过多家汽车客户的VDA6.3审核。2022年度公司应用于汽车电子的相关产品销售额同比增长超700%。
　　已批量供应的车规级产品涉及到车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统，产品交付数量已超过60款且持续增加，产品交付至今无任何异常反馈。此外，公司正与联合电子等多个国际化汽车客户进行产品导入，部分产品已经通过了DV验证，进入小批量PV验证阶段。公司目标成为汽车市场出货品种最多，出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。
　　光伏储能方面：公司积极抓住快速增长的市场需求，重点发力光伏储能市场，产品性能已达到国际厂商主流竞品水平，成功导入并大量供应国内的Top10光伏企业，持续提升与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源、昱能科技等头部企业的合作规模，并根据行业特色要求以及未来市场需求，与部分客户签订了保供协议。公司所生产的光伏用IGBT产品全部基于8寸与12寸平台，已成为多家龙头客户单管IGBT第一大国产供应商。同时，公司推出全球首款1200V100A光伏用单管IGBT，未来将陆续推出1200V150A等更多大电流的单管系列产品，并进一步加快客户端验证，实现对功率模块的部分替代，从而保证公司IGBT器件产品在该领域的领先地位。
　　此外，公司积极推动IGBT模块产品的研发与生产，基于650V和1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估可在2023年4月完成并向客户送样；同时预计在2023年Q3实现IGBT模块产品的量产。公司在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，积极发展IGBT模块产品，以尽快成为光伏储能领域的国产IGBT模块的第一品牌。
　　（二）研发创新
　　2022年度，公司实现研发投入11,412.23万元。
　　IGBT平台：
　　（1）使用第七代微沟槽场截止技术的650VIGBT已经逐步量产，产品电流密度提升至550A/cm2，较上一代产品提升27%，栅极电荷下降50%以上；
　　（2）使用第七代微沟槽场截止技术的1200VIGBT产品已突破主要技术难关，采用创新的载流子存储设计理论和制备工艺，饱和压降降低10%以上；
　　（3）使用第七代微沟槽场截止技术的650V逆导型IGBT（RC-IGBT）产品样品已完成器件可靠性考核并通过客户应用测试；
　　（4）面向于光伏逆变应用的业界电流最大的1200VTO-247pus封装单管产品1200V150AIGBT已经完成设计与工艺固化，该产品推出后将全面适用于中功率光伏逆变装置并替换部分IGBT模块产品；
　　（5）光伏模块用650V和1200V大电流IGBT芯片，采用了最新第七代微沟槽场截止技术、载流子存储技术、多梯度背面缓冲层技术，正在进行工程流片，预计2023年Q2完成开发和样品送样，包括1200V/800A、650V/450A、1200V/600A等模块产品。
　　（6）独创设计的具有正温度系数的高性能快恢复二极管（FRD）芯片已经完成工程开发，产品电学参数和温度特性显著优于市场同规格普通快恢复二极管，该产品匹配搭载公司第七代IGBT大电流芯片，单管产品与模块产品将聚焦适用于光伏储能、充电桩、OBC和新能源汽车等领域。
　　SJ-MOS平台：
　　（1）深沟槽工艺第四代沟槽栅超结MOS（SJ–MOS）系列产品已率先在8英寸和12英寸平台同步量产，电压覆盖500V~700V，导通电阻覆盖2欧姆(Ω)~10毫欧姆(mΩ)，以600V产品为例：其特征导通电阻（Rsp）可以低至1.10欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，相较于同平台最优竞品小10%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低20%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达25%。
　　（2）第四代沟槽栅SJ-MOS平台开发了集成超快恢复体二极管系列大电流产品，并已经在多家头部OBC、充电桩、服务器电源等客户批量使用。
　　（3）业内首家采用深沟槽工艺的200V~300V低压SJ-MOS产品平台开发完成，代表产品已通过可靠性考核，以200V产品为例，其特征导通电阻（Rsp）可以低至150毫欧姆每平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同电压规格屏蔽栅MOS（SGTMOS）产品小25%以上。
　　（4）为满足新能源变电与储存、新能源汽车、数据中心等行业的未来下一代产品对电能转换效率和长期可靠性寿命的更高要求，公司提前布局研发具有超低特征导通电阻的第五代SJ–MOS平台技术，已经突破多项技术瓶颈，完成样品开发与试制，产品漏源击穿电压(BVdss)和特征导通电阻达到预期目标，且产品特征导通电阻已达到功率半导体国际龙头企业最新产品技术水平，目标2023年完成该平台良率优化等量产准备工作。
　　SGT-MOS平台：
　　（1）国内首款针对5G通讯电源及大功率可靠性工业电源开发的P150VSGTMOS平台进入风险量产阶段，特征导通电阻（Rsp）业界领先，可靠性达到工业级要求；
　　（2）针对车规应用的P60VSGTMOS平台正在工程流片中，目标参数性能达到业界领先，可靠性达到车规级；
　　（3）达到业界领先水平的超小元胞尺寸、超高元胞密度N25V、N30V、N40V第三代SGTMOS平台已完成MPW流片，工艺流程基本固化，目前进入产品版开发阶段；
　　（4）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS正在工程开发中；
　　（5）基于12寸平台，达到业界领先水平的低品质因子、高鲁棒性N100V、N85V第三代SGTMOS已完成MPW首批流片，并取得阶段性进展。
　　Trench-MOS平台：
　　（1）在8英寸芯片产线上基本完成了高可靠性的新型结构P60V~150V产品设计和工艺定型；
　　（2）完成0.75-0.9umpitchP30~40V产品平台开发；
　　（3）在12英寸芯片产线上优化N40V~45V工艺条件使产品Rsp达到国内先进水平同时推出系列产品。
　　汽车电子方面：SGTMOS与TrenchMOS平台、650VSJMOS平台、1200VIGBT平台中的P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N150V器件，合计近80款典型产品基于APQP开发流程，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，完成了PPAP，并且已大批量交付近30家Tier1厂商及终端车企，各平台系列车规型号产品也在持续扩充增量中，产品已广泛应用于域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等多个汽车细分应用中。公司建立并基于IATF16949汽车质量管理体系对整个产品过程进行管理，在客户需求的基础上，通过内部的管理过程包括COP（顾客导向过程）：接收到客户需求及特殊要求，运用APQP、PPAP、DFMEA等工具形成供应链达到产品的实现以及持续的客户服务，管理过程MP例如：管理评审、经营计划及各方面资源配置与数据分析等，以及支持过程SP：运用VDA6.3\VDA6.5对产品的过程及成品进行验证、遵循ACE-Q101进行产品的可靠性测试、文件及人力资源的支持、车规设备的认证以及预见性维护和保养等保证产品的保证，通过管控这些过程来保证整个产品实现过程的有效进行，更好的了解客户需求及提高客户满意度，致力于向汽车客户提供零缺陷产品。
　　第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成1200V32mohm/62mohm新能源汽车OBC、光伏储能用SiCMOS，突破SiCMOS栅氧化层可靠性技术、动态阈值/动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等，申请专利2项，授权发明专利2项，相关产品通过可靠性考核，产品性能达到国际先进水平，客户测试评估初步通过，产品进入小批量试产阶段；650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。
　　功率IC产品平台：公司控股国硅集成电路技术（无锡）有限公司，产品系列得到进一步完善。目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机；量产250V半桥驱动芯片6款，适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片3款，适用于储能、工业控制等应用。相关产品已经在光伏&储能、工控、电池化成设备、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2022年国硅集成累计完成工程批验证250V、700V半桥驱动芯片18款，预计2023年二季度实现量产销售。此外，国硅集成正在积极推进用于汽车电子领域的隔离驱动IC产品和SmartMOS产品的研发，预计2023年底可以实现出样，相关产品国产替代空间巨大，将成为公司业绩增长的新亮点。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，截至2022年末，公司的研发人员已达106人，并持续引入高学历人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2022年以来，随着新能源汽车、光伏储能行业迎来新机遇，公司相应产品的产能持续紧张，公司的运营部门积极协调产能，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都做好产销衔接及产能调配工作，与各主要供应商继续保持良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
　　芯片代工环节：
　　（1）公司涵盖了华虹宏力、华润上华等国内主要的具备MOSFET、IGBT等大尺寸晶圆芯片代工能力的本土芯片代工供应商；尤其是华虹宏力，公司与其建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，且整体产能持续增长；
　　（2）功率IC产品，公司已与各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产；
　　（3）为满足IGBT合封需求，公司积极开发新的FRD芯片代工资源，协调FRD供应商增加更多产能，FRD回货数量同比2021年增加约230%；
　　（4）公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前工程批流片顺利。
　　封装测试环节：
　　（1）受市场景气度变化影响，普通消费类产品封装数量与2021年相比略有下降，但是IGBT、汽车电子应用的MOSFET产品提升较快。公司与日月光、成都集佳等签订了IGBT封测产能协议，确保IGBT产品的产能供应；
　　（2）汽车电子产品方面，公司同时开发了日月光、成都集佳、长电科技等多家具备车规供应能力的封测厂，完成多个产品封装形式的规模量产，并已在更多合作厂商跑完工程批验证，以进一步扩大车规产品的规模；
　　（3）功率IC产品，公司均已开发了相应的封装与测试外协厂，以实现功率IC产品的快速放量；
　　（4）子公司电基集成TO-247、TO-247PLUS封装生产线顺利通线投产，并完成了TO-247封装生产线的扩产，导入多个汽车产品，为进一步大规模量产做好充分支持。
　　（5）子公司金兰半导体的第一条IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成。
　　（四）子公司发展情况
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过SGSIATF16949体系认证。
　　2022年电基集成实现收入8,106.14万元，较上年同期增长约8.85%。用于无人机和车载辅助系统的PDFN5x6FuCip封装形式继续扩大生产规模，规划产能增加到原来的三倍，目前正在试做样品电镀；适用于高电流汽车应用，包括电池管理、电子动力转向（EPS）、主动式交流发电机等系统的TOLL封装继续增加产能和产量；用于光伏和储能的TO-247和TO-247P新封装形式顺利量产并完成了TO-247的扩产；新增SOP-8封装，目前设备已交付，样品验证准备中；新增PDFN3.3X3.3封装，目前设计已完，正在LF&Cip比价以及塑封方案评估中；同时，新封装sTOLL以及TO247/P-4L均已在Benchmark中。
　　2022年度电基集成实现了更多汽车电子产品品种的封测，并进行了相关体系的进一步规范和完善。
　　2、金兰半导体
　　2021年11月，公司发起设立子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前金兰半导体已建立起一支完整的熟练掌握产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队多数成员有数十年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有良好的生产品质管理经验。金兰半导体的第一条IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成，所选用的机器设备均为近两年国际先进且技术成熟的封装测试设备。
　　基于650V和1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估将于近期完成并向客户送样；同时预计在2023年Q3实现IGBT模块产品的量产。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自公司实现对国硅集成的控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　2022年度，国硅集成入选江苏省“双创人才”，完成江苏省第一批科技型中小企业评审认定和江苏省民营科技企业的评审认定。
　　公司与国硅集成联合开发结合MOSFET创新、封装创新、IC创新的智能功率集成产品，以提高公司产品的整体领先性与综合技术门槛，增强公司的核心竞争力，进一步满足高端客户的创新需求，为终端客户提供包含IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、SGTMOSFET、超结MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案。
　　（五）内部管理
　　2022年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。
　　（六）投资情况
　　公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　2022年度，根据公司发展战略规划以及金兰半导体的生产经营需要，公司向金兰半导体追加投资5,000万元，并为金兰半导体引入相关战略投资者。此外，公司向国硅集成进行增资，持股比例从5%增加至52.50%，实现对国硅集成的控股。
　　2022年第四季度，公司参股常州臻晶半导体有限公司并持有其11.11%的股权（现持股10.55%）。常州臻晶是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售的企业，本次公司投资常州臻晶，主要系公司围绕整体发展战略，在化合物半导体领域实现外延式扩张，通过对产业链的纵向布局以及资源整合，加强公司在碳化硅等化合物半导体领域的话语权以及核心竞争力，从而把握未来、实现更高成长。
　　（七）其他资本运作
　　2022年上半年，公司完成了权益分派工作。
　　2022年8月，公司完成了上市后非公开发行的相关工作，实际募集资金净额14.01亿元，此募集资金的取得，将促使公司的进一步加速发展。
　　2022年四季度，公司进行了对员工首次限制性股票激励计划预留部分的授予，激励了更多的人员，覆盖了公司及子公司的新进骨干成员，有效加强了相关员工对公司的忠诚度以及工作积极性。
　　（八）主要荣誉奖项
　　公司2022年度新增荣誉奖项如下：
　　荣获中国半导体行业协会颁布的“2021年中国半导体功率器件十强企业”荣誉称号；
　　荣获“福布斯2022中国创新力企业50强”称号；
　　荣获“2022年中国企业信用500强”；
　　荣获“2022年中国半导体市场领军企业奖”；
　　获批“无锡市级企业技术中心”；
　　董事长荣获批“无锡市产才融合突出贡献人才”荣誉称号；
　　荣获华虹宏力半导体“卓越贡献客户”称号。
　　
　　二、报告期内公司所处行业情况
　　根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
　　半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
　　根据Omida数据显示，2022年全球功率半导体市场规模将达481亿美元，预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；2022年中国功率半导体市场规模将达191亿美元，预计2024年市场规模将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　市场研究机构ICInsights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块；主要的半导体功率器件（MOSFET和IGBT）的市场需求规模如下：
　　MOSFET：因各产业对各种电压范围的MOSFET皆有大量需求，根据Yoe2021年的统计和预测数据显示，MOSFET市场规模将从2020年的75亿美元增长至2026年的94亿美元，年复合增长率达到3.8%。而根据中金企信统计数据，预计2023年中国MOSFET市场整体规模达到420.2亿元，2020年-2023年年均复合增长率达到9.22%。
　　IGBT：从IGBT市场空间来看，2021年全球IGBT（分立+模块）市场规模约57亿美元，国内IGBT市场约为22.43亿美元，国内市场规模占全球比约为40%。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模2024年预计达到66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模2024年预计达到25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。近两年，由于新能源汽车、光伏和储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。
　　从中长期来看，国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。
　　
　　三、报告期内公司从事的业务情况
　　1、主要业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，已构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出SiCMOSFET、GaNHEMT、半导体功率模块、智能功率IC等新产品。公司的产品先进且系列齐全，目前产品型号达2000款，电压覆盖12V~1700V全系列，是国内MOSFET和IGBT器件品类最齐全且产品技术领先的公司，重点应用领域包括汽车电子和充电桩、光伏和储能、数据中心、5G通讯、工业电源、机器人、安防、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；同时子公司金兰半导体目前已经建成先进功率模块生产线，并陆续推出功率模块新产品，以进一步满足光伏和储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、市场地位
　　公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。
　　
　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
　　此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文18篇，其中SCI收录论文11篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块也在开发和逐步量产中。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有2000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华等领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型场截止IGBT等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入汽车电子和充电桩、光伏逆变和光伏储能等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司共实现营业收入181,094.68万元，较去年同期增长19.87%；其中主营业务收入180,490.72万元，较去年同期增长19.78%；归属于上市公司股东的净利润43,518.10万元，较去年同期增长4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为50,352.54万元，较去年同期增长20.45%。业绩变化的主要原因系：2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用需求相对减弱，光伏和储能、汽车电子等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，加大加快相应产品供给，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力，最终实现经营规模和经济效益的稳定增长。

　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
　　半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
　　根据Omida数据显示，2022年全球功率半导体市场规模将达481亿美元，预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；2022年中国功率半导体市场规模将达191亿美元，预计2024年市场规模将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　市场研究机构ICInsights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块；主要的半导体功率器件（MOSFET和IGBT）的市场需求规模如下：
　　MOSFET：因各产业对各种电压范围的MOSFET皆有大量需求，根据Yole2021年的统计和预测数据显示，MOSFET市场规模将从2020年的75亿美元增长至2026年的94亿美元，年复合增长率达到3.8%。而根据中金企信统计数据，预计2023年中国MOSFET市场整体规模达到420.2亿元，2020年-2023年年均复合增长率达到9.22%。
　　IGBT：从IGBT市场空间来看，2021年全球IGBT（分立+模块）市场规模约57亿美元，国内IGBT市场约为22.43亿美元，国内市场规模占全球比约为40%。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模2024年预计达到66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模2024年预计达到25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。近两年，由于新能源汽车、光伏和储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。
　　从中长期来看，国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。
　　(二)公司发展战略
　　作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。
　　同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
　　(三)经营计划
　　新的一年，公司将继续提升和巩固在IGBT和MOSFET产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下：
　　1、产品开发与技术创新计划
　　（1）丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。在公司目前多产品系列的基础上，公司未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。
　　（2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于第七代微沟槽FS-IGBT产品技术、半导体功率器件集成技术等国际先进技术，公司将进一步加快其产业化、商业化进程，提升产品核心竞争力。
　　（3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。
　　（4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。
　　2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划
　　封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。
　　公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。
　　3、人力资源建设计划
　　（1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一只高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。
　　（2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划的持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。
　　4、市场开拓与宣传建设计划
　　（1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、光伏和储能、数据中心、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。
　　（2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。
　　（3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。
　　(四)可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅巨大，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大汽车电子、光伏和储能等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现业绩规模快速增长。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华等国内少数几家具备MOSFET、IGBT等8英寸和12英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲