一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)所属行业情况
　　公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
　　半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。半导体激光行... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)所属行业情况
　　公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
　　半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。
　　半导体激光芯片引领光子时代，具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光子能量，除可以直接使用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于其核心器件及关键部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应用领域较为广泛。
　　(二)公司主营业务情况
　　公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。
　　经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
　　(三)公司主要产品情况
　　公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　公司秉持“一平台，一支点，横向扩展，纵向延伸”发展战略，以激光创新研究院为人才汇集和研发创新的重要平台，以半导体激光芯片技术能力为核心支点，横向扩展覆盖可见光、近红外、中红外到长波，纵向延伸“N+1”板块，凭借半导体激光芯片领域的技术能力和工艺优势，强化产业协作，不断赋能产业链，持续推动光子技术在光制造、光传感、光通信、激光显示、激光医美及特殊领域等重点产业的融合应用与技术创新。公司积极开拓市场，加大研发投入，公司具体经营情况及各项产品研发进展如下：
　　高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。公司始终坚持技术创新的发展思路，通过长期以来的技术研发，公司收获了令人瞩目的成绩。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录。同时，公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，进一步拓展半导体激光器的应用。另外，公司突破了高反材料激光加工的难题，氮化镓基蓝光激光器（波长450nm-470nm）的出现，为高反材料加工带来了革命性的解决方案。在高亮度蓝光激光器研制过程中，公司相继突破了高功率蓝光耦合模块主动光学对位、宽波长范围调谐、多激光芯片线宽窄化等一系列技术难题，为高功率蓝光激光在不同领域的应用积累了大量的技术储备。光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。AI需求呈现指数级增长，带动全球算力需求快速攀升。公司重点布局光通信领域，为日益加剧的算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的痛点，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求。公司积极拥抱AI和算力建设带来的时代机遇，充分利用公司现有的技术平台优势，大力发展光通信业务。公司的光通信产品订单已经实现批量交付，公司在持续加大产能建设以满足客户需求的增长。
　　激光雷达与3D传感领域技术突破，赋能智能驾驶规模落地。公司已积累全球领先的激光雷达芯片技术和充足的产能储备，可全面满足客户在车载激光雷达领域的多样化应用需求。同时，依托深厚的技术储备，公司积极拓展机器人视觉传感、消费电子等新兴应用场景，持续丰富产品矩阵，为智能感知领域注入新动能。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。公司2D可寻址VCSEL突破量产瓶颈，多款定制产品通过AEC-Q102认证，进一步推动全固态激光雷达的规模化量产。
　　完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1.核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　2.研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。
　　公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，构建了砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、硅光五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类衬底的半导体激光芯片的制造能力。
　　3.专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
　　4.资本平台优势
　　公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司整合产业链发挥助力作用。
　　对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则推动成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立了太湖光子中心。
　　5.产品可扩展性优势
　　公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了产品，且未来产品线有望进一步丰富。
　　6.客户资源优势
　　公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺，公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可，已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过，验证周期较长，下游客户更换芯片供应商的成本也较高，双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力，在工业激光器、激光加工设备等领域，公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时，在高能激光器的应用方面，公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源，广泛服务于多家国家级骨干单位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　（2）研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。公司构建了砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、硅光五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台。
　　（3）专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等领域的深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。

　　四、报告期内主要经营情况
　　2026年上半年公司实现营业收入39,102.39万元，同比上升82.67%；归属于上市公司股东净利润3,033.78万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-1,038.44万元；归属于上市公司股东的净资产304,060.60万元，较年初增加1.05%，主要受当期盈利的影响，总资产338,955.62万元，较年初增加0.87%。

　　五、风险因素
　　(一)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　受未来市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。
　　(二)核心竞争力风险
　　1.技术升级迭代风险
　　公司经过多年的持续研发投入，在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进，技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入，或者在关键技术上未能持续创新，亦或新产品技术指标无法达到预期，则可能会面临核心技术竞争力降低的风险，导致公司在市场竞争中处于劣势，面临市场份额降低的情况。
　　2.研发失败风险
　　半导体激光行业是技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中，也存在下游客户的产品导入和认证过程，需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求，未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势，无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步，可能导致公司产品研发失败，或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素，导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证，会对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3.关键技术人才流失风险
　　半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖度较高，高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分，也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员，是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等，将难以引进更多的高端技术人才，甚至导致现有骨干技术人员流失，将对公司生产经营产生不利影响。
　　4.生产良率波动风险
　　报告期内，公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快，如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产，可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步，则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险，进而影响公司的经营业绩。
　　(三)经营风险
　　1.客户集中度较高的风险
　　公司的主要产品应用领域为国内工业激光器及光通信产品领域，下游行业集中度较高，公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化，或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑，可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2.毛利率波动的风险
　　公司产品毛利率受宏观经济、市场竞争情况、原材料价格波动、自身产品结构变动等多种因素影响，若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、原材料价格大幅上升而公司未能有效转嫁对应成本、公司产品结构未能及时调整等情况，可能导致公司产品毛利率下降，从而影响公司的盈利能力。
　　(四)财务风险
　　1.应收账款余额较大的风险
　　虽然公司目前应收账款回收情况良好，且主要客户均为国内外知名厂商，但由于应收账款数额较大，若客户信用状况发生重大不利变化，公司将面临坏账增加的风险。
　　2.存货余额较高及存货跌价风险
　　公司存货余额水平较高。公司采取垂直一体化的IDM经营模式，产品生产工序较长，公司为及时响应下游客户需求，各个工序均需保持一定数量的备货库存，因此存货余额较高。一方面，若客户单方面取消订单，或因客户自身需求变更等因素减少订单计划，及产品的快速迭代，可能导致公司存货的可变现净值低于成本；另一方面，公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产，投入较大，使得固定成本提高较多，若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少，或因下游竞争日趋激烈而出现大幅降价，将可能使得该产品可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　3.固定资产投资的风险
　　公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业，专利和技术投资、固定资产投资的需求较高，尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂，规模化生产所需的生产线建设投入较大。
　　此外，公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后，公司固定资产等长期资产继续增加，固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长，可能导致产品单位成本中单位制造费用较高，进而影响产品毛利率水平，使得公司业绩下降。
　　(五)行业风险
　　1.宏观经济及行业波动风险
　　公司产品处于激光行业产业链上游，其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达、消费电子、数据中心等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致工业激光器等终端市场需求下降，或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期，或者AI数据中心资本开支放缓等因素，将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　2.市场竞争加剧风险
　　近年来，在产业政策和地方政府的推动下，公司所处行业呈现出较快的发展态势，市场参与者数量不断增加。与此同时，国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下，公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势，可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长，可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入，从而对公司的经营产生不利影响。
　　(六)其他重大风险
　　1.法律风险
　　（1）知识产权争议风险
　　公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术，公司通过申请专利对自主知识产权进行保护，该等知识产权对公司未来发展具有重要意义，但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时，公司一贯重视自主知识产权的研发，避免侵犯他人知识产权，但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略，从而阻碍公司正常业务发展。
　　（2）技术秘密泄露风险
　　公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密，其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题，不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。
　　2.内控风险
　　（1）不存在实际控制人风险
　　公司股权相对分散，不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东会和董事会按照公司议事规则讨论后确定，但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时，分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象，从而导致公司控制权发生变化，给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。
　　（2）公司规模扩大导致的管理风险
　　公司首次公开发行完成后，随着募投项目的实施，公司的资产规模和业务规模进一步扩大，员工人数将相应增加，需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化，对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大，公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
　　（3）产品质量控制风险
　　公司重视产品质量管理，建立了严格的质量控制制度，在产品生命周期内进行全流程监控，建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系，并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等，若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题，将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。
　　3.对外投资风险
　　近年来，围绕公司发展战略，为扩充产品品类，扩大经营规模，以构筑较强的市场竞争力，公司投资了多家产业链上下游企业，设立了苏州长光华芯投资管理有限公司作为公司产业投资基金管理平台，并与股权投资机构共同发起成立苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）。但公司所投资标的尚处于初创期，后期能否和公司产生协同效应还存在一定的不确定性；同时所投标的未来经营管理过程中可能面临宏观经济及行业政策变化、市场竞争等不确定因素的影响，存在一定的市场风险、经营风险、管理风险等，投资收益存在一定的不确定性。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器产品，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
　　公司聚焦半... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器产品，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
　　公司聚焦半导体激光领域，始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感、光通信等领域。报告期内，公司主营业务未发生重大变动。
　　1.公司主要产品情况
　　公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
　　(二)主要经营模式
　　1.盈利模式
　　公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售，通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。
　　2.销售模式
　　公司主要通过对接下游厂家及终端用户，国内市场主要以直销方式进行销售，海外市场以代理商经销商销售为主。
　　对于成熟且有明确行业标准或规格的产品，公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。
　　对于新产品，公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先，公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等，对于芯片、器件类产品，由于涉及的性能参数较多，公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后，客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后，客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货，多批次同时合格后，会转入批量供货阶段。
　　在产品定价策略上，公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素，经过与客户谈判协商后，确定产品价格。
　　3.采购模式
　　公司制定了供应商管理制度，对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对生产材料的需求，采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商，收集供应商资料，组织对供应商的能力进行调查，要求供应商提供样品，送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果，综合进行判定并确定合格供应商，加入合格供应商目录。
　　公司根据生产计划，综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素，经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性，公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材，考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性，适当保证一定的库存量。
　　对于交期短且单价低的材料，以月或周为单位，向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料，以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。同时，公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核，综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素，进行动态管理。
　　4.研发模式
　　公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础，确定研发方向，新产品从概念设计开始先后经历6个阶段，满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
　　由市场销售部牵头，根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容，提出新项目导入申请，填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人，会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后，新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
　　（2）技术开发阶段
　　根据概念设计阶段的资料，项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作，包含：确定技术开发性质，明确客户需求，明确参与人员、预算、工作计划，进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析，评估风险及对应的控制措施等。
　　（3）α样品阶段
　　研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析，制定工作计划、质量保证计划，确定外观指标，进行供应商开发评审，并开始试制。样品试制完成后，项目负责人整理产品验证的相关技术资料，并根据样品情况更新原理草图、设计方案，完善技术指标。
　　（4）β样品阶段
　　β样品生产前，研发项目团队根据市场销售部识别的信息，适时依：①原理草图、设计方案、外观指标；②质量保证计划、研发预算、成本分析；③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等，制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件，制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后，研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
　　（5）小批量阶段
　　初步作业标准化试生产前，研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化，进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等，依据β样品试产的技术资料和过程试验报告，制定试生产工作计划并实施。试生产完成后，进行客户认证。
　　（6）量产阶段
　　通过客户认证后，制造中心对产能进行评估，对设备投入实施管理，对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析，确认已具备量产能力，制定生产计划并组织实施。
　　5.生产模式
　　公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式，覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程，设计、制造等环节协同优化，有利于公司充分发掘技术潜力，有助于公司率先开发并推行新技术。
　　由于公司生产工序较多，生产周期较长，公司实行“订单式”生产为主，结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准，采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排，及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货，以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业的发展阶段及基本特点
　　公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
　　半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。
　　在工业领域，随着激光技术的逐步成熟和产业化，一方面，国产激光设备的质量、技术与服务在竞争中慢慢提高，国产激光产品的崛起正在逐步取代进口的激光产品；另一方面，激光技术的应用比许多传统制造技术更具成本效益，使激光应用得以迅速普及。从我国激光器市场来看，国产光纤激光器逐步实现由依赖进口向自主研发、替代进口到出口的转变。随着国内光纤激光器企业综合实力的增强，国产光纤激光器功率和性能逐步提高。公司生产的高功率半导体激光芯片是产业链中游各类光泵浦激光器的核心泵浦光源，包括光纤激光器、固体激光器、液体激光器等，属于工业激光器生产制造的核心元器件，广泛应用于激光加工、激光切割、生物医疗等工业领域。
　　在科研与特殊领域，离不开激光器的帮助，尤其在高端制造、精密材料、制导、雷达及光电对抗等领域的科研项目，对激光器的性能要求将会更高。随着全球各国对科研和国家经费的不断投入，将促进激光器在此领域的快速发展。
　　在激光雷达市场，随着人工智能、5G技术的逐渐普及，无人驾驶、高级辅助驾驶、服务型机器人和车联网等行业发展前景广阔。这些技术的实现能够大幅减少人为失误带来的交通风险、提高交通运输效率、提升道路通行能力、改变汽车生产消费模式，实现交通运输安全、高效、绿色的发展愿景。受无人驾驶车队规模扩张、激光雷达在高级辅助驾驶中渗透率增加、以及服务型机器人及智能交通建设等领域需求的推动，激光雷达整体市场预计将呈现高速发展态势，随着3D传感技术在各领域的深度应用，将持续推动VCSEL激光器市场的快速发展。
　　在光通信领域，近年来，AI需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋势推动互联网云厂商持续加大投入，加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光模块市场正经历从400G向800G和1.6T的迭代升级。下一代LPO/CPO等技术已成为光通信演进的主流趋势，这一变革正推动激光芯片向高功率、低噪声、高集成度方向加速升级。在此背景下，兼具高能效与成本优势的200-400mWCWDFB光源，凭借其与800G/1.6T模块的适配性及规模化生产潜力，正成为高速光互连领域的核心增量器件。LightCounting在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。
　　（2）主要技术门槛
　　半导体激光器作为光子时代的核心器件，技术门槛主要体现在核心芯片与关键光电子元器件高度依赖自主研发，需在材料体系、芯片设计、精密制造等环节实现关键突破，同时要持续向更高功率、更优光束质量等方向迭代升级。其作为光纤激光器、固体激光器等的核心泵浦源，对电光转换效率、可靠性、寿命、波长覆盖范围等指标要求严苛，且随着激光应用场景快速渗透、高功率激光器需求持续增长，对产品一致性、规模化量产与下游应用适配能力均提出高要求，形成了从材料、芯片到器件、系统的全链条技术壁垒。
　　高端光芯片因速率、功率、传输距离要求提升，研发与工艺壁垒极高。设计需多学科交叉融合，精度要求严苛；制造工序复杂，对产线稳定性要求高。高速率芯片在核心结构开发中需兼顾光电性能、可靠性与工艺可行性，形成显著技术与制造壁垒。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　作为国家战略的重要践行者，公司精准卡位高功率激光核心赛道，为“激光芯片第一股”。公司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面，具备深远的战略意义。公司已构建涵盖芯片设计、MOCVD外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦合的全流程IDM工艺平台及量产线，是全球少数具备高功率半导体激光器芯片研发与量产能力的企业之一，同时也是全球极少数拥有6吋高功率半导体激光芯片生产线的厂商，在行业赛道中持续保持领先竞争地位。公司高亮度单管芯片及光纤耦合输出模块、高功率巴条与叠阵等核心产品，在输出功率、亮度、光电转换效率及寿命等关键指标上屡获突破，拥有多项核心专利，整体技术实力与全球先进水平同步。
　　2025年，公司作为国内高功率半导体激光芯片领域的领军企业，依托全产业链优势、核心技术突破及多元化市场拓展，持续巩固行业龙头地位，实现从“技术引领”向“规模领跑”，行业影响力进一步提升。
　　公司不仅在传统的工业高功率激光芯片领域持续保持领先，更在光通信、车载激光雷达等新兴高速增长赛道成功卡位，实现了从“单一龙头”向“多元化平台型”的公司迈进。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　AI需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋势推动互联网云厂商持续加大投入，加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光模块市场正经历从400G向800G和1.6T的迭代升级。
　　公司重点布局光通信领域，为日益加剧的速率、算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的痛点，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求。与此同时，公司已通过产业投资和技术研发，在硅光、薄膜铌酸锂等下一代技术方向进行了前瞻布局。
　　硅光集成正在推动光通信行业从“电主导”转向“光主导”。以光代电突破摩尔定律限制，支撑AI算力指数级增长。随着3.2T模块、量子光芯片等下一代技术演进，硅光集成将深度绑定全球数字化进程，成为光通信不可逆的技术主线。同时硅光集成也是激光传感（如激光雷达）、激光显示等应用的发展趋势。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司，已提前布局硅光集成技术路线。星钥光子项目尚处于建设期，预计2026年底通线试运行。我们持续紧跟行业技术演进趋势，以技术创新和产品竞争力支撑公司的长期稳健发展。
　　二、经营情况讨论与分析
　　公司秉持“一平台，一支点，横向扩展，纵向延伸”发展战略，以半导体激光芯片为核心竞争力，横向扩展覆盖可见光、近红外、中红外到长波，纵向延伸“N+1”板块，推动光子技术在工业激光器、传感器、光通信、激光显示及特殊领域等重点产业的融合应用与模式创新。公司积极开拓市场，加大研发投入，公司具体经营情况及各项产品研发进展如下：
　　高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。作为国家战略的重要践行者，公司精准卡位高功率激光核心赛道，为“激光芯片第一股”。公司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面，具备深远的战略意义。通过资本布局华日激光等企业，公司进一步完善了激光全产业链布局。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录。同时，公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，进一步拓展半导体激光器的应用。
　　在激光雷达与3D传感领域，产品应用场景不断深化。公司已积累全球领先的激光雷达芯片技术和充足的产能储备，可全面满足客户在车载激光雷达领域的多样化应用需求。同时，依托深厚的技术储备，公司积极拓展机器人视觉传感、消费电子等新兴应用场景，持续丰富产品矩阵，为智能感知领域注入新动能。VCSEL技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子领域，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信领域，适用于短距离传输，广泛应用于数据中心；（3）激光雷达领域，公司的车载激光雷达芯片已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
　　光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。AI需求呈现指数级增长，带动全球算力需求快速攀升。公司重点布局光通信领域，为日益加剧的算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的痛点，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求。通过前期的技术积淀和市场开拓，公司的光通信产品已经初步获得市场认可，客户订单逐步起量，公司在持续加大产能建设以满足客户需求的增长。与此同时，公司已通过产业投资和技术研发，在硅光集成、薄膜铌酸锂材料等下一代技术方向进行了前瞻布局。硅光集成技术在光通信、光传感、光医疗、光计算等光子应用领域快速发展的全球市场机遇，实现硅光集成制造技术的国产自主可控，助力苏州市高新区打造光子产业创新集群。薄膜铌酸锂是高速光通信、AI算力、量子信息、6G通信、激光雷达等应用领域的核心光电材料，由薄膜铌酸锂材料制备的电光调制器具备带宽高、低电压、低功耗、低损耗等优异性能，是高速光通信1.6T+的刚需解决方案。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光集成技术方向。公司通过投资苏州匀晶光电技术有限公司布局薄膜铌酸锂新材料方向。
　　横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。
　　平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召，公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心。围绕光子产业，为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光子产业基金，配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略实施。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子”)及武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)等多家企业，不断拓宽公司的产品边界，深化技术的应用领域。
　　匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积小、可靠性高等优点。单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器、大功率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤传感等领域。
　　公司通过全资子公司入股四川中久大光科技有限公司，与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。公司全资子公司与清纯半导体（宁波）有限公司合资成立苏州惟清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”）,惟清半导体专注于高端功率器件的研发与生产，以实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控。
　　国产替代与海外拓展并驾齐驱。地缘政治因素加速了芯片产业国产替代的步伐，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司，始终坚持技术自主可控，持续加大国产替代进程。同时，现阶段AI和算力的需求的爆发，进而导致了全球光芯片产能短缺，为公司相关业务出海提供了重要的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市场，海外业务的持续发展将为公司业绩提升提供有力支持。
　　完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1.核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　2.研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。
　　公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，构建了砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、硅光五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类衬底的半导体激光芯片的制造能力。
　　3.专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
　　4.资本平台优势
　　公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司整合产业链发挥助力作用。
　　对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则推动成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立了太湖光子中心。
　　5.产品可扩展性优势
　　公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了产品，且未来产品线有望进一步丰富。
　　6.客户资源优势
　　公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺，公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可，已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过，验证周期较长，下游客户更换芯片供应商的成本也较高，双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力，在工业激光器、激光加工设备等领域，公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时，在高能激光器的应用方面，公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源，广泛服务于多家国家级骨干单位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　1.核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　2.研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。公司构建了砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、硅光五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台。
　　3.专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1.技术升级迭代风险
　　公司经过多年的持续研发投入，在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进，技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入，或者在关键技术上未能持续创新，亦或新产品技术指标无法达到预期，则可能会面临核心技术竞争力降低的风险，导致公司在市场竞争中处于劣势，面临市场份额降低的情况。
　　2.研发失败风险
　　半导体激光行业是技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中，也存在下游客户的产品导入和认证过程，需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求，未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势，无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步，可能导致公司产品研发失败，或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素，导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证，会对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3.关键技术人才流失风险
　　半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖度较高，高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分，也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员，是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等，将难以引进更多的高端技术人才，甚至导致现有骨干技术人员流失，将对公司生产经营产生不利影响。
　　4.生产良率波动风险
　　报告期内，公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快，如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产，可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步，则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险，进而影响公司的经营业绩。
　　(四)经营风险
　　1.客户集中度较高的风险
　　公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域，下游行业集中度较高，公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化，或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑，可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2.产品价格下降的风险
　　报告期内，受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响，公司主要产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本，公司可能难以有效应对产品价格下降的风险，导致利润率水平有所降低。
　　(五)财务风险
　　1.应收账款余额较大的风险
　　虽然公司目前应收账款回收情况良好，且主要客户均为国内外知名厂商，但由于应收账款数额较大，若客户信用状况发生重大不利变化，公司将面临坏账增加的风险。
　　2.存货余额较高及存货跌价风险
　　公司存货余额水平较高。公司采取垂直一体化的IDM经营模式，产品生产工序较长，公司为及时响应下游客户需求，各个工序均需保持一定数量的备货库存，因此存货余额较高。一方面，若客户单方面取消订单，或因客户自身需求变更等因素减少订单计划，及产品的快速迭代，可能导致公司存货的可变现净值低于成本；另一方面，公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产，投入较大，使得固定成本提高较多，若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少，或因下游竞争日趋激烈而出现大幅降价，将可能使得该产品可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　3.固定资产投资的风险
　　公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业，专利和技术投资、固定资产投资的需求较高，尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂，规模化生产所需的生产线建设投入较大。
　　此外，公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后，公司固定资产等长期资产将继续增加，固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长，可能导致产品单位成本中单位制造费用较高，进而影响产品毛利率水平，使得公司业绩下降。
　　4.毛利率下降的风险
　　公司产品毛利率受宏观经济、市场竞争情况、原材料价格波动、自身产品结构变动等多种因素影响，若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、原材料价格大幅上升而公司未能有效转嫁对应成本、公司产品结构未能及时调整等情况，可能导致公司产品毛利率下降，从而影响公司的盈利能力。
　　(六)行业风险
　　1.宏观经济及行业波动风险
　　公司产品处于激光行业产业链上游，其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致工业激光器等终端市场需求下降，或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期，将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　2.市场竞争加剧风险
　　近年来，在产业政策和地方政府的推动下，国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势，市场参与者数量不断增加。与此同时，国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下，公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势，可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。
　　3.行业增长趋势减缓或行业出现负增长的风险
　　未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长，可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入，从而对公司的经营产生不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　随着全球经济周期的变化，经济增长速度放缓可能会导致市场需求疲软，终端市场的需求下滑，客户将减少相关产品的采购，进而影响公司业绩。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1.法律风险
　　（1）知识产权争议风险
　　公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术，公司通过申请专利对自主知识产权进行保护，该等知识产权对公司未来发展具有重要意义，但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时，公司一贯重视自主知识产权的研发，避免侵犯他人知识产权，但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略，从而阻碍公司正常业务发展。
　　（2）技术秘密泄露风险
　　公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密，其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题，不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。
　　2.内控风险
　　（1）不存在实际控制人风险
　　公司股权相对分散，不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东会和董事会按照公司议事规则讨论后确定，但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时，分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象，从而导致公司控制权发生变化，给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。
　　（2）公司规模扩大导致的管理风险
　　公司首次公开发行完成后，随着募投项目的实施，公司的资产规模和业务规模将进一步扩大，员工人数将相应增加，需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化，对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大，公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
　　（3）产品质量控制风险
　　公司重视产品质量管理，建立了严格的质量控制制度，在产品生命周期内进行全流程监控，建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系，并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等，若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题，将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。
　　3.对外投资风险
　　近年来，围绕公司发展战略，为扩充产品品类，扩大经营规模，以构筑较强的市场竞争力，公司投资了多家产业链上下游企业，设立了苏州长光华芯投资管理有限公司作为公司产业投资基金管理平台，并与股权投资机构共同发起成立苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）。但公司所投资标的尚处于初创期，后期能否和公司产生协同效应还存在一定的不确定性；同时所投标的未来经营管理过程中可能面临宏观经济及行业政策变化、市场竞争等不确定因素的影响，存在一定的市场风险、经营风险、管理风险等，投资收益存在一定的不确定性。
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入47,737.76万元，同比上升75.09%；归属于上市公司股东净利润2,176.41万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-3,293.57万元；归属于上市公司股东的净资产300,893.32万元，较上期增加0.77%，主要受当期盈利的影响，总资产336,021.45万元，较上期增加1.76%。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　公司始终牢记“中国激光芯，光耀美好生活”的企业使命，保持对半导体激光芯片的持续研发投入，努力打造自主研发的核心能力。公司一直贯彻和服务“智能制造”、“中国制造2025”等国家战略，努力推动国家对半导体激光芯片核心技术的掌控力，弥补和缩短我国在半导体激光芯片尤其是高功率半导体激光芯片领域与国外的差距。
　　公司未来将继续专注于半导体激光行业，秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略。“一平台”是指以公司与苏州高新区政府共建的苏州半导体激光创新研究院为平台，吸引全球顶尖人才，聚集内外部创新资源，围绕半导体激光芯片及应用，打造可持续领先的研发能力和新方向拓展能力；“一支点”是指公司已具备高功率半导体激光芯片的核心技术及全流程制造工艺，持续进行研发投入，保持核心技术竞争力，提升经营规模；“横向扩展”是指依托在高功率半导体激光芯片的研发、技术及产业化的“支点”优势，从高功率半导体激光芯片扩展至VCSEL芯片及光通信芯片，将产品应用领域拓展至消费电子、激光雷达等；“纵向延伸”是指为更好贴近客户、满足客户需求及适应众多激光应用，结合公司高功率半导体激光芯片的优势，纵向延伸至激光器件、模块及直接半导体激光器。结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等横向、纵向产业布局形成的综合服务能力，不断提升公司在国内及国际市场的竞争力。
　　(三)经营计划
　　（1）经营目标及发展规划
　　公司将以公司发展战略为导向，继续巩固和增强公司在行业的市场优势地位，促使公司持续、健康、快速的发展，不断提升公司价值，实现股东利益最大化。
　　（2）研发和生产计划
　　公司将加强技术创新能力建设及加强研发队伍的建设，开发满足主流市场需求的芯片和模块产品，在高毛利产品方面形成竞争力；组建科研产品生产线（含科研泵浦和固体泵浦，定制与特色应用）；加强模块技术能力、光学设计、工程能力及分析能力，向更高标准前进。
　　围绕“良率和产能就是核心竞争力”提升效率和效益并加强运行成本的控制，包括新厂房稳定运行，优化运行，降低成本提高效率。全面实施自动化，降低单位制造成本（料、工、费），降低不良率；“三稳定”（产线设备稳定、工艺稳定、人员稳定）生产，打造专业高效有执行力的生产管理团队，提升生产管理水平。
　　（3）市场开发规划
　　随着外部环境的持续变化，半导体国产化的需求越来越强，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司，将继续加大国产替代进程。现在也是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市场。车载激光雷达实现重点客户形成规模化销售。通信产品全面启动形成销售。完成产品线技术平台建设和产品线架构。
　　（4）人才发展规划
　　人力资源是公司发展的第一资源，为了实现公司总体战略目标，公司将不断根据发展阶段进行组织结构调整，制定一系列科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的招聘、培训、薪酬绩效和激励机制，在“选”、“用”、“育”、“留”方面最大限度的发挥人力资源的潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　(一)所属行业情况　　公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。　　半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。　　半导体激光行业... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)所属行业情况
　　公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
　　半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。
　　半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。
　　半导体激光器引领光子时代，具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光子能量，除可以直接使用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于其核心器件及关键部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应用领域较为广泛。
　　(二)公司主营业务情况
　　公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内，公司主营业务未发生重大变动。
　　经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
　　(三)公司主要产品情况
　　公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
　　二、核心技术与研发进展
　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司建立健全研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品；横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。
　　三、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司始终秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略，重视研发创新能力建设，结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等横向、纵向产业布局形成的综合服务能力，不断提升公司在国内及国际市场的竞争力。公司积极开拓市场，具体经营情况及各项产品研发进展如下：
　　1、高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。同时公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，已对外送样，进一步拓展半导体激光器的应用。
　　2、VCSEL技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信，短距离传输，应用于数据中心；（3）车载激光雷达芯片，已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
　　随着VCSEL自身技术的不断发展，以及与其他技术的结合使用，未来VCSEL将迎来更多的新兴应用，比如用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。
　　3、光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。面对持续爆发式增长的市场需求和更高性能芯片的要求，公司利用IDM平台优势持续投入研发，根据市场需求推出“国产替代”的高性能光通信芯片产品，公司拥有EML、VCSEL、CW Laser三种类型的光通信芯片，为市场提供高端芯片解决方案。报告期内，公司100G EML已实现量产，200G EML已开始送样。100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4DFB芯片已达到量产出货水平。
　　同时，公司超前布局硅光、薄膜铌酸锂等多种技术路线。硅光集成技术在光通信、光传感、光医疗、光计算等光子应用领域快速发展的全球市场机遇，实现硅光集成制造技术和平台的国产自主可控，助力苏州市打造光子产业创新集群。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光方向。公司通过投资匀晶光电布局新材料方向，薄膜铌酸锂通过带宽极限突破与集成工艺创新，正重塑高速光通信架构。
　　4、平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。
　　横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域。填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。
　　参考Yole等机构的增长幅度测算，预计到2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器领域的空白，研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。
　　发挥产业平台孵化功能，推进光子产业协同发展。公司入股中久大光，加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公司进行投资，2023年5月29日完成增资工商变更，投资持股比例1%。公司与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子”)、武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)及苏州镭智传感科技有限公司（以下简称“镭智传感”），不断拓宽公司的产品边界，深化技术的应用领域。匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积小、可靠性高等优点。单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器、大功率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤传感等领域；镭智传感致力于激光传感器研发生产和销售，其核心技术为调频连续波（FMCW）相干检测激光雷达。
　　投资成立苏州惟清半导体有限公司，布局高端功率器件方向。公司为进一步完善产业布局，为抢抓电动汽车等新能源行业快速发展的全球市场机遇，实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控，2023年9月28日，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与清纯半导体（宁波）有限公司合资成立苏州惟清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”），该公司注册资本10,000.00万元，公司出资2,900.00万元，占股29%。2024年7月25日，为推动高端功率器件项目实现2025年通线目标，研究院向惟清半导体增资10,000.00万元，增资完成后，公司占股31.61%。
　　5、国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司，将继续加大国产替代进程。同时，现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市场。海外业务的持续延展将为业绩提升提供有力支持。
　　6、完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　四、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1.核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　2.研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。
　　公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类衬底的半导体激光芯片的制造能力。
　　3.专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
　　4.资本平台优势
　　公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司发展新型半导体材料发挥助力作用。
　　对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则推动成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立了太湖光子中心。
　　产业链协同方面，公司通过参股公司等方式运作。例如：公司持股18.13%的公司华日精密主要经营固体及超快激光器，应用在精密微加工领域，与公司形成良好的产业链协同效应。合作成立镓锐芯光等公司符合公司“一平台”发展战略的战略需求和重要实践，进一步拓展了公司半导体激光器芯片的材料体系、波谱范围和市场应用。目前公司已拥有三大材料体系，IDM平台效应优势已逐步显现。
　　5.产品可扩展性优势
　　公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了量产产品，且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面，公司也已经推出各种信号处理方向产品，目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端，包括消费电子使用的结构光探测器VSL（VCSEL Structured Light）系列、车载激光雷达使用的75W VCSEL VLR系列等。
　　6.客户资源优势
　　公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺，公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可，已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过，验证周期较长，下游客户更换芯片供应商的成本也较高，双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力，在工业激光器、激光加工设备等领域，公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时，在高能激光器的应用方面，公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源，广泛服务于多家国家级骨干单位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　1.核心技术优势
　　公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
　　公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
　　公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
　　公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
　　公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
　　公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
　　2.研发及制造工艺平台优势
　　公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前2吋量产线主要用于公司新方向氮化镓，3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。
　　公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。
　　3.专业人才优势
　　公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
　　公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　2025年上半年公司实现营业收入21,406.44万元，同比上升68.08%；归属于上市公司股东净利润897.45万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-1,145.43万元；归属于上市公司股东的净资产299,402.59万元，较上期增加0.27%，主要受当期盈利的影响，总资产333,007.56万元，较上期增加0.85%。

　　五、风险因素
　　(一)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。
　　(二)核心竞争力风险
　　1.技术升级迭代风险
　　公司经过多年的持续研发投入，在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进，技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入，或者在关键技术上未能持续创新，亦或新产品技术指标无法达到预期，则可能会面临核心技术竞争力降低的风险，导致公司在市场竞争中处于劣势，面临市场份额降低的情况。
　　2.研发失败风险
　　半导体激光行业是技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中，也存在下游客户的产品导入和认证过程，需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求，未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势，无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步，可能导致公司产品研发失败，或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素，导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证，会对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3.关键技术人才流失风险
　　半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖度较高，高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分，也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员，是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等，将难以引进更多的高端技术人才，甚至导致现有骨干技术人员流失，将对公司生产经营产生不利影响。
　　4.生产良率波动风险
　　报告期内，公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快，如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产，可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步，则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险，进而影响公司的经营业绩。
　　(三)经营风险
　　1.客户集中度较高的风险
　　公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域，下游行业集中度较高，公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化，或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑，可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2.产品价格下降的风险
　　报告期内，受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响，公司主要产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本，公司可能难以有效应对产品价格下降的风险，导致利润率水平有所降低。
　　(四)财务风险
　　1.应收账款余额较大的风险
　　虽然公司目前应收账款回收情况良好，且主要客户均为国内外知名厂商，但由于应收账款数额较大，若客户信用状况发生重大不利变化，公司将面临坏账增加的风险。
　　2.存货余额较高及存货跌价风险
　　公司存货余额水平较高。公司采取垂直一体化的IDM经营模式，产品生产工序较长，公司为及时响应下游客户需求，各个工序均需保持一定数量的备货库存，因此存货余额较高。一方面，若客户单方面取消订单，或因客户自身需求变更等因素减少订单计划，及产品的快速迭代，可能导致公司存货的可变现净值低于成本；另一方面，公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产，投入较大，使得固定成本提高较多，若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少，或因下游竞争日趋激烈而出现大幅降价，将可能使得该产品可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　3.固定资产投资的风险
　　公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业，专利和技术投资、固定资产投资的需求较高，尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂，规模化生产所需的生产线建设投入较大。
　　此外，公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后，公司固定资产等长期资产将继续增加，固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长，可能导致产品单位成本中单位制造费用较高，进而影响产品毛利率水平，使得公司业绩下降。
　　4.毛利率下降的风险
　　受高功率半导体激光芯片领域竞争加剧、公司为打造行业价格壁垒主动降价、下游厂商降价传导等因素影响，公司毛利率降幅较大。公司产品毛利率受宏观经济、市场竞争情况、原材料价格波动、自身产品结构变动等多种因素影响，若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、原材料价格大幅上升而公司未能有效转嫁对应成本、公司产品结构未能及时调整等情况，可能导致公司产品毛利率下降，从而影响公司的盈利能力。
　　(五)行业风险
　　1.宏观经济及行业波动风险
　　公司产品处于激光行业产业链上游，其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致工业激光器等终端市场需求下降，或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期，将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　2.市场竞争加剧风险
　　近年来，在产业政策和地方政府的推动下，国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势，市场参与者数量不断增加。与此同时，国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下，公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势，可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。
　　3.行业增长趋势减缓或行业出现负增长的风险
　　未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长，可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入，从而对公司的经营产生不利影响。
　　(六)宏观环境风险
　　(七)全球经济周期性波动
　　目前全球经济仍处于周期性波动当中，尚未出现经济全面复苏趋势，依然面临下滑的可能，全球经济放缓可能对整个行业带来一定不利影响，进而间接影响公司业绩。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1.法律风险
　　（1）知识产权争议风险
　　公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术，公司通过申请专利对自主知识产权进行保护，该等知识产权对公司未来发展具有重要意义，但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时，公司一贯重视自主知识产权的研发，避免侵犯他人知识产权，但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略，从而阻碍公司正常业务发展。
　　（2）技术秘密泄露风险
　　公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密，其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题，不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。
　　2.内控风险
　　（1）不存在实际控制人风险
　　公司股权相对分散，不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定，但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时，分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象，从而导致公司控制权发生变化，给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。
　　（2）公司规模扩大导致的管理风险
　　公司首次公开发行完成后，随着募投项目的实施，公司的资产规模和业务规模将进一步扩大，员工人数将相应增加，需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化，对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大，公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
　　（3）产品质量控制风险
　　公司重视产品质量管理，建立了严格的质量控制制度，在产品生命周期内进行全流程监控，建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系，并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等，若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题，将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。
　　3.对外投资风险
　　近年来，围绕公司发展战略，为扩充产品品类，扩大经营规模，以构筑较强的市场竞争力，公司投资了多家产业链上下游企业，设立了苏州长光华芯投资管理有限公司作为公司产业投资基金管理平台，并与股权投资机构共同发起成立苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）。但公司所投资标的尚处于初创期，后期能否和公司产生协同效应还存在一定的不确定性；同时所投标的未来经营管理过程中可能面临宏观经济及行业政策变化、市场竞争等不确定因素的影响，存在一定的市场风险、经营风险、管理风险等，投资收益存在一定的不确定性。 收起▲