一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。　　2、主要产品及服务　　存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM及衍生产品MCP。
　　（1）NAND Flash
　　NAND Flash即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量NAND Flash，包括MLC、TLC及3D NAND Flash等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量NAND Flash，以SLC NAND Flash为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司NAND Flash产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G模块、光猫、企业级网关）、安防设备（智能监控、数字录像机）、便携式智能终端（AI录音卡）、智能穿戴（手表、手环、AI眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至16Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司SPI NAND Flash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与DTR访问模式，具备高数据吞吐率；深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
　　（2）NOR Flash
　　NOR Flash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列采用并联结构，支持按位随机读取与芯片内执行，具备读取速度快、启动时间短等特点，能够满足应用系统对快速启动与及时响应的需求。
　　公司专注大容量、低功耗SPI NOR Flash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NOR Flash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
　　（3）DRAM
　　DRAM是市场主流的易失性存储芯片，利用电容充放电状态实现数据存储。凭借高存取速度与大带宽优势，常作为系统主存、运行内存，用于临时存放运算数据与指令。
　　公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，公司自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等领域。
　　（4）MCP
　　MCP是将非易失性存储芯片与易失性存储芯片集成于单一封装内的存储解决方案，能够协同实现数据存储与处理功能。
　　公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗SLC NAND Flash与低功耗DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等主流平台通过认证，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。公司MCP产品规格丰富，DRAM类型涵盖LPDDR1/2/4X，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP产品通过集成技术，有效简化了系统走线设计，显著节省PCB布板空间，在提升产品稳定性与集成度的同时，降低了整体系统成本，特别适用于对空间要求严苛的小型化电子设备。
　　（5）技术服务
　　公司拥有完全自主知识产权，构建了涵盖芯片设计、版图设计、测试验证、应用分析、工艺整合、质量管控及技术支持的全方位专业团队。依托深厚的技术积累，公司能根据客户特定需求，提供定制化的存储芯片设计服务及整体解决方案，有效协助客户缩短开发周期、降低研发成本、加速产品导入，显著提升开发效率和成功率。
　　在定制化服务过程中，公司持续深化市场需求洞察与客户反馈收集，建立了“研发-转化-创新”的良性循环机制，推动公司技术实力稳步提升。
　　（二）主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　公司产品销售采用“直销、经销相结合”的销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下订单；经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售。
　　（三）所处行业情况
　　2026年以来，全球半导体行业进入AI算力带动的结构性上行周期，行业增长逻辑由传统消费电子单一驱动转变为云端算力、终端智能化共同驱动，行业整体规模快速扩容。依据WSTS2026年6月发布的春季预测，2026年全球半导体市场规模将达1.5万亿美元，同比增长约90%，首次突破万亿美元大关；存储芯片作为核心增长板块，全年销售额预计同比飙升约250%，超过8,000亿美元。TrendForce同步大幅上修存储器产值预测，2026年全球存储器产值预计达8,893亿美元。细分中小容量利基存储赛道呈现供需结构性分化特征，海外头部原厂持续收缩成熟制程产能，工控、车载、物联网等终端刚性需求稳步释放，全品类存储产品价格同步进入持续上行通道，国产存储企业迎来替代窗口期，行业长期成长空间明确。
　　1、供给侧：海外原厂加速产能重心转移，成熟制程利基存储供给持续收敛
　　整体来看，三星、SK海力士、美光、铠侠等全球头部存储原厂持续调整资本开支与晶圆产能布局，资源全面倾斜HBM、DDR5、高层3D NAND等高附加值算力存储，主动缩减成熟利基存储产线，成熟晶圆新增投放有限。国内及中国台湾存储厂商成为供给增量核心，但晶圆建厂、工艺爬坡、客户认证周期较长，短期供给缺口难以快速填补，国产替代进程持续加速。
　　（1）SLC NAND
　　海外原厂持续出清2D平面SLC产线，全球有效产能持续收缩，工控、车规级高可靠SLC出现持续性供给缺口。当前市场竞争格局重构，国内具备完整SLC自研、量产能力的企业持续承接海外转移订单，2026上半年出货规模稳步抬升，细分市占率持续提升。行业存在客户长期认证、宽温高可靠性工艺、稳定供货三重壁垒，海外厂商短期难以回流扩产，国内企业替代空间持续打开。受成熟代工产能约束，行业新增供给释放节奏平缓，供需失衡支撑产品价格持续上行。
　　（2）NOR Flash
　　行业主流制造工艺以48nm、55nm成熟ETOX制程为主，少量厂商布局差异化SONOS工艺，全球产能供给主体集中于大陆、中国台湾存储设计企业，海外大厂基本退出通用NOR赛道。行业整体无大规模新增产能投放，车规、工业领域中大容量NOR需求持续走高，但境内外晶圆厂成熟制程扩产规划有限，产线建设、工艺调试周期长达2至3年，短期增量供给不足，高容量型号供需持续偏紧，产品价格保持上涨态势。
　　（3）利基型DRAM
　　海外三大DRAM厂商持续压缩DDR3、小容量DDR4、LPDDR等成熟利基产线，产能全面向DDR5、HBM倾斜，利基DRAM供给持续收缩，形成长期产能缺口。国内本土晶圆厂逐步释放适配利基存储的成熟产能，为本土设计企业提供稳定晶圆支撑，但良率提升、产能爬坡周期较长，仅能部分弥补海外原厂退出留下的供给空白，行业供需偏紧格局延续，带动产品价格稳步抬升。
　　2、需求侧：基本盘需求韧性充足，终端智能化与边缘AI扩容催生结构性增量
　　（1）SLC NAND
　　SLC NAND凭借高耐久性、低误码率、宽温稳定性等独特性能，是工业、车载、网络设备等长生命周期高可靠终端的刚需存储方案。同时，在智能家居、可穿戴设备、医疗电子等新兴市场，其应用边界不断拓展。网通设备迭代升级、安防监控智能化、物联网生态扩张等因素持续拉动存储需求；在智能穿戴等细分领域，SLC NAND Flash在代码存储等场景中凭借更快的擦写速度与更高的存储密度，对NOR Flash形成了一定替代，推动了相关细分市场的结构性变化。多重需求叠加之下，订单交付周期有所延长，供需缺口持续扩大，报告期内产品价格维持上行趋势。
　　（2）NOR Flash
　　NOR Flash核心优势为片上即时执行、随机快速读取，是各类设备固件、底层程序的标准存储载体。2026年需求呈现结构性分化特征，大容量型号需求增速显著高于通用小容量产品。消费电子领域，TWS耳机、智能手表等保持稳健需求；车载与工业领域为核心增量来源，智能座舱、车载域控制器、自动驾驶设备固件容量持续扩容，带动128Mb及以上中大容量NOR需求快速增长；工业控制、安防摄像机、光模块等设备智能化升级同步提升存储需求；边缘智能领域，各类轻量化边缘智能终端普及，本地小型AI模型存储进一步打开大容量NOR市场。受供需差异影响，报告期内256Mb及以上车规、工控NOR价格上涨相对明显，中小容量通用消费级NOR价格涨幅相对平缓。
　　（3）利基型DRAM
　　利基型DRAM以DDR3、低功耗LPDDR、小容量DDR4为主，适配无需超高算力的嵌入式终端，需求具备强抗周期属性。工控领域，工业监控、智能电表、PLC工控设备等需求平稳，设备更新周期稳定；汽车电子领域，新能源汽车中控、车载仪表、车载传感模块持续渗透，低功耗宽温利基DRAM搭载量逐年提升。整体需求无爆发式增长，但下游行业均为长期刚需赛道，需求韧性较强，叠加海外原厂产能持续撤出，市场供需长期偏紧，产品价格保持稳步上行态势。
　　3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司是目前中国大陆少数同时具备NAND Flash、NOR Flash、DRAM三大存储芯片自主研发设计能力的企业，在中小容量存储芯片领域建立了全面的产品布局。在SLC NAND Flash领域，公司持续推进技术迭代，最先进制程已推进至1xnm水平，体现了公司优秀的设计能力和工艺整合技术水平。依托成熟稳定的产品矩阵，公司产品在可靠性、兼容性等方面表现优异，已获得国内外知名企业及下游应用领域头部客户的高度认可，在中小容量存储市场占据了重要的市场地位。在NOR Flash与DRAM领域，公司坚持差异化竞争策略。NOR Flash产品制程达到48nm行业先进水平，凭借优异的可靠性和宽温工作特性，在对可靠性要求较高的细分市场稳步拓展应用。此外，公司NAND产品与DRAM产品形成有效协同，结合MCP（多芯片封装）技术，为客户提供高集成度、小型化的存储解决方案。这种多元化的产品组合有效满足了客户的一站式采购需求，增强了客户粘性，构筑了坚实的竞争壁垒。
　　面对行业周期性波动与日益激烈的市场竞争，公司积极实行“存、算、联”一体化战略。在稳固存储主业的基础上，公司依托技术积累，积极布局Wi-Fi7等无线通信芯片赛道，并通过战略投资布局高性能GPU赛道。这一布局旨在实现业务结构的多元化发展，通过产品线的横向拓展，有效平滑存储行业的周期性业绩波动，同时也为公司面向智能终端与网络设备客户提供更多样化的解决方案创造了有利条件。
　　未来，公司将继续坚持自主创新的发展道路，紧抓国产替代与下游应用智能化升级的市场机遇。公司将持续推进制程技术迭代，加快车规级与工业级产品的认证与导入，进一步巩固在中小容量存储芯片领域的竞争优势；同时稳步推进“存、算、联”一体化战略，不断提升公司的行业影响力和综合竞争力，致力于成为国内领先的芯片设计与解决方案供应商。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2026年上半年，受益于AI算力需求持续爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩态势明显；与此同时，网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏，利基型存储芯片供需缺口持续扩大。公司所面对的存储芯片市场的供需关系呈现结构性紧缺态势，产品市场价格大幅攀升。公司紧抓市场机遇，以SLC NAND Flash为代表的存储业务实现量价齐升，带动上半年营业收入实现大幅增长，整体毛利率亦显著上涨，带动上半年利润水平的显著提高。2026年上半年公司实现营业收入14.97亿元，同比增长336.44%，第二季度营业收入环比增长112.31%；2026年上半年毛利率为67.66%，比去年同期增加48.90个百分点。
　　2026年上半年公司Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，已投资的GPU板块尚未实现扭亏，公司归属于上市公司股东的净利润为65,925.87万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为63,640.20万元。尽管联接与计算业务板块的投入短期内对利润表现造成一定压力，但公司存储主业的基本盘持续稳固，整体经营态势良好。
　　报告期内主要业务情况：
　　（一）深耕存储主业，推动产品矩阵升级与规模化应用
　　报告期内，公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。报告期内，公司研发费用1.38亿元，占当期营业收入的9.21%，研发费用总额相比上年同期增长30.81%，持续高强度的研发投入为技术领先与产品升级提供了坚实保障。
　　在NAND Flash领域，公司SLC NAND Flash产品制程覆盖3xnm-2xnm-1xnm，产品容量覆盖512Mb～16Gb，内置ECC模块，具备10万次擦写寿命及高耐久、宽温稳定运行特性。报告期内，公司继续加强在SLC NAND Flash行业的技术领先优势，通过电路设计优化与工艺调整，推动存储产品升级迭代。目前，公司1xnm及2xnm制程产品的擦写寿命及数据保持特性均已满足主流应用要求并持续量产。公司正基于上述先进制程持续扩充产品品类，充分释放先进制程带来的成本与性能竞争优势。
　　在NOR Flash领域，公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb～2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发，产品广泛覆盖可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域。公司精准定位不同容量的客户需求，持续优化性能、功耗与性价比的合理匹配。随着产品迭代升级，公司不断丰富NOR Flash产品矩阵，进一步强化了在高可靠性场景下的解决方案能力。此外，公司在实现1.8V、3.3V全品类覆盖的基础上，进一步研发1.2V更低功耗NOR Flash，可有效降低系统整体功耗，更好契合便携设备、可穿戴设备及物联网模组等应用场景对低功耗、长续航的需求。
　　在DRAM领域，公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产，并持续进行LPDDR4X、DDR4等新产品研发布局。公司产品凭借小尺寸封装、低电压设计及宽温适应性，覆盖消费电子、工业及汽车电子等多元化应用场景，在移动设备轻薄化、工业场景高可靠性及AIoT数据处理需求中展现出技术优势。公司将继续拓宽DRAM产品线，推动产品矩阵多元化发展。
　　在MCP领域，公司目前已可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发的SLC NAND Flash与DRAM组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。
　　在车规级存储领域，公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充，更多型号顺利通过AEC-Q100验证。报告期内，公司持续在多款车型中进行车规产品的量产交付，并进一步推进整车厂的白名单导入，加速推进更多海内外Tier1厂商的导入与销售落地。相关产品已成功应用于通信及远程控制系统、激光雷达、机器视觉、电池BMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。
　　知识产权方面，报告期内申请中国发明专利21项，获得发明专利授权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力，以持续创新驱动主业长远发展。
　　（二）深化“存、算、联”一体化战略，开辟第二增长路径
　　报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，向计算、通信领域延伸的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。
　　在联接芯片领域，公司正按计划稳步推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司把握国产高端Wi-Fi芯片替代机遇，精准切入技术壁垒较高的路由、高端黑电透传及车载类Wi-Fi等细分赛道。Wi-Fi7技术作为下一代无线连接核心，凭借更高带宽、更高调制效率及MLO多链路操作特性，可实现传输速率约2至3倍的提升，并将平均延迟降低约80%，能有效满足未来智能终端、AR/VR及云游戏等应用对高速无线连接的严苛要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景。报告期内，公司在前期完成原型机样片测试的基础上，持续深化首款无线传输芯片的架构优化与系统级方案打磨。目前主要核心模块已完成实验室验证，测试结果符合预期，核心性能指标已满足Wi-Fi7标准要求。公司正全力推进系统级验证与流片进程，并同步筹备后续的客户送样与导入工作。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案，积极培育业绩增长新动能。
　　在计算芯片领域，公司通过自有资金战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。继首款自研GPU芯片G100完成流片、制造及封装并推出专业级与消费级显卡后，2026年上半年，上海砺算重点围绕产品生态完善、量产工艺优化及市场化导入开展工作。在生态认证与产品优化方面，报告期内成功获得微软WHQL认证，标志着产品在Windows操作系统环境下具备良好的兼容性与稳定性，为进一步拓展主流商业化市场奠定了基础。同时，上海砺算持续推进量产制造工艺的优化，提升产品综合竞争力；在软硬件生态建设方面，持续推进跨平台适配，目前已成功兼容多款主流国产操作系统及处理器平台，并积极与操作系统、处理器、独立软件开发商及整机制造商等产业链上下游厂商开展协同合作，共同推进软硬件适配与行业应用解决方案的落地，为商业化应用奠定生态基础。在市场导入与商业化方面，针对G100产品，上海砺算采取专业级与消费级双线并行的市场策略。在专业级显卡领域，由于产品主要面向AI PC、云渲染、数字孪生等前沿应用领域客户，从技术验证到采购落地周期较长，目前整体销售尚处于起步阶段，主要工作聚焦于重点应用场景的客户导入与系统级验证；在消费级显卡领域，产品已于报告期内成功上线主流电商平台并开启市场化销售，完成了多轮驱动版本的迭代升级，持续扩展应用兼容性并优化实际运行性能。在下一代产品研发方面，为紧跟图形渲染与AI技术演进趋势，上海砺算下一代GPU芯片的研发工作正稳步推进，报告期内各项核心模块的架构设计与验证工作进展顺利，为后续产品性能的提升与迭代落地奠定了坚实基础。
　　（三）深化产业协同，保障产能稳定与品质交付
　　公司作为Fabless设计公司，高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。
　　公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好沟通协作，通过签署并执行产能保证协议等方式深化上下游合作，为业务发展提供产能保障，同时坚持“双轨并行”发展策略，积极拓展境内外双代工模式以满足不同客户需求，并与国内外知名封测厂建立稳定合作关系，确保供应链持续稳定。在营运管理方面，公司深化关键指标管理体系，聚焦供应链管理、生产调度及客户服务等维度，持续优化流程效率，提升运营管理水平，全面推进质量体系建设，强化全员质量文化与流程闭环，数字化与信息安全体系持续升级。
　　（四）强化人才队伍建设，完善激励约束机制
　　公司始终坚持“以人为本”的发展理念，视人才为企业发展的核心驱动力，致力于打造高素质、专业化的核心团队。报告期内，公司持续优化人才梯队建设，构建了完善的内部培训体系，通过多层次的管理、业务及技术培训，全面提升员工综合素质与专业能力。在激励机制方面，公司不断完善薪酬与绩效考核体系，建立健全长效激励约束机制，实现股东利益、公司利益与核心团队个人利益的深度绑定。公司已连续五年推行股权激励计划，报告期内顺利实施了2026年度股权激励方案，并完成了2023年、2024年限制性股票激励计划相关归属期的股份登记工作。持续的激励落地有效稳固了优秀人才队伍，充分调动了核心团队的积极性与创造力，增强了团队凝聚力，为公司的健康长远可持续发展夯实了人才基础。
　　（五）完善公司治理体系，维护股东合法权益
　　公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，建立健全各项内部控制制度。在此基础上，公司积极顺应《公司法》《上市公司治理准则》的最新修订趋势，结合实际情况对内部治理制度进行梳理与修订，持续完善法人治理结构，明确决策、执行、监督等方面的职责权限，形成科学有效的职责分工和制衡机制，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整、及时、公平，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，公司建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，确保各项经营活动的合规性与有效性，切实保障公司和股东的合法权益。
　　公司高度重视投资者关系管理，始终将维护股东利益作为核心工作之一。公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件、投资者热线等多种渠道，构建了多层次的沟通机制，全面而多角度地保持公司的高运营透明度。这些举措保障了广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。通过高质量的互动交流，公司积极听取投资者建议，不断优化治理水平，切实维护全体股东的合法权益。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来专注于中小容量存储芯片的独立研发、设计与销售，是中国大陆少数可同时提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。
　　（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力
　　依托研发团队在电路设计、工艺制造及封装测试等领域的深厚积累，公司在NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片的核心设计环节已形成完整的自主研发能力，构建了覆盖主流存储芯片的多层次产品矩阵，实现了从消费级到工业级、车规级的全规格覆盖，容量涵盖Kb级至Gb级，是国内少数具备全品类一站式存储研发与解决方案能力的企业之一。
　　支撑上述产品矩阵有效迭代与落地的，是公司打造的通用技术平台与标准化研发体系。在该体系下，公司实现了跨品类的技术协同与复用，控制器设计、固件算法和可靠性工程等核心底层技术可在各产品线间实现无缝迁移，大幅缩短了研发周期并降低了成本。同时，公司依托标准化的开发工具链与测试验证体系，能够快速响应不同工艺节点、容量及封装形式的开发需求，并针对特定应用场景高效输出定制化技术方案，确保了技术创新的持续性与敏捷性。
　　（2）稳定可靠的供应链体系
　　公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链战略，致力于构建自主可控且高效协同的供应链体系。经过十余年的深耕，公司已与国内外的领先晶圆代工厂及封测厂建立了深度的战略合作伙伴关系，是国内少数能够通过多个头部代工合作伙伴有效保障产能的存储芯片设计公司之一。于往绩记录期间，公司供应链保持平稳运行，未经历任何重大中断，生产及订单交付维持高效与稳定。在晶圆制造端，公司与战略伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片特色工艺平台上开展长期技术协同，通过加大测试模型与向量研发投入、共同优化制程节点，显著提升了晶圆良率与生产效率；在封装测试端，公司与境内外知名封测厂保持稳定合作，为客户提供多样化的芯片封装选择，全面满足下游差异化需求。
　　（3）完善的质量和服务体系
　　公司秉持“品质、竞争力、客户满意、持续改进”的质量方针，已将严苛的质量管理深度融入集成电路设计、委外制造监督、客户服务及售后支持等业务的全生命周期。在持续优化项目管理系统与完善客户反馈电子化平台的基础上，公司进一步升级了质量与服务体系，通过优化组织架构与人才梯队建设，实现了内外服务能力的双效提升。一方面，公司充实了资深质量工程与可靠性测试领域的专业力量，强化了质量事务的统筹规划与技术攻坚能力，确保各项质量标准在研发与生产环节的有效落地；另一方面，公司同步提升了客户服务团队的专业配置，依托车规级质量管理体系与生产制程的动态监控机制，将技术支持环节前置，有效缩短了问题响应与处理周期，从而为全球客户提供更为高效、精准的技术服务。
　　（4）优秀的人才队伍
　　集成电路设计行业为技术密集型领域，公司秉持“以人为本、创新发展”理念，汇聚了一支兼具深厚产业经验与卓越执行力的核心团队。公司的核心管理团队在存储芯片行业研发、管理及商业化领域拥有丰富经验，对行业技术趋势与客户需求具备深刻洞察，为公司构建了稳定、专业且以执行为导向的管理架构。在研发人才队伍建设上，公司通过社招、校招、内推及内部培养等多元化渠道，成功构建起梯队合理、技术底蕴深厚的研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员216人，占公司总人数的63.53%，其中本科及以上学历占比达98.15%。
　　为保障核心团队的稳定性与创新活力，除了提供具有行业竞争力的薪酬与完善的绩效考核体系以外，公司还积极实施了股权激励计划，通过长效激励机制有效调动了全体员工的积极性，促使各方利益与公司的长远发展深度绑定，为战略目标的顺利实现提供了坚实的人才保障。
　　（5）自主可控的技术体系
　　公司深耕中小容量利基型存储芯片市场十余年，在国内存储芯片行业中构建了全面的自主可控技术平台。公司的技术实力贯穿了产品的全生命周期，涵盖了从芯片架构设计、工艺节点开发及控制器IP开发到固件算法优化、可靠性工程及良率管控等核心环节。凭借高度自主可控的技术能力，公司成功突破了高可靠性应用场景的严苛壁垒，在汽车电子、工业控制及高端通信等领域逐渐占据重要地位。
　　这一全链条的自主研发能力，不仅构筑了公司的核心竞争力，也沉淀为公司丰富且完整的自主知识产权体系。经过持续研发创新，公司已拥有覆盖主流存储芯片领域的多项核心技术成果，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项以及注册商标18项，为公司的长期技术领先与业务拓展构筑了坚实的竞争壁垒。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
　　报告期内，公司核心技术没有发生重大变化。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，申请中国发明专利21项，获得发明专利授权5项（其中中国发明专利4项，美国发明专利1项）；申请实用新型专利1项；申请软件著作权5项，获得软件著作权3项；申请集成电路布图设计权7项，获得集成电路布图设计权2项；申请注册商标13项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项。
　　截至报告期末，公司累计申请境内外专利218项，获得专利授权141项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中的“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给予国际公布的PCT申请数量；
　　2、“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　研发人员规模上升，研发人员薪酬总额增加。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入149,696.00万元，较上年同期增长336.44%；归属于上市公司股东的净利润65,925.87万元，增加77,022.72万元，同比扭亏为盈。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润63,640.20万元，增加76,312.60万元，同比扭亏为盈。

　　五、风险因素
　　（一）业绩下滑或亏损的风险
　　受人工智能基础设施、高带宽内存及加速计算平台需求的强劲驱动，存储行业正处于周期性上行阶段，市场需求旺盛，供给端扩张相对有限，产品价格维持高位。公司深耕利基型存储市场多年，是国内少数可同时提供NAND、NOR及DRAM完整存储解决方案的厂商，在制程领先性与高可靠性等核心技术指标上具备显著竞争优势。面对持续向好的市场机遇，公司积极把握行业结构性机会，通过有效的市场策略与客户拓展，实现营业收入与盈利能力的同步提升。报告期内，公司实现营业收入149,696.00万元，同比增长336.44%；归属于母公司所有者的净利润为65,925.87万元，同比增加77,022.72万元；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为63,640.20万元，同比增加76,312.60万元。
　　然而，公司所处的存储行业具有明显的周期性特征。在过往的行业低谷期，公司曾面临终端需求不足、产品价格低迷、市场竞争加剧以及库存水平高企等不利局面。公司经营业绩与行业周期波动密切相关。因此，若未来存储行业再次进入下行周期，市场需求的减弱和产品价格的下跌将对公司的销售收入、毛利率及盈利水平产生直接不利影响，进而可能导致公司未来经营业绩出现较大幅度的波动。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、技术升级及产品迭代风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集型、产品升级迭代迅速的特征。随着市场竞争加剧及终端客户个性化需求的不断提高，新技术、新应用及行业标准的不断涌现，公司需要持续调整产品路线图、架构、工艺及验证方法。持续的创新研发是公司保持竞争优势的关键。若公司未来研发资金投入不足或研发进度低于预期，未能精准把握技术发展趋势并及时响应客户需求，可能导致公司现有产品竞争力下降、技术被赶超甚至被替代。此外，技术的快速进步叠加客户对新产品接受速度的变化，可能缩短公司自身产品及客户终端产品的生命周期，导致公司新老产品衔接不畅、收入增长动能减弱，进而削弱产品的市场竞争力并对公司经营业绩产生不利影响。
　　2、研发失败或产业化、商业化进展不及预期风险
　　为维持市场竞争优势并应对日益复杂的技术演进，公司需持续加大对核心技术与新产品的研发投入。于2023年、2024年及2025年，公司的研发费用分别为人民币1.82亿元、2.13亿元及2.16亿元，呈现逐年稳步增长的态势，各年度研发费用占营业收入的比例分别为34.34%、33.27%及23.43%。然而，芯片的研发设计活动本质上是复杂、漫长且具有高度不确定性的，可能因技术标准变化、工程挑战、可靠性不足、客户平台整合问题或资源限制等因素，导致公司项目延期、重新设计或未能突破特定开发阶段。此外，公司研发成本可能超出预期，高额研发投入在短期内会对公司的利润率及经营业绩造成不利影响。
　　即使公司的研发与产业化工作达成预期技术成果，产品的商业化仍受制于多重不确定因素。激烈的市场竞争、替代技术的涌现或下游需求及定价动态的变化，可能导致市场对新技术的接受度低于预期，使公司错失有利的市场窗口或先发优势。若公司未能及时推出符合客户需求的新产品或进入新市场，公司产品可能面临失去显著竞争力或过时的风险，导致在按预期价格销售存货时面临困难。在此情况下，公司可能经历平均售价及毛利率下降，并面临存货跌价准备计提或资本化开发成本减值的风险，进而对公司盈利能力、经营现金流量及整体财务状况造成不利影响。
　　3、关键技术人才流失风险
　　公司所处的集成电路设计行业属于典型的技术密集型产业。随着人工智能、汽车电子及物联网等下游应用领域的快速发展，集成电路设计企业对于高端人才的争夺日趋激烈，行业内关键核心技术人才呈现出结构性紧缺与频繁流动的趋势。
　　若公司未来在薪酬水平、内部晋升制度、股权激励措施或企业文化建设等方面未能保持足够的市场竞争力，将难以持续引进优秀的行业人才，甚至可能导致现有核心技术人员流失或团队稳定性下降。核心研发团队的稳定性直接关系到公司技术研发的延续性、产品迭代的进度以及核心竞争力的维持。因此，若公司发生大规模或关键技术人员流失的情况，将对公司的持续研发能力、业务经营及长期发展战略造成不利影响。
　　4、核心技术泄密风险
　　在存储芯片设计行业中，核心技术是公司赖以生存的根本与构筑市场竞争壁垒的基石。公司的核心技术深度贯穿于产品的整个工艺流程，不仅是实现产品高性能、高可靠性的关键前提，更是公司有效控制流片成本、提升晶圆良率及缩短产品上市周期（Time-to-Market）的核心驱动力。公司的成功高度依赖于对核心技术的严格保密。然而，公司的核心技术涉及大量未申请专利或不适合以专利形式保护的专有技术及商业机密。尽管公司已针对性地制定了内部保密制度，明确了核心技术信息的管理流程，并与核心技术人员签订了保密协议及竞业禁止协议，但受限于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性以及其他不可控因素，公司仍可能面临核心技术泄密的风险。若发生核心技术泄密，将对公司的持续研发能力、业务经营及长期发展战略造成重大不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，专注于存储芯片的研发、设计与销售，晶圆制造与封装测试等生产环节均委托第三方代工厂完成。由于集成电路行业具有重资产、高壁垒的特性，上游晶圆代工厂及封测厂的市场集中度普遍较高。加之符合公司特定工艺技术及严苛质量标准的供应商数量有限，且建立新合作关系及完成产品资格认证耗时较长、成本较高，公司在短期内难以获得合适的替代方案。因此，公司不可避免地面临主要供应商集中度较高的风险。
　　为应对上述挑战，公司确立了“本土深度、全球广度”的供应链策略，已与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了长期稳定的战略合作关系，并根据市场供需关系动态调整投片规模。然而，在当前利基型存储市场整体供应相对紧缺的背景下，若未来晶圆采购价格、委外加工费用出现大幅上升，或公司主要供应商的经营状况、合作关系发生重大不利变化，可能导致公司无法按时、按质、按量获得产能支持，使公司面临供货紧张、产能受限或采购成本激增等困境，进而对公司的日常生产经营和持续盈利能力造成实质性不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司重视全球化发展战略，积极推进覆盖全球的研发设计和市场销售网络布局。报告期内，公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲等国家和地区，相关产品已在前述市场的通信、工业及消费电子领域实现了规模化出货。未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、业绩波动风险
　　公司的经营业绩与宏观经济环境、国家产业政策、集成电路行业景气度及市场竞争格局等因素密切相关。受上述因素的综合影响，公司主要产品的市场供需关系可能发生阶段性变化，进而导致公司销售收入、毛利率及净利润等核心财务指标出现波动。若未来宏观经济增速放缓、产业政策发生不利调整、行业周期下行或市场竞争进一步加剧，均可能对公司的盈利能力与持续经营业绩造成不利影响。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司主要根据已有客户订单需求及对市场未来需求的预测情况制定采购与生产计划。报告期末，公司存货的账面价值为128,156.76万元，占总资产的比例为26.71%，存货规模及占比相对较高。
　　存储芯片作为通用型电子产品，受宏观经济周期、下游终端需求波动及供应链产能变化等因素影响，其产品价格呈现明显的周期性波动特征。公司严格按照企业会计准则，基于存货成本与可变现净值孰低的原则对存货计提跌价准备，报告期末公司存货跌价准备余额为6,981.88万元。
　　若未来宏观经济环境发生不利变化、下游终端市场需求不及预期、市场竞争格局加剧，或公司未能有效拓宽销售渠道，可能导致公司产品滞销或存货积压。在此情况下，公司可能需要进一步计提存货跌价准备，进而对公司的盈利能力与整体财务状况造成重大不利影响。
　　（五）行业风险
　　公司所处的集成电路设计行业属于典型的资本及技术密集型产业，受全球宏观经济波动及上下游供需结构变化的影响显著，特别是存储芯片行业存在较为明显的周期性波动特征。尽管公司的NAND Flash、NOR Flash及DRAM等产品已广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制及汽车电子等多个领域，应用场景的多元化在一定程度上增强了公司抵御单一市场波动的能力，但如果未来宏观经济发生较大波动或呈现下行趋势，导致下游终端市场整体需求低迷或行业增长放缓，该等不利影响仍将不可避免地传导至存储芯片市场，进而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　此外，受国家产业政策鼓励及市场需求驱动，国内存储芯片行业快速发展，市场参与者数量不断增多，行业竞争日益加剧。一方面，行业内现有企业不断结合自身优势拓展市场边界；另一方面，部分领域的同质化竞争可能对公司产品的综合毛利率水平带来挑战。若未来公司无法准确把握市场动态及行业发展态势，在日益激烈的竞争格局中未能有效巩固和提升自身的市场地位与份额，将对公司的经营规模和盈利能力产生不利影响。
　　（六）宏观环境风险
　　近年来，全球宏观环境复杂多变，地缘政治博弈加剧，部分国家和地区持续出台贸易保护主义政策与出口管制措施，对我国集成电路等高新技术产业的发展带来严峻挑战。集成电路行业具有全球化分工协作程度深、产业链条长的显著特征，若未来国际贸易环境进一步恶化，相关国家的贸易摩擦与科技限制持续升级，可能加剧全球半导体产业链的波动与重构。在此背景下，公司可能面临上游供应链阻滞、产业链上下游交易成本增加以及更为严格的国际贸易合规要求等风险，进而对公司的正常采购、生产、销售及整体经营业绩产生重大不利影响。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过控制存储单元的电荷状... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM及衍生产品MCP。
　　（1）NANDFlash
　　NANDFlash即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量NANDFlash，包括MLC、TLC及3DNANDFlash等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量NANDFlash，以SLCNANDFlash为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司NANDFlash产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G模块、光猫）、企业级网关、智能监控、数字录像机、录音笔、词典笔、智能穿戴（手表、手环、AI眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至32Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司SPINANDFlash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与DTR访问模式，具备高数据吞吐率，深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性标准已从工业级跨越至车规级。
　　（2）NORFlash
　　NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列采用并联结构，支持按位随机读取与芯片内执行，具备读取速度快、启动时间短等特点，能够满足应用系统对快速启动与及时响应的需求。
　　公司专注大容量、低功耗SPINORFlash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NORFlash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
　　（3）DRAM
　　DRAM是市场主流的易失性存储芯片，利用电容充放电状态实现数据存储。凭借高存取速度与大带宽优势，常作为系统主存、运行内存，用于临时存放运算数据与指令。
　　公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，公司自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
　　（4）MCP
　　MCP是将非易失性存储芯片与易失性存储芯片集成于单一封装内的存储解决方案，能够协同实现数据存储与处理功能。
　　公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8VSLCNANDFlash与低功耗DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等主流平台通过认证，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。产品规格丰富，DRAM类型涵盖LPDDR1、LPDDR2及LPDDR4X，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过集成技术，有效简化了系统走线设计，显著节省PCB布板空间，在提升产品稳定性与集成度的同时，降低了整体系统成本，特别适用于对空间要求严苛的小型化电子设备。
　　（5）技术服务
　　公司拥有完全自主知识产权，构建了涵盖芯片设计、版图设计、测试验证、应用分析、工艺整合、质量管控及技术支持的全方位专业团队。依托深厚的技术积累，公司能根据客户特定需求，提供定制化的存储芯片设计服务及整体解决方案，有效协助客户缩短开发周期、降低研发成本、加速产品导入，显著提升开发效率和成功率。
　　在定制化服务过程中，公司持续深化市场需求洞察与客户反馈收集，建立了“研发-转化-创新”的良性循环机制，推动公司技术实力稳步提升。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
　　根据WSTS的2025年秋季预测数据，2025年全球半导体市场规模约为7,722.43亿美元，同比增长约22.5%，其中存储芯片市场规模约为2,115.68亿美元，同比增长约27.8%；预计未来市场将继续呈增长态势，预计2026年全球半导体市场规模将进一步增长至约9,754.60亿美元，同比增长约26.3%，2026年存储芯片市场规模预计达到2,948.21亿美元，同比增长约39.4%。全球半导体行业在经历阶段性调整后，逐步回暖，开启新一轮上行周期，其中存储芯片作为核心增长引擎，受益于人工智能应用、数据中心等需求拉动，增速显著高于行业整体水平。
　　当前，存储芯片行业正处于由技术创新驱动的结构性复苏阶段。随着人工智能、云计算等技术的广泛应用，存储芯片市场呈现出需求多元化、应用精细化的基本特点。行业增长动力已从单一的消费电子驱动，转变为由云端算力建设与端侧设备智能化升级共同驱动的新格局。
　　从需求演变来看，人工智能技术的突破首先带动了数据中心及服务器领域对大容量、高性能存储芯片的强劲需求。随着AI应用场景向边缘端延伸，其带动效应已从消费电子领域拓展至工业控制、汽车电子等更广泛的市场。智能手机、可穿戴设备以及各类智能工业终端、新能源汽车电子系统在集成智能化功能的过程中，对存储芯片在特定容量区间内的可靠性、低功耗及环境适应性提出了更高要求。这一趋势有效带动了具备高稳定性与差异化性能的中小容量存储芯片在多领域的渗透与应用，市场需求呈现出从云端数据中心向多元化终端应用扩散的特征。
　　在具体应用领域方面，下游市场的边界正在不断拓展。网络通讯与安防监控领域受数字化转型及设备迭代影响，对存储芯片的兼容性与供货连续性保持刚性需求。同时，可穿戴设备、智能家居等消费电子市场的创新，也为具备差异化性能的存储产品提供了新的应用空间。智能汽车领域已成为存储芯片的重要增长点，随着智能座舱及高级驾驶辅助系统（ADAS）的渗透率提升，单车存储容量显著增加，且对产品在复杂环境下的可靠性和稳定性提出了更高标准。
　　从主要技术门槛来看，存储芯片行业具有技术密集、资金密集的特点。随着应用场景的细化，技术竞争的维度更加多元。在持续推进制程技术演进的同时，产品可靠性与场景适配能力的重要性日益凸显。企业需要攻克高速读写、低功耗设计、高可靠性封装及车规级认证等多项技术壁垒，以满足下游客户对产品在复杂环境下的稳定性和数据安全性要求，这对企业的研发积累、工艺控制能力及长期供应链管理能力构成了较高门槛。
　　综上所述，在人工智能算力建设持续投入以及终端设备智能化浪潮的双重驱动下，存储芯片行业迎来了新一轮的发展机遇。下游应用市场的多元化拓展为行业提供了广阔的增长空间，具备技术积累与市场布局优势的企业有望在这一过程中实现持续发展。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司是目前中国大陆少数同时具备NANDFlash、NORFlash、DRAM三大存储芯片自主研发设计能力的企业，在中小容量存储芯片领域建立了全面的产品布局。在SLCNANDFlash领域，公司持续推进技术迭代，最先进制程已推进至1xnm水平，体现了公司优秀的设计能力和工艺整合技术水平。依托成熟稳定的产品矩阵，公司产品在可靠性、兼容性等方面表现优异，已获得国内外知名企业及下游应用领域头部客户的高度认可，在中小容量存储市场占据了重要的市场地位。在NORFlash与DRAM领域，公司坚持差异化竞争策略。NORFlash产品制程达到48nm行业先进水平，凭借优异的可靠性和宽温工作特性，在对可靠性要求较高的细分市场稳步拓展应用。此外，公司NAND产品与DRAM产品形成有效协同，结合MCP（多芯片封装）技术，为客户提供高集成度、小型化的存储解决方案。这种多元化的产品组合有效满足了客户的一站式采购需求，增强了客户粘性，构筑了坚实的竞争壁垒。
　　面对行业周期性波动与日益激烈的市场竞争，公司积极实行“存、算、联”一体化战略。在稳固存储主业的基础上，公司依托技术积累，积极布局Wi-Fi7等无线通信芯片赛道。这一布局旨在实现业务结构的多元化发展，通过产品线的横向拓展，有效平滑存储行业的周期性业绩波动，同时也为公司面向智能终端与网络设备客户提供更多样化的解决方案创造了有利条件。
　　未来，公司将继续坚持自主创新的发展道路，紧抓国产替代与下游应用智能化升级的市场机遇。公司将持续推进制程技术迭代，加快车规级与工业级产品的认证与导入，进一步巩固在中小容量存储芯片领域的竞争优势；同时稳步推进“存、算、联”一体化战略，不断提升公司的行业影响力和综合竞争力，致力于成为国内领先的芯片设计与解决方案供应商。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）NANDFlash
　　当前SLCNANDFlash主流工艺仍以2xnm制程为核心，并持续向更先进节点演进。公司等国内厂商已在1xnm工艺节点实现量产突破，推动了国产替代进程的加速。国际大厂如美光、铠侠虽仍主导市场，但国内企业通过持续的工艺优化与成本控制，在消费电子、网络通信等领域的市场份额持续提升。
　　随着下游应用市场对存储容量与可靠性要求的提升，SLCNANDFlash凭借高耐久性、低误码率等优势，正加速向网络通信、工业控制、汽车电子等领域渗透。同时，在智能家居、可穿戴设备、医疗电子等新兴市场，其应用边界不断拓展。
　　从需求端来看，网通设备迭代升级、安防监控智能化、物联网生态扩张等因素持续拉动存储需求；在智能穿戴等细分领域，SLCNANDFlash在代码存储等场景中凭借更快的擦写速度与更高的存储密度，对NORFlash形成了一定替代，推动了相关细分市场的结构性变化。
　　从供给端看，行业产能格局持续调整。全球领先的存储器制造商三星已宣布其MLC产品进入生命周期终结（EOL）阶段，其他主要厂商如铠侠、SK海力士及美光的MLC产线多以服务既有客户为主，缺乏扩产动力。这一趋势加速了全球2DNAND产能的出清，推动行业向3DNAND及先进DRAM主导的时代迈进。对于国内存储厂商而言，国际大厂的产能战略调整带来了重要的结构性市场机遇，公司有望凭借在先进制程的技术积累与产能布局，进一步扩大市场份额。
　　（2）NORFlash
　　NORFlash目前的主流工艺制程为55nm，广泛应用于智能手机、PC、DVD、TV、USBKey、机顶盒、物联网设备等代码闪存领域，是嵌入式系统代码存储的首选方案。串行接口（SPI）NORFlash因设计简洁、成本更低，随着工艺进步已能满足多数系统需求，逐渐成为系统方案商的主流选择，在市场集中度不断提升的背景下，成本优化成为行业共同追求的目标。目前市场上ETOX架构应用广泛，部分厂商通过SONOS、NORD等差异化技术路径实现成本控制。国内企业凭借高性价比产品持续切入市场，并通过产品容量升级与制程迭代，逐步构建起竞争优势。
　　展望未来，全球AI技术的快速发展为NORFlash市场注入了新的增长动力。AI时代对SoC中的CPU、NPU、GPU性能要求提升，推动NORFlash向高带宽、低延迟方向演进，以满足代码存储与快速启动需求。在AIPC领域，BIOS代码量增长驱动NORFlash容量升级；在AI眼镜等轻量化场景中，低功耗存储方案获得更多应用，单机NORFlash用量显著提升；TWS耳机主动降噪、空间音频等功能推动容量的不断提升；物联网终端设备的普及亦为市场提供了稳定的基础需求。公司将顺应市场趋势，持续进行产品迭代，以满足智能化时代对NORFlash存储芯片的新需求。
　　（3）利基型DRAM
　　利基型DRAM是半导体存储市场的重要细分领域，当前以DDR3、小容量DDR4及LPDDR4X等产品为主，技术路线聚焦于稳定性和兼容性而非追求极致性能指标。需求侧主要受三大领域支撑：消费电子中的智能电视与机顶盒、工业控制中的安防监控与工控设备、以及汽车电子中的车载信息娱乐与基础ADAS模块。值得注意的是，当前汽车电子对存储性能的需求尚未进入高速迭代周期，车规级产品更强调在极端温度范围（如-40℃至125℃）下的稳定性和长期运行的可靠性。在市场供需格局方面，三星、SK海力士、美光等国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM等高性能、高附加值存储领域倾斜，这在利基型DRAM市场形成了显著的供给缺口，为中国大陆及中国台湾的供应商创造了战略发展机遇。随着物联网终端设备数量突破百亿级，叠加传统电子设备存储升级需求，利基型DRAM市场展现出区别于标准存储市场的强抗周期属性。
　　从技术发展趋势来看，利基型存储产品开始出现定制化存储方案，通过3D堆叠技术将存储单元与主控芯片集成，可缩短信息传递路径，提升数据传输效率，实现近存计算。该方案具有高带宽、高经济效益的优势，无需PCB走线，进一步节省面积、降低功耗，适用于低功耗、高带宽及中低容量内存需求的场景，如可穿戴设备、边缘服务器、监控设备、ADAS及协作机器人等。公司正密切关注相关技术发展趋势，并持续推进产品线丰富与性能优化，以更好地满足客户在多元应用场景中的存储需求。
　　
　　二、经营情况讨论与分析
　　2025年度，公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期，供需结构持续优化，产品销售价格稳步回升。在此背景下，随着5G基站建设的持续推进、智慧城市建设带动的安防设备升级、智能穿戴设备的功能创新、以及汽车电动化与智能化的产业浪潮，公司产品所面对的网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子等下游应用领域需求整体呈现复苏与结构性增长。面对上述持续向好的市场机遇，公司积极把握行业发展态势，坚定深耕存储芯片主业，通过有效的市场策略与客户拓展，带动了公司营业收入与盈利能力的同步提升。2025年度公司实现营业收入9.21亿元，同比增加43.76%；营业利润-2.12亿元，亏损增加25.49%；归属于母公司所有者的净利润-1.95亿元，亏损增加16.54%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-2.22亿元，亏损增加10.62%。随着产品销售价格的回升，整体毛利率较上年同期相比大幅提升，各季度毛利率均实现环比增长，存储板块业务已实现盈利。
　　（一）夯实存储技术基础，持续健全产品体系
　　公司聚焦主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等应用领域提供多样化、高品质的存储产品解决方案。
　　报告期内，公司研发费用投入达2.16亿元，占当期营业收入的23.43%，金额同比增加1.24%。公司继续巩固在SLCNANDFlash领域的技术领先优势，积极推进存储产品升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。公司稳步推进2xnm制程SLCNANDFlash系列产品研发，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号，满足市场多样化需求。
　　公司基于48nm及55nm制程，持续推进64Mb～2Gb中高容量NORFlash产品的研发，针对不同容量的目标客户群体进行精准定位，实现了性能、功耗与性价比的合理平衡。随着NORFlash产品线的持续迭代与丰富，公司为可穿戴设备、安防监控、物联网及汽车电子等领域客户提供更多样化、更高可靠性的产品选择。
　　在DRAM领域，公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产，并持续完善新产品研发布局。公司产品凭借小尺寸封装、低电压设计及宽温适应性，覆盖消费电子、工业及汽车电子等多元化应用场景，在移动设备轻薄化、工业场景高可靠性及AIoT数据处理需求中展现出技术优势。公司将继续拓宽DRAM产品线，推动产品矩阵多元化发展。
　　公司目前可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种容量组合的MCP产品，广泛应用于5G通讯模块、车载模块等领域。公司持续研发更多容量组合方案，通过自研SLCNANDFlash与DRAM的高效集成，打造兼具成本优势与性能稳定性的MCP产品，为客户提供更多样化的选择。
　　在车规级存储领域，公司持续提升产品可靠性水平，稳步推进研发及产业化进程，着力构建高附加值的车规产品矩阵。报告期内，公司SLCNANDFlash、NORFlash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充，更多型号顺利通过AEC-Q100验证；同时，公司已将车规标准前置融入整体研发体系，全面提升产品的车规级可靠性。公司不断完善汽车行业研发及供应链质量管理流程，成功通过了IATF16949:2016质量管理体系第三方符合性认证。公司加速车规客户导入与销售落地，已成功完成国内多家整车厂的白名单导入，并通过海内外Tier1供应商在多款车型中实现规模量产；相关产品应用于通信及远程控制系统、激光雷达、机器视觉、电池DMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。
　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新增申请发明专利4项、新增授权发明专利23项、获得集成电路布图设计权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注册商标16项。公司专利涉及NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。公司将继续秉持“技术驱动发展”的战略理念，维持高强度研发投入，深化核心技术自主可控能力。
　　（二）搭建“存、算、联”一体化生态，开辟第二增长路径
　　公司持续深化“存、算、联”一体化战略布局，依托技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起涵盖存储芯片、计算芯片、通信领域的多元化技术生态体系。凭借该体系的协同优势，公司培育第二增长曲线，为未来业绩增长注入强劲新动能。
　　在“联接”芯片领域，公司正持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司把握国产高端Wi-Fi芯片替代机遇，精准切入技术壁垒较高的路由、高端黑电透传及车载类Wi-Fi等细分赛道。Wi-Fi7技术作为下一代无线连接核心，凭借更高带宽、更高调制效率及MLO多链路操作特性，可实现传输速率约2至3倍的提升，并将平均延迟降低约80%，能有效满足未来智能终端、AR/VR及云游戏等应用对高速无线连接的严苛要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景。报告期内，公司已完成原型机样片测试，其核心性能符合设计目标。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案，积极培育业绩增长新动能。
　　在“计算”芯片领域，公司通过战略投资切入高性能GPU赛道，构建多元化增长引擎。公司于2024年通过自有资金2亿元战略投资上海砺算，并于2025年追加投资约2.11亿元，持续深化在高性能GPU领域的战略布局。上海砺算专注于多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持核心IP自研，在GPU架构设计等关键技术环节拥有完整的自主知识产权，有望打破国际巨头在高端图形渲染领域的长期垄断，解决国产替代的迫切需求。2025年，上海砺算首款自研GPU芯片“7G100”首次流片成功，少量显卡已交付客户。截至目前，其产品量产及销售拓展等工作正按计划有序开展。
　　公司将在存储、计算、联接三大赛道持续深耕协同发展，以存储芯片为核心基本盘，不断提升技术实力与产品竞争力，同时积极拓展计算与通信领域的技术布局，通过三大板块的协同联动，实现资源互补、技术共享与生态共建，打造更具竞争力的多元化业务体系，推动公司整体价值持续提升。
　　（三）深化产业协同，保障产能稳定与品质交付
　　公司作为Fabless设计公司，高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好沟通协作，通过签署并执行产能保证协议等方式深化上下游合作，为业务发展提供产能保障，同时坚持“双轨并行”发展策略，积极拓展境内外双代工模式以满足不同客户需求，并与国内外知名封测厂建立稳定合作关系，确保供应链持续稳定。在营运管理方面，公司深化关键指标管理体系，聚焦供应链管理、生产调度及客户服务等维度，持续优化流程效率，提升运营管理水平，全面推进质量体系建设，强化全员质量文化与流程闭环，数字化与信息安全体系持续升级。
　　（四）强化人才队伍建设，完善激励约束机制
　　公司始终坚持“以人为本”的发展理念，视人才为企业发展的核心驱动力，致力于打造高素质、专业化的核心团队。报告期内，公司持续优化人才梯队建设，构建了完善的内部培训体系，通过多层次的管理、业务及技术培训，全面提升员工综合素质与专业能力。在激励机制方面，公司不断完善薪酬与绩效考核体系，建立健全长效激励约束机制，实现股东利益、公司利益与核心团队个人利益的深度绑定。公司已连续四年推行股权激励计划，报告期内顺利实施了2025年度股权激励方案，并完成了2023年、2024年限制性股票激励计划相关归属期的股份登记工作。持续的激励落地有效稳固了优秀人才队伍，充分调动了核心团队的积极性与创造力，增强了团队凝聚力，为公司的健康长远可持续发展夯实了人才基础。
　　（五）完善公司治理体系，维护股东合法权益
　　公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，建立健全各项内部控制制度。在此基础上，公司积极顺应《公司法》《上市公司治理准则》的最新修订趋势，结合实际情况对内部治理制度进行梳理与修订，持续完善法人治理结构，明确决策、执行、监督等方面的职责权限，形成科学有效的职责分工和制衡机制，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整、及时、公平，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，公司建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，确保各项经营活动的合规性与有效性，切实保障公司和股东的合法权益。
　　公司高度重视投资者关系管理，始终将维护股东利益作为核心工作之一。公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件、投资者热线等多种渠道，构建了多层次的沟通机制，全面而多角度地保持公司的高运营透明度。这些举措保障了广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。通过高质量的互动交流，公司积极听取投资者建议，不断优化治理水平，切实维护全体股东的合法权益。
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来专注于中小容量存储芯片的独立研发、设计与销售，是中国大陆少数可同时提供NANDFlash、NORFlash及DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。
　　（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力
　　依托研发团队在电路设计、工艺制造及封装测试等领域的多年深厚积累，公司以客户需求为导向，构建了覆盖短、中、长期的多层次产品线开发规划，并持续完善系统化研发平台，为产品快速迭代与工艺技术演进奠定坚实基础。经过多年技术沉淀与研发投入，公司在NANDFlash、NORFlash及DRAM等存储芯片的核心设计环节已形成自主研发能力与核心技术体系，通过持续创新积累了多项关键技术成果。
　　（2）稳定可靠的供应链体系
　　公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，确保供应链高效运转与产品质量稳定。报告期内，公司进一步优化产业链结构，深化与国际一流晶圆代工厂的合作，与战略合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展长期技术协同，并加大测试模型与向量研发投入，显著提升了晶圆良率与生产效率。公司与境内外知名封测厂保持稳定合作，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。
　　（3）完善的质量和服务体系
　　公司以“品质、竞争力、客户满意、持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务管理水平，为全球客户提供高效即时的技术支持。报告期内，公司持续优化项目管理系统，完善客户反馈电子化平台，升级车规级质量管理体系，强化产品可靠性与生产制程监控。公司通过组建专业客户服务团队，将服务理念贯穿产品全生命周期，形成闭环管理机制，持续提升客户服务能力。
　　（4）优秀的人才队伍
　　集成电路设计行业为技术密集型领域，公司自创立以来坚持“以人为本、创新发展”理念，高度重视半导体领域研发与管理人才的培养储备。通过社招、校招、内推及内部培养等多元化渠道，已构建起梯队合理、经验丰富、技术底蕴深厚的研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员206人，占公司总人数的64.58%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数97.57%。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富产业经验和专业管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。
　　（5）自主清晰的知识产权
　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过持续研发创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注册商标16项。
　　(二)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NANDFLASH、NORFLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，申请中国发明专利4项，获得发明专利授权23项（其中中国发明专利14项，美国发明专利4项，韩国发明专利5项）；申请实用新型专利1项；申请集成电路布图设计权5项，获得集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项，获得注册商标4项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注册商标16项。
　　截至报告期末，公司累计申请境内外专利196项，获得专利授权136项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给予国际公布的PCT申请数量。
　　
　　四、风险因素
　　(一)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　2025年度，公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期，供需结构持续优化，产品销售价格稳步回升。在此背景下，随着5G基站建设的持续推进、智慧城市建设带动的安防设备升级、智能穿戴设备的功能创新、以及汽车电动化与智能化的产业浪潮，公司产品所面对的网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等下游应用领域需求整体呈现复苏与结构性增长。面对上述持续向好的市场机遇，公司积极把握行业发展态势，坚定深耕存储芯片主业，通过有效的市场策略与客户拓展，带动了公司营业收入与盈利能力的同步提升。
　　同时，公司围绕“存储”核心业务，在“存、算、联”一体化领域持续进行技术布局，导致研发费用金额较大。除了推动SLCNANDFlash产品迭代升级，实现1xnm闪存产品量产、丰富NorFlash产品系列、完善DRAM产品线、推进车规级存储产品研发与产业化外，公司持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发，目前已完成原型机样片测试。
　　此外，公司2024年通过自有资金2亿元战略投资从事图形渲染GPU芯片研发设计的上海砺算，并于2025年追加投资约2.11亿元。报告期内上海砺算首款自研GPU芯片“7G100”首次流片成功，少量显卡已交付客户，产品量产及销售拓展等工作正在正常开展中。公司对上述投资以权益法核算，2025年度确认的投资亏损约16,600万元。报告期内，公司实现营业收入92,142.53万元，同比增长43.76%；归属于母公司所有者的净利润-19,479.37万元，同比亏损增加2,765.18万元，亏损增加16.54%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-22,200.17万元，同比亏损增加2,131.21万元，亏损增加10.62%。报告期内，受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期，中小容量存储芯片市场供需结构持续优化，产品销售价格企稳回升。公司紧抓行业发展机遇，坚定深耕存储芯片主业，带动营业收入与主营业务盈利能力同步提升。然而，公司围绕“存、算、联”一体化战略的前瞻性技术布局尚处于投入期，较高水平的研发投入及对外投资亏损使得公司当期利润承压。
　　未来，若宏观经济复苏不及预期或下游终端市场需求放缓，导致公司产品销量下滑或销售价格回落；或公司前瞻性研发项目的产业化进程不及预期，导致研发投入与收入增长产生节奏错配；亦或对外投资项目未能如期实现收益甚至持续产生大额亏损，则公司存在业绩下滑或亏损进一步扩大的风险。
　　(二)核心竞争力风险
　　1、技术升级及产品迭代风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集、产品升级迭代迅速的特点，持续的创新研发是保持竞争优势的关键。若公司未能精准把握技术趋势，或产品迭代速度滞后于行业发展及客户需求变化，将可能导致新老产品衔接不畅、收入增长动能减弱，进而削弱市场竞争力并对经营业绩产生负面影响。
　　2、研发失败或产业化进展不及预期风险
　　集成电路设计行业技术门槛高、研发投入大、产品研发周期长，芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践。研发过程较为复杂，存在不确定性，研发项目可能存在研发失败或产业化失败的风险，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。
　　3、人才流失风险
　　集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。若公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。
　　4、核心技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程，并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。
　　(三)经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。
　　未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲等国家和地区。
　　未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　(四)财务风险
　　1、业绩波动风险
　　宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司主要根据已有客户订单需求及对市场未来需求的预测情况制定采购与生产计划。报告期末，公司存货的账面价值为106,556.64万元，占总资产的比例为27.75%，存货规模及占比相对较高。
　　存储芯片作为通用型电子产品，受宏观经济周期、下游终端需求波动及供应链产能变化等因素影响，产品价格呈现周期性波动的特征。公司按照会计政策，基于存货成本与可变现净值孰低的原则对存货计提跌价准备，报告期末公司存货跌价准备余额为7,648.09万元。
　　若未来宏观经济环境发生不利变化、下游终端市场需求不及预期、市场竞争格局加剧，或公司未能有效拓宽销售渠道，可能导致产品滞销、存货积压，从而导致存货跌价损失增加，进而对公司的盈利能力产生不利影响。
　　(五)行业风险
　　公司所处的集成电路设计行业属于资本及技术密集型行业，受全球宏观经济波动、上下游供需结构变化等因素影响，特别是存储芯片行业存在较为明显的周期性波动特征。虽然公司NANDFlash、NORFlash及DRAM等产品已广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等多个领域，应用场景的多元化在一定程度上增强了公司抵御单一市场波动的能力，但如果未来宏观经济发生较大波动或存在下行趋势，导致下游终端市场整体需求低迷或出现行业性的增长放缓，仍将不可避免地传导至存储芯片市场，进而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　此外，受国家产业政策鼓励及市场需求驱动，国内存储芯片行业快速发展，市场参与者数量不断增多，市场竞争日益加剧。一方面，行业内现有企业不断结合自身优势拓展市场边界；另一方面，同质化竞争可能对公司产品的综合毛利率水平带来挑战。如果未来公司无法准确把握市场动态及行业发展态势，在日益加剧的行业竞争格局中未能有效巩固和提升自身的市场地位与份额，将对公司的经营规模和盈利能力产生一定影响。
　　(六)宏观环境风险
　　近年来，全球宏观环境复杂多变，地缘政治博弈加剧，部分国家和地区持续出台贸易保护主义政策与出口管制措施，对我国集成电路等高新技术产业的发展带来挑战。集成电路行业具有全球化分工协作程度深、产业链条长的显著特征，若未来国际贸易环境进一步恶化、相关国家贸易摩擦与科技限制持续升级，可能加剧全球半导体产业链的波动与重构，导致公司面临上游供应链阻滞、产业链上下游交易成本增加以及更为严格的国际贸易合规要求等风险，进而对公司的正常采购、生产、销售及整体经营业绩产生不利影响。
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入92,142.53万元，较上年同期增长43.76%；归属于上市公司股东的净利润-19,479.37万元，同比亏损增加2,765.18万元，亏损增加16.54%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-22,200.17万元，同比亏损增加2,131.21万元，亏损增加10.62%。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)公司发展战略
　　公司秉持“提供可靠高效的存储产品及设计方案”的使命，致力于巩固并提升在中国存储芯片设计领域的领先地位。公司将以“存、算、联”一体化为战略引领，在巩固存储核心业务优势的基础上，前瞻性地布局计算与联接技术，通过横向拓展与生态协同，构建多元增长、韧性强劲的产业格局。
　　公司将深度聚焦存储芯片主业，以NANDFlash、NORFlash、DRAM及MCP等产品线为根基，持续深化在网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等关键市场的渗透，以高可靠性产品与差异化解决方案巩固行业领先优势。同时，公司将以存储技术为根基，积极向“存、算、联”一体化方向进行技术延伸与生态拓展，推动产品结构向更高价值领域迈进，应对行业周期波动，培育多元业务增长极。
　　为实现战略目标，公司将持续强化自主创新驱动、全链条质量管控、全球化供应链协同以及高端人才建设，不断巩固技术护城河，提升全球市场竞争力与可持续发展能力，为客户、股东及产业伙伴创造持续价值。
　　(二)经营计划
　　展望2026年，面对全球半导体产业复苏分化与AI驱动的结构性增长机遇，公司将继续围绕发展战略，通过持续的技术创新、精准的市场开拓、稳健的供应链保障、有效的人才建设及完善的公司治理，推动业务健康可持续发展。具体计划如下：
　　1、深化技术创新与产品迭代
　　公司将继续保持高水平的研发投入，持续推动核心技术自主可控与产品迭代升级。公司将聚焦制程工艺、可靠性、低功耗等关键性能的提升，推动核心技术迭代升级，不断巩固技术“护城河”。同时，公司将依托现有技术积累，积极向“存、算、联”一体化方向进行技术布局与突破，探索通信芯片及计算芯片等新领域，逐步构建多元化的芯片解决方案能力。
　　2、推进市场拓展与客户深耕
　　公司坚持以市场需求为导向，在稳固与现有头部客户合作的基础上，积极拓展新客户、新应用场景。在存储产品领域，公司将紧抓智能终端容量升级、国产化替代等市场机遇，持续提升市场份额。同时，公司将积极拓展汽车电子、人工智能、物联网等新兴应用市场，扩大产品应用边界。公司将通过优化产品组合与营销策略，提升客户粘性，不断增强市场影响力。
　　3、优化供应链管理与产能保障
　　公司将坚持“本土深度、全球广度”的供应链建设理念，深化与国内外主流晶圆制造、封装测试厂商的战略合作伙伴关系。通过动态优化产能分配、拓展多元化供应渠道，公司致力于构建韧性强劲、成本可控的供应链体系，以保障生产交付的稳定性，提升对市场波动及行业周期的应对能力，为业务稳定增长提供坚实支撑。
　　4、夯实人才队伍基础与激励机制
　　公司将人才视为核心资源，持续优化人才引进、培养与激励机制。通过完善薪酬福利体系和职业发展通道，公司致力于吸引和留住优秀技术与管理人才，打造一支结构合理、专业过硬、富有创新活力的核心团队，为公司长期战略的实施提供坚实的人才支撑。
　　5、强化公司治理与合规运营
　　公司将继续严格按照法律法规和监管要求，完善公司治理结构，健全内部控制与风险管理体系。公司将切实履行信息披露义务，加强与投资者的沟通，保障信息透明、公平、公正。通过持续提升治理水平与规范运作能力，公司致力于实现长期稳健发展，切实维护全体股东利益。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR F... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：
　　（1）NAND Flash
　　NAND Flash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NAND Flash主要为MLC、TLC NAND Flash或3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NAND Flash主要是SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
　　（2）NOR Flash
　　NOR Flash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
　　公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPI NOR Flash，自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。
　　（3）DRAM
　　DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。
　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
　　（4）MCP
　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。
　　公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLC NAND Flash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间，降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。
　　（5）技术服务
　　公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。
　　（三）所处行业情况
　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
　　Yole Group的报告显示，得益于人工智能对于存储芯片及HBM需求的大涨，预计2025年全球存储芯片市场销售额将由2023年960亿美元增长到超2340亿美元。预计2023年到2029年间的年复合增长率达16%。经历了此前的周期性下行，存储市场自2024年起进入明确的上行周期，2025年进一步回暖，DRAM、NAND Flash等主流存储芯片价格企稳并稳步回升，随着如网络通信、消费电子等下游应用领域景气度回升，行业库存水位已降至相对健康水平，供需格局明显改善。
　　从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据Yole Group的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2,630亿美元。随着新能源汽车的不断发展，存储芯片在通信及远程控制系统、ADAS系统、座舱预控系统等环节被广泛使用。数据显示，2023年全球汽车存储芯片市场规模为47.6亿美元，预计到2028年将达到102.5亿美元。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，存储芯片在汽车中的应用场景将更加广泛，市场需求将持续扩大。人工智能技术的大规模应用也正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动HBM、3D NAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。随着AI从云端走向终端，端侧AI具备低延迟、高隐私、低带宽成本等优势，正在驱动新一轮智能终端革命，根据中研普华数据，2025年中国端侧AI市场规模预计突破2500亿元，2030年将达1.2万亿元，年复合增长率（CAGR）30.8%。
　　在国家信息安全和供应链自主可控的战略驱动下，存储芯片的国产化替代浪潮正澎湃汹涌。过去几年，国际贸易环境的变化深刻凸显了构建自主存储产业链的极端重要性。我国作为全球最大的电子产品生产国和存储芯片消费市场，存储芯片的自给率却长期处于低位，存在巨大的国产替代空间。国家层面持续加大政策扶持力度，从资金、技术、市场等多维度为本土存储企业提供了前所未有的发展契机。
　　报告期内，存储市场进一步回暖，下游客户消化库存进程基本结束，为满足自身生产销售的需要，下游需求出现实质性增长。AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量的3D NAND Flash以及HBM和DDR5，陆续宣布新一轮的减产或控产计划，在SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4的投入逐渐减少并持续减产。这一系列操作进一步加剧了DDR4市场的供需失衡状况，从而推动价格持续攀升。低容量eMMC也随着海外厂商退出MLC NAND市场导致货紧价扬，加速相关应用容量升级。随着MLC NAND供应逐步紧张，未来将加速电视机、安防、销售点终端、机顶盒等应用终端存储容量进一步升级。随着海外大厂的陆续退出，以及国产化需求的不断提高，公司在相关领域的市占率有望持续提升，迎来良好的发展契机。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年上半年，随着下游库存去化明显以及行业需求逐步修复，工业类市场需求逐步修复，AI端侧、高性能计算（HPC）等长期需求支持的背景下，叠加海外头部大厂产品结构调整，半导体市场逐步恢复增长态势。公司努力把握市场机遇，积极匹配客户需求提升市场份额，公司主营业务产品需求及销售价格已逐步回升，盈利状况有所改善，2025年上半年公司实现营业收入3.43亿元，同比上升28.81%，第二季度营业收入环比增长41.11%；毛利率为18.76%，比去年同期增长5.45个百分点。
　　2025年上半年公司Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，已投资的GPU板块尚未实现营收，归属于母公司股东的净利润为-11,096.85万元，属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-12,672.40万元。
　　报告期内主要业务情况：
　　（一）深耕存储技术布局
　　公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。
　　报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入的30.74%，金额同比持平。公司继续加强在SLC NAND Flash行业的技术领先优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。2xnm制程SLC NAND Flash产品系列研发持续推进，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号。
　　公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb-2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配。随着产品迭代升级，公司不断丰富NOR Flash产品矩阵，进一步强化了在高可靠性场景下的解决方案能力。
　　公司在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM等产品基础上，继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，目前主要围绕可穿戴，网络通信等应用领域，公司将持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。
　　公司目前已可以向客户提供4Gb+2Gb、4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发SLC NAND Flash与DRAM组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。
　　公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，着力构建高附加值的车规产品矩阵，公司SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100的验证，具备满足严苛车规级应用环境的能力。公司稳步推动车规客户的导入与销售，已经完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，并在多款车型中实现量产。公司产品在汽车电子中的应用领域包括通信及远程控制系统、ADAS系统、智能座舱域控系统、车身控制系统等。
　　报告期内，公司获得发明专利授权8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。
　　（二）深化“存、算、联”一体化发展体系
　　报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。
　　在联接芯片领域，公司正持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司发现Wi-Fi芯片市场蕴含显著增长潜力，尤其是Wi-Fi6/7技术在高带宽传输、高安全性保障、超低延迟响应及多设备并发接入场景中展现的核心优势，使其成为驱动该市场未来增长的关键技术方向。随着智能手机、笔记本电脑、物联网（IoT）终端、智能家电等联网设备规模的持续扩大，市场对Wi-Fi芯片组的需求呈现确定性增长态势，同时对无线连接的可靠性与传输速率提出更高要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景，可满足智能终端领域对高速无线连接的技术需求。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案。目前该产品研发项目进展符合预期。
　　在计算芯片领域，公司于2024年通过自有资金2亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。报告期内，上海砺算完成首款自研GPU芯片“7G100”的首次流片、晶圆制造及芯片封装，对产品的测试结果符合预期，目前正按计划进行客户送样以及量产工作。产品可应用于个人电脑、专业设计、AIPC、云游戏、云渲染、数字孪生等应用场景。
　　（三）构建“本土深度、全球广度”的供应链网络
　　公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺开发、产品设计、测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、盛合晶微、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。
　　（四）重视梯队化人才队伍建设
　　公司高度重视人才团队的建设，构建了完善的内部培训体系，积极为管理层及业务骨干开展管理、业务、技术方面的培训及学习，注重人才梯队化培养与建设。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，公司已连续三年实行股权激励计划。公司于2025年7月9日办理完成了公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期第一批次归属、2024年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期第一批次归属的股份登记手续。
　　（五）贯彻合规及可持续化发展经营理念
　　公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，并由审计委员会、内部审计部门共同组成公司的风险内控管理组织体系，对公司的内部控制管理进行监督与评价。
　　公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件等多种渠道，全面而多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等领域。在激烈的竞争中，公司构建起了以技术创新为引擎、供应链保障为基础、质量服务为支撑、人才团队为根本，同时高度重视知识产权的核心竞争力体系。
　　（1）以技术创新为引擎，持续完善研发体系
　　公司以技术创新为核心驱动力，基于研发团队在电路设计、工艺制造、封装测试等环节的深厚积累，建立了短、中、长期多层次开发计划，持续完善研发系统化平台，为产品快速迭代和工艺演进奠定基础。在NAND Flash领域，“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并基于2xnm制程扩充产品料号；在NOR Flash方面，基于48nm、55nm制程，研发64Mb-2Gb中高容量产品，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配；在DRAM领域，围绕可穿戴，网络通信等应用领域，持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。此外，公司通过自研SLC NAND Flash及DRAM组合，提供多样化的MCP产品，满足5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用需求。在车规级存储产品领域，公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP等产品通过AEC-Q100验证，完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，进一步拓展高附加值市场。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，人工智能技术的大规模应用，端侧AI应用的不断兴起，存储芯片的需求不断增长，公司将继续以技术创新引领行业发展，为客户提供更优质、多样化的存储解决方案。
　　（2）以供应链保障为基础，深化产业协同效应
　　公司坚持“本土深度、全球广度”的原则布局供应链，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外供应商建立互助、互利、互信的合作关系，确保供应链高效运转和产品质量。报告期内，公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度。公司通过签署产能保证协议、深化上下游合作，与战略合作伙伴携手应对市场波动，保障产能稳定。公司延续了和合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上的多年深度技术合作，持续在测试模型和测试向量上加大研发投入，有效提高了晶圆的产品良率和生产效率。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，满足不同客户的需求。此外，公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可提供多样化的芯片封装选择。未来，公司将继续以供应链保障为基石，深化产业协同，为全球客户提供稳定、可靠的产品和服务。
　　（3）以质量服务为支撑，提升全球客户的信赖
　　公司始终秉持“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针，以质量服务为支撑，不断优化服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务质量管理体系，致力于为全球客户提供高效、可靠的服务支持。报告期内，公司进一步完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，显著提升了客户需求的响应速度和处理效率。同时，公司建立了严格的车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度，努力为客户提供高可靠性的产品保障。公司将“客户服务”的理念贯穿于产品研发、生产、交付及售后的全生命周期，持续优化客户服务团队的管理能力。此外，公司积极引入先进的质量管理工具和方法，推动内部流程的标准化和精细化，为全球客户提供更具竞争力的产品和服务。未来，公司将继续以质量服务为支撑，深化质量管理体系创新，强化客户服务能力，持续增强全球客户的信赖与认可。
　　（4）坚持以人为本，健全长效激励机制
　　公司秉持“人才优先，服务发展，使用为本”原则，以市场需求与行业技术发展为导向，为核心技术储备人才制定培养计划，通过长期技术培训、专题讲座、团队技术专家“以老带新”等方式，提升员工专业素养、增强归属感与责任意识，扩充人才储备。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员206人，占公司总人数的63.19%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数约98.54%。报告期内，公司积极开展2023年股权激励计划首次授予部分第二个归属期以及2024年股权激励计划首次授予部分第一个归属期的股权归属工作，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，并已于2025年7月9日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成股份归属登记手续。
　　（5）保持高水平研发投入，坚持核心技术自主可控
　　为推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，公司持续保持高水平研发投入。报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入30.74%，金额较上年同期持平。同时，公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权。相关知识产权自主完整、权属清晰，为公司技术的持续创新和产品的市场竞争力提供了坚实保障。报告期内，公司获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。
　　截至报告期末，公司累计申请境内外专利191项，获得专利授权121项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给与国际公布的PCT申请数量；
　　2、“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入34,299.17万元，较上年同期增长28.81%；归属于上市公司股东的净利润-11,096.85万元，同比亏损金额增加1,984.74万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-12,672.40万元，同比亏损金额增加2,739.98万元。
　　五、风险因素
　　（一）业绩下滑或亏损的风险
　　2025年初以来，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等关键应用，有效推动了产品销售。报告期内，公司产品需求及销售价格已逐步回升，实现营业收入34,299.17万元，同比增长28.81%；归属于母公司所有者的净利润-11,096.85万元，同比亏损金额增加1,984.74万元；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-12,672.40万元，同比亏损金额增加2,739.98万元。
　　报告期内，公司持续保持高水平研发投入，推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，同时公司已投资的GPU板块尚未实现营收，公司的盈利水平进一步承压。若未来市场复苏不及预期，芯片去库存效果不佳以及持续的高研发投入，公司业绩存在下滑或继续亏损的风险。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、技术升级及产品迭代风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集、产品升级迭代迅速的特点，持续的创新研发是保持竞争优势的关键。若公司未能精准把握技术趋势，或产品迭代速度滞后于行业发展及客户需求变化，将可能导致新老产品衔接不畅、收入增长动能减弱，进而削弱市场竞争力并对经营业绩产生负面影响。
　　2、研发失败或产业化进展不及预期风险
　　集成电路设计行业技术门槛高、研发投入大、产品研发周期长，芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践。研发过程较为复杂，存在不确定性，研发项目可能存在研发失败或产业化失败的风险，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。
　　3、人才流失风险
　　集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。若公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。
　　4、核心技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。
　　未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲等国家和地区。
　　未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、业绩波动风险
　　宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期末，公司存货的账面价值为95,283.72万元，占总资产的比例为27.40%，占比较高。
　　存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。报告期内公司产品的市场价格有所恢复，但仍处于低位。报告期末形成存货跌价准备余额17,483.32万元。
　　如果未来公司客户需求持续低迷、市场竞争格局加剧、市场价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货跌价的风险。
　　（五）行业风险
　　公司为客户提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等多个领域。
　　受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。
　　（六）宏观环境风险
　　近年来国际贸易环境的不确定性增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。 收起▲