一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR F... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：
　　（1）NAND Flash
　　NAND Flash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NAND Flash主要为MLC、TLC NAND Flash或3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NAND Flash主要是SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
　　（2）NOR Flash
　　NOR Flash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
　　公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPI NOR Flash，自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。
　　（3）DRAM
　　DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。
　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
　　（4）MCP
　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。
　　公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLC NAND Flash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间，降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。
　　（5）技术服务
　　公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。
　　（三）所处行业情况
　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
　　Yole Group的报告显示，得益于人工智能对于存储芯片及HBM需求的大涨，预计2025年全球存储芯片市场销售额将由2023年960亿美元增长到超2340亿美元。预计2023年到2029年间的年复合增长率达16%。经历了此前的周期性下行，存储市场自2024年起进入明确的上行周期，2025年进一步回暖，DRAM、NAND Flash等主流存储芯片价格企稳并稳步回升，随着如网络通信、消费电子等下游应用领域景气度回升，行业库存水位已降至相对健康水平，供需格局明显改善。
　　从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据Yole Group的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2,630亿美元。随着新能源汽车的不断发展，存储芯片在通信及远程控制系统、ADAS系统、座舱预控系统等环节被广泛使用。数据显示，2023年全球汽车存储芯片市场规模为47.6亿美元，预计到2028年将达到102.5亿美元。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，存储芯片在汽车中的应用场景将更加广泛，市场需求将持续扩大。人工智能技术的大规模应用也正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动HBM、3D NAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。随着AI从云端走向终端，端侧AI具备低延迟、高隐私、低带宽成本等优势，正在驱动新一轮智能终端革命，根据中研普华数据，2025年中国端侧AI市场规模预计突破2500亿元，2030年将达1.2万亿元，年复合增长率（CAGR）30.8%。
　　在国家信息安全和供应链自主可控的战略驱动下，存储芯片的国产化替代浪潮正澎湃汹涌。过去几年，国际贸易环境的变化深刻凸显了构建自主存储产业链的极端重要性。我国作为全球最大的电子产品生产国和存储芯片消费市场，存储芯片的自给率却长期处于低位，存在巨大的国产替代空间。国家层面持续加大政策扶持力度，从资金、技术、市场等多维度为本土存储企业提供了前所未有的发展契机。
　　报告期内，存储市场进一步回暖，下游客户消化库存进程基本结束，为满足自身生产销售的需要，下游需求出现实质性增长。AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量的3D NAND Flash以及HBM和DDR5，陆续宣布新一轮的减产或控产计划，在SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4的投入逐渐减少并持续减产。这一系列操作进一步加剧了DDR4市场的供需失衡状况，从而推动价格持续攀升。低容量eMMC也随着海外厂商退出MLC NAND市场导致货紧价扬，加速相关应用容量升级。随着MLC NAND供应逐步紧张，未来将加速电视机、安防、销售点终端、机顶盒等应用终端存储容量进一步升级。随着海外大厂的陆续退出，以及国产化需求的不断提高，公司在相关领域的市占率有望持续提升，迎来良好的发展契机。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年上半年，随着下游库存去化明显以及行业需求逐步修复，工业类市场需求逐步修复，AI端侧、高性能计算（HPC）等长期需求支持的背景下，叠加海外头部大厂产品结构调整，半导体市场逐步恢复增长态势。公司努力把握市场机遇，积极匹配客户需求提升市场份额，公司主营业务产品需求及销售价格已逐步回升，盈利状况有所改善，2025年上半年公司实现营业收入3.43亿元，同比上升28.81%，第二季度营业收入环比增长41.11%；毛利率为18.76%，比去年同期增长5.45个百分点。
　　2025年上半年公司Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，已投资的GPU板块尚未实现营收，归属于母公司股东的净利润为-11,096.85万元，属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-12,672.40万元。
　　报告期内主要业务情况：
　　（一）深耕存储技术布局
　　公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。
　　报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入的30.74%，金额同比持平。公司继续加强在SLC NAND Flash行业的技术领先优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。2xnm制程SLC NAND Flash产品系列研发持续推进，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号。
　　公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb-2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配。随着产品迭代升级，公司不断丰富NOR Flash产品矩阵，进一步强化了在高可靠性场景下的解决方案能力。
　　公司在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM等产品基础上，继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，目前主要围绕可穿戴，网络通信等应用领域，公司将持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。
　　公司目前已可以向客户提供4Gb+2Gb、4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发SLC NAND Flash与DRAM组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。
　　公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，着力构建高附加值的车规产品矩阵，公司SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100的验证，具备满足严苛车规级应用环境的能力。公司稳步推动车规客户的导入与销售，已经完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，并在多款车型中实现量产。公司产品在汽车电子中的应用领域包括通信及远程控制系统、ADAS系统、智能座舱域控系统、车身控制系统等。
　　报告期内，公司获得发明专利授权8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。
　　（二）深化“存、算、联”一体化发展体系
　　报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。
　　在联接芯片领域，公司正持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司发现Wi-Fi芯片市场蕴含显著增长潜力，尤其是Wi-Fi6/7技术在高带宽传输、高安全性保障、超低延迟响应及多设备并发接入场景中展现的核心优势，使其成为驱动该市场未来增长的关键技术方向。随着智能手机、笔记本电脑、物联网（IoT）终端、智能家电等联网设备规模的持续扩大，市场对Wi-Fi芯片组的需求呈现确定性增长态势，同时对无线连接的可靠性与传输速率提出更高要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景，可满足智能终端领域对高速无线连接的技术需求。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案。目前该产品研发项目进展符合预期。
　　在计算芯片领域，公司于2024年通过自有资金2亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。报告期内，上海砺算完成首款自研GPU芯片“7G100”的首次流片、晶圆制造及芯片封装，对产品的测试结果符合预期，目前正按计划进行客户送样以及量产工作。产品可应用于个人电脑、专业设计、AIPC、云游戏、云渲染、数字孪生等应用场景。
　　（三）构建“本土深度、全球广度”的供应链网络
　　公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺开发、产品设计、测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、盛合晶微、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。
　　（四）重视梯队化人才队伍建设
　　公司高度重视人才团队的建设，构建了完善的内部培训体系，积极为管理层及业务骨干开展管理、业务、技术方面的培训及学习，注重人才梯队化培养与建设。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，公司已连续三年实行股权激励计划。公司于2025年7月9日办理完成了公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期第一批次归属、2024年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期第一批次归属的股份登记手续。
　　（五）贯彻合规及可持续化发展经营理念
　　公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，并由审计委员会、内部审计部门共同组成公司的风险内控管理组织体系，对公司的内部控制管理进行监督与评价。
　　公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件等多种渠道，全面而多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等领域。在激烈的竞争中，公司构建起了以技术创新为引擎、供应链保障为基础、质量服务为支撑、人才团队为根本，同时高度重视知识产权的核心竞争力体系。
　　（1）以技术创新为引擎，持续完善研发体系
　　公司以技术创新为核心驱动力，基于研发团队在电路设计、工艺制造、封装测试等环节的深厚积累，建立了短、中、长期多层次开发计划，持续完善研发系统化平台，为产品快速迭代和工艺演进奠定基础。在NAND Flash领域，“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并基于2xnm制程扩充产品料号；在NOR Flash方面，基于48nm、55nm制程，研发64Mb-2Gb中高容量产品，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配；在DRAM领域，围绕可穿戴，网络通信等应用领域，持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。此外，公司通过自研SLC NAND Flash及DRAM组合，提供多样化的MCP产品，满足5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用需求。在车规级存储产品领域，公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP等产品通过AEC-Q100验证，完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，进一步拓展高附加值市场。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，人工智能技术的大规模应用，端侧AI应用的不断兴起，存储芯片的需求不断增长，公司将继续以技术创新引领行业发展，为客户提供更优质、多样化的存储解决方案。
　　（2）以供应链保障为基础，深化产业协同效应
　　公司坚持“本土深度、全球广度”的原则布局供应链，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外供应商建立互助、互利、互信的合作关系，确保供应链高效运转和产品质量。报告期内，公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度。公司通过签署产能保证协议、深化上下游合作，与战略合作伙伴携手应对市场波动，保障产能稳定。公司延续了和合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上的多年深度技术合作，持续在测试模型和测试向量上加大研发投入，有效提高了晶圆的产品良率和生产效率。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，满足不同客户的需求。此外，公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可提供多样化的芯片封装选择。未来，公司将继续以供应链保障为基石，深化产业协同，为全球客户提供稳定、可靠的产品和服务。
　　（3）以质量服务为支撑，提升全球客户的信赖
　　公司始终秉持“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针，以质量服务为支撑，不断优化服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务质量管理体系，致力于为全球客户提供高效、可靠的服务支持。报告期内，公司进一步完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，显著提升了客户需求的响应速度和处理效率。同时，公司建立了严格的车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度，努力为客户提供高可靠性的产品保障。公司将“客户服务”的理念贯穿于产品研发、生产、交付及售后的全生命周期，持续优化客户服务团队的管理能力。此外，公司积极引入先进的质量管理工具和方法，推动内部流程的标准化和精细化，为全球客户提供更具竞争力的产品和服务。未来，公司将继续以质量服务为支撑，深化质量管理体系创新，强化客户服务能力，持续增强全球客户的信赖与认可。
　　（4）坚持以人为本，健全长效激励机制
　　公司秉持“人才优先，服务发展，使用为本”原则，以市场需求与行业技术发展为导向，为核心技术储备人才制定培养计划，通过长期技术培训、专题讲座、团队技术专家“以老带新”等方式，提升员工专业素养、增强归属感与责任意识，扩充人才储备。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员206人，占公司总人数的63.19%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数约98.54%。报告期内，公司积极开展2023年股权激励计划首次授予部分第二个归属期以及2024年股权激励计划首次授予部分第一个归属期的股权归属工作，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，并已于2025年7月9日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成股份归属登记手续。
　　（5）保持高水平研发投入，坚持核心技术自主可控
　　为推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，公司持续保持高水平研发投入。报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入30.74%，金额较上年同期持平。同时，公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权。相关知识产权自主完整、权属清晰，为公司技术的持续创新和产品的市场竞争力提供了坚实保障。报告期内，公司获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。
　　截至报告期末，公司累计申请境内外专利191项，获得专利授权121项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给与国际公布的PCT申请数量；
　　2、“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入34,299.17万元，较上年同期增长28.81%；归属于上市公司股东的净利润-11,096.85万元，同比亏损金额增加1,984.74万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-12,672.40万元，同比亏损金额增加2,739.98万元。
　　五、风险因素
　　（一）业绩下滑或亏损的风险
　　2025年初以来，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等关键应用，有效推动了产品销售。报告期内，公司产品需求及销售价格已逐步回升，实现营业收入34,299.17万元，同比增长28.81%；归属于母公司所有者的净利润-11,096.85万元，同比亏损金额增加1,984.74万元；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-12,672.40万元，同比亏损金额增加2,739.98万元。
　　报告期内，公司持续保持高水平研发投入，推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，同时公司已投资的GPU板块尚未实现营收，公司的盈利水平进一步承压。若未来市场复苏不及预期，芯片去库存效果不佳以及持续的高研发投入，公司业绩存在下滑或继续亏损的风险。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、技术升级及产品迭代风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集、产品升级迭代迅速的特点，持续的创新研发是保持竞争优势的关键。若公司未能精准把握技术趋势，或产品迭代速度滞后于行业发展及客户需求变化，将可能导致新老产品衔接不畅、收入增长动能减弱，进而削弱市场竞争力并对经营业绩产生负面影响。
　　2、研发失败或产业化进展不及预期风险
　　集成电路设计行业技术门槛高、研发投入大、产品研发周期长，芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践。研发过程较为复杂，存在不确定性，研发项目可能存在研发失败或产业化失败的风险，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。
　　3、人才流失风险
　　集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。若公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。
　　4、核心技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。
　　未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲等国家和地区。
　　未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、业绩波动风险
　　宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期末，公司存货的账面价值为95,283.72万元，占总资产的比例为27.40%，占比较高。
　　存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。报告期内公司产品的市场价格有所恢复，但仍处于低位。报告期末形成存货跌价准备余额17,483.32万元。
　　如果未来公司客户需求持续低迷、市场竞争格局加剧、市场价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货跌价的风险。
　　（五）行业风险
　　公司为客户提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等多个领域。
　　受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。
　　（六）宏观环境风险
　　近年来国际贸易环境的不确定性增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析
　　东芯股份是一家专注于中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的企业。公司秉持“提供可靠高效的存储产品及设计方案”的使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性产品，为客户提供优质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时在“存、算、联”一体化领域进行技术创新，拓展行业应用范围，优化业务布局，旨在为客户提供多样化的芯片解决方案。
　　2024年，公司所处的半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求有所回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　东芯股份是一家专注于中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的企业。公司秉持“提供可靠高效的存储产品及设计方案”的使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性产品，为客户提供优质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时在“存、算、联”一体化领域进行技术创新，拓展行业应用范围，优化业务布局，旨在为客户提供多样化的芯片解决方案。
　　2024年，公司所处的半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求有所回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制等关键应用，并逐步向汽车电子领域不断拓展，立足头部客户并不断开拓新的客户。报告期内公司实现营业收入6.41亿元，同比增加20.80%；营业利润-1.69亿元，亏损收窄51.93%；归属于母公司所有者的净利润-1.67亿元，亏损收窄45.42%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-2.01亿元，亏损收窄38.65%。报告期内公司产品销售数量与上年同期实现较大增长，且各季度营业收入均实现环比增长。同时公司持续优化产品结构和市场策略，提升运营效率，降低产品成本，毛利率与去年同期相比有所提升。
　　（一）深化存储技术布局，持续丰富产品矩阵
　　公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。
　　报告期内，公司继续加强SLC NAND Fash技术优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已进入风险量产阶段。2xnm制程持续进行SLC NAND Fash产品系列的研发迭代，不断扩充产品料号。
　　公司基于48nm、55nm制程，持续进行64Mb-2Gb的中高容量NOR Fash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。随着公司NOR Fash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。
　　公司在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM等产品基础上，持续进行新产品的研发。公司设计研发的LPDDR4x产品已进入量产阶段，产品通过小尺寸封装、低电压设计和宽温适应性，覆盖了从消费电子到工业/汽车电子的多元化场景，其技术优势在移动设备轻薄化、工业场景可靠性及AIoT数据处理需求中尤为突出。公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，拓宽DRAM产品线，助力公司产品多样性发展。
　　公司目前已可以向客户提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等应用领域。公司正在研发更多容量组合的MCP产品，通过自研SLC NAND Fash及DRAM组合出具有成本优势及性能稳定的MCP产品，以便为客户提供更多样化的产品选择。
　　报告期内，公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，打造高附加值的车规产品，公司SLC NAND Fash、NOR Fash以及MCP等产品陆续有更多料号通过AEC-Q100的验证，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。公司积极进行车规客户的导入和验证，报告期内新增完成国内多家整车厂的白名单导入，完成多家境内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质导入，并已向包括境外知名的一级汽车供应商（Tier1）等进行车规产品的销售。
　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新增申请发明专利18项、新增授权发明专利30项、获得软件著作权1项、获得集成电路布图设计权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利113项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。公司专利涉及NAND Fash、NOR Fash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。
　　公司持续加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用2.13亿元，占当期营业收入33.27%，较上年同比增长17.02%。
　　（二）构建“存、算、联”技术生态，培育第二增长曲线
　　报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，为公司培育了第二增长曲线，为未来增长注入新动能。
　　在联接芯片领域，公司于报告期内设立子公司亿芯通感，开展Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计。首款无线透传芯片聚焦高带宽、低时延场景，可满足智能终端等领域对高速连接的需求，通过差异化创新为消费类企业客户提供本土化的智能无线通信与感知的芯片及解决方案，目前项目进展顺利。
　　在计算芯片领域，公司于报告期内通过自有资金2亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。其自主研发的首代图形处理芯片G100基于自研架构，可支持主流3A游戏运行。G100芯片产品已于2025年初进行流片。
　　（三）深化产业协同，保障产能稳定
　　公司作为Fabess设计公司，公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，通过签署并执行产能保证协议等方式，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、盛合晶微、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。
　　（四）重视人才队伍建设，建立长效激励机制
　　公司高度重视人才团队的建设，构建了完善的内部培训体系，积极为管理层及业务骨干开展管理、业务、技术方面的培训及学习，注重人才梯队化培养与建设。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，公司已连续三年实行股权激励计划。报告期内，公司实施了2024年度股权激励方案，于2024年4月公布了2024年限制性股票激励计划，对公司管理层及核心员工授予限制性股票。
　　（五）提升合规治理水平，重视股东回报
　　报告期内，公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。建立健全各项内部控制制度，提升内部审计监督职能，逐步推进信息披露、募集资金管理等各项工作的规范化，促进公司规范运作、科学决策，推动公司各项业务顺利有序地开展。
　　报告期内，公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件等多种渠道，全面而多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。
　　公司践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，在注重生产经营的同时，重视广大投资者的回报，通过回购等方式维护广大投资者利益，增强投资者对公司的投资信心。公司于2024年上半年完成首次股份回购，总计回购股数3,218,219股，回购金额约1亿元；公司于2024年下半年完成第二次股份回购，总计回购股数5,506,814股，回购金额约1亿元。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Fash、NOR Fash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnm NAND Fash、48nm NOR Fash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
　　公司产品应用示例
　　2、主要产品及服务
　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Fash、NOR Fash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：
　　（1）NAND Fash
　　NAND Fash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NAND Fash主要为MLC、TLC NAND Fash或3D NAND Fash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NAND Fash主要是SLC NAND Fash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLC NAND Fash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NAND Fash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Fash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
　　（2）NOR Fash
　　NOR Fash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
　　公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPI NOR Fash，自主设计的SPI NOR Fash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。
　　（3）DRAM
　　DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。
　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
　　（4）MCP
　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。
　　公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8v SLC NAND Fash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NAND MCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。
　　公司MCP产品
　　（5）技术服务
　　公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。
　　在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabess的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
　　依据WSTS的2024年秋季预测数据，2024年全球半导体市场规模约为6,268.69亿美元，同比增长19.0%，其中存储芯片市场规模约为1,670.53亿美元，同比增长81%；预计未来市场将继续呈增长态势，预计2025年全球半导体市场规模约为6,971.84亿美元，同比增长11.2%，预计2025年存储芯片市场规模为1,894.07亿美元，同比增长13.4%。全球半导体行业在经历阶段性调整后，逐步回暖，开启新一轮上行周期。
　　从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据Yoe的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2,630亿美元。人工智能技术的大规模应用正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动HBM、3DNAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。伴随着智能边缘存储、分布式存储、存算一体等新型架构的兴起，未来行业将呈现整体需求在周期性波动中保持一定的年均复合增长、技术维度向“三维立体化、智能自适应、绿色低功耗”逐步演进，应用维度向AI新应用、数据中心等多元领域拓展的新态势。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司主营业务涵盖利基型存储芯片，包括SLC NAND Fash、NOR Fash和DRAM等产品。以丰富的产品线、可靠的性能和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。在产品布局、工艺制程、产品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同时提供包括NAND Fash、NOR Fash、DRAM、MCP等主要存储芯片完整解决方案。作为中国的存储芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格局。此外公司为了应对强周期性的存储市场，积极布局Wi-Fi7板块，依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研发的投入，旨在提升市场份额。同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机遇，确保公司的长期稳定增长。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）NAND Fash
　　当前SLC NAND Fash主流工艺仍以2xnm制程为核心，随着公司等国内厂商在2xnm工艺节点实现量产突破，国产替代进程加速推进。国际大厂如美光、铠侠虽仍主导市场，但国内企业通过工艺优化与成本控制，在消费电子、网通设备等领域的市占率逐步提升。
　　在存储芯片市场持续升级的背景下，SLC NAND Fash产品依托其高可靠性特性，逐步渗透至网络通讯设备、工业控制系统及车载电子等产业级应用场景。随着先进制程的微缩化突破，SLC NAND Fash正突破传统应用边界，在智能家居、可穿戴设备及医疗电子等新兴领域实现规模化应用。
　　市场需求端呈现两大显著趋势：一方面，网通设备升级、安防监控智能化及物联网生态扩展持续推升存储容量需求；另一方面，在智能穿戴设备等特定领域，SLC NAND Fash凭借擦写速度与存储密度优势，已形成对NOR Fash在代码存储应用中的替代效应。这种技术迭代不仅重构了存储器市场格局，更为智能终端设备的性能提升开辟了新的技术路径。
　　此外三星表示从今年年底开始逐步减少在现货市场销售MLC NAND。中低容量的MLC NAND在基于量产规模逐渐萎缩，从2025年中进入产品寿命结束的EOL阶段，对于工控、医疗及车载市场将首当其冲，供应链需提早导入产品升级或考虑转换新供应商。
　　（2）NOR Fash
　　目前主流工艺制程为55nm，主要用于存储代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USBKey、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。NORFash分为串行和并行，串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求，逐步成为主要系统方案商的首选。随着市场集中度逐步变高，降低成本为行业逐步追求的方向，目前市场上主要以ETOX为较为通用架构，此外也有厂商通过SONOS、NORD等技术降低成本。
　　尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势，在NOR Fash市场上逐步取代了一些传统厂商。随着全球AI市场的快速发展，AI大模型等新兴场景的涌现，对NOR的需求的增长提供了新增动力。AI对SoC的CPU/NPU/GPU性能提出更高要求，驱动NOR Fash向高带宽、低延迟方向迭代，以满足代码存储与快速启动需求。同时受益于AI终端开拓新的应用场景，NOR Fash广泛应用于智能手机、可穿戴和物联网等领域。TWS耳机方面头部品牌（如苹果AirPods Pro）支持主动降噪、空间音频等功能，中低端机型搭载AI语音助手，NORFash容量需求提升。
　　AIPC方面BIOS代码量增长驱动NORFash容量升级，微软Copiot+等本地AI工具进一步刺激需求。AI眼镜等设备上轻量化AI交互依赖低功耗存储方案，单机NOR Fash用量可达64-128Mb。
　　（3）利基型DRAM
　　利基型DRAM市场作为半导体存储领域的特殊细分市场，呈现出成熟技术与动态需求交织的独特生态。当前市场以DDR3、小容量DDR4及LPDDR1-LPDDR4x等主流工艺节点产品为核心架构，技术路线聚焦稳定性和兼容性而非绝对性能指标。从需求侧观察，该市场形成三大核心支撑：消费电子领域（智能电视、机顶盒）、工业控制系统（安防监控、工控设备）以及汽车电子基础模块（车载信息娱乐、ADAS辅助系统）。值得注意的是，现阶段汽车电子对存储性能需求尚未进入高速迭代周期，车规级产品更强调极端温度耐受性（-40℃~125℃）和长期运行稳定性。
　　市场供需格局正经历结构性调整。国际三大原厂（三星、SK海力士、美光）持续将产能向DDR5、LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜，形成显著的市场真空。这一趋势为大陆及中国台湾供应商创造了战略机遇。随着物联网终端设备量级突破百亿规模，叠加传统设备存储升级需求，利基型DRAM市场展现出区别于标准存储市场的强抗周期属性，预计未来五年将维持5%-7%的复合增长率。
　　此外针对利基型存储产品也开始出现定制化存储方案，通过3D堆叠技术将存储单元与主控芯片集成，通过缩短信息传递路径来提升数据传输效率，实现近存计算。该方案具有高带宽、高经济效益的优势。相比传统DRAM，该方案无需PCB走线，进一步节省面积、降低功耗，具有较高的性价比。目前该方案可根据不同端侧设备的特殊存储需求，定制存储接口形式、封装形式等内容，适配端侧算力SoC产品的差异性。适用于低功耗、高带宽以及中低容量内存需求的场景，例如可穿戴设备、边缘服务器设备、监控设备、ADAS及协作机器人等。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，申请发明专利18项（其中中国发明专利15项，美国发明专利1项，PCT国际阶段发明专利申请2项），获得发明专利授权30项（其中中国发明专利4项，美国发明专利4项，韩国发明专利22项）；申请集成电路布图设计权5项，获得集成电路布图设计权5项；申请注册商标4项；申请软件著作权1项，获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利113项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。
　　截至报告期末，公司累计申请境内外专利191项，获得专利授权113项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Fash、NOR Fash、DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。
　　（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力
　　公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND Fash、NOR Fash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。
　　（2）稳定可靠的供应链体系
　　公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。报告期内公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。
　　（3）完善的质量和服务体系
　　公司以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。报告期内，公司完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，建立了车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。公司建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。
　　（4）优秀的人才队伍
　　集成电路设计行业属于典型的技术密集型行业，公司自成立以来就坚持以人为本、创新发展，高度重视对半导体领域尤其是研发和管理领域人才的储备和培养。通过社招、校招、内推、内部培养等多种方式，公司逐步建立了一支拥有良好人才梯队、经验丰富、底蕴深厚的技术和研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员202人，占公司总人数的63.92%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数约98.02%。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富的产业经验和专业的管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。
　　（5）自主清晰的知识产权
　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利113项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内公司实现营业收入64,095.35万元，同比增长20.80%；归属于母公司所有者的净利润-16,714.19万元，同比增加13,910.78万元，亏损收窄45.42%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-20,068.96万元，同比增加12,643.90万元，亏损收窄38.65%。报告期内，公司所处的半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求逐渐回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售，但受市场周期及行业竞争激烈影响，公司产品的市场价格仍处于历史相对低位，另一方面为丰富公司产品系列，公司持续保持高水平研发投入，研发费用进一步增加，导致报告期出现亏损。
　　若未来市场复苏不及预期，芯片去库存效果不佳以及持续的高研发投入，公司业绩存在继续下滑或亏损的风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1、技术升级及产品迭代风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集、产品升级迭代迅速的特点，持续的创新研发是保持竞争优势的关键。若公司未能精准把握技术趋势，或产品迭代速度滞后于行业发展及客户需求变化，将可能导致新老产品衔接不畅、收入增长动能减弱，进而削弱市场竞争力并对经营业绩产生负面影响。
　　2、研发失败或产业化进展不及预期风险
　　集成电路设计行业技术门槛高、研发投入大、产品研发周期长，芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践。研发过程较为复杂，存在不确定性，研发项目可能存在研发失败或产业化失败的风险，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。
　　3、人才流失风险
　　集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。若公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。
　　4、核心技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabess经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。
　　未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲等国家和地区。
　　未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、业绩波动风险
　　宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期末，公司存货的账面价值为89,234.20万元，占总资产的比例为25.27%，占比较高。
　　存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。产品的市场价格去年整体呈下降趋势，报告期内产品价格有所恢复，但仍处于低位。报告期末形成存货跌价准备余额22,899.45万元。
　　如果未来公司客户需求持续低迷、市场竞争格局加剧、市场价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货跌价的风险。
　　(六)行业风险
　　公司为客户提供NAND Fash、NOR Fash及DRAM等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等多个领域。
　　受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。
　　(七)宏观环境风险
　　近年来国际贸易环境的不确定性增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入64,095.35万元，较上年同期增长20.80%；归属于上市公司股东的净利润-16,714.19万元，同比增加13,910.78万元，亏损收窄45.42%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-20,068.96万元，同比增加12,643.90万元，亏损收窄38.65%。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　依据WSTS的2024年秋季预测数据，2024年全球半导体市场规模约为6,268.69亿美元，同比增长19.0%，其中存储芯片市场规模约为1,670.53亿美元，同比增长81%；预计未来市场将继续呈增长态势，预计2025年全球半导体市场规模约为6,971.84亿美元，同比增长11.2%，预计2025年存储芯片市场规模为1,894.07亿美元，同比增长13.4%。
　　当前全球存储芯片市场仍由三星、SK海力士、美光、铠侠等国际巨头主导，占据了大部分市场份额，而国内厂商正通过差异化策略在利基型存储市场实现突围，通过快速响应客户需求、提供本地化技术服务等建立竞争优势。在当前复杂多变的国际形势下，国内厂商正积极响应国产替代的需求，努力实现中国存储芯片的自主研发。
　　另一方面，随着AI技术革命加速，存储芯片市场正经历结构性变革。AI服务器对高带宽内存（HBM）需求激增，推动DRAM产品结构向高端迁移；智能汽车自动驾驶系统存储需求较传统车型呈指数级增长；边缘计算设备催生对中小容量、高可靠性存储芯片的需求增长。未来，随着全产业链技术的不断突破与生态系统的构建完善，国内存储产业正努力逐步从低端替代向高端引领进行转变，国产存储芯片的发展前景值得期待。
　　(二)公司发展战略
　　未来，公司将坚持既定战略，围绕网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等关键应用和头部客户提供多样化的产品，并积极开拓自动驾驶、AI端侧设备、AI玩具、AI眼镜、AI耳机新型应用领域，开拓市场份额，完善运营及管理能力，推动技术创新及产品制程迭代，以成为国内领先的存储芯片设计企业为目标，致力于给更多客户提供包括NAND Fash、NOR Fash、DRAM、MCP等多产品线全覆盖的存储芯片产品，为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决方案。另一方面，为应对存储行业的周期性波动，提升公司产品品类，优化业务布局，公司凭借多年来在行业内的资源、客户、供应链、经验等方面积累的优势，以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术布局，提升高端产品占比与国产替代渗透率。
　　(三)经营计划
　　2025年，公司将通过技术创新驱动、质量体系保障、供应链协同、人才战略支撑等方面，围绕“存、算、联”一体化战略方向，深化技术突破与产业布局，努力提升全球市场竞争力与可持续发展能力，为公司及公司利益相关方创造更多价值。
　　1、技术创新方面
　　公司将继续保持高水平的研发投入，不断推陈出新，及时迭代提升产品关键性能，以高性能、高可靠、低功耗的产品更好地满足客户的需求，巩固技术领域的“护城河”。公司将继续微缩产品制程，重点突破1xnm SLC NAND量产技术，强化国产存储芯片制程技术壁垒。公司将继续聚焦车规级存储芯片研发，持续推进公司产品从工业级向车规级的不断升级。此外，公司将以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术布局，依托公司现有存储芯片技术积累，在通信芯片及计算芯片领域进行突破，以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。
　　2、产品开发方面
　　公司秉承“市场需求决定产品”的产品研发策略，及时关注技术发展动态，同时结合市场需要，加快技术升级、加速产品迭代步伐，同时积极布局下一代产品的方向，适时推出新产品，为客户提供高性能、高可靠、低功耗的国产化存储芯片。公司将在现有客户需求的基础上不断跟踪行业的需求趋势，深入行业的重点应用与AI相关的新兴应用，以此为抓手持续为客户提供更多产品选择，提高客户黏性，提升客户满意度与口碑。
　　3、人才建设方面
　　公司深知人才是公司健康发展的核心资源，人才队伍的建设和培养始终是公司的核心任务。公司将继续加大人才队伍的建设，以引进人才和培养人才为基础，持续优化人才队伍结构，制定科学的人才培养机制，进一步完善薪酬、绩效与激励机制，调动员工积极性，激发组织活力，保障公司的长久发展。
　　4、公司治理方面
　　公司将继续严格按照监管要求及规章制度履行三会合规运作，持续提升上市公司内部治理水平，持续加强内控建设，提高公司经营管理水平和风险防范意识，健全风险管理体系，促进公司高速、稳定、健康发展。公司将继续严格履行信息披露义务，持续建立多渠道投资者沟通机制，更好地向投资者传递公司价值，维护股东权益。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务　　东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时向“存、算、联”一体化领域进行技术... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。
　　2、主要产品或服务
　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：
　　（1）NAND Flash
　　NAND Flash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NAND Flash主要为MLC、TLC NAND Flash或3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NAND Flash主要是SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
　　公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃~105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
　　（2）NOR Flash
　　NOR Flash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
　　公司SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。
　　（3）DRAM
　　DRAM即动态随机存取存储器，是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。
　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
　　（4）MCP
　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。
　　公司MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中，DDR包含LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x等不同规格，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和NAND Flash进行合封，简化走线设计，节省组装空间，降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。公司产品凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。
　　（5）技术服务
　　公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。
　　（二）主要经营模式
　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。
　　（三）所处行业情况
　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
　　2024年上半年，随着整个半导体行业的周期性复苏，存储芯片市场的供需关系也逐步恢复。海外存储大厂经历了2023年严重的经营亏损和库存过剩之后，今年仍然坚定地采取“调整产能、控制供应、强势提价”等手段，动态平衡了市场供应，提升了存储价格。随着AI大模型等技术发展对高带宽、大容量存储芯片的需求不断增长，推动了市场的供需平衡回归，2024年上半年，受益于存储价格的回升，以及HBM、DDR5等产品的出货增长，存储大厂收入同比取得较大增长，并成功扭亏为盈。
　　公司主要面对利基型存储芯片市场。2024年，受益于大宗存储价格增长，以及存储大厂的减产和对HBM、DDR5产能重心的转移，利基型DRAM价格率先反弹。除此之外，随着部分应用产品升级换代的需求、安防监控等市场的逐步复苏以及产能限制等因素影响，SLC NAND产品价格也开始呈现温和上涨的趋势。受到消费电子产品市场的复苏、AIPC和AI服务器的设备价值增加以及晶圆代工厂稼动率提升等影响，NOR Flash的价格也逐步上涨。
　　二、核心技术与研发进展
　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。报告期内，公司核心技术没有发生重大变化。
　　2.报告期内获得的研发成果
　　报告期内，申请发明专利4项（其中中国发明专利2项，PCT国际阶段发明专利申请2项），获得发明专利授权12项（其中中国发明专利1项，美国发明专利1项，韩国发明专利10项）；申请集成电路布图设计权5项，获得集成电路布图设计权5项；申请注册商标4项；申请软件著作权1项，获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利95项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利177项，获得专利授权95项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
　　1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给与国际公布的PCT申请数量。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2024年上半年随着行业库存调整接近尾声、终端产品需求正在逐渐回暖。在车用、高性能计算（HPC）和物联网AIoT等长期需求的支持下，半导体市场正在恢复增长轨迹。公司产品需求和价格随着行业的逐步回暖也在逐步进入上升通道。较上年同期相比，公司主营业务产品需求逐步回升，产品销售价格开始企稳向上。报告期内，公司实现营业收入2.66亿元，同比上升11.12%。归属于上市公司股东的净利润为-9,112.11万元，较上年同期有所下降；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-9,914.12万元，较上年同期有所下降。
　　报告期内主要业务情况：
　　（一）深耕主营业务技术创新
　　公司针对各类主营存储产品不断进行产品更新迭代工作，产品主要面向网络通信、监控安防、汽车、工业等行业市场及中高端消费类市场。
　　报告期内，公司基于2xnm制程，持续进行SLC NAND Flash产品系列的研发，不断扩充产品线。公司坚持技术创新，努力推进公司产品制程的进一步升级，公司先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品的研发工作已取得阶段性进展，产品已达成部分关键指标，为确保产品质量与性能稳定，目前正持续进行设计优化和工艺调试等技术攻关工作。
　　公司基于48nm、55nm制程，持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。随着公司NORFlash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。
　　目前公司的DRAM产品包括DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM，以及正在进行客户送样及市场推广的LPDDR4x。公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。
　　公司目前已可以向客户提供高至8Gb+8Gb、16Gb+16Gb的MCP产品，主要应用于车载模块等应用领域。公司将继续开发更高容量组合的MCP产品，以便为客户提供更多样化的产品选择。
　　（二）坚持核心技术自主可控
　　公司坚持核心技术自主可控，公司始终坚持自主研发和自主可控的原则。随着公司产品对终端市场不断渗透以及公司技术研发的不断完善，公司也通过多种方式保障知识产权的自主性与完整性。公司持续加大研发投入，强化基础技术的研发，不断提升技术创新能力，增强技术领先性，积累核心技术优势。报告期内，公司研发费用1.06亿元，占当期营业收入的39.72%，同比增长26.31%。
　　报告期内，公司新增申请发明专利4项、新增授权发明专利12项、获得软件著作权1项、获得集成电路布图设计权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利95项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。公司专利涉及NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。
　　（三）深化产业协同效应
　　作为一家Fabless设计公司，公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，通过签署并执行产能保证协议等方式，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。
　　（四）重视人才队伍建设
　　公司重视人才队伍建设，不断加强管理人员的学习、培训，完善公司的激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展。报告期间，公司针对员工进行了新的股权激励方案。并于5月14日召开了第二届董事会第十四次会议与第二届监事会第十三次会议，审议通过了《关于调整2024年限制性股票激励计划相关事项的议案》《关于向2024年限制性股票激励计划激励对象首次授予限制性股票的议案》。
　　（五）践行可持续化发展
　　在追求经济效益的同时，公司积极承担环境责任、社会责任和公司治理责任，将ESG理念融入公司整体战略和业务运营中，制定具体的ESG政策和指南，以提高ESG治理水平。公司设立专门的ESG团队，负责监督和推动ESG相关工作，评估公司在ESG方面的潜在风险，并制定相应的管理措施，积极应对与ESG相关的风险和挑战，促进公司可持续发展。致力成为受员工、客户、股东欢迎和尊重的企业。报告期内，公司依法合规运营，注重保护股东尤其是中小股东的利益，保护股东、员工的合法权益；注重环境保护和节能降耗，积极履行企业社会责任。

　　三、风险因素
　　（一）业绩大幅下滑或亏损的风险
　　随着人工智能(AI)、物联网(IoT)、5G网络、云计算等新兴领域的蓬勃发展，以消费电子为代表的下游市场需求在2024年呈现出回暖趋势。WSTS也在其最新预测中将2024年全球半导体市场的规模上调至6112.31亿美元，分产品类别来看，这种增长将主要得益于集成IC中逻辑芯片和存储芯片的增长。报告期内，公司积极进行市场开拓，产品销量较去年同期相比大幅增长；而产品的市场价格在报告期内有所调整，但仍处于相对低位。公司报告期内实现营业收入26,628.36万元，同比上升11.12%，实现归属于上市公司股东的净利润-9,112.11万元，较上年同期有所下降。
　　全球算力需求提升推动了逻辑芯片和存储芯片的需求增长，同时对芯片技术的要求也不断提高。公司坚持独立自主研发，在中小容量存储芯片领域继续保持高水平研发投入，不断丰富产品线，推进产品制程迭代，提高产品可靠性水平。同时，为进一步丰富产品品类，公司以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，在报告期内扩充研发团队，从事Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计。公司报告期内研发费用10,576.55万元，同比增长26.31%。
　　受全球经济形势不确定的影响，若未来市场复苏不及预期，芯片去库存不力及持续高研发投入，公司业绩存在继续下滑或亏损的风险。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、研发团队风险
　　集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。
　　截止报告期末，公司拥有研发与技术人员196人，占公司总人数的65.99%。公司通过持续招募、培养、校企合作等方式，结合具备竞争力的薪酬体系及激励手段，持续扩充研发与技术团队，尤其重视国内存储设计人员培养及运营管理团队的建设。
　　如公司现有团队不能持续提升经验积累，或公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。
　　2、技术升级导致产品迭代风险
　　集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快，持续研发新技术、推出新产品是集成电路设计公司在市场中保持优势的重要手段。
　　NAND Flash、NOR Flash及DRAM仍为市场主流存储芯片，同时新型存储芯片技术亦不断涌现。
　　存储行业中，NAND Flash系列中的中小容量产品围绕着高可靠性方向发展，大容量产品围绕着3D NAND Flash方向发展，两者具备不同性能，因而应用于不同应用场景，基本不存在相互替代效应；NOR Flash凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点主要通过提升产品性能、拓展应用场景来扩大市场；DRAM产品通过不断提升制程、提升性能来打开市场。
　　近年来，新型存储技术如MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）不断发展，其特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能，目前新型存储器过高的成本或较大的工艺难度，尚未实现规模化和标准化。
　　目前，存储行业内企业主要根据市场需求和工艺水平对现有技术进行升级迭代，以持续保持产品竞争力。未来如公司技术升级进度或成果未达预期、未能准确把握行业发展趋势，同时如果新型存储技术成熟并达到规模化量产并形成商业化产品，将影响公司市场竞争力并错失发展机会，可能对公司未来业务发展造成不利影响。
　　3、研发风险
　　公司主营业务为存储芯片的研发、设计和销售。存储芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践，周期较长。如果公司未来不能紧跟行业前沿需求，正确把握研发方向，可能导致产品定位偏差。同时，新产品的研发过程较为复杂，耗时较长且成本较高，存在不确定性。如果公司不能及时推出契合市场需求且具备成本优势的产品，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。
　　4、核心技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、委外加工及供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。
　　未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。
　　2、境外经营风险
　　公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲、美国等国家和地区。
　　未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、业绩波动风险
　　宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。
　　2、存货跌价风险
　　公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期末，公司存货的账面价值为89,736.52万元，占总资产的比例为23.92%，占比较高。
　　存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。产品的市场价格去年整体呈下降趋势，报告期内产品价格有所恢复，但仍处于低位。报告期末形成存货跌价准备余额29,461.21万元。
　　如果未来公司客户需求持续低迷、市场竞争格局加剧、市场价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货跌价的风险。
　　（五）行业风险
　　公司为客户提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等多个领域。
　　受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。
　　（六）宏观环境风险
　　近年来国际贸易环境的不确定增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。
　　（七）其他风险
　　公司募集资金主要投资于“1xnm闪存产品研发及产业化项目”、“车规级闪存产品研发及产业化项目”、“研发中心建设项目”和“补充流动资金项目”等四个项目，投资总额为75,000.00万元。上述项目的实施将有利于公司对现有产品进行技术升级，提升产品性能、丰富产品结构、增强公司的核心竞争力和提高市场份额。截至报告期末，“车规级闪存产品研发及产业化项目”和“研发中心建设项目”已完成建设并达到预定可使用状态。虽然公司对募投项目进行了市场和技术等方面的可行性分析论证，但在后续实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。

　　四、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。
　　（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力
　　公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。
　　（2）稳定可靠的供应链体系
　　公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。报告期内公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。
　　（3）完善的质量和服务体系
　　公司以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。报告期内，公司完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，建立了车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。公司建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。
　　（4）优秀的人才队伍
　　集成电路设计行业属于典型的技术密集型行业，公司自成立以来就坚持以人为本、创新发展，高度重视对半导体领域尤其是研发和管理领域人才的储备和培养。通过社招、校招、内推、内部培养等多种方式，公司逐步建立了一支拥有良好人才梯队、经验丰富、底蕴深厚的技术和研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员196人，占公司总人数的65.99%，其中本科及以上学历人数占比约97.45%。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富的产业经验和专业的管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。
　　（5）自主清晰的知识产权
　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利95项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。 收起▲