一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主营业务、主要产品或服务情况
　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主营业务、主要产品或服务情况
　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
　　在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
　　作为国家高新技术企业，公司先后荣获工信部专精特新“小巨人”企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号。公司拥有七个国家级、省级研发平台，包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等，并承担了多项国家、省级重大科技专项。
　　公司以“创新驱动，引领未来，为客户创造价值”为使命，不断引领行业技术创新，成立至今已开发多款高端薄膜沉积设备并成功实现产业化。公司iTomic HiK系列半导体ALD设备、iTronix MTP系列半导体CVD设备和KF系列光伏ALD设备均已入选江苏省首台（套）重大装备产品目录，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，多款半导体设备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。
　　公司生产研发的主要设备，具体如下：
　　（1）公司半导体领域主要产品
　　2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署合同但已进行试样验证，下同。
　　（2）公司光伏领域主要产品
　　（3）其他新兴应用领域主要产品
　　除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
　　①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
　　②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
　　（二）经营模式
　　1、盈利模式
　　公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
　　2、采购模式
　　公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。
　　3、生产模式
　　公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
　　4、销售模式
　　公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
　　5、研发模式
　　公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　（三）所属行业发展情况
　　公司生产的薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具备光学、电学、机械和化学等方面的特殊性能，广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。
　　根据《国民经济行业分类与代码》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于C3562半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、太阳能电池片的设备的制造），属于高端装备在半导体集成电路、光伏等新一代信息技术领域、新能源领域的应用。
　　1.1半导体行业
　　薄膜沉积设备是集成电路制造的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
　　半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。根据世界半导体贸易统计组织WSTS统计，全球半导体市场规模在2026年上半年达到7020亿美元，同比增幅102%，其中存储器同比增长305%、逻辑电路同比增长45%。
　　晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额的18%以上。
　　薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更先进制程发展。随着单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。根据SEMI发布的《300mm晶圆厂展望报告》预计，全球300mm晶圆厂设备投资将在2026年同比增长18%，达到1,330亿美元；2027年将进一步增长14%至1,510亿美元。在新产线建设与既有产能扩充双重拉动下，薄膜沉积设备需求有望持续增长。
　　半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场份额，国产化趋势明显。
　　半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(Applied Materials,Inc.)、泛林半导体LAM(LamResearchCorporation)、东京电子TEL(TokyoElectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternational)等传统设备厂商占有主要市场份额。
　　近年来，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并不断完善。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，且实际应用场景仍较为有限。
　　面对全球供应链不确定性以及国内晶圆厂商对供应链安全的高度重视，国产半导体设备的需求持续增长，国产半导体设备验证与导入进程明显加快。国家政策的持续加码和产业需求的拉动，为本土半导体设备企业提供了前所未有的发展契机。作为国内半导体薄膜沉积领域的核心企业之一，公司凭借在ALD技术和CVD技术等领域的深厚积累，在国产中高端薄膜设备领域占据了先发优势。
　　1.2光伏行业
　　薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，在“双碳”战略目标驱动下，市场前景广阔。
　　光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。
　　全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降。长期来看，在全球能源转型与“双碳”目标纵深推进的时代浪潮中，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。
　　现阶段，光伏行业正处于产能出清与价值重构的关键时期。2026年上半年，新增装机规模明显回落，制造端产量和价格也同步有所下降。根据中国光伏行业协会统计，2026年1-6月，电池片产量260.7GW，同比下降21.9%；光伏组件产量201.3GW，同比下降35.1%。展望未来，随着全球清洁能源比例的持续提升，光伏行业供需结构有望逐步实现边际改善，其中新技术有望成为加速行业边际出清的重要推动力。
　　光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
　　光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。
　　目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向，钙钛矿及钙钛矿叠层电池则是下一代光伏电池技术的重要发展方向，被视为突破晶硅电池效率极限、推动光伏发电成本进一步下降的前沿技术路线。BC、钙钛矿等前沿技术加速迭代驱动结构性调整，新兴场景与市场将提供新的增长空间，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。
　　1.3其他新兴应用领域
　　原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）技术的产业化应用场景十分广泛。除已形成巨大市场规模的半导体、光伏领域外，还在固态电池、柔性电子、高端光学、面板级封装等新兴应用领域同样具备产业化前景与增长潜力。这些新兴应用领域内新技术的产业化，能为公司发展开辟新的增长空间。
　　1.3.1固态电池领域
　　固态电池因其在本征安全性与能量密度提升方面的显著优势，被广泛视作下一代动力电池的核心发展方向。然而，其产业化进程受制于正负极与固态电解质间固-固界面接触失效、界面阻抗过高以及锂枝晶生长等关键瓶颈，这些难题直接影响了电池的倍率性能与循环寿命。
　　ALD技术凭借其亚纳米级膜厚控制能力、出色的三维共形性及薄膜的高致密性，为解决上述瓶颈提供了有效的技术路径。具体而言，ALD技术可应用于固态电解质（SE）薄膜的制备与致密化，以降低漏电流；正极/电解质及负极/电解质界面的人工缓冲层构筑，以降低界面阻抗并抑制副反应；超薄锂金属负极的原位保护，以抑制枝晶穿刺。这些应用对于提升固态电池的库伦效率与循环稳定性至关重要。
　　随着固态电池技术逐步从研发走向量产试点，其对应的专用制造设备市场有望迎来高速增长。根据EVTank等研究机构预测，全球全固态电池设备市场规模预计将从2024年的基数较小的导入期，以超过150%的年均复合增长率（CAGR）快速攀升，至2030年有望达到455亿元人民币。这一爆发式增长预期，不仅印证了固态电池产业的巨大潜力，也为ALD技术在新能源镀膜领域的规模化应用提供了战略窗口期。
　　1.3.2新型显示硅基OLED领域
　　硅基OLED作为新型显示技术之一，凭借尺寸小、便携性强、对比度高、响应速度快、功耗低等突出特点，主要应用于近眼显示系统（如VR/AR设备）、微型投影显示、车载显示等高端场景。其中，薄膜沉积环节是影响硅基OLED规模化量产、显示性能提升的关键技术之一，直接影响器件的发光效率、寿命与稳定性。
　　ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关键薄膜的沉积需求。随着VR/AR、车载显示等下游市场的快速扩张，硅基OLED需求将持续攀升，进而带动相关设备与技术的市场需求增长，为公司带来新的业务增长点。
　　1.3.3面板级封装领域
　　面板级封装（Panel-Level Packaging,PLP）以大尺寸方形面板替代传统圆形晶圆作为封装载体，可显著提升面积利用率并降低单位芯片制造成本，被视为先进封装从晶圆级向面板级跃迁的关键路径。其中，以玻璃基板为核心载体的PLP技术，凭借其低热膨胀系数、优异尺寸稳定性、高平整度及卓越电气绝缘性能，正成为Chiplet异构集成、AI大算力芯片、高频高速通信等下一代高端应用场景的核心封装基座。
　　当前，该技术路线正加速向更大面板尺寸、更高深宽比玻璃通孔（TGV）及更细再布线层（RDL）线宽线距演进，对大面积膜厚均匀性、高深宽比结构共形覆盖能力、低温制程兼容性及低缺陷密度等指标提出日益严苛的系统性挑战。ALD与CVD技术凭借原子级厚度控制精度、优异的台阶覆盖率和低温沉积特性，能够精准满足TGV内壁绝缘层与扩散阻挡层、RDL侧壁保护层及大面积多层介电层等关键制程需求。面板级封装专用ALD/CVD薄膜沉积设备的国产化突破与产业化落地，不仅将有效打通玻璃基PLP工艺链中的核心装备瓶颈，更将为我国在下一代封装技术竞争中抢占战略先机提供关键装备支撑。当前相关技术尚处于产业化初期，具有一定的前沿性和探索性，公司面向该领域的技术尚处于布局初期。
　　目前，公司在新兴领域的订单量较小，尚不足以实质性影响公司的整体业绩方向，但受益于固态电池、柔性电子、高端光学等市场需求增加和技术迭代升级，新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　公司坚持“创新驱动”核心发展导向，聚焦半导体与光伏两大主业，并前瞻布局新兴领域。面对半导体行业高景气与光伏行业周期性调整并存的局面，公司通过持续优化业务结构、强化技术研发、提升运营效能，积极把握半导体市场机遇，主动应对光伏行业波动，推动整体业务稳健发展。
　　报告期内，公司实现营业收入118,925.42万元，同比增长13.27%；归属于上市公司股东的净利润为10,244.92万元，扣除非经常性损益的净利润为6,015.57万元；分业务看，半导体业务实现高速增长，成为公司核心增长极：半导体设备收入62,854.53万元，同比增长224.77%，占主营业务收入比重提升至53.11%；半导体新增订单占全部新增订单比例超过85%，增量主要来自存储领域客户。光伏业务方面，受行业整体调整影响，光伏设备收入为38,184.07万元，同比下降52.48%。新兴领域持续布局，为未来发展培育新的增长点。
　　（一）报告期内经营概况
　　1、半导体领域业务高速增长，成为公司核心增长极
　　报告期内，全球半导体行业延续高景气增长态势，行业需求持续旺盛，国内半导体产业链自主可控进程加速推进，高端薄膜沉积设备国产化替代需求进一步释放。公司多款ALD和CVD设备获得重点客户验证和量产导入，核心产品的量产规模持续扩大，新产品与新技术市场渗透率稳步提升，半导体设备新签订单规模再创新高。
　　ALD设备方面，由逻辑芯片、DRAM、3D NAND、新型存储、先进封装等主流应用场景成功拓展至硅基电容等新兴应用场景，并在前沿技术领域持续取得突破。CVD设备方面，公司持续攻坚，完成下一代高温Carbon、DLC(类金刚石碳)、HDC(高密度碳)、WDC(钨掺杂碳)等多种新型碳膜及掺杂碳膜设备及工艺的开发，在原有高温碳膜设备基础上开发出新型CVD设备，新设备具备沉积更高蚀刻选择比薄膜的能力，满足客户新一代产品的技术需求，进一步巩固公司在该领域的竞争优势。同时，公司持续推进对其它类型CVD设备技术和市场的拓展，其中LPCVD等产品已经逐步获得产业链重要客户的量产重复订单。
　　存储领域：公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，相关工艺技术对推动DRAM、3D NAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用，伴随存储芯片3D结构堆叠层数的持续提升及客户产能规模的加速扩张，相关设备需求有望持续放量。
　　逻辑芯片领域：公司与国内主流厂商保持着稳定合作关系，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长，该领域业务有望保持增长态势。
　　先进封装领域：公司积极推动相关设备在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求，适配Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。
　　在半导体领域，公司将继续利用现有的核心技术，持续拓展市场空间，保持在ALD和CVD等高端薄膜沉积设备市场的竞争优势，瞄准国内外半导体先进技术和工艺的发展方向，构建和完善ALD、CVD等多种先进真空技术平台，持续丰富产品矩阵，满足客户新器件、新架构、新材料的工艺需求，提供多场景全方位解决方案，覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示等细分应用领域，满足国内先进半导体下一代技术迭代的需求，从而占据技术的最前沿，引领行业创新发展。
　　2、光伏业务处于产能出清与价值重构的关键时期，新兴领域布局稳步推进
　　光伏行业正处于产能出清与价值重构的关键时期，阶段性供需错配矛盾仍未完全化解，产业链盈利压力对设备验收节奏形成一定影响。公司光伏核心设备市占率稳定，当前正积极应对行业变化，围绕TOPCon+升级改造及TBC增量市场进行布局，为光伏能耗新国标落地后，行业设备的技术改造和产能升级需求做好准备；进一步完善了包括全钙钛矿叠层、晶硅钙钛矿叠层、异质结（HJT）等新兴应用电池技术在内的技术储备。同时，持续跟进现有订单的验收，提升存货周转率，加强应收账款管理，确保现金流的稳定。
　　在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。报告期内，公司多款应用于新型高效电池技术的设备获得客户验证，并逐步进行技术升级以匹配客户未来需求，抢占量产先机。除在半导体和光伏领域外，ALD技术在固态电池和新型显示等新兴领域同样展现出关键应用价值。在固态电池领域，ALD技术可用于电解质薄膜制备、界面缓冲层构筑和锂金属负极保护，从而有效提升库伦效率与循环稳定性；在新型显示领域，ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关键薄膜的沉积需求。公司正持续加大在上述新兴领域的前沿化开发力度，为公司未来发展打造新的收入增长极。
　　3、强化创新引擎，扩大半导体研发投入，加速新品推出
　　报告期内，公司坚持创新驱动，继续加大前沿新技术、新产品的研发投入力度，有序推进新产品的开发与导入。2026年3月，公司携新一代iTomic PE系列等离子增强原子层沉积系统、iTomic SPX系列空间型原子层沉积系统、iTronix PE系列等离子体增强化学气相沉积系统等新产品亮相SEMICON China2026。上述三款产品采用独特的技术工艺，能够分别适用于逻辑、存储、先进封装等多领域的需求，展现了公司在薄膜沉积核心赛道的差异化技术壁垒与前瞻布局。2026年8月，公司iTronix MTP等离子体化学气相沉积装备成功入选江苏省首台（套）重大装备清单，彰显公司强劲的创新硬实力。
　　较高水平的研发投入和核心研发团队是保障公司核心竞争力的关键，也是推动公司业务持续发展的根本。报告期内，公司研发投入24,518.80万元，较上年同期的15,317.22万元增长60.07%，占同期公司营业收入比例为20.62%。为健全长效激励机制，进一步凝聚核心人才，促进公司半导体业务的战略发展，报告期内公司向2025年限制性股票激励计划激励对象授予预留部分限制性股票，授予对象侧重核心技术人员和研发人员，有效实现员工价值与企业价值绑定。
　　公司持续加强知识产权保护与专利布局。专利成果方面，报告期内新增专利授权共计48项，累计专利授权达到298项；新增专利申请共计91项，累计专利申请达到897项，荣获第26届中国专利奖（优秀奖），技术创新能力获得国家级认可。商标布局方面，围绕“微导”“LEADMICRO”核心品牌标识，完成多维度、全覆盖的商标战略布局，同步搭建完善的防御性商标保护体系，有力保障了品牌资产安全。
　　4、高效利用募集资金并持续推进募投项目，前瞻性产能扩充稳步推进
　　为保障设备规模化交付能力，公司正积极推进2025年度向不特定对象发行可转换公司债券募投项目的实施进程，提升薄膜沉积设备的生产能力、研发能力及科技成果转化能力。报告期内，募投项目“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目”实施加速推进，投资进度超60%。
　　同时，公司持续深化精益生产理念，升级优化模块化、均衡化生产模式，推动数字化管理向深度渗透，逐步完善智能工厂制造体系，提升人均生产产值。供应链管理环节，面对国际贸易局势变动引发的全球产业链调整，公司进一步加强了在需求预测、库存管理和供应商管理等方面的运营，构建完善、稳定、可控的全球供应链体系。通过战略性采购、联合开发、扩大供应商储备等举措，逐步构建起自主可控、安全可靠、具备高韧性的供应链生态。
　　5、ESG治理持续深化，促进可持续发展
　　报告期内，公司持续完善ESG（环境、社会及公司治理）体系，凭借在可持续发展各方面的良好表现，被多家机构覆盖和评级，秩鼎ESG评级位居A股同行业198家公司前10名。公司于2026年4月发布第二份ESG报告，在治理架构、商业道德、信息安全、创新驱动等方面实现全面披露。具体内容请参考公司2026年4月29日在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露的《2025年度环境、社会及公司治理（ESG）报告》。
　　公司将持续深化ESG治理体系建设，推动ESG理念全面融入日常运营与决策流程，紧密对标监管指引要求及优秀实践案例，从“决策层、执行层、支持层”共同发力，驱动公司实现可持续发展。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、先进技术路线优势
　　公司以ALD技术为核心，专注于ALD、CVD等薄膜沉积工艺技术研发和应用场景拓展。ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。
　　此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，在固态电池、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
　　2、优秀的研发团队和完善的创新中心平台的优势
　　公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管理经验，并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理，专业知识储备深厚，工艺开发、产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石。
　　同时，公司已建立的创新中心以现有技术为基础，围绕国产化替代的战略需求，结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求，针对先进技术和工艺性能，搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目发展孵化器。创新中心使公司具有前瞻应用定制化能力，可为客户提供全场景Demo设备线，从而能够及时响应客户的各类需求，为客户提供全方位的解决方案。
　　3、技术积累与研发创新能力优势
　　公司坚持自主研发，已形成先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十一项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司iTomic HiK系列半导体ALD设备、iTronix MTP系列半导体CVD设备和KF系列光伏ALD设备均被评为江苏省首台（套）重大装备产品，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，iTomic HiK系列半导体ALD设备成为国产首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-k原子层沉积设备，其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证，并获得重复订单。
　　4、平台化的产品矩阵布局优势
　　公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场，半导体领域公司以ALD为核心并成功拓展CVD等多种薄膜沉积技术和产品，光伏领域公司持续推进以ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发，同时依托创新中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响，同时不断拓宽公司市场规模和成长空间。
　　5、优质客户资源优势
　　在半导体领域内，公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层等工艺并获得了客户的重复订单，为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、存储、先进封装、化合物半导体和新型显示领域内多家国内知名半导体公司的商业订单，多款设备已通过客户严格技术验证，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域已覆盖包括通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。
　　6、高效客户服务优势
　　公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导向，为客户定制化开发可量产的工艺、设备及全场景薄膜沉积解决方案。公司技术服务体系健全，为客户提供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导入的工艺磨合时间。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　受益于公司薄膜沉积技术领域布局、公司核心技术持续突破、产品升级快速迭代，产品种类不断丰富。公司布局的薄膜设备在半导体集成电路行业是除光刻机和刻蚀机外第三大设备，目前公司逐步形成了先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术以及高效电池整线工艺技术等十一大核心技术。
　　报告期内，公司核心技术无重大变化。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内公司新增专利授权共计48项，累计专利授权达到298项；新增专利申请91项，累计专利申请897项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　公司研发投入同比上升，主要系三方面因素叠加所致：为强化核心技术壁垒，研发项目持续推进，研发材料增加以及研发人员增加下职工薪酬增长；实验室设备投入使用带来折旧摊销增长；股权激励计划实施产生额外股份支付费用。
　　研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
　　主要系报告期内研发资本化项目持续增加投入所致。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司营业收入118,925.42万元，同比增长13.27%；归属于上市公司股东的净利润10,244.92万元，扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润6,015.57万元。报告期末，公司总资产971,091.47万元，较上一年末增长0.43%；归属于上市公司股东的净资产309,388.71万元，较上一年末增长4.38%。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。公司紧跟行业技术发展趋势为客户提供具有技术优势的高附加值产品及应用解决方案。但若公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　（二）经营风险
　　1、新产品验证进度不及预期的风险
　　公司薄膜沉积设备主要应用于半导体晶圆、光伏电池片的生产环节，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，新产品存在验证进度不及预期的风险。
　　2、季度业绩波动风险
　　客户采购存在非均匀、非连续等特征，这导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。此外，受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响，公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异，从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时，公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动，甚至可能出现单个季度亏损的风险。
　　3、订单履行风险
　　公司设备类产品在手订单较多，若在订单执行过程中，受到国内行业行情加剧下行、客户需求发生变化等不可预计或不可抗力等因素的影响，有可能会导致部分订单无法履行或终止的风险。
　　（三）财务风险
　　1、存货跌价的风险
　　公司存货账面余额较高，主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备，但仍不能排除市场环境发生变化，或其他难以预计的原因，导致存货无法顺利实现销售，或者存货价格出现大幅下跌的情况，使得公司面临存货跌价风险。
　　2、应收账款和合同资产无法回收的风险
　　近年来，随着公司业务规模的快速增长，应收账款和合同资产保持较高规模水平。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致应收账款和合同资产不能按期回收，并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发生坏账的情况，将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
　　（四）行业风险
　　1、下游行业波动的风险
　　公司主营业务为先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售，向下游客户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品及服务，主要应用于半导体领域、光伏领域及其他新兴领域，公司的经营状况与下游行业的发展密切相关。在半导体领域，如果由于国际政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等，导致半导体行业固定资产投资及对设备需求的下降，将会影响公司经营业绩；在光伏领域，行业供需结构性失衡问题仍存，行业产能尚在加速出清，进而影响下游企业对公司产品的需求，也可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、国内市场竞争加剧的风险
　　近年来，ALD、CVD技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注，在巨大发展潜力的吸引下，国内竞争者开始出现，市场竞争趋于激烈。未来随着国内竞争企业的增加，可能压缩公司的利润空间，并导致公司市场份额下滑，进而对公司生产经营产生不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　全球产业链重新调整及贸易摩擦对全球经济发展和世界政经格局造成重大冲击。在此背景下，如果由于上述因素导致国外供应商因相关政策影响减少或者停止向公司供应零部件，或者国产替代元器件无法达到境外同类产品的质量和技术标准，则将影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，从而对公司的经营产生不利影响。
　　（六）知识产权争议风险
　　公司薄膜沉积专用设备目前主要应用于半导体集成电路及光伏领域。半导体集成电路专用设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防范技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利、实施商业秘密保护等方式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展，一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权或请求宣告公司专利无效的情形，另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷，对公司的正常经营活动产生不利影响。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
　　在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
　　作为国家高新技术企业，公司先后荣获工信部“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号。公司拥有七个国家级、省级研发平台，包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等，并承担了多项国家、省级重大科技专项。
　　公司以“创新驱动，引领未来，为客户创造价值”为使命，不断引领行业技术创新，成立至今已开发多款高端薄膜沉积设备并成功实现产业化。公司iTomicHiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备入选江苏省首台（套）重大装备产品目录，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，多款半导体设备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。
　　公司生产研发的主要设备，具体如下：
　　（1）公司半导体领域主要产品
　　2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已进行试样验证，下同。
　　（2）公司光伏领域主要产品
　　除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
　　①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
　　②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
　　(二)主要经营模式
　　1、盈利模式
　　公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
　　2、采购模式
　　公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。
　　3、生产模式
　　公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
　　4、销售模式
　　公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
　　5、研发模式
　　公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司生产的薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具备光学、电学、机械和化学等方面的特殊性能，广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。
　　1.1半导体行业
　　薄膜沉积设备是集成电路制造的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
　　半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。
　　晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额的18%以上。
　　薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更先进制程发展。随着单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。MaximizeMarketResearch预计2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达559亿美元，同比推算国内市场规模将达162亿美元。
　　半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场份额，国产化趋势明显。
　　半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(AppliedMaterials,Inc.)、泛林半导体LAM(LamResearchCorporation)、东京电子TEL(TokyoElectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternational)等传统设备厂商占有主要市场份额。
　　近年来，随着国家重大专项、集成电路产业投资基金等战略举措的持续推动，以及部分民营企业的快速崛起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并不断完善。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，且实际应用场景仍较为有限。
　　面对全球供应链不确定性以及国内晶圆厂商对供应链安全的高度重视，对国产半导体设备的需求持续增长，国产半导体设备验证与导入进程明显加快。国家政策的持续加码和产业需求的拉动，为本土半导体设备企业提供了前所未有的发展契机。作为国内半导体薄膜沉积领域的核心企业之一，公司凭借在ALD技术和CVD技术等领域的深厚积累，在国产中高端薄膜设备领域占据了先发优势。
　　1.2光伏行业
　　薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，在“双碳”战略目标驱动下，市场前景广阔。
　　光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。
　　全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模持续增长，根据CPIA数据显示，2025年国内光伏发电新增装机达到315.07GW，同比增长约13%，累计并网装机容量创历史新高。2025年全国光伏电池产量超过660GW。短期来看，行业供需结构性失衡问题仍存，行业整合正加速推进。长期来看，在全球能源转型与“双碳”目标纵深推进的时代浪潮中，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。
　　光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
　　光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。
　　目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向，钙钛矿及钙钛矿叠层电池则是下一代光伏电池技术的重要发展方向，被视为突破晶硅电池效率极限、推动光伏发电成本进一步下降的前沿技术路线。BC、钙钛矿等前沿技术加速迭代驱动结构性调整，新兴场景与市场将提供新的增长空间，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。
　　1.3其他新兴应用领域
　　原子层沉积（ALD）技术作为一项具有产业前瞻性与共性的关键核心技术，产业化应用场景广泛。除已形成巨大市场规模的半导体、光伏领域外，还在固态电池、柔性电子、高端光学等新兴应用领域同样具备明确的产业化前景与强劲的增长潜力。这些新兴应用领域内新技术的产业化，能为公司发展开辟新的增长空间。
　　1.3.1ALD技术在固态电池领域的应用前景与市场机遇。
　　固态电池因其在本征安全性与能量密度提升方面的显著优势，被广泛视作下一代动力电池的核心发展方向。然而，其产业化进程受制于正负极与固态电解质间固-固界面接触失效、界面阻抗过高以及锂枝晶生长等关键瓶颈，这些难题直接影响了电池的倍率性能与循环寿命。
　　ALD技术凭借其亚纳米级膜厚控制能力、出色的三维共形性及薄膜的高致密性，为解决上述瓶颈提供了有效的技术路径。具体而言，ALD技术可应用于固态电解质（SE）薄膜的制备与致密化，以降低漏电流；正极/电解质及负极/电解质界面的人工缓冲层构筑，以降低界面阻抗并抑制副反应；超薄锂金属负极的原位保护，以抑制枝晶穿刺。这些应用对于提升固态电池的库伦效率与循环稳定性至关重要。
　　随着固态电池技术逐步从研发走向量产试点，其对应的专用制造设备市场有望迎来高速增长。根据EVTank等研究机构预测，全球全固态电池设备市场规模预计将从2024年的基数较小的导入期，以超过150%的年均复合增长率（CAGR）快速攀升，至2030年有望达到455亿元人民币。这一爆发式增长预期，不仅印证了固态电池产业的巨大潜力，也为ALD技术在新能源镀膜领域的规模化应用提供了战略窗口期。
　　1.3.2硅基OLED在VR/AR等行业已实现量产，正快速成为微显示产业中应用最广泛的技术类型，市场前景广阔且发展迅速。
　　硅基OLED作为新型显示技术之一，凭借尺寸小、便携性强、对比度高、响应速度快、功耗低等突出特点，主要应用于近眼显示系统（如VR/AR设备）、微型投影显示、车载显示等高端场景。其中，薄膜沉积环节是影响硅基OLED规模化量产、显示性能提升的关键技术之一，直接影响器件的发光效率、寿命与稳定性。
　　ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关键薄膜的沉积需求。随着VR/AR、车载显示等下游市场的快速扩张，硅基OLED需求将持续攀升，进而带动相关设备与技术的市场需求增长，为公司带来新的业务增长点。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
　　在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。
　　根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　3.1半导体薄膜沉积设备技术发展情况和趋势
　　半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的尺寸、结构密切相关。在摩尔定律的推动下，器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，进而使集成电路制造工序愈为复杂，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。同时，随着线宽不断缩小，晶体管密度越接近物理极限，单纯依靠提高制程来提升集成电路性能将变得越来越难，并且成本也在指数级攀升，因此集成电路目前已进入“后摩尔时代”。当前，制造工艺正向着小型化、多样化和高能效、功能化方向发展，各类新器件、新构架、新材料、新工艺、新设备不断涌现。这一发展趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜沉积设备的依赖逐渐增加。
　　3.1.1半导体领域内PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代，共同满足先进半导体器件技术发展的需要
　　半导体领域常见的薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。由于半导体领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变及材料需求升级，薄膜沉积工艺和设备不断迭代。根据薄膜制备的基础原理不同，薄膜沉积设备可分为多种技术路线，其中PVD、CVD、ALD等三类薄膜沉积技术为目前半导体领域的主流技术路线。
　　在芯片制造过程中，需涉及十余种不同材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，对薄膜的性能和材料需求呈现多元化特征。因此，PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依托各自技术特点拓展适合的应用领域，材料制备上相互补充，同时各自伴随下游应用需求的提升持续优化升级。
　　ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器件中应用较少，2007年Intel公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法满足部分工序要求。ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等半导体薄膜沉积环节具有较好的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：
　　半导体薄膜沉积技术的演进过程
　　3.1.2在人工智能技术（AI）为核心驱动的新一轮半导体周期中，ALD技术等尖端薄膜沉积技术对满足半导体器件新架构、新工艺和新材料的需求具有不可替代的关键性作用
　　随着人工智能（AI）在大数据计算、图像识别与生成、医学诊断与研究、娱乐和软件等产业中的应用加速发展，市场对计算能力的需求日益增长，推动了半导体器件不断提高运行速度、降低能耗。进而促使逻辑芯片内部晶体管结构的微缩、存储器3D结构化和先进封装应用等新架构、新工艺和新材料的需求不断涌现。
　　半导体器件结构的复杂化和微型化对薄膜沉积提出了原子级的精度要求。ALD技术凭借其三维共形性、大面积成膜均匀性和精确膜厚控制的优异特性，成为满足这些要求的关键技术。过去多年，ALD设备市场规模增长速率在各类关键晶圆生产设备中位居首位。
　　目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为技术发展所必需的工艺设备。随着国内半导体产业技术的持续升级，ALD设备的必要性更加凸显。
　　3.1.3CVD薄膜沉积技术覆盖了集成电路前道制造过程中大部分沉积工艺，市场规模最大，CVD设备尤其是高端CVD设备在芯片制造过程中具有不可替代的作用
　　CVD设备广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，并与其他类型薄膜沉积设备互相补充。根据SEMI数据，在全球薄膜沉积设备市场中，LPCVD、PECVD等CVD技术路线合计占据最高的市场份额。
　　近年来，随着我国半导体制造体系和产业生态建立和逐步完善，包括CVD在内的薄膜沉积设备国产化进程已取得显著进展。但在先进制程及关键工艺环节，高端半导体薄膜沉积设备的国产化率仍处于较低水平，应用场景相对有限，仍有大量高端CVD设备待国产化。因此，半导体领域内关键工艺的高端CVD设备的产业化具有良好的市场前景。
　　3.1.4公司半导体薄膜沉积技术的发展情况
　　3.2光伏薄膜沉积设备技术发展情况
　　光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC技术逐步淘汰，TOPCon已成为目前主流技术路线，HJT、XBC、钙钛矿等新型光伏电池技术也有所发展。
　　光伏领域中薄膜沉积技术以PECVD和ALD为主，综合使用多项技术路线是行业趋势。PECVD技术因其兼容性高，各类型应用前景广泛。ALD技术作为成膜质量最好的技术，随着光伏效率提升对薄膜工艺要求提高，也有更多的应用场景。行业内薄膜设备厂商目前主要以PECVD或ALD技术路线为主，根据各自的技术积累和未来技术方向的专业判断，同时进行多种技术路线的选择和尝试。
　　公司ALD技术在TOPCon电池中已经取得良好应用，因ALD技术优异的保型性且薄膜材料密度一致，在TOPCon电池具有金字塔绒面的正面Al2O3钝化层制备中，公司的ALD设备成为主流技术路线。由公司开发的行业内首条GW级PE-TOPCon工艺整线的验收，带动和引领了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还积极地探索开发双面Poly、HJT、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。
　　二、经营情况讨论与分析
　　2025年，全球半导体行业延续高景气增长态势，行业需求持续旺盛，国内半导体产业链自主可控进程加速推进，高端薄膜沉积设备国产化替代需求进一步释放；光伏行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶段，阶段性供需错配矛盾未完全化解，产业链盈利压力对光伏设备验收节奏形成一定阶段性影响。
　　面对行业格局变化，公司坚持以“创新驱动”为核心发展导向，立足半导体与光伏两大领域，积极把握半导体市场机遇，主动应对光伏行业周期性波动挑战，通过持续优化业务结构、强化技术研发、提升运营效能等举措，实现公司整体稳健发展。报告期内，公司半导体业务实现高速增长，光伏业务在行业承压下彰显较强经营韧性，同时在新兴领域持续布局，为未来发展培育新的增长极。
　　报告期内，公司实现营业收入263,330.32万元，同比小幅度下降2.47%；其中，半导体设备收入88,089.26万元，同比增长169.12%，占主营业务收入的比重提升至33.49%；光伏设备收入159,128.88万元，同比下降30.52%。同期，公司实现归属于母公司所有者的净利润21,937.42万元，同比下降3.23%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润16,008.14万元，同比下降14.53%。业绩变动主要受以下因素影响：1）光伏设备验收数量减少，导致整体营收小幅下降；2）产品结构变动、新建产能导致折旧摊销增加、叠加光伏相关项目计提资产减值损失；3）为推进半导体业务的发展并保持在新一代光伏电池技术的领先优势，继续保持高研发投入。
　　（一）报告期内经营概况
　　1、半导体设备业务高速增长，收入占比由12.14%提升至33.49%
　　报告期内，半导体设备业务实现重要突破与快速增长，新签订单规模屡创新高，为公司积累了充足的订单储备。2025年，公司多款ALD和CVD设备获得重点客户验证和量产导入，核心产品High-k、金属化合物、硬掩模等先进工艺设备的量产规模持续扩大，新产品与新技术市场渗透率稳步提升。在存储、逻辑芯片、先进封装等各细分类领域，均取得了长足的进步。
　　存储领域：公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，相关工艺技术对推动DRAM、3DNAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。未来，伴随3D结构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升，公司有望深度受益。
　　逻辑芯片领域：公司与国内主流厂商保持着稳定合作关系，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要，部分产品已成功导入到多个国产领先厂商产线。随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长，该领域业务有望保持增长态势。
　　先进封装领域：公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求，适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。
　　2、光伏设备业务保持经营韧性，聚焦前沿技术，构筑长期动能
　　报告期内，行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶段，但阶段性供需错配矛盾仍未完全化解，产业链盈利压力对设备验收节奏形成一定影响，公司光伏设备业务收入及利润贡献较去年同期有所回落，对当期整体业绩形成阶段性调整压力。
　　长期来看，在全球能源转型的大背景下，光伏作为清洁能源的重要组成部分，终端需求及新兴应用场景仍稳步拓展，技术迭代升级对高端设备的需求保持刚性。为满足下游光伏技术迭代及海外市场需求，公司一直持续开展前瞻性技术布局并加速出海步伐。
　　（二）半导体领域产品的研发和产业化进展
　　公司半导体领域产品主要包括iTomic系列ALD设备、iTronix系列CVD设备。目前，公司的ALD设备已全面覆盖主流薄膜材料与核心工艺，CVD设备已实现硬掩模等关键工艺突破并持续拓展工艺覆盖范围。
　　1、ALD设备的研发和产业化进展
　　（1）iTomicHiK系列ALD设备
　　该系列作为国内最早成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-kALD设备，攻克了高端芯片栅氧层工艺壁垒，是公司ALD设备核心产品之一，历经多次迭代和技术升级，核心技术指标已达到国际先进同类水平。
　　目前，该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片提供介质层等关键工艺解决方案。报告期内，公司该系列产品保持竞争优势，部分关键工艺产品成功导入到多个国产领先厂商产线。
　　（2）iTomicMeT系列ALD设备
　　该系列为针对逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化等关键工艺提供解决方案的ALD设备，可实现传统方式难以达成的金属/金属化合物薄膜沉积效果，有效支撑半导体器件向更高集成度、微缩化及三维立体化方向发展。
　　目前，该系列产品可用于逻辑芯片、存储芯片和先进封装的栅极金属、MIM金属电极、扩散阻挡层等关键工艺。报告期内，该系列产品获得行业重要客户高度认可，已导入量产产线，持续获得量产批量订单，成为公司ALD设备领域又一大核心产品。
　　（3）iTomicPE系列ALD设备
　　该系列为针对多重曝光介质膜及绝缘介质材料沉积需求的PEALD设备，可在较低温度下获得高质量的薄膜，适合应用于热预算较小的场景。目前，该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供掩膜、介质层、图案化等关键工艺解决方案。
　　（4）iTomicSPX系列ALD设备
　　该系列为公司研发推出的空间型ALD设备，采用空间ALD技术，单腔可同时处理多片晶圆，大幅度提升沉积速率，匹配量产线对产能与薄膜质量的双重需求。
　　目前，公司是国内少数具备空间型ALD设备研发和生产能力的厂商之一。该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片的生产提供高效的工艺技术方案。报告期内，该系列产品已获得重要客户订单，进入产业化验证阶段。
　　此外，公司半导体领域ALD产品还包括iTomicMW系列批量式ALD设备、iTomicLite系列轻型ALD设备等产品，相关产品均已经实现产业化应用。依托持续的技术创新与工艺积累，公司已构建起覆盖多技术路线、多应用场景的ALD设备产品矩阵，形成体系化、可扩展的先进工艺库，全面覆盖ALD领域主流薄膜材料沉积与核心工艺需求，为逻辑、存储、先进封装等各类细分应用领域客户提供ALD工艺综合解决方案，持续巩固并提升公司在国内ALD设备领域的核心竞争力与市场地位。
　　2、CVD设备的研发和产业化进展
　　（1）iTronixMTP系列CVD设备
　　该系列作为国内首批成功应用于产业链核心厂商量产线的硬掩模PECVD设备，是公司CVD设备核心产品之一。该设备成功突破我国半导体设备领域关键技术，实现了高蚀刻选择比、高深宽比孔硬掩模沉积设备的研发、制造与产业化，进一步巩固了公司在高端薄膜沉积设备领域的优势。
　　目前，该系列产品可用于存储、逻辑等领域的硬掩模工艺，具备沉积无定形碳薄膜的能力。无定形碳作为高端硬掩模材料之一，具有多项先进特性，如高度的蚀刻选择性、低反射性、热稳定性和机械强度，这些特性使得碳硬掩模成为半导体制造技术中不可或缺的材料，能够满足高图形密度、高深宽比等复杂结构薄膜沉积的需求。报告期内，公司该系列产品保持竞争优势，持续获得量产批量订单，部分关键工艺产品成功导入到国产领先厂商先进制程产线。
　　（2）iTronixPE系列CVD设备
　　该系列为针对SiO2、SiN、SiON、SiCN、a-Si等常用膜层材料沉积需求的PECVD设备。PECVD是目前半导体领域应用最广泛的薄膜沉积设备类型之一，其中常用膜层材料对应的工艺需求占比最高、应用场景最普遍，在半导体制造全流程中发挥着不可或缺的作用。
　　目前，该系列产品可沉积多种薄膜材料，广泛应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件及化合物半导体等领域芯片制造环节。报告期内，该系列产品的市场拓展顺利，已获得先进封装领域重要客户订单。
　　（3）iTronixLP系列CVD设备
　　该系列为针对SiGe、poly-Si、a-Si、MonocrystalSi等关键工艺沉积需求的LPCVD设备。LPCVD是CVD设备中应用较多的设备类型之一，其与常压的CVD相比，具有较佳的阶梯覆盖能力，成膜质量好，依靠加热设备作为热源来维持反应的进行，降低了颗粒污染源等特点，在特定关键工艺环节具有不可替代的作用。报告期内，公司该系列产品实现多项关键工艺的突破，并获得产业链核心客户的重复订单。
　　未来，公司将依托在高端CVD设备领域已构建的技术积累与先发优势，持续拓宽CVD产品的工艺覆盖范围，聚焦行业重要客户关键工艺需求，持续研发并推出更多满足市场需求的CVD产品，不断提升市场份额与市场渗透率。
　　（三）光伏及其他新兴领域产品的研发和产业化进展
　　公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业之一，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，产品包括ALD、CVD、PVD和炉管等设备，覆盖了TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等技术路线。
　　报告期内，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。
　　除在半导体和光伏领域外，公司还持续在新兴领域进行前沿化开发，为公司未来发展创造更多收入增长极。目前，公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行深耕布局。目前新兴领域的订单量较小，但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级，新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。
　　（四）首次再融资落地，助力半导体产能与研发升级
　　2025年度，公司向不特定对象发行可转换公司债券顺利发行并上市，共募集资金11.70亿元。这是公司自2022年登陆科创板以来首次实施的再融资项目，标志着公司资本运作能力迈上新台阶，对公司未来发展具有重要战略意义。报告期内，公司可转债募投项目“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目”和“研发实验室扩建项目”有序推进。通过建设先进的生产车间，购置先进生产设备和量测设备，提升公司薄膜沉积设备的生产能力、研发能力及科技成果转化能力，为公司长期稳健发展夯实基础。
　　（五）加大研发投入和加强知识产权保护
　　报告期内，公司坚持自主创新，持续加大研发投入以保持核心竞争优势。2023年至2025年，公司研发投入分别30,814.00万元、41,909.38万元和37,557.12万元，多年来保持高比例研发投入，其中超过70%投入半导体领域。公司半导体领域研发重点包括逻辑、存储、先进封装、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领域研发重点包括TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。
　　在持续强化技术壁垒的同时，公司高度重视技术保护工作，完善专利布局。报告期内，公司新增专利授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计75项，累计授权并维持有效专利数达到250项，新增申请专利共计196项，累计申请专利数达到807项。此外，为促进知识产权管理与创新活动深度融合，以知识产权赋能创新，报告期内公司成功通过ISO56005认证，获得《创新与知识产权管理能力》三级证书。
　　（六）提升制造供应和运营管理能力
　　公司已在半导体制造与光伏制造全面推行模块化生产、均衡生产等精益生产理念，全面实施数字化管理。在此基础上，公司持续对生产制造、供应链管理、质量管理等环节优化升级，为公司高质量发展奠定坚实基础。
　　生产制造环节，公司持续深化精益生产理念，在半导体制造、光伏制造领域升级优化模块化、均衡化生产模式，推动数字化管理向深度渗透，逐步完善智能工厂制造体系。报告期内，公司成功入选“江苏省先进级智能工厂名单”及“江苏省绿色工厂”。
　　供应链管理环节，面对国际贸易局势变动引发的全球产业链调整，公司进一步加强了在需求预测、库存管理和供应商管理等方面的运营，构建完善、稳定、可控的全球供应链体系。通过战略性采购、联合开发、扩大供应商储备等举措，逐步构建起自主可控、安全可靠、具备高韧性的供应链生态。
　　在质量管理方面，公司对供应商管理系统质量管理模块进一步优化完善，持续推进供应商能力矩阵开发，规范供应商反馈渠道，提升处理效率和问题追溯精度；针对关键OEM部件的质量问题，在专项团队攻坚的基础上，建立常态化质量管控机制，显著降低设备故障率；在全面应用质量综合看板和人员能力矩阵的基础上，进一步推进研发质量系统的开发，完成多个系统质量模块的整合，实现质量信息的实时整合与共享，提高协同效率。
　　（七）加强人才队伍建设
　　公司秉承“以客户为中心，为员工谋福祉”的价值观，为每一位员工提供完备的福利、培训、激励计划，助力员工成长、成就个人价值。在人才培养方面，公司实施了多元化的培训机制，覆盖不同专业领域、职级和个人发展阶段，确保每位员工都能获得与其职业发展相匹配的培训资源。在人才激励方面，公司制定了系统化的人才激励机制，通过具有行业竞争力的薪酬福利、透明规范的晋升通道和长效共享的股权机制，持续激发人才创新活力。报告期内，465名激励对象累计归属347.92万股股票，同时公司推出了2025年限制性股票激励计划，420名激励对象累计被授予332.76万股股票。上述股权激励计划的实施，进一步扩大了员工持股覆盖面，通过极具吸引力的股权激励计划与员工共享企业发展的经营成果。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、先进技术路线优势
　　公司以ALD技术为核心，专注于ALD、CVD等薄膜沉积工艺技术研发和应用场景拓展。ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。
　　此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，在固态电池、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
　　2、优秀的研发团队和完善的创新中心平台的优势
　　公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管理经验，并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理，专业知识储备深厚，工艺开发、产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石。
　　同时，公司已建立的创新中心以现有技术为基础，围绕国产化替代的战略需求，结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求，针对先进技术和工艺性能，搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目发展孵化器。创新中心使公司具有前瞻应用定制化能力，可为客户提供全场景Demo设备线，从而能够及时响应客户的各类需求，为客户提供全方位的解决方案。
　　3、技术积累与研发创新能力优势
　　公司坚持自主研发，已形成先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十一项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司iTomicHiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备均被评为江苏省首台（套）重大装备产品，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，半导体领域设备成为国产首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-k原子层沉积设备，其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证，并获得重复订单。
　　4、平台化的产品矩阵布局优势
　　公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场，半导体领域公司以ALD为核心并成功拓展CVD等多种薄膜沉积技术和产品，光伏领域公司持续推进以ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发，同时依托创新中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响，同时不断拓宽公司市场规模和成长空间。
　　5、优质客户资源优势
　　在半导体领域内，公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层等工艺并获得了客户的重复订单，为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、存储、先进封装、化合物半导体和新型显示领域内多家国内知名半导体公司的商业订单，多款设备已通过客户严格技术验证，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域已覆盖包括通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。
　　6、高效客户服务优势
　　公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导向，为客户定制化开发可量产的工艺、设备及全场景薄膜沉积解决方案。公司技术服务体系健全，为客户提供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导入的工艺磨合时间。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　受益于公司完整的ALD和CVD设备布局、公司核心技术持续突破、产品升级快速迭代，产品种类不断丰富。公司布局的薄膜设备在半导体集成电路行业是除光刻机和刻蚀机外第三大设备，目前公司逐步形成了先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术以及高效电池整线工艺技术等十一大核心技术。
　　报告期内，公司核心技术无重大变化。
　　2、核心技术具体表征
　　3、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司新增专利授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计75项，累计授权并维持有效专利数达到250项；新增申请专利共计196项，累计申请专利数达到807项。
　　备注：其他是指商标。
　　4、研发投入情况表
　　研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
　　主要系公司部分研发项目已于前期实现产业化应用，逐步结项转无形资产，报告期内尚无新增符合资本化条件的项目导致。
　　5、在研项目情况
　　6、研发人员情况
　　7、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。公司紧跟行业技术发展趋势为客户提供具有技术优势的高附加值产品及应用解决方案。但若公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、新产品验证进度不及预期的风险
　　公司薄膜沉积设备主要应用于半导体晶圆、光伏电池片的生产环节，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，新产品存在验证进度不及预期的风险。
　　2、季度业绩波动风险
　　客户采购存在非均匀、非连续等特征，这导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。此外，受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响，公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异，从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时，公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动，甚至可能出现单个季度亏损的风险。
　　3、订单履行风险
　　公司设备类产品在手订单较多，若在订单执行过程中，受到国内行业行情加剧下行、客户需求发生变化等不可预计或不可抗力等因素的影响，有可能会导致部分订单无法履行或终止的风险。
　　(五)财务风险
　　1、存货跌价的风险
　　公司存货账面余额较高，主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备，但仍不能排除市场环境发生变化，或其他难以预计的原因，导致存货无法顺利实现销售，或者存货价格出现大幅下跌的情况，使得公司面临存货跌价风险。
　　2、应收账款和合同资产无法回收的风险
　　近年来，随着公司业务规模的快速增长，应收账款和合同资产保持较高规模水平。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致应收账款和合同资产不能按期回收，并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发生坏账的情况，将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
　　(六)行业风险
　　1、下游行业波动的风险
　　公司主营业务为先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售，向下游客户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品及服务，主要应用于半导体领域、光伏领域及其他新兴领域，公司的经营状况与下游行业的发展密切相关。在半导体领域，如果由于国际政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等，导致半导体行业固定资产投资及对设备需求的下降，将会影响公司经营业绩；在光伏领域，行业供需结构性失衡问题仍存，行业产能尚在加速出清，进而影响下游企业对公司产品的需求，也可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、国内市场竞争加剧的风险
　　近年来，ALD、CVD技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注，在巨大发展潜力的吸引下，国内竞争者开始出现，市场竞争趋于激烈。未来随着国内竞争企业的增加，可能压缩公司的利润空间，并导致公司市场份额下滑，进而对公司生产经营产生不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　全球产业链重新调整及贸易摩擦对全球经济发展和世界政经格局造成重大冲击。在此背景下，如果由于上述因素导致国外供应商因相关政策影响减少或者停止向公司供应零部件，或者国产替代元器件无法达到境外同类产品的质量和技术标准，则将影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，从而对公司的经营产生不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1、知识产权争议风险
　　公司薄膜沉积专用设备目前主要应用于半导体集成电路及光伏领域。半导体集成电路专用设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防范技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利、实施商业秘密保护等方式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展，一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权或请求宣告公司专利无效的情形，另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷，对公司的正常经营活动产生不利影响。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　公司2025年营业收入263,330.32万元，同比下降2.47%；2025年归属于上市公司股东的净利润21,937.42万元，同比下降3.23%；2025年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润16,008.14万元，同比下降14.53%；2025年末公司总资产966,934.08万元，同比增长17.05%；2025年末归属于上市公司股东的净资产296,408.56万元，同比增长14.21%。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　在半导体领域，中国正处于全球半导体产业转移的历史机遇期，国内产业链的景气度和成长性更加突显。依托庞大的终端应用市场需求和国家产业政策的大力支持，中国集成电路产业发展迅速，国内芯片制造企业的产线建设数量和投资规模也相应快速增长。随着国产半导体设备产品的技术性能不断提升，以及国家针对半导体、泛半导体产业整体战略布局，集成电路制造的设备端国产替代趋势明显，半导体设备国产化进程加速。
　　薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备同样迎来重大发展机遇。随着国内半导体行业的发展，客户对新器件、新架构、新材料、新工艺的需求持续推动了薄膜沉积设备的创新。政策支持和技术进步的推动下，国产薄膜沉积设备有望加速渗透，迎来前所未有的发展契机。
　　在光伏领域，光伏薄膜沉积设备具有稳定的中长期需求。随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，意味着全球能源转型，有望驱动光伏装机规模继续扩大。在光伏行业降本增效的发展趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在巨大市场需求拉动下，具备相应技术研发和生产制造能力的光伏设备厂商有望持续受益。
　　(二)公司发展战略
　　作为绿色家园的推动者，以及科技创新、自立自强的践行者，公司坚持全球化布局与多元化发展，通过构建以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，依托创新中心平台，引领创新性应用，不断向各领域横向及纵深发展。通过自主创新，积极开发半导体、下一代光伏电池、固态电池、柔性电子等领域具有市场竞争力的产品。公司通过为客户提供一流技术、一流品质和一流服务，不断扩展市场占有率，打造高端装备制造商的优质品牌，实现高端技术装备的国产化、产业化，针对新兴产业形成一整套技术解决方案，力争成为全球微纳制造装备领导者。
　　在半导体领域内，公司将利用现有的核心技术，持续拓展市场空间，保持在ALD和CVD等高端薄膜沉积设备市场的竞争优势。公司将瞄准国内外半导体先进技术和工艺的发展方向，构建和完善ALD、CVD等多种先进真空技术平台，持续丰富产品矩阵，满足客户新器件、新架构、新材料的工艺需求，提供多场景全方位解决方案，覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示等细分应用领域，满足国内先进半导体下一代技术迭代的需求，从而占据技术的最前沿，引领行业创新发展。
　　在光伏领域内，公司将紧跟下游行业电池技术迭代和扩产的发展趋势，充分发挥ALD、CVD等多种先进真空技术平台的优势，横向拓宽产品线，提高市场覆盖率，为客户提供ALD、PEALD、PECVD、LPCVD、PVD、扩散等配套产品，定位于新型高效电池工艺整线设备供应商，从而抓住当前行业发展机遇，储备未来增长点，稳固自身在光伏领域薄膜沉积设备市场的领先地位。
　　其他新兴行业如新能源、光学、显示等领域内，依托公司创新中心行业拓展的战略部署，加快产品布局和规划，持续进行新技术及新应用的开发，并进入新市场领域，不断推出引领行业的创新型产品，推进产业化验证和应用。通过多领域市场空间的拓展，降低了单一细分领域周期性波动带来的影响。
　　(三)经营计划
　　1、技术研发计划
　　公司将继续坚持以客户需求作为技术研发导向，持续增加研发投入，密切追踪最新的技术及发展趋势，持续开展对新技术的研究，加快产品创新。公司不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司持续加大研发投入力度，营造更好的研发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
　　2、市场营销和服务开展计划
　　公司将继续密切关注客户需求，在满足现有客户对设备需求的同时，深度挖掘现有客户的其他需求，并积极拓展国内外其他知名客户资源，不断支持公司扩大业务规模。在产品技术路线交流、销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。
　　3、人力资源计划
　　公司将根据未来技术发展规划和现有人才储备状况，不断加强人才队伍的建设工作。公司根据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法，建立、健全公司科学化、规范化的人力资源管理系统，注重国内外高端专业技术人才的引进。通过人才培养计划，满足公司发展的人力资源需求，强化技术研发团队的力量。公司增强核心经营人员和技术人员的稳定性，持续推进人才培养计划，进一步提升研发队伍的创新能力，不断促进员工综合素质及业务水平的提高。
　　4、产品开发规划
　　公司将持续强化产品管理，制定中长期产品规划，动态完善产品路线图，根据既定战略完善产品矩阵和产品线，开发系列化高端集成电路制造所需的ALD、CVD等设备产品。与国内外顶尖半导体及泛半导体制造商加深合作，大力开发量产化工艺技术，实现专有工艺与专用设备的配套，提升产品技术壁垒，增强产品在国际市场的竞争力。公司将大力开发新能源领域产业化应用技术和专用产业化装备，积累前沿技术产业化应用的知识产权，布局前瞻性技术领域关键产业化技术以及整体解决方案。
　　5、知识产权发展规划
　　公司已制定知识产权战略发展规划，根据工作目标和工作任务积极推进。首先，以完善知识产权管理体系为主，加大知识产权经费投入，深化知识产权信息综合运用，完善关键产品专利海外布局，积累知识产权优势。其次，以高价值专利培育为主，持续推进关键产品专利技术分析工作，进一步完善关键产品专利布局，提高和加强纠纷应对能力。最后，以自身技术为出发点开展运营，全面持续推进知识产权布局及保护工作，实现创新成果高效转化。
　　6、市场拓展规划
　　公司将加强和健全各事业部的专业化、国际化市场营销团队，提升营销团队的专业技术能力。同时，加强客户技术服务、产品质量及品牌维护，通过先进技术、优质产品以及专业服务，提升公司的核心竞争力，打造公司国际化品牌。公司强化各事业部相关产业的技术交流和互动，积极参与相关技术领域的标准与规范制定工作，树立专业化、国际化地位，打造具有影响力的微纳装备制造领导者形象。
　　7、管理提升规划
　　全面提升管理效能，通过成本核算中心来提高成本核算的正确率和效率，以降低综合成本，同时压缩采购成本、控制设计成本，并建立标准化计量体系。重点优化和简化运营流程，提高部门工作效率，加强跨部门沟通，以客户满意度来监督运营。重点强化质量体系，推进模块化、标准化，加强设计质量管控、供应商质量管控、制造质量管控、售后质量管控。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）主营业务、主要产品或服务情况　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。　　原子层沉积（ALD）等尖端薄膜沉积技术作为原子级制造的核心关键技术之一，凭借优良的技术特性，具有广泛的普适性，在半导体集成电路、新能源、新材料等领域均有着重要的应用前景。微导纳米相关产品已在半导体、光伏领域实现了大规模产业化应用。　... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主营业务、主要产品或服务情况
　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
　　原子层沉积（ALD）等尖端薄膜沉积技术作为原子级制造的核心关键技术之一，凭借优良的技术特性，具有广泛的普适性，在半导体集成电路、新能源、新材料等领域均有着重要的应用前景。微导纳米相关产品已在半导体、光伏领域实现了大规模产业化应用。
　　在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，相关产品涵盖了逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
　　在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
　　作为国家高新技术企业，公司先后荣获工信部“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号。公司拥有七个国家级、省级研发平台，包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等，并承担了多项国家、省级重大科技专项。
　　公司以“创新驱动，引领未来，为客户创造价值”为使命，不断引领行业技术创新，成立至今已开发多款高端薄膜沉积设备并成功实现产业化。公司iTomic HiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备均入选江苏省首台（套）重大装备产品目录，半导体多款设备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。
　　报告期内，公司紧抓下游产业链核心客户产能扩张和技术创新机遇，积极拓展半导体业务，取得显著成效，前期战略布局逐步落地。随着High-k材料、金属化合物、硬掩膜等先进工艺设备量产规模的不断扩大，以及新工艺设备市场渗透率的不断提升，2025年上半年公司半导体业务增长强劲，新增半导体设备订单超去年全年水平。截至2025年6月30日，半导体领域在手订单达23.28亿元，较年初增长54.72%。
　　报告期内，公司实现营业收入104,994.82万元，较上年同期增长33.42%，连续多年保持高速增长。其中，半导体设备收入19,353.64万元，同比增长27.17%；光伏设备收入80,360.90万元，同比增长31.53%。半导体设备收入占主营业务收入比重由2023年度的7.27%提升至18.45%，呈逐年上升的趋势。同期，公司实现归属于母公司所有者的净利润19,236.06万元，同比增长348.95%；扣除非经常性损益的净利润13,636.47万元，同比增长1,090.38%，盈利能力保持稳健。未来公司将继续加大对半导体业务的战略投入，积极运用可转债募集资金推进先进半导体设备的研发、生产及测试等设施建设，持续提升半导体产品工艺覆盖度，进一步增强市场竞争力。
　　公司生产研发的主要设备，具体如下：
　　（1）公司半导体领域主要产品
　　2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已进行试样验证，下同。
　　（2）公司光伏领域主要产品
　　（3）其他新兴应用领域主要产品
　　除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
　　①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
　　②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
　　（二）经营模式
　　1、盈利模式
　　公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
　　2、采购模式
　　公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。
　　3、生产模式
　　公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
　　4、销售模式
　　公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
　　5、研发模式
　　公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
　　（三）所属行业发展情况
　　公司生产的薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具备光学、电学等方面的特殊性能，广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。
　　（1）半导体行业
　　薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
　　半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。
　　在AI等新兴应用推动下全球半导体市场有望在2030年突破1万亿美元市场规模
　　晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额的18%以上。
　　薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路制造不断向更尖端工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。Maximize Market Research预计2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达559亿美元，同比推算国内市场规模将达162亿美元。
　　2019-2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模及预测（亿美元）
　　半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场份额，国产化趋势明显。
　　半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(Applied Materials,Inc.)、泛林半导体LAM(LamResearchCorporation)、东京电子TEL(TokyoElectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternational)等传统设备厂商占有主要市场份额。
　　近年来，通过国家重大专项、集成电路产业投资基金等战略举措的持续推动，以及部分民营企业的快速崛起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并不断完善。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，且实际应用场景仍较为有限。
　　为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，相关支持政策不断落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。同时，当前，海外半导体工艺设备供应受限，基于供应链安全的考虑，国内晶圆厂商对半导体工艺设备的国产化需求强烈，本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，迎来巨大的发展机遇。
　　（2）光伏行业
　　薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，在“双碳”战略目标驱动下，市场前景广阔。
　　光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。
　　全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模迅猛增长，根据中国光伏行业协会（CPIA）数据，2025年1-6月国内新增装机212.21GW，同比增长107%，累计装机规模突破1000GW。电池片产量334.0GW，同比增长7.7%。装机容量和电池片产量的不断扩大，以及电池技术的迭代持续带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。
　　光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
　　光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。
　　目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向。本轮技术迭代周期，率先实现技术研发与量产的领先设备厂商将更具市场竞争力。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　（一）报告期内经营情况概述
　　报告期内，公司紧抓下游产业链核心客户产能扩张和技术创新机遇，积极拓展半导体业务，取得显著成效，前期战略布局逐步落地。随着High-k材料、金属化合物、硬掩膜等先进工艺设备量产规模的不断扩大，以及新工艺设备市场渗透率的不断提升，2025年上半年公司半导体业务增长强劲，新增半导体设备订单超去年全年水平。截至2025年6月30日，半导体领域在手订单达23.28亿元，较年初增长54.72%。
　　报告期内，公司实现营业收入104,994.82万元，较上年同期增长33.42%，连续多年保持高速增长。其中，半导体设备收入19,353.64万元，同比增长27.17%；光伏设备收入80,360.90万元，同比增长31.53%。半导体设备收入占主营业务收入比重由2023年度的7.27%提升至18.45%，呈逐年上升的趋势。同期，公司实现归属于母公司所有者的净利润19,236.06万元，同比增长348.95%；扣除非经常性损益的净利润13,636.47万元，同比增长1,090.38%，盈利能力保持稳健。未来公司将继续加大对半导体业务的战略投入，积极运用可转债募集资金推进先进半导体设备的研发、生产及测试等设施建设，持续提升半导体产品工艺覆盖度，进一步增强市场竞争力。
　　为把握市场机遇，保持行业先发优势，提升未来发展潜力，公司重点在市场开拓、研发投入、人才资源、产品布局、运营管理等方面采取多项措施，其中主要包括：
　　1、半导体设备业务：订单规模同比大幅度增长，占比逐年提升
　　报告期内，全球半导体产业在人工智能、新能源汽车、数据中心等需求拉动下延续高景气，国内半导体产业依托国家政策与资本支持，产业链自主化进程加速，资本开支持续扩张。作为国内半导体薄膜沉积设备领域的技术引领者之一，公司紧抓下游产业链核心客户产能扩张和技术创新机遇，加大研发投入和市场拓展力度，加快了新产品和新工艺的推广，成效显著。ALD设备已涵盖了行业所需主流ALD薄膜材料及工艺，在高介电常数材料、金属化合物薄膜等领域均实现了产业化应用，量产规模不断增加。CVD设备在硬掩膜等关键工艺领域已实现产业化突破，进入存储芯片等领域先进器件量产生产线，并持续推出客户所需的多款关键工艺设备。
　　2025年上半年新增半导体设备订单超去年全年水平。截至2025年6月30日，半导体领域在手订单达23.28亿元，较年初增长54.72%。其中：
　　iTomic HiK系列、iTomic MeT系列ALD设备和iTronix MTP系列CVD设备持续获得量产批量订单，实现多家产业链重要客户导入。
　　iTomic PE系列ALD设备自首台通过客户验收后，市场认可度持续提升，于报告期陆续取得多家产业链重要客户订单。
　　iTronix PE系列CVD设备拓展顺利，已获得先进封装领域重要客户订单，客户端验证顺利。
　　凭借强大的工艺开发能力，实现iTronix LP系列CVD设备多项关键工艺的突破，获得产业链核心客户的重复订单。
　　在市场拓展的同时，公司不断开发新技术、推出新产品以满足下游客户新需求。报告期内，用于大规模生产的iTomic Spatix系列及四站架构腔体的高产能ALD、CVD设备正式推出，成为国内少数具备研发和生产空间型ALD设备的厂商之一。基于当前市场需求及公司拓展的成效，预计2025年公司在半导体领域的产品工艺覆盖面、客户数量和订单规模将持续保持增长。
　　2、光伏设备业务：稳健经营，持续提升技术能力
　　报告期内，光伏行业装机需求和产业规模仍保持增长，但受产业链各环节新增产能快速释放影响，短期内出现供过于求，产业链各环节盈利水平总体承压。近期，随着国家政策引导，下游光伏电池片厂商也正积极通过技术创新、成本控制等方式，推动行业向高质量发展转变。面对当前光伏行业的调整，公司加速现有技术升级和XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层等新型电池技术研发，巩固技术领先地位；严格控制经营风险，不断优化成本，积极推动项目的交付和验收；通过积极开展国内外多元化市场布局，把握市场结构性机遇，实现稳健增长。
　　TOPCon技术路线，公司持续创新整线工艺，电池转换效率不断突破，自主研发的JW系列边缘钝化设备获得行业重要客户认可并取得订单。
　　XBC技术路线，依托公司在TOPCon量产整线的成熟经验与技术积累，成功开发了新一代XBC电池整线解决方案。该方案可针对XBC电池的特殊工艺需求，提供定制化的薄膜沉积解决方案，助力客户快速实现XBC技术产业化，抢占下一代高效电池市场先机。
　　钙钛矿技术路线，公司不断优化和完善钙钛矿整线解决方案，目前已覆盖电子传输层（SnO等）、空穴传输层（NiOx等）、界面层及阻隔封装层等核心工艺环节，可实现关键功能层的制备。报告期内，应用于钙钛矿电池的HY系列板式ALD设备获得客户验收，进入产业化应用阶段。
　　3、持续推进可转债募投项目建设
　　随着国内半导体市场规模扩大及产业链自主可控需求提升，高端国产薄膜沉积设备需求持续增长。报告期内，公司积极推进可转债募投项目“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目”和“研发实验室扩建项目”的建设。通过建设先进的生产车间，购置先进生产设备和量测设备，提升公司薄膜沉积设备的生产能力、研发能力及科技成果转化能力。项目的实施将有效扩大公司半导体设备的生产规模，解决现有产能瓶颈，满足日益增长的订单需求，巩固竞争优势。
　　4、坚持创新驱动，保持高强度研发投入和成果转化力度
　　报告期内，公司坚持自主创新，持续加大研发投入，加快半导体设备的产品布局，迭代发展新一代光伏电池技术路线。2023年至2025年1-6月，公司研发投入分别30,814.00万元、41,909.38万元和15,317.22万元，多年来保持高比例研发投入，其中超过60%投入半导体领域。公司半导体领域研发重点包括逻辑、存储、先进封装、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领域研发重点包括TOPCon、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。
　　在持续强化技术壁垒的同时，公司高度重视技术保护工作，完善专利布局。报告期内，公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计40项，累计授权专利数达到218项，新增申请专利共计98项，累计申请专利数达到710项。
　　5、持续提升制造供应和运营管理能力建设
　　公司持续强化制造供应和运营管理能力建设，在生产制造领域全面推行精益生产和数字化管理，优化了制造工序、资源分配和产品追溯，降低了成本，进一步提升生产制造过程中的智能化程度。报告期内，公司基于原子层沉积（ALD）技术的智能工厂成功入选2025年江苏省先进级智能工厂名单；供应链管理上加强预测、库存和供应商管理，构建稳定体系以应对产业链调整的风险，确保核心部件供应安全；质量管理上升级了供应商系统并成立专项团队，有效提升效率、追溯性并降低故障率，同时通过原材料优化降低成本、提升竞争力；研发质量提升方面通过整合系统模块以实现信息共享；系统工程通过专项攻关解决客户问题、提升效率，借助PLM项目推动研发数字化、智能化，有效缩短研发周期并提升设计创新能力。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、先进技术路线优势
　　公司以ALD技术为核心，专注于ALD、CVD等薄膜沉积工艺技术研发和应用场景拓展。ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。
　　此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
　　2、优秀的研发团队和完善的产业化应用中心平台的优势
　　公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管理经验，并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理，专业知识储备深厚，工艺开发、产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石。
　　同时，公司已建立的产业化应用中心以现有技术为基础，围绕国产化替代的战略需求，结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求，针对先进技术和工艺性能，搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目发展孵化器。产业化应用中心使公司具有前瞻应用定制化能力，可为客户提供全场景Demo设备线，从而能够及时响应客户的各类需求，为客户提供全方位的解决方案。
　　3、技术积累与研发创新能力优势
　　公司坚持自主研发，已形成先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十一项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司iTomic HiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备均被评为江苏省首台（套）重大装备产品，半导体领域设备成为国产首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-k原子层沉积设备，其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证，并获得重复订单。
　　4、平台化的产品矩阵布局优势
　　公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场，半导体领域公司以ALD为核心正逐步拓展CVD等多种薄膜沉积技术和产品，光伏领域公司持续推进以ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发，同时依托产业化应用中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响，同时不断拓宽公司市场规模和成长空间。
　　5、优质客户资源优势
　　在半导体领域内，公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层等工艺并获得了客户的重复订单，为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、存储、先进封装、化合物半导体和新型显示领域内多家国内知名半导体公司的商业订单，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域已覆盖包括通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。
　　6、高效客户服务优势
　　公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导向，为客户定制化开发可量产的工艺及设备。公司技术服务体系健全，为客户提供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导入的工艺磨合时间。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　受益于公司完整的ALD和CVD设备布局、公司核心技术持续突破、产品升级快速迭代，产品种类不断丰富。公司布局的薄膜沉积设备在半导体集成电路行业是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场，目前公司逐步形成了先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术以及高效电池整线工艺技术等十一大核心技术。
　　报告期内，公司核心技术无重大变化。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计40项，累计授权专利数达到218项；新增申请专利共计98项，累计申请专利数达到710项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　主要系公司部分研发项目已于前期实现产业化应用，逐步结项，导致研发投入阶段性同比下降。
　　研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
　　2024年部分资本化项目结项后转无形资产，报告期内无新增符合资本化条件的项目。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司营业收入104,994.82万元，同比增长33.42%；归属于上市公司股东的净利润19,236.06万元，扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润13,636.47万元；报告期末，公司总资产835,676.01万元，较上一年末增长1.16%；归属于上市公司股东的净资产281,972.72万元，较上一年末增长8.64%。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。公司紧跟行业技术发展趋势为客户提供具有技术优势的高附加值产品及应用解决方案。但若公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　（二）经营风险
　　1、新产品验证进度不及预期的风险
　　公司薄膜沉积设备主要应用于半导体晶圆、光伏电池片的生产环节，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，新产品存在验证进度不及预期的风险。
　　2、季度业绩波动风险
　　客户采购存在非均匀、非连续等特征，这导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。此外，受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响，公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异，从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时，公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动，甚至可能出现单个季度亏损的风险。
　　3、订单履行风险
　　公司设备类产品在手订单较多，若在公司订单执行过程中，受到国内行业行情加剧下行、客户需求发生变化等不可预计或不可抗力等因素的影响，有可能会导致部分订单无法履行或终止的风险。
　　（三）财务风险
　　1、存货跌价的风险
　　公司存货账面余额较高，主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备，但仍不能排除市场环境发生变化，或其他难以预计的原因，导致存货无法顺利实现销售，或者存货价格出现大幅下跌的情况，使得公司面临存货跌价风险。
　　2、应收账款和合同资产无法回收的风险
　　报告期内，随着公司业务规模及营业收入的快速增长，应收账款和合同资产也大幅增加。随着公司业务规模的扩大，公司的客户数量逐步增加，应收账款和合同资产的金额及占比可能会进一步增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致应收账款和合同资产不能按期回收，并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发生坏账的情况，将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
　　（四）行业风险
　　1、下游行业波动的风险
　　公司主营业务为先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售，向下游客户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品及服务，主要应用于半导体领域、光伏领域及其他新兴领域，公司的经营状况与下游行业的发展密切相关。在半导体领域，如果由于国际政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等，导致半导体行业固定资产投资及对设备需求的下降，将会影响公司经营业绩；在光伏领域，未来如果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩，进而影响下游企业对公司产品的需求，也可能对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、国内市场竞争加剧的风险
　　近年来，ALD、CVD技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注，在巨大发展潜力的吸引下，国内竞争者开始出现，市场竞争趋于激烈。未来随着国内竞争企业的增加，可能压缩公司的利润空间，并导致公司市场份额下滑，进而对公司生产经营产生不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　全球产业链和供应链重新调整及贸易摩擦对全球经济发展和世界政经格局造成重大冲击，如果由于上述因素可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，或者由于国产替代的元器件无法达到境外相关产品的质量和技术标准，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，进而对公司的经营产生不利影响。
　　（六）知识产权争议风险
　　公司薄膜沉积专用设备目前主要应用于光伏及半导体集成电路领域。半导体集成电路专用设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利、实施商业秘密保护等方式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展，一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权权利或申请公司专利无效的情形，另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷，对公司的正常经营活动产生不利影响。 收起▲