要点一:新产品开发
       未来三年，针对功率器件，公司将开发一系列应用于消费类电子，物联网，工业控制，汽车电子等领域的大功率高性能ESD/TVS产品，超低Vf的肖特基二极管及超低导通阻抗，超低栅极电荷的MOSFET，第三代半导体GaN-on-Si HEMT功率器件，同时扩展现有的产品系列，保持一定的产品更新换代速度。针对功率IC产品，公司将加速USB PD快充技术的开发，以满足5G时代手机快充市场，加速有竞争力的DC-DC，LDO稳压器产品开发和布局，抢占5G时代手机终端需求及随之而来的物联网（IOT）平台超低功耗电源管理，扩展现有开关充电/线性充电/Power Bank充电管理产品的产品型号，扩大公司电源产品的市场覆盖率和市场份额。

要点二:客户情况
       公司产品成功应用于下游行业内小米，TCL，传音等品牌客户及华勤，闻泰，龙旗等ODM客户。公司与北京燕东微电子股份有限公司，上海先进半导体制造有限公司，杭州士兰微电子股份有限公司，通富微电子股份有限公司和嘉盛半导体（苏州）有限公司等行业内知名的晶圆制造厂商和封装测试厂商均建立了长期稳定的合作关系，产品供应得到有效的保证。

要点三:快充领域
       在功率IC产品方面，公司已在快充领域深耕多年，已有多个成熟量产的产品线，覆盖了PSC，PB系列，能够满足客户需求。公司目前还在不断加大研发投入，巩固和提升在开关快充领域的竞争力。

要点四:功率半导体
       公司主营业务为功率半导体的研发与销售。公司功率半导体产品包含功率器件和功率IC两大类，产品应用领域主要以消费类电子为主，少部分应用于安防领域，网络通讯领域，工业领域。公司功率器件产品主要包含瞬态电压抑制二极管（TVS），金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），肖特基势垒二极管（SBD）等，其中，公司的TVS产品主要为ESD保护器件。公司的功率IC产品主要为电源管理IC，具体包含单节锂电池充电芯片，过压保护芯片，音频功率放大器，DC-DC类电源转换芯片等。目前，公司主要产品的应用领域聚焦于以手机，TWS，平板电脑为主的消费类电子领域，并形成了多种产品系列。

要点五:专精特新“小巨人”企业
       公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业，上海市规划布局内重点集成电路设计企业，上海市科技小巨人企业，上海市高新技术企业，上海市三星级诚信创建企业，上海市“专精特新”企业，上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位，拥有15项发明专利，21项实用新型专利及36项集成电路布图设计专有权。公司的TVS管，ESD保护器件，三极管，稳压管，大功率低功耗MOSFET等多种功率半导体产品被认定为上海市高新技术成果转化项目。

要点六:技术研发
       公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术，深槽隔离及穿通型NPN结构技术，MOSFET的沟槽优化技术，沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术，可连续调节占空比的环路控制技术，一种复合DC-DC电路，一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力。得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展，结合国内设计公司的设计优势，目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当，公司的部分TVS，MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列，与国际大厂的技术相当。

要点七:TVS产品
       公司具有深回退特性的低容ESD产品，已形成系列化，以多种参数规格，封装类型适用于USB，Typce-C，HDMI等多种应用的保护，并实现批量出货。具有深回退特性的低容ESD，以其超低的钳位电压特性，既满足了目前集成电路产品的超低工作电压保护需求，同时，其低容的特性，又满足了高速信号传输线的保护应用。最新的超低容值（0.2pF）具有深回退特性的多电压档ESD系列产品，目前已进入工程样品封装阶段。该产品可以为5G相关应用，特别是5G信号传输方面提供更低的容值和更低的钳位电压等方面性能。在超低钳位电压，超大泄放电流的TVS产品方面，已开发成功并实现量产，还在向更小的尺寸方向进行升级，同时，为满足未来更高充电功率的设计应用，针对更高充电功率保护产品，已在开发全新的TVS产品。

要点八:肖特基产品
       具有超低正向导通压降，大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品进入推广阶段，目前已实现量产。正在开发的在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，目前已完成结构设计，进入流片阶段，正在进行工艺调试。开发成功后，性能将具有业界领先水平。

要点九:GaN HEMT
       公司的第三代半导体650VGaNHEMT产品已在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。目前，具有90-250mR的系列P-GaN产品已进入多个客户的项目资源池中，等待客户正式启动项目后进入小批量试运营。此外，中低压GaNHEMT产品已进入开发阶段。GaNHEMT产品具有高功率密度，高速度，高效率的功率等特点，在击穿电场，本征载流子浓度，抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，在快充电源，5G通讯，智能电网等领域将具有广泛的应用前景。

要点十:第三代半导体GaN产品
       第三代半导体650VGaNHEMT项目，目前多个产品已研发成功，并在多个客户端进行验证。GaN产品具有高功率密度，高速度，高效率的功率等特点，在击穿电场，本征载流子浓度，抗辐照能力方面都明显优于Si，GaAs等传统半导体材料，因此在快充电源，5G通讯，智能电网等领域具有广泛的应用前景。