一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所属行业情况　　根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。　　当前，碳化硅作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高温稳定性等综合性能优势，正成为高压、高频、高效率、高功率密度电力电子系统的重要基础... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所属行业情况
　　根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
　　当前，碳化硅作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高温稳定性等综合性能优势，正成为高压、高频、高效率、高功率密度电力电子系统的重要基础材料，行业整体处于成长期中前期。报告期内，碳化硅行业在经历前期阶段性价格调整、库存消化及部分低效产能出清后，供需关系逐步改善，行业发展重心进一步由单纯规模扩张转向以技术进步、产品质量、稳定交付和客户协同为核心的高质量发展阶段。根据YoleGroup数据，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约为37.07亿美元，预计2025年至2031年全球功率SiC器件市场将以约20%的CAGR增长。下游器件市场规模持续扩大，带动上游碳化硅衬底需求不断增长，碳化硅材料行业总体保持较好的发展态势。
　　从下游应用结构看，碳化硅的应用场景已由早期主要集中于新能源汽车等领域，逐步向更多高成长和高附加值场景延伸，行业需求结构呈现多元化发展趋势。新能源领域仍然是当前碳化硅最主要的应用市场，其中新能源汽车是碳化硅功率器件最重要的应用方向之一。随着新能源车高压平台车型持续推广，碳化硅在主驱逆变器、车载充电机、DC-DC变换器及高压辅助系统中的应用不断深化，市场渗透率持续提升。同时，随着产品性能持续优化、产业链配套逐渐成熟、成本逐步改善，碳化硅在新能源汽车领域的应用范围和单车价值量正进一步提升，行业中长期发展空间广阔。根据YoleGroup数据，xEV（电动汽车）是碳化硅最大且增长最快的终端市场，预计市场规模将由2025年的21.04亿美元提升至2031年的67.67亿美元，CAGR为21.49%，是碳化硅衬底需求的核心引擎，与公司车规级衬底主业高度契合。
　　与此同时，AI数据中心正成为驱动SiC市场增长的第二引擎。伴随AI算力需求快速增长，数据中心在电源转换效率、功率密度和散热管理等方面的要求持续提升，碳化硅在PSU、UPS、HVDC、SST等环节的应用价值日益凸显。AI对全球数据中心电力需求的拉动具有明显的中长期放大效应，AI场景下全球数据中心电力需求呈现加速上行趋势，这意味着高效率电源架构与高性能半导体材料的重要性将持续提升，碳化硅材料在绿色低碳和高效算力基础设施中的支撑作用进一步增强。此外，碳化硅在先进封装、微纳光学等新兴领域的应用也在持续推进，为行业发展打开了新的市场空间。在AI领域，根据弗若斯特沙利文的资料，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，对应2023年至2030年复合年增长率27.4%；数据中心耗电占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。公司碳化硅衬底可应用于AI数据中心所需的高效率电源、PSU、HVDC、SST等场景，将为公司打开新的成长空间。
　　在微纳光学与AI眼镜领域，碳化硅材料可应用于光波导镜片中，凭借高折射率等特性，可实现更大的视场角和更简单的全彩显示结构，减少重量、体积和制造复杂度。根据弗若斯特沙利文的资料，预计至2030年全球AI眼镜出货量将超过6000万副。
　　除新能源汽车和AI数据中心外，碳化硅在电网、新能源光伏储能充电桩、轨道交通、工业控制、充电设施、消费等传统功率电子领域对硅基器件的替代也在持续加速，应用边界不断拓展。随着技术进步推动成本中枢逐步下移，碳化硅的经济性优势已不再局限于高压、大功率场景，而是开始向家电、适配器、PD快充、LED驱动及其他消费电子等中低压、小电流场景延伸。行业资料显示，部分企业消费类SiC产品出货量已达千万颗级别，表明碳化硅在消费级场景的商业化进程正在加快。这一趋势表明，碳化硅材料正由“点状应用”逐步向“面状渗透”演进，行业的抗周期能力和中长期成长确定性进一步增强。
　　从产业发展趋势看，碳化硅衬底的大尺寸化、低缺陷化、低成本化及多类型产品拓展，已成为行业技术演进的重要方向。当前，6英寸导电型衬底仍为行业主流，8英寸导电型衬底正快速起量，12英寸产品布局稳步推进，行业正处于由6英寸向8英寸升级、并向更大尺寸前瞻布局的关键阶段。其中，8英寸衬底在提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性和推动下游产线设备兼容优化等方面具有显著优势，已成为行业降本增效的重要方向。报告期内，公司8英寸产品主营业务收入占比已超50%；12英寸产品则有望进一步支撑新兴场景的规模化发展。
　　（二）主营业务情况
　　1、主要业务
　　公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
　　公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。
　　2、主要产品及服务情况
　　碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
　　2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
　　2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
　　2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
　　上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。
　　公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
　　公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，成功克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。
　　公司在材料科学领域的持续深耕，正在以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提供核心支撑，赋能未来科技变革。目前公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司碳化硅衬底产品可广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产并率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司。截至目前，公司已完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关，部分产品已获得头部客户订单及实现交付，进一步巩固了公司在全球碳化硅衬底行业中的领先地位。
　　公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
　　全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面具有显著优势。根据富士经济于2026年3月发布的报告，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司的全球市场地位。
　　（三）主要经营模式
　　1、研发模式
　　我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；
　　1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
　　1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；
　　1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；
　　1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
　　2、采购模式
　　碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
　　公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
　　公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
　　3、生产模式
　　公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
　　公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。
　　公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及制定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
　　4、营销模式
　　公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。
　　公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：
　　4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
　　4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
　　4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
　　4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；
　　4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
　　公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。
　　二、经营情况的讨论与分析
　　（一）公司经营情况
　　1、把握行业供需格局改善机遇，推动经营质量逐步修复
　　报告期内，碳化硅行业在经历前期价格竞争、库存消化及低效产能出清后，竞争格局进一步趋于稳定，行业运行逻辑由早期无序扩张和价格博弈，逐步转向以技术能力、产品质量、稳定交付、客户认证和规模化制造为核心的高质量竞争阶段，有效供给进一步向头部企业集中。公司作为全球碳化硅衬底龙头企业，全球市场占有率逐步提升。
　　报告期内，公司实现营业收入9.14亿元，同比增长15.10%，综合毛利率22.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-5,861.66万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-8,733.84万元，基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比均有所下降。分季度来看，2026年第二季度实现营业收入5.48亿元，创下单季度历史新高，同比增长42.06%、环比增长49.97%，季度毛利率25.36%，单季度实现归属于上市公司股东净利润189.30万元。
　　从经营状态看，公司上半年处于满产运行状态，下游订单需求明显增强，客户需求较前期明显提升。行业需求扩容与供给出清形成共振，带动产业链供需关系收紧。在此背景下，公司依托大尺寸产品的质量优势、规模化量产能力和稳定交付能力，较好承接了行业景气度修复所带来的订单释放，有助于推动收入质量、毛利率和产能利用率继续提升，为后续业绩进一步改善奠定基础。
　　2、聚焦大尺寸产品放量，推动产品结构持续优化升级
　　大尺寸化是碳化硅衬底行业降本增效和扩大应用的核心方向之一，也是公司2026年上半年经营改善的关键内生变量。报告期内，公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。
　　8英寸衬底的重要性在于，其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性并推动下游产线与设备兼容优化。同时，全球碳化硅功率器件制造商在8英寸项目上的总投资额持续提升，行业向8英寸切换已成为一个清晰的趋势。
　　在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。12英寸的意义不只是技术展示，更在于12英寸的批量产出将使得诸多新兴领域成功落地，SiC作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本，并打开更大规模商业化空间。
　　从产业竞争角度看，谁能够率先完成从6英寸到8英寸，再向12英寸延伸的量产与客户导入，谁就更有机会在下一轮行业竞争中掌握主动权。报告期内公司在8英寸占比提升、12英寸持续推进上的表现，体现了公司在技术路线选择—产能能力建设—客户验证推进等三方面的协调能力，也增强了未来盈利能力与市场份额继续提升的基础。
　　3、深化头部客户合作，持续拓展新能源与AI等多元应用场景
　　报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销模式，依托销售、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化，从而增强合作深度和客户黏性。
　　在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步确定，随着公司大尺寸产品经济性持续加强，行业从6英寸向8英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与客户的合作关系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，头部客户黏性较强。
　　报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。
　　此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于2026年4月获得富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，标志双方在碳化硅产业层面的合作进一步加深。这类合作关系的持续稳定，体现了碳化硅在不同行业的持续渗透及新应用的不断涌现，一方面有利于公司在行业波动期保持订单韧性，进一步提升全球影响力；另一方面也体现了碳化硅行业未来发展的无限空间。
　　整体来说，公司深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
　　（二）研发创新情况
　　碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，制备流程复杂、工艺壁垒高，核心竞争力很大程度上取决于材料基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业化协同能力。保持技术领先是公司的长期战略重点。2026年上半年，公司继续围绕基础研究、产品开发和工程优化开展持续投入，强化自主创新能力，推动技术进步与产业化能力相互促进。
　　2026年上半年，公司研发费用7,457.44万元，与上年同期基本持平。研发投入主要用于12英寸碳化硅衬底、8英寸衬底良率提升和成本降低、P型衬底以及光学、先进封装等新兴领域方向的开发。公司在行业景气承压阶段并未削弱研发投入，而是继续加大前瞻性技术和新应用方向布局，体现出较强的长期投入定力。
　　从技术方向看，公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P型衬底以及新型应用材料等方向推进研发。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一，这为智能电网、高压大功率器件等场景的拓展提供了技术支撑。
　　报告期内，公司围绕“销售—研发—生产”联动机制继续强化研发体系。公司围绕现有产品痛点及下游战略客户需求开展研发，并基于客户反馈持续优化迭代产品，使研发成果能够更快转化为产业化能力和客户价值。对于碳化硅这类验证周期长、产业链协同要求高的材料行业而言，这一机制有利于公司在技术创新与市场拓展之间形成正循环。
　　从知识产权成果看，公司在持续研发投入基础上，已形成较为系统的知识产权积累和技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权209项、实用新型专利授权294项，其中境外发明专利授权14项；报告期内新申请发明专利和实用新型专利等10项，其中发明专利9项、实用新型1项。
　　从人才与组织能力看，公司持续打造全球碳化硅人才高地。截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计66人，占研发人员总数38.15%；公司拥有2名享受国务院特殊津贴专家，五四青年奖章获得者，并汇聚国家级人才7人、省级人才16人、市级人才16人。未来，我们将持续优化人才矩阵，进一步完善覆盖材料科学、电子工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研发团队，为公司在基础研究、产品开发和工程转化上的持续推进提供支撑。
　　2026年上半年，公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现：公司主导制定的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T47082-2026）于2026年1月28日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法，填补了国内空白，为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。此外，公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶》（GB/T47404-2026）于2026年3月31日发布，通过主导或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话语权。公司凭借卓越的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最为杰出合作伙伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前20%的优质供应商。此外，公司凭借在供应链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”。公司产品与技术实力、ESG管理体系持续获得客户的高度肯定。
　　总体来看，2026年上半年公司持续推进研发创新工作，坚持高强度投入，在行业波动中保持技术进步节奏不变；围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局，既利于当前市场份额提升，也有助于未来产业升级；同时，公司强化研发成果向量产和客户价值转化，持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。这些工作将对公司未来在8英寸进一步放量、12英寸持续突破，以及绿色低碳应用、AI数据中心、微纳光学、先进封装等新应用方向的拓展形成有力支撑。
　　（三）半年度成果和荣誉
　　2026年上半年，公司在党建引领、技术创新、品牌塑造及可持续发展等方面收获多项荣誉，彰显了公司的行业影响力和综合实力，得到了产业界、资本市场和社会各界的广泛认可。
　　1、党建引领方面
　　2026年，根据市委组织部常态化开展"学习身边榜样"活动工作部署，以“高质量发展强担当——实干为民开新局”为主题，在全市广泛开展了“学习身边榜样”活动。经过逐级推荐、审核把关、综合比选、集体研究、公开公示，共确定市级“学习身边榜样”人选20名、集体5个，公司党委获评济南市榜样集体。2026年6月，公司党委荣获“山东省先进基层党组织”称号。
　　2、技术创新方面
　　公司主导制定的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T47082-2026）于2026年1月28日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法，填补了国内空白，为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。此外，公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶》（GB/T47404-2026）于2026年3月31日发布，通过主导或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话语权。
　　3、品牌塑造方面
　　公司凭借卓越的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最为杰出合作伙伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前20%的优质供应商。此外，公司凭借在供应链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”。
　　4、可持续发展方面
　　公司积极践行绿色发展理念，围绕重要环保节日组织开展系列主题活动，持续推动环境可持续建设。2026年3月12日，在厂区内开展植树节活动，以实际行动美化园区环境、增强员工生态意识；4月22日世界地球日，联合山东财经大学发起青年低碳行动计划，通过校园系列活动普及环保知识、倡导绿色生活方式，激励青年学子主动投身环保实践；6月5日世界环境日，携手济南市生态环境局组织专题宣传活动，面向社会公众深入传播生态文明理念。系列活动的开展，不仅彰显了公司作为负责任企业的使命担当，也为推动区域绿色低碳发展贡献了积极力量。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局
　　碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自成立以来持续布局不同尺寸、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸升级方面形成了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续提升8英寸产品的批量供应能力和客户导入深度，而且进一步完成了12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代大尺寸产品的全矩阵布局。
　　公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底；2025年，公司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实了在超大尺寸领域的领先位置。公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。8英寸产品比重持续提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高壁垒。
　　从产业趋势看，8英寸的意义在于能够显著提升单片晶圆的芯片产出、提高设备兼容性并降低综合成本。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍；同时，晶体生长技术的进步推动8英寸导电型衬底实现量产，更大的可用衬底面积推动单位综合成本降低。公司率先完成8英寸产品产业化并在2025年实现主流化应用，意味着其不仅走在技术前列，更有效承接了下游客户对成本优化和产线升级的需求。
　　在更大尺寸布局上，12英寸产品进一步强化了公司的下一代竞争壁垒。12英寸产品在面积上较8英寸继续扩大，有望进一步降低单位成本并提升经济性，同时下游诸多新兴领域如先进封装、AI光学的进一步发展也亟待12英寸的规模化量产。目前公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型产品的全产品大尺寸布局，标志着公司正式跻身全球碳化硅大尺寸技术竞争前列。
　　在大尺寸技术领先的同时，公司前沿工艺布局也增强了技术领先的深度。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的P型碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。液相法相较传统路径，能够更好地控制生长参数，使掺杂分布更加均匀，特别适用于高功率、高耐压场景，对公司在高压电网、P型衬底及未来更高品质大尺寸产品开发中具有战略价值。
　　总体看，公司在大尺寸路线上的核心竞争力，不仅率先推出大尺寸产品，并已建立起从技术领先、工艺方法突破，到客户协同开发验证、大批量稳定交付的完整闭环。8英寸的主流化应用和12英寸的全矩阵布局，使公司在当前和下一阶段行业竞争中都具备较强主动权。
　　2、赋能“AI+新能源”双轮驱动的多元化应用生态能力
　　公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解，同时围绕客户需求开展协同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景渗透，展现出较强的生态赋能能力。
　　碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类下游产品中。结合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向，而是进一步延伸至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开发能力。
　　在新能源领域，碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。
　　在先进封装与高端散热领域，碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，并持续在AI、数据中心和先进散热部件等新应用场景推动技术突破。这类应用本质上是利用碳化硅在热管理和材料稳定性方面的优势，服务于AI算力中心高功率、高散热密度场景。
　　在滤波器与先进通信方面。碳化硅已应用于TF-SAW滤波器等方向，先进通信基站中的渗透率也正逐年提升。公司正围绕碳化硅在高频高速通信场景的材料优势，与客户共同推动产品验证和应用落地。
　　总体来看，公司围绕“AI+新能源”的多元应用生态能力，持续拓展客户行业，将碳化硅材料的“电、光、声、热”等多维特性逐步转化为可量产、可验证、可协同开发的产品能力。随着下游更多新场景从验证走向规模化，公司有望凭借这种跨场景理解和快速响应能力，进一步提升行业渗透率和客户黏性。
　　3、全球领先的规模化量产能力与精益制造体系
　　在行业供给紧张，需求逐步走强的过程中，能否稳定实现大尺寸产品的规模化生产、保证一致性和良率、按时交付全球头部客户，成为决定企业竞争地位的关键因素。报告期内，公司继续强化规模化量产能力和精益制造体系，形成了较为突出的交付优势。
　　公司目前已形成上海临港与山东济南两大主要生产基地协同布局。截至报告期末，公司已在山东及上海设立两大生产基地，报告期内上海工厂、济南工厂有序地推进二阶段产能提升规划，海外工厂也逐步进入计划建设阶段。完善的产能布局增强了公司对全球大客户稳定交付的支撑能力，也提升了产能调度和风险分散能力。
　　公司大尺寸产品的快速量产能力，是其制造体系的重要体现。公司生产管理团队已形成一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验，可在较短周期内完成从项目建设到客户交付的落地，这对公司海外产能的布局也至关重要。
　　在良率、厚度与一致性方面，公司同样具备领先能力。目前公司已解决有效晶体生长厚度提升的量产难题，有效厚度超行业平均水平。更高的有效厚度意味着单个晶锭可切出更多衬底，有助于大幅降低单位产品成本。与此同时，公司产品已达到近零微管水平，并表现为无堆垛层错、低BPD、低TSD和低TED密度。公司还实施“Z计划”，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。
　　在智能制造方面，公司持续推进AI和数字化工厂建设。上海工厂在设计之初即定位为智慧工厂，配备高性能、智能化设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺；公司运用信息系统实现生产品质实时分析、监测和预警，并通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了操作控制与管理的自动化，部分晶体生长设施实现无人化运营。高自动化和高信息化能力，一方面减少了人为干预带来的品质波动，另一方面提高了生产效率和一致性。
　　总体而言，公司多元化的产能布局，高一致性的品质保障和持续降本的系统能力，为公司服务全球头部客户打下了坚实基础，也为公司在行业竞争中保持韧性和扩大份额提供了关键支撑。
　　4、深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力
　　碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部优质客户是公司长期发展的基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形成了稳定深入的客户生态优势。
　　目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，并已进入国际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力。
　　从品牌与市场地位看，公司已具备较强国际影响力。公司的稳步发展获得了头部客户的广泛认可和尊重，报告期内获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”以及富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，充分体现了公司在行业议价、行业标准理解和制定和产业链协同中拥有的影响力。
　　总体而言，公司深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力，已经成为其在行业竞争中的重要壁垒。随着公司通过“A+H”平台进一步完善全球营销与资本网络，并持续提升8英寸和12英寸产品供给能力，公司有望在全球范围内进一步提升市场份额和品牌影响力。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。
　　（1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术
　　碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错、层错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分、生长台阶等波动也容易引入位错、层错、点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
　　我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；
　　(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场和稳定的生长台阶控制，有效降低了晶体生长内应力和位错、层错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；
　　(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于60cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；
　　(iv)通过对点缺陷的表征，以及对其产生和消除机理的研究，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。
　　上述缺陷控制技术持续迭代优化，为8英寸及12英寸大尺寸衬底的高良率量产提供了核心支撑。公司8英寸衬底量产良率持续提升，随着长晶有效厚度提升和工艺参数精细调控能力的增强，单位生产成本持续下降。
　　（2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术
　　我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的自动上料、封炉及自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
　　碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。
　　（3）高纯碳化硅粉料制备技术
　　碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
　　（4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术
　　半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。
　　针对半绝缘型碳化硅衬底，我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，得到了稳定的高阻特性。
　　针对导电型碳化硅衬底，在稳定的气相组分控制基础上，我们进一步通过热场设计及生长方法的优化实现了无高氮掺杂生长特征面的衬底，面内电阻率差异降低至1mΩ·cm以下；同时为了进一步提升衬底性能，我们开发了具有超低电阻率的导电型碳化硅衬底，解决了超高氮掺杂下的缺陷、应力、衬底平整度控制难题。
　　（5）碳化硅衬底超精密加工技术
　　公司长期深耕碳化硅衬底超精密加工核心技术，已构建覆盖切、磨、抛全工序的自主工艺体系，为8英寸碳化硅衬底的品质跃升与规模化量产提供坚实支撑。通过持续优化加工损耗控制，单位产出稳步提升、制造成本持续下降，有力保障了产品的核心竞争力。同时，公司率先布局12英寸光学级碳化硅衬底加工技术，实现TTV（总厚度偏差）的精准管控，可充分满足下游光波导等高端应用对衬底面型精度的严苛要求。
　　①高面型质量多线切片技术
　　针对碳化硅莫氏硬度9.2、硬脆难加工的材料特性——易产生微裂纹、位错、划痕、崩边等机械损伤，公司深入开展亚表面损伤机理研究，自主开发细线化、薄片化多线切割工艺，在有效控制亚表面损伤深度的同时显著降低切割损耗，加工效率与成品率均处于行业先进水平，助力整体制造成本持续优化。
　　②高效低损耗激光切片技术
　　公司系统研究激光与碳化硅材料的相互作用机理，自主开发高效低损耗激光切片技术，该技术在加工效率与材料利用率方面优势明显，可显著提升单位厚度晶锭的产片数量，并已实现激光切片工序全自动化运行。随着碳化硅衬底尺寸向12英寸演进，加工面临裂片、面型差、效率低、成本高等新挑战。公司通过激光剥离技术有效降低了加工过程引入的应力，确保面型稳定性，为大尺寸碳化硅衬底的低成本、规模化制造开辟了全新技术路径。
　　③高平整度、低粗糙度全局磨抛技术
　　碳化硅晶体物理与化学性质均极为稳定，传统半导体磨抛工艺效率极低，且难以保证表面面型与质量。公司突破传统半导体磨抛工艺在碳化硅材料上的效率瓶颈，历经多年技术积累，成功研发多级化学机械连续抛光工艺及配套高效化学机械抛光液。通过连续多级化学作用与机械去除的精准协同，实现光滑、平坦、近乎无缺陷的超精密加工表面，加工效率与表面质量同步提升。
　　随着AR应用的发展，行业对衬底平整度（TTV）提出了更为严苛的要求。公司重点优化抛光工艺，攻克大尺寸抛光过程中边缘厚度易塌陷的难题，将全尺寸衬底TTV降至1μm以下；为大尺寸碳化硅衬底的低成本、规模化制造开辟了全新技术路径。从界面基础性质出发，研发双面CMP工艺，使衬底背面（C面）达到与正面（Si面）同等水平，为光波导应用奠定了扎实基础。
　　④碳化硅衬底表面清洗技术
　　在化学机械抛光后，需要对碳化硅衬底进行清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等，以获得超洁净的表面。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，结合新型全自动干燥技术，有效去除衬底表面的微小颗粒、金属离子沾污和水渍，使客户能够开盒即用。超精密加工技术的持续优化支撑了8英寸衬底产能的快速释放，切磨抛损耗控制进一步优化，配合长晶有效厚度提升，单位产出的加工成本持续下降。12英寸光学碳化硅衬底TTV进一步降低，满足下游市场对碳化硅光波导衬底的需求。
　　（6）液相法
　　有别于现有的PVT技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够在近平衡状态下生长晶体，可以更好地控制生长参数和结晶质量；溶液环境使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压功率器件产品的碳化硅晶体生长。通过精细管理熔融物的温度、成分及流动方式，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。
　　2026年4月，公司液相法高品质P型衬底制备技术相关成果发表于晶体生长领域著名期刊《JournalofCrystalGrowth》，在晶体质量、电学均一性、长载流子寿命、极低贯穿性缺陷及创新性热场设计方面取得进一步突破，相关P型4H-SiC衬底XRD摇摆曲线半高宽低至15.6弧秒，为万伏级功率芯片量产奠定基础。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共10项，其中发明专利9项，实用新型1项。
　　截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权209项，实用新型专利授权294项，其中境外发明专利授权14项。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　2、研发人员薪酬合计指公司报告期内实际投入的全部研发人员薪酬总额，含工资、奖金、津贴、社保、公积金等。
　　6、其他说明
　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入9.14亿元，同比增长15.10%，综合毛利率22.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-5,861.66万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-8,733.84万元，基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比均有所下降。
　　伴随新能源汽车加速向高压平台演进、AI算力基础设施持续扩建等，碳化硅在下游应用场景的价值持续凸显，市场渗透率稳步提升。报告期内，公司产品产销量稳步增长，营业收入同比、环比均实现增长；依托大尺寸碳化硅衬底的市场领先优势，叠加降本增效举措持续落地，同时下游需求回暖推动产品价格逐步企稳，公司毛利率水平实现提升。分季度来看，2026年第二季度实现营业收入5.48亿元，创下单季度历史新高，同比增长42.06%、环比增长49.97%，季度毛利率25.36%，单季度实现归属于上市公司股东净利润189.30万元。
　　报告期内，受汇率波动带来汇兑损失增加、资产减值损失及信用减值损失计提等因素影响，公司业绩虽短期承压但亏损逐步收窄。后续，公司大尺寸碳化硅产品产能与市场占有率有望进一步提升，公司将持续深化降本增效，积极开拓海外市场与新兴应用领域。随着规模效应持续释放，公司盈利能力有望逐步改善，核心竞争力不断巩固。
　　五、可能面对的风险
　　（一）经营风险
　　1、公司的业绩受到下游行业需求和原材料供应波动的影响。下游行业增长放缓或原材料成本的变化，可能会对公司的业务、财务状况和经营业绩产生不利影响。
　　2、公司的业务在很大程度上依赖于管理层和包括研发人员在内的高等人才的努力，若相关人员流失，将对公司的营运造成不利影响。
　　3、公司产品中未被检测出的缺陷、故障或可靠性问题可能会减少市场对公司产品的采用，损害公司的声誉或使公司面临产品责任和其他索赔。
　　4、公司生产基地的任何运营中断都可能限制公司的日常业务运营，并对公司的财务状况和经营结果产生重大不利影响。
　　5、公司面临依赖主要客户和供应商的集中风险。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影响。
　　6、碳化硅衬底价格下降的风险。如我们无法通过增加销量、降低成本或产品组合升级消除价格下降的影响，将对公司的财务表现及经营业绩产生不利影响。
　　（二）财务风险
　　1、2026年上半年受益于产品价格企稳、结构升级及成本管控，公司毛利率环比显著回升，未来若行业价格竞争再度加剧、大尺寸产品放量节奏放缓或成本优化不及预期，公司盈利能力仍存在波动或修复不达预期的风险。
　　2、若公司未能维持足够的存货，或者存货管理不善，可能会失去销售机会或产生高额的存货相关费用，这可能对公司的财务状况及经营业绩产生负面影响。
　　3、原材料价格的上涨或供应短缺可能会扰乱公司的供应链，增加生产成本，导致公司延迟向客户交付产品，对公司业绩产生不利影响。
　　4、公司可能面临来自贸易应收款项的回收风险。未能及时或完全无法收回贸易应收款项可能会对公司的业务、财务状况、流动资金及前景造成重大不利影响。
　　5、公司已制定股权激励计划并授予若干奖励，未来若激励计划归属达成，或继续推出新激励计划，可能会导致股份支付薪酬开支增加，影响公司的财务状况及经营业绩，并可能摊薄现有股东的股权。
　　6、公司开展外汇衍生品交易业务遵循合法、谨慎、安全和有效的原则，不得进行投机性和单纯的套利交易，但外汇衍生品交易操作仍存在包括市场风险、流动性风险、内部控制风险及履约风险等客观风险。
　　（三）行业风险
　　1、半导体材料行业竞争激烈。若公司未能成功竞争，公司的业务、经营业绩和未来前景将受到损害。
　　2、若公司无法跟上半导体行业的技术进步，可能无法保留现有客户，吸引新客户，或保持公司的市场地位。
　　（四）宏观环境风险
　　1、公司扩展至海外市场可能面临营运、财务及监管风险。
　　2、公司的业务、财务状况和经营业绩可能会受到国际政策、国际出口管制和经济制裁的重大不利影响。
　　3、全球经济状况的下滑或波动可能对公司的业务、财务状况、经营业绩及流动性产生重大不利影响。
　　4、人民币汇率波动对出口导向型、跨国经营上市公司汇兑损益风险的影响日益显著，直接关系到企业盈利稳定性。
　　5、全球政治、社会条件或公司运营所在国家和地区的政府政策变化，可能对公司的业务和运营产生重大不利影响。
　　（五）业绩大幅下滑的风险
　　1、公司主营碳化硅半导体衬底材料业务，所属宽禁带半导体行业具有强周期性、重资产、高投入、回报周期长的特点，行业景气度、市场供需格局及下游终端需求变化，均会对公司经营业绩产生重大影响，叠加国内碳化硅衬底行业产能集中释放，市场供给持续增加，行业竞争日趋激烈，产品价格整体呈下行趋势等因素，公司存在业绩大幅下滑甚至亏损的风险。
　　2、公司产品广泛应用于新能源汽车、储能、光伏、工业电源、射频通信等领域，业绩高度依赖下游行业景气度。若未来新能源汽车渗透率提升放缓、终端市场竞争加剧，或储能、算力基础设施、工业电子等下游领域投资不及预期，下游客户将主动去库存、缩减采购订单，导致公司产品出货量下降、营收规模收缩，对公司经营业绩造成不利影响。
　　3、公司持续推进碳化硅衬底产能扩建及新技术研发投入，固定资产、在建工程规模较大，设备折旧、场地运维、人工成本等固定支出刚性较强。若新增产线良率爬坡、产能释放进度不及预期，产能利用率无法达到预期水平，单位产品分摊成本将显著上升，规模效应难以发挥。同时，公司为维持技术竞争力持续投入大额研发费用，在行业下行周期中，固定成本及研发投入将进一步侵蚀利润，导致公司业绩出现大幅波动。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。
　　公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。
　　公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。
　　2、主要产品及服务情况
　　碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：
　　2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
　　2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
　　2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
　　2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
　　上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。
　　公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
　　公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。
　　2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。
　　(二)主要经营模式
　　1、研发模式
　　我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
　　1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；
　　1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
　　1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；
　　1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；
　　1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
　　2、采购模式
　　碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
　　公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
　　公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
　　3、生产模式
　　公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
　　公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。
　　公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
　　4、营销模式
　　公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。
　　公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：
　　4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
　　4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
　　4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
　　4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；
　　4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
　　公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　可再生能源及AI技术革命使得全球工业发生重大转变，构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，推动对更强大、更高效的功率半导体器件需求的增长。传统的硅半导体因其固有的局限性已难以满足产业升级需求，这促使半导体行业寻求效率更高、寿命更长及性能更佳的材料。在行业创新发展过程中，碳化硅已成为改变游戏规则的材料，凭借其优异的性能为各行各业带来革命性的变化。
　　碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。
　　相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在新能源汽车及光伏等高性能应用领域中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。
　　碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括新能源汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。
　　功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
　　根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。全球碳化硅功率半导体器件在全球功率半导体器件市场中的渗透率由1.1%增至5.8%，预计于2030年将达到22.6%。
　　从具体应用领域来看，根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，应用于新能源汽车的碳化硅功率半导体器件全球收入的复合年增长率高达66.7%，而从2024年到2030年，新能源汽车领域的复合年增长率仍高达36.1%，将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长。光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现出强劲的增长势头，未来预测期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%。家用电器、低空飞行和数据中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度，应用于上述领域的碳化硅功率半导体器件全球收入的预测复合年增长率预计将达到39.2%。
　　随着全球新能源产业的持续扩张，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。随着AI发展所需算力迅猛增长，数据中心的能源耗用也在快速增加。
　　除此之外，碳化硅在其他新兴领域的应用也在层出不穷，如AI眼镜领域。碳化硅材料可应用于AI眼镜的光波导镜片中。碳化硅材料折射率显著高于高折射率玻璃和铌酸锂，可以实现更大的视角及更简单的全彩显示结构，减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，从而显著提升AI眼镜的用户体验。由于碳化硅材料卓越的光学特性，AI眼镜行业市场预计将大幅增长，至2030年，全球出货量将超过6000万副。
　　公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。
　　根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元增长至2023年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年增长率为39.0%。
　　伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
　　公司在材料科学领域的持续深耕正在引领多个产业的发展，以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提供核心支撑，赋能未来科技革命。公司的碳化硅衬底可广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。凭借行业领先的技术创新能力、强大的量产能力、高质量的产品组合、与上下游市场参与者建立的紧密合作生态及高效的管理能力，公司正在引领碳化硅行业蓬勃向前发展。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之　　一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。
　　公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的碳化硅衬底经客户制成功率器件及射频器件，该等器件最终应用于诸如新能源汽车、AI数据中心及光伏储能等多领域的终端产品中，同时，公司积极向AI数据中心、微纳光学、先进封装等新兴领域拓展，碳化硅衬底材料在新兴领域发展潜力巨大。
　　公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
　　全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面具有显著优势。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司战略执行的成果。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　3.1碳化硅材料深度赋能“AI+新能源”，成为新质生产力基石。
　　报告期内，全球科技革命进入由“能源变革”与“人工智能（AI）”共同驱动的新阶段。碳化硅（SiC）半导体材料凭借其高禁带宽度、高击穿电场、高热导率等优异物理特性，已成为这两大战略性领域的底层核心支撑。
　　在新能源领域，碳化硅在新能源汽车高压平台、光伏逆变器及储能系统中的渗透率进一步提升，已从“高端选配”向“主流标配”转型。在人工智能领域，随着AI算力需求的爆发，数据中心对电源转换效率和散热管理提出了极高要求。碳化硅功率器件能够显著提升服务器电源（PSU）的功率密度和转化效率，有效降低数据中心的能耗（PUE值），成为AI基础设施绿色化发展的必然选择。公司紧抓双轮驱动机遇，通过提供高质量衬底材料，助力下游客户在绿色能源与智能算力领域的深度融合。
　　3.2技术进步驱动单位成本持续降低，经济性提升加速全行业渗透。
　　2025年，碳化硅行业正处于尺寸升级与工艺革新的关键窗口期。报告期内，衬底技术向大尺寸化演进的趋势愈发明确。随着公司大尺寸衬底生产技术的日臻成熟和良率的稳步提升，技术端晶体生长、切片、磨抛工艺的进步显著提升了碳化硅衬底的生产效率，并降低了生产成本。随着技术的不断进步和产能的扩大，预计碳化硅衬底的成本将进一步降低，经济性和市场渗透率将继续提升。
　　技术进步带来的经济性红利，促使碳化硅的应用门槛进一步降低。碳化硅的使用经济性优势已不再局限于新能源汽车和数据中心等顶尖领域，在工业自动化、智能电网、轨道交通以及以空调、洗衣机为代表的高端家电等消费电子领域，碳化硅替代传统硅基半导体的进程明显加快。行业报告显示，公司本年度8英寸衬底市场占比已超过50%，6英寸占比27.5%，公司引领的尺寸升级不仅提升了自身竞争力，更带动了全产业链的规模化效应，推动SiC应用向全工业领域渗透。
　　3.3多元物理特性触发跨界融合，SiC加速向新兴蓝海市场延伸。
　　报告期内，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的“电力电子功率器件”向基于其多元物理特性的“多功能应用”转变。碳化硅具备的高禁带宽度、高热导率、高折射率及化学稳定性，使其在多个新兴赛道展现出巨大的应用潜力。
　　微纳光学领域：碳化硅的高折射率和低损耗特性，使其成为制造微透镜、光波导等微纳光学元件的理想材料。公司通过与光学头部客户的战略合作，已实现在AR/VR及精密光学传感领域的初步应用。
　　先进封装领域：利用碳化硅极高的热导率，将其作为大功率芯片的散热基板或封装材料，能够有效解决高性能芯片的“热管理”难题。
　　超高压电力领域：随着高质量P型碳化硅衬底的研发突破，其在智能电网、特高压直流输电等领域的应用正进入实测阶段，为构建新型电力系统提供了关键材料保障。
　　未来，随着12英寸等更大尺寸衬底布局的推进，以及液相法等前沿制备技术的产业化，碳化硅衬底将持续打破现有应用边界，形成“一材多用、跨界赋能”的新产业格局，为公司提供持续的增长动力。
　　二、经营情况讨论与分析
　　公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
　　2025年，全球能源变革与人工智能（AI）技术加速融合，推动功率半导体和新型半导体材料需求持续演进。碳化硅材料凭借高耐压、高频、高热导、高温稳定性等综合优势，正在成为绿色低碳与高效算力基础设施的重要材料支撑。伴随新能源汽车、电网与新能源绿电、储能升级、数据中心能效提升、工业与消费电子能效提升，以及光学与先进封装等新场景的发展，碳化硅下游应用由点到面扩展的趋势进一步清晰。
　　与此同时，2025年行业竞争格局进一步优化，价格波动、产业规模提升与客户导入周期并存，行业处于从早期无序扩张向大尺寸化、规模化、成本优化和结构升级并行推进的重要阶段。公司在此背景下，坚持长期主义，围绕“市场份额提升”与“技术持续进步”两条主线推进经营，一方面抓住行业调整窗口，持续巩固与全球头部客户合作关系，另一方面通过大尺寸产品、工艺优化与应用拓展提升长期竞争壁垒。
　　从产业趋势看，2025年已成为碳化硅进一步扩大规模化应用的重要一年。随着技术进步、单位成本下降以及头部企业规模增长，碳化硅在新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学之外，以及更加广义的工业、电网、光伏、储能、充电设施、家电及消费电子等领域均表现出相较传统半导体材料的综合优势，应用渗透进入“规模化导入”阶段。公司围绕这一趋势，持续完善产品矩阵、加强客户共研、推进大尺寸化与多元应用布局，力争在行业新一轮发展中占据更有利位置。公司也正从半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。同时，作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。
　　（一）公司经营情况
　　1、聚焦市场份额提升，逆势巩固行业领先地位。
　　2025年，公司将抢占市场份额作为核心经营策略之一，在行业承压背景下仍实现了份额提升。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司战略执行的成果。
　　从经营逻辑看，行业下行阶段往往更能检验公司的真实竞争力。公司之所以能在2025年逆势实现份额增长，核心在于：一是前瞻布局8英寸和12英寸，把握了行业尺寸升级方向；二是客户合作深、认证壁垒高，在长周期验证体系下具有较强黏性；三是规模化交付与质量稳定性经过国际头部客户验证，能够在行业竞争中获得更多订单与导入机会。
　　报告期内，公司持续在产品品质、量产交付、技术迭代与客户协同上的加强投入，保持与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上厂商的业务合作关系，在行业下行周期中进一步扩大了优质客户覆盖范围，并持续开拓新领域、新客户、新应用。
　　通过前瞻性布局大尺寸产品，在行业从6英寸向8英寸加速切换过程中取得了明显优势，2025年公司持续扩大6英寸市场份额，并在8英寸市场份额上占据头部位置。同时大尺寸产品占比提升，不仅帮助公司扩大了市场份额，也有助于改善产品结构、强化客户绑定并提升长期竞争壁垒。
　　2、深化头部客户合作，持续扩大客户版图。
　　报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销模式，依托销售、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化，从而增强合作深度和客户黏性。
　　在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步确定，随着公司大尺寸产品经济性持续加强，行业从6英寸向8英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与客户的合作关系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，这使得公司在服务头部客户后具有较强持续供货优势。
　　报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司于2025年7月与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，双方将整合碳化硅材料与光学技术优势，推动碳化硅衬底材料在光学领域应用，开拓新的蓝海市场。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出货，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。
　　此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于2025年10月获得“博世全球供应商奖”，标志双方产业链协同进入深度绑定阶段，与博世的长期战略合作伙伴关系进一步加深。这类合作关系的持续稳定，有利于公司在行业波动期保持订单韧性，并进一步提升全球影响力。
　　整体来说，公司深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
　　3、应用场景持续拓宽，碳化硅进入更广泛规模化应用阶段
　　2025年，碳化硅应用从新能源汽车、光伏储能等传统高景气场景，进一步向AI数据中心、智能电网、先进封装、微纳光学、工业、充电设施、家电和更多消费电子场景延展。这一趋势的底层驱动在于，随着碳化硅材料和器件技术持续进步、尺寸升级、成本下降和规模效应显现，其相较传统硅基材料在低中高压、高频、高效率、高功率密度和热管理上高效性能正在被更多终端应用所接受。
　　在AI数据中心领域，随着AI算力快速增长，数据中心能耗与供电效率问题日益突出。根据弗若斯特沙利文的数据，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，2023年至2030年复合年增长率达到27.4%，数据中心耗电量占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。碳化硅功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源等场景可实现更高转换效率与功率密度，因此对高品质碳化硅衬底的需求具有明确增量意义。
　　在AI眼镜-微纳光学领域，碳化硅材料凭借优异光学特性和轻量化潜力，正在成为重要的显示新材料。资料显示，至2030年全球AI眼镜出货量有望超过6000万副；公司2025年在该领域已形成实质性布局，不仅与舜宇奥来达成战略合作，还凭借“碳化硅光波导片在AI眼镜中的应用”方案入选中国信通院优秀案例，表明公司在碳化硅材料跨界应用方向已具备较强产业化落地能力。
　　在电网、工业、光伏储能、轨道交通和家电等领域，碳化硅优秀的材料特性带来的性能提升则更为明显。根据相关预测，2024年至2030年，碳化硅功率半导体器件在光伏储能、电网、轨道交通等领域的复合增长率分别可达27.2%、24.5%、25.3%。随着使用经济性不断提升，更多原本由传统硅基器件主导的场景开始引入碳化硅方案，推动行业由单一赛道增长向多场景共振演进。
　　4、引领尺寸升级趋势，推动行业由6英寸向8英寸切换并布局12英寸
　　报告期内，公司继续引领行业向大尺寸衬底升级，目前6英寸导电型衬底仍为主流、8英寸导电型衬底正快速起量、12英寸前瞻布局推进顺利。尤其是公司在8英寸导电型衬底的质量与批量供应能力处于全球领先位置，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户向8英寸转型。
　　8英寸衬底的重要性在于，其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性并推动下游产线与设备兼容优化。同时，全球碳化硅功率器件制造商在8英寸项目上的总投资额持续提升，行业向8英寸切换已成为一个清晰的趋势。
　　在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。12英寸的意义不只是技术展示，更在于12英寸的批量产出将使得诸多新兴领域成功落地，SiC作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本，并打开更大规模商业化空间。
　　从产业竞争角度看，谁能够率先完成从6英寸到8英寸，再向12英寸延伸的量产与客户导入，谁就更有机会在下一轮行业竞争中掌握主动权。报告期内公司在8英寸占比提升、12英寸持续推进上的表现，体现了公司在技术路线选择—产能能力建设—客户验证推进等三方面的协调能力，也增强了未来盈利能力与市场份额继续提升的基础。
　　（二）研发创新情况
　　碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，制备流程复杂、工艺壁垒高，核心竞争力很大程度上取决于材料基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业化协同能力。保持技术领先是公司的长期战略重点。2025年，公司继续围绕基础研究、产品开发和工程优化开展持续投入，强化自主创新能力，推动技术进步与产业化能力相互促进。
　　2025年公司研发费用为1.66亿元，较2024年增长16.91%。研发投入增加主要用12英寸碳化硅衬底、8英寸衬底产业化研发，P型衬底以及光学、先进封装等新兴领域方向的开发。公司在行业景气承压阶段并未削弱研发投入，而是继续加大前瞻性技术和新应用方向布局，体现出较强的长期投入定力。
　　从技术方向看，公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P型衬底以及新型应用材料等方向推进研发。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一，这为智能电网、高压大功率器件等场景的拓展提供了技术支撑。
　　报告期内，公司围绕“销售—研发—生产”联动机制继续强化研发体系。公司与下游战略客户共同推进研发，痛点及需求开展针对性研发，并基于客户反馈持续优化迭代产品，使研发成果能够更快转化为产业化能力和客户价值。对于碳化硅这类验证周期长、产业链协同要求高的材料行业而言，这一机制有利于公司在技术创新与市场拓展之间形成正循环。
　　从知识产权成果看，公司在持续研发投入基础上，已形成较为系统的知识产权积累和技术壁垒。截至2025年末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权203项、实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项；报告期内新申请发明专利和实用新型专利等64项，其中发明专利49项、实用新型13项。
　　从人才与组织能力看，公司持续打造全球碳化硅人才高地。截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计67人，占研发人员总数37.43%；公司拥有2名享受国务院特殊津贴专家，并汇聚国家级人才7人、省级人才12人、市级人才6人。未来三年，我们将持续优化人才矩阵，进一步完善覆盖材料科学、电子工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研发团队，为公司在基础研究、产品开发和工程转化上的持续推进提供支撑。
　　2025年，公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现。公司于2025年5月凭借“一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底”获得第二十五届中国专利银奖；2025年6月获得日本权威半导体媒体颁发的“半导体电子材料”类金奖；2025年11月因“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”。这些成果从侧面体现了公司技术创新在国内外产业界的影响力。
　　总体看，2025年公司持续推进研发创新工作，坚持高强度投入，在行业波动中保持技术进步节奏不变；围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局，既服务当前市场份额提升，也服务未来产业升级；同时，公司强化研发成果向量产和客户价值转化，持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。这些工作将对公司未来在8英寸进一步放量、12英寸持续突破，以及绿色低碳应用、AI数据中心、微纳光学、先进封装等新应用方向的拓展形成有力支撑。
　　（三）年度成果和荣誉
　　2025年，公司在技术创新、品牌建设、ESG管理、资本市场布局等方面收获多项荣誉，彰显了公司的行业影响力和综合实力，得到了产业界、资本市场和社会各界的广泛认可。
　　1、技术与品牌荣誉方面
　　公司凭借在衬底技术突破与量产应用上的显著成果，斩获多项高含金量奖项，其中核心荣誉实现重大突破：公司导电型碳化硅衬底获评“国家制造业单项冠军”，继半绝缘型碳化硅衬底已获此项殊荣后再添佳绩，成功成为行业首个“双料单项冠军”，充分彰显公司在碳化硅衬底核心领域的绝对领先地位；凭借“高品质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”相关成果，荣获山东省科技进步特等奖，该奖项作为山东省科技领域最高荣誉之一，充分肯定了公司在碳化硅技术产业化落地、推动区域半导体产业高质量发展中的突出贡献；荣获国家知识产权局颁发的“中国专利奖（银奖）”，该奖项是中国知识产权领域的最高政府奖项，竞争极为激烈，充分彰显公司雄厚的技术研发实力与高价值专利培育能力；凭借“全系列 12英寸碳化硅衬底全球首发”成果，入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”，彰显公司在大尺寸衬底领域的全球引领地位；荣获中国电子材料行业协会半导体材料分会颁发的“半导体材料行业突出贡献奖”，肯定了公司在技术研发、国产化替代方面的突破性贡献；凭借“高品质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”项目，荣获“国际发明展览会银奖”，体现公司技术创新的国际影响力；同时，公司获评“山东省先进级（省级）智能工厂”，彰显智能制造领域的标杆水平，以及“山东省新材料领军培育企业”“济南市服务产业链发展优质链主企业”，凸显在区域产业发展中的核心引领作用。此外，公司此前获得的“2025行家极光奖”之“全球SiC衬底影响力企业”及“2025年度优秀产品奖”，进一步巩固了其行业引领地位。
　　2、ESG与规范经营方面
　　公司凭借系统化的ESG管理体系与扎实的可持续发展实践，荣获2025年度上市公司最佳ESG实践奖，体现了公司在环境、社会和治理方面的卓越表现；公司始终保持高水平的信息披露质量，持续提升规范运作水平和投资者关系管理质量，不仅树立了科创板上市公司规范经营的良好标杆，更以符合国际资本市场的合规运营标准，为本次港股成功上市奠定了坚实基础，也为国产碳化硅企业对接全球资本树立了合规典范。同时，公司获评“济南市工业节水示范企业”，积极践行黄河流域生态保护战略，彰显绿色发展理念。
　　3、产业影响力与国际认可度方面
　　公司碳化硅材料成功入选中国制造“十四五”成就展，登陆国家博物馆，彰显了公司的硬核科技实力，也体现了国家对碳化硅产业及公司发展的高度认可；公司作为国内碳化硅衬底行业的领军企业，积极协办全国半导体材料标准化分技术委员会相关会议，助力行业标准完善，推动产业高质量发展。在国际领域，公司斩获德国博世集团“卓越供应商”奖项，成为其全球约3.5万家供应商中获评的49家企业之一，彰显产品品质与供应能力的国际认可；同时，作为31年来首家荣获日本器件产业新闻第31届半导体年度奖“半导体电子材料”类金奖的中国企业，跻身全球顶尖半导体材料企业行列，标志着中国碳化硅产业整体实力的跃升。
　　4、资本市场方面
　　公司8月成功实现港股上市，成为国内碳化硅衬底领域首家“A+H”两地上市企业，这一资本布局的重大突破，不仅让公司迈入“A+H”双资本平台发展的全新阶段，更成为国产第三代半导体硬科技企业对接全球资本、实现国际化发展的标杆案例，充分印证了公司核心技术实力与全球化发展潜力获得国际资本市场的高度认可；同时公司凭借突出的科技创新实力与全球化发展布局，荣获“金牛上市公司科创奖（新材料）”“2025年度科技创新金牛奖（港股）”“2025硬科硬客科技突破奖”，资本市场认可度持续攀升。此外，公司研发团队获评“团省委在青春建功高质量发展工作中表现突出青年集体”，彰显了人才队伍建设的显著成效。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局
　　碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自成立以来持续布局不同尺寸、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸升级方面形成了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续提升8英寸产品的批量供应能力和客户导入深度，而且进一步完成了12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代大尺寸产品的全矩阵布局。
　　公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底；2025年，公司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实了在超大尺寸领域的领先位置。
　　2025年，公司8英寸产品进一步走向主流化应用。根据富士经济数据，公司8英寸产品全球市场份额已超过50%，公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。公司2024年8英寸产品主营业务收入占比30%，2025年进一步提升至44%左右。8英寸产品比重持续提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高壁垒。
　　从产业趋势看，8英寸的意义在于能够显著提升单片晶圆的芯片产出、提高设备兼容性并降低综合成本。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍；同时，晶体生长技术的进步推动8英寸导电型衬底实现量产，更大的可用衬底面积推动单位综合成本降低。公司率先完成8英寸产品产业化并在2025年实现主流化应用，意味着其不仅走在技术前列，更有效承接了下游客户对成本优化和产线升级的需求。
　　在更大尺寸布局上，12英寸产品进一步强化了公司的下一代竞争壁垒。12英寸产品在面积上较8英寸继续扩大，有望进一步降低单位成本并提升经济性，同时下游诸多新兴领域如先进封装、AI光学的进一步发展也亟待12英寸的规模化量产。目前公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型产品的全产品大尺寸布局，标志着公司正式跻身全球碳化硅大尺寸技术竞争前列。
　　在大尺寸技术领先的同时，公司前沿工艺布局也增强了技术领先的深度。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的P型碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。液相法相较传统路径，能够更好地控制生长参数，使掺杂分布更加均匀，特别适用于高功率、高耐压场景，对公司在高压电网、P型衬底及未来更高品质大尺寸产品开发中具有战略价值。
　　总体看，公司在大尺寸路线上的核心竞争力，不仅率先推出大尺寸产品，并已建立起从技术领先、工艺方法突破，到客户协同开发验证、大批量稳定交付的完整闭环。8英寸的主流化应用和12英寸的全矩阵布局，使公司在当前和下一阶段行业竞争中都具备较强主动权。
　　2、赋能“AI+新能源”双轮驱动的多元化应用生态能力
　　公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解，同时围绕客户需求开展协同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景渗透，展现出较强的生态赋能能力。
　　碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类下游产品中。结合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向，而是进一步延伸至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开发能力。
　　在新能源领域，碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。
　　在AI领域，据弗若斯特沙利文的资料，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，对应2023年至2030年复合年增长率27.4%；数据中心耗电占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。公司碳化硅衬底可应用于AI数据中心所需的高效率电源、PSU、HVDC、SST等场景，将为公司打开新的成长空间。
　　在微纳光学与AI眼镜领域，碳化硅材料可应用于AI眼镜的光波导镜片中，凭借高折射率等特性，可实现更大的视场角和更简单的全彩显示结构，减少重量、体积和制造复杂度。预计至2030年全球AI眼镜出货量将超过6000万副。报告期内，公司于2025年7月与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，通过整合公司材料优势与对方光学技术专长，推动碳化硅材料在光学领域的应用；同时，公司“碳化硅光波导片在AI眼镜中的应用”方案于2025年11月成功入选中国信通院优秀案例，表明公司在光学场景的产业化探索已取得实质进展。
　　在先进封装与高端散热领域，碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出货，验证了碳化硅作为散热材料在产业端规模化应用的可行性。并持续在AI、数据中心和先进散热部件等新应用场景推动技术突破。这类应用本质上是利用碳化硅在热管理和材料稳定性方面的优势，服务于AI算力中心高功率、高散热密度场景。
　　在滤波器与先进通信方面。碳化硅已应用于TF-SAW滤波器等方向，先进通信基站中的渗透率也正逐年提升。公司正围绕碳化硅在高频高速通信场景的材料优势，与客户共同推动产品验证和应用落地。
　　总体来看，公司围绕“AI+新能源”的多元应用生态能力，持续拓展客户行业，将碳化硅材料的“电、光、声、热”等多维特性逐步转化为可量产、可验证、可协同开发的产品能力。随着下游更多新场景从验证走向规模化，公司有望凭借这种跨场景理解和快速响应能力，进一步提升行业渗透率和客户黏性。
　　3、全球领先的规模化量产能力与精益制造体系
　　在行业承压、竞争加剧的环境下，能否稳定实现大尺寸产品的规模化生产、保证一致性和良率、按时交付全球头部客户，成为决定企业竞争地位的关键因素。报告期内，公司继续强化规模化量产能力和精益制造体系，形成了较为突出的交付优势。
　　公司目前已形成上海临港与山东济南两大主要生产基地协同布局。截至报告期末，公司已在山东及上海设立两大生产基地，合计设计年产能超过50万片碳化硅衬底；同时上海工厂、济南工厂仍在推进二阶段产能提升规划，海外工厂也逐步进入计划建设阶段。完善的产能布局增强了公司对全球大客户稳定交付的支撑能力，也提升了产能调度和风险分散能力。
　　从实际产量看，公司规模优势持续兑现。2025年度公司碳化硅产品折合69.04万片，同比增长68.31%。
　　公司大尺寸产品的快速量产能力，是其制造体系的重要体现。以上海生产基地为例，其于2023年1月开始设备进场，到同年5月即实现产品交付，并于2024年上半年已经达到年产30万片碳化硅衬底的量产能力，而原计划实现该目标的时间为2026年。这表明公司生产管理团队已形成一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验，可在较短周期内完成从项目建设到客户交付的落地，这对公司海外产能的布局也至关重要。
　　在良率、厚度与一致性方面，公司同样具备领先能力。目前公司已解决有效晶体生长厚度提升的量产难题，有效厚度超行业平均水平。更高的有效厚度意味着单个晶锭可切出更多衬底，有助于大幅降低单位产品成本。与此同时，公司产品已达到近零微管水平，并表现为无堆垛层错、低BPD、低TSD和低TED密度。公司还实施“Z计划”，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。在智能制造方面，公司持续推进AI和数字化工厂建设。上海工厂在设计之初即定位为智慧工厂，配备高性能、智能化设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺；公司运用信息系统实现生产品质实时分析、监测和预警，并通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了操作控制与管理的自动化，部分晶体生长设施实现无人化运营。高自动化和高信息化能力，一方面减少了人为干预带来的品质波动，另一方面提高了生产效率和一致性。
　　总体而言，公司多元化的产能布局，大尺寸快速量产能力，高一致性的品质保障和持续降本的系统能力，为公司服务全球头部客户打下了坚实基础，也为公司在行业竞争中保持韧性和扩大份额提供了关键支撑。
　　4、深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力
　　碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部优质客户是公司长期发展的基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形成了稳定深入的客户生态优势。
　　目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，并已进入国际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力。
　　从品牌与市场地位看，公司已具备较强国际影响力。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。同时公司的稳步发展也获得了头部客户的广泛认可和尊重，使得公司在行业议价、行业标准理解和制定和产业链协同中拥有更强影响力。
　　2025年，公司完成H股上市，形成“A+H”双融资平台，进一步增强了公司在国际资本市场和全球客户体系中的公信力。公司H股于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌上市，股份代号为2631.HK。本次港股上市有利于公司借助A+H双上市平台构建全球化资本及营销网络，有助于提升海外客户对公司长期供货能力、治理规范性和国际化发展能力的信心。
　　在品牌认可方面，公司于2025年10月从博世全球超过35000家供应商 中脱颖而出，荣获“博世全球供应商奖”，标志着双方产业链协同进入深度绑定阶段。公司同期还获得“好品山东”、“港股科技创新金牛奖”、“全球SiC衬底影响力企业”等多项荣誉，这些外部认可强化了公司在全球市场中的品牌形象。
　　公司客户资源优势的底层逻辑，在于碳化硅衬底一旦完成验证，客户通常不会轻易更换供应商。碳化硅衬底需经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序，验证周期长，因此已通过验证的供应商通常具备较强持续供货优势。公司凭借产品品质、持续交付能力和技术服务能力，不仅进入客户体系，而且不断深化合作层级，从而形成较强客户黏性。
　　总体而言，公司深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力，已经成为其在行业竞争中的重要壁垒。随着公司通过“A+H”平台进一步完善全球营销与资本网络，并持续提升8英寸和12英寸产品供给能力，公司有望在全球范围内进一步提升市场份额和品牌影响力。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。
　　（1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术
　　碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错及点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
　　我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于100cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；及(iv)通过C/Si成分调节技术，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。
　　（2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术
　　我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
　　碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。
　　（3）高纯碳化硅粉料制备技术
　　碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
　　（4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术
　　半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。
　　我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制。此外，我们开发出创新性的电学性能控制技术，实现导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性，并将其面内电阻率均匀性控制在2%以内。
　　（5）碳化硅衬底超精密加工技术
　　我们的超精密加工技术包括：
　　(i)高面型质量的碳化硅晶锭多线切片技术。碳化硅晶体的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，是一种硬脆材料。我们开发出一种针对大尺寸晶体的分段式多线切片工艺。根据特定晶体类型，我们设计了最优的进刀曲线，从进刀到出刀阶段优化了晶体面型，从而降低切片的表面损伤。我们亦配制了独特的碳化硅晶体切片液，显著提升了切割效率。
　　(ii)高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术。由于碳化硅晶体材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。我们通过多年研究，研发了碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。
　　(iii)碳化硅衬底表面清洗技术。化学机械抛光工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，有效去除衬底表面的微小颗粒及金属离子沾污，使客户能够开盒即用。
　　（6）液相法
　　有别于传统技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够更好地控制生长参数，使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压电子产品碳化硅晶体的生长。通过精细管理熔融物的温度及成分，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。液相法使我们能够生产无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，新申请发明专利和实用新型专利等64项，其中发明专利49项，实用新型13项。
　　截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权203项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　情况说明
　　上述项目为公司截至报告期末主要在研项目。
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内公司营业收入、归属于母公司所有者的净利润、基本每股收益下降幅度较大，主要原因系碳化硅衬底产品平均价格下降导致营收及毛利下滑，叠加销售、研发费用同比上升，以及所得税费用和滞纳金支出增加等因素。经公司审慎研判，公司主营业务、核心竞争力未发生重大不利变化，持续经营能力不存在重大风险。公司所处的宽禁带半导体产业属于前沿新兴领域，行业整体持续向好，但前期投入大，研发支出高，未来如公司持续进行战略扩张，投资幅度加大，公司业绩仍存在亏损的风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　(四)经营风险
　　1、公司的业绩受到下游行业需求和原材料供应波动的影响。下游行业增长放缓或原材料成本的变化，可能会对公司的业务、财务状况和经营业绩产生不利影响。
　　2、公司的业务在很大程度上依赖于管理层和包括研发人员在内的高等人才的努力，若相关人员流失，将对公司的营运造成不利影响。
　　3、公司产品中未被检测出的缺陷、故障或可靠性问题可能会减少市场对公司产品的采用，损害公司的声誉或使公司面临产品责任和其他索赔。
　　4、公司生产基地的任何运营中断都可能限制公司的日常业务运营，并对公司的财务状况和经营结果产生重大不利影响。
　　5、公司面临依赖主要客户和供应商的集中风险。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影响。
　　6、公司未来可能会面临碳化硅衬底价格下降的风险。如公司无法通过增加销量、降低成本或产品组合升级消除价格下降的影响，将对公司的财务表现及经营业绩产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、公司在过往年度实现了营业收入的快速增长，并于2024年度实现扭亏为盈，经营业绩呈现向好的趋势，因公司所处的宽禁带半导体产业属于前沿新兴领域，前期投入大，研发支出高，2025年公司业绩出现了大幅波动，未来如公司持续进行产能扩张，公司业绩仍存在亏损的风险。
　　2、若公司未能维持足够的存货，或者存货管理不善，可能会失去销售机会或产生高额的存货相关费用，这可能对公司的财务状况及经营业绩产生负面影响。
　　3、原材料价格的上涨或供应短缺可能会扰乱公司的供应链，增加生产成本，导致公司延迟向客户交付产品，对公司业绩产生不利影响。
　　4、公司可能面临来自贸易应收款项的回收风险。未能及时或完全无法收回贸易应收款项可能会对公司的业务、财务状况、流动资金及前景造成重大不利影响。
　　5、公司已根据股权激励计划授予并可能继续授予若干奖励，这可能会导致股份支付薪酬开支增加，影响公司的财务状况及经营业绩，并可能摊薄现有股东的股权。
　　(六)行业风险
　　1、半导体材料行业竞争激烈。若公司未能成功竞争，公司的业务、经营业绩和未来前景将受到损害。
　　2、若公司无法跟上半导体行业的技术进步，可能无法保留现有客户，吸引新客户，或保持公司的市场地位。
　　(七)宏观环境风险
　　1、公司扩展至海外市场可能面临营运、财务及监管风险。
　　2、公司的业务、财务状况和经营业绩可能会受到国际政策、国际出口管制和经济制裁的重大不利影响。
　　3、全球经济状况的下滑或波动可能对公司的业务、财务状况、经营业绩及流动性产生重大不利影响。
　　4、人民币对美元汇率波动对出口导向型、跨国经营上市公司汇兑损益风险的影响日益显著，直接关系到企业盈利稳定性。
　　5、全球政治、社会条件或公司运营所在国家和地区的政府政策变化，可能对公司的业务和运营产生重大不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入14.65亿元，较上年同期减少17.15%；实现归属于母公司所有者的净利润-2.08亿元，较上年同期减少216.36%；公司总资产95.83亿元，较上年同期增加30.27%；归属于母公司的所有者权益71.74亿元，较上年同期增加35.03%。
　　报告期内公司营业收入、归属于母公司所有者的净利润、基本每股收益下降幅度较大，主要原因系碳化硅衬底产品平均价格下降导致营收及毛利下滑，叠加销售、研发费用同比上升，以及所得税费用和滞纳金支出增加等因素。
　　报告期末公司总资产、归属于母公司的所有者权益较期初增长，主要原因系公司顺利完成H股发行，在募集资金到账后相应增加了公司的股本及资本公积，同步推动了公司资产和所有者权益的规模提升。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　1、行业由粗放增长进入注重质量及效率时代，行业发展波动中龙头地位愈发凸显。
　　2025年是碳化硅（SiC）产业发展的分水岭。技术进步进一步有效降低了单位生产成本，驱动行业渗透率增加，出货量持续攀升；同时市场在剧烈波动中加速出清，行业竞争由规模扩张转向效率与质量的比拼。2025年，具备核心技术与客户资源优势的龙头厂商份额明显提升，全球格局逐渐呈现出由海外巨头主导转向由中国领先企业突围的方向发展。
　　（1）技术驱动成本中枢系统性下移。报告期内，衬底大尺寸化与工艺改良成为行业降本的核心动能。同时，公司8英寸衬底工艺进一步优化，单位综合成本较6英寸显著降低。2025年，随着天岳先进等龙头企业良率逐步提升，带动衬底生产成本优化。此外，12英寸（300mm）衬底的研发攻关进一步打开了降本空间，行业正式进入更高维度的质量+效率竞争阶段。
　　（2）出货量逆势激增，国产份额提高。尽管行业承压，但碳化硅成本下行刺激出更多的市场应用，新能源汽车、工业、光储充、智能电网的强劲需求驱动出货量显著增长。以本公司为例，2024年产量已达41.02万片，2025年产量达到69.04万片，继续保持增长态势。价减量增的背后，是国产产业链凭借规模效应和良率突破，正成为全球碳化硅行业的大增长极。
　　（3）行业加速出清，头部阵营呈现剧烈分化。在长达两年的行业调整期后，行业进入优胜劣汰的深水区。一方面，由于缺乏成本优势和客户黏性，大量腰部及尾部中小厂商面临严重的产能利用率不足，行业在波动中逐渐出清。另一方面，全球龙头企业的表现出现分化：部分海外厂商面临巨大的运营挑战，中国等本土龙头企业通过大尺寸衬底优势、良率工艺改进跃升、下游终端客户大市场的孵化正逐步建立行业新发展秩序，市场份额稳步提高。根据相关测算，2025年天岳先进全球市占率进一步增长，体现了强大的经营韧性。
　　（4）行业由粗放扩张转向追求质量与系统化能力。站在2026年初的时间点回望，单纯的产能规模已无法建立构筑有效的经营能力，行业竞争重心已全面向稳定交付、品质保障、及客户生态圈迁移。头部企业正在凭借多年积累的大规模、稳定、高质量交付的绩效，与全球头部客户建立更加紧密的合作关系。碳化硅产业已告别草莽式的粗放增长阶段，正式步入以 ”先进品质、极致成本、稳定供应 ”为特征的高质量发展时代。
　　2、尺寸升级：6英寸仍为现实主流，8英寸快速起量，12英寸开启下一代赛道
　　2025-2026年初，衬底尺寸升级依然是行业最重要的结构性趋势之一：6英寸是行业目前最为主流出货品类，同时8英寸正快速起量，并成为盈利与成本博弈的胜负手，12英寸是下一代技术和话语权的高地。
　　6英寸方面，由于工艺成熟、良率相对稳定且设备体系完善，6英寸导电型衬底仍是当前出货的主流，在全球衬底出货中占比超过九成，尤其在国内应用中仍承担着大部分量产需求。但6英寸器件市场已经进入“红海时代”，竞争最为激烈。
　　8英寸方面，2025年头部企业转向快速起量阶段，天岳先进在8英寸出货方面断代领先全球市场。8英寸的经济性逐步被验证，单片芯片产出量约为6英寸的2倍左右，且在晶体生长技术进步和良率提升配合下，单位综合成本有望进一步下降，并能够与部分硅基产线设备协同使用。下游各器件龙头企业在8英寸上的资本开支极为积极，已然成为全行业的主战场与卡位点。
　　12英寸方面，2024-2025年是从实验室阶段迈向工程样片与小批供货的关键窗口期。报告期内，公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，并在国际展会上展示样品，部分头部客户已启动验证或下达订单。8英寸的稳定量产及12英寸的前瞻布局使得公司在下一个时代的竞争中掌握先机。
　　与此同时，部分下游国际龙头企业在200mm（8英寸）产线及后续更大尺寸产线上加速投入，12英寸衬底已明确代表未来成本结构与竞争格局的重要方向。
　　在这一路径中，中国市场的重要性显著提升。报告期内，中国碳化硅市场占全球份额显著提升，未来有望成为全球最大单一市场；国内厂商在6英寸替代、8英寸突破和12英寸探索上同步推进，形成了与海外龙头之间从“追赶”迈向“局部并跑乃至领先”的新格局。
　　3、需求结构从“新能源单核”走向“新能源+AI多核”，应用场景持续外溢
　　 2025年碳化硅下游需求从新能源汽车这一领域加速迈向更多领域，包括新能源、AI、工业、消费等更多场景，行业抗周期能力和中长期成长确定性在行业波动年中进一步增强。
　　新能源仍是最大基本盘，并于2025年尾开始出现加速增长的迹象。电动汽车的碳化硅功率器件正逐步从高价位段向中低价位段延伸，光伏、储能、充电桩、电网、轨交等领域的渗透率亦随着碳化硅器件单位成本的下降而快速提升。
　　在AI数据中心方面，弗若斯特沙利文预计2030年全球AI数据中心容量将达299GW，较2023年净增244GW，2023-2030年复合增速达27.4%，届时数据中心耗电占全球电力消费比重或由1.4%升至10%；800V HVDC架构、SST、PSU等环节，碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度优势，被视为降低能耗、提升机柜功率密度和优化散热设计的关键材料。
　　在AI终端与光学领域，碳化硅材料凭借高折射率及优异光学性能，在AI眼镜/AR眼镜光波导中的应用逐步从概念验证走向生态共建。多方预计2030年全球AI/AR眼镜出货量将超过6000万副，以碳化硅为基底的光波导片可带来更大视场角、更简化的全彩显示结构并降低重量和成本，公司已与全球光学领域应用龙头建立联合开发关系，推动这一新兴场景的产业化落地。
　　此外，在先进封装、高端散热、滤波器、智能电网、家电与工控等方向，碳化硅的高热导、高频、耐高压与耐高温等多重特性不断被挖掘，例如用于AI芯片封装的散热中介层、TF-SAW滤波器基底、特高压电网P型衬底等，需求端的多元化趋势日益显著。
　　4、国产化与全球化并行
　　碳化硅衬底的长验证周期和高切换成本决定了客户资源即是壁垒。具备全球Tier1客户认证、签订长期供货协议（LTA）、并在EV、AI数据中心、工业、光学先进封装等多场景深度协同的企业，将在价格战与景气波动中展现出更强韧性。公司通过 “A+H”双融资平台进一步增强海外品牌认知与资本实力，配合在东南亚等地布局海外产能，应对地缘政治与贸易壁垒的能力更加扎实，逐步建立起更加稳定的 “China for global”和“China for China”双循环 的供应体系。
　　同时，国内碳化硅产业链在衬底、外延、器件与装备等环节加速突破，2025年国产碳化硅产品加速发展，国内下游企业竞争力边际加强，国产厂商成为碳化硅行业愈来愈重要的玩家；同时，海外IDM与国内厂商之间的合作亦在深化。2025年，公司与诸多国内下游客户亦建立起更加深厚的合作绑定关系，为下一步发展做好了充分准备。
　　2025-2026年是碳化硅行业发展的关键阶段：低端、无差异化能力的产能以及缺乏自研能力、无头部客户绑定的厂商将加速出清或边缘化；具备 技术领先、成本优势、多场景应用理解和系统解决方案能力 的企业，将在AI与新能源双轮驱动下获得更大的成长空间和行业话语权。(二)公司发展战略
　　1、保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用
　　作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，我们计划通过我们在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统。凭借我们领先的技术、产能及高效的生产优势，我们将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提高其在功率半导体市场的渗透率。
　　我们致力于推动碳化硅材料在可再生能源及AI领域的整合应用，并认识到其于引领未来技术进步中的关键作用。我们持续推进碳化硅材料在新能源汽车、电网、轨道交通及家电等现有应用领域的持续渗透，同时，我们也致力于实现碳化硅材料在AI数据中心、AI眼镜及先进散热部件等新应用场景的技术突破。
　　2、加强研发能力，完善前沿技术布局，丰富产品组合
　　我们将持续加强研发能力，丰富专利组合，以巩固我们在碳化硅行业的技术领先地位。具体而言，我们计划(i)聚焦材料性能、晶体生长热动力学、晶体生长方法、晶体缺陷生成及演化机理的研究；（ii）在材料性能、晶体生长和缺陷控制等核心技术领域开展密集试验，不断突破技术瓶颈，持续优化碳化硅材料的制备工艺；(iii)加强我们对不同类型，以及不同尺寸的碳化硅衬底的研发能力，强化在大尺寸化生产技术、零缺陷技术、P型衬底技术、液相技术等领域的技术领先优势，带动材料性能提升和产品更新换代；(iv)研发下一代变革性技术，推动碳化硅衬底在多种新兴领域的应用。
　　我们将坚持自主研发，持续招募顶尖人才，给予研发人员充足的资源支持，并通过我们强大的技术平台及不断积累的专业知识，确保研发人员始终关注最先进技术，从而巩固我们的行业领先地位。我们将不断完善研发激励机制和研发管理体系，激发研发人员的创新活力。我们将加强高校合作，为技术突破和产品创新提供坚实基础。
　　3、保持并持续提升产能，提高生产效率和交付质量
　　为有效满足下游客户不断变化的需求，我们将持续强化有效产能，特别聚焦于大尺寸碳化硅衬底，从而巩固我们的行业领先地位。
　　我们将持续投资于现有生产基地并进行技术升级，从而优化我们的整体产能及效率。我们致力于(i)提升供应链的稳定性；(ii)开发具备技术领先性的设备；(iii)改进生产流程，提高设备利用率，提升物料使用效率，降低生产环节浪费；(iv)加强数字化运营系统，提高我们智慧工厂的自动化水平；(v)持续优化工程参数，应用晶体快速生长和厚度提升等核心技术，提升生产效率、降低生产成本，实现规模化精益生产。
　　同时，我们将继续落实Z计划，提升产品交付质量和交付效率。一方面，我们将通过专注且广泛的沟通，全力提供满足客户不断变化需求的碳化硅衬底。另一方面，我们将在制造过程的各个阶段制定严格的质量把控标准，以确保碳化硅衬底的高质量和高一致性，并保持我们及时高效交付的优势。
　　4、加强全球合作生态系统建设，扩大客户群并深化客户关系
　　通过与业内上游供应商及下游客户的合作，我们致力于建立共赢的碳化硅生态系统。我们旨在在技术及应用层面扩大碳化硅材料市场规模和渗透率，引领碳化硅行业的发展。
　　我们致力于加强与上游供应商及下游客户的长期战略合作关系。同时，我们将扩大国内外市场的客户群，进一步扩大我们的业务规模，提升全球市场占有率。通过深化与全球领先公司的合作，我们持续引领行业趋势，巩固我们的市场地位。与全球tier1客户的广泛合作将使我们能够共同定义产品工艺和供应链标准，加速新技术的商业化，并提高现有产品的性能和促进成本优化，最终提升我们的市场渗透率。同时，不断拓展新客户，拓宽新应用领域的客户覆盖广度，对我们的可持续发展及市场扩张极为重要。此外，我们将持续完善全球化销售及服务系统，进一步深挖海内外客户需求、提升客户响应速度及满意度、优化交付成本。秉持合作共赢理念，我们将在深化产业链战略协作的同时，持续强化客户导向型服务体系和全球技术领先优势，巩固作为技术领先的全球碳化硅衬底公司地位。
　　我们将继续加强与全球领先的原材料及设备供应商的合作，保证我们的稳定供应及成本优势，并积极通过合作共创不断提升材料及设备性能、优化生产成本。此外，我们将通过多渠道、多层次的供应商资源池，进一步深化我们的多元化的全球原材料采购网络，提高供应链的弹性及灵活性。
　　5、持续吸引顶尖人才，提升管理能力
　　我们高度重视人才队伍的培养，计划打造一支具备创新能力、强大团队合作精神并能灵活应对市场变动的专业团队，以提升技术创新能力、增强整体竞争力，并支持我们的长期持续发展。
　　我们将持续加大人才战略的投入。一方面，根据研发、生产、销售和管理等战略重点，我们将实施全面的人才引进、培养及发展计划，强化人才梯队建设。另一方面，我们将积极拓宽人才引进渠道，与知名高校建立合作。我们将强化战略人才发展机制，建立与角色需求相适应的差异化培训体系，为跨领域关键人员培养赋能。我们也将维持积极的工作环境，实施全面的绩效评估，并提供具竞争力的激励措施，以鼓励持续的价值创造并促进业务创新，从而进一步提升我们的技术实力及创新活力。
　　我们将不断完善和优化组织管理体系，建设适应公司发展战略、匹配快速发展的业务规模的组织，提升服务全球客户所需的管理能力，为科学高效的运营管理提供有力保障。我们将持续提升在采购管理、库存管理、销售管理、数字化运营方面的运营效率。
　　6、寻求战略投资、合作或收购
　　为增强技术能力、拓展业务布局，未来我们计划对与我们形成互补或协同效应的半导体行业的技术、团队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。通过战略性投资、合作或收购，我们计划完善我们的技术组合、提高生产工艺、提升产品品质、拓展销售网络，并扩大我们的可触达市场，从而驱动我们的未来增长。
　　(三)经营计划
　　2026年天岳先进将继续以“成为国际著名的半导体材料公司”为战略目标，立足新能源和AI引领未来科技革命的契机，始终秉持“先进品质持续”的经营理念，引领行业和技术发展，以高品质产品为客户创造更大的价值。
　　2026年，公司将继续围绕以下重点工作，推动天岳先进高质量发展，提升公司长期投资价值。
　　1、坚持主业聚焦，稳步提升大尺寸产能与有效利用率
　　公司将继续以碳化硅衬底主业为核心，围绕济南与上海临港两大基地，系统梳理并优化现有6/8英寸产线的产能结构与排产节奏，并审慎推进资本开支，稳步提升有效产能利用率与交付能力，并通过工艺优化、瓶颈环节扩能与智能排产等方式，提升整体产出效率，保障客户供货稳定性。
　　2、深化8英寸主流化应用，前瞻推进12英寸全系列产业化
　　公司将继续以“8英寸绝对领先、全球头部客户首选供应商、大尺寸高质量衬底量产标杆”作为年度经营重点。在8英寸方面，公司计划在2026年继续推进8英寸产品占比：一方面通过进一步提升8英寸良率和稳定性，巩固其在公司收入中的主力地位，另一方面加快更多车规级及工业客户的量产导入节奏。在12英寸方面，将围绕已完成的导电N型、P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，重点推进与头部客户的合作，为即将到来的具备规模化交付条件时的快速产业化奠定基础。
　　3、构筑基于高品质和高质量服务的品牌力，维护行业健康利润率
　　2026年，公司计划以高品质产品和高质量服务为基底构筑品牌力，构筑以技术和服务质量为锚的盈利修复路径，维护行业健康利润率。公司将坚持价值定价，综合产品尺寸、质量、服务内容与长期战略保供能力，与客户建立以性能与可靠性为基础的长期合作关系，杜绝内卷式的价格博弈，重视客户满意度、良率与交付时效，并通过工艺进步和精益制造确保降本增效工作的顺利展开，并以内生性盈利支撑持续研发和智能工厂迭代投入，有力提升经营质量。
　　4、围绕“AI+新能源”双轮驱动，系统优化产品与市场结构
　　公司将围绕“新能源+AI”双主线下优化资源配置。一方面，继续深耕新能源汽车、光伏储能、电网及工业等传统高景气赛道，保障车规级6/8英寸导电型衬底稳定供货，支撑下游xEV领域碳化硅渗透率快速提升。另一方面，重点面向AI数据中心电源、先进封装散热与AI/AR眼镜光波导片等新应用领域，完善导电性衬底、光学级衬底及先进封装材料等产品线布局，强化与电力电子、AI智算、光学头部客户的联合开发，提升非车载业务在收入中的占比，以多场景、高门槛应用提升整体毛利和品牌高度，提升盈利弹性。
　　5、强化降本增效与精益制造，夯实成本优势
　　在行业竞争走向新阶段的背景下，公司计划进一步加强成本与效率管理。2026年，公司将继续围绕长晶质量提升、低缺陷生产、智能排产等环节深挖潜力，有效降低单位成本；同时，依托AI+智能制造管理体系，对长晶、切片、磨抛、清洗全流程进行更细颗粒度的监控和参数优化，减少人力成本、提高良率与一致性；此外，公司将在采购端推进多元化供应体系，平滑原材料价格波动。经营层面将围绕单位成本、单位能耗、单位人效等核心指标设定阶段性目标，以在竞争中保持合理毛利。
　　6、巩固并拓展全球头部客户生态，提升“A+H”平台下的国际化运营能力
　　公司将继续绑定关键客户，服务多元终端赛道。一方面，稳固与全球头部功率半导体龙头厂商的长期合作，通过满足其连续迭代的产品规格要求，确保在其全球供应链中的核心地位；另一方面，加快与AI数据中心、电网、微纳光学、先进封装等领域头部客户的联合开发与产业化推进节奏，推动更多新应用项目进入批量出货阶段。依托2025年H股上市形成的“A+H”双融资与双品牌平台，公司将同步完善境外销售和技术支持网络，提升跨区域交付、结算与合规能力，为后续海外产能布局和更大规模出海打好基础。
　　7、持续加大研发投入与人才建设，强化“技术+知识产权”双重护城河
　　在2025年研发费用已达1.66亿元、同比增长16.91%的基础上，公司计划继续保持研发投入强度，将资金重点用于12英寸、液相法P型衬底、面向电力电子领域新应用方向的各类导电性衬底、光学衬底、先进封装散热材料与射频等新材料方向。同时，继续推进在研项目落地，提升从基础研究，到产品开发、工程化试验，再到规模量产的转化效率。人才方面，公司将通过激励措施、科研平台与国际合作吸引和稳定高层次人才，为公司在未来行业技术拐点与应用切换中保持长期竞争力提供保障。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所属行业情况　　根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。　　当前时代，能源变革和人工智能（AI）是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所属行业情况
　　根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
　　当前时代，能源变革和人工智能（AI）是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。
　　碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。
　　相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在电动汽车及光伏等高性能应用领域中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。
　　碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括电动汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。
　　公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。
　　（二）主营业务情况
　　公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。
　　公司专注于碳化硅行业已超过14年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，目前公司量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。不仅在碳化硅衬底大尺寸化上，公司在产业化能力和产品品质方面也能继续保持全球领先。通过推动产品大尺寸化、生产效率提升的双轮驱动，公司助力客户持续降低碳化硅衬底的规模化使用成本，推动碳化硅衬底在更多应用场景加速应用。
　　公司积极提升产能布局。目前已形成山东济南、上海临港碳化硅半导体材料生产基地，设计产能每年超40万片，高品质碳化硅衬底产品供应能力持续提升。公司积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世、安森美等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。截至目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户主要采用我们高品质的碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，最终用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域。
　　公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验。这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。
　　（三）主营经营模式
　　1、研发模式
　　我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
　　1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；
　　1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
　　1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；
　　1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；
　　1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
　　2、采购模式
　　碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
　　公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
　　公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
　　3、生产模式
　　公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
　　公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。
　　公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及制定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
　　4、营销模式
　　公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。
　　公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：
　　4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
　　4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
　　4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
　　4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；
　　4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
　　公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年上半年，随着全球新能源汽车、可再生能源产业等领域的持续扩张，能源变革日益成为全球发展的核心目标，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。同时，碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。
　　公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
　　作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。
　　（一）公司经营情况
　　1、深耕主业，强化巩固竞争优势
　　2025年上半年，公司持续提升核心产品的产能产量。公司济南工厂的产能产量通过技术与工艺提升稳步推进，上海临港工厂已于2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，目前正在推进二阶段产能提升计划，两个工厂合计设计产能已突破40万片。
　　2025年上半年，公司实现营业收入7.94亿元；归属于上市公司股东的净利润1,088.02万元。这一变动主要系公司战略性加大了研发投入。
　　2、深挖合作客户新订单，积极拓展新客户
　　随着全球对绿色低碳能源的需求日益增加，碳化硅材料在新能源汽车和光伏行业的市场前景广阔。公司通过加强在碳化硅衬底产品领域的长远布局，紧抓行业发展新机遇，提高市场份额，为未来的持续增长打下坚实的基础。同时，公司继续优化碳化硅衬底的产品结构，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，深挖原有合作客户，积极拓展新客户、新产品，以保持在碳化硅材料市场的竞争力，最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
　　公司已实现8英寸导电型衬底产品质量和批量供应。截至报告期末，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户体系进一步完善。公司持续开拓光学等新兴领域客户，已与全球头部光学领域厂商建立了合作关系，并已获得相关客户多个订单，实现了光学领域碳化硅衬底产品的销售。
　　2025年7月，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司（以下简称“舜宇奥来”）达成战略合作，开启了微纳米光学领域和新材料领域两家龙头企业合作新篇章。此次合作，通过整合天岳先进的材料优势与舜宇奥来的光学技术专长，将助力碳化硅衬底材料在光学领域的应用，开拓一个新兴的蓝海市场。
　　2025年3月，权威行业调研机构日本富士经济发布报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）为22.8%，稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。
　　2025年8月，公司与东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称"东芝电子元件"）就公司开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议，双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。
　　3、持续丰富产品矩阵，助力下游应用拓展
　　公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。
　　2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
　　2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
　　目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，公司将以超大尺寸技术及产品为支点，持续深耕碳化硅半导体材料的蓝海市场。
　　（二）研发创新情况
　　公司致力于研发创新，重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发，确保公司不仅紧跟科技进步，并不断改进公司产品，巩固公司宽禁带半导体材料领导者的地位。2025年上半年，公司研发费用7,584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。
　　公司在碳化硅衬底及生产技术的研发方面投入了大量资源，保障了高品质碳化硅衬底的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。
　　公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。
　　截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
　　截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计63人，占研发人员总数的36.63%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。
　　（三）半年度成果和荣誉
　　2024年12月，公司荣获由中国电子信息行业联合会经严格评审并颁发的数据管理能力成熟度模型(DCMM）3级认证，这是公司以宽禁带半导体技术立足数字化低碳化发展又一里程碑式成就。公司已构建起一套全面且规范的数据管理制度，为企业决策及管理运营提供可靠、科学且高效的数据支撑，从而显著提升企业的市场竞争力和管理先进性，保障了企业的稳健运营。
　　2025年5月，山东省政府正式发布2025年第四批“好品山东”品牌名单，公司凭借全球领先的碳化硅技术实力、绿色低碳智造成果及国际化品牌影响力荣耀登榜！这标志着企业以持续创新和高质量发展，成为山东省乃至中国半导体产业的“标杆力量”。
　　2025年6月，公司获得第二十五届中国专利银奖。公司此次获得中国专利银奖，是对公司技术创新能力和技术发明产业化能力的重大肯定，也是对公司在碳化硅半导体领域核心关键技术重大突破以及自主可控的充分认可。
　　2025年6月4日，公司凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。历届获奖企业主要包括英飞凌、索尼、美光等国际半导体巨头，此次获奖标志着我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破，彰显了中国宽禁带半导体材料技术的国际领先地位。
　　（四）H股成功挂牌上市
　　为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，2024年12月，公司发布计划在境外发行股份（H股）并在香港联合交易所有限公司上市（以下简称“本次H股上市”）公告，正式启动本次H股上市相关筹备事项。
　　之后，公司陆续于2025年1月、2月召开董事会及股东大会审议通过了本次H股上市相关事项，并于2025年2月24日向香港联交所递交了本次发行的申请。公司于2025年6月收到中国证监会出具的《关于山东天岳先进科技股份有限公司境外发行上市备案通知书》，备案公司拟发行不超过87,206,050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。经香港联交所批准，公司本次发行的47,745,700（行使超额配售权之前）股H股股票于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌并上市交易。公司H股股票中文简称为“天岳先進”，英文简称为“SICC”，股份代号为“2631.HK”。公司本次港股上市，标志着中国碳化硅产业从“高品质产品供应”向“技术+标准+资本”全要素集成的质变。公司将通过紧抓新能源+人工智能两大未来科技革命的双重引擎，以港股上市构建全球化资本及营销网络，用技术创新构筑护城河，引领全球碳化硅产业发展的新方向。
　　2025年，全球碳化硅产业正处于深度变革与战略重组的关键阶段，面临多重挑战，也存在诸多机遇，是奠定公司未来发展的破局之年，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。
　　作为碳化硅行业的领导者，秉承我们既定的发展战略，公司将以“先进品质持续”的经营理念，凭借领先的技术、产能及高效的生产优势，努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提升其在功率半导体市场的渗透率，开创可持续发展的经营基业。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、推动碳化硅材料商业化的全球领导者和创新者
　　我们是碳化硅行业的领导者，拥有覆盖全生产环节的强大技术能力。我们自成立以来，同时布局导电型及半绝缘型碳化硅衬底的研发和产业化。利用从产品开发过程中获得的专业技术知识，我们迅速向市场推出一系列不同类型、不同尺寸的碳化硅衬底。我们实现了8英寸碳化硅衬底量产，并成为全球首家推出12英寸碳化硅衬底的公司。
　　我们推进全球碳化硅材料产业发展，积极响应可再生能源与AI两大市场需求，不断推出新产品，推进碳化硅材料在下游终端产品的广泛应用。我们推出的大尺寸、高品质碳化硅衬底，正加速碳化硅材料在下游应用领域的渗透，如电动汽车、AI数据中心、光伏系统及电网等。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的公司之一，及全球首家发布12英寸碳化硅衬底的公司。2024年11月，我们率先交付通过液相法生产的高质量低阻P型碳化硅衬底。此外，我们与多个消费电子行业全球领导者共同合作，探索碳化硅材料在AI眼镜、手机射频前端的应用，这将帮助碳化硅材料进一步打开更大规模的下游应用市场。
　　得益于我们在碳化硅领域构建的技术优势及强大的行业影响力，我们不断扩大市场份额并获得更多的优质客户认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，与全球龙头客户共同推动行业发展。
　　2、前瞻的研发布局和研发能力，构筑技术壁垒，实现创新
　　通过前瞻性研发布局和持续性研发投入，我们形成了全球领先的碳化硅材料相关研发能力。我们观察到全球可再生能源行业的发展潜力，继续致力于开展导电型产品技术开发，进而成为全球主要功率半导体厂商的供应伙伴。碳化硅材料需求爆发的关键在于成本效益能够持续优化，因此我们在生产大尺寸碳化硅衬底相关的技术上大力投入，成为全球首家推出首个12英寸碳化硅衬底的公司。我们在碳化硅材料上所形成的技术优势，使得我们处于将碳化硅材料应用于更广泛场景的前沿，在数据中心、电网以及AI眼镜等新兴技术及应用领域上推进碳化硅材料的加速应用。我们形成了覆盖全生产环节的核心技术储备，并在行业中处于领先地位：(i)在粉料制备环节，我们自主开发了高真空度的粉料反应腔室，设计了特殊反应工艺，从而控制粉料中主要电活性杂质浓度和氮浓度；(ii)在长晶环节，我们通过自主设计长晶设备，对坩埚、保温进行设计，实现了均匀热场结构，提升了晶体质量和生产效率；我们形成了系统性的缺陷表征与控制技术，有效降低了包括微管、多型夹杂、位错等在内的缺陷密度；(iii)在衬底加工环节，以长期积累的海量衬底加工大数据为基础，我们开发了多块拼接多线切片技术，解决了拼接棒长与切片质量关系的行业难题，通过优化切片液的流变性和磨料形貌、粒径及分布的调控，大幅度降低了切片的表面损伤；我们还研发了一整套的磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。我们的技术能力使我们能够精确控制碳化硅衬底的性能，实现所生产碳化硅衬底的近零微管缺陷，提高生产效率并降低加工成本，同时确保衬底质量的一致性。
　　我们注重对研发成果的保护，将上述核心技术转化为知识产权，构建起技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，2024年度，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
　　我们获得了国内宽禁带半导体材料领域首个基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》三级证书，这体现了我们在研发管理和知识产权管理方面取得的成绩。
　　除了专利转化外，我们的核心技术已经具体化为专有技术体系。如我们基于自主开发的应力量化表征技术体系，实现了对碳化硅衬底应力的量化表征，进而实现对生产工艺的良好控制及持续改进。这允许对衬底质量进行深度控制，规避如晶圆翘曲、缺陷增值、器件失效及光学镜片光栅变形脱落等问题。
　　我们的研发成就主要得益于以下几个方面：(i)我们高效的销售—研发—生产协同机制，我们根据该机制将下游客户需求融入我们前瞻性的研发工作中，以确保研发成果及时且有效地传递至生产部门；(ii)我们充满活力且稳定的研发团队，我们已培养了一支专业的研发队伍，其中博士及硕士学历占比接近40%。
　　3、强大的量产能力，实现高质、高效、高稳定性的交付
　　我们经过多年行业深耕、工艺经验积累，已取得突破，实现产能快速提升。截至报告期末，我们已在山东及上海建立两个生产基地，合计设计年产能超过40万片碳化硅衬底。
　　我们的产能与我们丰富的生产管理经验互为补充，确保我们碳化硅衬底的质量。我们积极践行精益生产理念，制定了标准化生产流程，引入先进的自动化和智能化设备，减少人工干预，提高生产过程的稳定性和可靠性。我们持续对生产过程进行实时监控、有效分析并持续改进。我们强大的生产管理能力使得我们在规模化交付上进一步领先行业。
　　我们的生产能力优势表明我们顺应了下游市场的发展趋势，在大尺寸快速量产及生产一致性保障能力、有效长晶厚度提升能力、低缺陷生产能力、智能化生产能力等方面具备领先地位。
　　3.1大尺寸快速量产及生产一致性保障能力
　　我们在8英寸产品的量产能力上领先于竞争对手，这主要得益于我们拥有一支具备极强执行力以及前瞻性战略布局能力的生产管理团队。我们的生产管理团队已经形成了一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验。在前瞻性布局方面，我们提前对晶体生长设备进行差异化设计，使得其具备兼容8英寸和6英寸碳化硅衬底生产工艺的能力。随着近年来8英寸碳化硅衬底需求上升，我们的工厂可以快速从生产6英寸碳化硅衬底切换至8英寸碳化硅衬底。我们灵活的生产能力将使得我们在碳化硅衬底大尺寸化的趋势中占据有利地位。
　　我们不仅在生产质量方面表现卓越，而且在大尺寸碳化硅衬底产品的质量方面亦同样出色，并确保生产过程中的生产一致性。这保证批量交付的碳化硅衬底的质量，并为我们的全球客户提供稳定的交付保障。此外，基于客户反馈，我们能对8英寸碳化硅衬底产品的生产工艺持续进行迭代升级，进一步构筑高竞争壁垒。
　　3.2有效晶体生长厚度提升能力
　　碳化硅晶锭的有效厚度如果能够提升，一方面可以节约昂贵的碳化硅籽晶用量；另一方面单个晶锭切割出来的衬底增加，能够大幅降低碳化硅衬底的生产成本。然而，提升有效厚度在量产端面临诸多挑战，包括如何确保晶体生长时厚度增加和碳化硅粉料消耗对生长腔室内部热场不会造成改变。我们解决了上述生产难题，并通过高效的生产管理能力，保证了大量离散的长晶设备产出结果的一致性。我们的碳化硅衬底有效厚度已超过60毫米，处于行业领先水平，而行业平均水平约为20毫米。
　　3.3高良品及低缺陷
　　我们的碳化硅衬底已达到近零微管，表现为无堆垛层错、低基底面位错(BPD)密度、低螺位错(TSD)密度及低刃位错(TED)密度。我们已进一步制定并实施Z计划，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。
　　3.4高智能化生产能力
　　我们注重生产的智能化及自动化。一方面，智能化工厂一旦稳定运行，将大幅减少人为因素产生不利影响的风险，这对高品质衬底的制备至关重要。另一方面，高度自动化将帮助我们有效优化相关人力成本。以上海生产基地为例，其在设计之初即定位为智慧工厂。因此，我们为该生产基地配备了高性能、智能化的设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺。在我们的上海生产基地，我们运用信息系统实现了生产品质实时分析、监测和预警，在工艺控制、信息采集、运行环节都完成了信息化建设，对生产工艺持续优化升级。公司通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了炉具点火与装载、工艺选择以及操作控制与管理的自动化，从而在晶体生长设施中实现了无人化运营。
　　4、持续拓展且性能卓越的产品组合，助力下游应用拓展
　　我们致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。
　　为顺应下游应用的发展趋势，我们积极进行产品创新，这让我们能够抓住每个随时出现的市场机会。例如，我们在业内战略性率先布局电动汽车领域，于2022年较早的通过了车规级IATF16949体系认证，我们的碳化硅衬底已得到国际一线领先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，我们的碳化硅衬底产品已成功深度切入可再生能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。
　　我们致力于为客户提供高性能的碳化硅衬底。我们通过技术创新，合理设计晶体生长工艺，解决大尺寸热场下的成核均匀性及诱生的微管、多型夹杂等缺陷问题，实现具有良好面型、高平整度、低粗糙度的高质量车规级碳化硅衬底，获得了客户的高度认可。2023年，我们获国际头部汽车厂商授予的“优秀供应商奖”荣誉。
　　5、与客户、供应商构建紧密的合作生态，共同推动碳化硅行业发展
　　我们深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。以我们先进的技术能力为核心，我们精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，助力我们持续提升全球影响力。此外，我们致力于通过创新和广泛的行业合作打造强大的碳化硅行业生态系统，在可再生能源、AI两大重点领域拓宽碳化硅行业下游应用，助力碳化硅行业蓬勃发展。
　　在客户端，我们(i)实行品牌触点计划（P计划），确保在与我们的每一次互动中为客户留下对我们品牌的正面印象和记忆；(ii)形成了覆盖中国、欧洲及日本等地的全球销售服务网络，以便能够及时响应全球客户的各类业务需求；(iii)与客户建立了从其设计导入阶段即紧密相连的生态系统。得益于我们的技术优势、卓越的产品品质、强大的交付和客户服务能力，我们已与标杆客户维持稳固及长期的合作关系。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。报告期内，我们的客户保持高度忠诚，除了我们卓越的产品品质外，这也与我们和客户建立的合作生态密切相关。
　　碳化硅衬底作为半导体器件的关键，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂的验证程序，实现最终应用。由于验证周期长，半导体企业一般不会轻易变更通过认证的碳化硅衬底材料供应商。此外，我们的碳化硅衬底已经在可再生能源及AI领域公司的产品中得到使用，这使得我们能够及时听到该等终端客户的需求反馈，帮助我们优化碳化硅产品及服务以满足其要求，从而进一步提高客户忠诚度。国际知名客户的收入贡献稳步增长，且我们策略性地专注于满足下游产业对高品质产品的需求，使我们在显著扩大业务规模的同时，仍能保持财务韧性。我们积极推动碳化硅材料在下游市场的更广泛应用，以发掘新兴商机，体现在我们已投资了一家滤波器材料公司。
　　我们与知名供应商建立了深厚关系并签订长期战略采购协议，确保关键原材料的供应稳定。报告期内，我们自多元化的供应来源采购原材料，不仅确保了原材料的稳定供应，同时降低了原材料采购成本。我们与主要供应商订立的长期采购框架协议约定一定时间的采购价格及供应量，有效保留其部分产能，确保其能够为我们提供价格具有竞争力的原材料，助力我们实现量产。此外，我们与供应链合作伙伴合作，分享行业洞察、交流技术理念及进行协同开发，促进碳化硅行业关键原材料及上游设备的优化升级。
　　6、富有远见且经验丰富的管理团队及具有竞争思维的人才队伍
　　我们的创始及执行团队由业内富有远见且经验丰富的领导者组成，具备卓越的战略视野和丰富的行业管理经验。创始人兼董事长、总经理宗艳民先生在碳化硅行业拥有多年的研究和产业化经验。他对该行业的深刻理解以及在科技创新方面的远见卓识，为我们的战略发展方向提供了重要指引。公司首席技术官高超先生作为第一发明人已获30余项专利授权。高博士作为本公司创始团队成员，带领研发团队突破多项关键技术。我们的核心管理团队对于全球行业发展趋势和客户需求具有深刻洞察，能够带领我们在业务和财务方面取得显著突破。
　　受益于我们管理团队所带来的丰富经验，我们能够建立成功的产品开发及量产的经营表现。应对不断变化的营运环境和执行战略举措的能力对推动我们的增长至关重要。此外，我们秉持“人才第一、引育一流”的理念，通过建立健全的人才培养、激励和晋升机制，打造了一支专业背景多元、年轻富有创造力的研发团队。报告期末，我们的研发团队由来自材料科学、电子工程、物理、化学及机械工程等领域的多个学科的人员组成，博士及硕士学历人员占比接近40%。我们的研发团队富有创造力，有力支撑我们的技术创新和产品迭代。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。
　　（1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术
　　碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错及点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
　　我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于100cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；及(iv)通过C/Si成分调节技术，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。
　　（2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术
　　我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的自动上料、封炉及自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
　　碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。
　　（3）高纯碳化硅粉料制备技术
　　碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
　　（4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术
　　半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。
　　我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制。此外，我们开发出创新性的电学性能控制技术，实现导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性，并将其面内电阻率均匀性控制在2%以内。
　　（5）碳化硅衬底超精密加工技术
　　我们的超精密加工技术包括：
　　(i)高面型质量的碳化硅晶锭多线切片技术。碳化硅晶体的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，是一种硬脆材料。我们开发出一种针对大尺寸晶体的分段式多线切片工艺。根据特定晶体类型，我们设计了最优的进刀曲线，从进刀到出刀阶段优化了晶体面型，从而降低切片晶圆的表面损伤。我们亦配制了独特的碳化硅晶体切片液，显著提升了切割效率。
　　(ii)高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术。由于碳化硅晶体材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。我们通过多年研究，研发了碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑、平坦且高度抛光的碳化硅表面。
　　(iii)碳化硅衬底表面清洗技术。在化学机械抛光后，需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，有效去除衬底表面的微小颗粒及金属离子沾污，使客户能够开盒即用。
　　（6）液相法
　　有别于传统技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够更好地控制生长参数，使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压电子产品碳化硅晶体的生长。通过精细管理熔融物的温度及成分，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。液相法使我们能够生产无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共28项，其中发明专利21项，实用新型7项。
　　截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　主要系本期公司加大12英寸碳化硅衬底、P型衬底以及光学领域用衬底研发力度，研发投入较上年同期增加。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入7.94亿元；实现归属于母公司所有者的净利润1,088.02万元。
　　报告期内，公司总资产77.06亿元，较期初增加4.75%；归属于母公司的所有者权益53.30亿元，较期初增加0.32%。

　　五、风险因素
　　（一）经营风险
　　1、公司的业绩受到下游行业需求和原材料供应波动的影响。下游行业增长放缓或原材料成本的变化，可能会对公司的业务、财务状况和经营业绩产生不利影响。
　　2、公司的业务在很大程度上依赖于管理层和包括研发人员在内的高等人才的努力，若相关人员流失，将对公司的营运造成不利影响。
　　3、公司产品中未被检测出的缺陷、故障或可靠性问题可能会减少市场对公司产品的采用，损害公司的声誉或使公司面临产品责任和其他索赔。
　　4、公司生产基地的任何运营中断都可能限制公司的日常业务运营，并对公司的财务状况和经营结果产生重大不利影响。
　　5、公司面临依赖主要客户和供应商的集中风险。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影响。
　　6、我们未来可能会面临碳化硅衬底价格下降的风险。如我们无法通过增加销量、降低成本或产品组合升级消除价格下降的影响，将对公司的财务表现及经营业绩产生不利影响。
　　（二）财务风险
　　1、公司在过往年度实现了营业收入的快速增长，并于2024年度实现扭亏为盈，经营业绩呈现向好的趋势。但公司所处的宽禁带半导体产业属于前沿新兴领域，前期投入大，研发支出高，未来如公司持续进行产能扩张，投资幅度持续加大，公司业绩仍存在亏损的风险。
　　2、若公司未能维持足够的存货，或者存货管理不善，可能会失去销售机会或产生高额的存货相关费用，这可能对公司的财务状况及经营业绩产生负面影响。
　　3、原材料价格的上涨或供应短缺可能会扰乱公司的供应链，增加生产成本，导致公司延迟向客户交付产品，对公司业绩产生不利影响。
　　4、公司可能面临来自贸易应收款项的回收风险。未能及时或完全无法收回贸易应收款项可能会对公司的业务、财务状况、流动资金及前景造成重大不利影响。
　　5、公司已根据股权激励计划授予并可能继续授予若干奖励，这可能会导致股份支付薪酬开支增加，影响公司的财务状况及经营业绩，并可能摊薄现有股东的股权。
　　（三）行业风险
　　1、半导体材料行业竞争激烈。若公司未能成功竞争，公司的业务、经营业绩和未来前景将受到损害。
　　2、若公司无法跟上半导体行业的技术进步，可能无法保留现有客户，吸引新客户，或保持公司的市场地位。
　　（四）宏观环境风险
　　1、公司扩展至海外市场可能面临营运、财务及监管风险。
　　2、公司的业务、财务状况和经营业绩可能会受到国际政策、国际出口管制和经济制裁的重大不利影响。
　　3、全球经济状况的下滑或波动可能对公司的业务、财务状况、经营业绩及流动性产生重大不利影响。
　　4、全球政治、社会条件或公司运营所在国家和地区的政府政策变化，可能对公司的业务和运营产生重大不利影响。 收起▲