要点一:拟2500万-5000万元回购股份
       2024年3月份，公司拟通过上海证券交易所交易系统以集中竞价方式回购公司已发行的部分人民币普通股（A股），本次回购的股份将在未来适宜时机拟用于股权激励或员工持股计划，或用于转换上市公司发行的可转换为股票的公司债券。回购股份的资金总额：不少于人民币2,500.00万元（含），不超人民币5,000.00万元（含）。回购价格：不超人民币46.99元/股（含）。回购期限：自公司董事会审议通过本次回购方案之日起6个月内。

要点二:与客户A签订产能保障协议
       2023年8月份，公司与客户A签订了产能保障协议，合同标的为公司生产的模块产品，合同规定月供应量按各年度期初月实际产能供货，且不超20万块/月。合同签订初期，本合同约定产品实际产能已达到10万块/月，目前处于爬坡状态,尚未达到20万块/月。合同履行期限：2023年9月至2026年7月。本合同属于公司日常经营相关合同，本合同的签订充分体现了公司的技术实力，有利于公司主营业务的发展，若本合同顺利履行，预计将会对公司未来业绩产生积极影响，有利于提升公司的持续盈利能力和核心竞争力。

要点三:比亚迪，华为供应商
       2023年1月份，公司官网披露，宏微科技荣获比亚迪（002594）集团全资子公司弗迪动力有限公司“优秀供应商”称号。宏微科技主要为比亚迪海豹，海豚，元PLUS系列车型提供GV车规级IGBT，为比亚迪秦EV，比亚迪元EV系列车型提供GWB车规级IGBT。另，2021年10月份，公司在互动平台表示，经过较长时间的技术开发与多维度可靠性验证，公司相关产品质量技术指标达到客户要求，公司现已成为华为技术光伏逆变器的的供应商之一。

要点四:技术研发
       公司被授予“国家高技术产业化示范工程基地”，“江苏省博士后创新实践基地”，积极参与IGBT国家和行业标准的制定，承担国家和省部级科技重大项目等。公司作为主要起草单位之一，制定了已实施的1项国家标准和10项团体标准，及已发布即将实施的2项国家标准和尚未发布的5项IGBT相关行业标准。其次，公司承担了多项国家级及省部级研发项目，包含5项国家02重大专项（《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目），2项国家科技部863科技计划项目，及国家发改委，科技部，工信部等多项科研项目。截止至2020年12月31日，公司已拥有授权专利合计95项，其中发明专利35项。

要点五:多品种规模化
       公司致力于功率半导体芯片，单管，模块及电源模组研发，生产和销售，公司产品集中应用于工业控制（变频器，电焊机，UPS电源等），部分产品应用于新能源发电（光伏逆变器），新能源汽车（新能源大巴汽车空调，新能源汽车电控系统，新能源汽车充电桩）和家用电器等多元化领域。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET到IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列，多规格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器，电焊机，UPS电源，逆变电源，光伏，新能源大巴汽车空调，新能源汽车电控系统，新能源汽车充电桩等多元化领域。

要点六:碳化硅MOSFET芯片
       目前公司的碳化硅MOSFET芯片尚处于研发阶段，尚未达到批量生产阶段。公司战略规划包含：针对新能源，光伏领域用硅基器件，加大研发投入，深入开展标准品研发和定制化产品研制，积极布局第三代半导体，开展碳化硅器件研究及模块产品的封装。

要点七:客户情况
       在工业控制领域，公司目前已成为台达集团，汇川技术，合康新能等多家变频器行业领军企业，佳士科技，奥太集团，上海沪工等多家知名电焊机行业企业。在新能源领域，公司主要客户群有盛弘股份，科士达，英可瑞，华为技术等众多优秀企业。公司亦被多家知名客户企业如台达集团，汇川技术，奥太集团等知名企业客户评为“优秀供应商”或“重要供应商”。

要点八:功率半导体芯片
       公司自设立以来一直从事IGBT，FRED为主的功率半导体芯片，单管，模块和电源模组的设计，研发，生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT，FRED单管和模块的核心是IGBT芯片和FRED芯片，公司拥有自主研发设计市场主流IGBT和FRED芯片的能力。公司主营业务中芯片，单管完全采用自研芯片，模块产品分别采用自研芯片和外购芯片。IGBT，FRED作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化，电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前，公司产品已涵盖IGBT，FRED，MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT，FRED，MOSFET，整流二极管及晶闸管等模块产品400余种，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

要点九:第三代功率半导体器件领域
       随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率，高开关频率，高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已批量应用于新能源行业。

要点十:新产品研发进展
       公司主要取得的研发成果如下：（1）SiC二极管研发成功并实现小批量供货，（2）第六代IGBT芯片，实现了多个电流电压规格的拓展，助力了多款模块产品的迭代，（3）第七代IGBT芯片，实现了25A小批量交付，完成了150A，200A的拓展，（4）第七代FRED芯片，成功开发了一款75A规格，产品小批量应用于光伏领域，（5）成功开发了一款低温度变化率，低恢复损耗的100A1000VFWD芯片，产品小批量应用于光伏领域，（6）成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块，产品批量应用于电动汽车领域，（7）成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块，产品批量应用于电动汽车领域，（8）成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域，（9）成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块，通过工控领域客户单体测试认证。