首次覆盖长鑫科技并给予“买入”评级，给予75.4元，对应2027年PE14.5倍。公司是我国收入规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化IDM企业，已完成第一代至第四代工艺平台量产，产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X等主流代际，广泛应用于服务器、手机、PC及智能汽车等下游。据Omdia，按2025年四季度销售额其全球DRAM市场份额位列第四、中国第一。展望未来，AI拉动DRAM与HBM需求快速增长、原厂有效产能释放存在时滞，存储行业景气有望延续；叠加供应链自主可控诉求提升，公司作为国产DRAM龙头有望依托持续迭代的工艺平台与逐步释放的产能，加速导入国内核心客户、持续提升市场份额。
　　AI驱动存储周期高景气，HBM带来行业新成长机遇
　　AI大模型训练与推理对高速存储需求快速抬升,对高容量DDR5与HBM均提出更高需求。根据我们测算，在AI数据中心强劲拉动下，2026-2027年全球DRAM供需紧张趋势仍将持续。DRAM行业保持较高景气度，据TrendForce，全球DRAM市场规模有望从2025年的1536亿美元增长至2026年的6554亿美元，同比增长326.6%。此外，HBM将带来更具弹性市场空间，据IDC数据，全球HBM市场规模有望从2026年的574亿美元增长至2030年的1703亿美元，4年CAGR达31.2%，相关布局厂商或将充分受益。
　　本土DRAM芯片龙头技术最先进、布局最全，国产替代加速进行
　　DRAM行业技术与资金门槛较高、格局高度集中，三星、SK海力士、美光三大原厂长期寡头垄断，而中国是全球最大的DRAM需求市场。在AI算力需求高增与供应链安全、自主可控诉求提升双重背景下，国内客户导入本土DRAM供应商的动力有望持续增强，国产替代空间广阔。长鑫科技是我国收入规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM一体化IDM企业，已完成第一代至第四代工艺平台量产，DDR5、LPDDR5/5X等产品在主流规格上的覆盖度已对齐三大原厂，第五代工艺平台研发同步推进。依托持续迭代的工艺平台、逐步释放的产能以及广泛的头部客户积累，公司有望在国产替代趋势下持续提升市场份额，成长潜力可期。
　　我们与市场观点不同之处
　　市场担忧各大原厂陆续扩产将致本轮上行周期加速见顶，进而担心公司成长性。我们认为公司成长逻辑强于周期，主要有两点不同：其一，本轮上行核心驱动来自AI训练与推理，需求确定性与持续性强于以往消费电子驱动的周期，且存储原厂产能扩产存在时滞，据我们测算26/27年供需有望维持偏紧，叠加原厂多年期长协锁定量价，行业景气确定性显著增强；其二,公司当前份额仍处较低水平，而国内需求空间广阔，份额提升本身即构成独立于周期的成长来源，公司有望凭借份额扩张实现超越行业的成长。
　　盈利预测与估值
　　预计公司2026-2028年营业收入3578.8/7123.6/9767.1亿元，同比增长479.10%/99.05%/37.11%；对应归母净利润1734.2/3533.2/4573.3亿元，同比增长9150%/103.74%/29.43%。2027年可比公司（三星、SK海力士、美光）平均PE为4.8倍，行业历史PE均值为10.1倍。结合公司成长性、行业地位、技术追赶阶段及A股稀缺性，我们给予一定溢价，给予目标价75.4元，对应2027年PE14.5倍，首次覆盖给予买入评级。
　　风险提示：产品研发进展，市场竞争加剧，下游需求波动，供应链稳定性。

Earnings forecasts and valuation
We forecast revenue of RMB357.88/712.36/976.71bn for 2026/2027/2028, up 479.10/99.05/37.11% YoY, and attributable net profit of RMB173.42/353.32/457.33bn. For 2027E, comparable companies (Samsung, SK Hynix, Micron) trade at an average PE of 4.8x, vs a historical average of 10.1x. Given the company's growth profile, industry position, technology catch-up stage, and status as a rare name in the A-share market, we apply a premium and set a target price of RMB75.4, based on 14.5x 2027E PE. We initiate coverage at BUY.

　　核心观点
　　中国大陆DRAM全产业链IDM厂商。长鑫科技作为中国大陆具备DRAM规模化量产能力的IDM企业，完成产业奠基、工艺攻坚到产能放量的完整发展历程。公司在合肥、北京布局三座12英寸晶圆制造基地，2025年实现经营扭亏，正式走出行业周期底部。受益于产能利用率、良率持续提升，公司营收规模快速扩张，费用端规模效应逐步显现，研发持续加码先进工艺与高端产品，是中国大陆存储芯片自主可控的核心产业载体。
　　AI驱动存储超级周期，国产替代空间广阔。传统消费电子库存周期逐步弱化，AI算力拉动服务器DRAM需求爆发，全球存储行业开启新一轮成长属性更强的超级周期。海外原厂将先进产能向HBM倾斜，通用DRAM供给被动收缩，行业供需紧平衡格局有望延续。我国是全球主要DRAM消费市场，但本土自给率偏低，在下游服务器、手机、汽车电子产业链带动与供应链自主可控诉求下，国产DRAM拥有广阔的替代空间。
　　技术产品共同升级，规模优势加速兑现。公司坚持跳代式自主研发，第四代工艺平台实现稳定量产，第五代工艺持续迭代。产品端DDR、LPDDR矩阵不断完善，DDR5高端服务器产品快速导入，打开第二成长曲线。伴随产线爬坡，高产能利用率持续摊薄折旧等固定成本，IDM全链条协同的规模优势持续释放。后续随着募投产能落地、客户生态持续完善，公司市场份额与盈利水平具备进一步提升的空间。
　　凭借DRAM存储芯片领域全产业链布局与持续扩产计划，随着AI服务器存储需求爆发以及存储国产替代进程提速，公司有望在服务器DRAM、LPDDR产品产能规模与工艺迭代上进一步强化竞争力。基于其龙头地位及成长潜力，我们预计公司2026-2028年归母净利润分别为2515.4/4256.6/5616.8亿元，
　　风险提示：行业周期波动的风险，技术迭代与研发不及预期的风险，国际贸易与供应链的风险。

　　公司发布2026年半年度报告，实现营业收入1503.10亿，同比+873.6%，实现归母净利润776.05亿，同比扭亏799亿元，毛利率为84.7%。26Q2实现营收995.10亿，同比+977.4%，环比+95.9%，实现归母净利润528.43亿，同比扭亏536亿元，环比+113.4%，毛利率87.6%，收入利润增速超出预期。
　　投资要点：
　　经营质量较高，自由现金流充沛，上市后研发扩张，产能提升，已部分体现。1）26Q2基于经营现金净流入885.9亿元，购建固定资产无形资产等现金流出122.0亿元，自由现金流约763.9亿元，超过26Q2归母净利润528.4亿元，体现较高经营质量。2）分析“间接法现金流量表”，存货与应收款在膨胀，经营性应付高增（26Q1、26Q2为51.0、113.2亿元），体现对上游账期的话语权。3）25Q4-26Q1-26Q2存货为285.7/318.9/351.3亿元，每个季度约提升30亿元。根据存货披露明细：原材料平稳，增长明显的是“在产品”与“产成品”。尽管其占用运营资金，但对于长鑫潜在广阔客户，应主要体现产能提升，不构成经营风险。
　　收入结构向“AI算力驱动”转型，LPDDR6量产在即。DDR系列收入占比从2025年的31.87%提升至2026年H1的46.22%，已接近半壁江山，公司收入正从“移动消费驱动”向“AI算力驱动”转变。DDR5持续放量，服务器级DDR5单GB价值量高于消费级LPDDR，毛利率从Q1的79.2%提升至Q2的87.6%即为佐证。与阿里、字节跳动、腾讯等头部客户开展深度合作，有望受益于行业LTA趋势带来的需求可见度提升。收入质量更优，估值体系有望从周期股向成长股切换。半年报首次正式披露LPDDR6产品，峰值速率达12800Mbps，较LPDDR5X提升约20%，达到同期国际先进水平，目前已向关键客户送样验证。预计下半年将率先量产，高价值量的LPDDR6将与DDR5构成“双轮驱动”的新增长极。
　　DRAM供给紧缺格局延续，3DDRAM开辟新赛道。据快科技报道，长鑫存储已将战略重心转向定制化3DDRAM技术研发，已在合肥搭建键合DRAM研发线，依托DUV设备搭配多重曝光工艺攻坚10纳米级高性能DRAM量产。此外，高通与兆易创新合作开发的一款独立NPU将搭配4GB定制3DDRAM，由长鑫存储制造，采用TSV和混合键合堆叠技术，预计2026年底或2027年初出货。与传统巨头大规模标准化量产不同，3DDRAM强调“小批量、定制化”，与具体应用场景深度绑定，长鑫有望借此在细分赛道中建立差异化优势。
　　维持“买入”评级。维持盈利预测，预计26-28年归母净利润为1590.53/2923.05/3870.57亿元，对应26-28年PE分别为25/13/10X，维持“买入”评级。
　　风险提示：存储周期下行风险，市占率提升不及预期风险，技术差距风险，股权分散风险。

　　事件概述
　　2026年8月28日，长鑫科技集团股份有限公司（688825.SH）披露上市后首份半年度报告。2026年上半年，公司实现营业收入1,503.10亿元，同比增长873.64%；实现归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，上年同期为-23.32亿元，实现历史性扭亏为盈；扣非归母净利润787.93亿元，上年同期为-23.87亿元。主营业务毛利率达84.84%，经营活动现金流量净额为1,311.56亿元，同比增长2,985.64%。
　　报告期内，公司DRAM产品量价齐升，产品矩阵持续完善，DDR5已广泛应用于服务器及个人电脑市场，LPDDR5/5X已进入小米、传音等品牌供应链，LPDDR6已向关键客户送样验证。截至报告期末，公司共拥有4,484项境内专利及3,400项境外专利，研发人员占比33.42%。
　　分析判断:
　　营收与利润大幅增长
　　2026年上半年，公司实现营业收入1,503.10亿元，同比增长873.64%；营业成本为229.34亿元，同比增长70.76%。实现利润总额1,171.45亿元，上年同期为-40.87亿元；实现归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，上年同期为-23.32亿元；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润787.93亿元，上年同期为-23.87亿元。公司主营业务毛利率为84.84%，加权平均净资产收益率为81.06%，基本每股收益为1.2893元/股。经营活动产生的现金流量净额为1,311.56亿元，同比增长2,985.64%。公司于2026年7月27日在上交所科创板上市，股票代码688825，发行价格8.66元/股。报告期末，公司总资产为4,680.78亿元，归属于上市公司股东的净资产为1,347.22亿元。
　　DRAM量价齐升，产品布局持续完善
　　营业收入大幅增长主要得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要DRAM产品销售毛利大幅增长。公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，报告期内公司主营业务收入按产品类型划分，DDR系列收入694.72亿元，LPDDR系列收入781.91亿元。公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，按出货量和销售额统计，2025年全球DRAM市场前三大厂商合计占90%以上市场份额，公司正逐步进入主要厂商阵营。公司DDR5产品具备16Gb、24Gb、32Gb的容量，速率可达8000Mbps，广泛应用于服务器、个人电脑等领域；LPDDR5/5X具备6GB至16GB多种容量规格，速率可达10667Mbps，已进入小米、传音等品牌供应链，车规级LPDDR5X也已量产并推向市场；LPDDR6最高速率12800Mbps，芯片容量16GB，已向关键客户送样验证，正加速推进量产。此外，公司第五代工艺技术平台正在进行客户认证。
　　盈利能力大幅改善，资本开支仍需关注
　　利润总额和归母净利润实现扭亏为盈，主要得益于全球DRAM产品价格上涨及销售数量大幅增加，带动公司主要DRAM产品销售毛利大幅增长。公司持续加大研发投入，研发投入总额为68.59亿元，同比增长87.38%，其中费用化研发投入55.37亿元，资本化研发投入13.22亿元。研发人员数量为7,491人，占公司总人数比例33.42%，研发人员薪酬合计31.18亿元，同比增长115.49%。公司共拥有4,484项境内专利以及3,400项境外专利。截至报告期末，公司固定资产账面价值为1,815.63亿元，占总资产比例为38.79%，固定资产折旧年限为房屋及建筑物10-35年、机器设备5-8年、办公及其他设备3-5年；报告期内计提固定资产折旧额145.10亿元，同比增加27.85%。公司在建工程余额367.78亿元，主要为合肥一期生产线、合肥二期生产线和北京生产线。
　　投资建议
　　全球DRAM供给紧张格局延续，高端存储需求持续吸收有限产能。该公司是中国第一、全球第四大DRAM厂商，已形成DDR及LPDDR全系列产品矩阵，DDR5已广泛应用于服务器及个人电脑，LPDDR5/5X进入小米、传音等品牌供应链，LPDDR6已向关键客户送样验证，核心产品及工艺技术已达国际先进水平。我们预计新建产线的扩产节奏加快，结合中报业绩，我们上调此前盈利预测，预计2026-2028年公司实现营收3,262.05/4,481.24/7,585.82亿元（原预测为2776.90/3917.94/5726.94亿元），同比增长427.8%/37.4%/69.3%；实现归母净利润1,544.11/2,180.47/4,071.42亿元（1244.05/1821.17/2906.02亿元），同比增长8,135.9%/41.2%/86.7%，EPS为2.27/3.21/6.00元（原预测为2.27/3.28/4.82元），2026年8月31日收盘价58.01元对应PE为26/18/10倍。公司产能处于快速爬坡阶段，有望持续受益于DRAM景气上行及国产替代趋势，给予“买入”评级。
　　风险提示
　　DRAM价格波动风险、折旧及资本开支压力、技术迭代不及预期。

　　国产DRAM一体化龙头，产能、工艺与研发实力持续迭代，业绩实现扭亏高增。长鑫科技是国内唯一、全球第四的DRAM全链路IDM厂商，依托合肥、北京三座12英寸晶圆厂实现产能持续爬坡，公司采取跳代研发路线，多代工艺平台顺利量产，DDR5、LPDDR5X已批量供货，HBM3完成头部云厂商验证，前瞻布局高端AI存储产品。公司研发团队规模庞大、专利储备充足，股权由国资、员工平台多元制衡，无控股股东，兼顾产业扶持与市场化管理；财务端2022至2026H1完成由深度亏损到大幅盈利的转变，营收、毛利率同步高速改善，295亿元募投项目将持续推动产线技改与前沿技术研发，中长期产能与技术成长空间充足。
　　AI算力重塑DRAM供需格局，行业持续高景气，为长鑫带来广阔成长红利。AI算力建设带来服务器DRAM长期增量，全球DRAM需求高增，大幅对冲手机、PC消费端需求疲软，行业周期逻辑发生根本性变化。同时，存储厂商随下游需求动态调控产能，但晶圆厂建设及产能爬坡周期长达数年，未来几年DRAM行业或将延续供不应求态势。全球DRAM市场规模持续高速扩张，国内需求占比超四分之一但本土供给不足，叠加地缘摩擦下供应链自主可控需求提升，国产替代、新技术迭代两大逻辑共同打开行业长期成长天花板。
　　长鑫聚焦高毛利DRAM赛道，工艺技术、IDM模式、产品、客户、供应链优势构筑核心成长壁垒。公司完整覆盖DRAM设计、制造、封测、模组全链条，DDR、LPDDR产品性能对标海外三巨头，广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游；相较三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务，公司聚焦高毛利DRAM赛道，盈利弹性更显著。随着国内云厂商、消费电子品牌持续导入国产存储，客户规模稳步扩张，同时公司积极推进供应链的多元化、本土化，增强供应链的安全保障能力，降低国际贸易摩擦带来的供应链风险，叠加多厂区产能有序释放、高端产品占比持续提升，中长期业绩增长具备坚实支撑。
　　盈利预测与投资建议：综合来看，长鑫科技深度受益AI算力长期增量、DRAM行业超级上行周期、国内存储国产替代三大核心红利，公司产能持续释放、募投项目助力工艺与高端产品迭代，DDR、LPDDR双产品线量价共振驱动营收与毛利率同步上行，叠加HBM前瞻布局打开远期成长天花板。我们预计公司2026/2027/2028年营业收入分别为2,948.74/4,533.45/6,132.44亿元，归母净利润分别为1473.66/2471.89/3320.86亿元，预测期内成长动能充足，业绩具备向上弹性，首次覆盖，给予公司“增持”评级。
　　风险提示：主营业务收入不及预期风险；公司存在累计未弥补亏损的风险；产品及技术研发不达预期的风险；人才短缺或流失的风险；客户集中度较高的风险；国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险；无控股股东和实际控制人的风险；毛利率不及预期的风险；管理费用率上升的风险等。