一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD、SiC、GaN为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD、SiC、GaN为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
　　(二)主要经营模式
　　1、研发模式
　　公司建立了以客户需求为导向的研发体系，并制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并加以设计优化。
　　2、采购模式
　　（1）采购流程
　　公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶、外壳和端子等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
　　（2）供应商管理
　　公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
　　3、生产模式
　　公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
　　（1）自产模式
　　公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
　　（2）委托加工模式
　　公司采取Fabless模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
　　4、营销模式
　　公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）发展阶段
　　根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017），公司所处行业为半导体分立器件制造。
　　功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与场景需求共同推动行业高速发展。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料逐步替代传统硅基器件，通过工艺创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行业向高频化、低损耗方向升级。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高效电源技术突破。
　　2025年，全球半导体市场持续扩张，美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2025年11月全球半导体销售额达753亿美元，环比增长3.5%，同比增长29.8%；世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计2025年全球半导体营收将同比增长22.5%至7,720亿美元，2026年进一步增长26.3%至9,750亿美元。中国作为核心增长引擎，2025年11月中国大陆销售额环比增长3.9%，同比增长22.9%，预计全年销售额突破1,800亿美元，占全球市场份额约27.8%，凸显市场潜力与国产替代空间。
　　在此背景下，国产化进程持续深化，通过技术突破与产业链协同，在功率半导体领域加速实现自主可控，为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应用持续演进，市场空间广阔。
　　（2）基本特点
　　半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发、还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正迎接新能源汽车、新能源发电、5G通讯、数据中心和人形机器人等下游新兴产业带来的市场机遇，在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、工艺升级、产能扩张和市场推广。
　　（3）主要技术门槛
　　自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导，其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如3300V以上）仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。
　　以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借耐高压、耐高温特性，在新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wolfspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300VSiCMOSFET量产，国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英飞凌等企业通过300mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同发展的多元化格局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）凭借技术积累占据主导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，深耕行业二十余年，通过技术创新与产业链协同，已形成覆盖芯片设计、封装测试、模块集成到应用方案的垂直一体化全链条能力，形成全电压等级、硅基IGBT/MOSFET/FRD、SiC、GaN器件及功率模块的完整产品线，在中高端市场实现突破，并在国家重点任务及产业化落地环节加强与上下游伙伴的联动，同时深度参与国家及行业功率半导体标准制定，牵头参与多项功率半导体器件核心标准编制，推动国产技术规范与国际接轨，共同推动功率半导体产品的国产化与前沿应用拓展。
　　公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售，通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博士后科研工作站”，荣获“江苏省小巨人企业”称号及“江苏省智能车间”称号；2025年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”称号、“江苏省先进级智能工厂”称号、“国家级绿色工厂”称号、高可靠性活性金属钎焊覆铜陶瓷载板“江苏省科技进步三等奖”、荣获第十六届亚洲电源技术发展论坛“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”；宏微爱赛650V增强型GaNHEMT产品荣获行家极光奖2025年度优秀产品奖。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务，与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不断向行业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了公司在行业内的领先地位。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　在“双碳”目标指引下，新能源、新能源汽车、储能、高端电源等战略新兴产业加速发展，功率半导体作为能源转换核心器件，迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。以IGBT为代表的硅基器件仍是当前主流，其高效节能特性显著提升电力电子装置能效，在光伏逆变器、新能源汽车电控系统中发挥关键作用。随着微细槽栅结构设计优化及工艺创新，IGBT芯片实现12寸量产突破，反向恢复二极管（FRD）通过软度协调技术提升极端工况可靠性，推动行业向更高功率密度与更低损耗演进。
　　以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料正重塑产业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性，在新能源汽车800V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透，国内企业通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，300mm晶圆工艺优化推动成本趋近硅基器件。功率半导体行业已形成硅基、SiC、GaN材料协同发展的多元化生态。硅基器件通过沟槽栅、超薄晶圆等技术持续优化性能，主导中低压市场；SiC聚焦高压场景，突破栅氧可靠性与动态退化难题；GaN则深耕高频领域，解决高温稳定性与大尺寸外延工艺瓶颈。未来，随着“双碳”战略深化及智能化浪潮推进，功率半导体在储能、智能电网、人形机器人等新兴场景的渗透率将持续提升，为全球能源转型与工业升级注入核心动能。
　　报告期内，公司立足功率半导体核心主业，以“技术协同、产业联动、成果转化”为核心，通过签署战略合作协议、搭建联合攻关平台等新模式，深度链接产业链上下游优质资源，聚焦前沿领域与关键技术突破，推动新技术与新产业深度融合，培育新业态，拓展发展新空间。
　　（1）布局可控核聚变前沿领域，抢占未来能源技术制高点。公司与瀚海聚能签署战略合作协议，双方聚焦可控核聚变前沿领域，联合攻关聚变装置（重点围绕FRC技术路径）所需高性能、高可靠性功率半导体开关核心技术。依托公司成熟完备的IGBT产业化积淀，融合瀚海聚能在FRC装置研发领域的创新经验，合力突破聚变电源系统关键技术瓶颈。本次合作是公司紧扣国家核聚变未来能源战略的前瞻性布局，为搭建自主可控的聚变产业链筑牢核心器件支撑，助力加快实现“人造太阳”能源愿景。
　　（2）深化SiC技术协同，推动第三代半导体国产化落地。公司与北京怀柔实验室达成碳化硅技术及成果转化战略合作，聚焦SiC芯片、器件及模块在国家能源关键领域的落地应用，全力推进第三代功率半导体国产化、自主化进程。双方计划依托产业转化合资平台，攻坚高压大电流SiC芯片设计、制造工艺、高可靠性封装等核心关键技术，加速产品在新能源基地、柔性输配电等国家级重大工程中的示范应用，推动前沿技术创新与规模化量产深度融合，全面提升国产高端功率器件的市场核心竞争力。
　　（3）聚焦人形机器人等新兴赛道，拓展产业应用新场景。公司携手国内传动领域控制设备与系统集成龙头企业签订战略合作协议，聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系统及人形机器人核心零部件（执行器、电动缸、控制器）配套功率半导体器件研发，重点围绕GaN产品开展联合研发与技术共创。此次合作具备重要战略导向意义，将助力公司GaN系列产品快速切入工控、液压、伺服、机器人等优质赛道，深度拓宽新兴市场版图，精准契合企业长期战略发展规划。
　　（4）深化制造端协同合作，强化功率半导体主业根基。公司与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备忘录》，双方聚焦IGBT、FRD等核心产品领域深化协作，通过联合组建研发项目组，集中力量推进技术创新与平台优化，这一深度合作将直接推动公司IGBT、SiCMOSFET等产品性能对标国际先进水平，为国产功率半导体器件突破国际技术壁垒提供核心动能。该战略举措显著强化了公司以设计与模块封装为核心的“虚拟IDM”模式竞争力，既规避了IDM模式（垂直整合制造模式）的资本重负，又通过绑定顶尖代工厂的专项工艺支持获得类似垂直整合的协同效应。这一制造端战略支点的确立，不仅夯实了公司作为国内功率半导体设计及模块解决方案龙头的主导地位，更通过技术、产能、成本的多维跃升，为其跻身国际一线功率半导体供应商梯队提供了可落地的跳板，标志着中国功率半导体产业从单点突破迈向全链条高端化的关键跨越。
　　二、经营情况讨论与分析
　　（一）行业景气度回升，业绩实现扭亏为盈
　　2025年度，公司所处的功率半导体行业景气度回升。全球智算投资持续加码，新能源发电、工业控制、AI服务器电源等领域对新型电力电子装置的需求加速迭代。
　　在此背景下，2025年度，公司实现营业收入134,770.66万元，同比增长1.23%；归属于上市公司股东净利润1,711.49万元，同比增长218.30%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润874.14万元，同比增长125.72%。公司把握市场机遇，持续丰富IGBT、MOSFET、FRD及SiC、GaN产品组合，扩大业务外延，丰富客户结构，根据客户需求提供标准化及定制化的功率器件解决方案，带动了整体盈利能力提升。
　　2026年度，公司将围绕“提升产品竞争力，打造柔性供应链，巩固质量品牌力，抢占市场制高点”的工作方针，全面贯彻公司“一体两翼”战略，在巩固现有硅基器件主航道优势的同时，加速渗透SiC和GaN为代表的第三代半导体高性能功率模块在多场景中的规模化应用，重点布局AIDC、人形机器人、低空经济、核聚变、智能电网等成长性领域，持续深化技术研发与客户合作，提升产品的核心竞争力，力争在新兴赛道构建先发优势，为公司的可持续发展蓄力护航。
　　（二）研发技术不断突破，主要产品持续放量
　　报告期内，公司聚焦功率半导体核心技术迭代，围绕光伏储能、新能源汽车、工业控制、AI算力、人形机器人等战略场景，推进IGBT/FRD、SiC、GaN芯片与模块全谱系研发，关键产品完成开发、认证、量产与客户导入，技术指标对标国际先进水平，全产业链自主可控能力持续强化，为业绩增长与市场拓展提供核心支撑。
　　1、芯片产品研发进展
　　（1）风光储应用的IGBT&FRD芯片：公司的1000V/1200VM7iU系列IGBT和M7dFRD芯片已完成开发和认证，并实现量产，以上产品已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，满足风光储领域对器件高可靠性的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量出货。1200VM7d+FRD新平台完成发布，损耗较M7d平台再优化15%左右，特性可对标行业标杆最新技术代际水平。
　　（2）车规级IGBT芯片：公司的车用750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，最高结温可达185℃，已通过头部新能源车企完整认证并实现量产，后续将根据不同车型平台的技术需求进行系列化产品开发。
　　（3）工控应用的IGBT芯片：公司成功开发集成1200V300AM7i大电流芯片，部分GWB模块已通过工程机械电动化客户验证。该产品有望成为公司未来在工业控制及重型装备领域的重要业绩增长点。
　　（4）SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证，第三代SiCMOSFET平台已通过特性及可靠性验证，并已实现小批量出货，SiC芯片技术矩阵日趋完善。
　　（5）SiCSBD芯片：公司自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品实现批量出货。
　　（6）GaN芯片：公司自主研发的GaN650V75mohm芯片研制成功，已通过内部可靠性验证流程，正进入客户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送样验证。GaN100V平台研发已启动，预计2026年第二季度提供100V7mohm样品。GaN功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展AI服务器电源和人形机器人等高增长市场奠定基础，进一步强化了公司在第三代半导体技术路线的战略竞争力。
　　未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大研发投入，加速SiC、GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI服务器电源、智能电网等成长性应用场景，并挖掘先进能源与新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形成从技术积累到成果转化的持续推进。
　　2、模块产品研发进展
　　（1）服务器电源SiC模块：公司自主研发的NCBSiC模块成功通过海外主流AI服务器厂商整机认证，并实现小批量供货。不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已实现批量供货。
　　（2）风光储模块：公司的光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付。
　　（3）M7i芯片平台系列化模块：基于自主研制的M7i芯片平台完成系列化功率模块产品的开发，该系列模块已通过多家行业头部客户的性能测试和认证，技术指标满足风光储等高端应用场景需求，后续将按照计划启动规模化量产进程。1200V800AGWB模块进入工程机械电动化新赛道。
　　（4）车规级灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了280-820A/750V灌封模块，均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
　　（5）车规级塑封模块：公司的400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，报告期内累计出货170余万只，该塑封模块平台产品对公司2025年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力。
　　（6）EDT3芯片平台车规模块：基于自主研制的EDT3芯片平台，公司成功开发出符合车规级应用的高功率密度、高可靠性功率模块产品，该系列产品已完成AQG324等车规标准可靠性认证及性能验证流程，并顺利通过多家头部车企客户的测试和认证审核，部分产品实现批量交付。这标志着公司从芯片设计到模块封装的全产业链自主可控能力得到头部客户的认可，也为公司进一步拓展新能源汽车主驱市场奠定了坚实基础。
　　（7）车规级1200VSiC自研模块完成开发，均通过AQG324等车规级认证，并已实现批量供货。
　　（8）1700V系列化产品：多款产品（75-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，正在批量供应市场。
　　（三）研发投入持续加码，核心竞争力稳步增强
　　2025年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。截至报告期末，公司研发人员数量为220人，同比增长13.99%，其中硕士、博士合计46人，占研发人员总数的比例为20.91%。2025年，公司研发投入11,535.77万元，占营业收入的比例为8.56%，研发投入同比增长5.10%。截至报告期末，公司共有专利148项，其中发明专利52项，实用新型专利84项，外观设计专利12项。
　　（四）品质创优筑根基，卓越追求无止境
　　2025年，是质量提升之年，公司围绕“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优化客户质量服务”的主题，在研发质量、供应商质量、客户质量服务等方面开展了一系列的改善活动，强化质量管理系统建设；扩大统计过程控制的涵盖项目，对成品测试进行统计良率管控，严控制造过程波动；提高可靠性监控频次和覆盖面，确保出货产品的高可靠性；加强供应商管理，制定物料质量要求，推行“三化一稳定，严进严出”理念，对重点物料安排驻厂督造，从源头保障供应链质量。2025年，公司IGBT模块整体良率提升1%，市场端失效率降低28.20%。公司的整体质量表现获得国内外头部客户的一致认可。
　　（五）深化战略客户合作，拓宽高端市场布局
　　公司长期致力于IGBT、FRD、SiC、GaN为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2025年，公司依托核心技术优势，在工业控制、新能源汽车、新能源发电等重点应用领域持续突破与积累，优质客户资源不断夯实。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块；在新能源汽车领域，公司与国内头部车企客户实现项目定点，进一步扩大SiC产品在车载领域的配套份额，有力巩固并提升了公司在第三代半导体赛道的市场竞争力与行业地位。公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极开拓新客户及新市场，客户矩阵趋于丰富。
　　（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
　　2025年度，公司董事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求，不断完善公司法人的治理结构，加强内部制度建设与内控体系完善，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息披露义务，持续加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。
　　（七）积极践行ESG发展理念，谱写可持续发展新篇章
　　2025年，公司首次编制发布《2024年环境、社会和公司治理（ESG）报告》，系统呈现可持续发展实践成果与责任担当。凭借在环境管理、社会责任、公司治理领域的扎实积累，公司斩获WindESG“A”类、秩鼎ESG“AA”类、中诚信“A-”类等权威评级，可持续发展能力获资本市场与专业领域双重认可。公司始终将ESG理念融入战略规划、经营管理与企业文化，构建利益相关方共赢的可持续发展生态。通过与客户、员工、供应商、社区等协同协作，在绿色生产、责任践行、治理优化等维度持续发力，形成商业价值与社会价值共生的可持续商业模式。
　　未来，公司将坚守“绿色、低碳、可持续”发展承诺，立足产业优势夯实ESG管理基础，深化业务与可持续发展理念的融合创新，发挥行业引领作用，赋能产业链协同发展，持续书写企业与社会、环境和谐共生的新篇章。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术优势
　　经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面突破多项核心技术，在芯片领域，主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域，主要包括超声端子键合、PIN针超声键合、银烧结、铜烧结、DTS（DieTopSystem）等一系列先进的封装技术。未来，公司将持续高筑核心技术壁垒，夯实行业竞争力。
　　2、人才优势
　　人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参与国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、“十四五”等重大科技专项中IGBT芯片及模块技术攻关项目。为保证研发实力的持续提升，公司将稳步扩大研发团队规模，强化人才梯队建设。2024年，公司博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作站，该平台将为公司引进高层次技术人才、深化产学研深度融合提供战略支撑，加速科技成果向新质生产力转化，助推半导体产业高质量发展。
　　3、产品多品种规模化供应优势
　　功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司已构建业内领先的全系列产品矩阵，通过柔性化产线布局和智能化生产体系，实现从单管到模块的规模化精准供应，为客户提供“多、快、好、省”的一站式解决方案。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET、IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能源汽车充电系统等多元化领域，并积极向AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等场景探索。依托公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。
　　4、客户资源优势
　　公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量及优质的服务，与工业控制、新能源发电、新能源汽车、家电等领域的龙头企业建立了长期稳定的战略合作关系，并被多家知名客户如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。通过深度参与客户需求场景分析，形成“定制化产品+联合开发”的协同创新模式，持续巩固公司在功率半导体价值链中的核心地位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权52项，实用新型专利授权84项，外观设计专利授权12项，软件著作权3项。
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　技术升级及产品迭代风险
　　功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有技术存在被赶超和迭代的可能：如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。
　　(四)经营风险
　　重要供应商依赖的风险
　　公司的自研芯片是采用Fabless模式委托芯片代工企业进行生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量交付，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　报告期内，公司主营业务毛利率为16.83%。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、下游市场需求波动、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，可能导致公司综合毛利率下降。
　　2、固定资产折旧的风险
　　随着公司改扩建项目的投产使用，在建工程将陆续转为固定资产，将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
　　3、资产减值的风险
　　报告期内，公司按照企业会计准则及公司会计政策等相关规定，结合公司实际经营情况，对各类资产进行减值测试，计提资产减值准备。未来，若公司所处的经济、技术或者法律等环境以及各项资产、投资所处的市场未来发生重大变化，公司相关资产仍将面临进一步减值的风险，将会对公司的财务状况及经营成果带来不利影响。
　　(六)行业风险
　　市场竞争风险
　　经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源发电、新能源汽车等利润率较高的应用领域。国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件和功率模块市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入，从而导致市场竞争加剧。如果产品开发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，或者现有市场应用发生根本性变化，公司的市场份额可能存在下降风险。
　　(七)宏观环境风险
　　公司属于功率半导体行业，具有较强的周期性特征，与宏观经济整体发展密切相关。公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述下游市场需求的波动和低迷亦会导致功率半导体产品的需求下降，从而对公司的销售和利润带来负面影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　2025年公司实现营业收入134,770.66万元，同比增加1.23%；实现归属于母公司所有者的净利润1,711.49万元，同比增长218.30%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润874.14万元，同比增长125.72%。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　功率半导体器件作为电力电子行业的核心基础元器件，是实现电能转换、控制与高效利用的关键载体，其技术水平与产业发展直接关联下游各行业的升级转型与能效提升。当前，功率半导体应用场景已从消费电子、工业控制等传统领域，向新能源发电、新能源汽车、充电桩、数据中心、人形机器人等新兴领域深度延伸，应用生态持续拓宽，行业发展韧性与增长潜力显著增强。
　　1.全球行业整体格局与增长趋势
　　受益于全球可再生能源装机进程加速、数据中心算力需求激增等产业趋势的持续驱动，全球功率半导体市场规模呈现稳步扩容态势。据Yole预测，2025年全球功率半导体市场规模预计将达到289亿美元，其中IGBT模块作为核心细分品类,市场规模约为85亿美元。与此同时，全球人工智能技术爆发式发展，人形机器人、AI数据中心（AIDC）等新兴赛道快速崛起，持续拉动第三代半导体器件（SiC、GaN）的市场需求，为行业发展注入新的增长动力。
　　2.新能源汽车及充电桩领域：规模扩容与技术迭代双轮驱动
　　2025年，中国新能源汽车产业实现跨越式发展，产销量均突破1,600万辆，国内新车市场销量占比成功突破50%，行业渗透率持续提升。其中，纯电车型销量达1,062万辆，同比增长37.6%；混合动力车型销量达586万辆，同比增长14%，两类车型协同发力推动行业整体稳步增长。在产品力与海外市场认可度双提升的背景下，2025年我国新能源汽车出口量达261万辆，同比增长100%，海外市场拓展成效显著。展望2026年，国家新能源汽车补贴政策延续实施，预计将进一步释放行业消费潜力，持续推动国产新能源汽车产销量稳步增长。
　　充电桩作为新能源汽车核心补能配套设施，市场规模与新能源汽车行业发展深度绑定，呈现同步上升态势。根据中国充电联盟相关数据，2025年我国充电基础设施增量达727万台，车桩增量比优化至1:1.9，充电基础设施的建设规模与速度基本匹配新能源汽车行业的快速发展需求，补能保障能力持续增强，为新能源汽车产业持续增长筑牢配套基础。
　　新能源汽车与充电设施市场的持续向好，直接带动功率半导体市场需求稳步增长。随着搭载SiC器件的800V高压平台车型价格持续下探，新能源汽车行业对SiC器件的认可度及需求同步提升，2025年搭载SiC器件的车型在新能源汽车市场中的占比有望达到30%。目前，新能源汽车仍是SiC器件市场中最大的应用领域，伴随行业技术迭代与需求释放，将持续为功率半导体行业带来广阔的增长空间。
　　3.新能源发电领域：可再生能源主导地位凸显，储能行业爆发式增长
　　2025年，国内光伏装机量延续增长态势，根据国家能源局相关数据，2025年中国光伏装机增量达315GW，创下历史新高。尽管受相关政策调整影响，下半年光伏装机量出现阶段性回落，但自2025年9月起，光伏装机量逐步回暖，行业复苏迹象明显。截至报告期末，风光发电总装机容量在全国电力系统中的占比已达47%，成功超越传统火力发电装机容量，可再生能源在电力系统中的核心地位进一步凸显，能源结构转型进程持续加快。
　　根据CNESADataLink数据，截至2025年12月底，中国电力储能累计装机规模达213.3GW，同比增长54%。作为“十四五”规划收官之年，2025年储能行业发展成效显著，与“十三五”规划末期相比，锂电池储能占比由8.2%大幅提升至65.8%，储能技术路线迭代升级趋势显著。
　　截至2025年12月底，中国新型储能累计装机规模达144.7GW，同比增长85%；2025年新型储能新增装机规模为“十三五”时期末期的45倍，行业实现爆发式增长。从应用场景来看，新型储能应用场景已从以户侧为主，逐步转向以独立储能为主，新能源配储占比保持稳定，应用结构持续优化。
　　随着全球范围内对可再生清洁能源的需求持续攀升，光伏、风电、储能等可再生能源领域的装机规模有望进一步扩大，为功率半导体器件在电能转换、储能变流等核心环节带来持续且广阔的市场需求，成为行业稳定增长的重要支撑。
　　4.工业控制领域：经济复苏带动需求回暖，核心器件价值凸显
　　功率半导体器件是工业领域电能转换与控制的核心部件，在变频器、伺服系统等工业控制领域发挥关键作用，其性能直接关乎工业系统的运行效率、稳定性与可靠性。根据北京格物致胜咨询有限公司统计，2025年，随着宏观经济稳步复苏、制造业产能修复与产业升级需求叠加，国内低压变频器市场规模相较于2024年同比增长预计将达到3%，市场规模将突破290亿元。
　　受益于变频器、伺服系统等下游应用市场的回暖，应用于上述领域的功率半导体器件市场有望保持稳定增长。
　　5.新兴领域：政策加持与技术突破催生新增量
　　国家“十五五”规划建议立足新兴产业与未来前瞻性产业培育要求，将AIDC、人形机器人、低空经济、可控核聚变四大领域纳入重点发展范畴，明确了各领域产业化发展的战略方向，为产业发展提供了坚实政策支撑。报告期内，上述四大新兴领域呈现快速发展态势，成为驱动功率半导体行业增长的新引擎。
　　（1）AIDC领域：受益于人工智能的快速发展，算力需求爆发式增长推动数据中心规模持续扩张，新的AIDC供电架构向高压直流、固态变压器迭代升级，第三代半导体因适配高压化、大功率化需求，成为核心组件，带动相关功率器件需求大幅增长。
　　（2）人形机器人领域：随着核心技术迭代及产业化进程提速，头部企业加快量产落地布局，市场规模持续扩容，其关节驱动、电源管理等核心环节对高效功率器件的依赖性显著提升，带动功率半导体特别是以GaN为代表的第三代半导体需求稳步提升。
　　（3）低空经济领域：以eVTOL（电动垂直起降飞行器）、载重无人机为核心的应用场景持续丰富，商业化试飞有序推进，相关产业链配套逐步完善，其动力系统、电控系统的小型化、高效化需求，推动功率半导体向高功率密度、低损耗方向升级。
　　（4）可控核聚变领域：全球范围内研发投入持续加大，我国在关键技术上不断突破，试验装置迭代升级，为功率半导体提供了长期广阔的市场空间，尤其是磁体电源、辅助加热电源等应用场景下的功率器件需求潜力凸显。
　　整体来看，功率半导体行业呈现“传统赛道稳盘、新兴赛道增量、技术迭代升级”的发展格局：新能源汽车、风光储、工业控制等传统领域为行业提供稳定的基本盘，需求持续释放；AIDC、人形机器人、低空经济、可控核聚变等新兴领域在政策加持与技术突破下快速成长，成为行业增长新引擎；第三代半导体（SiC、GaN）凭借高效、节能、高功率密度等核心性能优势，在各高端场景的应用渗透率持续提升，是行业未来核心发展方向。
　　公司作为功率半导体领域的核心参与者，将紧密围绕行业发展趋势，持续深耕传统优势领域，积极布局新兴赛道，加速第三代半导体技术研发与产能释放，紧抓行业发展红利，不断巩固市场竞争力，实现业务的持续稳健增长。
　　(二)公司发展战略
　　2026年是公司转型升级的关键之年。公司将立足功率半导体主航道，秉持“以客户为中心、以创新为驱动、以人才为根本”的发展理念，坚定不移走自主创新之路，致力于成为具有全球竞争力的功率半导体解决方案提供商。公司将聚焦第三代半导体技术突破，重点推进IGBT、SiC、GaN等核心器件的技术迭代与产品升级，推动产品结构向高附加值方向跨越；打造数字化柔性供应链体系，实现客户需求快速响应与运营成本最优平衡；坚守“质量高于一切”理念，建立零缺陷质量管理体系，以过硬品质塑造可信赖的品牌形象。
　　2026年，公司将采取“存量深耕+增量开拓”的双轮驱动市场策略，在巩固工业控制、新能源汽车、新能源发电等成熟市场领先优势的同时，前瞻性布局AIDC、人形机器人、低空经济、可控核聚变、智能电网等新兴赛道，扩大国内外市场份额。此外，公司还将继续加强人才梯队建设与研发投入，完善公司治理体系，为战略实施提供坚实保障。
　　(三)经营计划
　　2026年是公司由2.0向3.0转型升级的关键之年。公司将牢牢把握“提升产品竞争力，打造柔性供应链，巩固质量品牌力，抢占市场制高点”的核心工作方针，聚焦功率半导体器件领域，秉持“以客户为中心，以创新为驱动，以人才为根本”的发展理念，坚定不移地走自主创新之路，具体推进以下工作：
　　1.强化产品核心竞争力，构筑技术护城河
　　聚焦高性能、高可靠、集成化、智能化、定制化发展方向，加大核心技术研发投入，重点推进1700VIGBT模块、GaNHEMT、SiC芯片及灌封/塑封等产品的技术突破与迭代升级，以车规级产品研制为牵引，推动产品从低附加值向高附加值跨越；同时优化产品矩阵，兼顾高端定位与基础款型，以极致的成本运营管理、品质把控与售后服务，将产品质量打造为企业最核心的竞争优势，实现从技术跟跑到技术引领的转变。
　　2.打造柔性供应链，实现高效响应与降本增效
　　以“最小库存、最短交期”为核心目标，精准响应订单波动与行业海量交付需求；通过IT系统打通订单、生产、库存、物流全流程信息壁垒，实现需求实时预测与动态调整；推进产品平台化与生产模块化建设，减少换线时间、优化生产节拍；深化与核心供应商、客户、物流商的战略合作，建立库存动态补给机制，降低自身库存压力，提升供应链协同效率，同时严控成本，增强经营效益与客户粘性。
　　3.巩固质量品牌力，夯实发展根基
　　2026年作为公司三年质量攻坚战的收官之年，公司将持续巩固质量管理成果，完善设计、工艺、生产、检验全流程标准规范，强化供应链质量管控，提升全员质量意识与质量领导力，构建“零缺陷”理念与持续改进机制。将质量管控贯穿产品全生命周期，以精益求精的态度打造过硬产品，以高质量赢得客户信赖，让高质量成为公司的品牌名片。
　　4.抢占市场制高点，拓展增长新空间
　　紧盯行业趋势与市场需求，以差异化、敏捷性策略开发新产品、开拓新市场。向成熟存量市场要增量，向新兴增量市场要突破，巩固现有市场领先优势的同时，重点布局AIDC、低空经济、人形机器人、可控核聚变、智能电网等新兴赛道，以创新合作模式与产品服务引领市场潮流，在激烈竞争中抢占先机，为公司3.0时代发展注入新动能。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）主要业务、主要产品或服务情况
　　公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
　　（二）主要经营模式
　　1、研发模式
　　公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并加以设计优化。
　　2、采购模式
　　（1）采购流程
　　公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
　　（2）供应商管理
　　公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
　　3、生产模式
　　公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
　　（1）自产模式
　　公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
　　（2）委托加工模式
　　公司采取Fabless模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
　　4、营销模式
　　公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
　　（三）所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）发展阶段
　　根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017），公司所处行业为半导体分立器件制造。
　　功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与场景需求共同推动行业高速发展。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带材料逐步替代传统硅基器件，通过工艺创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行业向高频化、低损耗方向升级。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高效电源技术突破。国产化进程持续深化，在关键材料与核心工艺上实现突破，为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。
　　未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应用持续演进，在“双碳”战略与技术创新驱动下，功率半导体分立器件市场空间广阔。
　　（2）基本特点
　　半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临新能源汽车、新能源发电、5G通讯、数据中心和人形机器人等下游新兴产业带来的市场机遇，在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、工艺升级、产能扩张和市场推广。
　　（3）主要技术门槛
　　自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导，其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如3300V以上）仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。
　　以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借耐高压、耐高温特性，在新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wolfspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300V SiC MOSFET量产，国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英飞凌等企业通过300mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同发展的多元化格局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。
　　2、市场规模分析
　　功率半导体器件在电力电子行业应用广泛，涵盖消费电子、汽车电子、工业电子等传统领域，同时在新能源发电、数据中心、新能源汽车、充电桩、机器人及低空飞行器等新兴领域亦得到广泛应用。
　　根据Yole数据，2024年全球功率半导体市场规模约为262亿美元，预计到2030年将增长至433亿美元，年复合增长率为8.7%。从细分领域来看，当前IGBT模块在功率半导体市场中占比最高，全球市场规模约为70.8亿美元；随着SiC模块在新能源汽车、光伏储能等行业的应用不断拓展，预计到2030年SiC模块全球市场规模将达到66亿美元。受益于国内新能源汽车、风光储及数据中心等行业的快速发展，功率半导体器件市场有望迎来广阔的发展空间。
　　（1）新能源汽车及充电桩
　　2025年上半年，中国新能源汽车市场展现出强劲的发展态势。根据中国汽车工业协会数据，截至2025年6月底，国内新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比增长41.4%和40.3%，在汽车新车总销量中的占比达到44.3%。其中，国内新能源汽车销量为587.8万辆，同比增长35.5%。具体来看，乘用车销量达552.4万辆，同比增长34.3%；商用车销量达35.4万辆，同比增长55.9%。新能源乘用汽车出口在上半年再创新高，出口量突破100万辆，同比增长71.3%。随着“以旧换新，置换补贴”等国家补贴政策的延续，国内新能源乘用车有望保持较高的增长速度，预计2025年下半年，新能源汽车市场将继续维持稳中向好的发展趋势。
　　充电桩作为新能源汽车的重要补能设备，伴随新能源汽车的蓬勃发展迎来新的发展契机。中国充电联盟数据显示，截至2025年6月底，我国充电基础设施总数达到1,610万个，同比增长55.6%，其中公共充电设施达到409.6万个，同比增长达到36.7%。2025年1-6月，国内充电桩基础设施整体增量为328.2万个，车桩增量比为1:1.8。2025年7月7日，国家发展和改革委员会发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》，提出到2027年底，全国范围内单枪充电功率达到250kW以上的大功率充电设施超过10万台。
　　随着新能源汽车与充电桩的快速发展，IGBT、SiC等功率器件市场需求有望进一步增长。
　　（2）风光储
　　受“531政策”等因素影响，2025年1-6月国内光伏装机量呈现大幅增长态势。根据国家能源局数据，2025年上半年国内光伏装机量达212GW，较2024年同期增长107%，增速迅猛。2025年上半年风电装机量为51.39GW，相比2024年同期增加25.53GW，同比增长98.7%。截至2025年6月底，国内光伏新增装机量已接近2023年全年装机总量。以光伏、风电为代表的可再生能源发电装机容量累计占比达到45.8%，已超过传统火电装机容量占比，反映出能源结构正向可再生能源加速转型。
　　储能领域同样发展迅速，2025年上半年国内储能新增装机达到21.9GW/55.2GWh，功率规模同比增长69.4%。其中，电网侧储能新增装机14.2GW/32.9GWh，功率规模占比64.9%，占据主导地位；电源侧储能新增装机5.8GW/17.8GWh，功率规模占比26.7%；用户侧储能新增装机1.8GW/4.5GWh，规模同比翻番，展现出强劲的增长势头。从应用场景看，电网侧占比超六成，用户侧同比翻倍，各场景需求均呈现积极扩张态势。
　　随着全球对可再生清洁能源需求的持续攀升，光伏、储能等装机规模有望进一步提升。根据Yole相关数据，伴随可再生能源产业的发展，应用于光伏领域的IGBT模块全球市场规模预计在2030年将达到13.75亿美元，并在未来保持7.1%的复合增长率。在风光储领域，IGBT模块市场规模占整个IGBT模块市场的比例将达到16%，凸显出该细分领域在IGBT市场中的重要地位及增长潜力。
　　（3）工业控制
　　功率半导体器件在变频器、伺服系统等工业控制领域中发挥着至关重要的作用，作为电能转换与控制的核心部件，其性能直接关系到工业系统的运行效率、稳定性及可靠性。2024年，国内低压变频器市场规模约为284亿元，较2023年同比下降3.2%；随着宏观经济逐步复苏、制造业持续回暖，预计2025年该市场将实现3%左右的增长，规模有望接近300亿元。受益于变频器、伺服系统等下游应用市场的回暖趋势，应用于上述领域的功率半导体器件市场有望保持稳定增长态势。
　　3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）凭借技术积累占据主导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，通过技术创新与产业链协同，已形成覆盖芯片设计、单管及模块的全产品线布局，在中高端市场实现突破，并在国家重点任务及产业化落地环节加强与上下游伙伴的联动，共同推动功率半导体产品的国产化与前沿应用拓展。
　　公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”等荣誉称号。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年，公司荣获“江苏省小巨人企业”；2022年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”；2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博士后科研工作站”，荣获“江苏省智能车间”称号。2025上半年，公司荣获“江苏省先进级智能工厂”称号。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务，与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不断向行业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
　　报告期内，公司与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备忘录》，双方聚焦IGBT、FRD等核心产品领域深化协作，通过联合组建研发项目组，集中力量推进技术创新与平台优化，这一深度合作将直接推动公司IGBT、SiC MOSFET等产品性能对标国际先进水平，为国产功率半导体器件突破国际技术壁垒提供核心动能。该战略举措显著强化了公司以设计与模块封装为核心的“轻资产+”模式竞争力，既规避了IDM模式（垂直整合制造模式）的资本重负，又通过绑定顶尖代工厂的专项工艺支持获得类似垂直整合的协同效应。这一制造端战略支点的确立，不仅夯实了公司作为国内功率半导体设计及模块解决方案龙头的主导地位，更通过技术、产能、成本的多维跃升，为其跻身国际一线功率半导体供应商梯队提供了可落地的跳板，标志着中国功率半导体产业从单点突破迈向全链条高端化的关键跨越。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　（一）分化中寻机破局，战略发力筑根基
　　2025年上半年，功率半导体市场在波动中呈现结构性增长态势，虽有复苏迹象，但在不同应用领域呈现显著分化。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。从供需结构来看，供给侧产能扩张节奏加快，尤其在第三代半导体领域，众多企业纷纷布局SiC、GaN产线，但部分中低端产品领域已出现阶段性产能过剩，市场竞争加剧引发价格战，对企业盈利空间形成挤压；需求侧呈现“冷热不均”格局，传统消费电子领域需求疲软，而新能源汽车、光伏、储能等新兴领域需求增长，成为拉动行业增长的主要动力，但受政策导向、宏观经济及市场竞争加剧等多重因素影响，增长仍存在不确定性。
　　在此背景下，公司实现营业收入68,027.43万元，同比增长6.86%；实现归属于上市公司股东净利润297.80万元，同比增长18.45%。
　　2025年下半年，管理团队将在董事会的战略引领下，锚定长期发展目标持续发力。公司将加大前瞻性技术研发投入力度，不断丰富高端产品矩阵，筑牢技术护城河；聚焦核心市场定位，深耕高附加值业务领域，拓宽增长空间；深化全流程精细化管理，强化费用管控与成本优化能力，提升运营效率。多措并举，全面夯实公司核心竞争力，为推动企业持续健康高质量发展注入强劲动力。
　　（二）核心技术不断突破，主要产品持续放量
　　1、芯片产品
　　（1）光伏应用的IGBT&FRD芯片：1000V/1200VM7iU系列IGBT和M7d FRD芯片已完成开发和认证，并形成量产，以上产品已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，满足风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量出货。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。
　　（2）车规应用的IGBT&FRD芯片：针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，最高结温可达185°C，目前该芯片技术已通过头部新能源车企完整认证流程，后续将根据不同车型平台的技术需求进行系列化产品开发。
　　（3）SiC MOSFET芯片：公司首款1200V40mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证。
　　（4）SiC SBD芯片：自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成批量出货。
　　公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。
　　（5）GaN芯片：自主研发的GaN650V75mohm芯片研制成功，报告期内已全面通过内部可靠性验证流程，目前正进入客户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送样验证。此项成果标志着公司在GaN功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展AI服务器电源和人形机器人等高增长市场奠定基础，进一步强化了公司在宽禁带半导体技术路线的战略竞争力。
　　面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大研发投入，构建以SiC、GaN为主要方向，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC、GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI电源、机器人等成长性应用场景，并挖掘先进能源与新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形成从技术积累到成果转化的持续推进。
　　2、模块产品
　　（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付。
　　（2）基于自主研制的M7i芯片平台，报告期内完成了系列化功率模块产品的开发，该系列模块已通过多家行业头部客户的性能测试和认证，技术指标满足风光储等高端应用场景需求，后续将按照计划启动规模化量产进程。
　　（3）车规级280-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280-820A/750V），均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
　　（4）基于自主研制的EDT3芯片平台，成功开发出符合车规级应用的高功率密度、高可靠性功率模块产品，该系列产品已完成AQG324等车规标准可靠性认证及性能验证流程，并顺利通过多家头部车企客户的测试和认证审核。
　　（5）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，报告期内累计出货60余万只，该塑封模块平台产品对公司2025年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力。
　　（6）车规级1200V SiC自研模块完成开发，均通过AQG324等车规级认证。
　　（7）1700V系列化产品：多款产品（75-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，正在批量供应市场；
　　（8）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。
　　（三）巩固核心技术，研发投入持续加大
　　2025年上半年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。截至报告期末，公司研发人员数量为220人，同比增长4.76%，其中硕士、博士合计46人，占研发人员总数的比例为20.91%。2025年上半年，研发投入5,856.61万元，占营业收入的比例为8.61%，研发投入同比增加8.64%。截至报告期末，公司共有专利139项，其中发明专利46项，实用新型专利83项，外观设计专利10项。
　　（四）质量提升见成效，精益求精路未央
　　2025年，是质量提升之年，公司围绕“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优化客户质量服务”的主题，在研发质量、供应商质量、客户质量服务等方面开展了一系列的改善活动，强化质量管理系统建设；扩大统计过程控制的涵盖项目，对成品测试进行统计良率管控，严控制造过程波动；提高可靠性监控频次和覆盖面，确保出货产品的高可靠性；召开供应商大会传递物料质量要求和“三化一稳定，严进严出”理念，对重点物料安排驻厂督造。2025上半年，公司IGBT模块整体良率提升0.5%，市场端失效率降低34.5%。公司的整体质量表现获得国内外头部客户的一致认可。
　　（五）提升战略客户粘性，加速市场版图扩张
　　公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2025年半年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极开拓新客户及新市场，客户矩阵趋于丰富。
　　（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
　　2025年上半年，公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求，不断完善公司法人的治理结构，加强内部制度建设与内控体系完善，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息披露义务，持续加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。
　　（七）积极践行ESG，实现可持续发展

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术优势
　　经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面突破多项核心技术，在芯片领域，主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域，主要包括超声端子键合、PIN针超声键合、银烧结、铜烧结、DTS（Die Top System）等一系列先进的封装技术。未来，公司将持续高筑核心技术壁垒，夯实行业竞争力。
　　2、人才优势
　　人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参与国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、“十四五”等重大科技专项中IGBT芯片及模块技术攻关项目。为保证研发实力的持续提升，公司将稳步扩大研发团队规模，强化人才梯队建设。2024年上半年，公司博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作站，该平台将为公司引进高层次技术人才、深化产学研深度融合提供战略支撑，加速科技成果向新质生产力转化，助推半导体产业高质量发展。
　　3、产品多品种规模化供应优势
　　功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司已构建业内领先的全系列产品矩阵，通过柔性化产线布局和智能化生产体系，实现从单管到模块的规模化精准供应，为客户提供“多、快、好、省”的一站式解决方案。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET、IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能源汽车充电系统等多元化领域，并积极向AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等场景探索。依托公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。
　　4、客户资源优势
　　公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量及优质的服务，与工业控制、新能源发电、新能源汽车、家电等领域的龙头企业建立了长期稳定的战略合作关系，并被多家知名客户如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。通过深度参与客户需求场景分析，形成“定制化产品+联合开发”的协同创新模式，持续巩固公司在功率半导体价值链中的核心地位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司建立了完整的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累，在前沿技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计和模块封装领域的核心竞争力，上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权46项，实用新型专利授权83项，外观设计专利授权10项。
　　四、报告期内主要经营情况
　　2025年上半年公司实现营业收入68,027.43万元，同比增加6.86%；实现归属于母公司所有者的净利润297.80万元，同比增加18.45%；
　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险技术升级及产品迭代风险
　　功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有技术存在被赶超和迭代的可能：如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。
　　（二）经营风险重要供应商依赖的风险
　　公司的自研芯片是采用Fabless模式委托芯片代工企业进行生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量交付，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　报告期内，公司主营业务毛利率为15.75%。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、下游市场需求波动、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，可能导致公司综合毛利率下降。
　　2、固定资产折旧的风险
　　随着公司改扩建项目的投产使用，在建工程将陆续转为固定资产，将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
　　3、资产减值的风险
　　公司按照企业会计准则及公司会计政策等相关规定，结合公司实际经营情况，对各类资产进行减值测试，计提资产减值准备。未来，若公司所处的经济、技术或者法律等环境以及各项资产、投资所处的市场未来发生重大变化，公司相关资产仍将面临进一步减值的风险，将会对公司的财务状况及经营成果带来不利影响。
　　（四）行业风险市场竞争风险
　　经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源发电、新能源汽车等利润率较高的应用领域。
　　国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件和功率模块市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入，从而导致市场竞争加剧。如果产品开发效果不达预期，不能满足新兴市场的要求，或者现有市场应用发生根本性变化，公司的市场份额可能存在下降风险。
　　（五）宏观环境风险
　　公司属于功率半导体行业，具有较强的周期性特征，与宏观经济整体发展密切相关。公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述下游市场需求的波动和低迷亦会导致功率半导体产品的需求下降，从而对公司的销售和利润带来负面影响。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　（一）行业复苏低于预期，公司业绩阶段性亏损　　2024年度，半导体行业呈现结构性复苏特征。受益于数字经济蓬勃发展、人工智能技术的迅猛进步以及新质生产力的强力驱动，与数字芯片相关的晶圆代工及封测环节已率先展现出复苏迹象，业务逐步恢复增长,与此同时，功率半导体领域因光伏产业阶段性产能调整、新能源汽车市场竞争优化及工业控制产业技术升级延后，行业整体增速有所放缓。　　在此背景下，2024年度，公司实现营业收入133,136.03万元，同比下降11.52%；归属于上市公司股东净利润-1,446.73万元，同比减少112.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　（一）行业复苏低于预期，公司业绩阶段性亏损
　　2024年度，半导体行业呈现结构性复苏特征。受益于数字经济蓬勃发展、人工智能技术的迅猛进步以及新质生产力的强力驱动，与数字芯片相关的晶圆代工及封测环节已率先展现出复苏迹象，业务逐步恢复增长,与此同时，功率半导体领域因光伏产业阶段性产能调整、新能源汽车市场竞争优化及工业控制产业技术升级延后，行业整体增速有所放缓。
　　在此背景下，2024年度，公司实现营业收入133,136.03万元，同比下降11.52%；归属于上市公司股东净利润-1,446.73万元，同比减少112.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-3,399.02万元，同比减少133.73%。主要系部分客户采购计划调整，订单释放进度不及预期，车规产品单价承压，导致公司经营业绩出现阶段性亏损。
　　2025年度，公司管理团队将在董事会的领导下，围绕发展战略，为实现既定经营目标努力。公司将持续加码前瞻性研发投入，丰富产品矩阵；聚焦市场定位，发力高价值业务拓展；深耕精细化管理，加强费用和成本管控。多措并举，夯实公司的核心竞争力，推动公司持续健康发展。
　　（二）研发技术不断突破，主要产品持续放量
　　1、芯片产品
　　（1）光伏应用的IGBT&FRD芯片：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求；
　　（2）车规应用的IGBT&FRD芯片：针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB可靠性测试，最高结温可达185℃，目前已进入头部新能源车企认证阶段。公司正在积极拓展新能源汽车领域更高的市场份额。
　　（3）SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；
　　（4）自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。
　　面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。
　　2、模块产品
　　（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付；
　　（2）车规级280A-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280A-820A/750V），均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段；
　　（3）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，累计出货120万只，该塑封模块平台产品对公司2024年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力；
　　（4）车规级1200VSiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证，为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台；
　　（5）1700V系列化产品：多款产品（75A-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，可批量供应市场；
　　（6）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。
　　（三）研发投入不断加大，持续提升核心竞争力
　　2024年度，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级，技术储备深度与广度显著增强。截至报告期末，公司研发人员数量为193人，同比增长9.66%，其中硕士、博士合计37人，占研发人员总数的比例为19.17%。2024年度，研发投入10,976.13万元，占营业收入的比例为8.24%，同比增加1.54%。截至报告期末，公司共有专利133项，其中发明专利43项，实用新型专利83项，外观设计专利7项。
　　（四）质量管理有进展，追求成本增效益
　　2024年度是公司的质量改进之年，公司围绕“专注客户需求、狠抓质量管理、提升组织能力、扩大营销规模”的工作方针，开展了一系列质量提升举措，全面推行“三化一稳定、严进严出”质量管理措施；扩充实验室容量，提升实验能力；严格修订公司可靠性标准；提升IT化能力和数据统计分析能力，自主开发了一系列数据中台报表，并对生产全过程进行实时监控。2024年度，公司IGBT模块整体良率提升2%，公司以精益生产与零缺陷质量管理，性能获得国内头部客户认可。
　　（五）提升战略客户粘性，加速市场版图扩张
　　公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极开拓新客户及新市场，客户矩阵趋于丰富。
　　（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
　　2024年度，公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求，不断完善公司法人的治理结构，加强内部制度建设与内控体系完善，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，顺利完成董监高换届选举，并合规履行信息披露义务，持续加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。
　　（七）加强ESG建设，实现可持续发展
　　2024年度，公司高度重视ESG管理体系的建设工作，建立了自上而下的ESG管理架构，通过董事会战略委员会下设ESG领导小组、ESG执行小组的ESG治理机制，推动落实公司在环境保护、员工权益、公司治理等方面的ESG工作。公司积极践行“绿色、低碳、可持续”的发展理念，基于自身产业特点，进一步夯实整合业务基础，高效赋能行业可持续发展。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
　　(二)主要经营模式
　　1、研发模式
　　公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并加以设计优化。
　　2、采购模式
　　（1）采购流程
　　公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
　　（2）供应商管理
　　公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
　　3、生产模式
　　公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
　　（1）自产模式
　　公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
　　（2）委托加工模式
　　公司采取Fabess模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
　　4、营销模式
　　公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）发展阶段
　　根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017），公司所处行业为半导体分立器件制造。
　　功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与场景需求共同推动行业高速发展。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带材料逐步替代传统硅基器件，通过工艺创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行业向高频化、低损耗方向升级。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高效电源技术突破。国产化进程持续深化，在关键材料与核心工艺上实现突破，为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。
　　未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应用持续演进，在“双碳”战略与技术创新驱动下，功率半导体分立器件市场空间广阔。
　　（2）基本特点
　　半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临新能源汽车、新能源发电、5G通讯和数据中心等下游新兴产业带来的市场机遇，在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、工艺升级、产能扩张和市场推广。
　　（3）主要技术门槛
　　自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导，其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如3300V以上）仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性，在新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wofspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300VSiCMOSFET量产，国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英飞凌、EPC等企业通过300mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同发展的多元化格局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）凭借技术积累占据主导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，通过技术创新与产业链协同，已形成覆盖芯片设计、单管及模块的全产品线布局，在中高端市场实现突破。
　　公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”等荣誉称号。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年，公司荣获“江苏省小巨人企业”；2022年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”；2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博士后科研工作站”，荣获“江苏省智能车间”称号。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务，与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不断向行业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
　　报告期内，公司与华虹宏力等产业链伙伴深化合作，率先实现12英寸晶圆量产工艺突破，通过沟槽栅场阻断结构、超微沟槽技术等工艺创新，推动IGBT、SiCMOSFET等产品性能对标国际先进水平。公司在车规级领域持续突破，其第七代IGBT模块产品已实现批量生产，与英飞凌EDT3技术处于同一水平，成功进入头部车企供应链。在第三代半导体领域，公司自主研发的1200VSiCMOSFET芯片及SBD芯片已通过客户端验证，车规级1200VSiC自研模块已通过可靠性验证。通过“双碳”战略驱动的新能源、储能等场景需求，公司凭借技术领先性与产能布局，进一步巩固其在国产替代浪潮中的核心地位，为全球能源转型与智能化进程提供关键支撑。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　在“双碳”目标指引下，新能源、新能源汽车、储能等战略新兴产业加速发展，功率半导体作为能源转换核心器件，迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。以IGBT为代表的硅基器件仍是当前主流，其高效节能特性显著提升电力电子装置能效，在光伏逆变器、新能源汽车电控系统中发挥关键作用。随着微细槽栅结构设计优化及工艺创新，IGBT芯片实现12寸量产突破，反向恢复二极管（FRD）通过软度协调技术提升极端工况可靠性，推动行业向更高功率密度与更低损耗演进。以SiC、GaN为代表的宽禁带材料正重塑产业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性，在新能源汽车800V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透，国内企业通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，300mm晶圆工艺优化推动成本趋近硅基器件。
　　功率半导体行业已形成硅基、SiC、GaN材料协同发展的多元化生态。硅基器件通过沟槽栅、超薄晶圆等技术持续优化性能，主导中低压市场；SiC聚焦高压场景，突破栅氧可靠性与动态退化难题；GaN则深耕高频领域，解决高温稳定性与大尺寸外延工艺瓶颈。
　　未来，随着“双碳”战略深化及智能化浪潮推进，功率半导体在储能、智能电网、人形机器人等新兴场景的渗透率将持续提升，为全球能源转型与工业升级注入核心动能。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权43项，实用新型专利授权83项，外观设计专利授权7项。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　2、报告期内，由于部分在研项目应用领域相同，根据项目高效管理的原则，结合在研项目的实际进展情况，公司将“CooPackSSC产品开发”项目和“CodPackSDC-SiC产品开发与平台建设”项目合并到“面向新能源汽车大小电控SiC塑封功率模块研发及产业化项目”；将“光伏与储能应用的三电平功率模块关键技术研究”项目和“光储逆变器用NPC模块”项目合并到“面向光储变流器大面积塑封三电平功率模块关键技术研究及产业化项目”。
　　5、研发人员情况
　　研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响
　　2024年8月27日，公司考虑到技术研发工作的管理和执行情况，对核心技术人员俞义长工作职责进行调整，公司决定将其调整为管理岗，不从事具体的研发工作，因此不再将其认定为核心技术人员。同时，认定崔崧、张海泉为公司核心技术人员。本次变动前，公司核心技术人员团队由赵善麒、王晓宝、刘利峰、戚丽娜、麻长胜、俞义长组成，本次变动后，公司核心技术人员团队由赵善麒、王晓宝、刘利峰、戚丽娜、麻长胜、崔崧、张海泉组成。本次核心技术人员的调整，不会对公司技术研发和持续经营能力产生实质性影响，不影响公司的技术优势和核心竞争力，对业务发展和产品创新不存在重大不利影响。
　　6、其他说明
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术优势
　　经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面突破多项核心技术，在芯片领域，主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域，主要包括低分布参数的模块布线技术、无压和有压银烧结技术、端子超声键合技术、双面散热塑封技术等。未来，公司将持续高筑核心技术壁垒，夯实行业竞争力。
　　2、人才优势
　　人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参与国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、“十四五”等重大科技专项中IGBT芯片及模块技术攻关项目。为保证研发实力的持续提升，公司将稳步扩大研发团队规模，强化人才梯队建设。2024年上半年，公司博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作站，该平台将为公司引进高层次技术人才、深化产学研深度融合提供战略支撑，加速科技成果向新质生产力转化，助推半导体产业高质量发展。
　　3、产品多品种规模化供应优势
　　功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司已构建业内领先的全系列产品矩阵，通过柔性化产线布局和智能化生产体系，实现从单管到模块的规模化精准供应，为客户提供“多、快、好、省”的一站式解决方案。
　　在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET、IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。
　　在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能源汽车充电系统等多元化领域，并积极向机器人、机械臂等新兴场景探索。依托公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。
　　4、客户资源优势
　　公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量及优质的服务，与工业控制、新能源汽车、家电等领域的龙头企业建立了长期稳定的战略合作关系，并被多家知名客户如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。通过深度参与客户需求场景分析，形成“定制化产品+联合开发”的协同创新模式，持续巩固公司在功率半导体价值链中的核心地位。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内，受全球经济增长不确定性、宏观环境以及行业周期变化等因素的影响，国内功率半导体行业竞争加剧，去库存压力较大，部分客户采购计划阶段性调整，订单释放进度不及预期，车规产品单价承压，导致公司整体营业收入规模同比下降11.52%。归属于母公司所有者的净利润为-1,446.73万元，同比下降112.45%，扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润为-3,399.02万元，同比下降133.73%。
　　未来，若宏观景气度下行、国内功率半导体行业竞争加剧，终端客户需求持续下降，公司客户拓展不及预期等，公司相关措施未能产生积极效果，公司可能面临经营压力，存在业绩继续下滑的风险。
　　对此，公司将加速推出新产品研发及量产进程，优化产品结构；聚焦市场定位，积极拓展客户市场，以自主创新驱动长远发展；同时，公司已全面开展降本增效工作，通过优化人员结构、降低费用支出等方式减少冗余投入，并通过加快资产周转、降低减值损失等措施，最大限度降低可能受到的国内外宏观环境、行业竞争格局变化等诸多外部因素对经营业绩的不利影响，提升公司的盈利能力。
　　(三)核心竞争力风险
　　技术升级及产品迭代风险
　　功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有技术存在被赶超和迭代的可能：如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。
　　(四)经营风险
　　重要供应商依赖的风险
　　公司的自研芯片是采用Fabess模式委托芯片代工企业进行生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量交付，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　报告期内，公司主营业务毛利率为15.39%。受国内外宏观经济、光伏行业下行及新能源汽车市场竞争加剧等因素的影响，公司整体毛利率较去年同期相比有所下滑。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、下游市场需求波动、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，可能导致公司综合毛利率下降。
　　2、固定资产折旧的风险
　　随着公司改扩建项目的投产使用，在建工程将陆续转为固定资产，将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
　　3、资产减值的风险
　　报告期内，公司按照企业会计准则及公司会计政策等相关规定，结合公司实际经营情况，对各类资产进行减值测试，计提资产减值准备。未来，若公司所处的经济、技术或者法律等环境以及各项资产、投资所处的市场未来发生重大变化，公司相关资产仍将面临进一步减值的风险，将会对公司的财务状况及经营成果带来不利影响。
　　(六)行业风险
　　市场竞争风险
　　经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源发电、新能源汽车等利润率较高的应用领域。
　　国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件和功率模块市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入，从而导致市场竞争加剧。如果产品开发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，或者现有市场应用发生根本性变化，公司的市场份额可能存在下降风险。
　　(七)宏观环境风险
　　公司属于功率半导体行业，具有较强的周期性特征，与宏观经济整体发展密切相关。公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述下游市场需求的波动和低迷亦会导致功率半导体产品的需求下降，从而对公司的销售和利润带来负面影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　2024年公司实现营业收入133,136.03万元，同比减少11.52%；实现归属于母公司所有者的净利润-1,446.73万元，同比减少112.45%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-3,399.02万元，同比减少133.73%。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　IGBT和SiCMOSFET由于能够根据电力电子装置中的控制信号来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，是高频电力电子装备中的“CPU”，也是目前电力电子装备用的主流功率半导体器件，其应用范围广泛，用量极大。
　　IGBT核心技术包括IGBT芯片设计与工艺实现、生产IGBT模块的设计、封装工艺、测试及可靠性等。IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求极高，同时芯片设计需根据具体应用场景协调器件导通压降、开关速度和短路能力三者关系，芯片设计与工艺参数调整优化十分特殊和复杂。IGBT芯片设计是功率半导体器件产业链中对研发实力要求较高的环节，近几年来国内已有少数企业的技术实力逐步赶上国际主流先进企业水平。
　　SiCMOSFET技术包括芯片设计与工艺实现、模块的设计、封装工艺、测试及可靠性等。由于SiC器件功率密度更高、工作频率更高、工作温度更高，因此对芯片和封装的可靠性要求就更高。虽然这几年在SiCMOSFET芯片和封装方面我国已经有很大的突破，有些MOSFET模块产品已经用到了新能源汽车领域，但由于SiC产业链的限制，我们在SiCMOSFET芯片和模块的产品系列化、高压器件、高端封装、测试技术和可靠性技术方面与国外头部企业还有较大的差距。
　　1、传统工业控制及工业自动化行业支撑IGBT市场稳步发展
　　工业自动化领域目前是功率半导体器件最大的市场，IGBT在工业自动化、传统工业控制行业均有广泛的应用，应用场景包括变频器、伺服系统、PLC、逆变焊机、各种开关电源等。根据格物致胜相关数据统计，2024年国内工业自动化市场规模约为2,666亿元，其中低压变频器市场规模约为300亿元，通用伺服系统市场规模约为200亿。
　　2、在全球节能环保的大趋势下，新能源行业加大了对IGBT器件的需求量，新能源发电和电能质量管理、电动（新能源）汽车等领域发展迅速，对IGBT器件的需求大幅度增加，其它新兴行业，如轨道交通、数据中心、智能电网等加速发展将持续推动IGBT市场的快速增长。
　　（1）新能源汽车
　　IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。根据中国汽车工业协会公布的数据，2024年，我国新能源汽车产销分别完成1,288.8万辆和1,286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的40.9%，较2023年提高9.3个百分点。随着新能源汽车市场的快速发展和智能驾驶技术的应用，新能源汽车中以IGBT为代表的功率半导体器件产品的需求量有望进一步提升。新能源汽车在销售、产业、政策、技术等多方面都呈现出良好的发展态势，未来有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的需求量显著增长，从而推动IGBT市场的快速发展。
　　（2）新能源发电及电能质量管理
　　根据国家能源局统计显示，2024年国内全年新增光伏装机量达到277.17GW，与2023年同期相比增长60.29GW，同比增长达到27.8%。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风电变流器实现直流电和交流电之间的转换并通过SVG和APF改善输出电能的质量以达到符合电网要求的交流电后并入电网。IGBT是光伏逆变器、风能变流器、SVG和APF的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的主要动力。
　　3、IGBT等功率半导体器件进口替代空间巨大
　　根据Yoe相关数据显示，2022年全球IGBT市场规模约为68亿美元，预计2025年将达到80亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球市场规模的40%。总的来看，我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，IGBT器件将成为“国产替代”的主力军之一。
　　4、第三代功率半导体SiC器件渗透率持续提高、市场规模快速扩大。
　　SiC器件由于其禁带宽、导热率高和耐击穿能力强,相比Si基器件，非常容易实现高结温、低损耗、高开关频率，适合于新能源汽车和新能源发电等应用场景，市场规模增长快速。根据Yoe相关数据显示，2023年全球SiC市场规模约为27亿美元，预计到2029年SiC功率器件的市场规模将达到104亿美元，2023-2029年的复合增速接近25%。
　　(二)公司发展战略
　　公司专注于功率半导体器件领域，始终秉持“以客户为中心，以创新为驱动，以人才为根本”的发展理念，坚定不移地走自主创新之路，以五大战役决胜未来：
　　一是技术登顶战，聚焦第三代半导体前沿技术突破，以车规级1200V40mΩSiCMOSFET芯片研制为牵引，实现技术跟随到技术引领的跨越；
　　二是市场突围战，以提升客户满意度为使命，巩固与行业龙头的合作关系，优化客户群体结构，持续扩大国内外市场份额；
　　三是人才汇聚战，招引行业顶尖人才团队，发挥博士后流动站人才培养和孵化作用；四是数字跃迁战，力争全流程数字化覆盖率100%；
　　五是质量攻坚战，以品质为准绳，坚持“质量高于一切，一切服从质量”的理念，强化全员质量控制意识，加强质量检测与监督工作，完善质量管理体系。
　　(三)经营计划
　　2025年是高质量提升的关键之年，公司管理团队将在董事会的领导下，围绕发展战略，为实现既定经营目标努力。2025年公司将以“打造产品竞争力，聚焦市场进攻力，提升质量品牌力，增强持续增长力”的工作方针，持续开发具有高护城河、高技术浓度、高性价比的功率器件产品，降本增效，保障高质量完成年度经营目标。
　　1、深化市场布局，加速新兴产业渗透
　　保障工业控制领域稳中有升；持续发力新能源汽车领域市场；加速开拓新能源市场；在家电领域实现显著突破。
　　2、持续加大研发力度，聚焦前沿技术攻关突破
　　针对新能源汽车与新能源发电领域的Si基器件，加大研发投入，深入开展标准产品和定制化产品研发；利用高电流密度IGBT芯片和先进封装技术进一步提升公司在工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等领域的标准产品和定制化产品的性能、一致性及稳定性；聚焦SiC、GaN在功率半导体器件领域的设计研发与应用拓展，加快第三代化合物半导体SiCSBD和SiCMOSFET量产进程。
　　3、完善人才招引与人才培养制度，推行价值循环机制
　　公司秉承“以人为本”的核心理念，注重优秀人才的引进和培养，加大人才资金投入并建立有效的激励机制。一方面，公司将继续深化员工再培训体系，加速培育一批综合素质过硬、业务能力精湛的芯片及模块设计人才、管理人才；另一方面，公司将积极拓宽引才渠道，加大外部人才的引进力度，尤其是国内外的行业技术专家、管理经验杰出的高端人才等，保持核心人才的竞争力。通过建立多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工的忠诚度与价值认同感。
　　4、聚焦战略级客户，优化客户群体结构
　　围绕公司的战略级客户开展深度需求分析研究，形成新型功率半导体器件和模块的定制化解决方案。深入挖掘与现有行业龙头企业的合作潜力，定期与客户开展技术交流与需求研讨会议，持续优化产品性能，完善服务质量体系，满足客户不断升级的需求。在巩固与战略级企业客户合作的基础上，加大对中小型客户的开发力度，实现客户需求的快速响应与沟通。针对中小型客户需求多样化、订单批次多但批量小的特点，优化公司的生产与供应链管理体系，引入先进的柔性生产系统，为中小型客户提供快速响应与定制化服务，提高客户满意度。
　　5、持续推进质量管理体系建设
　　2025年，公司将以“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优化客户质量服务”为主题，继续推进QCC、读书会、技能大比拼等活动，开展质量专题提升活动，将质量提升活动固化形成惯例，培养各部门“质量种子”，形成全员自动、自觉、自主提升质量的内驱力。严格推进“三化一稳定”和“严进严出”质量控制工作，以信息化助推公司质量管理水平，确保产品性能的一致性、质量的稳定性和全生命周期的可靠性，提高公司的核心竞争力。
　　6、优化柔性供应链体系建设
　　加强供应链总体策划，构建流程驱动、体系支撑的柔性供应链体系。优化供应链布局，提升应对采购需求多变的敏捷反应能力。加快采购业务域信息化建设，加强采购早期协同和采购策略研究。持续推进竞争性采购，保障产品交付。
　　7、切实践行社会责任，持续优化ESG治理架构及运行机制
　　在公司治理层面，优化ESG治理架构，董事会全面统筹ESG战略决策，确保ESG理念深度融入公司整体战略规划。通过战略委员会下设的ESG工作小组，负责监督ESG政策的执行与目标的达成，协调各部门间的ESG工作，保障ESG相关决策的迅速落地与有效执行。
　　在环境保护层面，公司将聚焦功率半导体生产过程中的节能减排。持续投入研发，优化生产工艺，降低单位产品的能耗与污染物排放。加强对生产设备的绿色改造，推广使用清洁能源，减少对传统能源的依赖，推动功率半导体行业向绿色、可持续方向发展。
　　在社会责任层面，公司将高度重视员工权益保护。为员工提供多元化的职业发展通道与培训机会，助力员工成长；加强劳动安全保障，优化工作环境，提升员工的工作满意度与归属感；积极投身社会公益事业，为社会发展贡献力量。
　　在信息披露层面，公司将严格遵循相关标准，定期发布ESG报告，全面、准确地披露公司在环境、社会、治理方面的实践与成效，提升公司ESG工作的透明度，主动接受投资者与社会公众的监督。 收起▲