一、报告期内公司从事的主要业务　　公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备；电子元器件包括电阻、电容、电感、晶体元器件、传感器、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，持续打造平台化产品体系，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。　　报告期内，国内集成电路产业受人工智能技术演进与供应链自主可控需求双重驱动，行业发展处于重要战略机遇期。生成式人工智能推动算力基础设施持续扩容，带动先进逻辑芯片、高带宽存储芯片需求稳步增长，存储芯片价格延续上行态势，厂商资本开支意愿回升... 查看全部▼

　　一、报告期内公司从事的主要业务
　　公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备；电子元器件包括电阻、电容、电感、晶体元器件、传感器、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，持续打造平台化产品体系，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。
　　报告期内，国内集成电路产业受人工智能技术演进与供应链自主可控需求双重驱动，行业发展处于重要战略机遇期。生成式人工智能推动算力基础设施持续扩容，带动先进逻辑芯片、高带宽存储芯片需求稳步增长，存储芯片价格延续上行态势，厂商资本开支意愿回升；制程工艺持续微缩、先进封装与三维堆叠工艺广泛应用，进一步提升单晶圆制造对应的设备价值量。另一方面，国内半导体装备国产化进程持续深化，成熟制程配套能力稳步增强，高端装备领域仍有广阔替代空间，为公司业务持续发展提供了良好的市场环境。公司紧抓行业发展机遇，持续推进产品迭代与市场拓展，经营态势良好，生产交付保持饱满状态，各业务板块均实现稳步发展。
　　在半导体装备业务板块，公司构建了覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺的装备矩阵，可提供集成电路前道多工序配套的成套解决方案。其中刻蚀、物理气相沉积、立式炉、湿法清洗等工艺设备技术达到行业先进水平，可覆盖逻辑、存储制程与成熟制程全场景应用需求，产品广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。报告期内，公司持续推进设备技术迭代与品类拓展，深化对芯源微的业务整合，进一步完善装备布局；刻蚀、PVD、立式炉等主力设备市占率稳步提升，技术稳定性与工艺性能得到国内外主流晶圆厂充分验证，离子注入、电镀、涂胶显影等多款新产品实现规模化供货，键合设备实现客户端批量出货。公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛的平台化优势，以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。
　　在真空新能源装备业务板块，公司深耕高压、高温、高真空技术，主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等，广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域，为新材料、新工艺、新能源等领域的绿色制造提供技术支持。报告期内，光伏行业仍处于周期调整阶段，公司持续推进业务结构优化，加快向高景气赛道转型：完成对成都国泰真空的深度业务整合，高端光学镀膜设备市场拓展稳步推进；面板级封装领域取得重要突破，首台面板级Descum设备成功出厂，与PVD、PIQ设备形成整体工艺解决方案；半导体材料、氢能、锂电等新赛道客户验证与订单落地持续取得进展，多赛道协同发展的业务格局进一步巩固。
　　在精密元器件业务板块，公司推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展，主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体元器件、MEMS传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等，广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域，为客户提供高端精密元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。报告期内，公司高功率密度电源模块、高精度模拟芯片成功进入数据中心供应链；石英压力传感器芯体、抗振动高能钽电容等新产品完成客户验证并实现批量供货；超高压陶瓷电容器、电子封装外壳等产品在激光器、医疗设备、5G通信等高端领域份额持续提升，与装备主业形成良好的技术与市场协同。
　　1．半导体装备
　　报告期内，公司半导体装备业务保持稳健发展，营业收入与市场份额持续提升，技术迭代与量产交付能力同步增强。公司持续加大研发投入强度，知识产权布局不断完善，关键工艺技术取得多项阶段性突破，为产品升级、新赛道拓展与市场渗透提供了坚实技术支撑。
　　围绕平台化战略布局，公司稳步推进新产品开发与产业化验证，产品技术与应用端均取得重要进展。报告期内，公司发布新一代12英寸电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备、离子束刻蚀设备、混合键合设备、高端TSV电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新品，核心设备技术指标进一步向国际先进水平看齐；刻蚀、薄膜沉积、热处理等主力设备交付规模持续扩大，在先进逻辑、先进存储、功率半导体等领域的渗透率稳步提升。公司持续深化与芯源微的业务整合，在涂胶显影、湿法工艺等环节强化技术协同与客户联动，半导体装备全工艺链条布局进一步完善，成套解决方案的综合服务能力持续增强。
　　半导体装备行业具有研发周期长、验证导入环节多的特点，当期收入主要来自前期技术与产品投入的转化，当期研发、人才与产能等投入则面向未来市场空间。报告期内，公司围绕先进技术攻坚、人才队伍建设与产能布局持续加大战略性投入，投入增长节奏与行业发展窗口期相匹配，虽对短期盈利水平形成一定阶段性影响，但有助于公司把握行业发展机遇，巩固长期市场地位与核心竞争力。公司将坚持长期发展理念，持续聚焦技术突破与产品能力提升，推动业务规模与经营质量长期向好。
　　（1）刻蚀设备
　　刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备，通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料，形成半导体器件所需的微观结构，直接决定芯片制程精度与良率水平。根据权威机构数据，刻蚀设备在全球集成电路设备资本支出中占比约18.5%，是市场规模最大的单一工艺设备品类之一。
　　公司在刻蚀设备领域已形成覆盖ICP、CCP、高选择性刻蚀、等离子去胶、Bevel刻蚀、离子束刻蚀的全系列产品矩阵，可满足从成熟制程到先进制程的全场景工艺需求。报告期内，公司发布全新一代12英寸高端ICP刻蚀设备，攻克精准偏压控制、射频多态脉冲调控等关键技术，刻蚀均匀性达到埃米级，深宽比可达数百比一，可适配先进逻辑与高阶存储芯片关键工艺需求，目前已完成客户验证并进入量产导入阶段。
　　按照刻蚀机理及应用场景，主要产品品类如下：
　　①ICP刻蚀设备
　　基于电感耦合等离子体技术，通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体，生成高密度等离子体。设备可在低工作气压下实现快速刻蚀，核心优势在于能独立控制离子能量与通量，可精准优化各向异性刻蚀能力，刻蚀深宽比表现优异，适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工。公司ICP刻蚀设备已广泛应用于国内主流晶圆厂产线，报告期内推出的新一代产品进一步突破低损伤、超高均匀性工艺瓶颈，可支撑高阶存储与先进逻辑芯片制程需求，技术性能达到行业先进水平。
　　②CCP刻蚀设备
　　采用平行板电容耦合方式产生等离子体，通过调节射频功率和气体配比，既能实现较高刻蚀速率，又具备宽泛的工艺窗口。其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著，兼容性强，广泛应用于存储芯片的深孔、沟槽结构加工。公司CCP刻蚀设备已适配先进存储高深宽比刻蚀、先进逻辑芯片大马士革工艺等多条工艺路径，工艺均匀性与选择比指标表现优异，在国内头部存储和逻辑厂商产线实现批量稳定供货。
　　③高选择性刻蚀设备
　　通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术实现超高刻蚀选择比。可精准去除目标材料，同时最大限度保护掩膜层及周边非目标结构，是先进逻辑、存储工艺精细结构加工的关键装备。公司高选择性刻蚀设备已应用于先进逻辑与存储芯片关键工艺环节，可满足堆叠层间选择性刻蚀、精细结构释放等高精度加工需求，助力客户提升器件良率。
　　④等离子去胶机
　　通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体，使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化，转化为挥发性产物后被排出，实现无化学污染、高效率的去胶处理，广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。公司等离子去胶机适配多类型光刻胶与全尺寸晶圆，已在国内多条12英寸产线批量配套，设备稳定性与工艺适配性获得客户广泛认可。
　　⑤Bevel刻蚀设备
　　专注于晶圆边缘处理，采用定向等离子体轰击技术消除晶圆边缘缺陷，可有效避免后续互连、封装环节出现互连断裂、漏电等问题，是保障晶圆整体良率的重要配套装备。公司Bevel刻蚀设备已实现12英寸晶圆制造全场景覆盖，报告期内新一代产品进一步优化缺陷控制能力，获得逻辑及存储领域头部客户批量订单，进入量产应用阶段。
　　⑥IBE刻蚀设备（离子束刻蚀设备）
　　基于物理轰击原理产生高能离子束直接刻蚀晶圆表面，刻蚀过程不受化学反应限制，具有极高的刻蚀精度、方向性与均匀性，适用于MEMS器件、光电子器件等高精度加工场景。公司IBE刻蚀设备已在化合物半导体、光电子领域实现批量供货，核心技术指标对标国际同类产品。
　　（2）薄膜沉积设备
　　薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备，与刻蚀设备协同支撑器件结构构建，通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积多层均匀薄膜，形成器件所需的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构，直接影响芯片制造的良率与性能上限。根据权威机构数据，薄膜沉积设备在全球集成电路设备资本支出中占比约22.0%，是半导体制造中价值量最高的单一工艺设备品类之一。
　　公司在薄膜沉积设备领域已形成覆盖物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、外延生长（EPI）、原子层沉积（ALD）、电化学电镀（ECP）及金属有机化学气相沉积（MOCVD）的全系列产品矩阵，可全面适配12英寸、8英寸晶圆制造的多场景工艺需求。报告期内，公司持续推进薄膜沉积设备技术迭代与产品性能升级，新一代12英寸高端PVD设备、管式原子层沉积设备、碳化硅外延设备等产品工艺指标进一步优化，在先进逻辑、高阶存储、第三代半导体等领域的市场渗透率稳步提升；其中12英寸PVD设备累计交付量突破千台，技术成熟度与规模化量产能力得到充分验证。按照沉积原理及应用场景，主要产品品类如下：
　　①PVD
　　基于真空环境下的物理过程实现薄膜沉积，通过溅射等方式将靶材物质剥离并沉积于晶圆表面，具备膜层附着力强、成分可控性好的特点，广泛应用于金属布线、阻挡层、电极层等工艺场景。公司PVD设备已形成12英寸、8英寸全系列产品布局，可覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装等多领域金属化制程需求，多款产品在国内主流晶圆厂实现批量稳定供货，技术性能达到行业先进水平。报告期内，新一代12英寸集成电路金属沉积设备进一步提升颗粒控制与膜层均匀性水平，可适配更高端制程的工艺要求。
　　②CVD
　　通过气态前驱体在晶圆表面发生化学反应生成固态薄膜，具备台阶覆盖性优异、膜厚均匀性好的优势，可沉积多种介质膜与半导体薄膜，是介质层、栅极层等结构的核心制备装备。公司已构建包含等离子体增强CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD（HDPCVD）、低压CVD（LPCVD）、管式CVD（TubeCVD）在内的完整产品体系，可实现氧化硅、氮化硅、多晶硅等多种薄膜的高质量沉积，广泛适配逻辑、存储芯片多类工艺场景，多款核心设备在国内头部产线实现规模化应用。
　　③EPI
　　属于高精度专用沉积设备，可在单晶衬底表面沿晶格取向生长出匹配度一致的单晶外延层，具备缺陷密度低、组分与厚度调控精准的特点，是先进逻辑芯片、功率器件、光电子器件制造的核心装备。公司外延设备已形成硅基外延与化合物半导体外延双线布局，覆盖常压外延、减压选择性外延等多条技术路线，可满足体硅外延、埋层外延、选择性外延等多样化工艺需求。其中公司减压外延设备适配先进逻辑与存储芯片高阶工艺节点需求，在国内市场份额位居前列，已在国内主流晶圆厂实现大规模稳定供货，是产线核心配套的主流外延装备之一。报告期内，公司减压外延设备订单与交付量持续增长，工艺性能与运行稳定性得到客户充分验证；碳化硅、氮化镓、砷化镓外延设备均实现批量供货，产品工艺良率表现优异，进一步完善了公司在第三代半导体领域的装备布局。
　　④ALD
　　基于循环式化学吸附原理实现原子级精度的薄膜生长，通过前驱体交替通入与表面反应逐层成膜，厚度控制精度、台阶覆盖能力显著优于传统沉积设备，是先进制程关键薄膜制备的核心支撑。公司已形成介质ALD、金属栅极ALD、管式ALD等多品类产品矩阵，可适配高K介质层、金属栅极、钝化层等先进制程工艺需求。报告期内，新一代管式ALD设备批量交付国内存储厂商，在高深宽比结构薄膜沉积场景表现优异。
　　⑤电镀设备
　　基于电化学沉积原理，通过电场调控使金属离子在晶圆表面还原成膜，具备沉积速率快、高深宽比结构填充能力强的特点，是铜互连、先进封装TSV工艺的核心装备。公司电镀设备覆盖集成电路铜互连、先进封装硅通孔填充等工艺场景，可实现高效无缺陷的结构填充。报告期内，高端TSV电镀设备实现规模化供货，产品工艺适配性与运行稳定性持续提升，可满足先进封装与三维集成领域的高端工艺需求。
　　（3）热处理设备
　　热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备，通过精准控温与气氛调控，优化晶圆材料的晶体结构与电学性能，修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤，同时实现杂质激活、薄膜致密化、应力释放等工艺目标，是保障器件电学稳定性与良率的重要支撑。根据权威机构数据，热处理设备在全球集成电路设备资本支出中占比约2.2%，是半导体制造产业链中不可或缺的基础工艺装备。
　　公司在热处理设备领域已形成覆盖管式氧化退火、单片快速热处理、湿法氧化、等离子氮化的全系列产品矩阵，可适配12英寸、8英寸主流晶圆尺寸，同时布局碳化硅等第三代半导体专用热处理装备，满足逻辑芯片、存储芯片、功率半导体等多领域工艺需求。报告期内，公司持续推进热处理设备的技术迭代与品类拓展，立式炉累计交付量突破千台，技术成熟度与规模化配套能力得到充分验证；新一代单片快速热处理设备、碳化硅高温热处理设备市场渗透率稳步提升，工艺性能获得客户广泛认可。按照处理模式与应用场景，主要产品品类如下：
　　①管式氧化设备
　　通过高温环境下的氧化反应在晶圆表面生长氧化膜，采用批量处理模式，可精准调控氧化膜厚度、致密性与均匀性，具备处理效率高、膜层结合力强的特点，是栅氧化层、场氧化层、钝化层生长的核心装备。公司管式氧化设备涵盖中高温氧化、水汽氧化等多种技术路线，12英寸立式中高温氧化退火炉具备优异的膜厚均匀性与缺陷控制能力，可有效提升器件电学稳定性，已成为国内主流晶圆产线的主流配套装备。
　　②管式退火设备
　　在惰性或还原性氛围下完成高温退火流程，可修复离子注入后的晶格损伤、激活掺杂杂质，同时实现薄膜致密化、金属硅化物形成等工艺目标，具备处理量大、工艺稳定性好的优势。公司管式退火设备覆盖低温合金退火、高温退火等多类场景，其中12英寸立式低温合金退火炉可精准调控欧姆接触电阻，助力降低芯片功耗，已在逻辑与存储产线实现批量稳定应用。
　　③单片快速热处理设备（RTP）
　　针对先进制程的低热预算需求研发，采用单片式处理模式，通过极速升降温在极短时间内完成退火，可有效抑制杂质扩散、避免图形变形，是高精度杂质激活、浅结退火的关键装备。公司单片快速热处理设备具备加热速度快、温度均匀性高的特点，可满足先进逻辑与存储芯片的严苛工艺要求；同时布局单片减压原位湿法氧化、等离子氮化等特色工艺设备，可实现低缺陷氧化物生长与栅极氮化工艺，进一步丰富了高端热处理产品矩阵。
　　（4）湿法清洗设备
　　湿法清洗设备是晶圆制造全流程的核心辅助装备，通过化学试剂与物理作用结合，去除晶圆表面的颗粒、金属污染物、有机残留与氧化层，为后续工艺提供洁净基底，直接影响芯片整体良率，几乎贯穿晶圆制造所有工艺环节。根据权威机构数据，湿法清洗设备在全球集成电路制造设备资本支出中占比约5.5%，是半导体制造中应用最广泛的工艺装备之一。
　　公司在湿法清洗设备领域已形成单片清洗、槽式清洗、物理清洗的全场景产品布局，可适配12英寸、8英寸晶圆制造的前中后道全工序清洗需求。报告期内，公司持续深化与控股子公司芯源微的业务协同，进一步强化物理刷洗、单片高端清洗的技术能力，完善全品类解决方案；12英寸单片湿法清洗设备在先进逻辑与存储产线渗透率持续提升，槽式设备在功率半导体、衬底材料等领域保持稳定配套优势。按照处理模式与制程适配性，主要产品品类如下：
　　①槽式清洗设备
　　采用批量浸泡式处理模式，通过化学试剂配合加热、溢流功能完成清洗，具备处理效率高、运行成本低的特点，适配成熟制程与通用清洗需求。公司槽式湿法设备采用模块化、标准化设计，可集成多功能药液槽，精准控制刻蚀速率，适配集成电路、功率半导体、衬底材料等多领域12英寸、8英寸清洗工艺，已实现批量稳定供货。
　　②单片清洗设备
　　采用单片式精准喷淋处理模式，配合晶圆高速旋转实现污染物定向剥离，可避免交叉污染，洁净度与均匀性更优，是12英寸先进工艺产线的主流清洗装备。公司12英寸单片湿法清洗设备采用堆叠式架构与多片式传输系统，占地小、产能高，搭载高精度干燥技术与颗粒去除模块，可满足平面结构与三维高深宽比结构的清洗需求，已在国内头部晶圆厂产线批量应用。
　　③物理清洗设备
　　以柔性物理刷洗为核心，搭配化学试剂或超纯水喷淋，针对性去除大尺寸顽固颗粒与附着污染物，是沉积、光刻、铜制程后关键工序的配套装备。公司物理清洗设备搭载自研低损伤雾化清洗喷嘴与耐压控制系统，可在不损伤晶圆结构的前提下实现高效杂质去除，报告期内产品工艺性能持续优化，适配更高制程的客户需求。
　　（5）离子注入设备
　　离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路与功率器件制造中形成PN结、调控器件性能的核心装备。其通过离子源生成目标离子并加速至预设能量，精准注入半导体材料表层，实现掺杂浓度与结深的定量控制，直接决定器件的开关特性、耐压能力与可靠性。根据权威机构数据，离子注入设备在全球集成电路设备资本支出中占比约2.0%，同时也是第三代半导体器件制造的关键装备。
　　公司在离子注入设备领域已形成覆盖硅基高端浸没式注入、通用中低能注入、碳化硅化合物半导体注入的全品类产品矩阵，可适配12英寸逻辑、存储芯片及第三代半导体器件的多样化掺杂工艺需求。报告期内，公司离子注入设备产业化进程持续加快，浸没式离子注入设备在国内主流晶圆厂渗透率稳步提升；碳化硅离子注入设备取得重要技术与商业化突破，已实现客户端批量出货并进入稳定量产阶段，可满足高压碳化硅功率器件的严苛掺杂工艺要求，工艺性能与良率表现获得客户充分验证，进一步强化了公司在第三代半导体装备领域的综合布局。按照应用场景与技术路线，主要产品品类如下：
　　①浸没式离子注入设备
　　面向高剂量、低能量的硅基先进制程掺杂需求，可实现CMOS器件掺杂、超浅结掺杂、加氢钝化、SOI工艺等高精度注入场景，是先进逻辑与存储芯片制造的核心配套装备。公司浸没式离子注入设备具备优异的剂量均匀性与低能量注入稳定性，可有效提升器件电学性能一致性，报告期内订单与交付量稳步增长。
　　②中束流离子注入设备
　　覆盖硼、磷、砷等主流掺杂元素的中低能注入工艺，可精准控制注入剂量与角度，独立调控掺杂浓度与结深，适配成熟制程逻辑芯片、功率半导体等多领域掺杂需求。公司12英寸中束流离子注入设备工艺适配性强、运行稳定性高，已在国内客户端实现稳定配套。
　　③碳化硅离子注入设备
　　针对碳化硅等第三代半导体材料的特殊掺杂需求研发，通过宽能量范围、多角度的离子注入实现碳化硅衬底的精准掺杂，是碳化硅功率器件制造的关键工艺装备。公司碳化硅离子注入设备可实现多元素均匀注入，有效保障器件耐压能力与良率水平，报告期内已在国内主流碳化硅器件厂商实现供货，产品技术成熟度与工艺适配性得到量产验证。
　　（6）涂胶显影设备
　　涂胶显影设备是光刻工序的核心配套装备，与光刻机协同作业，完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等全流程处理，直接影响光刻工艺的图形转移精度与良率，是集成电路制造中不可或缺的关键设备。根据权威机构数据，涂胶显影设备在全球集成电路制造设备资本支出中占比约2.8%，是光刻工艺链条的重要组成部分。
　　公司控股子公司芯源微是国内技术领先的前道涂胶显影设备供应商之一，产品覆盖前道制程、后道先进封装、化合物半导体等全场景，可适配12英寸、8英寸及小尺寸晶圆的多样化工艺需求。报告期内，公司持续深化与芯源微的技术协同与客户联动，前道涂胶显影设备在先进制程产线持续上量，先进封装类产品订单稳步增长，产品矩阵与市场覆盖进一步完善。按照应用场景，主要产品品类如下：
　　①前道涂胶显影设备
　　适配前道ArF浸没式、KrF等光刻工艺，可兼容底部抗反射涂层、旋涂碳、负显影等复杂工艺，是前道光刻工序的核心配套装备。公司前道涂胶显影设备采用对称分布高产能架构，搭载自主研发的高速高精度传输机构与高精度热盘技术，颗粒控制能力优异，可匹配主流光刻机的产能需求，已在国内多条12英寸产线批量应用。
　　②后道先进封装涂胶显影设备
　　面向BGA、倒装芯片、WLCSP、2.5D/3D封装等先进封装场景，可实现高粘度光刻胶、PI胶涂覆与显影，适配超厚胶、超薄晶圆、翘曲片等特殊加工需求。公司先进封装涂胶显影设备具备渐进式温度控制能力，可满足超厚胶涂覆与高精度显影工艺要求，已在国内主流封装厂商实现稳定配套。
　　（7）键合设备
　　键合设备是实现三维集成与异质封装的核心装备，通过高精度对准与键合工艺实现芯片间、晶圆间的互连，是突破摩尔定律限制、支撑Chiplet、HBM等先进架构的战略性技术，其中混合键合可实现百纳米级精度的直接铜铜互连，代表了高端封装装备的技术前沿。根据权威机构数据，键合设备全球市场规模稳步增长，是先进封装产业链中价值量提升最快的装备品类之一。
　　公司在键合设备领域已形成覆盖混合键合、临时键合、解键合的全品类产品布局，可满足晶圆级三维集成、Chiplet异质集成、先进封装等多场景工艺需求。报告期内，公司发布12英寸晶圆对晶圆（WTW）、芯片对晶圆（DTW）两款混合键合设备，其中芯片对晶圆混合键合设备已实现产业化应用，标志着公司在高端三维集成装备领域取得重要突破；临时键合与解键合设备已在国内多条产线批量配套，工艺稳定性获得客户认可。按照技术路线与功能，主要产品品类如下：
　　①混合键合设备
　　通过晶圆/芯片表面活化、高精度对准、低温键合等工艺实现铜铜与介质的直接互连，具备互连密度高、传输损耗低的优势，是HBM、高端Chiplet、图像传感器等领域的核心装备。公司混合键合设备覆盖晶圆对晶圆、芯片对晶圆两大技术路线，可满足晶圆级三维集成、异质芯片集成等多样化场景，报告期内产品已完成客户端验证并取得批量订单。
　　②临时键合与解键合设备
　　主要用于三维集成、晶圆减薄过程中超薄晶圆的支撑保护，以及减薄后的无应力分离，是先进封装制程的重要配套装备。公司临时键合设备具备优异的胶层均匀性与厚度控制能力，集成高精视觉校准系统；解键合设备采用无应力分离技术，工艺稳定性高，可适配2.5D/3D封装、晶圆减薄等多类场景，已实现批量稳定供货。
　　2．真空新能源装备
　　报告期内，光伏行业仍处于周期调整阶段，下游扩产需求整体偏弱，行业竞争持续加剧。公司依托真空技术领域数十年的深厚积累与同源技术优势，持续推进业务结构优化升级，加快向半导体材料专用装备、氢能装备、锂电高端装备、高端光学镀膜、面板级封装装备等高景气赛道拓展，多元化布局成效逐步显现，有效对冲光伏行业周期波动带来的影响。报告期内，公司完成对成都国泰真空的深度业务整合，高端光学镀膜设备市场拓展稳步推进；聚焦面板级封装新兴赛道推出系列专用工艺设备，实现关键技术突破，为板块增长注入新动能；半导体材料、氢能、锂电等赛道产品的客户验证与订单落地持续取得进展，多赛道协同发展的业务格局进一步巩固。
　　（1）晶体生长设备
　　晶体生长设备是制备高纯度单晶材料的核心装备，通过在严格控温、控压及气氛环境下调控晶体生长过程，获得结构完整、低缺陷密度的单晶材料，是集成电路、功率半导体、新能源光伏等产业的上游关键支撑，目前正向大尺寸、自动化、低能耗方向持续迭代。公司已形成碳化硅长晶、单晶硅生长等全系列产品矩阵，覆盖多条主流技术路线，可适配多尺寸晶体生长需求。报告期内，公司持续优化碳化硅长晶设备的热场设计与工艺控制能力，晶体生长良率与效率稳步提升，产品在国内主流碳化硅材料厂商保持稳定配套。按照技术路线与应用场景，主要产品品类如下：
　　①碳化硅长晶设备
　　针对第三代半导体碳化硅晶体生长需求研发，涵盖电阻式、感应式、液相法等多条技术路线，可满足6/8英寸导电型与半绝缘型碳化硅晶体的生长需求，核心在于精准调控温度梯度与杂质浓度，保障晶体低缺陷、高良率。公司碳化硅长晶设备具备高精度控温控压能力，工艺稳定性与一致性表现优异，其中液相法长晶设备兼具生长速率快、能耗低、维护便利的特点，可助力客户降低综合运营成本。
　　②单晶硅生长设备
　　主要面向光伏领域单晶硅制备需求，采用直拉法工艺实现大尺寸单晶硅锭生长。公司单晶硅生长设备具备大投料量、高拉速、低能耗、自动化程度高的特点，可支持全自动并行工艺处理，适配主流大尺寸硅片的规模化生产需求。
　　（2）真空热工设备
　　真空热工设备是在真空或气氛保护环境下完成材料热处理、烧结、钎焊、成型等工艺的特种工业装备，可有效避免氧化污染，精准调控材料组织结构与性能，广泛应用于半导体核心零部件、航空航天、新材料、精密制造等领域。公司已构建覆盖热压烧结、高温石墨化、真空钎焊、精密成型的完整产品体系，可满足多领域高端真空热工工艺需求。报告期内，公司持续深化半导体配套领域的产品拓展，相关设备在半导体核心零部件供应链的渗透率稳步提升。按照功能与应用场景，主要产品品类如下：
　　①真空烧结与热处理设备
　　涵盖热压烧结炉、连续高温石墨化炉等产品，通过高温真空环境实现材料的致密化烧结与热处理，可适配高纯靶材、先进陶瓷、碳碳/碳陶复合材料等多类材料加工。公司热压烧结炉搭载自研加压控制系统，压力控制精度高，最高工艺温度可达2200℃，温度均匀性优异；连续高温石墨化炉采用多腔室串联设计，可实现连续化生产，自动化程度与产品一致性表现突出，最高工艺温度可达2400℃。
　　②真空钎焊与精密成型设备
　　涵盖真空钎焊炉、槽沉炉等产品，面向半导体核心零部件、精密器件的焊接与二次成型需求。公司真空钎焊炉采用分区功率控制与温度补偿技术，温度均匀性控制精度高，可保障铝及铝合金材料的高质量焊接，广泛应用于半导体核心零部件加工；槽沉炉用于石英锭的真空旋转加压槽沉成型，可有效减少气泡、条纹缺陷，适配半导体石英核心零部件的制备需求。
　　（3）新能源光伏设备
　　光伏电池制造装备是光伏产业链的核心支撑，涵盖扩散、沉积、退火等核心工序，伴随电池技术迭代持续向大尺寸、高产能、低能耗方向升级。公司深耕光伏电池工艺装备领域，已形成覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层等多技术路线的完整产品体系，可提供全工序专业解决方案。报告期内，受行业周期调整影响，光伏设备需求整体偏弱，公司持续优化产品性能与成本控制，同时加快海外市场布局，保障业务基本盘稳定。按照工艺类型，主要产品品类如下：
　　①管式沉积与扩散退火设备
　　涵盖低压化学气相沉积（LPCVD）、低压扩散、退火等核心设备，是光伏电池掺杂与薄膜制备的基础装备。公司管式设备已实现大尺寸、多管型全系列覆盖，可适配182mm及以上大尺寸硅片，其中LPCVD设备可完成隧穿氧化层、多晶硅层等膜层制备，单机产能处于行业前列，全面覆盖TOPCon、XBC主流技术路线；扩散退火设备可满足硼/磷掺杂、氧化、退火等多类工艺需求。
　　②等离子体沉积与原子层沉积设备
　　涵盖等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）设备，用于电池减反钝化层、钝化层等关键膜层制备。公司PECVD设备覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层等多类电池技术路线，具备高转换效率、高产能的特点；ALD设备采用多管式结构与双倍舟技术，舟槽利用率大幅提升，可高效完成氧化铝钝化层制备，适配TOPCon、XBC电池工艺需求。
　　（4）新能源锂电设备
　　锂电高端制造装备聚焦新型电池材料与结构的制备需求，其中复合集流体镀膜设备通过真空镀膜技术在高分子柔性基材表面沉积纳米级金属层，制备“三明治”结构的新型集流体，可提升电池能量密度与安全性，是锂电新型材料制造的关键装备。公司已布局卷对卷真空镀膜系列产品，适配锂电复合集流体、柔性电子等多领域镀膜需求。报告期内，公司持续优化卷绕镀膜工艺技术，产品在头部锂电材料厂商的验证与导入稳步推进。
　　①卷绕式真空镀膜设备
　　涵盖磁控溅射卷绕镀膜、卷绕式蒸发镀膜两类核心产品，基于柔性基材的连续真空镀膜技术，可在PET、PI等高分子薄膜表面实现高精度金属层沉积。公司卷绕式真空镀膜设备具备能耗低、稳定性好、产能高的特点，不仅可用于锂电电极集流体、固态电解质界面缓冲层制备，也可适配柔性电子电路、光学薄膜等多领域应用。
　　（5）氢燃料电池装备
　　氢能装备聚焦氢燃料电池核心部件制造，其中金属双极板镀膜设备通过精密表面镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性与耐久性，是氢燃料电池产业化的核心配套装备。公司自主研发的双极板镀膜设备搭载多项自研核心技术，涂层性能与成本控制表现均衡，可支撑燃料电池规模化量产需求。报告期内，氢能装备业务持续拓展客户资源，产品应用验证有序推进。
　　①金属双极板镀膜设备
　　采用阴极电弧复合磁控溅射技术路线，搭载自研气体离子刻蚀辅助沉积技术、第四代阴极电弧技术与专属涂层工艺，可在金属双极板表面制备高性能防护导电涂层。设备在提升涂层综合性能的同时可有效降低生产成本，为氢燃料电池产业化提供设备支撑。
　　（6）面板级封装专用装备
　　面板级封装（PLP）是下一代先进封装的重要技术路线，凭借更高的面积利用率与单位产出优势，在高算力需求与先进封装升级驱动下进入快速发展阶段；该技术对大尺寸基板的传输控制、工艺均匀性、颗粒控制提出了更高要求。公司依托真空工艺积淀与晶圆级封装量产经验，突破大基板传输、流场调控、等离子体控制、精密热场控制等核心技术，报告期内正式推出面板级封装系列专用工艺设备，覆盖核心工序环节，有望成为板块新的业务增长点。按照工艺功能，主要产品品类如下：
　　①面板级封装PVD设备
　　专用于板级封装TGV、RDL工艺的粘附层、种子层等金属薄膜沉积，可支持310mm×310mm、510mm×515mm、600mm×600mm等规格的基板。该设备采用自主设计的大产能集群式cluster架构，基于成熟的大翘曲基板传输系统控制，最多可同时挂载10个腔室，在实现高集成度的同时显著优化空间占用。针对不同工艺路线，设备可灵活挂载PVD、Degas、Preclean、Flipper等多种腔室，满足多样化的镀膜需求。优异的磁场控制方案可实现超高靶材利用率，有效降低耗材成本，同时高沉积效率使单台设备产能得到大幅提高。
　　②面板级封装Descum设备
　　主要用于面板级封装的等离子体去胶、残留物去除、表面改性等干法工艺，可支持310mm×310mm、510mm×515mm、600mm×600mm等规格的基板。设备搭载主动降温系统，可将基板温度稳定控制在75℃以内，适配PI、PR、ABF等材料的低温工艺需求；基于动态电极间距调节技术，可实时优化等离子体分布，保障大面板去胶效果的均匀性，拓宽工艺窗口的同时提升单位产出效率。
　　③面板级封装PIQ设备
　　主要用于面板级封装PI胶固化工艺，可支持310mm×310mm、510mm×515mm规格的基板。设备采用立式大管径炉体加热技术，温度均匀性高，从源头保障PI固化质量；搭载自主研发的控氧与颗粒控制技术，可将系统氧含量控制在10ppm以下，颗粒控制达到晶圆级水平，可有效防止PI氧化、保障膜层性能，支撑更小线宽的精密封装工艺需求。
　　（7）光学镀膜设备
　　光学镀膜设备是高端光学元器件与光电子器件制造的关键工艺，随着光通信、车载光学、激光装备、医疗光学、AR/VR等下游领域快速发展，对膜层控制精度、批次一致性、大尺寸基板适配能力的要求持续提升。公司依托数十年真空镀膜技术积淀，结合对成都国泰真空的深度业务整合，已构建覆盖电子束蒸发、反应磁控溅射等主流技术路线的系列光学镀膜装备矩阵，可满足从高端精密光学到常规工业镀膜的差异化场景需求。报告期内，高端光学镀膜设备市场拓展
　　稳步推进，产品工艺性能与配套服务能力持续优化，进一步拓宽了公司真空装备业务的应用边界与增长空间。按照技术路线与应用定位，主要产品品类如下：
　　①电子束蒸发光学镀膜设备
　　光学电子束蒸发镀膜机是高端光学元器件制造的核心装备，其性能直接决定紫外光学、可见光及红外器件的膜层质量与光学表现。公司依托长期真空镀膜技术积淀与自主研发经验，突破了高稳定性电子束蒸发源、射频离子源辅助沉积、光学膜厚在线监控等核心技术，推出覆盖紫外、可见光及红外全波段应用的光学电子束蒸发镀膜系列设备，可稳定支持增透膜、高反膜、分光膜、窄带滤光片及截止滤光片等复杂膜系制备；设备在膜厚控制精度与批次一致性方面表现突出，镀膜均匀性稳定，广泛应用于光通信、车载光学、激光、医疗及AR/VR等前沿领域。
　　②单体反应磁控溅射设备
　　单体磁控溅射镀膜设备（后反应）是面向中低端市场推出的高性价比镀膜解决方案，主要应用于装饰膜层及常规增透膜等光学薄膜制备领域。依托成熟的磁控溅射技术平台与后反应工艺控制经验，突破了均匀磁场设计、靶材冷却与气体流量精密调控等核心技术，推出该系列单体磁控溅射设备；设备采用自主设计的紧凑型腔室结构，操作维护简便，在保证基础镀膜性能的同时有效降低了客户的一次性投入与运行成本，可稳定支持金属膜、氮化物膜、氧化物膜及常规增透膜系制备，已在家居五金、车载、光学镜片等行业获得批量应用。
　　3．精密元器件
　　报告期内，公司精密元器件业务保持稳健运行，持续聚焦高端化、高可靠方向推进技术研发与产品结构升级，重点拓展半导体装备配套、AI算力、高端工业等应用场景，业务布局与市场适配能力持续优化。受行业竞争及下游价格传导等因素影响，板块盈利水平呈现一定的下降趋势，公司通过高附加值产品拓展、工艺效率提升与成本管控持续推进改善。
　　公司已构建覆盖模拟芯片与存储器件、电源模块、精密阻容感元件、石英元器件与传感器及高性能磁性材料的全品类产品体系，可满足多领域高端精密配套需求。报告期内，适配人工智能与数据中心场景的高功率密度负载点电源、高频时频器件市场拓展稳步推进，产品批量供货规模持续扩大；模拟信号链产品矩阵持续丰富，石英压力传感器、超高压陶瓷电容器等产品进一步深化与半导体装备主业的协同配套；抗振动高能钽电容、电子封装外壳等高可靠产品保持稳定市场份额，多项新工艺、新产品的产业化验证有序落地。
　　依托半导体领域的技术同源与产业协同优势，公司将持续推动精密元器件向小型化、集成化、高精密方向升级，不断提升高附加值产品占比，夯实业务长期可持续发展基础。

　　二、核心竞争力分析
　　公司立足半导体基础产品领域，依托多年产业积淀构建了体制托底、平台筑墙、技术攻坚、人才聚能、生态协同、质量筑基的体系化竞争壁垒。公司的竞争力体现为多维度能力的复合叠加与正向循环，是长期主义战略与市场化经营机制共同作用的结果。
　　1．国资背景与市场化机制融合的体制优势
　　公司作为国有控股的半导体装备骨干企业，深度契合国家集成电路产业自主可控的战略方向，具备突出的资源整合能力与战略支撑优势。半导体装备行业具有研发周期长、资本投入大、技术壁垒高的产业特征，国资背景为公司持续开展长周期、高强度的核心技术攻关与产业布局提供了坚实的战略定力与抗风险能力，能够更好地承载产业战略使命，稳定把握行业发展窗口期。
　　与此同时，公司作为国务院国资委“双百行动”综合性国企改革试点企业，历经多轮国企改革持续完善市场化经营机制，全面落地多期股权激励计划、全级次职业经理人制度、工资总额备案制、董事会授权经营等改革举措，建立了与市场全面接轨的薪酬激励、人才选聘与决策运行体系。这种“国有背景+市场化机制”的独特体制，既保障了长期主义的研发投入与战略布局，又充分激发了组织与人才的创新活力，与半导体装备行业“重投入、长周期、强人才依赖”的属性高度适配，构成了公司可持续发展的制度保障。
　　2．全工艺链条的平台化布局与协同能力
　　平台化是公司的核心特征，也是区别于单一品类设备厂商的壁垒。公司构建了覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工序的半导体装备全品类矩阵，可提供集成电路前道多工序成套解决方案。
　　这种平台化布局具备三重价值：一是客户端价值，一站式满足客户多工序装备采购需求，降低多供应商管理成本，通过工序间工艺协同助力客户提升良率与调试效率，显著增强客户粘性；二是技术端协同，高压真空、等离子体控制、精密温控等底层技术跨品类复用，大幅提升新产品研发效率，支撑公司快速切入面板级封装、第三代半导体等新兴赛道；三是抗周期能力，多赛道、多应用领域的布局可对冲单一行业的周期波动，如报告期内面板级封装装备、半导体材料装备的拓展，持续对冲光伏行业调整的影响。报告期内，公司深化与芯源微、国泰真空的业务整合，平台化布局的完整性与协同效应持续增强。
　　3．体系化研发与快速产业化能力
　　半导体装备的竞争本质是技术迭代速度与产业化能力的竞争。公司建立了从基础技术研究、产品开发到客户工艺验证的全链条研发体系，持续高强度的研发投入与高效的成果转化能力，支撑公司产品矩阵持续拓展、技术水平稳步向国际先进水平迈进。
　　报告期内，公司持续加大研发投入，知识产权布局不断完善，专利数量与质量位居国内半导体装备行业前列。技术成果产业化节奏持续加快：刻蚀、PVD、立式炉等主力设备技术持续迭代，已实现千台级量产应用；新一代CCP刻蚀设备、高端TSV电镀设备、混合键合设备、碳化硅离子注入设备等高端产品相继突破并落地客户验证，快速填补国内空白。相较于单点技术突破，公司的研发优势更体现为体系化的持续输出能力，可支撑多品类、多技术路线并行攻坚，是平台化战略落地的核心支撑。
　　4．区位赋能的人才梯队与产业生态协同
　　半导体装备是典型的跨学科人才密集型产业，人才供给与产业生态是行业发展的基础。公司地处北京，区域内集聚了国内顶尖高等院校与国家级科研院所，高端人才储备与基础科研资源丰厚，为公司持续引进半导体工艺、机械设计、精密控制、软件算法、等离子体物理等跨学科高端人才提供了得天独厚的区位条件，也为深度开展产学研协同创新、攻坚基础核心技术奠定了坚实基础。
　　公司坐落于北京经济技术开发区，区域内汇聚了集成电路制造、新型显示、高端汽车电子等领域的头部企业与核心供应链资源，形成了上下游联动的完整产业集聚生态。依托产业集群优势，公司可就近开展客户协同研发、工艺验证与快速响应服务，同时联动上下游伙伴推进核心零部件国产化与工艺协同优化，产业集聚的协同效应持续释放。
　　在内生人才建设方面，公司构建了规模领先、结构完备的研发与工程技术团队，建立了技术、管理、智能制造等多通道职业发展体系，配套多层次激励机制，充分激发人才创新活力，形成了“外部区位引才、内部培养留才、产业生态聚才”的良性人才生态，为技术持续突破与业务规模扩张提供动能。
　　5．规模化制造与交付保障能力
　　半导体装备行业中，样机研发与规模化稳定交付之间存在显著壁垒，千台级的量产交付经验是设备企业综合实力的核心体现。公司构建了覆盖供应链管控、精密制造、整机调试、出厂验证的全流程量产体系，设备的一致性、稳定性与可靠性得到大规模量产验证。
　　截至报告期末，公司刻蚀、物理气相沉积、立式炉三类设备累计交付数千台，标志着公司在产品设计、供应链管理、生产制造、质量控制等环节已形成成熟的规模化能力，可快速响应客户集中扩产需求。在国产替代加速的行业窗口期，规模化交付能力是抢占市场份额的关键要素，公司凭借成熟的量产体系与交付保障能力，可快速将技术优势转化为市场优势，支撑业务规模持续扩张。
　　6．全生命周期服务与全流程质量管控体系
　　半导体装备的价值不仅在于设备本身，更在于长期稳定的运行保障与工艺支持。公司秉持“以客户为中心”的核心价值观，构建了覆盖售前工艺开发、售中定制适配、售后运维升级的全生命周期服务体系，通过本地化服务网络与快速响应机制，深度参与客户产线建设与工艺迭代过程。
　　同时，公司将质量视为品牌基石，秉持“成就客户、以质取胜”的质量方针，构建了贯穿研发、供应链、制造、服务全价值链的一体化质量管理体系，通过全流程穿透式管控保障产品的可靠性与一致性。千台级设备的稳定量产运行，充分验证了公司质量体系的有效性，也逐步打破市场对国产设备“稳定性不足”的认知偏见。深度的客户绑定与过硬的产品质量形成正向循环，使公司与下游核心客户形成了共生共荣的产业生态，为业务长期稳定发展筑牢了市场根基。

　　三、公司面临的风险和应对措施
　　1．市场竞争加剧风险
　　当前半导体装备国产替代进入深化阶段，成熟制程设备同质化竞争态势持续，产品价格存在下行压力；同时，先进制程、新兴赛道的技术攻关与市场拓展仍需持续高强度的战略性投入，相关业务盈利修复节奏存在不确定性，公司整体盈利水平存在阶段性承压的可能。
　　应对措施：一是深化产品结构升级，聚焦先进逻辑、存储、先进封装等高附加值赛道，持续提升高端产品占比，依托成套解决方案强化客户粘性与产品溢价能力；二是发挥平台化规模效应，通过跨业务供应链协同采购、制造工艺优化、全流程精益管理持续降本增效，同时合理管控研发投入节奏与方向，聚焦核心赛道攻坚，提升资源使用效率；三是加快面板级封装、半导体材料装备、高端光学等新赛道的市场拓展与订单落地，拓宽盈利来源，对冲单一行业周期波动的影响。
　　2．技术迭代与工艺适配不及预期风险
　　半导体行业技术迭代持续加速，AI算力需求推动先进制程、三维堆叠、先进封装等工艺快速演进，第三代半导体、面板级封装等新兴赛道技术路线持续迭代，对设备的精度、一致性、工艺适配性提出了更高要求。若公司核心技术攻关进度滞后，或对新兴技术路线判断出现偏差，可能导致产品竞争力下降，影响市场份额的持续提升。
　　应对措施：一是持续保持高强度研发投入，完善从基础研究到产业化落地的全链条研发体系，聚焦刻蚀、薄膜沉积等核心设备的技术迭代，加快先进逻辑、存储产品的客户验证与量产节奏；二是深化产学研协同，依托北京地区科研资源优势，联合顶尖高校与科研院所提前布局下一代工艺与前沿装备技术，精准把握行业技术趋势；三是深化与下游核心客户的工艺协同，联合开展技术攻关与产线验证，确保产品技术路线与下游需求高度适配，提升技术成果转化效率。
　　3．高端复合型人才竞争与流失风险
　　半导体装备行业人才竞争持续加剧，跨学科复合型高端人才、先进封装与化合物半导体等新兴赛道专业人才缺口依然突出，行业内人才流动趋于活跃。若公司不能持续保持人才吸引力，核心技术与管理团队出现流失，或高端人才引进、培养进度不及预期，可能影响技术攻关与业务拓展节奏。
　　应对措施：一是持续完善市场化激励机制，依托国企改革制度优势，优化股权激励、薪酬福利体系，拓宽技术、管理、智能制造等多通道职业发展路径，充分激发人才活力与创造力；二是依托北京区位人才资源优势，深化校企合作与产学研联合培养，拓宽高端人才引进渠道，加快新兴赛道专业人才储备；三是完善内部人才培养体系，强化跨部门、跨业务的人才交流与能力培养，打造复合型人才队伍，保障多业务并行拓展的人才需求。
　　4．供应链安全风险
　　报告期内行业需求保持旺盛，公司在手订单饱满，若部分核心零部件供应商产能扩张不及预期、关键物料出现供应延迟，可能存在交付节奏不及预期的风险。
　　应对措施：一是持续推进核心零部件国产化替代，深化与国内优质供应商的协同攻关，加快高端零部件的工艺验证与量产导入，持续提升关键部件自制率与本土化配套率；二是优化供应链布局，构建多元化、多区域的供应体系，完善关键零部件安全库存与应急保障机制，提升供应链整体抗风险能力；三是加快制造能力升级，通过精益生产、工艺优化、人员扩招等方式提升整机交付与调试能力，保障订单按期交付。
　　5．业务整合与新赛道拓展不及预期风险
　　报告期内公司持续推进与控股子公司芯源微、国泰真空的深度业务整合，同时加快面板级封装、氢能装备、高端光学镀膜等新赛道布局。若业务整合的技术、市场、供应链协同效应释放不及预期，或新赛道的技术研发、客户验证、市场拓展进度慢于预期，可能对公司长期增长动能造成一定影响。
　　应对措施：一是稳步推进与芯源微、国泰真空在技术研发、市场渠道、供应链管理等方面的深度协同，优化业务布局与资源配置，充分释放平台化整合效应；二是坚持审慎有序的新赛道拓展策略，聚焦核心工艺场景与头部客户，分步推进技术验证与产业化落地，合理控制拓展节奏与投入强度；三是建立新业务专项管控机制，动态评估市场环境与项目进展，及时优化调整业务策略，保障新业务高质量、可持续发展。 收起▲

　　一、报告期内公司从事的主要业务　　公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备；电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。　　在半导体装备业务板块，公司的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备，广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势，以产品迭代升级和成套解... 查看全部▼

　　一、报告期内公司从事的主要业务
　　公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备；电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。公司始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。
　　在半导体装备业务板块，公司的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备，广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势，以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。
　　在真空新能源装备业务板块，公司深耕高压、高温、高真空技术，主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等，广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域，为新材料、新工艺、新能源等领域的绿色制造提供技术支持。
　　在精密元器件业务板块，公司推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展，主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等，广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域，为客户提供高端精密元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。
　　二、报告期内公司所处行业情况
　　（一）半导体装备业务板块
　　2025年全球半导体市场实现结构性突破，行业规模创历史新高，据权威机构初步统计，全球半导体市场规模达7930亿美元，同比增长21%。行业已逐步脱离传统消费电子主导的周期波动模式，形成以人工智能（AI）算力需求为核心，汽车电子化、工业智能化、能源革命等多领域协同驱动的增长格局，抗周期属性显著增强，为上游半导体设备产业提供了坚实的需求支撑。
　　AI产业的快速渗透是市场增长的核心引擎，AI相关半导体器件需求呈爆发式增长，其中高带宽内存（HBM）、AI处理器等产品营收增幅显著，直接拉动存储芯片进入量价齐升的发展周期。2025年，全球存储芯片市场迎来前所未有的景气上行周期，自2024年底启动的价格复苏，于2025年逐步演变为全行业的“超级周期”，DRAM和NAND Flash价格持续上涨，库存水平降至历史低位，产能利用率接近满载。这场由人工智能驱动的行业景气度提升，不仅重塑了传统的供需格局，也加速了技术创新和产业竞争格局的演变。同时，全球供应链区域化布局调整，叠加下游产能扩张需求，强化了半导体产业的增长韧性，为国产半导体设备产业带来历史性发展机遇。
　　亚太地区与美洲成为全球半导体市场增长的核心板块，两大区域合计贡献超七成市场增量。其中亚太地区凭借完善的制造体系与产能优势，稳居全球半导体制造核心地位；中国大陆作为亚太市场的重要增长极，依托本土产业链升级与产能扩张需求，持续释放市场潜力，成为全球半导体设备需求的核心策源地之一，为本土设备产业的技术迭代与市场拓展提供了广阔空间。
　　在行业发展的推动下，2025年全球半导体制造设备市场同步实现高速增长，据公开数据显示，全年设备总销售额达1330亿美元，同比增长13.7%，创历史峰值。从区域分布看，中国大陆连续多个季度稳居全球最大半导体设备市场，本土晶圆厂在制程扩产与技术升级方面的持续投入，成为驱动设备需求增长的核心力量。行业整体呈现订单兑现加速、景气度向好的特征，国产设备阵营营收均保持较高增幅。
　　1．逻辑芯片制程设备
　　2025年，AI算力需求成为驱动逻辑芯片制程设备增长的核心引擎。其中，面向中国市场的中高端制程需求尤为旺盛，本土晶圆厂的持续扩产进一步放大了设备采购需求。同时，汽车电子、工业控制等领域对逻辑芯片的刚性需求也在稳步释放。从设备类型看，刻蚀、薄膜沉积、热处理等设备是关键品类：刻蚀设备向更高精度、高选择比升级；薄膜沉积设备需满足纳米级膜层均匀性控制，以支撑多重曝光工艺的图形化精度；热处理设备则致力于提升批量处理的稳定性与工艺适配性，减少多工序叠加带来的良率损耗，模块化设计已成为主流趋势。在国产化方面，国内已形成覆盖逻辑电路核心工艺的设备解决方案，核心性能逐步接近国际先进水平。国产设备在新建产线中的渗透率持续提升，凭借工艺优化、更优的性价比与快速的服务响应，形成了显著的本土优势。
　　2．存储芯片制程设备
　　2025年，存储芯片市场进入景气度上行的“超级周期”。HBM凭借高带宽、低延迟特性成为AI服务器核心存储方案，3D NAND堆叠层数持续进阶，DRAM技术迭代推动存储密度与性能同步提升。全球存储厂商加速扩产，产能向HBM及高端3D NAND倾斜，带动全产业链设备需求激增。从设备类型看，高深宽比工艺设备和HBM专用的TSV（硅通孔）设备成为新的增长点。TSV设备涵盖深孔刻蚀、ALD、铜种子层PVD、电镀填充等多个环节，其稳定性直接决定芯片互连可靠性。在国产化方面，国产设备已构建起贯穿存储芯片全制程的设备矩阵，整体国产化率较上年显著提升。公司的刻蚀、CVD、PVD、热处理、湿法清洗、电镀等设备成功适配3D NAND与HBM制造需求，已进入多家头部存储厂商的批量采购清单，成为其核心供应商。
　　3．特色工艺制程设备
　　2025年，在汽车电子化、物联网、功率半导体等下游需求推动下，特色工艺制程产能持续扩张。国内新建晶圆产线聚焦8英寸与12英寸产线，BCD、SOI、CIS、硅基微显等特色工艺成为差异化竞争焦点，带动相关设备需求稳步增长。设备需求以刻蚀、薄膜沉积、湿法清洗、去胶、离子注入及热处理设备为主，对稳定性和量产效率要求较高。例如，清洗设备需适配不同工艺节点的污染物去除，实现低损伤、高洁净度控制；离子注入机以中低能机型为主，适配特色工艺制程掺杂技术；立式炉设备凭借其批量处理能力，成为氧化、扩散、退火等热处理工艺的核心装备。目前，国产设备已成为特色工艺制程领域的主要供应商，在本土晶圆厂扩产中成为核心供给力量，成本与本地化服务优势显著。
　　4．先进封装设备
　　得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的不断提升，以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的强烈需求，先进封装技术迎来关键增长阶段，其中AI与高性能计算、通信与基础设施、汽车电子成为增长主力。2.5D封装通过硅中介层实现水平方向的芯片间高速互联，从而实现HBM和GPU的高带宽互联。3D封装使用TSV等技术，在垂直方向对芯片进行堆叠互联，通过最大化带宽、最小化延迟和面积，实现极致集成与密度。混合键合技术作为下一代高密度集成的关键，多家厂商正推动其大规模量产进程。此过程中，先进封装装备技术也快速迭代，部分前道工艺向封装环节延伸，拉动刻蚀、薄膜沉积、电镀、键合等设备的需求。根据公开信息，2025年全球半导体封装设备销售额64亿美元，同比增长19.6%，2026年和2027年将继续增长9.2%和6.9%，驱动力来自先进封装、异构集成的加速渗透。与此同时，国内设备厂商依托本土产业链的协同优势，已在大部分细分领域实现关键突破。
　　5．化合物半导体设备
　　碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体凭借高频、高压、耐高温特性，在新能源汽车、5G/6G通信、光伏逆变器、Micro LED等领域加速替代硅基半导体，市场规模快速增长，2025年SiC晶圆制造设备市场规模超44亿美元，GaN外延设备市场同比增长25%，技术路线向大尺寸、高质量外延层方向迭代。设备方面，核心设备包括外延生长、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等设备，需适配化合物半导体材料的特殊物理化学特性。外延生长设备需精准控制外延层厚度与纯度，降低缺陷密度；刻蚀设备需实现高选择性刻蚀，避免材料损伤；薄膜沉积设备则要满足异质结构的界面兼容性要求，保障器件性能稳定性。从国产设备进展看，依托硅基半导体设备及LED设备的技术沉淀，国产设备在化合物半导体专用设备领域快速突破。通过产学研协同，国产化率已经较高，支撑国内化合物半导体产业规模化发展。
　　6．新兴领域设备
　　量子芯片、光电集成等新兴技术快速兴起，成为半导体设备新的增长极。其中，量子芯片聚焦超高精度制程探索，光电集成推动光电子与微电子器件异构融合，开始进入技术研发与小批量验证阶段。设备需求方面，新兴领域需求呈现定制化、高精度特征，量子芯片制造需高精度刻蚀、高真空镀膜设备，实现单原子级工艺控制；光电集成设备需适配异质材料键合与图形化需求；AI赋能的智能化设备成为研发重点。国产化方面，国产设备厂商积极布局新兴领域设备研发，部分应用设备已实现落地，部分核心技术取得突破，为后续产业化奠定基础，产学研协同成为技术迭代的核心动力。
　　7．半导体设备国产化整体态势
　　2025年，国内半导体设备国产化进程进入加速爬升期。刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗等关键设备的国产化率持续提高，产业生态正从单一设备突破向全链条协同演进。设备企业与晶圆厂、材料厂商深化工艺合作，有效缩短了技术验证周期，同时核心零部件的自主化率不断提升，增强了供应链的韧性。在政策支持与市场需求的双重驱动下，国产设备订单增长显著，行业维持高景气度。
　　伴随国产化进程提速，行业内部竞争日趋激烈，尤其是特色工艺制程、化合物半导体设备等赛道，参与企业增多使得竞争压力持续上升，推动行业加速向技术驱动转型。良性竞争有效加速了半导体设备的国产化进程，推动企业优化产品性能、提升服务质量与成本控制能力，推动头部国产设备在本土产线的渗透率快速提升。同时，研发投入的持续加码与中高端制程的技术攻坚，助力行业向高端化、高质量发展转型。未来，公司将进一步聚焦核心技术与平台化能力，聚焦平台化设备供给、核心部件自主可控及中高端制程突破能力，为国产化进程突破注入持续动力。
　　（二）真空新能源装备业务板块
　　1．真空装备领域
　　2025年，国内真空热处理装备行业市场规模稳步增长。真空热处理装备行业发展紧密对接国家战略与先进制造需求，尤其在航空航天、新能源汽车、半导体零部件、真空电子器件等关键领域表现突出。航空工业、商业航天等领域对材料性能的极致要求，持续为真空热处理、真空镀膜等高端真空装备提供稳定需求。半导体制造成为增长强劲的新引擎，随着产业自主化进程加速，先进陶瓷、石英等关键零部件材料热处理设备市场空间广阔，同时，新能源汽车、风电与机器人等战略新兴产业的需求共振，共同为磁性材料设备开辟了可观的市场空间，为行业带来新的增长点。新能源汽车产业发展迅猛，高强度、轻量化零部件对真空热处理设备需求持续拓展。政策层面，大规模设备更新行动与“绿色制造”倡导，推动加快真空装备升级换代步伐，符合国家节能降碳标准的先进装备成为市场的优先选择。真空热处理装备在绿色化、高端化、精密化和智能化方向持续深化，企业逐渐从单一设备供应商向综合解决方案服务商转型，为国家战略性新兴产业的核心竞争力提升提供保障。
　　2．新能源光伏装备领域
　　在新能源光伏领域，2025年，我国光伏产业链主要环节总体呈现调整趋势。多晶硅、硅片产量同比下降29.6%、10%，组件出口量下降8.3%，由高速扩张转向结构调整。从技术路线看，2025年N型TOPCon电池片市占率仍然超过87%，异质结技术市占率提升至3.0%，XBC技术提升至6.7%，两者展现出巨大的技术潜力与发展空间。另外，由现有电池片技术与钙钛矿技术结合的叠层技术产品中，量产组件的最高转换效率已达29.1%，有望成为未来的重点发展路线。全球光伏行业扩产主要为地域范围增加，重点的光伏扩产地域已从东南亚扩展到中东、非洲等新兴地区。虽然国产光伏设备技术水平已领先全球，但装备领域的研发升级仍在持续。扩散、PECVD、LPCVD、湿法、激光等工艺技术装备，正在从“高产能、高可靠”的基本要求，向“智能化”“绿色化”“整体化”的解决方案升级，推动光伏装备向高端技术水平不断延伸。
　　3．新能源锂电装备领域
　　在新能源锂电装备领域，随着技术的不断成熟与市场的逐步拓展，新型锂电材料及设备的市场空间将持续扩大。复合集流体可为锂电池提供高安全、高能量密度、低成本的解决方案，卷绕PVD镀膜设备作为复合集流体制备的核心设备，有望成为推动锂电技术升级的关键力量。2025年全球锂离子电池总体出货量2280.5GWh，同比增长47.6%。预计2030年复合集流体卷绕PVD设备需求将达到188亿元人民币，渗透率将达到22%。与此同时，固态电池产业化进程在2025年明显加速。技术层面，半固态电池已实现量产装车，成为市场主流；全固态电池在关键技术上取得重要突破。产业层面，主要厂商已规划于2026年起逐步推进量产。据行业预测，到2030年，全球固态电池出货量有望突破600GWh，市场渗透率将超过10%，为锂电装备领域开辟重要的新增长空间。
　　4．氢燃料电池装备领域
　　在氢燃料电池装备领域，随着氢燃料电池的持续迭代，技术渐趋成熟，加之上游电源结构朝着清洁化加速转型，氢燃料电池有望在未来步入快速发展阶段，PVD镀膜可提升氢燃料电池双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性。在交通领域，氢能汽车将成为重要的应用场景，2025年全年国内共销售10782辆，同比增长51.2%。
　　氢燃料电池市场的未来预期，也推动氢能PVD镀膜设备进入规模化发展新阶段。
　　（三）精密元器件业务板块
　　中国精密元器件行业正处于快速发展阶段，市场规模持续扩大，根据行业研究报告，预计到2030年，中国精密元器件市场规模将达到2800至3200亿元，年复合增长率达16.5%，高于全球平均水平。从细分产品来看，压电石英晶体频率元器件产业正处在充满活力的快速成长期。钽电容器行业呈现需求扩容、技术突破、格局重构的清晰发展态势，下游多领域需求爆发、行业技术迭代加速且国产化替代进程持续深化，电阻器行业也正处于需求扩容、高端升级、国产替代三重驱动的高景气周期。此外，磁性材料正向高频化、低损耗、高稳定性演进，电感器变压器向平面化、小型化、集成化升级，超高压陶瓷电容器则朝着高电压、大容量、低局放方向发展。各类细分领域协同升级、稳步发力，推动中国市场成为全球相关产业的增长引擎。
　　
　　三、核心竞争力分析
　　公司始终秉承“推动产业进步，创造无限可能”的企业使命，立足半导体基础产品领域，深耕半导体装备、真空新能源装备、精密元器件等业务板块，致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。
　　1．持续高强度创新，筑牢技术核心壁垒
　　创新是公司立足行业的根本，也是突破关键技术的武器。公司深度融入北京国际科技创新中心建设，依托产学研协同创新体系，与国内顶尖高校、科研院所开展深度合作，形成了从基础研究到产业应用的高效协同创新网络。2025年，公司继续保持高强度研发投入，全年研发投入达72.77亿元，同比增长34.74%。这种持续投入转化为丰硕的技术成果，截至2025年底，公司累计申请专利超11300件，授权专利超6500件，位居国内集成电路装备企业前列。
　　在核心业务领域，公司迎来多项里程碑：薄膜沉积领域，物理气相沉积（PVD）设备实现逻辑、存储、特色工艺、先进封装等主流晶圆制造场景的全面覆盖，并完成第1000台整机交付；热处理领域，立式炉累计出货量突破1000台；真空新能源领域，核心设备累计出货量突破15000台。同时，离子注入、电镀、键合设备等高端设备顺利落地，为国产中高端制程装备提供了核心支撑。这种从研发投入到技术突破，到市场落地的良性循环，让公司始终紧跟全球技术迭代节奏。
　　2．全链条平台化布局，构建差异化竞争优势
　　作为国内平台型设备商，公司构建了半导体装备、真空新能源装备、精密元器件等多位一体的业务矩阵，涵盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、电镀、键合等全系列产品，可为客户提供一站式工艺装备解决方案。这种平台化布局带来多重优势：一方面，有效减少客户多源采购成本，提升工艺协同效率，增强客户粘性，2025年公司批量订单主要来自存储芯片、逻辑芯片和先进封装领域的头部客户；另一方面，通过业务板块协同，公司将半导体装备的核心技术向真空新能源领域延伸，开发多款光伏、精密光学、锂电及氢能等设备，打造第二增长曲线。此外，公司通过并购芯源微补齐涂胶显影短板，进一步完善平台化能力，强化综合竞争壁垒。
　　3．高素质人才团队，夯实发展核心动能
　　半导体装备行业属于技术密集型领域，人才是企业持续发展的核心资源。公司始终重视人才团队建设，构建了一支规模庞大、结构优良的研发队伍。截至2025年底，公司研发人员达6511人，较2024年增长42.07%。这支团队涵盖半导体工艺、机械设计、电子控制、等离子技术、软件技术等多个领域，核心成员拥有丰富的行业经验，成为技术创新的中坚力量。
　　公司通过完善的人才培养与激励机制留住核心人才，依托国家级企业技术中心、4个北京市级技术与工程中心的平台优势，为人才提供广阔的技术攻关与职业发展空间。同时，通过“产学研协同”模式，与高校、科研机构深度合作，培养专业人才，形成“引进—培养—留存—发展”的完整人才生态，为企业技术迭代与平台化拓展提供持续动能。
　　4．以客户为中心理念，实现生态化深度绑定
　　公司秉持“以客户为中心”的核心价值观，通过深度绑定客户构建稳固的合作生态。在国内市场，公司与国内头部厂商建立长期战略合作。同时，凭借技术实力突破海外壁垒，成功进入多家海外厂商的供应链体系。公司通过协同研发、定制化服务和快速响应与客户实现深度绑定，参与下游客户的工艺验证过程，针对客户需求定制设备解决方案，缩短客户产线调试周期；建立本地化服务团队，快速响应设备运维与工艺优化需求；牵头构建从设备到材料、制造的协同生态，与客户形成共生共荣的发展格局。这种深度绑定不仅保障了订单稳定性，更让公司精准把握下游工艺需求，驱动技术创新。
　　5．全流程质量管控，夯实品牌信誉基石
　　半导体装备对稳定性与可靠性要求极高，质量始终是企业生存与发展的生命线。2025年，公司将“成就客户，以质取胜”确立为质量方针，并以“让北方华创成为值得信赖的高质量代名词”为质量目标，系统开展“质量年”系列活动。公司构建了覆盖研发、供应链、制造到服务的全价值链一体化质量管理体系，推动质量责任层层压实，实现贯穿业务全流程的穿透式管控。
　　这一系列扎实行动，让公司在市场中持续赢得认可。凭借对质量的执着追求与严苛标准，公司设备在集成电路、先进封装、化合物半导体等领域实现稳定可靠运行，逐步打破对于国产品牌在质量上的认知偏见，成为客户信赖的核心供应商，为产业链的自主可控提供了坚实保障。
　　
　　四、主营业务分析
　　（一）概述
　　1．半导体装备
　　2025年，公司半导体装备业务持续发展，营业收入、市场占有率均快速增长，业务规模、量产能力与核心竞争力全面提升。同时，公司全年大幅度增加研发投入，核心知识产权布局持续完善，关键技术壁垒不断拓宽，为产品迭代升级、产业化落地与市场拓展提供了坚实的技术支撑。
　　围绕公司战略布局，公司稳步推进新产品开发及产业化应用，产品端实现多项突破。报告期内，公司成功推出离子注入设备、电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新产品，实现12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉等核心设备的规模化量产。公司立式炉、物理气相沉积（PVD）设备继刻蚀机之后，顺利实现交付数量突破1000台的行业里程碑，充分印证了公司在集成电路装备领域成熟稳定的规模化量产能力和全流程交付保障能力。报告期内，公司完成对芯源微的并购整合，进一步完善了半导体装备领域全链条产品布局，拓宽了业务覆盖边界，综合服务能力与市场竞争优势持续增强。
　　（1）刻蚀设备
　　刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备，通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料，形成半导体器件所需的微观结构。按照刻蚀机理及刻蚀材料的区别，主要包括以下品类：
　　①ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术，通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体，生成高密度等离子体。设备可在低工作气压下实现快速刻蚀，核心优势在于能独立控制离子能量与通量，可精准优化各向异性刻蚀能力，刻蚀深宽比表现优异，适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工，是工艺制程的核心刻蚀设备之一。
　　②CCP刻蚀设备采用平行板电容耦合方式产生等离子体，通过调节射频功率和气体配比，既能实现较高刻蚀速率，又具备宽泛的工艺窗口。其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著，兼容性强，常用于存储芯片的深孔、沟槽结构刻蚀。③高选择性刻蚀设备通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术，实现超高刻蚀选择比。可精准去除目标材料，同时最大限度保护掩膜层及周边非目标结构，避免损伤。主要应用于精细结构释放、堆叠层间选择性刻蚀等高精度工艺场景，是先进半导体器件制造中保障结构完整性的关键设备。
　　④等离子去胶机通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体，使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化，转化为挥发性产物后被排出，完成去胶处理。其核心优势为无化学污染、处理效率高，且能适配不同光刻胶类型，广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。
　　⑤专注于晶圆边缘处理，采用定向等离子体轰击技术，针对性消除薄膜沉积不均匀导致的晶圆边缘缺陷。在12英寸晶Bevel刻蚀设备圆制造中应用广泛，核心用于晶背清洁、边缘残留去除，可有效防止后续封装及互连过程中出现铜互连断裂、漏电等问题，保障晶圆整体良率。
　　IBE刻蚀设备（离子束刻蚀设备）⑥基于物理轰击原理，通过离子源产生高能离子束，直接轰击晶圆表面目标材料实现刻蚀。刻蚀过程基本不受化学反应影响，具有极高的刻蚀精度、方向性和均匀性，刻蚀速率稳定可控。适用于MEMS器件、光电子器件（如激光器、探测器）等对精度和表面质量要求极高的场景，也用于先进制程的精细辅助刻蚀。
　　根据权威机构数据，2025年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为18.5%，全球市场规模约1580亿元人民币。公司在刻蚀设备领域，已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的多系列产品布局。2025年公司刻蚀设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的刻蚀设备包括：
　　（2）薄膜沉积设备
　　薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备，与刻蚀设备协同工作，通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积一层或多层均匀薄膜，用于构建器件的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构。根据沉积原理与工艺需求，主流设备主要包括PVD、CVD、外延设备、ALD及电镀设备五大类。
　　①PVD（物理气相沉积设备）基于物理过程实现薄膜沉积，核心是在真空环境中，通过蒸发、溅射等方式将靶材原子或分子从源体剥离，使PVD其在晶圆表面凝聚、成膜。主流技术分为蒸发镀和溅射镀两类，其中溅射镀因膜层均匀性、致密性更优，应用更为广泛。设备优势在于膜层与基底附着力强、成分可控性好，沉积速率适中，可适配金属、合金、陶瓷等多种靶材。主要应用于半导体器件的金属布线（如铝、铜薄膜）、阻挡层（如钛、钽薄膜）、电极层沉积，也是面板、光伏等领域的通用型沉积设备。
　　②CVD（化学气相沉积设备）通过气相化学反应实现薄膜沉积，核心是将含薄膜元素的气态前驱体通入反应腔，在晶圆表面发生分解、化合等反应，生成固态薄膜并沉积。根据反应条件差异，可细分为常压CVD、低压CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、金属有机物CVD（MOCVD）等子类。设备优势在于膜层台阶覆盖性极佳、厚度均匀性好，可沉积多种介质膜、半导体膜，兼容性强。广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的介质层、栅极层沉积，是半导体量产中应用广泛的沉积设备之一。
　　③EPI（外延设备）EPI属于高精度专用沉积设备，核心是在单晶衬底表面，沿衬底晶格方向生长出与衬底晶格结构、取向一致的单晶薄膜（外延层），确保薄膜的电学、光学特性最优。设备优势在于外延层晶格匹配度高、缺陷密度极低，能精准调控薄膜组分与厚度。主要应用于集成电路、功率半导体（如氮化镓、碳化硅器件）、光电子器件的核心薄膜沉积，是高端半导体器件制造的关键设备。
　　④ALD（原子层沉积设备）ALD基于循环式化学吸附原理实现原子级薄膜沉积，核心是将两种或多种前驱体交替通入反应腔，每种前驱体仅在晶圆表面发生单原子层化学吸附，通过排空步骤清除未反应前驱体后，再通入下一种前驱体发生反应，循环往复形成薄膜。设备最大优势在于薄膜厚度可精准控制到原子级，均匀性极佳，台阶覆盖能力远超传统CVD，且沉积温度低、膜层致密无孔隙。适用于特殊薄膜沉积（如高K介质层、金属栅极薄膜）、MEMS器件精细结构沉积，是半导体先进制程突破的核心沉积设备。
　　⑤电镀设备电镀设备基于电化学沉积原理，将晶圆作为阴极浸入含目标金属离子的电镀液中，通过施加电流使金属离子在晶圆表面还原、沉积形成薄膜。核心优势在于沉积速率快、金属填充能力极强，能高效填充高深宽比结构。目前主流应用于半导体铜互连工艺的金属填充，也用于封装环节的金属镀层沉积。
　　根据权威机构数据，2025年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.0%，全球市场规模约1870亿元人民币。公司在薄膜沉积设备领域，已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025年，公司薄膜沉积设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的薄膜沉积设备包括：
　　（3）热处理设备
　　热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备，核心作用是通过精准控温、控制气氛处理，优化晶圆材料的晶体结构、电学性能，修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤，同时实现杂质激活、薄膜致密化等目标。根据处理方式、效率及制程适配性，主流热处理设备主要包括管式氧化、管式退火、单片退火设备等类型。
　　①管式氧化设备管式氧化设备用于在晶圆表面生长氧化膜，通过将晶圆置于密封介质管内，在高温环境下通入氧化剂，使硅衬底与氧化剂发生化学反应生成氧化膜。设备采用批量处理模式，可同时放入数百片晶圆，通过精准控制温度、氧化时间、气体流量及氛围，调控氧化膜的厚度、致密性及均匀性。其优势在于批量处理效率高、成本低，膜层与衬底结合力强，适配多种氧化工艺需求。主要应用于半导体器件的栅氧化层、场氧化层、钝化氧化层生长，是逻辑芯片、存储芯片及功率半导体制造中的基础热处理设备。
　　②管式退火设备管式退火设备在惰性氛围或还原性氛围下进行，通过高温加热、保温、缓慢降温的流程，可修复离子注入后晶圆晶格的损伤，激活掺杂杂质以提升导电性，同时实现薄膜致密化、应力释放及金属硅化物形成等工艺目标。设备优势在于处理量大、工艺稳定性好、成本可控，能适配不同材料的退火需求。广泛应用于离子注入后退火、沉积薄膜后致密化退火、金属布线退火等场景。
　　③单片快速热处理设备（RTP）针对先进制程对热处理精度、热预算控制的严苛需求研发，采用单片式处理模式，一次仅处理一片晶圆。核心通过快速热退火技术，利用高效热源，实现晶圆的极速升温和降温，在极短时间内完成退火过程。其核心优势在于热预算极低，可有效抑制杂质扩散，避免晶圆表面图形变形，同时晶圆面内温度均匀性极高，能精准调控退火效果，减少工艺偏差。主要应用于高精度杂质激活、浅结退火、金属硅化物退火及先进封装中的局部热处理，是先进半导体器件制造中保障性能与精度的关键设备。
　　根据权威机构数据，2025年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.2%，全球市场规模约190亿元人民币。公司在热处理设备领域，已形成了管式氧化设备、管式退火设备和快速热处理设备的全系列布局。公司主要批量销售的热处理设备包括：
　　（4）湿法清洗设备
　　半导体湿法清洗设备是晶圆制造全流程中的核心辅助设备，通过化学试剂与物理作用结合，去除晶圆表面的颗粒杂质、金属污染物、有机残留、氧化层等污染物，同时避免损伤晶圆表面微观结构，为刻蚀、薄膜沉积、热处理等核心工艺提供洁净基底。其分类核心依据为处理方式、工艺效率及制程适配性，主流类型包括槽式清洗设备、单片清洗设备、物理刷洗设备等类型。
　　①槽式清洗设备槽式清洗设备的核心结构为密封清洗槽，通过将多片晶圆装入花篮，浸入配置好的化学试剂中，配合加热、搅拌或溢流功能，实现批量清洗。设备可根据工艺需求切换不同试剂槽，完成清洗、漂洗、干燥全流程一体化处理。优势在于批量处理效率高、设备结构简单、采购及运行成本低，能适配中低制程的通用清洗需求。
　　②单片清洗设备针对工艺制程对清洗精度、洁净度的严苛要求研发，采用单片式处理模式，一次仅对一片晶圆进行精准清洗。核心通过高压喷淋系统将化学试剂定向喷射至晶圆表面，配合晶圆高速旋转，实现试剂均匀覆盖与污染物快速剥离，同时可精准控制试剂用量、喷淋压力、温度及清洗时间。优势在于清洗精度极高，能有效避免批量清洗中晶圆间的交叉污染，晶圆面内洁净度均匀性优异，且化学试剂量可控、环保性更强，是12英寸晶圆量产中的主流湿法清洗设备。
　　③物理清洗设备以物理刷洗为核心，搭配化学试剂或超纯水喷淋，通过高精度柔性毛刷与晶圆表面轻柔接触旋转，剥离顽固颗粒杂质及附着污染物，同时通过喷淋系统及时带走脱落杂质，避免二次污染。设备优势在于对大尺寸颗粒、顽固附着杂质的去除效果显著，刷洗压力、转速可精准调控，适配不同晶圆尺寸及表面结构。主要应用于晶圆边缘清洗、背面颗粒去除、厚光刻胶残留预处理等场景。
　　根据权威机构数据，2025年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%，全球市场规模约470亿元人民币。
　　公司在湿法设备领域，已形成了单片设备、槽式设备全面布局。2025年，公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购，丰富了公司在物理刷洗和单片清洗领域的布局。公司已批量销售的湿法设备主要包括：
　　（5）离子注入设备
　　离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子，在电场作用下加速至预定能量，再精确注入半导体材料，实现原子的替换或添加，进而调控材料性能。2025年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.0%，全球市场规模约170亿元人民币。
　　公司已批量销售的离子注入设备包括：
　　（6）涂胶显影设备
　　涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备，主要与光刻机配合进行作业，通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理，从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。
　　根据权威机构数据，2025年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为2.8%，全球市场规模约240亿元人民币。公司控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商，主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。
　　（7）键合设备
　　键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备，通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联，其技术路线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。其中混合键合直接决定了芯片互连的密度与性能上限，对芯片或晶圆进行活化、清洗、对准、键合，实现芯片间百纳米级精度的直接铜-铜连接，已成为实现高性能三维异质异构集成不可或缺的战略性技术。根据权威机构数据，2025年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。公司的键合设备主要包括临时键合机、解键合机、混合键合设备等。
　　2．真空新能源装备
　　2025年，全球光伏行业进入深度调整周期，行业产能过剩矛盾持续凸显，下游终端装机需求不及预期，光伏产业链全环节价格持续下行，上游电池、组件制造厂商扩产意愿大幅收缩，直接导致光伏设备市场需求显著萎缩；同时行业内同质化竞争加剧、价格战持续升级，进一步压缩了设备厂商的盈利空间，对公司真空新能源装备板块原有光伏核心业务的订单获取、交付节奏、营收规模与盈利水平均带来了较大的负面冲击。
　　面对光伏行业持续下行的经营压力，公司依托真空技术领域数十年的深厚积累与同源技术优势，坚持战略转型与产业并购双轮驱动，多维度拓宽业务增长空间。一方面主动推进业务结构优化，快速将业务重心向半导体材料专用装备、氢能核心制备与储运装备、锂电高端制造装备等新兴高景气赛道拓展，围绕新应用场景开展定制化技术研发与产品开发，相关市场拓展、客户验证与订单落地均取得阶段性突破；另一方面通过产业并购完善细分赛道布局，报告期内公司完成对成都国泰真空的收购整合，充分发挥双方在真空技术领域的协同效应，补全了公司在高端光学镀膜设备赛道的产品矩阵，成功切入光学镜头、光通讯元器件等高端光学核心应用场景，大幅打开了高端光学领域的市场增长空间，进一步丰富了真空装备业务的应用场景与盈利维度。
　　通过系列战略调整，公司真空新能源装备业务逐步对冲光伏行业下行带来的经营影响，构建起多赛道协同发展的业务格局，为板块长期可持续发展开辟了全新的增长曲线。
　　（1）晶体生长设备
　　晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。
　　公司主要批量销售的晶体生长设备包括：
　　（2）真空热工设备
　　真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备，其通过抽真空技术消除气体干扰（如氧化、污染），精准调控材料性能，广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备包括真空热处理炉（用于金属退火、淬火等工艺，提升力学性能）、真空钎焊炉（无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件）、真空镀膜设备（通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层）以及真空烧结炉（实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结）等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势，可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材料需求增长，真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进，成为高端制造业的核心装备。
　　公司主要批量销售的真空热工设备包括：
　　（3）新能源光伏设备
　　公司深耕新能源光伏电池片设备，引领行业技术不断升级。公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备，覆盖182至230mm多种大尺寸方形或矩形片。通过等离子场、电场、气场、温度场等理论研究和开发试验，持续推进单管结构升级与产能提升。目前，已能够为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方案。公司已完成在TOPCon、XBC工艺路线大产能设备的行业布局。低压扩散设备、低压硼扩设备具备较强市场竞争力，各类扩散、氧化、退火类设备技术性能优异。LPCVD可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备，以430MW/年单机产能引领行业发展，覆盖TOPCon/XBC两类主流技术路线。PECVD设备覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层电池技术。ALD设备的双倍舟技术，舟槽利用率大幅提升。经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合，公司累计发布了近百款量产型光伏设备，实现头部客户全覆盖，并出口东南亚、中东、非洲等地区，成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。
　　公司主要批量销售的新能源光伏装备包括：
　　（4）新能源锂电设备
　　新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材（如PET、PI）表面沉积纳米级金属层（铜、铝等），形成“三明治”结构，替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。该设备可实现超薄（微米级）、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产，可提升电池能量密度，同时抑制锂枝晶生长，增强锂电池安全性与循环寿命。其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求，广泛应用于动力电池、储能系统等领域，助力新能源产业向高效、安全方向升级。
　　公司主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括：
　　（5）氢燃料电池装备
　　氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备，旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性，满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。
　　公司主要批量销售的氢能装备包括：
　　3．精密元器件
　　2025年，公司精密元器件业务保持稳健发展态势，持续深耕核心技术研发与产品矩阵升级，不断提升核心产品的市场覆盖度与场景适配能力。报告期内，公司成功开发石英压力传感器芯体、抗振动高能钽电容、电子封装外壳系列等多款新产品，突破多项核心工艺瓶颈，进一步拓宽了精密元器件业务的应用边界与业务领域，为业务长期发展夯实了技术与产品基础。受下游客户降价诉求提升、行业市场竞争持续加剧等因素影响，报告期内公司精密元器件业务毛利率出现明显下降。
　　在高端精密元器件领域，公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品，拓展新应用。新开发高功率密度负载点电源，可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。公司积极布局模拟信号链产品，已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品，并积极拓展数字存储类产品，已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。报告期内，公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体，在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势；完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发，解决行业痛点，产品性能指标大幅提升；进行了耐高温阳极设计，开发了耐高温电解液及耐高温结构材料，并对结构进行了优化攻关，完成了耐高温液体钽电容器的开发。成功开发电子封装外壳系列产品，目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。公司研发的超高压陶瓷电容器，采用自研的陶瓷粉体配方，在相同的体积条件下，介质耐电压性能高于行业平均水平，在充放电寿命及耐温方面具有明显优势，目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。
　　公司主要批量销售的精密元器件包括：
　　
　　五、公司未来发展的展望
　　（一）行业发展趋势
　　1．半导体装备板块
　　当前半导体装备行业正处于多重利好共振的黄金发展期，增长动力强劲且可持续。一方面，AI算力需求的爆发式增长重塑产业格局，直接带动相关装备需求大幅增长；同时3D NAND向更高层数迭代，对刻蚀、沉积等设备的精度和效率要求大幅提升，为具备高端设备供应能力的企业提供了广阔市场空间。据公开预测，2026年全球半导体设备销售额将突破1450亿美元，同比增长9%，三年增长态势明确。另一方面，国产替代已成为行业发展的核心驱动力，政策与市场形成合力加速推进。目前国内半导体设备国产化率仍然较低，未来五年有望持续提升。这样的市场环境为以公司为代表的国产平台型企业提供了较好的替代窗口期。
　　2．真空新能源装备板块
　　真空装备行业正朝着高端化和智能化的方向发展，新材料与新技术的应用，使得真空装备在电池生产、新型材料制备、热处理等领域的应用更加广泛和高效。公司将以高温、高真空、高压热处理、工业PVD、CVD设备为基础，积极拓展先进薄膜制备技术，加快半导体技术对光学、新型显示等领域的技术赋能，为客户提供全面解决方案。同时，光伏行业对低成本和高效率的极致追求，推动XBC、钙钛矿叠层技术研发和商业化加速。随着新技术路线的渗透，光伏设备迭代更新需求将逐步得到释放。固态电池、硅基负极、4680大圆柱电池等新型电池技术的量产，带来锂电设备新机遇。公司将以扩散氧化、LPCVD、PECVD、热处理、PVD、ALD设备为基础，加快对光伏、新型锂电技术赋能，为客户提供创新解决方案。
　　3．精密元器件板块
　　精密元器件技术将持续向小型化、集成化、高精密、高可靠方向深度演进，AI算力、新能源、通信、工业控制等高端应用需求稳步释放，国产化替代与产业链自主可控进程持续深化，为行业带来广阔的技术革新空间与市场发展机遇。公司布局的石英晶体器件、石英微机电传感器、精密电阻器、新型电容器、微波组件、模拟芯片、模块电源等系列化核心产品，契合行业发展趋势，有望充分受益于行业结构性机遇，迎来更为广阔的市场空间与成长前景。
　　（二）公司经营展望
　　公司将始终坚守“以客户为中心，以价值创造者为本，持续创新”的核心价值观，将其贯穿于研发、生产、营销、服务全经营链条，以质量为根基、以创新为引擎，双向驱动品牌价值升级，筑牢可持续发展的核心壁垒。
　　1．深耕“以客户为中心”，构建品牌信任根基
　　公司始终将客户需求作为经营决策的首要准则，依托覆盖全球的4大区域服务中心、6个备件调拨中心及8个核心备件库房，搭建全生命周期服务体系，实现设备运维响应、问题排查、备件补给的高效协同。通过建立“客户反馈—研发优化—产品迭代”的双向闭环机制，结合季度回访、年度满意度调研及战略共创会，精准捕捉客户在先进制程、产能提升等方面的核心诉求，定制化提供成套设备解决方案。同时以ISO体系为抓手，严格把控设备交付全流程质量。持续强化“可靠、高效、共赢”的品牌认知，深化与头部客户的长期共生关系。
　　2．践行“以价值创造者为本”，激活品牌发展内生动力
　　人才是半导体装备行业的核心资产，也是质量管控与技术创新的核心载体。公司将继续通过股权激励、员工持股计划等绑定核心技术骨干，搭建“学术+产业”双导师制，与高校和科研院所共建联合实验室，形成从人才培养到成果转化的全链条体系，将核心人才流失率控制在较低水平。针对研发、生产、服务等各环节的价值贡献者，建立精准激励机制，鼓励团队在质量管控中精益求精、在技术攻关中突破创新，形成“人人为质量负责、人人为创新赋能”的组织氛围，为品牌注入持续向上的活力。
　　3．坚守“持续创新”，锻造品牌技术核心竞争力
　　创新是突破关键技术、实现品牌升级的关键路径，公司未来将持续聚焦中高端制程，攻坚关键技术，通过基础研发与工程化应用协同推进，力争实现产品性能与国际头部企业对标。同时以创新驱动质量升级，将专利技术转化为质量管控标准，优化设备核心零部件可靠性设计与全流程质检流程，从源头规避产品隐患，推动公司从国内领先装备企业向世界一流集成电路装备企业稳步迈进。
　　4．以价值观为引领，铸就质量与创新的品牌双翼
　　质量是品牌的生命线，创新是品牌的成长线。公司始终坚守三大核心价值观，并将其贯穿于研发、生产、营销、服务的全链条之中。我们以“成就客户，以质取胜”为质量方针，以“让北方华创成为值得信赖的高质量代名词”为质量目标，推动质量管控与技术创新双向驱动、深度融合：通过技术创新不断突破质量的性能上限，通过扎实的质量体系确保创新成果的稳定与可靠。在国产化浪潮与全球产业变革中，公司致力于以过硬的产品与可信赖的品牌，持续赢得客户选择，逐步迈向世界一流集成电路装备企业。
　　（三）可能面对的风险
　　1．市场竞争与盈利压力风险
　　国内半导体装备国产化进程提速，市场竞争从“进口替代”转向“国内同业较量”，成熟制程设备出现同质化竞争迹象，可能引发价格战。为抢占市场份额，设备售价或面临下调压力，可能压缩毛利率；同时，公司为维持技术领先地位，需持续加大研发投入，高位研发费用率进一步增加盈利压力。
　　为应对市场竞争风险，公司的对策包括：一是聚焦差异化竞争，集中资源攻坚中高端制程设备等细分领域，打造技术壁垒，提升产品溢价能力。二是优化成本管控体系，通过规模化生产、供应链集中采购等方式降低生产成本，对冲售价压力；合理规划研发投入结构，聚焦核心技术攻关，提高研发资金使用效率。三是深化客户绑定，依托成套设备解决方案与全生命周期服务，提升客户粘性，优先锁定头部晶圆厂长期订单，同时拓展新兴应用场景，拓宽收入来源。
　　2．技术迭代滞后风险
　　半导体装备行业技术壁垒高、迭代周期短，新兴制程快速兴起，对设备精度、效率、兼容性的要求持续提升。各友商凭借深厚技术积累加速产品升级，形成直接竞争。若公司研发投入不足、技术攻关进度滞后，或对行业技术趋势判断偏差，可能导致产品技术落后于市场需求，削弱核心竞争力，进而影响市场份额与品牌影响力。
　　为应对技术迭代风险，公司的对策包括：一是持续加大研发投入，保持研发费用率稳定在高位，攻坚核心技术，搭建从基础研发，到工程化应用，到产品迭代的全链条研发体系，加快中高端制程设备验证与量产节奏。二是强化产学研协同，与国内著名高校科研院所联合研发，提前布局下一代半导体装备技术，精准预判行业技术趋势。三是加强与下游晶圆厂深度合作，共建工艺验证平台，同步迭代设备与工艺，确保产品适配新制程需求，维持技术竞争力。
　　3．高端人才短缺与流失风险
　　半导体装备行业对复合型高端人才需求迫切，工艺整合工程师、软件算法工程师等核心岗位缺口显著，行业人才竞争白热化。公司虽有完善的人才激励体系，但仍面临国际巨头与国内同行的双重挖角压力，核心人才流失或高端人才招聘不及预期，将直接影响研发项目推进、产品迭代速度与生产经营稳定性，制约战略落地效率。
　　为应对人才短缺风险，公司的对策包括：一是优化人才激励机制，扩大股权激励覆盖范围，绑定人才与企业发展。二是搭建全方位人才培养体系，通过内部技能培训等方式，自主培养复合型人才。三是营造优质人才生态，完善薪酬福利体系与职业发展通道，打造开放创新的工作氛围，提升人才留存率，同时借助全球招聘渠道，引进海外高端技术与管理人才。
　　4．地缘政治与供应链风险
　　全球半导体产业地缘政治博弈加剧，部分国家持续强化对华半导体设备及零部件出口管制，公司海外供应链稳定性受政策波动影响较大。同时，海外市场拓展面临不确定性，出口订单可能因政策限制延长交付周期，甚至被迫终止，对全球化战略与生产经营形成冲击。
　　为应对地缘政治风险，公司的对策包括：一是继续推进核心零部件本土化替代，联合国内优质供应商开展技术攻关，建立国产化零部件验证与量产体系，进一步降低进口依赖；同时构建多元化供应链，分散供应风险。二是强化合规经营管理，组建专业合规团队，规避政策壁垒。
　　5．并购后整合风险
　　外延并购是公司完善产品矩阵、补全技术短板的重要举措，但半导体行业并购整合难度较高。若对并购标的技术适配性、专利壁垒评估不足，可能导致标的技术难以融入现有体系；文化差异、管理模式冲突可能引发核心团队流失，导致技术传承断裂。
　　为应对并购整合风险，公司的对策包括：一是精准把控并购节奏，前期开展全面尽调，重点评估标的技术成熟度、专利合规性、团队稳定性及与公司战略的适配性。二是建立专业化整合团队，并购后快速推进文化融合、管理模式统一与业务协同；搭建技术整合平台，推动标的技术与公司现有产品体系融合，加速产业化落地。 收起▲

　　一、报告期内公司从事的主要业务　　北方华创专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空及新能源装备。电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。北方华创始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。　　在半导体装备业务板块，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备，广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。北方华创借助产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势，以产品迭... 查看全部▼

　　一、报告期内公司从事的主要业务
　　北方华创专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，电子工艺装备包括半导体装备、真空及新能源装备。电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。北方华创始终坚持科技创新，不断推动产品迭代升级，积极拓展产品应用领域，以满足快速发展的市场需求。
　　在半导体装备业务板块，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备，广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。北方华创借助产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势，以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。
　　在真空及新能源装备业务板块，北方华创深耕高压、高温、高真空技术，主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等，广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域，为新材料、新工艺、新能源等绿色制造提供技术支持。
　　在精密电子元器件业务板块，北方华创推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展，主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等，广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域，为客户打造高端精密电子元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。
　　1、半导体装备
　　（1）刻蚀设备
　　刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备，通过物理或化学作用选择性去除材料以形成微观结构。其中，ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术，通过高频线圈激发反应气体生成高密度等离子体，在低工作气压下实现快速刻蚀，其优势在于离子能量与通量独立控制，可优化各向异性刻蚀能力，适用于硅、金属、氮化镓等材料的精细结构加工。CCP刻蚀设备采用电容耦合方式产生等离子体，通过调节射频功率和气体配比实现高刻蚀速率，其特点在于适应宽泛的工艺窗口，对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著，常用于存储芯片的深孔和沟槽结构。去胶设备通过等离子体活化氧气或氩气，分解光刻胶残留并转化为挥发性产物，其核心优势在于无化学污染、处理效率高。高选择性刻蚀设备通过优化气体组合和脉冲等离子体技术，可实现超高刻蚀选择比，精准去除目标材料而不损伤掩膜层，主要用于精细结构释放、堆叠层间实现选择性刻蚀等工艺。Bevel刻蚀设备采用定向等离子体轰击晶圆边缘，消除薄膜沉积不均匀导致的边缘缺陷，在12英寸晶圆制造中用于晶背清洁，防止铜互连断裂。
　　根据权威机构数据，2024年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为16.8%，全球市场规模约1,350亿元人民币。北方华创在刻蚀设备领域，已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局。2025年上半年，公司刻蚀设备收入超50亿元人民币。
　　（2）薄膜沉积设备
　　薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备，通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、外延生长（EPI）、原子层沉积（ALD）、电镀（ECP）及金属有机化学气相沉积（MOCVD）等技术，在基底表面精准构筑纳米级功能膜层。其中，物理气相沉积以磁控溅射为核心技术，通过氩离子轰击靶材形成金属等离子体，在半导体中用于阻挡层和金属互连层沉积。化学气相沉积通过气相化学反应生成固态薄膜，主要用于氧化硅、氮化硅等介质薄膜沉积。外延生长通过气相反应在单晶基底上生长同质/异质材料薄膜。原子层沉积以单原子层逐次沉积实现纳米级精度，满足逻辑和存储等制程高深宽比填充的需求。电镀设备利用电解反应沉积金属，专用于集成电路和先进封装中的铜互连及微凸点制作。金属有机化学气相沉积通过金属有机物热分解生长化合物半导体，配备精密气体混合系统和快速热退火模块，实现多种化合物材料的外延。
　　根据权威机构数据，2024年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为23.0%，全球市场规模约1,850亿元人民币。北方华创在薄膜沉积设备领域，已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025年上半年，公司薄膜沉积设备收入超65亿元人民币。
　　（3）热处理设备
　　热处理设备是半导体制造中用于调控材料性质的核心装备，通过精确控制温度、时间及气体环境，实现氧化、扩散、退火等工艺，主要包括快速热处理（RTP）、立式氧化退火炉等类型。快速热处理设备采用热源辐射加热，实现超快温变速率，适用于超浅结激活和金属硅化物形成。立式氧化退火炉以垂直石英管为核心，通过电阻丝加热在氮气/氧气混合氛围中生长介质薄膜，广泛应用于栅极氧化层制备和离子注入损伤修复。
　　根据权威机构数据，2024年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.8%，全球市场规模约230亿元人民币。北方华创在热处理设备领域，已形成了立式炉和快速热处理设备（RTP）的全系列布局。2025年上半年，公司热处理设备收入超10亿元人民币。
　　（4）湿法设备
　　湿法设备是半导体制造中保障晶圆洁净度的核心装备，通过化学溶液与物理作用的协同效应去除表面污染物，其技术路线涵盖单片清洗、槽式清洗、物理清洗（Scrubber）等多种形式。湿法清洗设备的工作原理基于化学反应（如溶解、氧化）与物理作用（如机械冲刷、超声波振动），利用去离子水、酸/碱溶液及表面活性剂等清洗液，通过浸泡、喷淋或旋转甩干等工艺步骤，清除晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物，确保后续工艺的可靠性。单片清洗设备采用高压喷淋、兆声波或二流体技术，每次仅处理单片晶圆，具备纳米级颗粒去除能力和零交叉污染特性。槽式清洗设备通过多腔体串联浸泡工艺，可批量处理多片晶圆。物理刷洗设备采用机械刷毛与化学液协同作用，通过高速旋转的PVA（聚乙烯醇）或聚氨酯刷具对晶圆表面施加可控压力，结合二流体雾化技术形成微米级液滴，实现高效颗粒剥离。
　　根据权威机构数据，2024年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.9%，全球市场规模约470亿元人民币。北方华创在湿法设备领域，已形成了单片设备、槽式设备全面布局。2025年上半年，公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购，丰富了公司在前道物理清洗和前道化学清洗领域的布局。2025年上半年，公司湿法设备收入超5亿元人民币。（公司自2025年6月30日起将芯源微纳入合并财务报表范围，以上收入不含芯源微湿法设备收入）
　　（5）离子注入设备
　　离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子，在电场作用下加速至预定能量，再精确注入半导体材料，实现原子的替换或添加，进而调控材料性能。2024年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.1%，全球市场规模约250亿元人民币。
　　2025年3月，北方华创正式宣布进军离子注入设备市场，并发布多款12英寸离子注入设备。
　　（6）涂胶显影设备
　　涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备，主要与光刻机（芯片生产线上最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备）配合进行作业，通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理，从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。
　　根据权威机构数据，2024年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为3.2%，全球市场规模约260亿元人民币。北方华创控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商，主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。
　　（7）键合设备
　　键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备，通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联，其技术路线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。根据权威机构数据，2024年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。北方华创控股子公司芯源微是国内临时键合设备的领先厂商，主要产品包括临时键合机、解键合机等。
　　2、真空及新能源装备
　　（1）晶体生长设备
　　晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。
　　北方华创主要批量销售的晶体生长设备包括电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法SiC长晶炉和单晶硅生长炉等。
　　（2）真空热工设备
　　真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备，其通过抽真空技术消除气体干扰（如氧化、污染），精准调控材料性能，广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备包括真空热处理炉（用于金属退火、淬火等工艺，提升力学性能）、真空钎焊炉（无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件）、真空镀膜设备（通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层）以及真空烧结炉（实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结）等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势，可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材料需求增长，真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进，成为高端制造业的核心装备。
　　北方华创主要批量销售的真空热工设备包括高温氢气烧结炉、连续高温石墨化炉和真空钎焊炉等。
　　（3）新能源光伏设备
　　新能源光伏电池片制造的核心设备体系涵盖扩散、氧化、退火、LPCVD及PECVD等关键工艺装备。扩散设备主要以管式扩散炉为主，通过高温通入磷源或硼源在硅片表面形成PN结，采用双路进气系统解决大尺寸硅片（如230mm）方阻均匀性问题。氧化设备用于生长二氧化硅（SiO）钝化层以提升抗PID性能。退火设备通过控温消除内应力、激活掺杂剂并修复晶格缺陷。管式退火炉结合氮气保护与多区风冷系统保障温度精度，提升钝化效率。LPCVD设备在低压环境下沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，实现TOPCon电池钝化接触结构；PECVD设备利用等离子体激活反应气体，低温沉积氮化硅（SiN）、氧化铝（AlO）等钝化膜。当前，光伏电池技术正经历从PERC向TOPCon的全面迭代，其核心在于通过结构革新实现效率突破与度电成本优化，推动N型电池降本增效。未来，光伏电池技术预计会向TOPCon铜电镀金属化、BC技术、钙钛矿/TOPCon叠层电池技术等方向继续发展。
　　北方华创主要批量销售的新能源光伏装备包括管式低压化学气相沉积设备（LPCVD）、光伏扩散、氧化、退火设备、等离子增强化学气相沉积设备（PECVD）等。
　　（4）新能源锂电复合集流体设备
　　新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材（如PET、BOPP）表面沉积纳米级金属层（铜、铝等），形成“三明治”结构，替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。该设备可实现超薄（微米级）、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产，可提升电池能量密度5%以上，其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求，广泛应用于动力电池、储能系统等领域，同时该类设备可应用于锂电池极片表面或界面涂层制备抑制锂枝晶生长，增强锂电池安全性与循环寿命；调控固态电池界面阻抗，助力新能源产业向高效、安全方向升级。
　　北方华创主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括磁控溅射卷绕镀膜设备、卷绕式蒸发镀膜设备等。
　　（5）氢燃料电池金属双极板镀膜设备
　　氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备，旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性，满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。
　　北方华创主要批量销售的氢能装备包括阴极电弧复合磁控溅射镀膜设备等。
　　3、精密电子元器件
　　在高端精密电子元器件领域，公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品，拓展新应用。新开发高功率密度负载点电源，可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。公司积极布局模拟信号链产品，已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品，并积极拓展数字存储类产品，已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。报告期内，公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体，在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势；完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发，解决行业痛点，产品性能指标大幅提升；进行了耐高温阳极设计，开发了耐高温电解液及耐高温结构材料，并对结构进行了优化攻关，完成了耐高温液体钽电容器的开发。成功开发电子封装外壳系列产品，目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。公司研发的超高压陶瓷电容器，采用自研的陶瓷粉体配方，在相同的体积条件下，介质耐电压性能比国内市场同等产品高30%以上，在充放电寿命及耐温性方面具有明显优势，目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。

　　二、核心竞争力分析
　　1．以客户为中心：赋能客户价值，构建高效服务体系
　　北方华创始终将客户需求置于战略核心，通过覆盖全球的4大区域服务中心、6个备件调拨中心及8个核心备件库房所构建的高效服务网络，结合先进库存管理系统，实现设备全生命周期智能化管理。同时基于客户服务专线、在线工单、现场反馈等全渠道入口建立的“问题—研发—优化”双向改善闭环，显著提升服务效率。公司依托ISO27001信息安全管理认证与全流程数据加密机制，结合季度回访、年度满意度调研及战略共创会，持续筑牢以客户价值为中心的信任壁垒，构建长期共生生态。
　　2．以价值创造者为本：厚植人才沃土，激发组织创新动能
　　公司秉持“让价值创造者实现更高价值”的人才理念，构建多层次激励与成长体系。在薪酬保障方面，提供具有市场竞争力的薪酬方案及覆盖健康保险、企业年金等七大类福利，深度绑定核心骨干与企业长期发展。通过多期股权激励计划的实施，有效提升了核心管理团队和技术研发团队的责任感和获得感，激发了积极性和创造性。在职业发展上，设立技术、项目管理、智能制造等7大晋升通道，通过360度评估与定制化培训项目（如校企合作、首席技师工作室）加速人才成长；同时鼓励跨界发展，支持研发人才向客户界面、供应链管理等领域流动，激活组织创新潜能。2025年上半年，公司关键岗位人才储备率持续提升，为技术突破与业务拓展奠定坚实根基。
　　3.持续创新：技术引领驱动产业突破
　　北方华创以高强度研发投入与专利布局巩固技术领先地位。2025年上半年，公司研发投入达29.15亿元，同比增长30.01%，累计申请专利9,900余件，授权专利5,700余件，稳居国内集成电路装备企业首位。
　　在技术成果方面，2025年上半年，北方华创相继迎来立式炉、物理气相沉积（PVD）两种装备的第1,000台整机交付里程碑。加上前期达成该目标的刻蚀设备，公司已有三种主力装备产品累计出货量突破1,000台。同时，公司发布了离子注入设备、电镀设备、先进低压化学气相硅沉积立式炉、金属有机物化学气相沉积设备等新产品，为国内半导体装备产业注入新活力，推动产业技术进步和发展，助力中国半导体产业在全球竞争格局中实现更大跨越。
　　4.全面质量管理：筑牢品质基石，驱动可持续发展
　　北方华创始终将质量视为企业发展的生命线，秉持“全链条协同，全流程改善”的质量理念，构建覆盖全价值链的一体化质量管理体系。通过“双域三层五机制”责任体系压实质量责任，创新矩阵式管理架构，实现从研发、供应链、制造到服务的全流程穿透式质量管控。
　　对质量的执着追求，让公司产品在集成电路、先进封装等领域获得客户的高度认可，连续斩获“全国质量诚信标杆企业”、“北京市人民政府质量管理奖”等质量荣誉。2025年是北方华创质量年，公司持续深化以客户为中心的核心价值观，客户满意度保持行业领先水平。未来，北方华创将继续坚定不移的走“以质取胜”之路，持续提升质量核心竞争力，致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。
　　5.资源整合和平台型优势：战略并购驱动全链技术协同
　　北方华创积极拓展经营业务，扩充产品品类，进一步增强平台能力，2025年上半年完成收购芯源微，进一步完善了在半导体装备领域的产品线布局，特别是在光刻工序配套装备方面与原有半导体装备业务形成强大协同效应，通过市场、技术、供应链等领域的有效协同优化资源配置，有效提升了在集成电路装备市场的整体竞争力，进一步巩固了国内集成电路装备行业的领先地位。

　　三、公司面临的风险和应对措施
　　1、人力资源风险
　　AI及集成电路高端工艺人才缺口仍然较大，市场薪资有所溢价。公司上半年通过人才招聘战略、技能管理、培养方式等方面开展创新工作，并与多所国内一流高校共同培养人才，在契合公司发展阶段特征的基础上统筹布局，积极应对人才需求变化，做好人才储备与资源管理。
　　2、供应链风险
　　半导体行业依赖复杂的全球供应链。全球地缘政治冲突加剧导致全球供应链风险增加。进口零部件、原材料、耗材采购或周期延长且成本上涨。为应对外部环境不确定性带来的供应链风险，公司已加快自主可控供应链生态建设、完善供应保障体系，并通过“安全库存+多供应商”机制确保库存安全，目前已取得阶段性进展。
　　3、技术更新风险
　　半导体行业技术迭代加快，以先进制程、先进封装、化合物半导体为代表的半导体制造前沿技术更新迅速，企业若无法跟上技术发展的步伐，可能面临技术落后的风险，继而导致产品竞争力下降。近年来，公司保持研发投入强度，持续加大新产品新技术研发，积极更新技术策略，调整产品布局，确保技术领先性与市场需求同步。
　　4、市场需求波动风险
　　消费电子市场周期性调整叠加成熟制程相对饱和，可能导致下游需求暂时减缓，存在阶段性供过于求风险。公司将持续开发新的产品品类，优化产品结构，加强与新能源、AI芯片、量子芯片等新兴领域客户合作，不断提升产品工艺覆盖度和市场占有率。
　　5、并购整合风险
　　报告期内，公司完成对芯源微的控股权收购，但整合过程中面临多重挑战，包括团队稳定性风险、技术协同不确定性、管理文化差异等，可能导致整合效率降低。针对可能存在的风险，公司将积极推动研发、供应链、客户资源等方面的全面共享，快速实现双方全方位协同。 收起▲