事件
　　公司发布2025年半年报：2025年上半年公司实现营业收入7.94亿元，同比下降12.98%；实现归母净利润0.11亿元，同比下降89.32%;实现扣非归母净利润-0.11亿元，同比下降111.37%。
　　投资要点
　　公司业绩承压，大尺度SiC衬底研发力度提升
　　2025年第二季度，公司实现营业收入3.86亿元，同比下降20.63%，环比下降5.42%;实现归母净利润0.02亿元，同比下降95.77%，环比下降72.27%；实现扣非归母净利润-0.15亿元，同比下降127.63%，环比下降504.37%。公司业绩承压主要原因系公司为持续加大碳化硅衬底材料在下游应用的渗透，提高公司产品市场占有率，衬底销售价格同比下降。研发方面，公司加大对大尺寸衬底研发投入，2025年上半年，公司研发费用7584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸碳化硅衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。
　　SiC材料满足AI芯片性能需求，终端AI大客户引领中介层材料升级
　　英伟达计划在2027年前将下一代RubinGPU的CoWoS先进封装中介层材料从硅替换为碳化硅。台积电已联合日本DISCO等设备商研发SiC中介层制造技术，首代RubinGPU将沿用硅中介层，当新设备到位之后，预计英伟达将推动SiC中介层的导入。
　　SiC做中介层的核心优势在于：1）散热性能突破：单晶SiC热导率达490W/m·K，可解决CoWoS封装中高带宽内存的散热挑战。2）封装体积缩小：SiC耐化学性强，支持湿法刻蚀制备高深宽比通孔，可以通过非直线通孔设计缩短互连距离，使2.5D封装效果逼近3D封装。
　　从需求端来看，根据行家说三代半，一片12英寸晶圆分别可生产21个3倍光罩尺寸和5个8倍光罩尺寸的中介层，我们假设采用3倍光罩尺寸的中介层，2024-2026年的需求分别为1809片/月、3952片/月和5333片/月；假设采用8倍光罩尺寸的中介层，2024-2026年的需求分别为7600片/月、16600片/月和22400片/月。
　　从供给端来看，4H-SiC单晶衬底、热沉级以及多晶SiC衬底可以用作SiC中介层。目前，天科合达、同光股份等12家厂商已率先实现12英寸N型4H-SiC单晶衬底的研发和量产。
　　从商业化的角度来看，12英寸碳化硅有望成为先进封装的散热性能突破关键技术，先进封装将成为碳化硅的赛道，但是碳化硅要导入中介层材料市场，要突破12英寸切磨抛的关键技术。此外，SiC中介层相较于硅材料价格仍然较高，亟待厂商后续降本方案。
　　碳化硅衬底头部企业，海外客户拓展顺利
　　目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。其中，高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。产能方面，公司目前已形成山东济南、上海临港碳化硅半导体材料生产基地，设计产能每年超40万片。客户方面，截至目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系。同时，公司积极开拓海外市场，高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，已获得英飞凌、博世、安森美等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。下游应用方面，公司产品已被运用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域。
　　盈利预测
　　预测公司2025-2027年收入分别为22.35、28.86、35.07亿元，EPS分别为0.51、0.70、0.87元，当前股价对应PE分别为151.7、110.8、88.8倍，维持“买入”投资评级。
　　风险提示
　　SiC中介层方案进度不及预期；公司产能释放不及预期；碳化硅衬底竞争加剧。

　　投资建议：我们预计公司2025-2027年归母净利润分别为2.16/3.19/4.14亿元，分别同比+20.93%/47.19%/29.83%；EPS分别为0.50/0.74/0.96，当前股价对应2025-2027年PB为3.01/2.90/2.76。首次覆盖，给予“推荐”评级。
　　风险提示：产品验证不及预期的风险；产能提升不及预期的风险；碳化硅在新兴领域的应用不及预期的风险；国际贸易的风险。