一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所处行业情况　　掩膜版作为光刻工艺中的图形母版，是连接工业设计和工艺制造的关键，在半导体与平板显示产业链中承担着承上启下的关键角色。掩膜版是一种具备耗材属性的模具材料，与下游光刻工艺强绑定，它将精密设计的电路图形或像素结构，以高保真度的方式转移至硅片、玻璃基板、有机基板等衬底之上，其精度、缺陷水平与一致性，直接定义了下游器件的性能、良率与可靠性。　　从下游应用来看，半导体芯片与显示面板的终端场景正经历新一轮的拓展与重构。消费电子领域的创新围绕折叠屏手机、AIPC（人工智能电脑）、空间计算设备等新品类展开；新能源汽车的电动化与智能化，拉动功... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所处行业情况
　　掩膜版作为光刻工艺中的图形母版，是连接工业设计和工艺制造的关键，在半导体与平板显示产业链中承担着承上启下的关键角色。掩膜版是一种具备耗材属性的模具材料，与下游光刻工艺强绑定，它将精密设计的电路图形或像素结构，以高保真度的方式转移至硅片、玻璃基板、有机基板等衬底之上，其精度、缺陷水平与一致性，直接定义了下游器件的性能、良率与可靠性。
　　从下游应用来看，半导体芯片与显示面板的终端场景正经历新一轮的拓展与重构。消费电子领域的创新围绕折叠屏手机、AIPC（人工智能电脑）、空间计算设备等新品类展开；新能源汽车的电动化与智能化，拉动功率半导体、车载显示及传感器的单车用量持续攀升；人工智能大模型的规模化部署，催生了对GPU、HBM存储器及高速互联芯片的海量需求；物联网与工业控制领域，则对各类成熟制程的特色工艺芯片保持着稳健且长周期的需求。
　　在上述多元化的终端需求驱动下，半导体制造正沿着两条主线加速演进：一是逻辑与存储芯片向更先进制程迈进，从FinFET（鳍式场效应晶体管）走向GAA（全环绕栅极）架构，并借助3D堆叠、Chiplet（芯粒）与先进封装技术实现系统级性能的持续突破；二是以BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、SiC/GaN为代表的特色工艺平台快速发展，支撑汽车、工业及新能源领域的高可靠性应用。这两条主线共同推高了掩膜版的层数需求与精度门槛，先进制程及先进封装用的高阶掩膜版价值量显著提升。
　　在平板显示领域，技术演进则表现为LTPO（低温多晶氧化物）等新型背板技术的大规模导入、8.6代AMOLED产线的集中建设，以及硅基OLED微显示在AR/VR领域的加速应用。这些趋势促使掩膜版向更大尺寸、更高精度、更复杂的图形设计方向持续迭代。
　　综上，半导体与平板显示两大行业的高质量发展，正持续催生对高精度、高品质掩膜版的旺盛需求，为掩膜版行业的技术升级与产业扩张注入了强劲且可持续的增长动力。
　　1．半导体市场情况
　　1.1半导体掩膜版市场规模
　　半导体掩膜版广泛应用于晶圆制造前道工艺、后道封装环节以及其他半导体器件的生产制造过程中，除此之外，前期的研发流片、半导体设备的定位测试等也需要使用掩膜版。
　　随着半导体技术不断迭代，特别是在AI技术的加持下，将进一步带动集成电路、半导体器件制造以及各类先进封装需求的不断增长，半导体掩膜版市场需求也将随之增长。AI半导体与先进封装两大板块引领行业增长，玻璃基板封装、CPO等新兴技术开启产业新周期。国内企业在封装测试、存储芯片、中低端晶圆制造等领域替代加速，全产业链布局持续完善，逐步缩小与国际巨头的差距，成为全球半导体产业增长的重要动力源。未来，全球AI基础设施建设支出将持续拉动半导体细分需求，玻璃基板封装、CPO（共封装光学）、先进制程等技术将持续迭代升级。
　　行业向更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展。根据多方机构预测的需求综合计算、研判，预计2025年全球半导体掩膜版的市场规模为89.4亿美元，其中晶圆制造用掩膜版为57.88亿美元、封装用掩膜版为14亿美元，其他器件用掩膜版为17.5亿美元；2025年国内半导体掩膜版市场规模约为187亿元人民币，其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币，封装用掩膜版预计为26亿元人民币，其他器件用掩膜版为61亿元人民币。受下游需求的积极推动，未来掩膜版市场规模也将持续增长。各类半导体掩膜版的市场需求测算具体如下：
　　1.2半导体技术发展趋势
　　（1）摩尔定律深水区：EUV掩膜版进入高数值孔径（High-NA）与曲线掩膜时代
　　2025年至2026年上半年，全球先进逻辑制程的竞争已全面聚焦于2nm及以下节点。台积电的N2工艺、英特尔的Intel18A以及三星的SF2等关键制程节点陆续进入试产或风险量产阶段，标志着半导体产业正式迈入“后纳米时代”。在此阶段，晶体管架构经历了从FinFET（鳍式场效应晶体管）向GAA（全环绕栅极）的历史性跨越，同时背面供电网络（BSPDN，Backside Power Delivery Network）的引入，将电源走线从芯片正面转移至背面，虽然显著提升了供电效率与晶体管密度，却使得芯片制造的光刻层数急剧攀升。这些革命性的工艺变革，共同将极紫外（EUV）光刻技术推向了半导体制造无可争议的核心地位，同时也对作为光刻工艺“母版”的掩膜版，提出了前所未有的颠覆性要求。
　　首先，高数值孔径（High-NA）EUV光刻机的导入，彻底改变了EUV掩膜版的设计范式。ASML新一代NXE：5000系列及后续型号的光刻机，将投影物镜的数值孔径（Numerical Aperture）从当前主流的0.33大幅提升至0.55。这一光学系统的根本性变革，旨在实现更高的成像分辨率（可达8nm半周期及以下），因此给掩膜版带来了一整套全新的技术挑战。为适配0.55NA的成像系统，掩膜版的反射层结构必须进行重新设计。传统的钼/硅（Mo/Si）多层膜需要针对更大的入射光角度范围进行优化，以保持高反射率，这意味着膜层厚度梯度控制和界面粗糙度要求达到原子级精度。同时，为了减少光学系统中的杂散光并提高成像对比度，掩膜版需要采用更薄的吸收层材料。业界正积极探索钌基（Ru-based）或新型钽基（Ta-based）复合材料来替代传统的氮化钽（TaN）吸收层。更薄的吸收层能够有效降低3D效应（Mask3D Effects），即掩膜图形厚度导致的阴影效应和成像偏差，但其成分与厚度的极度精密调控成为制造工艺中的新难点。此外，深色边界（Black Border）的设计也变得更加复杂，其作用是在掩膜版有效曝光区域外围形成一个高效的吸光框架，以彻底抑制杂散光对芯片成像的影响，这层结构在High-NA光学系统中变得不可或缺，制造难度极高。
　　其次，反向光刻技术（ILT，Inverse Lithography Technology）与源-掩膜协同优化（SMO，Source-Mask Optimization）已从可选项转变为先进制程量产中的标准配置，这从根本上改变了掩膜版图形的形态。为了在物理极限上继续挖掘光刻分辨率，ILT和SMO算法通过大规模逆向计算，生成出像素级最优的光源照明形状和掩膜版图形。结果是，掩膜版上不再是由简单的曼哈顿式（横平竖直）线条构成的图形，而是充斥着海量的、不规则的、自由形态的曲线轮廓（Curvilinear Patterns）。这些曲线图形虽然能最大程度地补偿衍射效应、提升工艺窗口，给掩膜版的制造带来了近乎极限的多重挑战：一是图形数据量呈现指数级爆炸，一块先进EUV掩膜版的数据文件可达数TB乃至数十TB量级，给数据传输、存储和写入处理带来了巨大压力；二是掩膜版写入时间因此成倍延长，直接制约了生产交付周期，并对电子束写入设备的稳定性提出了严苛考验；三是海量曲线图形的精确检测与缺陷修补也变得更加困难，需要发展新一代基于深度学习的高通量图形比对与分类算法。上述问题使得掩膜版制造从“精密复制”向“超大规模高精度计算图形制造”范式转变，对写入时间、数据处理能力和计算光刻软件算法的全链条提出了极限挑战。
　　更进一步，随着逻辑工艺向2nm以下演进，EUV光刻胶也从传统的化学放大型（CAR）向新型金属氧化物光刻胶（MOR，Metal Oxide Resist）演进，以在更薄的光刻胶膜厚下实现更高分辨率。这反过来要求掩膜版必须针对新光刻胶的光学常数与成像特性进行联合优化。同时，EUV掩膜版的缺陷控制已成为整个光刻工艺流程中最具挑战性的环节之一。即便是纳米级的相位缺陷或吸收层上的微小颗粒，都可能在晶圆上形成致命的重复性缺陷。因此，掩膜版缺陷检测的灵敏度、特异性以及无损伤修补的精度，都必须全面升级到亚10纳米水平，这推动了电子束检测与修补设备、以及相应算法的持续革新。
　　综上所述，在摩尔定律的深水区，EUV掩膜版已不再是传统意义上的“图形母版”，而是集成了尖端光学设计、超精密材料工程、海量数据计算与极限制造工艺于一身的系统级技术载体。其价值量和技术门槛正以前所未有的速度攀升，成为驱动半导体掩膜版市场规模增长与价值结构重塑的核心引擎。
　　（2）存储芯片的三维竞赛：堆叠层数与光刻层数持续拉升掩膜版复杂度
　　存储芯片作为半导体产业中需求量最大的单一品类，其技术演进对掩膜版市场的影响举足轻重。当前，NAND Flash和DRAM两大主流存储技术正沿着各自的路径加速迭代，共同推动掩膜版需求从单纯的“量”的累积，向“质”与“价值”的维度全面跃升。
　　在NAND Flash领域，为满足数据中心、AI大模型训练推理以及消费电子对大容量、低成本存储的持续渴求，3D NAND Flash的堆叠层数正以超预期的速度攀升。2024年，头部厂商已实现238层产品的规模量产；进入2025年至2026年上半年，全球主要存储原厂（如三星、SK海力士、铠侠/西部数据、美光）的竞争焦点已全面上移至300层及以上节点，部分领先厂商甚至已公布了400层以上的技术路线图。这种向“垂直摩天大楼”式的结构演进，其核心制造挑战在于如何在厚度不断增加的氮化硅/氧化硅或氮化硅/多晶硅叠层薄膜中，精准地刻蚀出从顶层直通底层的高深宽比沟道通孔，并形成边缘精度要求极高的阶梯形接触结构。因此，掩膜版的CD均匀性与套刻精度，直接决定接触孔的对准成败，任何偏差都将导致整片晶圆存储单元失效。
　　在DRAM领域，技术演进则呈现出另一番景象。当前，DRAM制程已推进至1β代（约12-14nm）的成熟量产阶段，并向更先进的1γ代（约11-12nm）节点加速迈进。与逻辑芯片类似，DRAM的微缩正逼近深紫外（DUV）光刻的物理极限，极紫外（EUV）光刻技术由此成为实现更密布线、更小存储单元的关键路径。在1β代工艺中，头部厂商已开始在少数最关键层（如位线、
　　电容接触孔等）导入EUV单次曝光，以替代以往需要多次DUV曝光-刻蚀循环才能实现的多重图形方案（Multi-Patterning）；而在1γ代节点，EUV的应用层数将大幅增加，成为制造流程中的核心工艺。
　　综合来看，存储芯片的技术演进正深刻重塑着掩膜版市场的价值格局。3D NAND Flash的层数竞赛不断推高掩膜版的用量层数和精度要求，而DRAM的EUV渗透则大幅拉高了单层掩膜版的单位价值。两者形成合力，共同推动存储芯片用掩膜版从技术门槛相对可控的“量产品”，向高精度、高单价、高附加值的技术密集型产品跃迁，为掩膜版厂商打开了全新的增长空间。
　　（3）超越摩尔的成熟制程与特色工艺：高可靠性与定制化需求凸显
　　当先进制程沿着摩尔定律向2nm以下高歌猛进之时，另一条“超越摩尔”（More than Moore）的技术路径——成熟制程与特色工艺，同样迸发出强劲的生命力，成为半导体掩膜版市场不可忽视的重要增长极。近年来，汽车电子、新能源与工业物联网的蓬勃发展，催生了对各类特色工艺芯片的旺盛需求。在汽车领域，一辆高端新能源汽车所搭载的芯片数量已超过千颗，涵盖电驱控制、电池管理、自动驾驶传感、车载通信等核心环节；在工业与能源领域，光伏逆变器、储能变流器、智能电网设备等同样高度依赖功率半导体和模拟芯片。这些应用场景共同指向了对BCD、IGBT、SiC和GaN等特色工艺平台的旺盛需求。
　　与追求极致微缩的先进逻辑工艺不同，这些特色工艺平台大多运行在90nm至180nm的成熟制程节点上。它们对掩膜版的绝对线宽精度要求虽不及先进制程严苛，却有着另一套同样苛刻的品质标准。首先，汽车与工业级芯片需在高温、高湿、强震动等复杂严苛的工况下，实现十年以上长期稳定工作。掩膜版上若存在超出工艺管控阈值的缺陷，会通过光刻工艺转移至晶圆图形，在长期过程中诱发晶体管参数漂移、金属互连失效等问题。一旦该类缺陷流用到车载关键器件，将存在引发功能异常，进而带来安全风险的可能性。因此，用于特色工艺的掩膜版必须具备极低的粒子缺陷密度、高度品质稳定性。其次，功率器件常工作于高电压、大电流条件下，芯片内部存在强电场分布，图形边缘的微小毛刺或粗糙度，都可能在局部形成电场集中，导致器件击穿电压降低或漏电流增大。这使得掩膜版的边缘质量与图形完整性，直接与终端器件的可靠性、寿命乃至安全性挂钩。
　　与此同时，特色工艺的“小批量、多品种”特性，正持续改变着掩膜版生产的组织模式。不同于手机处理器动辄数千万颗的单一型号出货，车规芯片或工业芯片往往涉及上百种型号，每种型号对应一套独立的掩膜版组合。这要求掩膜版厂商必须具备高度柔性化的生产能力，能够在短时间内完成不同产品的快速切换与交付，同时在多品种并行生产时保持品质的一致性与可追溯性。这种灵活性与快速交付能力的构建，涉及制造执行流程、品质管控节点等一系列环节的系统性优化，因而成为衡量掩膜版厂商综合竞争力的关键维度。随着全球汽车电动化与智能化进程的持续深入，这一赛道的增长确定性高、周期波动小，正为掩膜版行业贡献着长期、稳健且高质量的市场增量。
　　（4）异构集成的革新：先进封装用掩膜版成为高价值新赛道
　　AI大模型与海量数据中心的算力需求持续井喷，推动以Chiplet（芯粒）和HBM（高带宽内存）为代表的先进封装技术跃升为半导体产业的战略高地。传统SoC单芯片方案在芯片尺寸、良率和设计成本上遭遇的瓶颈日益凸显，而先进封装通过将不同工艺节点的计算芯粒、存储芯粒和I/O芯粒在封装基板上进行异构集成，已成为延续系统级性能增长的核心路径。这一技术变革为掩膜版开辟了全新的高价值赛道。台积电的CoWoS、英特尔的EMIB等主流先进封装平台，均高度依赖中介层（Interposer）、重布线层（RDL）和硅桥（Silicon Bridge）等核心结构来实现芯片间的高密度互连。这些结构所需的掩膜版，其线宽/线距已从早期的5μm/5μm快速下探至2μm/2μm，并向1μm/1μm级别逼近，已完全达到晶圆级光刻的精度水平。上述技术壁垒使得先进封装用掩膜版已完全告别“大线宽、低门槛”的传统印象，转而成为一类工艺高度复杂、对制造精度和缺陷控制要求极为严苛的专业产品。在AI算力需求的强劲驱动下，这一赛道正快速崛起为半导体掩膜版领域增长最快、附加值最高的细分市场之一，吸引全球头部掩膜版厂商将其列为战略布局重点，持续加大资源倾斜与产能投入。
　　1.3技术演进如何推动掩膜版需求与迭代
　　（1）全球半导体光掩膜市场稳健增长，中国大陆成为最强引擎
　　全球半导体光掩膜市场在经历了2023年的小幅调整后，于2025~2026年步入强劲增长通道。根据PW Consulting（领先的商业技术咨询公司）数据，2025年全球半导体光掩膜市场规模达到71.4亿美元，预计2032年全年将增长至114.3亿美元。从区域来看，中国大陆是这轮复苏中最重要的增长引擎，无论是市场规模占比还是增速均位居全球前列。这背后的核心逻辑，一是国内晶圆代工与存储芯片产能的持续放量，新建产线带来的光掩膜配套需求集中释放；二是本土掩膜版厂商的产品线正在快速补齐，成熟制程领域的国产替代已形成明确的增量支撑。伴随中国本土晶圆厂、存储厂以及封测厂的快速扩产，国内半导体掩膜版市场可能会有更大的增长空间。
　　（2）先进制程与先进封装双轮驱动，重塑掩膜版产品价值结构
　　在逻辑芯片领域，3nm及以下节点（含2nm试产）的单款产品所需掩膜版总数已超70层，其中EUV掩膜版层数达20~30层，若采用DUV+多重曝光向前推进节点，则需要更多的掩膜版。一片先进EUV掩膜版的售价可高达数十万美元，是DUV掩膜版的十倍乃至数十倍。在AI算力芯片需求持续井喷的驱动下，台积电、三星、英特尔等头部公司加速扩张先进封装产能，带动配套掩膜版需求量呈现翻倍增长，先进封装掩膜版赛道由此成为各大掩膜版厂商竞相布局的核心业务方向。
　　（3）成熟制程晶圆厂持续扩产，创造长期且稳定的掩膜版消耗
　　根据SEMI于2024年第四季度发布的全球晶圆厂预测报告，全球半导体产业在此期间将有多达97座新建高产能晶圆厂投产，包括2024年启用的48座和2025年启用的32座，晶圆尺寸从12英寸到2英寸不等；在中国，中芯国际、华虹集团、晶合集成等代工厂的12英寸成熟制程产能扩张计划规模宏大。一座典型月产数万片的12英寸成熟制程晶圆厂，其掩膜版需求贯穿全生命周期：投产阶段需为数十至上百种产品购置成套掩膜版；进入运营期后，随着产品组合更新与工艺迭代，每年仍有持续且规模化的新掩膜版采购需求，为掩膜版市场提供了稳定的业务基本盘。
　　（4）后摩尔时代先进封装与存储堆叠技术演进，多重路径共驱掩膜版需求攀升
　　AI大模型参数量迈向万亿级，算力需求持续井喷，正在从芯片制造、封装集成到存储带宽等多个维度重构半导体的技术范式。在此发展浪潮下，玻璃基板的导入、HBM的快速迭代，以及“逻辑堆叠+先进封装+多重曝光”深度融合的系统级性能提升路径，共同构成驱动掩膜版需求结构性增长的多条主线。
　　玻璃基板开启封装材料革新，衍生掩膜版增量市场。为支撑更大尺寸、更高密度的Chiplet异构集成，英特尔、三星等巨头正加速推动以玻璃基板替代传统有机树脂基板的技术方案。玻璃芯基板凭借更低的介电损耗、与硅芯片高度匹配的热膨胀系数以及优异的平整度，能够在单一封装体内实现更高密度的芯片互连。玻璃通孔（TGV）的精确定位、多层重布线层（RDL）的逐层堆叠及细间距互连结构的图形化定义等核心制造工序均须经由光刻工序完成，直接催生大量专用掩膜版需求；随着线宽/线距向2μm及以下演进，相关掩膜版的精度要求已完全对齐先进封装标准。
　　HBM加速向更高堆叠与更大容量演进，同步拉高掩膜版用量与精度门槛。作为AI算力芯片的核心搭档，HBM已从HBM3的8—12层堆叠向HBM3E的12层乃至HBM4的16层以上快速推进，单颗HBM的容量与带宽持续翻倍。每一代HBM的升级，都意味着中介层上需要承载更密集的硅通孔阵列、更复杂的多层互连布线，以及更大面积的芯片拼接区域。这些中介层结构的定义完全依赖光刻工艺，所需掩膜版的层数与精度要求同步攀升。尤其在中介层尺寸随HBM堆叠数量增加而持续扩大的趋势下，大尺寸、高精度掩膜版的需求正在快速放量。
　　“逻辑堆叠+先进封装+多重曝光”成为后摩尔时代性能增长的核心范式。单芯片微缩的成本效益比持续衰减，业界转向三维逻辑堆叠与异构集成的路径寻求系统级性能突破。逻辑芯片通过垂直堆叠增加功能层数，先进封装（如CoWoS、EMIB等）将复杂互连从芯片内部转移至中介层与封装基板，多重曝光则在EUV光刻全面普及前继续承担拆分图形的角色。三条技术路径叠加，使单款先进逻辑芯片从设计验证到量产爬坡全周期所消耗的掩膜版总层数已达百层量级，其中高价值EUV掩膜版及先进封装用高精度掩膜版的占比持续扩大。
　　综合来看，AI算力需求驱动下的HBM迭代、封装材料革新与三维集成范式跃迁，正从“用量增加”与“价值提升”两个维度同步撬动半导体掩膜版市场的长期增长空间，为本土掩膜版企业提供了明确的增量方向与产品升级路径。
　　2.平板显示市场情况
　　2.1平板显示技术发展趋势
　　（1）高精度图形加工要求成为主流，掩膜版关键尺寸（CD）进入亚微米时代
　　显示技术正从4K向8K超高清、从60Hz向120Hz乃至480Hz超高刷新率全面演进。高端智能手机、电竞显示器及车载显示对像素密度与画质一致性的要求日趋严苛，推动LTPS（低温多晶硅）与LTPO（低温多晶氧化物）背板技术成为中高端面板的主流选择。LTPO技术通过将LTPS的高迁移率与IGZO（铟镓锌氧化物）的低漏电特性整合于同一基板上，实现了动态刷新率的灵活调节，显著降低功耗，但其制造工艺融合了两种材料体系，光刻层数增多、工艺窗口极窄，对光刻精度提出近乎苛刻的要求。
　　用于这类高阶背板的掩膜版，其关键尺寸需控制在1.5μm甚至更小，线宽均匀性与套刻精度须达到数十纳米级别，以确保整个面板区域内数百万晶体管的电学特性保持高度一致。为满足精密沟道和电极图形的加工需求，高精度二元掩膜版、半色调掩膜版以及相移掩膜版已成为产线标配。其中，半色调掩膜版可在单一曝光中实现不同灰度图形，减少光刻步骤；相移掩膜版则通过光学干涉效应提升成像对比度与分辨率，在极限线宽下获得更大的工艺窗口。这些高端掩膜版技术的导入，正成为面板厂商实现产品差异化竞争力的关键支撑。
　　（2）高世代AMOLED产线建设浪潮进一步推动高精度掩膜版向超大尺寸演进
　　国内厂商加速布局高世代AMOLED产线，高精度、大尺寸AMOLED面板成为趋势，8.6代OLED面板正成为行业竞争的新焦点。三星显示于2023年宣布启动8.6代线投资计划，使用制程为传统FMM蒸镀，并计划导入Tandem OLED以延长屏幕寿命，于2026年7月开始量产基于全氧化物（Fox）技术的全新第8.6代IT OLED生产线。京东方在2023年四季度宣布在成都投建G8.6AMOLED产线，总投资630亿元，设计产能每月3.2万片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生产笔记本电脑、平板电脑等智能终端的高端触控OLED显示屏，产线已于2026年上半年进入量产阶段。维信诺于2024年三季度宣布在合肥建设其G8.6AMOLED产线，投资550亿元，规划月产能为32,000片基板，产线将采用其自主研发的ViP技术（维信诺智能像素化技术），2026年7月维信诺G8.6AMOLED V5生产线全部厂房、洁净室工程完工，核心生产设备已全部进场安装，产线全面进入整机联调阶段，项目规划2027年正式大规模量产。TCL华星于2025年10月宣布t8项目OLED8.6代线正式开工，该产线总投资约295亿元，产品主要涵盖平板、笔记本电脑、显示器等应用领域；2026年5月，TCL华星全球首条规模化量产G8.6印刷OLED产线t8项目封顶，预计2027年第四季度正式投产。
　　AMOLED向8.6代线升级及技术路线多元化，正推动掩膜版在尺寸、精度和工艺适配性上同步进阶。首先，8.6代线基板尺寸要求掩膜版在大幅面内保持极高的图形均匀性和位置精度，8.6代线所需的高精度掩膜版尺寸跃升至1550mm；同时，为满足IT产品对更高PPI（像素密度）的追求，掩膜版的线宽精度和缺陷控制标准变得极为严苛；采用LTPO技术，在背板中集成氧化物TFT，需要增加掩膜版层数，且对膜层质量要求更高。除此之外，石英基板的平整度、光刻胶的涂布均匀性、长距离图形曝光的拼接精度（stitching accuracy）以及宏观缺陷的控制难度均大幅上升。
　　根据Omdia统计，中国已占据了全球76%的LCD产能和47%的OLED产能，平板显示行业掩膜版需求量占全球比重从2016年的26%上升到2025年的64%，据Omdia统计及公司经营数据计算，2024年中国大陆平板显示掩膜版厂商在全球市场占有率仅23.8%。其中，OLED用掩膜版的市场增长显著快于OLED面板市场的增长，从收入端看，目前LCD用掩膜版的市场规模仍然占主要地位。随着国内新的G8.6AMOLED工厂产能持续开出，缺口可能进一步放大，因此，国内平板显示掩膜版市场存在巨大的增长空间。
　　根据Omdia报告，2026年上半年全球平板显示掩膜版市场的强劲需求主要来自韩国市场高端OLED产品，在中国高端OLED的加速追赶下，中国高端平板显示掩膜版的需求增长成为行业最核心的增长来源，尤其是G8.6AMOLED的扩产。
　　（3）硅基OLED与微显示技术开辟高精度掩膜版新战场
　　2025年，硅基OLED技术凭借高分辨率、高亮度、小尺寸等核心优势，成为VR/AR设备的核心显示方案，同时逐步向车载HUD、医疗内窥镜等细分场景延伸。根据视涯科技招股说明书引用的弗若斯特沙利文报告数据显示，全球硅基OLED显示屏销售额由2020年的3.9亿元人民币增长至2024年的12.7亿元人民币，出货量达到636.5万块，预计2030年将达到679.3亿元人民币，出货量将达到39,956.6万块。与传统玻璃基OLED、LCD显示技术相比，硅基OLED的核心优势在于其对近眼显示场景的适配性上。其量产产品PPI可达3000-5000，是传统手机OLED屏幕的6-10倍，彻底解决了近眼显示中的“纱窗效应”；在亮度方面，其量产峰值亮度可达10000nit以上，是传统OLED的3-5倍，能够满足AR设备在户外强光环境下的清晰显示需求。在功耗方面，其实现相同显示效果下，功耗比传统显示技术低30%-50%，契合便携穿戴设备的续航要求；同时，该技术可在0.3-1.3英寸的极小尺寸内实现2K、4K甚至8K分辨率，结合硅基背板集成的驱动电路，可大幅缩减显示模组体积，提升穿戴设备的轻量化水平。
　　在竞争格局方面，根据普华有策数据，全球硅基OLED市场早期由日本索尼、美国eMagin（2023年被韩国三星显示收购）以及法国MicroOLED等境外公司主导。随着市场扩大，竞争日趋激烈，越来越多的企业加入战局。全球主要制造商包括Samsung（eMagin）、Sony、LG、KopinCorporation、TCL华星（CSOT）、京东方（BOE）、视涯科技（SeeYATechnology）、湖畔光电（Lakeside Optoelectronics）、国兆光电（Guozhao Optoelectronics）等。目前，中国企业在产能和技术上正快速追赶，多家厂商正在扩建12英寸晶圆产线。熙泰科技在四川南充的12英寸硅基OLED微显示产业园项目于2025年12月封顶，昀光科技在南京的12英寸超高清硅基OLED微显示器生产基地于2026年2月开工，均预计在2027年投产。
　　硅基OLED是在硅基CMOS电路上集成OLED器件，其超高的像素密度要求掩膜版的图形尺寸精度、套刻精度及缺陷控制必须达到亚微米甚至纳米级，已接近先进半导体掩膜版的标准，远高于传统显示技术的需求。每片硅基OLED面板的生产都需要一套或多套超高精度掩膜版，需求与面板产量直接挂钩。由于技术壁垒极高，满足硅基OLED生产要求的掩膜版的附加值较高。京东方、天马微电子等国内面板厂已实现规模化量产并切入头部VR供应链，这为国产掩膜版厂商提供了绝佳的验证和导入机会，开辟了一个伴随VR/AR、车载AR-HUD等终端放量而快速成长的高价值市场。
　　在AR/VR近眼显示应用中，为消除人眼可感知的“纱窗效应”，其像素尺寸通常被压缩至3微米至5微米级别，对应的掩膜版线宽随之步入0.5微米至0.8微米对应的亚微米区间，该精度已完全超出传统显示掩膜版的工艺范畴，迈入半导体前道光刻的技术疆域。此类掩膜版面临的挑战远不止于线宽的微缩。由于其制造载体为单晶硅晶圆，产线上需使用与半导体工艺完全兼容的步进式光刻机，如ASML或Nikon的i-line、KrF扫描光刻系统。这意味着掩膜版必须与光刻机的像场尺寸、焦深范围和照明模式实现完美匹配，任何在传统显示曝光中可被容忍的细微偏差，在步进式重复曝光的叠加效应下都会被急剧放大，导致芯片区域内出现周期性的成像异常。这对掩膜版厂商提出了独特而苛刻的要求：必须同时跨越平板显示与半导体两大技术体系。一方面，需沿用半导体级掩膜版对纳米级CD均匀性、极低缺陷密度的严苛品控标准；另一方面，又需兼顾显示器件对大面积图形一致性、高产出效率的成本诉求。能将两类产品的制造特点与品质管理体系深度融合的企业，才有望在这一蓝海市场构筑起真正的差异化竞争力。
　　（4）创新面板结构与材料体系对掩膜版的设计与工艺提出多元化需求
　　为实现更高的屏占比和更优的显示效果，COE（在薄膜封装上形成彩膜）、MLP（微透镜阵列）及屏下摄像头等新技术被导入。这些技术需增加全新的光刻层，并大量使用高精度、灰阶掩膜版来制造复杂的三维结构。这要求掩膜版的透光率设计与光刻、显影等工艺实现精密联动，从二维图形控制升级为三维形貌调控，技术复杂度显著增加。
　　（5）Micro-LED等新一代显示技术催生新的掩膜版需求
　　新一代显示技术研发加速并已在部分产品中崭露头角，Micro-LED、硅基OLED（OLEDoS）等新兴技术有望在未来高端应用细分领域占据市场份额。根据Omdia数据，预计2031年Micro-LED、LEDoS（Micro-LED on Silicon）以及OLEDoS（OLED on Silicon）将共同占据显示面板市场总量约5%。
　　2025年，Micro-LED技术迎来从研发到商业的关键转折点，正式迈入产业化初期阶段，并迅速成为新型显示领域中增长最快的细分板块。集摩咨询数据显示，2025年全球Micro-LED显示面板收入同比增长150%，其中AR智能眼镜作为核心应用场景，首次贡献了超过半数的营业收入。在关键技术领域，Micro-LED技术在巨量转移、像素密度等方面持续取得新突破；在巨量转移方面，迈为股份基于紫外激光器开发的LMT设备，其转移良率已超过4N级，有望达到5N级；在像素密度方面，上海显耀（JBD）于10月份发布的微显示平台，像素密度达10160PPI，彩色光机体积缩小50%；在透明度方面，友达光电在SID2025展示的全球单片尺寸最大的42英寸透明Micro-LED拼接屏，其透明度超过86%，并支持三边无边框无缝拼接；在微纳纹理覆层方面，辰显光电发布的纹理屏可通过微纳纹理层技术支持多种可定制化颜色纹理设计，实现显示内容与背景纹理的无缝融合。
　　国内企业在Micro-LED领域布局领先，产业协同效应日益凸显。京东方通过控股华灿光电，构建了从上游芯片到下游应用的完整产业链，其Micro-LED量产线已于2025年3月正式投产。TCL华星与三安光电成立合资公司专注于攻克巨量（mass transfer）转移技术。天马微电子在厦门投建了G3.5Micro-LED生产线主攻车载显示。维信诺旗下辰显光电则提出明确的降本目标，计划在未来五年内将Micro-LED成本降低10倍，以加速其在更广泛消费市场的普及。
　　2.2技术演进如何推动掩膜版需求与迭代
　　（1）面板技术迭代直接拉高掩膜版用量与单位价值
　　每一次背板技术的升级都意味着掩膜版层数的增加，LTPO背板相较于传统LTPS，通常需要增加2至3道掩膜版，掩膜版用量增幅在15%~20%。同时，COE等新结构又会增加2至4道彩色滤光膜或黑矩阵的光刻工序。更重要的是，高精度、大尺寸掩膜版的单价是普通产品的数倍，直接驱动市场规模提升。
　　（2）相移掩膜版（PSM）等新技术加速在显示领域渗透，推动产品价值跃升
　　半导体领域已成熟应用的相移掩膜版技术，近年来正加速向高端显示制造领域渗透，成为推动掩膜版技术升级的重要新变量。随着AMOLED面板向更高分辨率、更高像素密度（PPI）以及更优显示均匀性方向演进，传统二元掩膜版在极限线宽下的成像对比度和分辨率已逐渐接近物理边界。PSM技术通过在掩膜版上构建特殊的相移层结构，利用透射光之间的干涉效应，可有效提升光刻图形的分辨率和工艺窗口，从而在相同的光刻设备条件下实现更精细、更均匀的图形转移。在高端AMOLED产线中，PSM掩膜版正被逐步应用于对图形精度要求较高的关键光刻层，如像高精度开孔等。相较于普通二元掩膜版，PSM的制造工艺更为复杂，需要精确控制相移层的材料厚度与刻蚀精度，对缺陷控制的要求也更为严苛，因此其产品单价和技术门槛均大幅提升。PSM在显示领域的导入，不仅直接拉高了单条产线掩膜版的价值量，更推动了掩膜版厂商向离子束修复、纳米级检测等高端制造工艺方向进行系统性的技术升级，加速行业从传统制造向精密加工的范式转变。
　　（3）中国高世代线集中投产引爆本土掩膜版采购需求
　　据中国光学光电子行业协会液晶分会数据，2025年全球新型显示产业规模约2,226亿美元，我国显示产业年度总产值达8,386亿元人民币，全球占比提升至53%。2026年，国内首条8.6代OLED产线顺利实现量产，多条高世代产线相继进入建设关键阶段，显示产业从“规模领先”向“技术引领”迈出了关键一步。本轮产线投资热潮，核心驱动力源自中尺寸IT产品（平板电脑、笔记本电脑、车载显示）AMOLED化的产业大趋势。相较于此前聚焦手机面板的6代线，8.6代线在切割中尺寸面板时具有显著的成本与生产效率优势，是行业公认未来五到十年显示产业最重要的产能升级方向。新产线从厂房封顶、设备搬入到产品点亮、良率爬坡、满产运行，全周期均催生大量的掩膜版采购需求。从初期新品开发所需的成套实验掩膜版，到量产阶段标准化掩膜版的批量采购，再到后续新产品导入的持续追加，形成了一个贯穿数年的需求释放周期。
　　（二）主营业务情况
　　1．主要业务
　　掩膜版是光刻工序中实现图形转印的核心载体，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。作为本土掩膜版行业的先行探索者，公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，在显示领域为业内知名显示面板生产商批量供应高世代、高规格掩膜版；在半导体领域则全面布局先进封装及成熟制程用掩膜版市场，广泛服务于晶圆制造企业、IC设计公司及封装测试厂商，并提供全流程的专业服务保障；通过投资路芯半导体将半导体掩膜版制程拓展至14nm。深耕行业近30年，坚持自主研发创新及不断扩产，目前公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先。
　　作为半导体及显示行业制造领域的关键材料，公司掩膜版产品是下游客户光刻工艺图形转移的刚需母版，掩膜版承载的电路或像素结构，经光刻系统精确复制至硅片、玻璃或有机基材表面，其自身品质优劣直接关乎终端产品的性能表现与成品率，这也正是公司在产业链中核心价值的根本所在。
　　依托对显示产业技术走向的深刻理解与持续研发投入，公司构建了覆盖全世代、全技术路线的产品版图。在显示领域，公司是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，实现全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等）。为巩固并扩大在下一代显示技术领域的领先优势，公司于2025年7月启动厦门高世代高精度掩膜版基地建设，重点锚定G8.6及以下各类掩膜版，旨在精准匹配国内高端面板产线的加速扩张所释放的配套需求，持续加高公司在技术迭代中的护城河，目前项目正按照计划开展工艺调试与产品试生产。
　　在半导体领域，公司依托“以屏带芯”的战略牵引，与国内主流特色工艺晶圆制造厂商、芯片设计公司、先进封装厂商建立了良好的合作关系，是先进封装掩膜版龙头供应商。目前公司已可稳定量产130nm及以上制程节点半导体掩膜版，所掌握的制造工艺已延伸至第三代半导体相关产品，应用版图全面覆盖IC制造及先进封装等关键环节，能够适配先进芯片封装、MEMS传感器、射频芯片等多元场景，为本土半导体供应链的关键材料自主配套提供了坚实支撑。通过投资建设路芯半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目一期布局40nm半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期规划向28nm至14nm节点延伸，计划于2026年开始陆续投建。该项目投产后，产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）、DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关领域，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　2．主要产品或服务情况
　　根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版和其他掩膜版等。
　　平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括TFT-Array制程和CF制程；低温多晶硅液晶显示器（LTPS-LCD）制造；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造；铟镓锌氧化物有机发光二极管显示器（IGZO-OLED）制造，低温多晶硅氧化物有机发光二极管显示器（LTPO-OLED）制造等。
　　半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造等。
　　其他掩膜版应用于触摸屏的制造过程、PCB及FPC的制造等。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　路维光电作为本土掩膜版行业的先行者，坚持以“以屏带芯”为战略锚点，在显示领域已实现全世代覆盖（G2.5-G11）、全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等），为业内知名面板生产商批量供应高世代、高规格掩膜版；在半导体领域则全面布局先进封装及成熟制程用掩膜版市场，广泛服务于晶圆制造企业、IC设计公司及封装测试厂商，并提供全流程的专业服务保障；通过投资路芯半导体将半导体掩膜版制程拓展至14nm。深耕行业近30年，坚持自主研发创新及不断扩产，目前公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先。
　　公司产品技术国内领先，多次打破海外垄断。（1）在G11高精度超大尺寸掩膜版领域，公司于2019年成功建设国内首条G11高世代掩膜版产线并投产，成为国内首家且唯一一家、世界第四家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业；（2）在半色调掩膜版（HTM）领域，公司的技术演进路径清晰且扎实。从2018年实现G2.5等中小尺寸半色调掩膜版的量产突破起步，次年便将能力边界迅速扩展至G8.5及G11TFT-LCD产品。至2024年，公司进一步跨越技术门槛，成功量产AMOLED用HTM产品，至此形成了覆盖全世代线的半色调产品矩阵，彻底结束了该细分市场长期由海外厂商供应的局面；（3）在相移掩膜版（PSM）领域，公司沿着从基础研发到多场景量产的路径稳步推进。2021年完成衰减型相移掩膜版（ATT PSM）的核心工艺开发并通过内部验证后，公司加速推动技术成果向实际应用转化：2023年，Metal Mesh用PSM产品率先导入量产；2024年，彩色滤光片用PSM产品完成客户认证并顺利投放市场。TFT-Array用PSM掩膜版已贯通关键工艺节点，已于2025年实现客户验证通过，并在2026年上半年实现多个客户、不同功能层产品的导入；与此同时，面向更高精度，如AMOLED用PSM产品的研发也在积极推进中，将依据下游客户的技术路线迭代和市场需求择机推向量产。（4）在上游核心工艺环节，2016年到2018年间，公司相继自主突破了中小尺寸及大尺寸掩膜版的光阻涂布技术，一举填补了国内在该领域的长期空白，在此基础上不断实现技术迭代，目前可实现G2.5~G11全世代掩膜版光阻涂布。公司已具备向产业链上游进行技术外延的扎实功底，为更深层次的供应链自主化奠定了工艺基础。
　　经过近三十年的技术研发与产品开发，公司积累了丰富的客户资源，在平板显示掩膜版领域，公司服务的主要客户包括京东方、天马微电子、TCL华星、上海显耀（JBD）、寰采星等；在半导体领域，公司服务的主要客户包括国内某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成龙头（2.5D/3D）、华天科技、宁波中芯、晶方科技、通富微电、光迅科技、源杰科技、鹏鼎控股等，路维光电已经成为掩膜版行业知名供应商。
　　（一）财务表现
　　报告期内，公司实现营业收入66,807.20万元，较上年同期增加22.80%。主要得益于公司产能有序提升及下游行业需求旺盛。从收入结构看，OLED用掩膜版、Micro-LED掩膜版等高附加值掩膜版的增速明显，带动平板显示掩膜版的整体增长；公司的第二成长曲线半导体掩膜版发展前景广阔，尤其是晶圆制造掩膜版以及先进封装掩膜版的表现亮眼，随着新增投资项目产能的陆续释放，公司期待在未来可以实现双轮驱动发展。同时，随着规模效应释放、产品结构持续优化以及运营管理不断强化，公司盈利能力得以进一步加强。报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润14,455.09万元，较上年同期增加35.82%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,622.41万元，较上年同期增加43.33%。
　　（二）经营进展
　　报告期内，公司可转换公司债券募投项目“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”产线处于产能投产爬坡阶段，该项目产品涵盖250nm-130nm半导体掩膜版和G8.6及以下各类高精度平板显示掩膜版产品。
　　公司投资建设的路芯半导体掩膜版项目进展顺利，制程节点布局居于国内厂商前列。该项目一期产品覆盖至40nm制程节点半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期规划向28nm至14nm节点延伸，计划于2026年陆续投建。未来伴随项目的顺利投产，其产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片），SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存），DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　为进一步扩充公司高世代高精度掩膜版的产能，公司于厦门市投资建设“厦门路维光电高世代高精度光掩膜版生产基地项目”。该项目总投资额为人民币20亿元，计划建设11条高端光掩膜版产线，重点研发生产G8.6及以下各类高精度光掩膜版。项目分阶段实施，其中一期计划总投资额13亿元，将建设5条G8.6及以下AMOLED高精度掩膜版产线，配置5台（套）核心主设备及22台（套）精密辅助设备。该项目投产后，公司产能将显著提升，能够更充分地满足下游客户需求，助力公司持续提升在客户供应链中的份额，加速推进国产化替代进程，进一步推动平板显示掩膜版国产化率提升。
　　凭借优秀的产品性能与优质的服务，公司不断加强客户粘性、提升份额。2026年上半年，公司来自七十余家客户的销售收入同比增长超30%，其中五十余家合作客户收入增幅超过100%，对天马微电子、莱宝高科、宁波中芯、三安光电、晶方科技、源杰科技、蓝思科技等重点客户的供货规模实现较快增长。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1.领先且持续迭代的技术能力
　　自成立以来，公司始终将掩膜版研发作为核心主轴，在平板显示与半导体两大战略方向上持续构筑技术纵深。
　　在平板显示领域，公司以2019年G11掩膜版的国内首发量产为标志，成为全球第四家、国内独家掌握该世代制造技术的企业，也是本土唯一能完整配套G2.5至G11全世代面板产线的掩膜版供应商。依托G11产线的技术势能，公司先后将高世代半色调、灰阶掩膜版及相移掩膜版等高端品类推向市场，逐一打破海外厂商的长期供给垄断，产品技术指标对齐国际前沿水平。在LTPO、Micro-LED、硅基OLED等新型显示赛道，公司各产品线均已进入量产阶段，技术能力位居前列。与此同时，公司向上游延伸突破，已掌握光阻涂布、涂布洗边与Mura控制等多项核心工艺，补上了本土产业链在关键材料环节的短板。围绕AMOLED这一高速增长市场，公司已构建起覆盖G8.6及以下AMOLED掩膜版制造、高PPI光刻补偿与缺陷检测、半色调掩膜版制造、相移掩膜版制造、大尺寸涂胶缺陷与Mura控制及FMM用掩膜版制造等全流程核心技术集群。
　　在半导体领域，公司明确将第三代半导体和先进封装作为主要发力点，面向功率器件、射频芯片、MEMS传感器、光模块等增量市场不断拓展产品边界。工艺层面，公司在稳固激光直写、湿法制程、光学检测等成熟能力的基础上，向电子束直写、干法制程、等离子束修补及半导体用相移掩膜版制造等更高阶工艺发起冲击，并布局光波导、衍射光学、光刻仿真模拟、反演光刻等前沿技术。伴随技术能力的梯次升级，公司正持续提升150nm/130nm及以下节点的产出比重，同步扩大在AI产业、智能装备、信息通信、新能源汽车、近眼显示等新兴终端的客户版图，为半导体掩膜版的长期增长打开更广阔的空间。路芯半导体掩膜版项目进展顺利，2025年已逐步实现产品量产，一期实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局至14nm半导体掩膜版，计划于2026年陆续投建，致力于打破境外企业在高端制程领域的垄断。
　　2.深度协同产业演进的前瞻性综合能力
　　公司深耕行业近三十年，亲历并推动了国内掩膜版产业从追赶到并跑的历程。公司不仅积累了覆盖图档设计处理、光刻、检测与检验、修补的全流程制造know-how，更形成了对下游面板行业世代更迭与半导体技术路线变迁的深刻洞察。这使得公司能够前瞻性地进行研发投入与产能规划，精准匹配下游客户的技术升级节奏。在与行业领先面板厂、晶圆厂、封测厂及芯片设计公司的长期紧密合作中，公司锻炼出快速响应多样化、定制化需求的能力，成为客户在推动产品创新与产能爬坡过程中值得信赖的合作伙伴。
　　3.体系化与前瞻性并重的强大研发实力
　　作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司已构建起覆盖产品制造与核心工艺两大维度的完整技术体系。产品制造层面，涵盖G11及以下TFT掩膜版、多灰阶掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版、AMOLED掩膜版、平板显示相移掩膜版、130nm制程节点半导体掩膜版、先进封装掩膜版等全品类；核心工艺层面，贯通了光阻涂布、Mura检查与控制、高精度图形清洗缺陷控制、半导体精细化光刻控制、条纹控制、OPC补偿等关键制程能力，广泛服务于平板显示与半导体领域。公司坚持研发驱动，已形成系统化、规范化、科学化的研发管理体系，汇聚了一支经验丰厚、技术精湛的专业研发团队，核心成员普遍具备多年的项目实践积淀与深厚的专业素养，为技术持续迭代提供了坚实的人才底座。近年来，公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，“高精度G8.5灰阶掩膜版研发项目”纳入四川省科技计划重点研发专项。同时，公司产品也屡获行业殊荣，公司的“G11光掩膜版项目”于2020年8月被中国电子材料行业协会和中国光学光电子行业协会液晶分会联合授予“2019年中国新型显示行业产业链突出贡献奖”；同时，G11和G8.5掩膜版分别获得2022年度四川省重大技术装备国内首批次产品认定；G8.6TFT用光掩膜版、CF用光掩膜版分别获得2024年度四川省新材料国内首批次产品认定；公司的“G6TFT-LCD用相移掩膜版项目”被中国电子材料行业协会、中国光学光电子行业协会液晶分会和电子化工新材料产业联盟联合授予“2024年度新型显示产业链创新突破奖”；半色调（half-tone）掩膜版荣获DIC WXPO2025“显示材料创新金奖”；LTPS用光掩膜版入选四川省新材料“国内首批次”产品名单；显示用高世代光掩膜版为公司斩获“广东省制造业单项冠军企业”称号，彰显了公司卓越的市场地位与技术影响力。
　　4.稳固并持续拓展的优质客户生态
　　掩膜版直接定义了下游产品的良率，这一属性决定了客户对供应商的甄选极为审慎——从技术验证到批量导入，往往需经历漫长而严苛的认证周期，一旦达成合作便形成高度粘性。路维光电历经市场淬炼，已跻身掩膜版行业知名供应商行列，凭借领先的技术实力、稳定的品质交付与高效的服务响应，赢得了下游头部客户的充分信赖，与众多标杆企业缔结了长期稳固的合作纽带。在平板显示领域，公司与京东方、TCL华星、天马微电子等全球主流显示面板企业均建立了深度、稳定的战略供应关系。在半导体领域，公司的客户群从原有的某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成（2.5D/3D）、宁波中芯、华天科技、晶方科技、通富微电等厂商，持续向下游芯片制造与设计环节延伸，成功导入国内几家知名光刻机研发厂商及众多国内领先的芯片公司。基于深度互信的合作关系，构成了公司业务持续增长的坚实基础，并为公司切入更先进技术赛道提供了宝贵的市场入口和反馈闭环。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　路维光电系国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、深圳市专精特新中小企业、广东省超高精度激光加工掩膜版工程技术研究中心、广东省制造业单项冠军企业；成都路维系国家高新技术企业、四川省专精特新中小企业、四川省企业技术中心、成都市企业技术中心、四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区瞪羚企业；路维科技系四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区梯度培育企业-种子期雏鹰企业。
　　在产品认证与行业荣誉方面，公司的“G11光掩膜版项目”于2020年8月被中国电子材料行业协会和中国光学光电子行业协会液晶分会联合授予“2019年中国新型显示行业产业链突出贡献奖”；同时，G11和G8.5掩膜版分别获得2022年度四川省重大技术装备国内首批次产品认定；G8.6TFT用光掩膜版、CF用光掩膜版分别获得2024年度四川省新材料国内首批次产品认定；公司的“G6TFT-LCD用相移掩膜版项目”被中国电子材料行业协会、中国光学光电子行业协会液晶分会和电子化工新材料产业联盟联合授予“2024年度新型显示产业链创新突破奖”；半色调（half-tone）掩膜版荣获DIC WXPO2025“显示材料创新金奖”；LTPS用光掩膜版入选四川省新材料“国内首批次”产品名单；显示用高世代光掩膜版为公司斩获“广东省制造业单项冠军企业”称号。
　　公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。报告期内，公司新增3项核心工艺技术，现共拥有56项核心工艺技术。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终将技术创新视为驱动发展的核心引擎。围绕掩膜版制造的关键工艺与下游技术迭代方向，公司构建了“技术突破—精度跃升—产品扩展—前沿储备”四位一体的研发推进体系。在工艺技术端，持续深挖光刻、刻蚀等核心制程的迭代空间；在精度端，向更窄线宽、更优均匀性发起攻关；在产品端，加速高附加值品类的量产导入与全世代覆盖；在储备端，前瞻布局面向下一代显示与半导体技术的掩膜版方案。四维协同发力，使公司在技术演进的道路上持续收获阶段性研发成果。
　　报告期内，公司完成了多项技术研发项目。“化学蚀刻对高精度图形形貌的影响研究与蚀刻工艺开发”项目通过对高精度图形蚀刻后形貌的研究，制定出更精确的蚀刻工艺参数，进而达到更精确的CD（关键尺寸）控制能力，提升MASK精度等级，更好地满足下游客户需求，同时显著提升公司在行业中的竞争力。“外框barcode数据自动化生成及处理效率提升”项目通过开发外框barcode图形坐标计算和生成系统，实现批量自动化设计，提高外框barcode图档文件处理效率，从而有效缩短产品制作周期。“封装行业图形处理效率提升”项目针对封装行业ODB++的数据文件，测试研究图形处理软件，优化数据处理流程，提高封装行业图形处理时效，从而有效缩短产品制作周期。
　　针对具体产品研发方面，在平板显示领域公司新开展了基于半色调技术的异质导电层同步图形化掩膜产品开发，形成G8.5、G11等尺寸产品，配套国内G8.5及以上TFT-LCD、AMOLED等高精度显示终端；在半导体领域，公司开展了高精度衍射光学元件产品开发等研发项目，通过高精度衍射光学元件产品的逐步国产化，可有效打破海外技术垄断，进一步丰富公司在半导体领域的产品线，助力光电产业链国产化升级。与此同时，在过往研发成果的基础上，公司成功实现G6、G8.5等多个尺寸CF/Array用PSM量产，进一步丰富公司产品种类。
　　3、研发投入情况
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　主要系报告期内公司对新产品及新工艺研发持续投入增加。

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入66,807.20万元，同比增长22.80%；归属于上市公司股东的净利润为14,455.09万元，同比增长35.82%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,622.41万元，同比增长43.33%；归属于上市公司股东的净资产为173,047.99万元，基本每股收益0.75元。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　1．部分产品技术指标较国际厂商存在差距
　　国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，公司已实现130nm制程节点半导体掩膜版量产，满足适配先进芯片封装、MEMS传感器、射频芯片等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在IC封装和IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。
　　2．关键技术人才流失风险
　　公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。
　　截至2026年6月30日，公司共有研发技术人员79人，占总人数的19.17%。随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。
　　3．技术替代风险
　　公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。
　　同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。
　　（二）经营风险
　　1．重资产经营风险
　　掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。报告期，随着经营规模扩大和产品结构升级，截至2026年6月30日，机器设备原值达到135,286.91万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。
　　如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。
　　2．主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险
　　公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。报告期，公司向前五大供应商采购原材料的金额为25,174.22万元，占原材料采购比例为86.02%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。
　　未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。
　　3．主要客户相对集中的风险
　　报告期内，公司向前五大客户合计销售金额为49,951.61万元，占当期营业收入的比例为74.77%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。
　　（三）财务风险
　　1．应收账款回收风险
　　随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。报告期末，应收账款账面价值为31,387.78万元，占期末流动资产的比例为24.70%。公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。报告期内，公司主要对应收账款计提了坏账准备。
　　如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。
　　2．存货跌价风险
　　报告期各期末，公司存货净额为21,278.39万元，占期末流动资产的比例为16.75%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。报告期末，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为1.52%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。
　　（四）行业风险
　　1．市场竞争风险
　　目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2．未能及时跟随下游需求变化的风险
　　公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　1．汇率波动的风险
　　公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。
　　2．企业税收优惠风险
　　公司于2025年3月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202444201888，有效期为三年，税收优惠期为2024年至2026年；成都路维于2025年12月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202551001107，税收优惠期为2025年至2027年减按15%的税率征收企业所得税；成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《财政部税务总局国家发展改革委关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自2021年1月1日至2030年12月31日，减按15%的税率征收企业所得税。
　　如果公司及子公司不能持续获得高新技术企业认定或者在高新技术企业资质有效期届满后，高新技术企业评定标准出现重大变化，或者高新技术企业的税收优惠政策未来出现重大调整，则公司及子公司有可能不再享受所得税优惠，对公司的盈利能力构成不利影响。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1．主要业务
　　作为中国掩膜版行业的先行者，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，为下游知名显示厂商、晶圆厂商、IC设计公司、封测厂商以及设备厂商等提供专业的掩膜版产品以及高效的后续服务。近30年来，凭借持续自主研发创新与稳步扩产，公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先（14nm）。
　　作为半导体及显示行业制造领域的关键材料，公司掩膜版产品是下游客户光刻工艺图形转移的刚需母版，光刻机/曝光机通过... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1．主要业务
　　作为中国掩膜版行业的先行者，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，为下游知名显示厂商、晶圆厂商、IC设计公司、封测厂商以及设备厂商等提供专业的掩膜版产品以及高效的后续服务。近30年来，凭借持续自主研发创新与稳步扩产，公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先（14nm）。
　　作为半导体及显示行业制造领域的关键材料，公司掩膜版产品是下游客户光刻工艺图形转移的刚需母版，光刻机/曝光机通过对掩膜版曝光，将掩膜版上的图案转移到下游基板材料（硅片、玻璃基板、有机基板等）上，掩膜版自身的品质状况直接影响终端产品的品质和良率。
　　公司产品技术国内领先，多次打破海外垄断。（1）在G11高精度超大尺寸掩膜版领域，公司于2019年成功建设国内首条G11高世代掩膜版产线并投产，成为国内首家且唯一一家、世界第四家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业；（2）在半色调掩膜版领域，公司于2018年成功实现G2.5等中小尺寸半色调掩膜版投产，并于2019年先后研发并投产G8.5、G11TFT-LCD半色调掩膜版，2024年量产AMOLED用HTM掩膜版产品，HTM产品目前可以覆盖全世代，打破国外厂商长期技术垄断；（3）在PSM领域，公司于2021年完成衰减型相移掩膜版(ATTPSM)工艺技术研发并通过内部测试，2023年量产MetalMesh用PSM掩膜版，CF用PSM产品于2024年通过客户验证并量产，2024年完成单层衰减型PSM掩膜版制造技术及Mosi系双层PSM掩膜版制造技术研发；2025年实现G6、G8.5TFT-Array用单层衰减型PSM客户导入及量产，实现i-line的半导体PSM客户导入；（4）在材料技术领域，公司分别于2016年、2018年自主开发了中小尺寸和大尺寸掩膜版光阻涂布技术，实现了国内掩膜版行业在高精度、大尺寸光阻涂布技术上零的突破及对产业链上游技术的成功延伸。
　　凭借深厚的行业洞见和专业的研发实力，公司构建了丰富的产品矩阵。在显示领域，公司是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，实现全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等）；近年来，公司紧跟下游平板显示行业的技术前沿和发展动态，坚持研发攻关和技术创新，持续突破平板显示掩膜版关键技术，率先在国内突破高精度半色调掩膜版等尖端制造技术，并针对上游原材料“卡脖子”问题，攻克了光阻涂布等多项产业链上游核心技术。为巩固并扩大在下一代显示技术领域的领先优势，公司于2025年7月启动厦门高世代高精度掩膜版生产基地建设，重点将聚焦于G8.6及以下各类掩膜版产品的研发与生产，以精准匹配国内高端面板产线的快速增长需求，进一步强化公司的市场供给能力与核心技术壁垒。
　　在半导体领域，公司坚持“以屏带芯”的发展战略，与国内主流特色工艺晶圆制造厂商、芯片设计公司、先进封装厂商建立了良好的合作关系，是先进封装掩膜版龙头供应商。目前公司已实现150nm制程节点半导体掩膜版量产，130nm制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，产品已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、MEMS传感器、射频芯片、硅基OLED等产品应用的需求，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。通过投资建设路芯半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目一期布局130-40nm半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局28-14nm半导体掩膜版，计划于2026年开始陆续投建。该项目投产后，产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）、DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关领域，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　2．主要产品或服务情况
　　根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版和其他掩膜版等。
　　平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括TFT-Array制程和CF制程；低温多晶硅液晶显示器（LTPS-LCD）制造；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造；铟镓锌氧化物有机发光二极管显示器（IGZO-OLED）制造，低温多晶硅氧化物有机发光二极管显示器（LTPO-OLED）制造等。
　　半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造等。
　　其他掩膜版应用于触摸屏的制造过程、PCB及FPC的制造等。
　　(二)主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事掩膜版的研发、生产和销售，通过向平板显示和半导体等下游行业的客户提供定制化掩膜版产品实现收入和利润。公司始终坚持技术创新、产品领先的发展战略，使掩膜版产品持续向大尺寸、高精度演进，形成了以技术创造业绩、以业绩支撑研发的良性循环，推动掩膜版的国产化进程，打开了广阔的市场空间。
　　（2）采购模式
　　公司主要采取以销定采的采购模式，同时对掩膜基板等重要的原材料根据市场部的销售预测、原材料库存情况及原材料供应情况适当备货。在采购方式方面，对于掩膜基板、光学膜等重要的原材料，公司主要采用询比议价方式，原则上至少选取三家实力雄厚、交货及时、服务意识良好的合格供应商作为供货渠道，以确保价格具有竞争性，同时保证物料的供应稳定、到货及时，公司的主要原材料以境外采购为主，境内采购为辅；对于生产设备，属于技术复杂或者性质特殊的物资，公司主要采用竞争性谈判或单一来源采购方式，与供应商就价格、质量和交付要求等内容进行充分谈判，在保证质量和交付要求的前提下，力求以最低价格达成交易；对于包装盒等辅助材料、低值易耗品，由于金额较小且价格透明，公司通常采取直接采购的方式。公司目前建立了较为完善的供应商管理与评价机制，公司对供应商进行季度质量评价与年度综合评价，从质量、交期、价格、售后服务等多个方面对供应商进行打分，对供应商进行分级评价。
　　（3）生产模式
　　公司采取“见单生产”的模式，即根据销售订单安排生产，主要是由于掩膜版为定制化产品，为下游客户生产制造过程中的定制化模具，不同下游领域的客户对于掩膜版的尺寸、精度要求均不同。
　　掩膜版生产过程是通过光刻工艺及显影、蚀刻、脱膜、清洗等制程将微纳米级的精细电路图形刻制于掩膜基板上，生产呈现高度定制化和自动化特点。公司的核心生产设备是光刻机，光刻采用激光直写像素化图形的方式进行，是整个掩膜版制造过程中最为耗时的工序。为合理调配产能，公司采用每条产线配置一台光刻机、多条产线共用其它后段设备的方式进行生产线布局。
　　（4）销售模式
　　公司的销售模式均为直销，鉴于掩膜版产品的定制化特征，公司通过高度配合客户产品需求和认证流程、提供专业服务，获取订单。掩膜版是光刻微纳加工的核心材料，直接影响终端产品的品质和良率，客户在引进掩膜版供应商或导入掩膜版新产品时需要对多个环节进行严苛的测试及验证，通过该等认证流程后公司方能与客户签署合同或订单。报告期内，公司与主要客户签署了框架合同，与之保持长期战略合作。公司主要通过参加行业展会与专业论坛、拜访客户及老客户推荐等方式开拓客户。
　　（5）研发模式
　　公司恪守“生产一代、储备一代、研发一代”的理念，始终坚持自主研发和技术创新，致力于打破国外技术垄断，逐步实现掩膜版的国产化。
　　公司的研发部门分为技术研发和工艺研发两大职能模块。技术研发主要沿下游行业技术演进开展研发活动，公司定期与国内不同行业客户开展技术交流，深度挖掘客户中远期需求以及行业可能存在的技术演进方向，以客户技术需求与产品诉求为目标，形成需求分析→技术研发→产品测试→优化提升的研发机制，且通过相关竞品分析查找工艺技术差异点，以研发带动产品销售；工艺研发旨在对现有技术、设备工艺提升与优化，通过挖掘相关材料、设备等技术现状与发展路径，结合自身工艺特点，提出优化的材料、工艺与设备解决方案，不断提升产品品质与生产效率。针对上述研发目标，公司的研发活动主要围绕原材料理化特性、各生产环节设备工艺参数调节、原材料与生产工艺参数的匹配，以及研究不同生产环节之间对于最终产品性能的相互影响展开。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　掩膜版主要应用于平板显示、半导体等行业的制造过程，是必不可少的关键材料之一。平板显示、半导体等中游电子元器件厂商的终端应用主要包括消费电子（电视、手机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴设备）、新能源、汽车电子、网络通信、人工智能（AI）、物联网、医疗电子以及工业控制等领域。掩膜版是一种具备耗材属性的模具材料，与下游光刻工艺强绑定，作用是将设计者的电路图形通过光刻机曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，相当于胶卷和底片，其精度和质量会直接影响下游制品的优品率。
　　近年来，受新能源汽车、工业自动化、物联网、人工智能（AI）、机器人等下游新兴产业推动，半导体技术在特色工艺的开发、精密度的提升、应用领域的扩展等方面持续发展；显示技术向多元化、高精细化、尺寸大型化、产品定制化发展，进一步催生了对高精密度高质量掩膜版的旺盛需求。
　　从下游需求的行业结构来看，掩膜版市场主要可细分为半导体掩膜版市场、平板显示掩膜版市场和其它细分领域。
　　（1）半导体行业的发展阶段、基本特点
　　在AI（人工智能）技术驱动下，2025年全球半导体产业迎来结构性高速增长。Omdia数据显示，2025年全球半导体规模超过8,300亿美元，并首次实现连续两年20%的年收入增长；其中，DRAM收入从2023年500亿美元增长到2025年1,500亿美元，年增长率超过50%。AI领域的高额投入，正持续拉动底层算力硬件的旺盛需求。市场研究机构Gartner预测，2026年全球AI总投入将达到2.52万亿美元，同比增长44%；作为AI算力的核心载体，GPU目前仍是主流算力芯片，据Statista数据，受益于AI算力规模的快速增长，预计2024-2029年全球GPU市场复合增速达33.2%，2029年整体市场规模将达到2,742亿美元。全球头部云厂商和互联网厂商等对AI算力芯片需求量巨大，英伟达虽垄断全球数据中心GPU市场，但出于成本控制、差异化竞争、创新性及供应链多元化等多方面考量，越来越多的公司开始转向自研芯片路线。云厂商等积极布局自研AI专用的ASIC芯片，推动数据中心定制ASIC芯片市场高速增长。此外，根据世界半导体行业协会（WSTS）的最新预测，2026年全球半导体销售额将延续增长趋势，规模有望逼近1万亿美元。
　　分区域来看，根据WSTS数据，2025年半导体销售额以亚太及其他地区表现最为强劲，同比增长45.4%，其次是美洲（增长31.4%）和中国（增长17.9%），欧洲市场小幅增长6.7%，仅日本市场则同比下降了4.3%；反映出数据中心、人工智能相关和先进逻辑器件带来的需求，驱动产业增长。
　　在自主可控战略持续推进下，中国半导体产业链国产替代空间广阔。根据CINNOICResearch统计数据显示，2025年中国大陆及中国台湾地区半导体产业总投资额达7,841亿元，同比增长17.2%。细分领域来看，晶圆制造仍为投资主力，规模达2,558.7亿元，占比32.6%，较2024年同期微降0.1%；半导体材料领域投资1,713.0亿元，占比21.9%，同比增长59.6%，高端材料领域占比显著提升；芯片设计领域投资1,979.3亿元，占比25.2%，同比增长9.2%；封装测试领域投资774.0亿元，占比9.9%，同比下降7.0%；半导体设备领域投资816.2亿元，同比增长100.2%。
　　产业生态层面，多层次资本体系有效撬动产业升级，国内晶圆厂扩建潮与国产化替代政策形成联动。产业链核心企业持续推进技术突破并加速量产落地，推动国产替代进程持续加速。外部技术管制在短期内制约中国获取先进设备和材料的同时，也全面激活了本土半导体产业链的创新活力，推动中国半导体产业走出了政策引导、市场驱动、技术攻坚协同发展的独特路径。
　　晶圆制造产能持续扩张带动掩膜版需求增长
　　SEMI数据显示，全球晶圆厂产能已向中国转移。2020年至2030年间，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，超过亚洲新增产能的一半。在22-40nm主流制程节点，中国产能占比将从2024年的25%提升至2028年的42%。晶圆制造产能将直接带动上游产业配套的需求，提高对掩膜版等关键材料的配套需求。
　　2025年晶圆制造呈现“高端紧缺、成熟稳健”的格局，根据市场研究机构Counterpoint最新数据，受益于AI与高性能计算（HPC）芯片需求强劲成长，2025年全球纯晶圆代工产业营业收入预计将同比增长17%至1,650亿美元。根据经济合作与发展组织（OECD）报告显示，按照芯片类型来看，功率/分立芯片的产能由中国大陆领衔，达到628万片/月，其次是中国台湾（242万片/月）和日本（160万片/月）；在模拟芯片方面和逻辑芯片成熟节点，中国大陆同样位居榜首，分别达到364万片/月和423万片/月；在通用存储领域，韩国在DRAM和NAND的晶圆在产能方面处于领先地位（458万片/月），其次是中国大陆（237万片/月）和日本（221万片/月）；在专用存储器方面，中国台湾以118万片/月领先，紧随其后的是中国大陆（92万片/月）和美国（67万片/月）。中国大陆晶圆制造产能的持续扩大，为本土掩膜版企业带来了最直接的增量需求，确保了掩膜版大批量、持续性的订单来源。
　　技术迭代驱动掩膜版价值跃升，更高端、先进制程节点对应的掩膜版由于制作难度、材料等综合因素影响，对应的价值量越高。分制程节点来看，28nmHKMG（高k金属栅极）工艺凭借性价比优势成为全球产量核心，中芯国际、华虹公司等实现部分中高端芯片的进口替代；先进制程（28nm以下）由台积电、三星两大巨头主导，中芯国际N+1工艺实现低成本替代突破，满足国内中高端芯片需求。先进制程的芯片需要使用反演光刻、相移掩膜版（PSM）等先进技术，使得单张掩膜版价值可达成熟制程的数倍。同时，国内晶圆厂在28nm/14nm等节点的高良率量产，为国产掩膜版提供了关键的验证窗口和联合研发机会，推动国产供应链从“配套”向“协同创新”升级，共同提升产业链的自主可控能力。
　　多重图案化技术导致对掩膜版需求倍数增长
　　随着先进制程持续向7nm及以下演进，单次曝光已难以满足分辨率要求，多重曝光技术成为主流解决方案。单次曝光、193nm波长光刻在40nm半节距处达到了物理极限。多重图案化使芯片制造商能够对20nm及以下的IC设计进行成像。为了解决高级节点的衍射问题，掩膜版制造商必须在掩膜上使用各种掩膜增强技术（RETs），比如OPC，这增加了掩膜的复杂程度。
　　多重图案化可分为间距分割（pitchsplitting）和间隔物（spacer）两类。间距分割包括双重图案化（doublepatterning）和三重图案化（triplepatterning）技术；间隔物包括自对准双重图案化（SADP）和自对准四重图案化（SAQP）。间隔分割和间隔技术都可以扩展到八联体图案（octupletpatterning）。
　　双重图案化其中一种形式是光刻-蚀刻-光刻-蚀刻（LELE：litho-etch-litho-etch-litho-etch）间距分割工艺。在晶圆厂中，LELE需要两个独立的光刻和蚀刻步骤来定义单个层，因此需要运用LELE的关键层需要拆解成两次光刻，使用两张掩膜版来完成，需求翻倍。
　　在10nm节点，芯片制造商需要使用三重图案化技术，其中一种形式是光刻-蚀刻-光刻-蚀刻-光刻-蚀刻（LELELE），需要三个独立的光刻和蚀刻步骤来定义单个层，因此在设计方面需要将原始层分解为三张掩膜版，三张掩膜版的形状在制造过程中结合起来形成最终的形状，因此关键层掩膜版需求翻了三倍。
　　SADP/SAQP曾用于将NAND闪存扩展到1xnm节点，现在正在进入逻辑领域。在5nm、3nm等节点，需要引入SAQP。SAQP是在SADP的基础上再重复一次类似的自对准过程，将一个图形最终分解为四个图形。自对准四重图案化（SAQP）主要用于小于38nm的特征节距进行图案化预计能够达到19nm节距。SAQP是多个工艺步骤的集成，已用于FinFET和1XDRAM的鳍片图案化。这些步骤如下所示，允许最初绘制的相距80nm的线生成最终相距20nm的线（实际上是10nm分辨率），这远远超出了任何大批量光刻工具的分辨率，包括EUV（13nm分辨率）。
　　SAQP从一张初始掩膜版出发，引入额外的切割掩膜版或修整掩膜版。一层电路最终可能需要2张甚至更多的掩膜版来共同完成。选择性蚀刻必须使用三张掩膜版，第一张掩膜版用来定义分离的A/B区域，第二张掩膜版用于A选择性蚀刻，第三张掩膜版用于B选择性蚀刻，这对于掩膜版的需求明显提升。
　　简单来说，多重图案化技术通过将单一图形拆分至多张掩膜进行多次曝光，使得单层所需掩膜数量由1张提升至2-4张甚至更多，同时，多重曝光显著提升了掩膜版复杂度与制造难度，推动掩膜版向高精度、高附加值方向升级，成为先进制程下掩膜版需求增长与价值提升的核心驱动力之一。
　　CoWoS、CoWoP、FOPLP等各类新型先进封装技术催生更多掩膜版需求
　　CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）是台积电主导的2.5D封装技术，使用硅中介层作为芯片（Chip）和封装基板（Substrate）之间的互连桥梁。硅中介层提供了极高的互连密度（微凸点间距可达几十微米），但其制造成本非常高昂，且产能受限。目前台积电CoWoS形成三大技术分支：CoWoS-S采用硅中介层（SiliconInterposer）技术，适用于中小型芯片封装；CoWoS-R则采用再分布层（RDL,RedistributionLayer）技术，提供更大的设计灵活性；CoWoS-L是台积电针对超大型AI芯片开发的产品。在3D封装领域，台积电推出了SoIC（SystemonIntegratedChips，系统整合单芯片），这一技术基于CoWoS与多晶圆堆叠（WoW,Wafer-on-Wafer）技术开发，相较2.5D封装方案，SoIC的凸块密度更高，可达每平方毫米数千个互连点，传输速度更快，功耗更低。
　　CoWoP（ChiponWaferonPCB）是一种先进的封装技术，其核心原理是摒弃IC载板层（ICSubstrate），直接将一颗或多颗芯片（Die）加中介层一起封装在SLP（载板级PCB，Substrate-LevelPCB）上。mSAP（ModifiedSemi-AdditiveProcess，半加成法）工艺是制造CoWoP所需超高密度互连基板的核心技术，能够实现传统PCB工艺无法企及的精细线路。掩膜版是mSAP工艺中图形转移的核心工具，其作用是通过光刻过程将设计好的电路图形精确地定义在基板的光刻胶上，从而引导后续的电镀铜形成线路。
　　掩膜版在CoWoP中的成功应用依赖于其超高精度、低缺陷率、优异的工艺稳定性和耐用性；多层掩膜版之间的精准套刻也是实现复杂高密度互连结构的关键挑战之一。在mSAP的图形电镀步骤之前，需要在基板上涂覆光刻胶（干膜或液态），使用紫外光将掩膜版上的电路图形（透明区域和不透明区域）转移至SLP基板上，定义后续电镀铜的区域。掩膜版上的图形尺寸必须极其精确，任何微小的偏差都可能导致线路短路或断路，图形在掩膜版上的绝对位置以及不同层掩膜版之间的套合精度要求非常高，以满足多层布线时的层间互连（微孔对焊盘）需求。CoWoP基板通常需要多层（4层以上）高密度布线；每一层都需要一张对应的高精度掩膜版。与IC制造使用的掩膜版相比，CoWoP基板的尺寸通常更大（可能达到芯片尺寸的数倍甚至更大），这对大尺寸掩膜版的制造精度和均匀性提出了更高要求。
　　CoPoS（ChiponPanelonSubstrate）则是先进封装行业的另一种新型技术，其与CoWoS技术的核心差异在于将中介层由圆形的Wafer换成了矩形的面板，面板材料可以是有机载板或玻璃基板，将中介层从圆形Wafer换成矩形面板的优点在于大幅提升了基板利用率和切割效率。以12寸晶圆为例，同样是300mm尺寸，方形面板可以容纳圆形面板1.6倍左右的Die（此处假设Die尺寸为625mm2，Die尺寸越大，两者的切割效率差异越大，例如H100算力芯片的Die尺寸是814mm2，两者的差异将上升到1.7倍）；而如果面板尺寸扩大到600x600mm，则其切割效率将是12寸晶圆的6.5倍。CoPoS技术可以大幅提升芯片的封装效率，降低单颗芯片的封装成本。
　　FOPLP（FanOutPanelLevelPackage，扇出型面板级封装），是面板级封装的另一种形式，与CoPoS类似，其是为了解决过去扇出型晶圆级封装（FOWLP）的成本和效率问题，该技术能够显著提升单次芯片封装的效率，有效降低生产成本；其基板同样可以采用有机基板或玻璃。国内目前已有多家厂商在进行相关方面的技术开发，如京东方、华天科技、奕成科技等。
　　以上各类封装技术的核心目的均在于提升芯片封装性能，提高封装效率，这也对封装掩膜版提出更严苛的技术要求，包括更小的线路图形、更大的掩膜尺寸面积、更高的套刻精度、更均匀的CD精度等。公司依托多年在掩膜版领域的研究、生产经验，融合传统小尺寸IC掩膜版高精细特性与大尺寸显示掩膜版的成熟生产经验，可以满足国内各类新型先进封装的技术要求。公司已是华天科技（先进封装）、通富微电（先进封装）、奥特斯（高端载板）、鹏鼎控股（高端PCB板厂）等国内多个头部封装、载板、PCB板厂的主要供应商。随着各类新型封装技术的不断突破，相应掩膜版市场空间有望持续扩大。
　　预计2025年国内半导体掩膜版市场规模近200亿
　　伴随下游半导体行业的发展以及产能向中国大陆转移，国内半导体掩膜版市场稳步增长。半导体掩膜版广泛应用于晶圆制造前道工艺、后道封装环节以及其他半导体器件的生产制造过程中，除此之外，前期的研发流片、半导体设备的定位测试等也需要使用掩膜版。
　　在半导体领域，晶圆制造环节所用掩膜版占据主导地位。半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料，根据SEMI数据，2023年全球半导体材料市场规模为667亿美元，其中晶圆制造材料市场规模为415亿美元，占比为62.2%；封装材料市场规模为252亿美元。TECHCET（电子材料研究机构）预测2023-2028年的复合年增长率为5.6%，据此推算2025年全球晶圆制造材料市场规模为463亿美元。根据SEMI数据，掩膜版在晶圆制造材料中的占比为12.5%，据此推算2025年全球晶圆制造用半导体掩膜版的市场规模为57.88亿美元。
　　中国大陆半导体材料市场规模亦快速增长，从2017年的76亿美元增长至2023年的131亿美元，年复合增长率为9.5%，增速领先全球半导体材料市场。SEMI预计，2024年中国大陆晶圆产能将实现15%的同比增长，至885万片/月；2025年增长态势持续，产能预计再增14%，至1,010万片/月，中国大陆晶圆厂的产能增速居全球之首。晶圆厂持续扩产带动半导体材料需求不断提升，预计2025年中国半导体材料市场规模达到172亿美元，对应中国晶圆制造用半导体掩膜版市场规模为13.4亿美元，约为100亿元人民币。
　　随着先进制程演进对芯片性能提升的边际递减趋势，高性能芯片发展面临存储墙、光罩墙、功耗墙等挑战，先进封装被视为高性能芯片发展的必备环节。在AI、高端通信电子产品等市场需求驱动下，先进封装发展领先于传统封装。先进封装从技术发展到市场规模快速壮大，将带动封装材料、设备和测试设备环节的景气度提升。在传统封装工艺中，单套封装项目所需掩膜版数量通常在2-3张，而先进封装所需数量会提升至5-10张。根据YOLE（全球知名市场研究机构）数据，2025年全球先进封装市场规模达到569亿美元，占封装市场规模的50%。根据PWConsulting（领先的商业技术咨询公司）数据，2025年全球IC封装掩膜版的市场规模为14亿美元，预计2028年将增长至18亿美元，其中中国封装产能占全球的25%，推算2025年国内IC封装掩膜版的市场规模约为26亿元人民币。
　　除此之外，第三代半导体、光电器件、MEMS传感器、LED外延片的生产制造均需要半导体掩膜版。
　　综上所述，随着半导体技术不断迭代，特别是在AI技术的加持下，将进一步带动集成电路、半导体器件制造以及各类先进封装需求的不断增长，半导体掩膜版市场需求也将随之增长。AI半导体与先进封装两大板块引领行业增长，玻璃基封装、CPO等新兴技术开启产业新周期。国内企业在封装测试、存储芯片、中低端晶圆制造等领域替代加速，全产业链布局持续完善，逐步缩小与国际巨头的差距，成为全球半导体产业增长的重要动力源。未来，全球AI基础设施建设支出将持续拉动半导体细分需求，玻璃基封装、CPO、先进制程等技术将持续迭代升级，推动行业向更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展。根据多方机构预测的需求综合计算、研判，预计2025年全球半导体掩膜版的市场规模为89.4亿美元，其中晶圆制造用掩膜版为57.88亿美元、封装用掩膜版为14亿美元，其他器件用掩膜版为17.5亿美元；2025年国内半导体掩膜版市场规模约为187亿元人民币，其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币，封装用掩膜版预计为26亿元人民币，其他器件用掩膜版为61亿元人民币。受下游需求的积极推动，未来掩膜版市场规模也将持续增长。各类半导体掩膜版的市场需求测算具体如下：
　　（2）平板显示行业的发展阶段、基本特点
　　OLED渗透率提升叠加面板厂新拓产线，AMOLED掩膜版增量明显持续抬升市场天花板在平板显示领域，当前显示技术呈现多样化的格局，TFT-LCD、AMOLED、Micro-LED以及硅基OLED等技术在各自的应用领域内展现出强大的实力。其中，AMOLED面板凭借一系列卓越特性，在智能手机、电视以及可穿戴设备等电子产品领域得以广泛应用，其画质表现出众，设计更为轻薄且具备灵活性优势，极大地契合了消费者对于高品质视觉体验的追求，进而有力推动了AMOLED技术在高端产品线中的深度渗透与拓展。将OLED技术应用到汽车仪表盘和车载娱乐系统中的趋势日益明显，此外，基于AMOLED技术色彩准确度高的特性，越来越多的医疗成像和诊断设备中采用了AMOLED屏幕作为其优质显示屏。随着消费者对电子产品显示效果要求的不断提高，OLED面板凭借其自发光、高对比度、广色域等优势，正逐渐成为高端电子产品的首选显示技术，高质量OLED显示屏的需求预计将持续增长。根据DSCC（显示行业研究机构）数据，2025年平板电脑和笔记本电脑等IT用混合OLED的需求将迎来爆发式增长，预计需求量将达到1,890万台，增长率超过56%。苹果计划将OLED引入MacBookPro，以及其在平板电脑产品线中对OLED技术的深化应用，将极大地带动整个市场对IT用OLED面板的需求。此外，伴随下游OLED面板的多样化需求增长以及面板厂商加速扩产，掩膜版的需求随之增加，高精度、大尺寸的掩膜版的市场空间进一步打开，带动行业增长。
　　国内厂商加速布局高世代AMOLED产线，高精度、大尺寸AMOLED面板成为趋势，8.6代OLED面板正成为行业竞争的新焦点。三星显示于2023年宣布启动8.6代线投资计划，使用制程为传统FMM蒸镀，并计划导入TandemOLED以延长屏幕寿命，最快有望于2026年第二季度开始量产。此后国内厂商京东方、维信诺、TCL华星均积极布局G8.6AMOLED产线，试图在快速增长的市场中抢占先机。京东方在2023年四季度宣布在成都投建G8.6AMOLED产线，总投资630亿元，设计产能每月3.2万片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生产笔记本电脑、平板电脑等智能终端的高端触控OLED显示屏，产线已于2025年底成功提前5个月点亮，预计2026年下半年进入量产阶段。维信诺于2024年三季度宣布在合肥建设其G8.6AMOLED产线，投资550亿元，规划月产能为32,000片基板，产线将采用其自主研发的ViP技术（维信诺智能像素化技术），传统的FMM技术在OLED蒸镀过程中存在一定局限性，而ViP技术具备无FMM、独立像素、高精度等核心优势，不仅能够显著提高产品性能，还能有效提高生产效率，降低生产成本。该产线瞄准AMOLED中大尺寸市场，覆盖平板电脑、笔记本电脑、车载显示、显示器等多尺寸应用领域。2026年1月维信诺宣布施工进度已达65%，目标自2027年第一季度开始放量。TCL华星则是采用喷墨印刷（IJP）技术，制程相较传统FMM更加简化，理论上能减少约30%材料损耗。2025年10月，TCL华星正式宣布t8项目OLED8.6代线正式开工，该产线总投资约295亿元，产品主要涵盖平板、笔记本电脑、显示器等应用领域。2026年2月，据媒体报道，TCL华星8.6代印刷OLED产线主体建设已完成40%，目标放量时间或落在2027年第四季度。
　　AMOLED向8.6代线升级及技术路线多元化，正推动掩膜版在尺寸、精度和工艺适配性上同步进阶。首先，8.6代线基板尺寸要求掩膜版在大幅面内保持极高的图形均匀性和位置精度；同时，为满足IT产品对更高PPI（像素密度）的追求，掩膜版的线宽精度和缺陷控制标准变得极为严苛；其它技术层面，采用LTPO技术，在背板中集成氧化物TFT，需要增加掩膜版层数，且对膜层质量要求更高。总之，国内8.6代AMOLED产线的集中建设，为国产掩膜版提供了验证和适配前沿工艺的绝佳场景。
　　根据Omdia统计，中国已占据了全球76%的LCD产能和47%的OLED产能，平板显示行业掩膜版需求量占全球比重从2016年的26%上升到2025年的64%，据Omdia统计及公司经营数据计算，2024年中国大陆平板显示掩膜版厂商在全球市场占有率仅23.8%。其中，OLED用掩膜版的市场增长显著快于OLED面板市场的增长，从收入端看，目前LCD用掩膜版的市场规模仍然占主要地位。随着国内新的G8.6代AMOLED工厂产能持续开出，缺口可能进一步放大，因此，国内平板显示掩膜版市场存在巨大的增长空间。
　　国内FMM兴起，带动FMM用掩膜版需求提升
　　FMM是OLED显示面板制造过程中的一种关键材料，主要用于OLED的蒸镀工艺中。FMM的质量和精度对OLED屏幕的性能和品质有着至关重要的影响，而FMM的生产加工需要与之配套的光掩膜版。FMM制造流程中关键的工艺步骤之一，就是使用光掩膜版曝光在Invar金属基板上完成图形转移，此处光掩膜版相当于FMM的前置母版，用于曝光工艺，经显影和蚀刻后形成FMM的网格结构（第一级开口，再以电铸或刻蚀形成第二级开口）。一层Invar板（FMM）通常需用到若干张不同图层的光掩膜版用于多重曝光或分段蚀刻，具体数量取决于网格结构复杂度，通常为2~3张光掩膜版，一套完整的RGB三色FMM通常需要6张光掩膜版，如果是WRGB排列，则需要8张光掩膜版。
　　得益于AMOLED显示技术的广泛应用和手机、电视等消费电子产品升级换代、市场需求持续增长，对FMM的需求也在不断增加。根据VMR研究报告，2024年全球FMM市场规模达到15亿美元，预计到2033年将进一步增长至32亿美元，2026年至2033年的复合年增长率为9.5%。分地区来看，2023年全球OLEDFMM市场由亚太地区主导，贡献了约55%的总收入，北美地区占20%，欧洲占15%，拉丁美洲占5%，中东及非洲地区占5%，其中亚太地区增长最快。FMM需求的快速增长进一步带动FMM用光掩膜版的需求增长。
　　国内FMM厂商加速扩产，打破海外垄断。目前DNP、Toppan等日韩企业基于FMM制作技术、市场份额和产品质量等方面的领先地位垄断全球FMM市场。然而，随着技术的不断扩散和市场规模的不断扩大，国内FMM制造商逐步崛起，成为全球FMM市场的重要参与者，进而带动国内FMM用掩膜版需求持续上升。寰采星已布局两条6代及一条8.6代FMM量产线，打破DNP垄断，产能居全球第二；2025年众凌科技在新产品技术联合发布会上发布了两项技术成果，一是与太钢精带联合研发的大宽幅FMM用Invar金属薄带量产成功，二是大尺寸产品用G8.6FMM产品试产。
　　在FMM领域，公司有两大技术优势，一是基于多年显示掩膜版的研发经验，具有领先的FMM光掩膜Mura控制经验（Mura关系到AMOLED屏幕的显示效果，是FMM产品的核心指标），二是G8.6FMM使用的光掩膜的尺寸进一步扩大，按照目前的技术路径，其最大尺寸仅能使用G11尺寸等级的掩膜版制造设备进行生产，公司是国内唯一一家掌握G11掩膜版生产制造技术的本土企业。伴随FMM市场规模的快速提升以及中国FMM厂商技术和产能的突破，国内FMM用掩膜版需求也随之提升，公司是国内FMM用光掩膜版领域的主力供应商，随着公司FMM用掩膜版产能的提升，有望进一步贡献收入增量，夯实公司在平板显示掩膜版领域的领先地位。
　　Micro-LED等新一代显示技术催生新的掩膜版需求
　　新一代显示技术研发加速并已在部分产品中崭露头角，Micro-LED、硅基OLED（OLEDoS）等新兴技术有望在未来高端应用细分领域占据市场份额。根据Omdia数据，预计2031年Micro-LED、LEDoS（Micro-LEDonSilicon）以及OLEDoS（OLEDonSilicon）将共同占据显示面板市场总量约5%。
　　2025年，Micro-LED技术迎来从研发到商业的关键转折点，正式迈入产业化初期阶段，并迅速成为新型显示领域中增长最快的细分板块。集摩咨询数据显示，2025年全球Micro-LED显示面板收入同比增长150%，其中AR智能眼镜作为核心应用场景，首次贡献了超过半数的营业收入。在关键技术领域，Micro-LED技术在巨量转移、像素密度等方面持续取得新突破；在巨量转移方面，迈为股份基于紫外激光器开发的LMT设备，其转移良率已超过4N级，有望达到5N级；在像素密度方面，上海显耀（JBD）于10月份发布的微显示平台，像素密度达10160PPI，彩色光机体积缩小50%；在透明度方面，友达光电在SID2025展示的全球单片尺寸最大的42英寸透明Micro-LED拼接屏（64英寸），其透明度超过86%，并支持三边无边框无缝拼接；在微纳纹理覆层方面，辰显光电发布的纹理屏可通过微纳纹理层技术支持多种可定制化颜色纹理设计，实现显示内容与背景纹理的无缝融合。
　　国内企业在Micro-LED领域布局领先，产业协同效应日益凸显。京东方通过控股华灿光电，构建了从上游芯片到下游应用的完整产业链，其Micro-LED量产线已于2025年3月正式投产。TCL华星与三安光电成立合资公司专注于攻克巨量（masstransfer）转移技术。天马微电子在厦门投建了G3.5Micro-LED生产线主攻车载显示。维信诺旗下辰显光电则提出明确的降本目标，计划在未来五年内将Micro-LED成本降低10倍，以加速其在更广泛消费市场的普及。
　　2025年，硅基OLED技术凭借高分辨率、高亮度、小尺寸等核心优势，成为VR/AR设备的核心显示方案，同时逐步向车载HUD、医疗内窥镜等细分场景延伸。根据视涯科技招股说明书引用的弗若斯特沙利文报告数据显示，全球硅基OLED显示屏销售额由2020年的3.9亿元人民币增长至2024年的12.7亿元人民币，出货量达到636.5万块，预计2030年将达到679.3亿元人民币，出货量将达到39,956.6万块。与传统玻璃基OLED、LCD显示技术相比，硅基OLED的核心优势在于其对近眼显示场景的适配性上。其量产产品PPI可达3000-5000，是传统手机OLED屏幕的6-10倍，彻底解决了近眼显示中的“纱窗效应”；在亮度方面，其量产峰值亮度可达10000nit以上，是传统OLED的3-5倍，能够满足AR设备在户外强光环境下的清晰显示需求。在功耗方面，其实现相同显示效果下，功耗比传统显示技术低30%-50%，契合便携穿戴设备的续航要求；同时，该技术可在0.3-1.3英寸的极小尺寸内实现2K、4K甚至8K分辨率，结合硅基背板集成的驱动电路，可大幅缩减显示模组体积，提升穿戴设备的轻量化水平。
　　在竞争格局方面，根据普华有策数据，全球硅基OLED市场早期由日本索尼、美国eMagin（2023年被韩国三星显示收购）以及法国MicroOLED等境外公司主导。随着市场扩大，竞争日趋激烈，越来越多的企业加入战局。全球主要制造商包括Samsung（eMagin）、Sony、LG、KopinCorporation、TCL华星（CSOT）、京东方（BOE）、视涯科技（SeeYATechnology）、湖畔光电（LakesideOptoelectronics）、国兆光电（GuozhaoOptoelectronics）等。目前，中国企业在产能和技术上正快速追赶，多家厂商正在扩建12英寸晶圆产线。熙泰科技在四川南充的12英寸硅基OLED微显示产业园项目于2025年12月封顶，昀光科技在南京的12英寸超高清硅基OLED微显示器生产基地也于2026年2月开工，均预计在2027年投产。
　　硅基OLED是在硅基CMOS电路上集成OLED器件，其超高的像素密度要求掩膜版的图形尺寸精度、套刻精度及缺陷控制必须达到亚微米甚至纳米级，已接近先进半导体掩膜版的标准，远高于传统显示技术的需求。每片硅基OLED面板的生产都需要一套或多套超高精度掩膜版，需求与面板产量直接挂钩。由于技术壁垒极高，满足硅基OLED生产要求的掩膜版的附加值较高。京东方、天马微电子等国内面板厂已实现规模化量产并切入头部VR供应链，这为国产掩膜版厂商提供了绝佳的验证和导入机会，开辟了一个伴随VR/AR、车载AR-HUD等终端放量而快速成长的高价值市场。
　　公司在新一代显示技术用掩膜版领域布局领先，Micro-LED以及硅基OLED用掩膜版已实现量产供货，是华灿光电、上海显耀、重庆康佳、熙泰科技等客户的重要供应商。
　　大尺寸需求明显，G11平板显示掩膜版增速较快
　　根据Omdia数据，目前全球共有6条11代面板产线，2025年上半年，全球11代面板产线的稼动率基本在90%以上，处于历史较高水平，Omdia预计2025年全球G11掩膜版的需求将同比增长63%。
　　目前，全球范围内仅有5家企业掌握G11高世代掩膜版生产技术，分别是DNP、福尼克斯、SKE、LG-IT及路维光电。公司是国内唯一具备G11平板显示掩膜版生产能力的本土企业，同时也是全球第四家G11平板显示掩膜版供应商，在国内G11平板显示掩膜版的国产化进程中，公司肩负着核心、无可替代的责任。根据Omdia数据，2024年公司G11掩膜版销售收入市场占有率为25.52%，位列全球第二名。
　　全球平板显示掩膜版规模为20亿美元，路维光电增速全球第一
　　根据VMR的研究报告，2022年全球平板显示掩膜版的规模为15亿美元，到2030年将达到32亿美元，2022-2030年的复合增速为10.2%，对应2025年全球平板显示掩膜版的市场规模为20亿美元。根据Omdia研究报告，2025年全球前八大厂商平板显示掩膜版收入合计同比增速，以美元口径计算是12.4%，以人民币口径计算是12.5%。
　　根据Omdia统计数据和公司实际经营数据，2024年全球前八大平板显示掩膜版厂商中，公司增速第一，2024年公司平板显示掩膜版收入同比增长35.07%，国内厂商清溢光电平板显示掩膜版2024年同比增长17.59%，此外海外厂商除美系福尼克斯以及三星inhouse收入基本保持稳定之外，其他海外厂商2024年平板显示掩膜版均不同程度出现下滑。中国掩膜版厂商基于加速扩产以及国产替代进程加速，收入增长保持强劲态势，在全球前八大厂商中的占比持续提升，作为国内掩膜版行业的领先企业，路维光电平板显示掩膜版收入全球增速第一。
　　国内掩膜版厂商的增速持续快于行业增速，主要系国内厂商加速扩产，海外厂商停止更新老旧产能，新扩产能动力不足，叠加下游厂商国产替代诉求强烈，产业链自上而下日益重视供应链安全，要求提升国产化率，国内厂商加速获取海外厂商份额。根据Omdia研究报告，2019年-2029年间，中国大陆平板显示掩膜版产能份额预计将从13.9%增长至44.7%。中国大陆已经占据了76%的LCD和47%的OLED产能，掩膜版国产化进程正在“追赶”下游显示面板供应链。
　　（3）掩膜版的技术门槛
　　掩膜版作为半导体、平板显示等行业的核心材料，是决定下游产品品质与良率的关键环节，存在极高的技术门槛，核心体现在定制化属性、品质影响及跨学科技术融合三大维度。从产品属性来看，掩膜版具备高度定制化特征，下游不同行业、不同客户的技术参数、尺寸规格需求差异显著，掩膜版制造企业需针对具体场景提供定制化解决方案，对快速响应与设计适配能力提出严苛要求。同时，掩膜版作为下游生产的“基准蓝本”，其自身精度、缺陷控制等品质指标直接决定下游产品的图案完整性、性能稳定性及生产良率，微小误差或缺陷都可能导致下游批量产品报废，因此下游行业对掩膜版品质的管控标准非常严格。从技术实现层面，掩膜版制造属于复杂的跨学科系统工程，深度融合超高精密光学加工技术与多学科知识，整个生产流程涵盖版图设计与处理、光刻工艺控制、缺陷分类检测等多个核心工艺，涉及固体物理、材料化学、几何光学、激光技术、微电子技术、精密机械制造等多个学科领域的交叉应用。掩膜版厂商不仅要掌握各单一工艺的核心技术，更要实现多工艺、多学科的协同优化，在设计开发、生产制造、品质管控等全环节积累深厚的技术沉淀，形成系统化的技术能力。
　　公司作为国内最早涉足掩膜版领域的企业之一，长期聚焦技术研发与产品创新。经过多年深耕，公司在平板显示、半导体等核心行业用掩膜版领域形成了扎实的技术积累，熟练掌握核心工艺环节的关键技术，产品性能与技术水平处于国内领先地位，能够稳定满足下游高端客户的定制化需求，持续巩固在行业内的竞争优势。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在全球产业链重构与国内产业自主可控需求提升的背景下，公司凭借近三十年积累的技术体系、产能布局与客户生态构建起核心竞争优势，行业地位持续巩固并稳步提升。
　　在平板显示领域，公司已确立了国内唯一实现G2.5至G11全世代掩膜版量产配套的本土领军地位，技术能力全面覆盖从a-SiTFT-LCD到LTPO、AMOLED、Mini/MicroLED及硅基OLED等主流与前沿技术。作为G11高世代掩膜版技术的国内开创者，公司不仅实现了高世代半色调与相移掩膜版的国产化替代，更掌握了光阻涂布等上游核心材料工艺。根据Omdia数据，公司在平板显示掩膜版领域的市场占有率位居全球第六、国内第二，2024年路维光电在平板显示掩膜版领域营业收入增速全球第一。2025年厦门生产基地开工建设，重点布局G8.6及以下高精度产品，进一步巩固在高端细分市场的技术壁垒与产能优势。
　　在半导体领域，公司构建起成熟的技术演进和战略布局路径。目前，公司已实现150nm制程节点半导体掩膜版量产，130nm制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，广泛应用覆盖功率器件、MEMS、先进封装等领域。路芯半导体掩膜版项目进展顺利，正逐步完成从试样到批量供货的转化，2025年已逐步实现产品量产，一期项目实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局28-14nm半导体掩膜版，计划于2026年陆续投建，致力于打破境外企业在高端制程领域的垄断。
　　公司深耕掩膜版行业近三十年，积累了覆盖图档处理、光刻、检测与修补的全流程制造Know-how，更形成了对下游技术路线变迁的深刻洞察。凭借可靠的产品性能与技术服务，公司与京东方、TCL华星、天马微电子等显示面板巨头，以及某三维多芯片集成龙头（2.5D/3D）、通富微电、华天科技等封测龙头建立了深度稳定的战略供应关系。作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司持续强化研发实力，正稳步提升在平板显示与半导体两大业务板块的市场地位，成为推动国内掩膜版产业从追赶到并跑的关键力量。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　在全球电子信息产业深化发展与区域格局重塑的背景下，掩膜版作为集成电路及平板显示制造不可或缺的“精密底片”，其市场需求与技术演进与下游产业的繁荣紧密相连。当前，两大核心驱动力正塑造着行业未来：一是全球半导体与平板显示产能持续向中国大陆集聚，为本土掩膜版产业带来了确定性的规模增长机遇；二是以人工智能、新型显示、先进封装为代表的新技术浪潮，不断开辟高附加值的新兴市场蓝海。
　　（1）半导体行业
　　CoWoS等各类先进封装技术催生更多掩膜版需求
　　先进封装包括重布线层（RDL）、硅通孔（TSV）、微凸块（microbump）等关键工艺步骤，每个步骤通常都需要借助光刻工艺，因此掩膜版在其中扮演不可或缺的角色，其核心功能与在晶圆制造前端（FEOL）类似：精确地定义光刻胶上的图形，从而在基板或晶圆上形成所需的金属布线、通孔、凸点等结构。随着先进封装技术向更高密度、更小尺寸、更复杂互连发展，掩膜版的应用变得更加精细和关键。
　　重布线层（RDL）是在芯片表面或封装基板上制作额外的金属布线层，将芯片的I/O焊盘重新布局到更利于封装互连的位置（例如，从芯片边缘分布到整个表面）。掩膜版通过光刻工艺，定义了RDL中金属导线（Trace）、连接盘（Pad）以及金属层间连接的通孔（Via）的精确图形。这通常需要多块掩膜版（一层金属对应一块掩膜版，一层通孔对应一块掩膜版）。随着扇出型封装（Fan-Out）、2.5D/3DIC的发展，RDL的线宽/间距（L/S）要求越来越小（从几微米向亚微米发展），对掩膜版的精度（CD均匀性、套刻精度）、缺陷控制要求极高，需要更高分辨率的光刻技术（如步进式光刻机）和更精密的掩膜版。
　　凸点下金属化层（UBM）是在芯片焊盘或RDL焊盘上制作的一层金属结构，用于确保焊料凸点（SolderBump）或铜柱凸点（CuPillar）的良好粘附、扩散阻挡和润湿。掩膜版用于定义UBM层的图形（通常是一个个圆形或方形开口），限制电镀或沉积区域，确保UBM仅在焊盘位置精确形成。UBM的尺寸和位置精度对凸点的形成质量和可靠性至关重要。
　　硅通孔（TSV）是实现2.5D/3D堆叠封装（如HBM（高带宽内存）与逻辑芯片集成）的关键技术，在硅中介层或芯片内部垂直穿孔并填充金属，实现芯片间的垂直互连。在硅上刻蚀深孔（通常深宽比很高）之前，需要在硅表面定义刻蚀区域，掩膜版（通常是厚胶或硬掩膜上的图形）用于保护非刻蚀区域。在TSV内填充导电材料（如铜）后，需要去除表面的多余金属（过电镀），掩膜版用于定义需要保留的金属图形（例如，连接到RDL的Pad），保护区域外的金属被蚀刻掉，这对套刻精度要求很高。
　　封装基板，特别是高密度有机积层基板（如ABF基板）的制造也属于先进封装范畴的关键环节。现代高端芯片封装通常采用多层有机基板，将芯片微凸点扇出连接到底部PCB和系统。高性能器件（CPU/GPU/ASIC等）的封装基板往往非常复杂，包含十几甚至二十多层精细布线，以支持数千到上万个引脚。封装基板起到在芯片与电路板之间的“扇出桥梁”作用，其布线层需要承载高速信号和电源分配，同时控制阻抗和散热。因此，封装基板的制造精度和密度要求日益提高，已逐渐接近封装级RDL的水平。
　　封装基板的每一层细线路和通孔结构都通过光刻蚀刻或电镀成形，需要对应的掩膜版。常见流程是“积层法”：在芯片载板的芯层上，不断交替叠加绝缘介质和铜导体层。每加一层铜导线，都需先在介质上涂布感光干膜或光致抗蚀涂层，通过掩膜版曝光显影出线路图形，然后半加成法电镀填铜或减成法蚀刻铜箔，形成该层线路。层间的垂直连接（微通孔）通常通过激光钻孔完成，但钻孔后同样需光刻图形来电镀填铜或镀通孔盖层。以典型高速CPU的16-20层ABF基板为例，每层线路都需要一片掩膜版用于图形化，再加上阻焊层（保护顶层焊pad）、丝印等，也需要相应掩膜版。因此，一块高端封装基板可能需要数十套掩膜版才能完成全流程。光刻对准在多层基板制造中也非常关键，需要保证上下线路和通孔精确叠对，否则高密度引脚可能导致开路或短路。这些都增加了封装基板制造中的掩膜版制作和使用难度。
　　当前高性能封装广泛采用高密度有机基板，先进封装基板市场持续快速增长，向更大尺寸、更多层数演进。据Yole统计，先进封装基板市场正在快速增长，2020-2025年高端基板产能年增约10%，并向更大尺寸和更多层发展。英特尔、AMD的CPU插槽封装基板层数普遍达到14-18层，线宽10-15μm；HBM内存和GPU的基板为了容纳更宽的总线，层数甚至达到20层以上。Xilinx的顶级FPGA曾需要一个12层（10层积层+2层刚芯）的基板仍无法满足I/O，最终引入了硅中介层+基板的2.5D结构。这显示在极端I/O下，有机基板密度达到极限时，需要硅RDL分担。同样Intel的PonteVecchioGPU采用了47.5mm×47.5mm的大型基板，结合EMIB硅桥来连接多个计算芯片和8堆HBM，其基板面积和层数创纪录之高，也凸显出掩膜版在大型封装基板制造中的重要性。日月光、Ibiden等公司已开发尺寸达110mm的大基板和20+层结构，以支持GPU+HBM等超大封装。这些基板每增加一层，意味着至少新增一片掩膜版需求。封装基板制造是先进封装中掩膜版使用量最大的环节之一；虽然单张基板上的线宽不如硅上RDL精细，但层数众多、尺寸大，因此对掩膜版尺寸稳定性和制版工艺提出了很高要求。目前也有厂商尝试以直接成像技术（如LDI，LaserDirectImaging）来减少基板掩膜版使用，但高端产品仍以传统掩膜曝光为主。
　　综上所述，先进封装的各主要工艺环节，重布线层RDL、硅通孔TSV、微凸块、电镀互连，以及封装基板的制造都高度依赖光刻技术和掩膜版来实现精细结构的形成。RDL通过多层光刻实现复杂扇出布线，是掩膜版使用的重要场景，其层数正不断增加；TSV制造涉及硅深孔图形和金属互连，需要高精度掩膜定义；微凸块电镀成形完全由掩膜版图形控制尺寸和位置，当前顶尖工艺的凸点间距已缩小到几十微米；封装基板的每层布线都须掩膜曝光，且层数远超芯片金属层，是掩膜版消耗的另一主要来源。此外，一些辅助和新兴步骤同样用到掩膜工艺。更高的I/O密度驱动更多层次的RDL与基板、更细的凸点、更复杂的中介层，从而推高对掩膜版数量和精度的需求。
　　玻璃基板封装走向规模化量产带来掩膜版新需求增量
　　2026年是玻璃基板从技术研发向规模化量产过渡的关键节点，全球半导体企业纷纷加速布局，玻璃基板有效弥补了传统有机基板（ABF）在大尺寸封装、互连密度及热稳定性等方面的固有短板。玻璃基板具备可调热膨胀系数（3-9ppm/°C，可与硅芯片精准匹配）、超平滑表面（粗糙度＜1nm）、高刚性及低介电损耗等核心优势，能够完美适配AI芯片对大尺寸、高密度封装的需求，可使芯片翘曲度降低70%，互连密度提升10倍，高频信号传输损耗减少40%。
　　全球龙头企业正加速布局玻璃基板封装全产业链，抢占技术与产能高地。韩国SKC旗下Absolics在美国的玻璃基板工厂已完成设备导入，并向客户提供量产级样品并进入认证阶段。三星通过与日本住友化学合资生产玻璃芯材料保障源头供应，同时推进玻璃基板在HBM4内存封装中的应用测试；LGInnotek则聚焦光电共封装（CPO）相关技术，布局未来高端市场，韩国设备厂商也同步协作，完善本土生态链。日本依托材料科学与显示面板设备的积累，推行大板级封装的差异化策略。Rapidus采用600mm×600mm矩形玻璃面板进行封装，借助日本在光刻机和面板制造的优势降低单位成本，计划2028年量产。美国方面，英特尔重申将按既定技术路线图推进，首度公开展示集成EMIB技术、尺寸达78mm×77mm的巨型玻璃芯基板原型。
　　中国企业中，京东方将玻璃基板确立为核心战略，计划2027年实现高深宽比产品量产；沃格光电旗下通格微已实现小批量出货，公司为其玻璃基板封装提供掩膜版产品，此外，大族激光等设备厂商逐步打破海外垄断，通富微电、长电科技等封测企业也在加速技术转化，多个细分赛道实现关键突破。
　　玻璃基板封装的产业化，直接扩大了掩膜版的需求基数和价值，玻璃通孔等新工艺创造了对高深宽比、高精度等掩膜版的新增量需求。技术层面，掩膜版正从服务平面工艺转向支持三维堆叠与异质集成。这要求掩膜版具备处理更复杂图形、实现更高套刻精度的能力，并推动与封装厂协同开发专用工艺模型。掩膜版厂商的角色，也因此向封装工艺链中关键的协同创新者演变。
　　国产存储厂商技术突破与持续扩产带动掩膜版市场量价齐升、加速国产替代
　　AI的爆发正在重构存储行业的供需结构。受AI服务器对产能的强势挤占，行业供需错配进入极端阶段。根据CFM闪存市场报告，2026年服务器NAND需求同比增长50%，服务器DRAM（含HBM）占比首次突破50%，企业级SSD亦首次超越智能手机成为NAND最大的应用领域，标志着存储行业已由手机驱动转向AI服务器驱动。
　　与传统周期不同，本轮增长的核心源于AI服务器对高端存储产品的爆发性需求。CFM报告数据显示，2025年全球存储市场规模为2,298亿美元，预计2026年将达到3,772亿美元，同比增长64%；其中DRAM达到2,692亿美元，NAND达到1,080亿美元。供给端龙头企业持续调整产能结构，将资源向HBM、QLCNAND等高价值环节倾斜，而新产能投产周期长达两年以上，进一步加剧了市场供需缺口。细分品类来看，HBM成为增长最快的存储品类，根据半导体产业纵横援引TrendForce数据，2025年HBM出货量的占比由2024年的5%提升至8%、销售额占比由19%提升至33%，预计2026年这两项占比将进一步提升至9%和41%。
　　国产存储企业持续突破技术瓶颈，在产能布局上稳步推进，本土供应链韧性显著增强。在DRAM领域，长鑫存储已实现从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的产品覆盖和迭代。在NAND领域，长江存储自主研发的晶栈Xtacking架构实现了3DNAND技术的跨越式发展，完成了从32层三维闪存芯片的突破，到64层追赶、128层并跑，直到232层领跑的技术升级；当前，294层3DNAND产品良率已突破90%，连续读写速度超7000MB/s；其首条全本土化NAND产线于2025年下半年试产，设备本土化率达45%。市场层面，受供需紧张影响，DDR4x颗粒年内涨幅显著，不仅带动国内存储模组企业盈利水平显著提升，也推动下游终端厂商加速高端存储产品布局，形成行业良性循环。
　　存储制程的微缩与3D堆叠直接推高了掩膜版的技术门槛与价值。以3DNAND为例，其层数增加本质是存储单元在垂直方向的堆叠增加，技术上主要通过重复性的薄膜沉积与高深宽比刻蚀实现，随着堆叠层数提升，通孔（channelhole）、阶梯结构（staircase）及字线切割等关键结构的加工难度大幅提升，对光刻精度、套刻控制、多重曝光及OPC复杂度提出更高要求，从而推动关键层掩膜版技术门槛与单价水平上升。此外，3DNAND产品代际迭代速度加快（如128L、176L、232L持续演进），每一代新产品均需重新开发整套掩膜版，形成换代驱动的持续需求来源。
　　相较之下，DRAM的工艺演进路径以线宽缩小与结构复杂化为主，从DDR4向DDR5乃至HBM升级过程中，光刻层数及关键层数量均呈现更为直接的增加趋势，同时EUV等先进光刻技术的导入显著提升单张掩膜版的制造难度与价值量，使得掩膜版需求不仅体现为用量增长，更体现为价格中枢的上移。进一步来看，AI驱动的数据中心需求显著提升单位服务器对DRAM及NAND的用量（如高带宽存储需求放大），通过提升晶圆开工率间接放大掩膜版消耗，形成需求的“放大器”。从价格形成机制看，掩膜版单价主要由技术节点与关键层复杂度决定，NAND由于结构重复性较强，其价格提升相对温和，而DRAM在先进制程及EUV导入背景下价格弹性更为显著。
　　国产存储厂商的技术突破与规模化量产，为国产掩膜版企业提供了稀缺且至关重要的验证平台与增量市场，成为推动掩膜版国产替代的关键驱动力。一方面，以长江存储和长鑫存储为代表的本土厂商，在先进工艺持续推进过程中，对掩膜版在分辨率、套刻精度、缺陷控制及稳定性等方面提出了国际性的要求，使得国产掩膜版厂商能够在真实量产环境中完成从研发验证到工程化应用的能力跃迁，实现技术水平与产品可靠性的双重验证；另一方面，存储芯片作为掩膜版需求规模最大、工艺最复杂的应用领域之一，其本土化供应链的逐步建立，为国产掩膜版企业带来了持续、稳定且具备规模效应的订单，进而形成正向循环。在此过程中，NAND领域虽因结构重复性较高，对掩膜版数量拉动有限，但其大规模扩产与快速代际迭代为国产掩膜版提供了持续的产品验证与迭代机会；而DRAM领域由于光刻层数增加及EUV等先进技术导入，对高端掩膜版的需求更为迫切，为国产厂商在高价值产品上的突破提供了重要切入点。综合来看，国产存储的崛起不仅在“量”的层面扩大了掩膜版市场空间，更在“质”的层面推动了国产掩膜版技术能力的跃升与应用边界的拓展，成为加速掩膜版在存储芯片这一核心应用领域实现国产替代的关键驱动力。
　　CPO光电共封装
　　2025年光电共封装（CPO，Co-PackagedOptics）技术进入规模化商用初期，受益于AI算力中心数据传输需求爆发，行业实现指数级增长，迅速成为半导体与光通信融合的核心赛道。根据Yole发布的数据，随着英伟达等巨头在硅光子共封装光学（CPO）技术的发展，AI数据中心正在经历变革，预计CPO市场规模将从2024年的4,600万美元飙升至2030年的81亿美元，年复合增长率高达137%。这一增长主要受AI大模型和生成式AI的兴起，AI算力集群需要高带宽、低延迟且节能的光互联方案，以连接数百万GPU。从技术本质来看，CPO并非单一器件创新，而是将交换芯片（SwitchASIC）、硅光引擎（SiPh）以及高速封装（2.5D/3D集成）集成于同一系统，这种高度集成的特性，使其对掩膜版需求的影响具有明显的结构性特征。
　　首先，在需求增量来源上，CPO直接拉动硅光芯片（PhotonicIC）的大规模应用。与传统光模块相比，硅光芯片需要在硅基衬底上同时实现光波导、调制器、探测器及耦合结构，其制造依赖于多层光刻工艺（通常20–40层甚至更高），对应新增一整套掩膜版需求。随着AI算力网络对高速互连（如800G/1.6T）的需求爆发，CPO渗透率提升将带来硅光芯片出货量的快速增长，从而形成掩膜版“新增品类+新增用量”的直接拉动。
　　其次，在工艺复杂度与价值量提升方面，CPO相关芯片显著提高了关键光刻层的技术门槛。一方面，硅光器件对线宽控制、边壁粗糙度及对准精度极为敏感，波导、光栅耦合器等结构对掩膜版精度与缺陷控制提出更高要求，推动OPC复杂度与掩膜版制造难度上升；另一方面，配套的交换芯片（通常采用5nm及以下先进制程）本身即对应高层数、高价值掩膜版需求。此外，CPO系统中涉及的先进封装（如硅中介层interposer、再布线层RDL等）同样需要多层光刻工艺支持，进一步增加掩膜版用量与技术复杂度。
　　从需求结构变化看，CPO带来的并非简单的量增，而是高端掩膜版占比提升。相较于传统通信或消费电子应用，CPO集中于数据中心和AI算力基础设施，对产品性能与良率要求更高，使得先进节点逻辑掩膜版、硅光关键层掩膜版以及先进封装掩膜版的价值量显著高于行业平均水平，从而抬升整体市场价格中枢。此外，CPO采用的2.5D/3D封装技术，需要掩膜版来加工中介层、进行高密度再布线（RDL）和制造微凸块。这要求掩膜版能处理更大的版面尺寸以适应封装基板，并具备处理高深宽比结构（如TSV/微孔）图形的能力，对准精度要求也从芯片级提升至系统级。
　　最后，从产业链协同与国产替代角度看，CPO的发展为本土掩膜版企业提供了新的切入领域。硅光作为相对新兴方向，全球供应链格局尚未完全固化，本土厂商在与国内晶圆厂及封测厂协同开发过程中，有机会在部分非EUV关键层及封装环节实现率先导入，从而在新增市场中获得验证与份额积累，形成区别于传统逻辑/存储领域的差异化增长路径。
　　第三代半导体技术落地加速
　　SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）技术在高电压、高频场景的应用逐步规模化，产品迭代速度加快。在SiC功率器件领域，全球领先企业持续推进技术升级。在新能源汽车领域，相关SiC功率模块已在新能源汽车主驱逆变器中实现量产搭载，有效提升车辆续航里程与充电效率，成为行业标杆应用。Wolfspeed作为全球碳化硅技术领导者,提供多款1200V车规级SiCMOSFET产品,可应用于OBC、DCIDC转换器及主驱逆变器等领域。国内企业在SiC产业链布局持续深化，比亚迪半导体实现SiC衬底与车规级模块的自研自产；国内第三代半导体龙头三安光电接连官宣8英寸碳化硅（SiC）产线通线、良率突破的核心进展，湖南三安基地已形成6英寸/8英寸兼容的碳化硅全产业链垂直整合量产平台，项目达产后将具备年产48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。GaN领域，快充应用率先实现规模化。采用先进GaN技术的快充产品相比传统充电器体积大幅缩小，兼具轻便与高效，成为消费电子领域GaN应用的典型代表。GaN技术在射频通信、数据中心电源等领域也展现出广阔前景，未来有望在5G基站、雷达系统等高端应用中进一步拓展。
　　未来各类半导体技术融合趋势将加剧，应用场景持续拓展，新业态与新模式涌现，整体呈现技术协同化、场景多元化、服务一体化的发展格局。技术层面，先进封装与光电子集成、第三代半导体与硅基芯片的异构融合不断深化，存储与计算融合技术逐步落地，各类技术的跨界协同将突破单一技术瓶颈，形成更高效的技术解决方案，推动芯片性能与能效持续优化。应用端，AI算力需求将成为核心驱动力，带动高算力芯片封装、新型存储等技术迭代，新能源汽车与物联网终端则为第三代半导体提供广阔增长空间，推动技术从高端场景向大众消费场景渗透。业态模式上，“芯片-封装-测试”一体化服务模式加速普及，半导体IP授权向定制化与技术服务结合转型，有效降低行业研发门槛，提升产业链协同效率，而核心技术攻坚将聚焦良率提升、成本下降、集成密度优化等关键方向，头部企业与国内企业将分别依托技术积累与进口替代需求，推动行业持续升级，为掩膜版等高精密核心环节带来持续增量需求与广阔发展空间。
　　（2）平板显示行业
　　平板显示行业围绕“高画质、柔性化、微型化”方向迭代，AMOLED、Micro-LED、硅基OLED等核心技术持续突破，三星、京东方、索尼等头部企业通过具象化产品落地，推动应用场景从消费电子向车载、VR/AR、医疗等领域延伸，新业态模式重构行业价值体系。在平板显示领域，中国大陆已确立全球绝对优势。根据Omdia统计分析，中国大陆在高世代面板产线的数量上已占据主导。与产能地位相匹配的是，上游材料的需求也随之向中国集中。预计到2026年，中国大陆平板显示行业掩膜版需求量占全球比例将高达65%。掩膜版产业的区域格局与下游面板产业同步，本土化供应成为产业链安全与效率的必然选择。
　　AMOLED技术持续升级
　　AMOLED技术正在经历从智能手机向笔记本电脑、平板电脑等中尺寸应用领域的关键跃迁。与现有的G6代线相比，采用2290mm×2620mm玻璃基板的G8.6代线，能显著提升中尺寸面板的切割效率与经济性，是攻克IT市场的核心路径。当前，京东方、TCL华星、维信诺等国内面板巨头已在这一高世代赛道全面布局，并取得了实质性进展。这一轮高世代产线投资浪潮，不仅预示着中尺寸AMOLED产能将于2026年后集中释放，更对上游掩膜版行业产生了深远影响。一方面，掩膜版需求规模与精度要求同步提升。G8.6代线使用的大尺寸玻璃基板，直接催生了对更大尺寸、更高图形均匀性和位置精度的掩膜版需求。同时，为追求更高的PPI（像素密度）和更优的显示效果，面板厂商对掩膜版的线宽精度、缺陷控制提出了更为严苛的要求。另一方面，技术路线分化带来差异化的产品机遇，不同的工艺路径衍生出不同的掩膜版需求。比如TCL华星G8.6OLED产线，尽管其采用喷墨印刷（IJP）工艺，但在打印前道制程中所需的高精度像素界定层（PDL），仍离不开高精度的掩膜版。维信诺G8.6AMOLED采用的ViP技术，通过半导体光刻工艺制备像素，以减少蒸镀过程中对FMM的依赖，但其制程中所需的高精度光掩膜版数量反而随之增加，且对套刻精度要求极高。
　　Micro-LED技术突破瓶颈
　　Micro-LED被视为下一代显示技术的终极方案之一，目前虽因成本高昂主要应用于高端电视、智能穿戴等领域，但其增长潜力巨大。该技术对巨量转移和芯片键合精度要求极高，其生产过程中所需的各类配套掩膜版（如驱动背板掩膜版）价值显著。巨量转移技术成为产业化核心突破口，头部企业通过技术迭代提升良率与效率。
　　硅基OLED技术加速量产
　　硅基OLED技术凭借高分辨率、高亮度、小尺寸等核心优势，成为VR/AR设备的核心显示方案，同时逐步向车载HUD、医疗内窥镜等细分场景延伸。硅基OLED是在硅基CMOS电路上集成OLED器件，其超高的像素密度要求掩膜版的图形尺寸精度、套刻精度及缺陷控制必须达到亚微米甚至纳米级，已接近先进半导体掩膜版的标准，远高于传统显示技术的需求。每片硅基OLED面板的生产都需要一套或多套超高精度掩膜版，需求与面板产量直接挂钩。由于技术壁垒极高，满足硅基OLED生产要求的掩膜版的附加值较高。京东方、天马微电子等国内面板厂已实现规模化量产并切入头部VR供应链，这为国产掩膜版厂商提供了绝佳的验证和导入机会，开辟了一个伴随VR/AR、车载AR-HUD等终端放量而快速成长的高价值市场。
　　平板显示行业未来将以技术路线差异化竞争为核心，伴随应用场景跨界融合与产业链协同创新，推动行业价值重构，同时聚焦核心技术攻坚突破发展瓶颈。技术层面，AMOLED、Micro-LED、硅基OLED等技术将依据自身特性形成差异化赛道，分别向柔性化高刷、低成本量产、微型化高清方向迭代，各类新型显示技术互补发展，覆盖不同细分场景需求。应用端，车载显示将成为核心增长引擎，呈现多屏一体化、智能化趋势，VR/AR、医疗、工业控制等特种场景则推动显示技术向高可靠性、高精度方向升级，实现从消费电子向多领域延伸。产业链与模式上，“面板-终端-内容”协同创新成为主流，上下游企业深度绑定攻克核心器件与设备难题，回收再利用等绿色模式逐步兴起，而核心攻坚方向将围绕巨量转移良率、微型显示成本、柔性封装可靠性等关键环节，推动行业向更高质量发展转型。
　　（3）掩膜版行业未来发展趋势
　　掩膜版作为半导体、平板显示行业的核心材料，其技术发展与下游行业迭代深度绑定。未来掩膜版行业将依托半导体、平板显示技术升级与场景拓展，呈现多元化发展趋势，新业态与新模式推动行业价值提升。
　　①高精度技术持续突破
　　为适配半导体7nm及以下先进制程，掩膜版技术向EUV掩膜版方向迭代，核心聚焦衬底材料优化、多层膜结构设计与缺陷检测精度三重提升。EUV掩膜版采用合成石英玻璃衬底，通过精密研磨与抛光工艺，将平整度误差严格控制在0.1μm以内，同时优化MoSi多层膜的层数与厚度配比，提升对极紫外光的反射率与抗光衰性能，可适配ASMLEUV光刻机的高能量照射需求，保障先进制程芯片的图案转移稳定性。缺陷检测方面，依托光学检测与电子束扫描结合技术，检测精度达到10nm级别，能精准识别微颗粒、膜层缺陷等各类瑕疵并分类定位。同时，平板显示用掩膜版向更高分辨率、更细线路宽度突破，Micro-LED用掩膜版线路宽度降至5μm以下，通过套刻精度算法优化，将套刻误差控制在±0.3μm内，满足微型化显示芯片的高精度图案转移需求，AMOLED用掩膜版线路精度已实现2μm级突破，适配柔性显示面板的画质一致性要求。
　　②定制化技术适配多元需求
　　下游半导体、平板显示行业细分场景的差异化需求，将推动掩膜版定制化技术向“场景化设计+全流程适配”升级。半导体领域，针对Chiplet异构集成需求，掩膜版企业采用分区光刻工艺设计，定制多芯片集成掩膜版，通过差异化图案布局与工艺参数适配，实现逻辑芯片、HBM内存、I/O芯片的精准协同图案转移，有效提升异构集成良率；针对CPO光电子集成场景，优化透光区域图案结构与膜层透过率设计，适配光电器件与电芯片的共封装需求，保障信号传输效率。平板显示领域，针对硅基OLED微型化特征，定制高精度微型图案掩膜版，实现3000PPI以上分辨率的图案转移，适配VR头显的沉浸式显示需求。同时，定制化检测方案同步跟进，为不同类型掩膜版提供针对性的缺陷检测、精度校准服务，形成“设计-制作-检测”一体化定制服务体系。
　　③材料与工艺协同优化
　　随着半导体先进制程的逐步迭代，掩膜版材料将以“高纯度、高稳定性”为核心方向迭代，工艺端聚焦“高精度与高效率平衡”优化，形成材料与工艺的深度适配体系。材料方面，EUV掩膜版用石英玻璃衬底纯度提升至99.9999%以上，通过熔融提纯与杂质过滤工艺去除微量金属杂质，避免对光刻精度产生干扰；金属膜层采用铬、钼硅等高性能材料，优化膜层沉积工艺，提升膜层与衬底的附着力，同时通过离子注入技术增强膜层耐腐蚀性与抗光衰能力。工艺技术层面，将融合激光直写、电子束光刻等多种技术，实现高精度图案的快速制作。比如通过引入多光束电子束光刻、优化曝光参数与图案分区处理逻辑，可将电子束光刻效率较传统单光束方案提升30%。此外，清洗工艺将向无损伤、高精度方向迭代，采用等离子体清洗、超声清洗复合技术，去除掩膜版表面微颗粒缺陷，且不损伤图案结构。
　　④掩膜版层数增加
　　为追求半导体芯片更高的运算速度，半导体厂商正不断缩小晶体管线宽，推动了半导体制程节点不断演进，向更精细化工艺发展，这对相关配套的半导体芯片和封装掩膜版提出了更高的标准。同时，更先进的制程技术也意味着需要更多的掩膜版。根据ICKnowledge统计，台积电130nm制程节点所需掩膜版层数约为30层，而28nm制程节点所需掩膜版层数则增加到约50层，14nm/10nm所需层数则达到60层。
　　为进一步降低AMOLED屏幕的功耗，平板显示行业在LTPS背板显示技术的基础上开发出了LTPO背板显示技术。作为LTPS与IGZO技术的结合体，LTPO具有LTPS板高分辨率、反应速度快的优点，同时兼具了IGZO技术屏幕低待机功耗、适合长续航要求的优点。LTPO屏幕在提供高刷新率的情况下，仍能保持长续航能力。传统LTPS背板一般需要9~13层掩膜版，结合IGZO技术后，LTPO背板工艺所需掩膜版要增加至少4层，至13~17层。随着LTPO技术的普及，掩膜版产品层数也将随之增加。
　　二、经营情况讨论与分析
　　作为中国掩膜版行业的先行者，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，为下游知名显示厂商、晶圆厂商、IC设计公司、封测厂商、设备厂商等提供专业的掩膜版产品以及高效的后续服务。近三十年来，凭借持续自主研发创新与稳步扩产，公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先（14nm）。
　　凭借深厚的行业洞见和专业的研发实力，公司构建了丰富的产品矩阵。在显示领域，公司显示掩膜版已实现全世代覆盖（G2.5-G11）、全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等）；在半导体领域，公司半导体掩膜版已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域；通过对路芯半导体的投资，公司将半导体掩膜版布局至国内领先水平（14nm），进一步完善半导体领域的布局。公司将持续推动掩膜版技术迭代升级，以更好地满足下游客户需求。
　　公司产品技术国内领先，多次打破海外垄断。（1）在G11高精度超大尺寸掩膜版领域，公司于2019年成功建设国内首条G11高世代掩膜版产线并投产，成为国内首家且唯一一家、世界第四家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业；（2）在半色调掩膜版领域，公司于2018年成功实现G2.5等中小尺寸半色调掩膜版投产，并于2019年先后研发并投产G8.5、G11TFT-LCD半色调掩膜版，2024年量产AMOLED用HTM掩膜版产品，HTM产品目前可以覆盖全世代，打破国外厂商长期技术垄断；（3）在PSM领域，公司于2021年完成衰减型相移掩膜版（ATTPSM）工艺技术研发并通过内部测试，2023年量产MetalMesh用PSM掩膜版，CF用PSM产品于2024年通过客户验证并量产，2024年完成研发单层衰减型PSM掩膜版制造技术及Mosi系双层PSM掩膜版制造技术研发；2025年实现G6、G8.5TFT-Array用单层衰减型PSM客户导入及量产，实现i-line的半导体PSM客户导入；（4）在光阻涂布领域，公司分别于2016年、2018年自主开发了中小尺寸和大尺寸掩膜版光阻涂布技术，实现了国内掩膜版行业在高精度、大尺寸光阻涂布技术上零的突破及对产业链上游技术的成功延伸。
　　经过近三十年的技术研发与产品开发，公司积累了丰富的客户资源，在平板显示掩膜版领域，公司服务的主要客户包括京东方、天马微电子、信利、TCL华星、上海显耀（JBD）、寰采星等；在半导体领域，公司服务的主要客户包括国内某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成龙头（2.5D/3D）、华天科技、宁波中芯集成、晶方半导体、通富微电、三安光电、光迅科技等，路维光电已经成为掩膜版行业知名供应商。
　　（一）财务表现
　　报告期内，公司实现营业收入115,523.17万元，较上年同期增加31.94%。主要得益于公司产能有序提升，加之下游行业需求旺盛。从收入结构看，OLED用掩膜版、G8.6以及G11等高附加值掩膜版的增速明显，带动平板显示掩膜版的整体增长；公司的第二成长曲线半导体掩膜版发展前景广阔，尤其是IC制造掩膜版的表现亮眼。随着新增投资项目产能的陆续释放，公司期待在未来可以实现双轮驱动发展。规模效应释放与产品结构持续优化，同时公司持续强化运营管理，盈利能力得以加强；报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润25,198.43万元，较上年同期增加32.02%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,031.38万元，较上年同期增加32.58%。
　　（二）经营进展
　　报告期内，公司可转换公司债券募投项目“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”稳步推进，部分产线处于产能投产爬坡阶段；该项目产品涵盖250nm-130nm半导体掩膜版和G8.6及以下各类高精度平板显示掩膜版产品。
　　公司投资建设的路芯半导体掩膜版项目进展顺利，制程节点布局居于国内厂商前列。该项目一期产品覆盖130-40nm制程节点半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局28-14nm半导体掩膜版，计划于2026年陆续投建。未来伴随项目的顺利投产，其产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片），SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存），DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　为进一步扩充公司高世代高精度掩膜版的产能，公司于厦门市投资建设“厦门路维光电高世代高精度光掩膜版生产基地项目”。该项目总投资额为人民币20亿元，计划建设11条高端光掩膜版产线，重点研发生产G8.6及以下各类高精度光掩膜版，项目已于2025年7月完成奠基仪式，2026年1月封顶。项目分阶段实施，其中一期计划总投资额13亿元，将建设5条G8.6及以下AMOLED高精度掩膜版产线，配置5台（套）核心主设备及22台（套）精密辅助设备。目前，一期项目设备已开始有序采购，预计2026年设备将陆续到厂并进行安装调试、投入生产。该项目投产后，公司产能将显著提升，能够更充分地满足下游客户需求，助力公司持续提升在客户供应链中的份额，加速推进国产化替代进程，进一步推动平板显示掩膜版国产化率提升。
　　凭借优秀的产品性能与优质的服务，公司吸引了更多优质客户，2025年公司新增客户170家，总合作客户500余家，其中公司在100多家长期合作客户的销售收入实现超30%的增长，在国内某领先芯片公司及其配套供应商、京东方、天马微电子、TCL华星、三安光电等客户供货量有较快提升。
　　技术创新和业务升级是适应快速变化市场环境的必由之路，公司始终坚持以市场为导向，将技术研发与客户需求定制化作为核心驱动力，持续提升产品和技术服务的质量和竞争力。报告期内，公司完成了多项技术研发项目，如光刻机特殊结构开发、化学药液对石英表面特性的影响研究与高精度产品脱膜工艺开发、高精度半导体掩膜版清洗能力提升项目等等。针对具体产品研发方面，公司开展了G8.6AMOLED产品、G8.6FMM用掩膜版产品、FOPLP面板级封装用掩膜版产品开发等研发项目，配套国内G8.6AMOLED面板产线及FOPLP、TGV等先进封装工艺产线配套所需的掩膜版产品。在过往研发成果的基础上，公司成功实现多个尺寸平板显示用PSM量产，进一步丰富公司产品种类，为提升公司在掩膜版领域的技术实力打下坚实基础。公司积极布局AI在图档处理中的应用以提升效率，开发外框barcode图形坐标计算和生成系统，实现批量自动化设计，提高外框barcode图档文件处理效率；针对封装行业ODB++（一种数据格式）的数据文件，优化数据处理流程，提高封装行业图形处理效率。
　　公司不断完善技术布局，加快研发成果转化。报告期内，公司相移掩膜版（PSM）荣获“2024年度新型显示产业创新突破奖”，半色调（half-tone）掩膜版荣获DICWXPO2025“显示材料创新金奖”；新增5项核心技术，新获授权专利16项。截至报告期末，公司累计申请专利183件，软件著作权34件；有效授权专利117件，软件著作权33件。
　　（三）需求分析
　　从量的角度来看，掩膜版的需求主要来自于下游产品的更新迭代、新技术的迭代应用、新场景的开拓应用，与终端产品的多样性紧密相关，并非与下游的量价变动趋势有直接的线性关系。因此掩膜版受下游行业周期性影响较小，这与其他易受周期影响的半导体材料发展逻辑有所差异。具体而言，下游面板厂商建设新的产线、工厂和增加曝光设备，开拓新客户、增加曝光次数、工艺增强都需要新的掩膜版才能够保证产线的顺利运行。当前显示技术呈现多样化的格局，一种面板采用不同的驱动技术（如a-Si、LTPS、IGZO、LTPO等，像LTPO又分1代、2代、3代），采用不同的生产工艺（如蒸镀、ViP、印刷等），使得每套掩膜版的总层数也会不同。面板厂增加新品类、新技术的研发过程中，会产生更多的开模需求，即便部分开发样板最终不会转化成成品进行销售，但同样也需要配套的掩膜版进行验证。此外，面板厂工艺改进以及掩膜版在使用过程中出现的损耗都会增加额外的掩膜版需求。同一类别的面板，因其定制化的特性，当需要在不同的产线生产时，都需要重新配套掩膜版。而同样尺寸和分辨率的面板，如果刷新率、像素设计、驱动设计等方面发生变化或更新，也需要新的掩膜版。
　　从价的角度来看，掩膜版作为高度定制化的非标产品，尺寸、类型、指标等均会影响价格。通常情况下尺寸越大的掩膜版越昂贵，但是某些情况下掩膜版的类型、精度等级对价格的影响会超过尺寸因素的影响。掩膜版的相关指标包括光刻次数、CD精度、套合精度、Mura、最小缺陷尺寸、基板平坦度等，掩膜版从技术类型可分为二元型（Binary）、多色调掩膜版（Multi-tone）、灰阶掩膜版（GTM）、相移掩膜版（PSM）等。除此之外下游客户的曝光类型决定了是否需要贴光学膜（Pellicle），投影式曝光（Projection）需要贴膜，掩膜版价格相对较高；接近式曝光（Proximity）和接触式曝光（Contact）不需要贴膜，但通常情况下精度较高、价格较昂贵的掩膜版，客户都会要求贴膜。随着下游新产品、新技术不断涌现，对掩膜版的精度提出了更高的要求，这使得掩膜版平均价格呈现稳中有升的态势。
　　的二元掩膜版（Binary）的销售单价可能是类似单次光刻（One-pass）的二元掩膜版（Binary）1.5~2倍。以尺寸为1220x1400mm（G8.5）的平板显示掩膜版为例，G8.5LCD用的半色调掩膜版（HTM）的销售单价是G8.5LCD用的二元掩膜版（Binary）的2倍有余，G8.5LCD用的相移掩膜版（PSM）的销售单价是G8.5LCD用的二元掩膜版（Binary）的4倍有余，G8.5OLED用掩膜版的销售单价是G8.5LCD用掩膜版的2.6倍左右。
　　在半导体掩膜版领域，伴随制程节点的不断推进，单套掩膜版的价值量不断提升。随着工艺节点的缩小，每套光掩膜的数量增加，而关键层次的增值提高了每片光掩膜的单价。当特征尺寸在几百纳米制程节点时，每套掩膜版单价约为数万美元；当特征尺寸到40纳米制程节点，每套掩膜版单价约为数十万美元；当特征尺寸到28纳米制程节点，每套掩膜版单价约为100万美元；当特征尺寸到7纳米制程节点，仅使用少量EUV层时，每套掩膜版单价上升到约600万美元，预计最先进的2纳米制程节点每套掩膜版单价为1,000万至2,000万美元。具体价格根据下游客户定制化需求略有差异。
　　从技术的角度来看，掩膜版的质量只有0和1的区别，即对客户而言仅存在合格与不合格之分。公司现有已量产的掩膜版产品与海外掩膜版厂商的产品并无实质性差异，而掩膜版行业呈现高度定制化特点，下游厂商对产品交期和响应速度要求较高，公司作为本土掩膜版厂商，在交期、服务、响应速度等方面具有显著优势，能更好地满足客户需求。在国际贸易壁垒抬升的宏观背景下，进一步强化下游客户对国产化替代方案的经济性考量。基于对本土优势的认可以及供应链安全考虑，下游客户国产替代意愿强烈。
　　伴随半导体制程节点向前推进、显示技术从LCD向OLED拓展、LTPS向LTPO切换，下游行业对掩膜版的需求层数、单片精度都在不断提升；下游AI芯片、汽车电子等应用场景不断扩展催生更多技术种类，推动掩膜版需求增长；封装技术革新进一步催生先进封装掩膜版需求高增长，例如Chiplet、3DIC、FOPLP等先进封装技术发展带动RDL/TSV/TGV等工艺用掩膜版需求提升；显示技术迭代（例如8K、折叠屏、透明OLED、双栈串联、COE等）也为掩膜版市场注入新动能。掩膜版的需求增长不仅是“量”的增加，更是“质”的升级；下游显示行业、半导体行业本土化趋势正在持续拉动本土掩膜版的需求增长。下游应用的多元化（从传统芯片到AI、汽车、AR）和技术演进（EUV、Chiplet、Micro-LED）共同推动行业进入高景气周期。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1.领先且持续迭代的技术能力
　　在平板显示领域，公司是国内唯一实现G2.5至G11全世代掩膜版量产配套的本土企业，技术能力覆盖从a-SiTFT-LCD到LTPO、AMOLED、Mini/MicroLED、硅基OLED等主流及前沿显示技术。公司不仅是国内G11掩膜版技术的开创者，更持续向高精度、高难度领域纵深突破。公司实现了高世代半色调、相移掩膜版的国产化替代，并自主掌握了核心的光阻涂布等上游材料工艺。
　　在半导体领域，公司构建起成熟的技术演进和战略布局路径。目前，公司已实现150nm制程节点半导体掩膜版量产，130nm制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，广泛应用覆盖功率器件、MEMS、先进封装等领域。路芯半导体掩膜版项目进展顺利，正逐步完成从试样到批量供货的转化，2025年已逐步实现产品量产，一期实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局28-14nm半导体掩膜版，计划于2026年陆续投建，致力于打破境外企业在高端制程领域的垄断。
　　2.深度协同产业演进的前瞻性综合能力
　　公司深耕行业近三十年，亲历并推动了国内掩膜版产业从追赶到并跑的历程。公司不仅积累了覆盖图档设计处理、光刻、检测与检验、修补的全流程制造know-how，更形成了对下游面板行业世代更迭与半导体技术路线变迁的深刻洞察。这使得公司能够前瞻性地进行研发投入与产能规划，精准匹配下游客户的技术升级节奏。在与行业领先面板厂、晶圆厂及芯片设计公司的长期紧密合作中，公司锻炼出快速响应多样化、定制化需求的能力，成为客户在推动产品创新与产能爬坡过程中值得信赖的合作伙伴。
　　3.体系化与前瞻性并重的强大研发实力
　　作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司已构建起一套从基础工艺到前沿技术的系统化研发体系。研发团队核心成员具备深厚的专业背景与丰富的产业经验，围绕“高精度、大尺寸、精细化”的技术主线持续攻关。公司的研发不仅聚焦于产品本身，更向上游核心材料工艺（如光阻涂布技术）和下游新兴应用（如硅基OLED、硅光芯片用掩膜版）延伸，形成全链条技术布局。
　　通过承担多项国家级、省市级重大科研项目，公司与产业界、学术界保持开放协作，确保研发方向始终紧扣国家战略需求与行业技术前沿。
　　4.稳固并持续拓展的优质客户生态
　　掩膜版作为影响下游新型显示、半导体等产业的关键材料，客户认证壁垒极高。公司凭借可靠的产品性能、稳定的交付能力与专业的技术服务，赢得主流客户的长期信任。在平板显示领域，公司与京东方、TCL华星、天马微电子等全球主流显示面板企业均建立了深度、稳定的战略供应关系。在半导体领域，公司的客户群从原有的某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成（2.5D/3D）、宁波中芯集成、华天科技、晶方科技、通富微电等厂商，持续向下游芯片制造与设计环节延伸，成功导入国内几家知名光刻机研发厂商及众多国内领先的芯片公司。基于深度互信的合作关系，构成了公司业务持续增长的坚实基础，并为公司切入更先进技术赛道提供了宝贵的市场入口和反馈闭环。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　路维光电系国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、深圳市专精特新中小企业、广东省超高精度激光加工掩膜版工程技术研究中心；成都路维系国家高新技术企业、四川省专精特新中小企业、四川省企业技术中心、成都市企业技术中心、四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区瞪羚企业；路维科技系四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区梯度培育企业-种子期雏鹰企业。公司G8.5、G11掩膜版分别获得2022年度四川省重大技术装备国内首批次产品认定；G8.6TFT用光掩膜版、CF用光掩膜版分别被认定为2024年度四川省新材料国内首批次产品。报告期内，公司相移掩膜版获得了中国光学光电子行业协会液晶分会颁发的“2024年度新型显示产业链创新突破奖”；半色调（half-tone）掩膜版荣获DICWXPO2025“显示材料创新金奖”。
　　公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司坚持以技术创新驱动发展，围绕掩膜版制造的核心工艺环节与下游技术演进趋势，在工艺革新、精度攻坚、产品布局、前瞻储备四个维度同步发力，取得了一系列研发成果。
　　报告期内，公司完成了多项技术研发项目。“光刻机特殊结构开发”项目结合设备特性及产品工艺要求，实现AGV直接对接光刻机，并实现掩膜版自动上下版功能；其研究成果可显著节约产品转运时间，提升生产效率、降低掩膜版产品转运风险。“化学药液对石英表面特性的影响研究与高精度产品脱膜工艺开发”项目通过研究化学药液对石英表面特性的影响，掌握不同清洗工艺下掩膜版表面的变化以及影响掩膜版表面有机物脏污和颗粒物数量的规律，锁定掩膜版脱膜清洗的关键控制点，从而提升高精度产品的脱膜清洗良率。“基于混沌理论的VPG视觉水纹模糊技术开发项目”面向平板显示HTM产品，开发相应的视觉处理系统，使二次曝光对位精度可达±0.2μm，从而提高产品对位的准确性和稳定性。“清洗环境对产品清洗效果影响研究与AMOLED产品清洗能力提升”项目通过对现有清洗机进行环境改造和工艺优化，减少贴膜后缺陷数量，满足高精度AMOLED产品贴膜要求，从而提高产品良率。“高精度半导体掩膜版清洗能力提升项目”通过研究高精度半导体掩膜版清洗过程中的清洗参数和药液配比等，开发相应的清洗工艺，从而达到高精度半导体掩膜版的洁净要求，可将缺陷控制到0.2um以内。
　　针对具体产品研发方面，公司开展了G8.6AMOLED产品、G8.6FMM用掩膜版产品、FOPLP面板级封装用掩膜版产品开发等研发项目，配套国内G8.6AMOLED面板产线及FOPLP、TGV等先进封装工艺产线开发所需的光掩膜版产品。在过往研发成果的基础上，公司成功实现多个尺寸平板显示用PSM量产，进一步丰富公司产品种类。同时，在图档处理这一关键技术环节，公司还推进了外框Barcode数据自动化生成及处理效率提升、封装行业图形处理效率提升等项目，有效提高产品图档处理效率。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　情况说明
　　以上数据如有尾差，为四舍五入所致。
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　1．部分产品技术指标较国际厂商存在差距
　　国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，公司已实现150nm制程节点半导体掩膜版量产，130nm制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，满足集成电路芯片制造、先进半导体芯片封装和器件等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在IC封装和IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。
　　2．关键技术人才流失风险
　　公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。
　　截至2025年12月31日，公司共有研发技术人员71人，占总人数的18.83%。随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。
　　3．技术替代风险
　　公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。
　　同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。
　　(四)经营风险
　　1．重资产经营风险
　　掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。报告期，随着经营规模扩大和产品结构升级，截至2025年12月31日，机器设备原值达到132,175.66万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。
　　如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。
　　2．主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险
　　公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。报告期，公司向前五大供应商采购原材料的金额为57,141.66万元，占原材料采购比例为88.85%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。
　　未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。
　　3．主要客户相对集中的风险
　　报告期内，公司向前五大客户合计销售金额为89,519.39万元，占当期营业收入的比例为77.49%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。
　　(五)财务风险
　　1．应收账款回收风险
　　随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。报告期末，应收账款账面价值为26,565.74万元，占期末流动资产的比例为19.94%。公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。报告期内，公司主要对应收账款计提了坏账准备。
　　如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。
　　2．存货跌价风险
　　报告期各期末，公司存货净额为24,913.87万元，占期末流动资产的比例为18.70%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。报告期末，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为1.46%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。
　　(六)行业风险
　　1．市场竞争风险
　　目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。根据Omdia统计数据及公司实际经营数据，公司2024年度平板显示掩膜版销售规模位居全球第六位、国内第二位，市场份额与国际龙头企业之间尚存在差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2．未能及时跟随下游需求变化的风险
　　公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　1．汇率波动的风险
　　公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。
　　2．企业税收优惠风险
　　公司于2025年3月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202444201888，有效期为三年，税收优惠期为2024年至2026年；成都路维于2025年12月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202551001107，税收优惠期为2025年至2027年减按15%的税率征收企业所得税；成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《财政部税务总局国家发展改革委关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自2021年1月1日至2030年12月31日，减按15%的税率征收企业所得税。
　　如果公司及子公司不能持续获得高新技术企业认定或者在高新技术企业资质有效期届满后，高新技术企业评定标准出现重大变化，或者高新技术企业的税收优惠政策未来出现重大调整，则公司及子公司有可能不再享受所得税优惠，对公司的盈利能力构成不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入115,523.17万元，同比增长31.94%；归属于上市公司股东的净利润为25,198.43万元，同比增长32.02%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,031.58万元，同比增长32.58%；归属于上市公司股东的净资产为166,168.34万元，基本每股收益1.31元。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　面对下游旺盛的需求与国产化替代的历史性机遇，公司未来发展已不再局限于单一产品的技术追赶，而是融入上游材料、核心设备到终端制造全面升级的国产供应链协同发展之路。立足于平板显示和半导体两个领域，公司坚持“以屏带芯”的业务发展格局，不断提升产品精度与品质；加大培育和扶持国内掩膜版相关材料和设备供应商的力度，推动国产化替代，使国内掩膜版及上下游产业链更加安全、稳定。同时，公司将加强掩膜版相关材料的基础性研究，逐步向掩膜版上游材料领域拓展，推动设备、零部件国产化进程，不断完善掩膜版制造产业链，努力成为掩膜版行业世界级企业。
　　展望未来，本土掩膜版产业与国产供应链的协同进化将成为新常态。公司作为产业链中游的关键环节，将持续发挥“牵引器”作用，通过联合研发、标准共建、优先试用等方式，助力上游伙伴提升产品性能与稳定性；稳定、可靠且响应迅速的国产供应链也将反向赋能公司，大幅增强供应链韧性、降低成本波动、并加快对客户创新需求的响应速度。
　　面向未来，公司在持续深耕平板显示与半导体两大核心市场，布局卡位AMOLED、Micro-LED、先进封装等增长赛道的基础上，将以开放、协同的姿态，与产业链伙伴携手攻关，共同推动从“掩膜版国产化”到“掩膜版产业链自主化”的跨越，为国家电子信息产业的底层安全与长期竞争力构筑坚实底座。
　　(三)经营计划
　　为顺应我国平板显示行业和半导体行业的快速发展，提升产业链国产化水平，扩大产业规模和实现产品升级，实现公司的快速发展，2026年将从以下主要几个方面开展工作：
　　1.产能方面：稳步推进募投项目、自有资金建设项目，扩大生产规模，优化产线、产品结构，同时通过技术升级提高产品质量和生产效率，以满足客户多元化的需求，进而深化与客户的合作关系，提升市场份额，促进公司持续性成长。
　　2.产品方面：在产品布局上公司坚持“以屏带芯”的发展战略，以公司先进的平板显示掩膜版技术为基础，持续加大研发投入，推动掩膜版技术革新与产品升级，实现两大产品线快速增长。2026年，公司将在平板显示掩膜版领域，加大高端AMOLED、LTPS、LTPO、FMM及Micro-LED等技术相关的掩膜版产品研发，扩大新技术及高端掩膜版产品的销售规模；同时，在半导体用掩膜版方面，公司将继续加大先进封装（含TSV&TGV）、CPO、功率器件、传感器、光模块等方面掩膜版的开发，不断向前推进制程节点，持续提升产品精度和丰富产品种类，以满足更广泛的客户及市场需求。
　　3.产品质量方面：坚持精益求精的价值观，全员参与持续提升产品质量。公司在ISO9001质量管理体系的框架下，持续完善预防管理机制，结合MES生产管理系统，加强公司风险识别与管控，提高风险管控能力。同时积极推进公司质量文化建设，开展多层次、多方式的质量监督等活动，推进质量文化落地，提高员工质量意识，加强有效沟通，强化执行效果，实现产品品质的提升。公司持续通过优质的产品质量和服务质量为客户创造更多价值。
　　4.市场规划及客户服务方面：秉持“提供高精度产品与高品质服务，为客户创造更大价值”的路维使命，公司将以满足客户需求为初心，推进各项业务不断发展。公司始终坚持客户至上，密切关注下游领域技术发展，深度挖掘重点客户需求，加强与主要客户的长期战略合作关系，通过进一步加强与客户的技术交流，结合自身研发成果，为客户创造价值，强化掩膜版产能供需关系，加强抵御市场风险的能力。同时，公司将持续提升服务质量，为客户提供更高效、及时、快速的服务，不断提高客户满意度。在助力客户发展的同时，为公司带来可持续的盈利，提高投资者的信心，有效地回报各位股东。
　　5.供应链、产业链协同方面：公司与行业内主流供应商建立了友好的合作关系，保持并寻求长期的深度协同，并不断加强供应链的管理。公司重视供应链的安全，不断提高供应商预防及预警机制，不断推进供应链的本地化、多元化采购，进一步强化供应链的韧性。此外，公司持续开展产学研用的合作，充分发挥企业和学校各自的优势，从而达到资源优化、产学研的有机结合，垂直整合上下游资源，共同提升技术能力，实现技术突破。携手上下游伙伴合力发展，实现共赢，形成更加完善、稳定的产业链。
　　6.人才发展规划：公司积极完善人才引进机制，打破“全能”、“高端”的人才观念，根据产品、技术发展方向，针对性的引进人才。建立长期稳定的人才引进渠道，与各大科研院校建立产学研平台，充分利用公司资源优势和技术优势，为科研院校提供教学实验平台和人才实习基地，为相应理论研究提供应用转化平台。在此过程中，积极引进与储备优秀毕业生与技术人员，建立和完善人才信息库，进一步优化公司人才体系结构。进一步优化公司人才培养体系，利用多种渠道、采取多种措施对技术研发人员进行培训，提升技术研发人员的知识储备。
　　7.组织结构管理：公司将进一步完善法人治理机构，规范股东会、董事会的运作，完善公司管理层的工作制度，建立科学有效的公司决策机制、市场快速反应机制和风险防范机制。通过组织结构的调整，提升整体运作效率，实现企业管理的高效灵活，驱动组织的高成长，增强公司的竞争实力。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明：
　　（一）所处行业情况
　　掩膜版主要应用于平板显示、半导体的制造过程，是必不可少的关键材料之一。平板显示、半导体等中游电子元器件厂商的终端应用主要包括消费电子（电视、手机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴设备）、新能源、汽车电子、网络通信、人工智能（AI）、物联网、医疗电子以及工业控制等领域。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，相当于胶卷和底片，其精度和质量会直接影响下游制品的优品率。
　　近年来，受新能源汽车、工业自动... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明：
　　（一）所处行业情况
　　掩膜版主要应用于平板显示、半导体的制造过程，是必不可少的关键材料之一。平板显示、半导体等中游电子元器件厂商的终端应用主要包括消费电子（电视、手机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴设备）、新能源、汽车电子、网络通信、人工智能（AI）、物联网、医疗电子以及工业控制等领域。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，相当于胶卷和底片，其精度和质量会直接影响下游制品的优品率。
　　近年来，受新能源汽车、工业自动化、物联网、人工智能（AI）、机器人等下游新兴产业推动，半导体技术在特色工艺的开发、精密度的提升、应用领域的扩展等方面持续发展；显示技术向多元化、高精细化、尺寸大型化、产品定制化发展，进一步催生了对高精密度高质量掩膜版的旺盛需求。
　　从下游需求的行业结构来看，掩膜版市场主要可细分为半导体掩膜版市场、平板显示掩膜版市场和其它细分领域。
　　1．半导体掩膜版需求多样化趋势明显
　　（1）预计2025年国内半导体掩膜版市场规模近200亿
　　伴随下游半导体行业的发展以及产能向中国大陆转移，全球半导体掩膜版市场稳步增长。半导体掩膜版广泛应用于晶圆制造前道工艺、后道封装环节以及其他半导体器件的生产制造过程中，除此之外，前期的研发流片、半导体设备的定位测试等也需要使用掩膜版。
　　在半导体领域，晶圆制造环节所用掩膜版占据主导地位。半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料，根据SEMI数据，2023年全球半导体材料市场规模为667亿美元，其中晶圆制造材料市场规模为415亿美元，占比为62.2%；封装材料市场规模为252亿美元。TECHCET（电子材料研究机构）预测2023-2028年的复合年增长率为5.6%，据此推算2025年全球晶圆制造材料市场规模为463亿美元。根据SEMI数据，掩膜版在晶圆制造材料中的占比为12.5%，据此推算2025年全球晶圆制造用半导体掩膜版的市场规模为57.88亿美元。
　　中国大陆半导体材料市场规模亦快速增长，从2017年的76亿美元增长至2023年的131亿美元，年复合增长率为9.5%，增速领先全球半导体材料市场。SEMI预计，2024年中国大陆晶圆产能将实现15%的同比增长，至885万片/月；2025年增长态势持续，产能预计再增14%，至1,010万片/月，中国大陆晶圆厂的产能增速居全球之首。晶圆厂持续扩产带动半导体材料需求不断提升，预计2025年中国半导体材料市场规模达到172亿美元，对应中国晶圆制造用半导体掩膜版市场规模为13.4亿美元，约为100亿元人民币。
　　随着先进制程演进对芯片性能提升的边际递减趋势，高性能芯片发展面临存储墙、光罩墙、功耗墙等挑战，先进封装被视为高性能芯片发展的必备环节。在AI、高端通信电子产品等市场需求驱动下，先进封装发展领先于传统封装。先进封装从技术发展到市场规模快速壮大，将带动封装材料、设备和测试设备环节的景气度提升。在传统封装工艺中，单套封装项目所需掩膜版数量通常在2-3张，而先进封装所需数量会提升至5-10张。根据YOLE（全球知名市场研究机构）数据，2025年全球先进封装市场规模达到569亿美元，占封装市场规模的50%。根据PW Consulting（领先的商业技术咨询公司）数据，2025年全球IC封装掩膜版的市场规模为14亿美元，预计2028年将增长至18亿美元，其中中国封装产能占全球的25%，推算2025年国内IC封装掩膜版的市场规模约为26亿元人民币。
　　除此之外，第三代半导体、光电器件、MEMS传感器、LED外延片的生产制造均需要半导体掩膜版。
　　综上所述，随着半导体技术不断迭代，特别是在AI技术的加持下，将进一步带动集成电路、半导体器件制造以及各类先进封装需求的不断增长，半导体掩膜版市场需求也将随之增长。根据多方机构预测的需求综合计算、研判，预计2025年全球半导体掩膜版的市场规模为89.4亿美元，其中晶圆制造用掩膜版为57.88亿美元、封装用掩膜版为14亿美元，其他器件用掩膜版为17.5亿美元；2025年国内半导体掩膜版市场规模约为187亿元人民币，其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币，封装用掩膜版预计为26亿元人民币，其他器件用掩膜版为61亿元人民币。受下游需求的积极推动，未来掩膜版市场规模也将持续增长。
　　（2）CoWoS、CoWoP、CoPoS、FOPLP等各类新型先进封装技术催生更多掩膜版需求，公司产品可满足以上各类新型封装技术的掩膜版需求
　　CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是台积电主导的2.5D封装技术，使用硅中介层作为芯片（Chip）和封装基板（Substrate）之间的互连桥梁。硅中介层提供了极高的互连密度（微凸点间距可达几十微米），但其制造成本非常高昂，且产能受限。
　　CoWoP（Chip on Wafer on PCB）是一种先进的封装技术，其核心原理是摒弃IC载板层（IC Substrate），直接将一颗或多颗芯片（Die）加中介层一起封装在SLP（载板级PCB，Substrate-Level PCB，简称SLP）上。传统的CoWoS芯片封装完成后，还需要把芯片与载板一起焊接在PCB板上，才能最终实现算力芯片的运行应用；而CoWoP的设计目标是采用经特殊设计和制造、具备接近中介层互连密度能力的高端PCB来取代IC载板层，相当于把以前的IC载板和PCB板合二为一，直接将芯片封装在PCB上。通过整合设计，一是减少数据连通路径，降低信号损失，提升封装产品性能；二是由于省去IC载板的相关工序，理论上可以简化生产流程，降低生产成本；三是利用PCB行业成熟的供应链和更大的产能潜力，进一步提高生产效率。
　　mSAP（Modified Semi-Additive Process，半加成法）工艺是制造CoWoP所需超高密度互连基板的核心技术，能够实现传统PCB工艺无法企及的精细线路。掩膜版是mSAP工艺中图形转移的核心工具，其作用是通过光刻过程将设计好的电路图形精确地定义在基板的光刻胶上，从而引导后续的电镀铜形成线路。
　　掩膜版在CoWoP中的成功应用依赖于其超高精度、高分辨率、低缺陷率、优异的工艺稳定性和耐用性；多层掩膜版之间的精准套刻也是实现复杂高密度互连结构的关键挑战之一。在mSAP的图形电镀步骤之前，需要在基板上涂覆光刻胶（干膜或液态），使用紫外光将掩膜版上的电路图形（透明区域和不透明区域）转移至SLP基板上，定义后续电镀铜的区域。掩膜版上的图形尺寸必须极其精确，任何微小的偏差都可能导致线路短路或断路，图形在掩膜版上的绝对位置以及不同层掩膜版之间的套合精度要求非常高，以满足多层布线时的层间互连（微孔对焊盘）需求。CoWoP基板通常需要多层（4层以上）高密度布线；每一层都需要一张对应的高精度掩膜版。与IC制造使用的掩膜版相比，CoWoP基板的尺寸通常更大（可能达到芯片尺寸的数倍甚至更大），这对大尺寸掩膜版的制造精度和均匀性提出了更高要求。
　　CoPoS（Chip on Panel on Substrate）则是先进封装行业的另一种新型技术，其与CoWoS技术的核心差异在于将中介层由圆形的Wafer换成了矩形的面板，面板材料可以是有机载板或玻璃基板，将中介层从圆形Wafer换成矩形面板的好处在于大幅提升了基板利用率和切割效率。以12寸晶圆为例，同样是300mm尺寸，方形面板可以容纳圆形面板1.6倍左右的Die（此处假设Die尺寸为625mm2，Die尺寸越大，两者的切割效率差异越大，例如H100算力芯片的Die尺寸是814mm2，两者的差异将上升到1.7倍）；而如果面板尺寸扩大到600x600mm，则其切割效率将是12寸晶圆的6.5倍。CoPoS技术可以大幅提升芯片的封装效率，降低单颗芯片的封装成本。
　　FOPLP（Fan Out Panel Level Package，扇出型面板级封装），是面板级封装的另一种形式，与CoPoS类似，其是为了解决过去扇出型晶圆级封装（FOWLP）的成本和效率问题，该技术能够显著提升单次芯片封装的效率，有效降低生产成本；其基板同样可以采用有机基板或玻璃。国内目前已有多家厂商在进行相关方面的技术开发，如京东方、华天科技、奕成科技等。
　　以上各类封装技术的核心目的均在于提升芯片封装性能，提高封装效率，这些都将对封装掩膜版提出更严苛的技术要求，如更小的线路图形、更大的掩膜尺寸面积、更高的套刻精度、更均匀的CD精度等。基于多年的掩膜版研究、生产经验，公司结合传统小尺寸IC掩膜版高精细特性与大尺寸显示掩膜版的丰富生产经验，可以满足国内各类新型先进封装的技术要求。公司已是华天科技（先进封装）、通富微电（先进封装）、奥特斯（高端载板）、鹏鼎控股（高端PCB板厂）等国内多个头部封装、载板、PCB板厂的主要供应商，随着各类新型封装技术的不断突破，相应掩膜版市场空间将不断扩大。
　　2．多样化需求明显，平板显示掩膜版向高精度、大尺寸演进，国内市场规模进一步打开
　　（1）OLED渗透率提升叠加面板厂新拓产线，AMOLED掩膜版增量明显持续抬升市场天花板
　　在平板显示领域，当前显示技术呈现多样化的格局，TFT-LCD、AMOLED、Micro-LED以及硅基OLED等技术在各自的应用领域内展现出强大的实力。其中，AMOLED面板凭借一系列卓越特性，在智能手机、电视以及可穿戴设备等电子产品领域得以广泛应用，其画质表现出众，设计更为轻薄且具备灵活性优势，极大地契合了消费者对于高品质视觉体验的追求，进而有力推动了AMOLED技术在高端产品线中的深度渗透与拓展。将OLED技术应用到汽车仪表盘和车载娱乐系统中的趋势日益明显，此外，基于AMOLED技术色彩准确度高的特性，越来越多的医疗成像和诊断设备中采用了AMOLED屏幕作为其优质显示屏。因此，高质量OLED显示屏的需求预计将持续增长。根据DSCC（显示行业研究机构）数据，2025年平板电脑和笔记本电脑等IT用混合OLED的需求将迎来爆发式增长，预计需求量将达到1,890万台，增长率超过56%。苹果计划将OLED引入MacBook Pro，以及其在平板电脑产品线中对OLED技术的深化应用，将极大地带动整个市场对IT用OLED面板的需求。此外，随着消费者对电子产品显示效果要求的不断提高，OLED面板凭借其自发光、高对比度、广色域等优势，正逐渐成为高端电子产品的首选显示技术，进一步推动了市场需求的增长。伴随下游OLED面板的多样化需求增长以及面板厂商加速扩产，掩膜版的需求随之增加，高精度、大尺寸的掩膜版的市场空间进一步打开，带动行业量价齐升。
　　国内厂商加速布局高世代AMOLED产线，8.6代OLED面板正成为行业竞争的新焦点，高精度、大尺寸AMOLED面板成为趋势。除了海外厂商三星和LG Display之外，国内厂商京东方和维信诺均积极布局G8.6AMOLED产线，试图在快速增长的市场中抢占先机。京东方在2023年四季度宣布在成都投建G8.6AMOLED产线，2025年5月20日项目提前4个月启动工艺设备搬入，总投资630亿元，设计产能每月3.2万片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生产笔记本电脑、平板电脑等智能终端的高端触控OLED显示屏。维信诺于2024年三季度宣布在合肥建设其G8.6AMOLED产线，投资550亿元，规划月产能为32,000片基板，产线将采用其自主研发的ViP技术（维信诺智能像素化技术），传统的FMM技术在OLED蒸镀过程中存在一定局限性，而ViP技术具备无FMM、独立像素、高精度等核心优势，不仅能够显著提高产品性能，还能有效提高生产效率，降低生产成本，该项目主厂房已于8月11日封顶，预计最早将于2026年年底实现量产。
　　根据Omdia统计，中国已占据了全球76%的LCD产能和47%的OLED产能，但目前掩膜版产能却只占31.4%，国内掩膜版产能与显示面板产能相比仍有较大的需求缺口。OLED用掩膜版的市场增长显著快于OLED面板市场的增长，不过目前从收入端，LCD用掩膜版的市场规模仍然占主要地位。随着国内新的G8.6代AMOLED工厂产能持续开出，缺口可能进一步放大，因此，国内掩膜版市场仍有巨大的增长空间。
　　（2）国内FMM兴起，带动FMM用光掩膜版需求提升
　　FMM是OLED显示面板制造过程中的一种关键材料，主要用于OLED的蒸镀工艺中。FMM的质量和精度对OLED屏幕的性能和品质有着至关重要的影响，而FMM的生产加工需要与之配套的光掩膜版。FMM制造流程中关键的工艺步骤之一，就是使用光掩膜版曝光在Invar金属基板上完成图形转移，此处光掩膜版相当于FMM的前置母版，用于曝光工艺，经显影和蚀刻后形成FMM的网格结构（第一级开口，再以电铸或刻蚀形成第二级开口）。一层Invar板（FMM）通常需用到若干张不同图层的光掩膜版用于多重曝光或分段蚀刻，具体数量取决于网格结构复杂度，通常为2~3张光掩膜版，一套完整的RGB三色FMM通常需要6张光掩膜版，如果是WRGB排列，则需要8张光掩膜版。
　　得益于AMOLED显示技术的广泛应用和手机、电视等消费电子产品升级换代、市场需求持续增长，对FMM的需求也在不断增加。根据VMR研究报告，2024年全球FMM市场规模达到15亿美元，预计到2033年将进一步增长至32亿美元，2026年至2033年的复合年增长率为9.5%。分地区来看，2023年全球OLED FMM市场由亚太地区主导，贡献了约55%的总收入，北美地区占20%，欧洲占15%，拉丁美洲占5%，中东及非洲地区占5%，其中亚太地区增长最快。FMM需求的快速增长进一步带动FMM用光掩膜版的需求增长。
　　国内FMM厂商加速扩产，打破海外垄断。目前DNP、Toppan等日韩企业基于FMM制作技术、市场份额和产品质量等方面的领先地位垄断全球FMM市场。然而，随着技术的不断扩散和市场规模的不断扩大，国内FMM制造商逐步崛起，成为全球FMM市场的重要参与者，进而带动国内FMM用掩膜版需求持续上升。寰采星已布局两条6代及一条8.6代FMM量产线，打破DNP垄断，产能居全球第二；2025年众凌科技在新产品技术联合发布会上发布了两项技术成果，一是与太钢精带联合研发的大宽幅FMM用Invar金属薄带量产成功；二是大尺寸产品用G8.6FMM产品试产。
　　在FMM行业，公司有两大技术优势，一是基于多年显示掩膜版的研发经验，具有领先的FMM光掩膜Mura控制经验（Mura关系到AMOLED屏幕的显示效果，是FMM产品的核心指标），二是G8.6FMM使用的光掩膜的长边扩大至1850mm，目前只有G11尺寸等级的掩膜版制造设备才能覆盖，公司是国内唯一一家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业。伴随FMM行业规模的快速提升以及中国FMM厂商的突破，国内FMM用光掩膜需求也随之提升，公司是寰采星和众凌科技的主力供应商，随着公司FMM用光掩膜产能的提升，有望进一步贡献收入增量，奠定公司在掩膜版领域的领先地位。
　　（3）新一代显示技术催生新的掩膜版需求
　　新一代显示技术研发加速并已在部分产品中崭露头角，例如Micro-LED、硅基OLED（OLEDoS），这些新兴技术有望在未来高端应用细分领域占据市场份额，逐步替代部分AMOLED和TFT LCD技术。根据Omdia数据，预计2031年Micro-LED、LEDoS（Micro-LED on Silicon）以及OLEDoS（OLED on Silicon）将共同占据显示面板市场总量约5%。公司在新一代显示技术用掩膜版领域布局领先，Micro-LED以及硅基OLED用掩膜版已实现量产供货，是华灿光电、上海显耀、重庆康佳等客户的重要供应商。
　　电子纸目前在下游应用中以电子阅读器、零售标签、公共标牌和可穿戴设备为主，且正在向彩色、柔性、艺术展示等扩展。根据VMR报告，2024年电子纸显示器市场规模为57.1亿美元，预计到2032年将达到434.6亿美元，2026年至2032年复合年增长率为31.83%。
　　生产电子纸（ElectrophoreticPaper Display，简称EPD）尤其是电泳式时，通常采用薄膜晶体管（TFT）背板技术，其制作流程与传统LCD/OLED面板几乎一致；在TFT驱动电路制程中，光刻技术是关键环节，光掩膜版用于精准构建TFT的开关驱动结构。即使电子纸本身是被动显示层，其驱动背板仍负责开关像素电极。因此，从电路形成到金属互连层、氧化层等，整个工艺中的每个关键图层都需要对应的光掩膜版；通常一片TFT电子纸面板可能使用5~10张掩膜版，具体根据工艺结构、图层决定。此外，对于一些配备彩色滤光层或触控层的高端电子纸产品，还可能需要额外增加相应的掩膜图层。
　　元太科技（E-ink）在Embedded World2025上展示其75英寸户外电子纸广告牌的产品，该产品具有低功耗性和在阳光下出色的可读性。根据Omdia研究报告，该产品的TFT背板由京东方B9产线（即11代产线）生产制造，该产品采用氧化物技术以及彩色滤光技术，因此预计这类面板所需的一套掩膜版包括7~8张TFT掩膜版和5张CF掩膜版；莱宝高科在浙江湖州投资90亿元建设的微腔电子纸显示器件（MED）项目已于2025年6月完成首台曝光设备搬入，预计下半年实现小批量生产。随着电子纸背板出货量上升，尤其是电子货架标签（ESL）、公共标牌和可穿戴设备等应用的普及，对光掩膜版的需求量也将同步增加。
　　（4）大尺寸需求明显，G11平板显示掩膜版增速较快
　　根据Omdia数据，目前全球共有6条11代面板产线，2025年上半年，全球11代面板产线的稼动率基本在90%以上，处于历史较高水平，因此Omdia的报告预计2025年全球G11掩膜版的需求将同比增长63%。
　　目前，全球范围内仅有5家企业掌握G11高世代掩膜版生产技术，分别是DNP、福尼克斯、SKE、LG-IT及路维光电。公司是国内唯一具备G11平板显示掩膜版生产能力的本土企业，同时也是全球第四家G11平板显示掩膜版供应商，在国内G11平板显示掩膜版的国产化进程中，公司肩负着核心、无可替代的责任。根据Omdia数据，2024年公司G11掩膜版销售收入市场占有率为25.52%，位列全球第二名。
　　（5）2025年全球平板显示掩膜版规模为20亿美元，路维光电增速全球第一
　　根据VMR的研究报告，2022年全球平板显示掩膜版的规模为15亿美元，到2030年将达到32亿美元，2022-2030年的复合增速为10.2%，对应2025年全球平板显示掩膜版的市场规模为20亿美元。根据Omdia的研究报告，2025年全球前八大平板显示掩膜版厂商的销售收入为1,448.6亿日元，折合人民币为70亿元，受日元汇率波动因素影响，以日元口径下计算的增速需要结合其他货币计价，综合分析市场判断实际增长态势。根据Omdia研究报告，2025年全球前八大厂商平板显示掩膜版收入合计同比增速，以美元口径计算是12.4%，以人民币口径计算是12.5%。
　　根据Omdia统计数据和公司实际经营数据，2024年全球前八大平板显示掩膜版厂商中，公司增速第一，2024年公司平板显示掩膜版收入日元口径下同比增长44.6%（人民币口径同比增长35.07%），国内厂商清溢光电平板显示掩膜版2024年日元口径下同比增长24.8%（依据清溢光电公开数据计算，人民币口径同比增长17.59%），此外海外厂商除美系福尼克斯以及三星inhouse收入基本保持稳定，其他海外厂商2024年平板显示掩膜版均不同程度出现下滑。中国掩膜版厂商基于加速扩产以及国产替代，收入增长保持强劲态势，在全球前八大厂商中的占比持续提升，作为国内掩膜版行业的领先企业，路维光电平板显示掩膜版收入全球增速第一。
　　国内掩膜版厂商的增速持续快于行业增速，主要系国内厂商加速扩产，海外厂商停止更新老旧产能，新扩产能动力不足，叠加下游厂商国产替代诉求强烈，产业链自上而下日益重视供应链安全，要求提升国产化率，国内厂商加速攫取海外厂商份额。根据Omdia研究报告，2019年-2029年间，中国大陆平板显示光掩膜产能份额预计将从13.9%增长至44.7%。中国大陆已经占据了76%的LCD和47%的OLED产能，因此掩膜版供应链正在“追赶”面板供应链。
　　（二）主营业务情况
　　1．主要业务
　　作为中国掩膜版行业的先行者，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，为下游知名显示厂商、晶圆厂商、IC设计公司、封测厂商提供专业的掩膜版产品以及高效的后续服务。近30年来，凭借持续自主研发创新与稳步扩产，公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商。作为半导体及显示行业制造领域的关键材料，公司掩膜版产品是下游客户光刻工艺图形转移的刚需母版，光刻机/曝光机通过对掩膜版曝光，将掩膜版上的图案转移到下游基板材料上（硅片、玻璃基板、有机基板等），掩膜版自身的品质状况直接影响终端产品的品质和良率。
　　公司产品技术国内领先，多次打破海外垄断。
　　（1）在G11高精度超大尺寸掩膜版领域，公司于2019年成功建设国内首条G11高世代掩膜版产线并投产，成为国内首家且唯一一家、世界第四家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业；
　　（2）在半色调掩膜版领域，公司于2018年成功实现G2.5等中小尺寸半色调掩膜版投产，并于2019年先后研发并投产G8.5、G11TFT-LCD半色调掩膜版，2024年量产AMOLED用HTM掩膜版产品，HTM产品目前可以覆盖全世代，打破国外厂商长期技术垄断；
　　（3）在PSM领域，公司于2021年完成衰减型相移掩膜版(ATTPSM)工艺技术研发并通过内部测试，2023年量产Metal Mesh用PSM掩膜版，CF用PSM产品于2024年通过客户验证并量产，TFT-Array用PSM掩膜版产品已打通关键工艺环节，计划于2025年进行试样验证；AMOLED PSM用掩膜版产品正在推进前期预研，根据客户技术迭代与市场需求，逐步推进量产；2024年完成研发单层衰减型PSM掩膜版制造技术及Mosi系双层PSM掩膜版制造技术研发，可应用于G6及以下平板显示掩膜版以及半导体掩膜版。
　　（4）在光阻涂布领域，公司分别于2016年、2018年自主开发了中小尺寸和大尺寸掩膜版光阻涂布技术，实现了国内掩膜版行业在高精度、大尺寸光阻涂布技术上零的突破及对产业链上游技术的成功延伸。
　　凭借深厚的行业洞见和专业的研发实力，公司构建了丰富的产品矩阵。在显示领域，公司是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，实现全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等）；同时，公司在高世代、高精度半色调掩膜版领域，率先打破了国外的技术垄断，实现全世代产品的量产，实现了国内掩膜版行业在高精度、大尺寸光阻涂布技术上零的突破及对产业链上游技术的成功延伸，一定程度上缩小了与国外领先企业的差距。在半导体领域，公司坚持“以屏带芯”的发展战略，与国内主流特色工艺晶圆制造厂商、芯片设计公司建立了良好的合作关系；目前公司已实现180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm已通过客户验证并小批量量产，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，产品已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、MEMS传感器、射频芯片、硅基OLED等产品应用的需求，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。
　　通过投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目投产后，产品将覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　2．主要产品或服务情况
　　根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版、触控掩膜版和电路板掩膜版等。
　　平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括TFT-Array制程和CF制程；低温多晶硅液晶显示器（LTPS-LCD）制造；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造；铟镓锌氧化物有机发光二极管显示器（IGZO-OLED）制造，低温多晶硅氧化物有机发光二极管显示器（LTPO-OLED）制造等。
　　半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造等。
　　其他掩膜版用于触摸屏的制造过程、PCB及FPC的制造过程。
　　3．主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事掩膜版的研发、生产和销售，通过向平板显示和半导体等下游行业的客户提供定制化掩膜版产品实现收入和利润。公司始终坚持技术创新、产品领先的发展战略，使掩膜版产品持续向大尺寸、高精度演进，形成了以技术创造业绩、以业绩支撑研发的良性循环，推动掩膜版的国产化进程，打开了广阔的市场空间。
　　（2）采购模式
　　公司主要采取以销定采的采购模式，同时对掩膜基板等重要的原材料根据市场部的销售预测、原材料库存情况及原材料供应情况适当备货。在采购方式方面，对于掩膜基板、光学膜等重要的原材料，公司主要采用询比议价方式，原则上至少选取三家实力雄厚、交货及时、服务意识良好的合格供应商作为供货渠道，以确保价格具有竞争性，同时保证物料的供应稳定、到货及时，公司的主要原材料以境外采购为主，境内采购为辅；对于生产设备，属于技术复杂或者性质特殊的物资，公司主要采用竞争性谈判或单一来源采购方式，与供应商就价格、质量和交付要求等内容进行充分谈判，在保证质量和交付要求的前提下，力求以最低价格达成交易；对于包装盒等辅助材料、低值易耗品，由于金额较小且价格透明，公司通常采取直接采购的方式。公司目前建立了较为完善的供应商管理与评价机制，公司对供应商进行季度质量评价与年度综合评价，从质量、交期、价格、售后服务等多个方面对供应商进行打分，对供应商进行分级评价。
　　（3）生产模式
　　公司采取“见单生产”的模式，即根据销售订单安排生产，主要是由于掩膜版为定制化产品，不同下游领域的客户对于掩膜版的尺寸、精度要求均不同；且由于掩膜版为下游客户生产制造过程中的定制化模具，并非大批量购买的原材料，因此客户单笔订单的采购量不大。
　　掩膜版生产过程是通过光刻工艺及显影、蚀刻、脱膜、清洗等制程将微纳米级的精细电路图形刻制于掩膜基板上，生产呈现高度定制化和自动化特点。公司的核心生产设备是光刻机，光刻采用激光直写像素化图形的方式进行，系整个掩膜版制造过程中最为耗时的工序。为合理调配产能，公司采用每条产线配置一台光刻机、多条产线共用其它后段设备的方式进行生产线布局。
　　（4）销售模式
　　公司的销售模式均为直销，鉴于掩膜版产品的定制化特征，公司通过高度配合客户产品需求和认证流程、提供专业服务，获取订单。掩膜版是光刻微纳加工的核心材料，直接影响终端产品的品质和良率，客户在引进掩膜版供应商或导入掩膜版新产品时需要对多个环节进行严苛的测试及验证，通过该等认证流程后公司方能与客户签署合同或订单。报告期内，公司与主要客户签署了框架合同，与之保持长期战略合作。公司主要通过参加行业展会与专业论坛、拜访客户及老客户推荐等方式开拓客户。
　　（5）研发模式
　　公司恪守“生产一代、储备一代、研发一代”的理念，始终坚持自主研发和技术创新，致力于打破国外技术垄断，逐步实现掩膜版的国产化。
　　公司的研发部门分为技术研发和工艺研发两大职能模块。技术研发主要沿下游行业技术演进开展研发活动，公司定期与国内不同行业客户开展技术交流，深度挖掘客户中远期需求以及行业可能存在的技术演进方向，以客户技术需求与产品诉求为目标，形成需求分析→技术研发→产品测试→优化提升的研发机制，且通过相关竞品分析查找工艺技术差异点，以研发带动产品销售；工艺研发旨在对现有技术、设备工艺提升与优化，通过挖掘相关材料、设备等技术现状与发展路径，结合自身工艺特点，提出优化的材料、工艺与设备解决方案，不断提升产品品质与生产效率。针对上述研发目标，公司的研发活动主要围绕原材料理化特性、各生产环节设备工艺参数调节、原材料与生产工艺参数的匹配，以及研究不同生产环节之间对于最终产品性能的相互影响展开。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　（一）财务表现
　　2025年上半年，公司实现营业收入54,402.76万元，较上年同期增加37.48%，公司实现归属于上市公司股东的净利润10,642.98万元，较上年同期增加29.13%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润9,503.94万元，较上年同期增加27.59%。根据下游行业划分产品，报告期内公司平板显示掩膜版与半导体掩膜版均实现了良好的增长态势；其中OLED用掩膜版的增速明显，带动平板显示掩膜版的结构改善与盈利能力提升；半导体方面，IC制造掩膜版、IC器件掩膜版增速较快。随着各扩产项目产能的陆续释放，公司预计半导体掩膜版、平板显示掩膜版的收入将进一步提升，实现双轮驱动发展。
　　（二）经营进展
　　报告期内，“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产”项目产能迅速爬坡并持续放量，带动公司收入和利润双增长。可转换公司债券扩产项目“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”产品涵盖250nm-130nm半导体掩膜版和G8.6及以下高精度a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO等平板显示掩膜版产品，目前项目依据计划有序建设，首批光刻机已于2025年上半年陆续到厂。
　　公司投资建设的路芯半导体掩膜版项目进展顺利，制程节点布局居于国内厂商前列。项目一期覆盖130-40nm制程节点半导体掩膜版。报告期内，一期项目的电子束光刻机等主要设备已陆续到厂并有序投入生产，90nm及以上半导体掩膜版已向客户陆续送样并获部分客户验证通过。依据规划，2025年下半年将启动40nm半导体掩膜版试生产工作。未来伴随项目的顺利投产，公司产品将陆续覆盖MCU（微控制芯片），SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。
　　为进一步扩充公司高世代高精度掩膜版的产能，公司于厦门市投资建设“厦门路维光电高世代高精度光掩膜版生产基地项目”。该项目总投资额为人民币20亿元，计划建设11条高端光掩膜版产线，重点研发生产G8.6及以下AMOLED/LTPO/LTPS/FMM用高精度光掩膜版，项目已于2025年7月完成奠基仪式。项目分阶段实施，其中一期将建设5条G8.6及以下AMOLED高精度掩膜版产线，配置5台（套）核心主设备及22台（套）精密辅助设备。目前，一期项目设备已开始有序采购，预计2026年设备将陆续到厂并进行安装调试，2026年下半年实现收入。项目投产后，公司产能将显著提升，能够更充分地满足下游客户需求，助力公司持续提升在客户供应链中的份额，加速推进国产化替代进程，进一步推动平板显示掩膜版国产化率提升。
　　报告期内，公司已与京东方进行前期技术对接与商业洽谈，成为京东方G8.6AMOLED产线掩膜版的主力供应商，计划于2025年三季度交付第一套G8.6AMOLED掩膜版。未来伴随京东方、维信诺的G8.6AMOLED产线陆续投产，掩膜版的量、价有望齐升，国内市场空间广阔，公司产能稳步提升有望实现更高的市场份额。
　　凭借优秀的产品性能与优质的服务，公司吸引了更多优质客户，2025年上半年公司新导入客户70余家，总合作客户500余家，其中公司在70多家长期合作客户的销售收入实现超30%的增长，在国内某领先芯片公司及其配套供应商、京东方、天马微电子、TCL华星、泰科天润、上海显耀等客户供货量有较快提升。
　　公司部分主要客户及下游应用分类技术创新和业务升级是适应快速变化市场环境的必由之路，公司始终坚持以市场为导向，将技术研发与客户需求定制化作为核心驱动力，持续提升产品和技术服务的质量和竞争力。2025年上半年，公司研发投入达1,801.50万元，占营业收入比例为3.31%。报告期内，公司完成了IC掩膜版信赖性研究测试、3D玻璃盖板用掩膜版产品开发研发项目，新开展了G8.6AMOLED产品开发、G8.6FMM用Photo Mask产品开发、FOPLP面板级封装用掩膜版研究、半导体掩膜版套准量测精度提升等研发项目，加快开发配套国内G8.6AMOLED面板产线及FOPLP、TGV等先进封装工艺产线配套所需的光掩膜版产品，进一步丰富公司产品种类，为提升公司在掩膜版领域的技术实力打下坚实基础。公司积极布局AI在图档处理中的应用以提升效率，开发外框barcode图形坐标计算和生成系统，实现批量自动化设计，提高外框barcode图档文件处理效率；针对封装行业ODB++(西门子旗下Valor公司开发的一种数据格式）的数据文件，测试研究图形处理软件，优化数据处理流程，提高封装行业图形处理时效。同时，公司将持续攻坚突破，进一步巩固在半色调掩膜版领域的先进技术优势，开发半色调掩膜版的一次性光刻技术，以及配套的镀膜涂胶、显影、蚀刻、去胶等工艺技术。报告期内，公司完成研发大尺寸IC掩膜版套刻精度控制技术，开发7寸及以上高定位精度IC掩膜版，以更好地满足下游如新凯来等设备厂商的掩膜版需求。
　　报告期内，公司相移掩膜版（PSM）荣获2024年度新型显示产业创新突破奖，新增4项核心技术，新获授权专利4项。截至报告期末，公司累计申请专利169件，软件著作权28件；有效授权专利105件，软件著作权28件。以科技创新为要义，以高质量发展为目标。在核心业务领域，公司不断完善技术布局，加快研发成果转化，凭借出色的表现，公司及子公司荣获世界显示产业创新发展大会“杰出贡献企业奖”、2024年成都市企业技术中心认定、2024年度四川省重点新材料首批次产品认定、四川省2024年定制化生产重点企业，有效提升“路维光电”的品牌认知度和市场地位。

　　（三）需求分析
　　从量的角度来看，掩膜版的需求主要来自于下游产品的更新迭代、新技术的迭代应用、新场景的开拓应用，与终端产品的多样性紧密相关，并非与下游的量价变动趋势有直接的线性关系。因此掩膜版受下游行业周期性影响较小，这与其他易受周期影响的半导体材料发展逻辑有所差异。具体而言，下游面板厂商建设新的产线、工厂和增加曝光设备，开拓新客户、开发新面板、增加曝光次数、工艺增强都需要新的掩膜版才能够保证产线的顺利运行。当前显示技术呈现多样化的格局，一种面板采用不同的驱动技术（如a-Si、LTPS、IGZO、LTPO等，像LTPO又分1代、2代、3代），采用不同的生产工艺（如蒸镀、ViP、印刷等），使得每套掩膜版的总层数也会不同。面板厂增加新品种、新技术的研发过程中，会产生更多的开模需求，即便部分开发样板虽然最终不会转化成成品进行销售，但是同样也需要配套的掩膜版。面板厂工艺改进以及掩膜版在使用过程中出现的损耗都会增加额外的掩膜版需求。同一类别的面板，因其定制化的特性，当需要在不同的产线生产或者不同厂商生产时，都需要重新配套掩膜版。而同样尺寸和分辨率的面板，如果刷新率、像素设计、驱动设计等方面发生变化或更新，也需要新的掩膜版。
　　从价的角度来看，掩膜版作为高度定制化的非标产品，尺寸、类型、指标等均会影响价格。通常情况下尺寸越大的掩膜版越昂贵，但是某些情况下掩膜版的类型、精度等级对价格的影响会超过尺寸因素的影响。掩膜版的相关指标包括光刻次数、CD精度、套合精度、Mura、最小缺陷尺寸、基板平坦度等，掩膜版从技术类型可分为二元型（Binary）、多色调掩膜版（Multi-tone）、灰阶掩膜版（GTM）、相移掩膜版（PSM）等。除此之外下游客户的曝光类型决定了是否需要贴光学膜（Pellicle），投影式曝光（Projection）需要贴膜，掩膜版价格就会相对高一些；接近式曝光（Proximity）和接触式曝光（Contact）不需要贴膜，价格相对较低。通常情况下精度较高、价格较昂贵的掩膜版，客户都会要求贴膜。随着下游新产品、新技术不断涌现，对掩膜版的精度提出了更高的要求，这使得掩膜版平均价格呈现稳中有升的态势。
　　掩膜版厂商可以通过不断优化产品组合结构来提升盈利能力，高分辨率（HR）、多色调（Multi-tone）以及相移掩膜版（PSM）等高附加值产品的占比正在逐渐提升，掩膜版厂商借助产品结构的改善，持续优化盈利能力。OLED市场以及AR/VR市场是促进产品结构优化的主要驱动力，其对于高价值、高精度的掩膜版的市场需求不断攀升。多遍刻写（Multi-pass）工艺通常应用于高规格、高分辨率的掩膜版制作，这类掩膜版通常需要更加严格的光刻、检查、测量和修补工艺，这会显著增加掩膜版的生产时间，进而推高成本。
　　根据Omdia研究报告，一片双重刻写（Two-pass）的二元掩膜版（Binary）的销售单价可能是类似单次光刻（One-pass）的二元掩膜版（Binary）1.5~2倍。以尺寸为1220x1400mm（G8.5）的平板显示掩膜版为例，G8.5LCD用的半色调掩膜版（HTM）的销售单价是G8.5LCD用的二元掩膜版（Binary）的2倍有余，G8.5LCD用的相移掩膜版（PSM）的销售单价是G8.5LCD用的二元掩膜版（Binary）的4倍有余，G8.5OLED用掩膜版的销售单价是G8.5LCD用掩膜版的2.6倍左右。
　　从技术的角度来看，掩膜版的质量只有0和1的区别，即对客户而言仅存在合格与不合格之分。公司现有已量产的掩膜版产品与海外掩膜版厂商的产品并无实质性差异，而掩膜版行业呈现高度定制化特点，下游厂商对产品交期和响应速度要求较高，公司作为本土掩膜版厂商，在交期、服务、响应速度等方面具有显著优势，能更好地满足客户需求。在国际贸易关税壁垒抬升的宏观背景下，进一步强化下游客户对国产化替代方案的经济性考量。基于对本土优势的认可以及供应链安全考虑，下游客户国产替代意愿强烈。
　　伴随半导体制程节点向前推进、显示技术从LCD向OLED切换、LTPS向LTPO切换，下游行业对掩膜版的需求层数、单片精度都在不断提升；下游AI芯片、汽车电子等应用场景不断扩展催生更多技术种类，推动掩膜版需求增长；封装技术革新进一步催生先进封装掩膜版需求高增，例如Chiplet、3DIC、FOPLP等先进封装技术发展带动RDL/TSV/TGV等工艺用掩膜版需求提升；显示技术迭代（例如8K、折叠屏、透明OLED、双栈串联、COE等）也为掩膜版市场注入新动能。掩膜版的需求增长不仅是“量”的增加，更是“质”的升级（精度、尺寸、材料适配性）；下游显示行业、半导体行业本土化趋势正在持续拉动本土掩膜版的需求增长。下游应用的多元化（从传统芯片到AI、汽车、AR）和技术演进（EUV、Chiplet、Micro-LED）共同推动行业进入高景气周期。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　随着我国掩膜版行业的发展，掩膜版技术革新的步伐不断加快，有效填补国内空白。2019年，公司在国内首次实现11代掩膜版的自主研发和投产，我国掩膜版行业正式跻身国际先进行列，开启了我国掩膜版高质量发展的新篇章。
　　掩膜版产业位于电子信息产业的上游，是连接工业设计和工艺制造的关键，其是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本，作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。
　　公司经过近30年的发展，构筑了自己的核心技术体系、建立了一支高素质的研发团队、优质的客户群体，形成了自己的核心竞争力。
　　1．领先的技术水平
　　自成立以来公司一直致力于掩膜版的研发，在平板显示掩膜版和半导体掩膜版两大核心产品领域不断突破，至今已突破多项关键核心技术。在平板显示领域，公司于2019年在国内首次实现G11掩膜版投产，是国内首家、世界第四家掌握G11高世代掩膜版制造技术的企业；是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，可配套平板显示厂商所有世代产线。依托G11高世代掩膜版生产线，公司已逐步实现了高世代半色调（Half-tone）掩膜版、高世代灰阶（Gray-tone）掩膜版等高端掩膜版产品的国产化替代，这些高端产品及PSM相移掩膜版制造技术均打破国外技术垄断、产品技术指标达到国际先进水平。立足自主研发，公司在LTPO(低温多晶硅氧化物)、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED等新型显示技术领域取得突破，各类产品均已实现量产，产品技术指标达到国内领先水平。同时，针对我国掩膜版行业上游原材料高度依赖国外进口的现状，公司亦不断进行技术突破，目前已掌握光阻涂布技术、涂布洗边（EBR）控制技术、涂布Mura控制技术、基板切割打磨技术、G11掩膜版光阻涂布技术等多项上游材料的核心工艺技术。此外，配合OLED市场的飞速发展，在AMOLED产品核心工艺方面，公司已掌握G8.6及以下AMOLED掩膜版制造技术、高PPI AMOLED显示面板掩膜版OPC光刻补偿技术、高PPI AMOLED显示面板掩膜版缺陷检查技术、AMOLED半色调掩膜制造技术、大尺寸AMOLED掩膜版涂胶缺陷控制技术、AMOLED掩膜版Mura控制技术、硅基OLED用掩膜版制造技术、G6及以下FMM用掩膜版制造技术、大尺寸FMM图形形变预补偿技术等多项核心技术。
　　在半导体领域，公司把第三代半导体和先进封装作为主要的发展方向，围绕先进封装、功率器件、射频器件、MEMS传感器、光模块等下游产品应用，优化激光直写光刻、湿法制程、光学检测等成熟工艺，突破干法制程、电子显微检测、等离子束修补、PSM相移掩膜制造等较为先进的制造工艺，加强在电子束光刻、虚拟光刻、反演光刻等技术的研发和拓展，进一步扩大150nm/130nm节点及以下产品的产能占比，不断壮大在AI产业、智能装备制造、信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车、近眼显示等可穿戴显示器件等领域的客户群体。
　　2．丰富的行业经验
　　公司拥有多年的掩膜版研发和制造经验，一直紧跟平板显示、半导体等下游行业的发展动态，与下游平板显示、半导体行业知名企业建立了良好的沟通和战略合作，积累了丰富的行业经验。公司多年来紧跟下游行业的发展动态进行技术创新，随着下游移动智能终端的快速发展，消费电子产品更新换代速度不断加快，市场需求将不断变化与丰富，公司在掩膜版领域拥有多年丰富的行业经验，具有抓住市场机遇的有利条件。
　　3．突出的研发实力
　　公司深耕掩膜版行业近30年，积累了深厚的行业洞察和研发实力，作为国家“专精特新小巨人”企业，公司已形成一套较为完整全面的核心技术体系，涵盖G11及以下TFT（a-Si）掩膜版制造技术、G11及以下平板显示用多灰阶（Multi-tone）掩膜版制造技术，到高世代高精度半色调掩膜版制造技术、AMOLED掩膜版制造技术、平板显示相移掩膜版（PSM）制造技术、130nm制程节点半导体掩膜版制造技术、先进半导体封装掩膜版制造技术、衰减型半导体相移掩膜版（PSM）制造技术，以及掩膜版光阻涂布技术、高精度激光修补技术、局部图形位置精度补偿控制技术、Mura检查与控制技术、高精度图形清洗缺陷控制技术、半导体掩膜版精细化光刻控制技术、半导体掩膜版条纹控制技术、半导体掩膜版OPC补偿技术、半导体掩膜版光阻涂布技术等一系列产品制造技术和核心工艺技术，广泛服务于平板显示、半导体、触控及电路板等掩膜版下游应用领域。
　　公司长期以来专注于掩膜版的技术研发，形成了系统化、规范化、科学化的研发体系，拥有一支技术经验丰富、技术精湛的研发团队。技术研发人员多数具备多年的研发实践经验和深厚的专业技能。公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，其中高世代光掩膜版产线建设项目获得国家发改委、工信部批复，纳入2017年电子信息产业技术改造专项。同时，公司产品屡获行业殊荣，彰显卓越的市场地位与技术影响力。
　　4．优质的客户资源
　　掩膜版对客户产品良率起决定性作用，这使得客户对掩膜版供应商的导入和认可成为一个相对长期和严谨的过程。经过多年发展，路维光电已经成为了掩膜版行业知名供应商，凭借扎实的技术实力、可靠的产品质量与优质的客户服务，公司已赢得下游客户的广泛认可，与众多知名客户建立了长期稳定的合作关系。在平板显示领域，公司的主要客户包括京东方、天马微电子、TCL华星等；在半导体领域，公司的主要客户包括国内某些领先芯片公司及其配套供应商、晶方科技、华天科技、通富微电、三安光电、宁波中芯集成等。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　路维光电系国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、深圳市专精特新中小企业、广东省超高精度激光加工掩膜版工程技术研究中心；子公司成都路维系国家高新技术企业、四川省专精特新中小企业、成都市企业技术中心、四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区瞪羚企业；路维科技系四川省2024年定制化生产重点企业、成都高新区梯度培育企业-种子期雏鹰企业，参与多个团体标准编写。公司G8.5、G11掩膜版分别获得2022年度四川省重大技术装备国内首批次产品认定，G8.6TFT用光掩膜版、CF用光掩膜版分别被认定为2024年度四川省新材料国内首批次产品，相移掩膜版（PSM）荣获2024年度新型显示产业链创新突破奖。2024年公司及子公司分别荣获世界显示产业创新发展大会“杰出贡献企业”奖。公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司在多年技术积累的基础上，不断对掩膜版产品及相关技术、设备等进行自主创新和技术研发。研发项目主要来源于客户的新需求、生产过程中涉及的工艺技术创新改良，以及对未来技术趋势研判下的预研需求等，研发的方向主要包括新产品开发、新型工艺技术开发、工艺技术能力提升、设备开发及应用等，以期在增加产品种类、提升技术能力、提高生产效率、降低成本、提升产品质量等方面取得进展，进一步提升公司综合竞争力。
　　报告期内，公司完成了IC掩膜版信赖性研究测试、3D玻璃盖板用掩膜版产品开发研发项目，新开展了G8.6AMOLED产品开发、G8.6FMM用Photo Mask产品开发、FOPLP面板级封装用掩膜版研究、半导体掩膜版套准量测精度提升等研发项目，计划开发配套国内G8.6AMOLED面板产线及FOPLP、TGV等先进封装工艺产线配套所需的光掩膜版产品，进一步丰富公司产品种类，为提升公司在掩膜版领域的技术实力打下坚实基础。

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入54,402.76万元，同比增长37.48%；归属于上市公司股东的净利润为10,642.98万元，同比增长29.13%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润9,503.94万元，同比增长27.59%；归属于上市公司股东的净资产为152,233.94万元，基本每股收益0.55元。
　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　1．部分产品技术指标较国际厂商存在差距
　　国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，实现了180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm制程节点半导体掩膜版已经通过客户验证并小批量量产，满足集成电路芯片制造、先进半导体芯片封装和器件等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在IC封装和IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。
　　2．关键技术人才流失风险
　　公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。
　　截至2025年6月30日，公司共有研发技术人员56人，占总人数的16.33%。随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。
　　3．技术替代风险
　　公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。
　　同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。
　　（二）经营风险
　　1．重资产经营风险
　　掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。报告期，随着经营规模扩大和产品结构升级，公司首次公开发行股票的募投项目中“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目”已达到预定可使用状态，可转换公司债券扩产项目中的“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”设备已陆续到厂并进行安装调试。截至2025年6月30日，机器设备原值达到113,482.85万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。
　　如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。
　　2．主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险
　　公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。报告期，公司向前五大供应商采购原材料的金额为28,175.16万元，占原材料采购比例为88.73%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。
　　未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。
　　3．主要客户相对集中的风险
　　报告期内，公司向前五大客户合计销售金额为42,898.65万元，占当期营业收入的比例为78.85%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。
　　（三）财务风险
　　1．应收账款回收风险
　　随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。报告期末，应收账款账面价值为26,322.13万元，占期末流动资产的比例为18.19%。公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。报告期内，公司主要对应收账款计提了坏账准备。
　　如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。
　　2．存货跌价风险
　　报告期各期末，公司存货净额为20,536.90万元，占期末流动资产的比例为14.19%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。报告期末，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为1.90%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。
　　（四）行业风险
　　1．市场竞争不断加剧的风险
　　目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。根据Omdia统计数据及公司实际经营数据，公司2024年度平板显示掩膜版销售规模位居全球第六位、国内第二位，市场份额与国际龙头企业之间尚存在差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2．未能及时跟随下游需求变化的风险
　　公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　1．汇率波动的风险
　　公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。
　　2．企业税收优惠风险
　　公司于2025年3月取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202444201888，有效期为三年，税收优惠期为2024年至2026年，继续减按15%的税率征收企业所得税；子公司成都路维于2022年11月29日取得《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202251006498，税收优惠期为2022年至2024年减按15%的税率征收企业所得税；子公司成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自2021年1月1日至2030年12月31日，减按15%的税率征收企业所得税。
　　如果后续未能被评定为高新技术企业，不能享受税收优惠，将会对公司的盈利水平产生不利影响。 收起▲