一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明　　(一)主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务情况　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFlash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。　　2、主要产品　　（1）NORFlash存储芯片　　公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。　　公司自主研发的NORF... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFlash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。
　　2、主要产品
　　（1）NORFlash存储芯片
　　公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。
　　公司自主研发的NORFlash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，具备高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益等特点。
　　①技术工艺：公司的NORFlash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（FloatingGate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NORFlash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司也对NORD架构的NORFlash产品进行研发，致力于保持产品及技术领先。
　　②制程技术：目前销售的主要NORFlash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊工规等产品保留65nm工艺节点，其他全系NORFlash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NORFlash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NORFlash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NORFlash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPIDualMode）和四线（SPIQuadMode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NORFlash产品已通过AEC-Q100的标准认证，公司将致力于实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NORFlash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业领先水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）通用MCU芯片
　　公司目前销售的ZB32L002、ZB32L003、ZB32L030、ZB32L032系列共计30余款型号产品，均为基于ArmCortex-M0+内核的通用32位微控制器（MCU）。相关产品具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流及高性价比等特点，并集成ADC、RTC、比较器、多通道UART等多种模拟与数字外设。产品支持休眠和深度休眠两种低功耗模式，其中深度休眠模式可在约3μs内快速唤醒，系统动态功耗低于100μA/MHz，深度休眠功耗低于1μA。目前，公司已基本完成通用
　　低功耗MCU产品线布局。ZB32L003、ZB32L031、ZB32L032系列产品覆盖20PIN—48PIN多种封装规格，可满足不同应用场景需求。
　　报告期内，公司同步推进基于M0+内核的电机控制MCU产品ZB32M013、ZB32M033的市场推广，公司研发团队完成新一代核心IP模块的优化与验证，持续加强在低功耗设计、电机控制融合及多场景适配等关键技术领域的研发。通过与产业链合作伙伴的协同，公司在工艺适配、电机控制算法优化等方面取得进展，并持续推进MCU产品生态建设。目前，公司已与国内部分家电及消费电子客户开展定制化合作，并已建立起意向订单储备。
　　（3）大容量存储产品业务
　　a.SPINAND2025年公司已量产主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，其产品内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统singledie方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。2026年上半年公司将量产一款性价比更高的产品，可以满足不同细分领域客户对产品性能和价格的不同需求。
　　b.SDNAND2025年公司已量产主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TFcard产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。目前公司正在搭载主流1xnm晶圆研发一款新的产品，以确保产品价格和供应的竞争力。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECCEngine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求，基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖4GB、8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　e.DRAM产品
　　DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。2025年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易失性和非易失性利基型产品的全覆盖。公司DDR4产品在2025年上半年量产。产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps，封装形式包含BGA78和BGA96，可满足主流客户的需求。同时公司已经在积极布局新的产品线DDR5和LPDDR产品，以满足客户的不同需求。
　　（4）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AISoC芯片、AI通用算法模型、AI定制算法模型开发和AI模组。
　　AISoC芯片，采用RISC内核，功能强大，适配性强，性价比高，2025年实现大批量出货。
　　AI算法软件，包括TinyML视频分割算法、TinyML视觉识别算法、TinyML语音识别算法、TinyML语音声纹算法和TinyML语音降噪算法5大类别，具有模型精简、占用硬件资源少、能耗低的优势，广泛部署到通用MCU/DSP硬件上运行。
　　AI模组，融合了芯片、算法产品以及软件部署技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　(二)主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NORFlash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。公司目前主要营收来源于NORFlash存储芯片业务。
　　2025年全球存储器行业继续呈现结构性增长与供需失衡并存的态势，AI、大数据、物联网（IoT）、智能汽车、工业控制等下游应用对存储芯片的需求快速增长推动整体市场规模稳定扩大。在细分产品中，NORFlash作为高可靠性、低功耗且具备快速随机读写能力的非易失性存储器，仍在工业与车载控制等场景保持稳定需求增长。根据MordorIntelligence的报告，2025年全球NORFlash市场规模为30.5亿美元，2026年预计达32.3亿美元，2026至2031年将以5.75%的复合年增长率持续增长，到2031年市场规模将达到42.7亿美元。
　　在价格方面，2025年下半年NORFlash价格开始回暖。一方面，头部厂商由于AI、车规工业等高端领域对大容量NORFlash的持续拉动，加大投入，使得NORFlash在整体成熟制程存储价格上涨周期中表现出价格上行趋势；另一方面，晶圆代工产能及封装产能的高景气度，使得供给端价格上涨。根据市场行情来看，2025下半年以来NORFlash单品价格相较2024年整体上涨，部分主力产品（如中大容量NORFlash）在下游积极备货的需求窗口下已实现价格上调，同时预计对2026年整体价格趋势保持乐观态度。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　（1）NORFlash业务
　　公司长期专注于NORFlash存储芯片的研发设计，在核心架构、电路设计及低功耗技术等方面形成了一定技术积累，在工作频率、可靠性、温度范围等关键指标方面与行业主流水平保持一致，部分型号在读写、擦除电流等功耗指标方面具有一定优势。整体技术水平处于国内厂商较为领先的位置，部分产品指标达到行业先进水平。公司NORFlash产品已实现50nm、55nm制程量产，并于2025年顺利量产NORD架构小容量产品，制程和技术水平与行业主流厂商处于相近水平。
　　（2）MCU业务
　　当前全球MCU市场仍由国际厂商主导，高端应用领域主要由意法半导体（ST）、恩智浦（NXP）、瑞萨电子（Renesas）等企业占据主要份额，国产厂商正通过技术研发和产品迭代逐步提升市场竞争力。
　　公司MCU业务处于发展阶段，围绕ARMCortex-M0+内核持续推进产品升级与系列化布局，同时开始在电机专用市场开始研发布局，加大在家电控制、工业控制及汽车电子等领域的市场拓展力度。随着产品线不断丰富和客户基础逐步扩大，公司MCU业务规模预计持续增长，市场影响力将稳步提升。
　　（3）大容量存储业务
　　公司自2024年开展大容量存储业务，目前该业务还处于起步阶段，在利基市场初步完成产品卡位，但目前体量尚小，技术实力尚在追赶。未来，公司的地位变化高度依赖战略执行与突围成效，将不断开发新的原厂资源，丰富产品种类，持续扩展客户和提高市场份额，逐步成为公司新的业务增长方向。
　　（4）AI业务
　　公司围绕端侧AI应用方向开展业务布局，形成了涵盖AI算法、AI模组及端侧AI解决方案的产品体系，其中AI算法和AI模组产品已实现商业化落地。在AI产品商业化方面，公司在照明灯控、玩具和家电等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）NORFlash
　　在新技术方面，NORFlash主要采用ETOX、SONOS和NORD三种技术架构。其中，ETOX架构凭借成熟的量产经验及自主知识产权，仍为当前主流技术路线；SONOS架构在小容量产品中具有一定优势，但通常涉及国外厂商授权；NORD架构近年来在晶圆厂推动下快速发展，在小容量产品领域逐步展现竞争优势。在制程方面，ETOX主流工艺已由65nm向5xnm节点演进，基于5xnm工艺的产品已逐步实现规模量产并在多数消费电子领域替代65nm产品，部分领先厂商正在推进4xnm节点研发。NORD架构产品则由90nm向65nm、55nm节点持续升级。整体来看，NORFlash技术正向低功耗、低电压、高性能及更高容量方向发展，其中NORD架构在编程效率、擦除速度及功耗控制方面具有一定优势。
　　在新兴产业方面，NORFlash的市场需求不仅来自传统消费电子产品的升级换代，还受益于可穿戴设备、AMOLED智能手机、物联网设备、5G基站、新能源汽车及智能终端等领域的快速发展。国内厂商依托较高性价比逐步进入市场，并通过提升产品容量及制程水平形成一定竞争优势。
　　未来，随着国内企业在技术与资金方面的持续积累，行业有望通过优化芯片设计、升级制程工艺及提升生产效率实现成本与性能优势，并逐步向中高容量产品及工业控制、汽车电子、服务器等高附加值应用领域拓展。随着汽车智能化和AI技术的发展，车规级NORFlash与AI服务器存储需求预计将持续增长。
　　（2）MCU
　　在新技术方面，MCU正由传统通用控制芯片向面向垂直应用场景的系统级解决方案发展。厂商通过异构计算架构、先进封装与嵌入式存储技术，并结合完善的软件生态，在保证低功耗的同时提升实时计算和智能处理能力。
　　在新兴产业方面，MCU的需求主要来自工业自动化与能源系统、智能家居与物联网设备以及智能终端与消费电子产品等领域。其中，工业与能源应用对MCU的实时控制能力要求较高，需要具备高精度PWM、快速ADC及高可靠性控制能力；智能终端设备则推动端侧AI能力与低功耗计算的融合发展。
　　在新业态方面，电机控制技术成为MCU重要发展方向之一。随着直流无刷电机、智能机器人及自动化设备的快速发展，市场对电机控制芯片的定制化设计及控制算法能力提出更高要求。
　　在新模式方面，MCU行业逐步形成“芯片+软件+算法”一体化解决方案的发展模式，通过完善开发工具链与应用生态，降低客户开发门槛并提升产品竞争力。未来MCU技术将持续向低功耗、高安全性、低成本、高可靠性及智能化方向发展。
　　（3）大容量存储业务
　　随着半导体工艺不断逼近物理极限，存储技术的发展正逐步由单纯依赖制程微缩向架构优化、材料创新及先进封装等多维技术路径协同推进。在DRAM领域，先进制程持续向更小节点演进，同时高带宽存储（HBM）通过三维堆叠和先进封装实现更高带宽与更低延迟，成为人工智能计算的重要支撑；在NANDFlash领域，3D堆叠层数不断提升，但行业发展逐步由单纯增加堆叠层数转向架构优化和单位存储效率提升，以进一步降低单位存储成本并提高可靠性。此外，MRAM、ReRAM等新型存储技术在部分高可靠性和嵌入式应用场景中逐步得到应用，与传统存储技术形成互补发展格局。
　　与此同时，人工智能、云计算及智能终端的发展持续带动存储需求结构升级，高性能计算和AI服务器对高带宽内存及高性能存储产品的需求明显提升，而消费电子产品功能升级也推动终端设备对存储容量和性能提出更高要求。在应用场景不断扩展的背景下，存储产业链合作模式持续深化，模组厂商逐步由单一产品集成向系统级解决方案提供者转变，通过主控方案优化、固件开发及应用适配能力，为终端客户提供更完整的产品解决方案。总体来看，在人工智能和数字化应用快速发展的推动下，存储行业正由以规模和周期为主导的发展模式逐步向以技术创新和应用价值为核心的发展阶段演进。
　　（4）AI业务
　　近年来，端侧AI与生成式AI应用持续发展，端云协同架构的重要性不断提升。端侧设备通过本地AI算法实现实时感知与隐私保护，云端则依托大模型能力提供更复杂的智能服务，形成端云协同的AI应用模式。
　　随着生成式AI技术的发展，终端设备对语音交互、环境感知及自学习能力的需求持续提升，相关算法（如语音自学习、回声消除等）逐步在智能家电、可穿戴设备、消费电子及智能玩具等AIoT产品中得到应用，并与云端大模型形成互补。
　　未来，端侧AI将围绕离线化、实时化和本地自主决策能力持续演进，通过端云一体化交付、场景化定制及“硬件+服务”融合模式推动产业发展。随着技术进步，AI系统将进一步向低功耗、高安全性、端云协同与深度应用实体经济方向发展。
　　二、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司实现营业总收入47,464.96万元，较上年度同比增长27.49%；实现归属母公司净利润-9,949.39万元；公司资产总额136,405.87万元，较上年度同比减少7.76%；归属于母公司所有者权益为126,897.51万元，较上年度同比减少6.94%。2025年度公司亏损的原因分析如下：1、报告期内，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增，同时受益于行业整体的向好发展，公司营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平；
　　2、报告期内，公司继续坚持团队建设，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平；
　　3、报告期内，下游市场的景气度提升，公司所处行业市场供求关系向好，公司本年计提的资产减值损失金额较上年同期显著减少，但对公司净利润仍有较大影响。
　　（一）NORFlash业务
　　2025年，公司NORFlash业务围绕技术平台升级、产品结构优化及重点应用市场拓展持续推进，整体经营保持稳步发展态势。在技术与产品方面，公司依托50nm工艺平台持续推进产品迭代升级，16Mbit、64Mbit及128Mbit等系列产品实现稳定量产并广泛应用于工业控制、消费电子及通信等领域，产品良率水平及成本控制能力进一步提升。同时，公司持续推进大容量NORFlash产品研发，1.8V256Mbit及512Mbit产品（集成ECC纠错功能）已完成流片，计划于2026年下半年送样客户，公司在高容量、高可靠性存储产品领域的技术能力进一步增强，为后续进入5G通信、汽车电子及高性能计算等高端应用市场奠定了基础。此外，公司新一代NORD架构产品持续推进，4Mbit产品已实现量产，2Mbit及8Mbit产品正在研发过程中，新架构产品体系逐步完善，为公司拓展KGD合封等细分应用市场提供了新的产品基础。
　　在市场方面，面对行业需求波动及市场竞争加剧的环境，公司持续优化产品结构及市场策略。在中小容量产品市场通过工艺优化及NORD架构小容量合封方案进一步提升成本竞争优势；在高端应用领域，公司积极推进大容量产品布局，为汽车电子、AI服务器等新兴应用领域的市场需求做好产品储备。同时，在国产替代及供应链安全需求持续提升的背景下，公司不断加强与重点客户及产业链伙伴的合作，在电子烟、智能穿戴、智能家居及安防监控等重点应用领域持续提升市场份额，实现NORFlash产品出货规模稳步增长。
　　（二）MCU业务
　　2025年，公司MCU业务持续推进产品优化及应用拓展。公司不断完善低功耗M0系列产品，在HDMI、四轴飞行器、科学计算器、无线充电及TFT显示设备等原有应用领域进一步扩大销售规模。同时，公司积极挖掘细分市场需求，与客户合作开发面向风筒、吸尘器及电动工具等电机控制应用的MCU产品，持续拓展产品应用场景。在市场方面，公司进一步加强与重点客户的合作，积极推动MCU产品在高附加值应用领域的导入，不断提升市场份额和业务规模。
　　（三）大容量存储产品业务
　　2025年，公司大容量存储产品业务在NANDFlash、嵌入式存储(eMMC)及DRAM等产品线均取得阶段性进展。在SPINAND、SDNAND及PPINAND产品线上，公司实现了基于24nm主流晶圆的量产，产品内置ECC纠错算法，提升了可靠性与数据传输效率，并通过多种封装形式满足客户多样化需求。eMMC产品覆盖4GB至256GB多种容量，支持高性能顺序读写及动态SLC缓存，嵌入固件算法保障了低延迟、高数据保持性和长使用周期，服务智能电视、IPC、手机终端及AIoT等市场。DRAM产品方面，公司DDR4产品已在2025年上半年量产，容量覆盖4Gb和8Gb，速率最高达3200Mbps，并布局模组合作模式，初步实现易失性与非易失性利基型存储产品组合，为客户提供稳定可靠的存储解决方案。
　　（四）AI业务
　　2025年，公司AI业务在存算推理芯片研发、TinyMLAI软件开发及AI产品商业化推广三方面取得一定成果。在存算推理芯片领域，公司重点推进SRAM存算项目的商业化进程，评估了现有产品的市场表现，明确了自研芯片的差异化方向，并制定了低功耗语音SoC产品定义，芯片设计已于2025下半年启动，按计划推进。TinyMLAI软件开发方面，公司不断优化端侧算法能力，结合数字信号处理、离在线语音交互、稳态降噪和回声消除等技术，实现语音识别、声纹识别及离在线一体功能，技术能力在智能家居及AIGC玩具领域接近行业领先。AI产品商业化方面，公司在照明灯控、玩具等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商，持续在3C夜灯稳定出货；同时公司在家电领域实现了出货突破，在按摩椅、按摩仪等产品形态上落地批量出货。并同步建设全天候PaaS语音平台，助力产品落地与服务能力提升。
　　（五）运营质量协调提升，支撑业务发展
　　2025年度，公司持续优化运营管理体系，在成本控制、供应保障、研发支持及质量管理等方面取得积极进展。公司根据市场环境变化动态优化采购策略，通过集中化采购提升议价能力，保持产品成本竞争力；同时加强与上游供应商的协同配合，持续推进库存动态管理，期末库存保持在合理水平。生产供应方面，公司全年供应交付总体稳定，特别是第四季度在市场需求回暖背景下交付能力进一步提升，较好满足了客户需求。同时公司积极推进新产品在新的晶圆厂的流片改版，并完成多款存储及嵌入式产品的封装开发与量产导入，为新产品推广提供了有力保障。同时，公司持续完善质量管理体系，通过优化供应商质量管理机制、与委外厂签署质量协议、拓展QC080000产品环保认证等措施，不断提升产品质量稳定性和客户满意度，为公司整体运营效率和产品竞争力的提升提供支撑。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NORFLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力；在MCU业务方面，一方面持续升级迭代原有MCU产品，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升产品出货量和产品市场份额，另外一方面积极布局电机控制领域，挖掘细分市场需求和客户，为MCU业务带来新的业务增量。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NANDFlash、eMMC芯片及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nmNORFlash制程和55nmeFlashMCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2025年公司的研发费用为11,488.46万元，占营业收入比例为24.20%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONGLU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、完善的质量管理体系与可靠性保障能力
　　公司始终重视质量管理能力建设，坚持以客户需求为导向，通过建立统一的质量管控标准，对委外晶圆制造及封装测试环节实施一致性的质量管理要求，确保产品质量的稳定性和一致性。同时，公司引入风险管理理念，定期开展质量事件平行展开的持续改进（CIP）活动，提前识别并管控潜在风险。公司持续完善质量管理体系，目前已通过ISO9001:2015、QC080000:2017等体系认证，部分产品已通过AEC-Q100车规级认证，并积极推进NORFlash及MCU产品的车规级可靠性测试，为公司拓展汽车电子等高可靠性应用市场奠定基础。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NORFlash有关核心技术
　　公司NORFlash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NORFlash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clockgating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NORFlash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围，部分产品已通过AEC-Q100Grade2105℃验证。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
　　通过以上技术创新，公司NORFlash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.定制化电机应用模拟子系统设计
　　定制化电机应用模拟子系统设计，包含ADC，PGA，DAC，以及芯片内部参考电压源VREFI；在高精度、小信号采样的应用方案中，需要ADC、DAC、PGA等支持独立于系统电源电压、且比系统电源电压更低的参考基准，可以实现对测量对象更精细的采样（比如ADC、DAC）或调整（比如PGA）。设计高精度多档位的基准源IP，可向信号链系统提供功能丰富、独立可控的参考基准。通过精度、温度、偏置电流等Trim可调的方式实现参考基准的高精度输出；通过修改输入接口控制改变分压输出实现参考基准的多档位输出；利用以上几个不同功能的模拟IP的系统化设计实现高效的电机控制应用。
　　b.PGA自动切换技术
　　电机控制专用MCU普遍存在多PGA运行工况，常规方案通过单芯片内部集成多PGA实现控制，不仅增加芯片整体成本，还会占用更多芯片通用管脚。为此，我们研发PGA自动切换技术，采用芯片内部集成单PGA的设计，通过根据工况需求灵活切换输入通道，以更少的PGA实现多PGA控制效果，有效节省芯片通用管脚、降低芯片成本。同时，为适配电机矢量控制中电流快速采样的需求，优化提升PGA的压摆率及带宽，在切换点处与ADC模块、TIM模块设计内部连接，切换方式及时序可根据用户需求灵活调节，确保PGA切换工作不受ADC工作速率影响，保障用户实时采样需求及控制稳定性。
　　c.总线预取技术
　　由于eFlash的读取具有较大的延迟，在CPU及总线工作于较高频率时，需要增加若干个额外的等待周期才能保证读取的数据是稳定且正确的，而这无疑降低了CPU的执行效率；解决方案一般是在CPU或总线上增加Cache或预取电路。而对于Cortex-M0+级别的低成本MCU，Cache实现的成本过高，不是理想的方案；业界主流方案是在eFlash控制器内增加预取电路，在总线空闲时由eFlash控制器发起预取；但此方案将eFlash接口控制电路及预取电路紧密耦合，在eFlash位宽/接口控制逻辑发生改变时，需要较大的设计及验证工作量。因此，将预取电路与eFlash接口控制电路解耦，将预取电路在总线上实现。此方案的优势在于独立的预取电路不再受限于eFlash本身的规格，具有较高的复用度，更换eFlash后设计验证成本都更低，且风险可控。
　　d.FLASH分块读保护
　　既有产品的Flash读保护逻辑，仅能实现对整个Flash配置保护或不保护；但针对目前的一些进阶应用需求，如用户希望电机算法的核心参数不被第三方恶意读取的同时也能被可信的程序正常调用，整体的读保护就不够灵活。分块读保护支持灵活的大小配置，实现对Flash指定区域的读保护。在开启了此功能后，被保护的区域，仅能被CPU指令读，无法被DMA或调试器读取，也无法被CPU以数据方式读取；此时，即使第三方将恶意程序运行于SRAM或烧写进Flash，这些恶意程序仍无法读出被保护区域的数据；同时，通过配置还可以选择是否在进行Flash片擦的时候擦除被保护区域。该读保护方式，在保护了核心代码的同时，也给与用户开发更大的自由度和灵活性。
　　e.非先进工艺制程上实现SPI高速通信技术
　　在电子烟屏幕驱动等应用中，对SPI的速度通常会有较高的要求；而目前市场上主流Cortex-M0+的低成本MCU，SPI的通信频率在非先进制程上通常不超过24MHz，此频率下，无法满足显示的流畅性。通过优化设计以及后端布局，在90nm工艺节点上实现36MHzSPI通信，从而提升产品的市场竞争力。
　　f.电机驱动技术
　　电机控制专用MCU是公司核心技术布局重点，算法团队深耕FOC（磁场定向控制）算法领域，实现场景化技术突破，产品深度适配消费类、家电两大核心赛道，同时前瞻布局工控领域新增长极。消费类场景中，团队自研无感FOC高速控制与无噪音单电阻电流重构技术，达成全转速域无感控制；搭配直接闭环启动、堵转不失速技术，显著提升电动工具、个人护理产品的响应速度与运行可靠性；通过谐波抑制与电流波形整形优化，进一步降低电机噪音，契合消费端对静音体验的严苛要求。家电场景聚焦节能、静音与多模式适配，算法团队通过负载感知动态调优，自动匹配最优运行曲线，搭配高性能无传感位置观测器，兼容空调、冰箱、洗衣机等多品类家电需求，既实现一级能效与智能运行，又有效降低系统BOM成本。未来，公司将持续加码研发，在巩固消费类、家电市场优势的基础上，向工控领域拓展：依托高精度三环控制、电机参数自辨识、模型预测控制等工控级核心技术，布局伺服驱动、工业机器人等高端装备市场，并探索AI融合控制等前沿方向，为客户提供全场景高效电机控制解决方案。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于NORFlash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、人声活动检测(VAD)、FFT、自动增益控制(AGC)、iFFT、回声消除等语音前处理和后处理所需的处理模块，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.软硬件协同设计技术
　　结合存算一体阵列的计算特性和芯片规格，有针对性地优化AI算法结构，使得存算芯片和算法模型之间的匹配度更高。从工程学角度，同步约束芯片硬件规格与模型软件架构，最大化发挥硬件的资源利用率和软件的算法性能，避免出现互相掣肘的跛脚方案。
　　d.系统级三维集成互连技术
　　利用三维堆叠技术将存算一体芯片的不同电路模块分别使用最合适工艺制程流片，通过3D晶圆级连接组合在一起形成单颗完整功能的芯片，突破了现有工艺的瓶颈，提高产品的开发效率、同时发挥各模块的特性、实现高性能并减小芯片面积。
　　e.多电源域高能效的PMU设计
　　存算一体芯片需要根据当前的使用状态和使用环境，灵活切换工作状态。通过定制的多电源域高能效的PMU设计，能够平衡多种环境下的功耗表现，减少功耗浪费，让系统获得最佳的功耗表现。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝以及数据增强、数据清洗等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.传统数字信号处理技术
　　传统的数字信号技术使用业界沉淀多年的技术链路，人工定制所需的算法，尤其在有降噪需求为代表的应用领域，具备可靠、有效、轻量化的特点。通过稳态降噪算法、回声消除算法等，能够有效提升TinyML在强噪声环境下的表现。
　　c.平台即服务（PaaS）技术
　　公司构建了适合自身TinyML技术的语音服务平台，客户能够通过平台获取满足自身定制需求的TinyML软件服务，通过PaaS平台的长值守和快速响应特性，加速用户端产品的开发和落地。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.离在线语音交互技术
　　公司已打通云侧和端侧配合所需的技术链路，有效结合离线语音识别技术的低延迟、高隐私安全的特点和在线丰富资源的高性能表现，扩充用户选择的灵活性。能够用于AIGC玩具为代表的应用场景。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得11项发明专利，新提交21项发明专利申请，新提交3项集成电路布图设计申请。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　情况说明
　　公司看好电机专用MCU市场，本年度加大对“电机专用MCU芯片研发及产业化项目”的投资规模。
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润-9,949.39万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-11,424.15万元。2025年，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平，同时叠加存货跌价准备的计提、期间费用率仍处在较高水平等因素，导致业绩仍然亏损。公司经营业绩受到行业景气度、市场需求变化、激烈竞争的影响，存在周期性波动风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NORFlash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NORFlash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的营收主要贡献来源于NORFlash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NORFlash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NORFlash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为71.70%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　2025年公司综合毛利率为17.12%，公司毛利率水平仍处于较低水平。产品毛利率受行业特性、市场需求、产能供给等多方面因素影响。公司主要产品NORFlash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为29,820.93万元，占期末流动资产的比例为22.87%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为5,780.14万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　(六)行业风险
　　1、半导体行业周期波动风险
　　公司经营业绩和盈利能力的改善除得益于持续的研发投入和产品迭代升级外，受半导体行业景气度影响亦较大。2022年以来，受地缘政治变化、短期经济冲击及半导体行业周期波动等综合因素影响，下游需求减弱，进而影响公司的经营业绩和盈利水平。虽然自2025年下半年以来，公司所处行业市场回暖，产品价格回升，但未来存储器行业市场仍存在周期性波动，将会对公司营收规模及毛利率产生不利影响。公司经营业绩受半导体行业景气度影响较大，存在周期性波动的风险。
　　(七)宏观环境风险
　　1、税收优惠政策变化的风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。《高新技术企业证书》将于2026年11月到期，公司拟于2026年进行高新技术企业资格复审，根据《关于高新技术企业资格复审期间企业所得税预缴问题的公告》（国家税务总局公告2011年第4号）规定，本公司在通过复审之前，高新技术企业资格有效期内，企业所得税暂按15%的税率预缴。
　　（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度（2021年度）起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
　　（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除;形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业总收入47,464.96万元，同比增长27.49%；实现归属于母公司所有者的净利润-9,949.39万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-11,424.15万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，同时受益于行业整体的向好发展，公司营业收入及综合毛利率同比有一定增长，但相较于现有营收规模综合毛利率仍处于较低水平；
　　2、报告期内，公司继续坚持团队建设，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平；
　　3、报告期内，下游市场的景气度提升，公司所处行业市场供求关系向好，公司本年计提的资产减值损失金额较上年同期显著减少，但对公司净利润仍有较大影响。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　公司自成立以来，以市场需求为导向，以自主创新为驱动，坚持“产品领先”的发展战略，专注于存储芯片领域和MCU芯片。公司同步进行存算一体AI芯片的研发，向端侧AI业务发力。公司深化核心业务发展，巩固“存储+控制+AI”一体化战略结构，公司将通过持续的技术迭代、产品升级以及新业务领域的拓展，不断完善产品结构，保持产品性能和成本竞争优势，同时加强供应链协同和质量管理能力，进一步提升产品可靠性与市场竞争力。
　　未来，公司将持续提升市场份额、品牌形象和行业影响力，致力于发展成为具有国际竞争力的集成电路设计企业，为客户提供高速、低功耗、高性价比及高可靠性的芯片产品以及完善的解决方案和服务，为终端客户持续创造价值。
　　(三)经营计划
　　1、NORFlash业务
　　2026年，公司将围绕NORFlash业务持续推进技术创新与市场拓展，进一步提升核心竞争力。在产品与技术方面，公司将持续加大研发投入，推动NORFlash大容量、高性能、高可靠性产品的研发，重点布局面向AI应用、5G基站及汽车电子等高可靠性场景的高性能产品，同时加快低功耗、低成本产品在物联网及可穿戴设备等领域的应用推广。在市场拓展方面，公司将持续深化与消费电子领域头部客户的合作，推动NORFlash在智能手机、TWS耳机等终端产品中的应用规模，同时加快车规级NORFlash产品的认证与导入，把握汽车电子化趋势带来的市场机遇，并积极拓展工业控制、智能电表及5G通信设备等领域的应用市场。
　　2、MCU业务
　　2026年，公司MCU业务将重点围绕巩固低功耗通用产品市场优势及发力电机控制专用领域从而推进产品多元化布局。在通用低功耗产品板块，公司将继续发挥ZB32L003系列的超低待机功耗优势和ZB32L031系列的高性能特点，进一步扩大在电子烟、智能水表及烟感传感器等功耗敏感领域的市场份额。在电机控制专用市场领域，公司计划在ZB32M013、ZB32M033等专用电机MCU产品上完成从技术验证到规模化营收的跨越，重点覆盖国内电动工具和智能家居电机控制市场。同时，公司将持续丰富M0内核产品线，并推进M4内核产品研发，以满足高端MCU市场需求，进一步提升产品竞争力和市场拓展能力。
　　3、大容量存储产品业务
　　2026年，公司将围绕产品迭代升级、产品容量覆盖扩展及市场渗透持续推进大容量存储业务发展。在利基型NANDFlash产品线上，公司将继续搭载国际主流原厂晶圆，优化封装及固件设计，提高性能和可靠性，重点服务智能穿戴、网通设备及IoT等细分领域，进一步提升市场份额。在eMMC产品线上，公司将补齐4GB至256GB容量产品覆盖，提供多样化的成本、性能及供应组合方案，并在智能电视、机顶盒、平板电脑等关键市场提升占有率。DRAM产品方面，公司将持续推进DDR5和LPDDR产品研发，深耕模组设计，以满足网通设备、机顶盒、智能电视、工业控制及5G基站等细分市场客户日益增长的存储需求，构建“易失性+非易失性”全系列利基型存储产品组合，增强客户粘性并提升整体竞争力。
　　4、AI业务
　　2026年，公司将围绕智能家居、智能穿戴和生成式AI三大战略方向，聚焦核心产品和生态建设。智能家居方面，将以现有3C产品和小家电市场为基础，提升市场覆盖率和占有率，同时优化语音识别在复杂噪声环境下的性能，并探索品牌市场拓展。智能穿戴方面，将以低功耗为核心，加速存算芯片和低功耗方案研发，为便携式产品提供高效AI解决方案，实现业务突破。生成式AI方面，将以AIGC玩具为切入点，利用离线语音算法保持先发优势，并梳理上下游环节，择机拓展业务，同时关注小语言模型（SLM）本地部署的可行性和市场需求。在生态建设方面，公司将完善产品工具链和开发平台，提高客户开发效率，降低开发门槛，加速产品和项目落地，实现AI业务可持续发展。
　　5、夯实运营与质量保障，支撑业务高速发展
　　2026年，公司将持续优化运营与质量管理，以支撑业务快速增长。公司继续秉承Fabless轻资产模式，强化与核心供应商的战略协同，保障产能供应与供应链稳定；推行跨部门联动的动态成本优化机制，通过集中采购与市场预判提前锁定成本，并建立库存全生命周期管理体系，实现需求驱动的动态水位管控；构建“市场-设计-生产”闭环响应机制，提升客户紧急订单交付能力；同步升级封装技术，加速导入效率及低成本方案验证，降低设计和量产风险。与此同时，公司将深化流程改进，持续提升产品质量和品牌形象，应用质量工具识别并改进不良成本，提高产品性价比；面向高端市场，推进NORFlash及MCU产品车规级AEC-Q100认证，并完善生产质量管控，为高可靠性产品的市场拓展和持续竞争力奠定基础。
　　6、提升信息披露质量与治理水平，赋能公司价值传递
　　2026年，公司在董事会的领导和支持下，将持续提升信息披露质量与公司治理水平，确保披露内容真实、准确、完整、及时、公平，优化信息收集、整理、审核及发布全流程机制，杜绝虚假或误导性信息。同时，公司将完善董事及高级管理人员薪酬与绩效考核体系，强化激励约束机制，使其与公司长期业绩及风险控制有效挂钩，提升治理效能。公司还将积极把握市场环境改善的机遇，深化投资者沟通，拓展与长期价值关注方的交流渠道，精准阐释公司发展动力与潜在价值，增进市场理解和投资信心，为公司稳健发展和内在价值长期提升构筑坚实基础。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）公司所处行业　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。　　（二）主要业务、主要产品或服务情况　　1、主要业务情况　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCor... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所处行业
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、AI芯片业务（通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）和大容量存储产品。
　　2、主要产品
　　（1）NOR Flash存储芯片
　　公司NOR Flash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。自主研发的NOR Flash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐。
　　①技术工艺：公司的NOR Flash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（Floating Gate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NOR Flash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司预计2025下半年将推出基于NORD工艺的新架构FLASH小容量产品。
　　②制程技术：目前销售的主要NOR Flash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊应用领域产品保留65nm工艺节点，其他全系NOR Flash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NOR Flash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NOR Flash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NOR Flash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPI Dual Mode）和四线（SPI Quad Mode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NOR Flash产品已通过AECQ-100的标准认证，公司致力于未来实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NOR Flash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）MCU芯片
　　公司目前销售的M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片共包含超过30种型号。这些芯片采用55nm超低功耗嵌入式闪存技术制造，具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流、
　　丰富的集成外设以及高性价比等特点。这些系列产品集成了高精度模数转换器（ADC）、实时时钟（RTC）、比较器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模拟和数字外设。它们同时支持两种低功耗工作模式：休眠模式和深度休眠模式，后者允许在3μs内快速唤醒。整个系统的动态功耗低于100μA/MHz，而深度休眠模式下的功耗则低于1μA。
　　（3）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AI SoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡。
　　AI SoC芯片，采用RISC内核，功能全面，适配小规模端侧AI模型的部署和计算，性价比高，在消费类、工控类等应用市场已批量出货。
　　AI算法模型，包括TinyML视频分割算法、视觉识别算法、语音侦测算法、语音识别算法、语音声纹算法和语音降噪算法6大类别，具有模型精简、精准度高、能耗低的优势，已广泛部署到通用MCU/DSP/SoC等硬件产品上运行。
　　AI模组板卡，融合了芯片、算法产品以及软件部署和SDK开发技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出针对不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。
　　公司不同系列产品既能够用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　（4）大容量存储产品业务
　　a.SPINAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller，内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统single die方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。
　　b.SDNAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SD接口controller，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TF card产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECC Engine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求。基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　e.DRAM产品
　　DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。2025年上半年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易失性和非易失性利基型产品的全覆盖。公司DDR4产品在2025年上半年量产。产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。
　　（三）主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NOR Flash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于去年同期下滑。
　　2、报告期内，公司加大人才引进与培养，做好公司团队建设。同时，公司持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平。
　　3、报告期内，公司持续加速库存去化，计提的资产减值损失金额同比大幅减少，但公司存货周转率仍然处于较低水平，基于谨慎原则对存货进行资产减值损失计提，对公司净利润仍有较大影响。
　　（一）NOR Flash存储芯片
　　NOR Flash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产品的同时持续研发新产品，为公司未来发展蓄力。
　　1.通过持续优化先进的ETOX工艺制程，并重点攻坚50nm与55nm节点，成功实现了晶体管密度的提升与动态/静态功耗的双重优化，显著降低工作功耗，能效比（Energy Efficiency）获得质的飞跃。不仅直接降低产品的运行成本，更是在功耗敏感型应用领域确立了关键优势。
　　2.积极布局先进的NORD工艺制程NOR Flash产品，在提供强大环境适应力（稳定可靠，宽温工作）的同时，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携性设计上的潜力。
　　3.致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI166MHz和DTR100MHz的业界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计算、边缘设备及实时响应应用提供了强大的底层硬件支持。
　　4.针对PC环境对数据安全性的高要求，研发整合了应答保护单调计数器（RPMC）技术的产品。RPMC机制通过强制单调递增的响应计数，为每次交互提供唯一性标识，从根本上阻断了重放攻击的可能性。这直接强化了数据的抗篡改能力，并提升了涉及固件更新、安全启动、版权保护等关键PC操作的可靠性保障。
　　（二）MUC芯片
　　公司上半年通用低功耗MCU产品线销售额同比增加59.98%，出货量同比增长102.99%，ZB32L003系列产品以超低待机功耗与超高性价比优势，在电动工具、HDMI设备、四轴飞行器、智能水表及烟感传感器等领域取得突破。目前MCU产品线已完成20PIN-48PIN布局，覆盖多样化应用场景。同时，公司电机控制MCU产品线（ZB32M022系列)）成功实现小批量试产与技术闭环（芯片设计-算法支持-方案Demo），正在导入消费电子（风筒、美甲机、玩具车电调）与工业领域（高速吸尘器、电动工具、气泵）等多家客户。两大产品线协同发力，为下半年及未来业绩增长奠定坚实基础。
　　（三）AI业务
　　2025年上半年，公司AIBU致力于TinyML AI算法、AI算法模组和AI解决方案等产品的开发于市场销售。AI算法包括端侧智能设备语音算法和端侧视觉算法，AI语音识别算法在3C数码产品例如空调伴侣、加湿器、玩具类产品实现批量出货，并完成AIGC硬件平台部署；AI人脸识别算法成功落地办公终端设备。AI算法模组在3C夜灯市场出货量占据50%以上市场份额，灯控和风扇灯领域突破百万台套出货，小家电（风扇/茶吧机/取暖器）、潮玩玩具、智能门锁完成设计并预计Q3起试产。AI解决方案依托离在线一体与多模态融合技术，重点攻坚AIGC玩具、小家电及办公智能体市场，核心项目将于下半年商业落地。
　　（四）大容量存储业务
　　2025年上半年，公司持续推进存储业务战略布局，成果显著：在利基型NAND Flash领域，新增single die SPI NAND及高性能32Gb SD NAND产品，预计三季度量产后将形成覆盖高、中、低端的差异化产品组合，更好满足网络通信、智能穿戴等细分应用客户；嵌入式存储芯片产品线新增256GB容量可以更好满足平板电脑、低端智能手机等客户需求，同时增加适配2家国际主流NAND Flash，增强了产品供应链的安全和稳定性。公司2025年1月搭载国内主流原厂2xnm DRAM晶圆，量产了第一代DDR4模组产品，DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，广泛应用于智能电视、安防监控、网通设备和工业控制等领域，后续将为公司业务带来新的增量。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NOR FLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力。同时加大MCU产品出货量，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升公司产品市场份额。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NAND Flash、eMMC芯片及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nm NOR Flash制程和55nm eFlash MCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2025年上半年公司的研发费用为4,283.05万元，占营业收入比例为24.58%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONG LU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、质量管控深度赋能公司发展
　　公司一直致力于强化质量管理、服务客户、提升客户满意度。上半年公司已通过ISO9001:2015和OC080000:2017体系认证，进一步完善公司质量管理架构，并通过专业工具的培训进一步提高员工能力，从而提升产品竞争力。公司始终关注于持续改进，不断优化内部管理流程，尤其是不断提高晶圆制造和封装测试的质量监控能力与标准，确保产品始终具备很强的市场竞争力。公司聚焦未来，持续推进NOR Flash产品和MCU产品车规级AEC-Q100标准测试认证，为公司扩展车规高端市场奠定坚实基础。同时公司始终坚持以顾客为导向的理念，以顾客的需求作为内在驱动力，确保交付的产品符合客户期望。通过以上措施，能力建设和流程建设同向发力为公司高质量发展保驾护航。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NOR Flash有关核心技术
　　公司NOR Flash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠
　　性四大领域进行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NOR Flash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clock gating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NOR Flash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
　　通过以上技术创新，公司NOR Flash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.高频高精度低功耗片内振荡器设计
　　MCU片内不同模块对时钟精度有着不同的需求，使用片内的高频高精度振荡器HIRC96M，在工业温度范围内可达到2%的频率精度，配合片内自校准技术在一定应用范围内可以取代晶振加PLL的时钟组合，达到减低芯片成本，同时降低芯片功耗，增加运行效率的作用。
　　b.宽电源电压工作范围的模拟设计技术
　　MCU中的模拟IP都实现了在宽电源电压范围内（1.8V~5.5V）可正常工作，拓宽了MCU产品的应用范围，增加使用便利性的同时也一定程度上减低了用户系统级设计成本。
　　c.时钟异常监测以及快速切换技术
　　MCU使用外部晶振工作时，存在晶振意外停止的情况，此种情况下可能存在锁死通信网络，以及电机控制失控等情况，为提升MCU的可靠性，业界通用做法是检测到外部晶振时钟异常的时候，切换到内部时钟，从而为软件处理提供可能性以及所需的时间，但既有的时钟安全系统需要在设定的计数值溢出后才可以检测到时钟停止，且需要其他时钟源作为辅助时钟，通常需要数十个外部晶振时钟周期。对于电机等高响应速度的应用，我们新设计了更高速的时钟安全监测切换电路，新的时钟安全监测切换电路，针对外部晶振的意外停止，首先不需要其他时钟源辅助，其次可以做到4~5个外部晶振周期就可以检测出晶振的停止并完成切换，从而可以快速关断电机驱动或者复位芯片，进一步提高可靠性。
　　d.内部振荡器自动校准功能
　　MCU芯片内部振荡器需要经过校准测试后才能出厂使用，为进一步降低测试成本，设计了自动校准电路，该校准电路有几个重要特性，①校准源可灵活选择，如使用外部晶振，外部时钟输入，或者外部指定宽度的信号输入，②电路可以选择二分法或者指定校准点/间隔，兼顾了测试初期和量产时的测试时间，③自动完成内部振荡器的校准以及校准参数的保存，从而减少量产测试时间。
　　e.电机控制算法技术
　　电机控制专用MCU是未来MCU市场重要的细分领域之一，公司高度重视电机控制市场的技术创新与研发投入，积极组建专业团队，致力于攻克行业技术难题，提升公司产品核心竞争力。
　　公司电机方案团队在电机控制技术领域取得了一系列显著成果，特别是在FOC（磁场定向控制）算法能力方面取得了一系列突破。包括：高速电机控制技术、直接闭环启动技术、堵转不失速快速启动技术、高频注入检测初始位置技术、电机参数辨识技术等。这些技术点的突破，不仅提升了公司产品的性能和竞争力，也为公司未来的业务拓展和市场份额的提升奠定了坚实的基础。在未来的研发工作中，公司将继续加大对电机控制技术的研发投入，不断优化现有技术，探索新的技术方向，为客户提供更优质、更高效的电机控制解决方案。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于Nor Flash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频预处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、低功耗人声活动检测(VAD)和低功耗FFT等，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.开发者友好的软硬件协同技术
　　为了提高对于第三方算法的适配，避免芯片只能运行有限的固化算法，公司针对存算芯片设计了一套自研的存算指令集架构，存算芯片能够根据编译完成的程序指令完成多样化的算子计算和数据流控制。同时，公司还基于指令集构建了对常用AI算子的支持，允许开发者进行多样化、自定义的模型部署和使用。后续公司还将继续优化，以期提供更好的SDK和开发生态。
　　d.系统级开发技术
　　综合CiNOR或者数字存算的AI加速模块，构建以神经网络为代表的AI算法的完整计算系统。最大化地利用整个系统的计算资源和存储资源，以完成更高效的AI推理任务。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。目前已具备4bit,8bit,16bit及混合精度的模型设计能力。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大化发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.TinyML的鲁棒性增强技术
　　在数据预处理、结果后处理等阶段，通过合适的数据清洗、数据增强、路径优化等方法，结合传统的信号处理技术，提升模型在外部干扰和复杂环境下的准确度、一致性和鲁棒性。公司同时也在构建多维度的语音算法能力，全方位提高TinyML方案在多样化场景中的性能和竞争力。目前公司的TinyML音频算法可在风噪、振动、混响、回声等强干扰环境下稳定运行。
　　c.TinyML的端侧部署技术
　　公司从应用出发，结合算法逻辑，对算子进行重新整合和优化，减少推理过程中不必要的算力浪费和资源占用，以期最大程度地发挥出端侧设备和算法的性能。已具备将PyTorch的算法模型高效地部署在Cortex-M系列、Cortex-A系列和RISC系列等MCU及其配套协处理器（如DSP、GPU和NPU等）的开发能力，涉及多种语音、视觉和时序信号应用。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.TinyML的商业化技术
　　对具体场景的应用需求、痛点、人机交互等因素进行分析，对算法逻辑进行优化，综合调控AI功能的识别率、误报率等性能。提供包括关键词识别、声纹识别、语音降噪、人声行为检测、音乐人声分离、离在线一体等一整套语音解决方案，为智能家居、智能玩具、智能监护等领域提供所需要的完善方案。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得3项发明专利，取得6项集成电路布图设计，新提交2项发明专利申请。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。

　　五、风险因素
　　（一）业绩波动风险
　　报告期内公司实现营业收入17,427.51万元，同比减少1.79%；实现归属于上市公司股东的净利润-7,078.24万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-7,725.94万元。2025年上半年市场竞争激烈，公司维持原有市场销售政策，以出货量和市场份额为关键，公司主要产品的销售价格仍然处于较低水平，毛利率相较于去年同期下滑，同时公司基于谨慎性原则，在充分考虑期末存货的售价和适销性的基础上，报告期内计提存货跌价准备3,329.94万元，综合因素导致业绩亏损。若未来公司主要产品的销售单价和毛利率受行业波动和市场竞争等因素影响进一步下滑，则公司业绩存在继续下滑的风险。
　　（二）核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NOR Flash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NOR Flash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M3、M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabless模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的主营产品为NOR Flash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NOR Flash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NOR Flash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　（三）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabless经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为82.21%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabless经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　（四）财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　2025年上半年度公司产品所处行业市场竞争激烈，为加大出货量和占据市场份额，公司主要产品平均销售单价较去年同期均出现下滑，导致公司2025上半年综合毛利率水平仍然处于较低水平，2025年上半年公司综合毛利率为12.31%。公司主要产品NOR Flash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为33,360.38万元，占期末流动资产的比例为24.93%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为8,894.59万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　3、应收账款回收风险
　　报告期期末，公司应收账款账面价值为14,444.49万元，占流动资产的比例为10.79%。应收账款余额占当期营业收入的比例为84.68%。若下游客户财务状况出现不利变化或其他原因导致不能及时回款，公司可能存在应收账款无法回收的风险，进而对公司未来业绩造成不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。
　　（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
　　（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　（六）其他风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　报告期内公司实现营业总收入37,229.01万元，同比增长21.73%；实现归属于母公司所有者的净利润-16,099.89万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-17,856.33万元。影响经营业绩的主要因素：　　1、报告期内，公司以保持市场占有率为策略，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，营业收入同比增长。但由于公司所处行业竞争仍然激烈，主营产品全年综合销售价格和综合毛利率较去年同比略有下滑。　　2、报告期内，公司扩大销售团队，积极巩固原有市场份额，拓展新的产品市场。同时公司扩大研发团队，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　报告期内公司实现营业总收入37,229.01万元，同比增长21.73%；实现归属于母公司所有者的净利润-16,099.89万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-17,856.33万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，公司以保持市场占有率为策略，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，营业收入同比增长。但由于公司所处行业竞争仍然激烈，主营产品全年综合销售价格和综合毛利率较去年同比略有下滑。
　　2、报告期内，公司扩大销售团队，积极巩固原有市场份额，拓展新的产品市场。同时公司扩大研发团队，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平。
　　3、报告期内，公司加大销售力度，致力于在竞争激烈的市场环境中进一步扩大市场份额，加速库存去化，期末存货金额下降，计提的资产减值损失金额同比减少，但公司存货周转率仍然处于较低水平，基于谨慎原则对存货进行资产减值损失计提，对公司净利润仍有较大影响。
　　（一）高研发投入，持续丰富优化产品结构，提升核心竞争力
　　2024年，公司持续推进研发创新，继续维持对研发的高投入，报告期内公司研发费用10,123.45万元，研发费用占营业收入比例为27.19%。
　　公司的NORFash产品向着大容量，高性能，低成本，低功耗的目标迈进，全力推进50nm4Mbit、8Mbit、16Mbit、64Mbit多个新产品的流片及量产工作，并实现关键客户的设计成功，实现了从2Mbit至256Mbit，全电压、全容量产品的量产。
　　公司注重在高可靠性、高性能NORFash产品的研发布局，2024年已完成大容量512Mbit带ECC纠错产品前端设计。同时为提升公司在小容量市场的竞争力，公司布局基于新的工艺架构，即NORD架构4Mbit产品的研发，截至2024年底已完成NORD4Mbit极低成本产品的电路及版图设计，公司力争在小容量合封市场实现较大突破。
　　MCU芯片领域，公司对原有产品系列持续更新迭代，此外公司对MCU市场进行了全面深入的分析，结合当前技术发展趋势和市场需求，确立了在低功耗MCU技术优势的基础上，进一步布局电机控制MCU的研发方向。同时,公司已完成MCU研发和电机算法人员的战略布局，组建了专业的MCU研发团队和电机控制算法团队，为技术创新和产品迭代提供有力支撑。
　　AI存算推理芯片领域，2024年度同时推进了在研的CiNOR和SRAM数字存算项目。对CiNOR恒芯2号芯片进行了测试，验证了在大规模计算场景下，CiNORV2的一致性、计算精度和可靠性等方面性能。此外与中国科学技术大学开展的数字存算深入合作取得了阶段性的进展：设计和验证了基于SRAM数字存算高能效比IP，有望助力公司低功耗智能语音芯片的落地，同时也为未来数模混合存算芯片开发打下了基础。
　　TinyMLAI软件开发领域，在语音识别算法方面进行了3次大版本迭代，在一些细分领域赶超了竞品；语音声纹算法进行了2次大版本迭代，扩大了与竞品的领先优势，性能基本达到了首批合作客户的产品化要求；语音降噪算法从单麦降噪拓展到双麦和多麦降噪，应用方面从通话录音延展到扩音防啸叫、音乐人声分离等更多场景。同时，公司也在积极研发端+云相结合的设计方案，将终端设备接入云端LLM大模型。
　　（二）新旧业务双轮驱动助力公司营收增长
　　NORFash市场，公司实现50nm多个容量产品的量产，覆盖工业控制、消费电子、通信等核心应用场景，在市场竞争激烈，价格内卷等多重压力下，公司通过提高电子烟，智能穿戴，智能家居，安防监控等重点市场的市占率，实现全年出货量同比增长55.76%。
　　公司MCU产品线在市场竞争压力和公司库存压力的双重考验下，实现出货量同比增加110.99%，逐步降低库存压力，但由于产品价格下滑等因素，营收同比下滑。公司持续优化低功耗M0系列，加速库存去化，深入挖掘特定市场领域，与客户合作开发针对HDMI、四轴飞行器、科学计算器、无线充电、TFT显示设备、工业表计等特定应用的定制MCU应用方案，持续扩大客户群体，提升市场份额。
　　公司的嵌入式存储产品线业务实现新突破，构建了全容量覆盖的非易失性利基型存储产品系列。新业务的发展实现中等容量存储解决方案的创新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。利基型NANDFash产品搭载国际主流24nmNANDFash原厂晶圆，产品容量范围覆盖从1Gb～4Gb，32Gb～64Gb，全系列产品都内置ECC，最高可实现8bit/512Byte的纠错能力。产品可提供多种产品类型SPINAND、SDNAND和PPINAND。SPINAND和SDNAND外搭一颗控制器，通过强大的固件算法。产品能够满足消费电子、通信和工业控制等多个细分市场的应用需求，为客户提供多样化的高性能、高可靠性存储产品选项。嵌入式存储产品基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，产品容量范围覆盖从8GB、32GB～256GB，最大顺序读取速度达310MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时支持自动后台/自动节能等操作，减少设备延迟，降低设备功耗。产品将专注于服务于消费电子、通信等关键细分市场，为智能电视、网通设备以及其他智能AIoT设备提供高性能、大容量的存储解决方案。
　　AI产品商业化方面，实现年度营业收入1,325.45万元。在3C夜灯市场成为主要供应商，在照明灯控市场实现了头部客户的批量出货，在玩具市场的头部客户实现了批量出货。同时在本年度布局了家电市场和降噪市场的产品开发。
　　（三）聚焦质量管控，完善供应与流程管理，赋能项目发展
　　公司采用的是Fabess经营模式，供应商的质量管控及工艺稳定性对公司产品质量有直接影响，2024年公司持续加强供应商质量管理，定期追踪晶圆和封测制造供应商工艺过程参数及产品电性监测关键参数并推动持续改善机制，进一步提高产品晶圆制造过程、封装和测试过程的一致性及稳定性；明确供应商质量管理要求，制定供应商质量协议并与相关供应商陆续完成协议签署，确保产品品质符合市场及客户要求。
　　2024年度，公司成功通过了ISO9001:2015体系年度审核，确保公司及公司主要供应商在质量管理方面符合ISO9001:2015质量管理体系的要求。流程化系统化建设对公司的长期发展至关重要，2024年公司对流程进行全面梳理，查漏补缺，并引进OA管理系统及DMS文控管理系统，推进相关流程系统化，提高公司质量管理效率。
　　在项目管理方面，公司持续完善项目管理要求，并将相关流程制度化，对项目各项指标进行监控，及时发现项目中的风险并组织相关人员进行处理；建立项目管理系统，追踪项目阶段进展，推进项目任务，保证项目的有序展开。
　　（四）多途径开展投资者活动，强回购守护市场价值
　　公司高度重视投资者，并积极维护与投资者的良好关系。一方面通过日常的参加策略会、进行一对一反路演、现场接待投资者等方式为机构投资者、个人投资者及时传递公司最新的经营信息，为投资者答疑解惑，准确传递公司价值。另一方面，公司2024年发布上市后第一次的股份回购计划，使用不低于人民币3,000万元（含），不超过人民币6,000万元（含）自有资金、自筹资金回购公司股份，回购价格不超过人民币52.51元/股（含）,通过集中竞价方式回购公司股票，积极维护公司股价和广大投资者的利益。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括NORFash存储芯片、基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、AI芯片业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）和嵌入式存储产品业务（利基型NANDFash和eMMC芯片产品）。
　　2、主要产品
　　（1）NORFash存储芯片
　　公司NORFash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。自主研发的NORFash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐。
　　①技术工艺：公司的NORFash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（FoatingGate工艺，也称为ETOX工艺）。这种基于ETOX的NORFash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司在2024年开展NORD架构相关产品研发，力争保持产品及技术领先。
　　②制程技术：目前销售的主要NORFash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程技术。除部分特殊应用领域产品保留65nm工艺节点，其他全系NORFash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以提高产品性能和生产效率。
　　③容量选择：能够提供从1Mb到256Mb的NORFash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
　　④工作电压：公司NORFash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
　　⑤性能参数：公司的NORFash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPIDuaMode）和四线（SPIQuadMode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
　　⑥车规认证：部分NORFash产品已通过AECQ-100的标准认证，公司致力于未来实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
　　综上所述，公司的NORFash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。
　　（2）MCU芯片
　　公司目前销售的M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片共包含超过30种型号。这些芯片采用55nm超低功耗嵌入式闪存技术制造，具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流、丰富的集成外设以及高性价比等特点。这些系列产品集成了高精度模数转换器（ADC）、实时时钟（RTC）、比较器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模拟和数字外设。它们同时支持两种低功耗工作模式：休眠模式和深度休眠模式，后者允许在3μs内快速唤醒。整个系统的动态功耗低于100μA/MHz，而深度休眠模式下的功耗则低于1μA。
　　目前，公司已基本完成通用MCU低功耗产品线的布局，产品覆盖了从20PIN-48PIN的多种应用场景，使得客户在选择基于M0+核心的MCU时拥有更全面的选项。
　　（3）AI业务
　　公司AI业务产品主要包括通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡。
　　AISoC芯片，采用RISC内核，功能强大，适配性强，性价比高，已经开始批量出货。
　　AI算法软件，包括TinyML视频分割算法、TinyML视觉识别算法、TinyML语音识别算法、TinyML语音声纹算法和TinyML语音降噪算法5大类别，具有模型精简、占用硬件资源少、能耗低的优势，广泛部署到通用MCU/DSP硬件上运行。
　　AI模组板卡，融合了芯片、算法产品以及软件部署技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RISC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体AI模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。
　　（4）嵌入式存储产品业务
　　a.SPINAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controer，内置ECC纠错算法，ECC纠错能力可达8b/512B，比传统singedie方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。
　　b.SDNAND
　　采用主流24nm原厂晶圆搭载一颗SD接口controer，提供定制化Firmware，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TFcard产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。
　　c.PPINAND
　　采用24nm原厂晶圆内置ECCEngine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，以满足客户的不同封装需求。
　　d.eMMC产品
　　随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求。基于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
　　(二)主要经营模式
　　自成立以来，公司的经营模式一直为Fabess模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabess经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
　　1、盈利模式
　　公司是一家采用Fabess模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NORFash和MCU等芯片产品获取业务收入从而实现盈利。
　　2、研发模式
　　公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的缺陷，在产品设计上进行弥补。
　　3、采购和生产模式
　　公司的经营模式为Fabess模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等均通过委外方式实现。
　　公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
　　4、销售模式
　　公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。公司根据芯片的市场价格与客户协商定价。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。
　　2025年，全球半导体市场预计将迎来显著增长。根据世界集成电路协会（WICA）的报告，2024年全球半导体市场规模达到6,351亿美元，同比增长19.8%，预计2025年将进一步增长至7,189亿美元，同比增长13.2%。这一增长主要得益于人工智能（AI）、数据中心、5G通信等新兴技术的快速发展，推动了对高性能芯片的需求。
　　存储器市场作为半导体行业的重要组成部分，2025年将迎来强劲复苏。2023年，受下游需求疲软、原厂库存等外界因素影响，存储器市场规模下降至896亿美元，但2024年大幅反弹至1,298亿美元，同比增长44.8%，尽管NORFash在整个存储市场中的占比相对较小，但从整个行业的周期性波动来看，2024年上半年已经有一波触底反弹的行情，下半年虽然有所下行，但是结合对供给、需求、库存和价格等多方面因素的综合分析，随着电子设备智能化浪潮的来临，存储器行业即将迎来新一轮的复苏周期。
　　当前端侧人工智能正处于落地打磨和技术融合阶段，其低延迟、隐私保护和多模态交互等特点使其在智能终端中具有广阔的应用前景，端侧AI市场正处于快速发展的上升通道。根据CounterpointResearch数据显示，2023年全球端侧AI市场规模达120亿美元。在终端算力持续提升以及隐私需求日益凸显的双重驱动下，应用场景不断拓展，覆盖智能家居、工业制造等多个领域，其中AIoT市场的崛起尤为瞩目。展望未来，更多新老应用场景的蓬勃发展将持续为端侧AI市场注入活力。伴随技术的进步，端侧AI将在如智慧出行、远程办公、个人娱乐等场景中进一步深化应用，而AIoT市场的持续扩张也将成为端侧AI发展的重要助推器。根据IDC预测，到2025年，端侧AI市场规模将增至260亿美元，年复合增长率超30%。根据ABIResearch研究表明，到2030年，端侧AI在整体AI市场的占比有望从当前的15%提升至40%。未来，随着各行业对端侧AI技术的深度应用，尤其是AIoT市场带动的产业变革，还将带动边缘计算在相关领域释放更大市场活力，创造更多商业机遇，端侧AI市场前景十分广阔。然而，端侧AI仍面临模型优化、数据隐私保护和跨平台适配等技术门槛，需要行业共同努力以推动其进一步发展。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　（1）NORFash
　　公司在NORFash存储芯片领域取得了多项核心技术，并达到国内外主流水平，部分产品的技术指标达到了行业先进水平，具备与行业龙头厂商相竞争的技术实力。具体而言，在制程方面，公司基于核心技术开发的NORFash存储芯片已实现50nm、55nm量产，并在2024年开始进行首颗NORD架构产品的研发，与华邦、旺宏和兆易创新等行业龙头企业制程水平相当，技术水平达到行业先进水平。在功耗方面，通过与国内外主流厂商的竞品对比，公司部分产品型号在读写擦电流等方面表现优异，位于行业先进行列，具有低功耗优势。从成本上，公司通过持续研发创新，更新迭代原有ETOX架构产品，布局新NORD架构产品，并从代工、封测等多个环节持续优化成本。在其他方面，目前SPINORFash主流的工作频率为133MHz，数据存储时间20年、擦写次数10万次，温度范围-40℃～125℃等。公司的NORFash存储芯片在上述等参数方面与行业主流水平保持一致。
　　公司NORFash在保持与原有客户的密切合作的基础上，扩大传统优势市场的占有率，并积极开发新市场。在工业PC、工业显示、扫地机器人、户外安防等领域已实现量产销售，未来这些新领域市场为公司未来业绩增长贡献增量。
　　（2）MCU
　　当前中国MCU市场呈现“国际巨头主导高端，国产厂商加速追赶”的竞争态势。国际厂商如意法半导体（ST）、恩智浦（NXP）、瑞萨电子（Renesas）等凭借技术积累和品牌优势，长期占据高端汽车电子、工业控制等领域的核心份额，国际六大厂商合计市占率超80%，尤其在车规级MCU领域，国产替代率仍然处在较低水平。
　　国内企业以兆易创新、中颖电子等公司为代表，通过技术突破和性价比优势，在消费电子、智能家居等市场占据一席之地。此外，国产厂商通过并购和生态合作等方式，逐步构建技术壁垒和产业链协同能力。随着汽车电子、工业自动化等领域对高性能、高可靠性带来了MCU需求激增，但国产厂商仍面临车规认证周期长、工艺稳定性等挑战。
　　公司MCU业务规模正处于快速发展阶段，面临着激烈的竞争局面，但随着升级迭代的M0+产品更多系列产品和在研的更高阶MCU系列产品的陆续推出市场，公司加大在家电、工业控制、汽车电子等领域的拓展，MCU有望得到进一步的发展。
　　（3）AI业务
　　公司AI业务围绕端侧AI智能体应用方向，产品布局包含AI硬件芯片、AI软件算法、AI模组模块以及AI端侧解决方案，其中AI算法和AI模组已经批量化商业落地，并且在一些细分市场例如3C语音夜灯市场成为市场主要供应商，在照明灯控市场和玩具市场开始批量出货。整体技术能力快速接近行业头部供应商，产品性能在已开拓市场追平或者超越了竞品，市场开拓范围快速扩大，涵盖了3C夜灯、照明灯控、家电、玩具、穿戴、降噪等。公司的AI产品客户群持续扩大，出货量及营收较2023年有快速提升，AI技术能力也获得了合作伙伴和客户的广泛认可，AI生态圈快速扩大。随着公司在AI领域的持续投入，公司的AI能力在快速增长，产品品类不断丰富、产品性能不断提升，品牌覆盖度显著增广。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）NORFash
　　在新技术领域，NORFash目前主要采用ETOX、SONOS、NORD三种架构。ETOX架构因其广泛量产和成熟的技术，以及拥有完全自主知识产权，成为市场上的主流选择。而SONOS架
　　构虽然在小容量产品上具有优势，但往往需要依赖国外厂商的授权。NORD结构具有高的编程效率和快的擦除速度，可避免"过擦除"等优点，同时拥有优异的数据保持能力和耐久力，以及低的读写擦功耗。近年由于上游晶圆厂端的力推和在小容量产品上的成本优势，成为部分厂商的新选择。目前，ETOX架构的主流制程已从65nm过渡到5Xnm，并且主要NORFash厂商基于5xnm工艺的产品已开始批量上市，预计未来将逐步替代65nm工艺的产品。部分行业领先的厂商正在开发4xnm节点的制程技术，尽管大规模量产尚需时日。NORD架构产品从90nm工艺节点，向65nm，55nm工艺节点演进。为了满足下游市场的需求，NORFash技术正朝着低功耗、低电压、高性能和大容量的方向发展。
　　在新兴产业方面，NORFash市场的增长不仅得益于传统市场的升级迭代需求，还因为可穿戴设备（如TWS耳机、AI耳机、智能眼镜、智能手环、智能手表）、AMOLED智能手机屏幕、5G基站、物联网、新能源汽车（特别是智能驾驶系统）以及智能手持设备等新兴应用的快速增长。国内企业凭借高性价比和市场机遇进入市场，并通过不断升级产品容量和工艺制程，形成了各自的竞争优势，并逐步在市场中实现替代。然而，由于国内厂商主要集中在消费电子领域，而该市场的波动性较大，因此头部厂商正积极调整产品结构，增加对中大容量产品的研发投入，并布局工业控制、汽车电子和服务器等高附加值且需求稳定的终端应用市场，以扩大市场份额。
　　随着国内厂商在资金和技术方面的积累，预计未来将通过优化芯片设计、升级制程技术和提高生产工艺效率等手段，实现价格和成本的双重优势，并逐步从低中容量市场向中高容量市场转型。同时，随着汽车智能化和AI技术的快速发展，车规级NORFash和AI服务器的需求正迅速增长。因此，推动车载产品完成AEC-Q100标准测试认证，并进入汽车电子市场及AI服务器市场，将成为NORFash厂商的重要战略方向。
　　（2）MCU
　　在新技术领域，嵌入式闪存（eFash）工艺是MCU制造的关键技术之一。目前，基于M0+的通用MCU普遍采用110nm和90nm的eFash工艺制程，而部分先进厂商已经开始使用55nm工艺。对于性能要求更高的中高端MCU（如M3/M4/M7），5xnm和4xnm的eFash工艺制程已成为标准。公司采用了武汉新芯的55nm先进eFash工艺，这不仅有效降低了功耗和芯片面积，还实现了成本的优化。
　　在新兴产业方面，消费类例如电子烟的形态变更，对MCU性能有更高的诉求，智能家居类产品对功耗，联网方面的诉求也与日俱增。
　　在新业态方面,直流无刷电机的发展对智能控制的要求增加，对芯片定制化设计和算法有较高要求，公司于2024年下半年也开始布局电机MCU产品的研发，同时未来随着人形机器人和四足机器人应用的发展，布局电机控制符合未来发展。
　　（3）AI业务
　　端侧AI的崛起，端侧AI技术通过将计算能力直接部署在终端设备上，实现了低延迟、高隐私保护和分布式计算的优势。云侧AI的深化，大模型应用将从云端向终端设备延伸，一方面，大模型能力逐渐部署在云端，云侧AI通过大规模数据中心和云计算平台，提供强大的计算能力和数据处理能力，云计算业务加速向MaaS（ModeasaService）转型，另一方面，大模型应用正以智能体(AIAgent)的主流形式赋能终端设备。通过端侧预处理和云端深度学习的结合，AI系统能够更好地处理复杂任务，同时保护用户隐私。端云协同的加速，成为AI技术的重要发展方向。
　　AI终端设备产业因端侧AI在手机、PC、智能穿戴、家居、汽车和工业设备等领域的广泛应用而快速发展，AI基础设施建设产业则受益于全球对AI基础设施建设的持续投入，带动服务器、芯片等相关产业前行。
　　人工智能技术，特别是端云协同的AI技术，正在快速推动各行业的智能化转型。端侧AI的崛起、多模态融合的爆发以及AI智能体的广泛应用将成为未来几年的主要趋势。同时，AI技术将催生新的产业赛道、业态和商业模式，为全球经济和社会发展注入新的动力。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）NORFash有关核心技术
　　a.高安全性设计
　　该技术通过将主控加密引擎与NORFash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采用Inte通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit各种工作电压存储芯片，为用户提供了更广泛的选择空间。
　　b.低功耗设计
　　通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用cockgating技术减少动态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
　　c.高速高性能设计
　　通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能。
　　d.高可靠性设计
　　针对极端温度环境对NORFash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。通过以上技术创新，公司NORFash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够满足多种应用场景的严苛需求。
　　（2）MCU相关核心技术
　　a.高频高精度低功耗片内振荡器设计
　　MCU片内不同模块对时钟精度有着不同的需求，使用片内的高频高精度振荡器HIRC96M，在工业温度范围内可达到2%的频率精度，配合片内自校准技术在一定应用范围内可以取代晶振加PLL的时钟组合，达到减低芯片成本，同时降低芯片功耗，增加运行效率的作用。
　　b.宽电源电压工作范围的模拟设计技术
　　MCU中的模拟IP都实现了在宽电源电压范围内（1.8V~5.5V）可正常工作，拓宽了MCU产品的应用范围，增加使用便利性的同时也一定程度上减低了用户系统级设计成本。
　　c.时钟异常监测以及快速切换技术
　　MCU使用外部晶振的工作时，存在晶振意外停止的情况，此种情况下可能存在锁死通信网络，以及电机控制失控等情况，为提升MCU的可靠性，业界通用做法是检测到外部晶振时钟异常的时候，切换到内部时钟，从而为软件处理提供可能性以及所需的时间，但既有的时钟安全系统需要在设定的计数值溢出后才可以检测到时钟停止，且需要其他时钟源作为辅助时钟，通常需要数十个外部晶振时钟周期。对于电机等高响应速度的应用，我们新设计了更高速的时钟安全监测切换电路，新的时钟安全监测切换电路，针对外部晶振的意外停止，首先不需要其他时钟源辅助，其次可以做到4~5个外部晶振周期就可以检测出晶振的停止并完成切换，从而可以快速关断电机驱动或者复位芯片，进一步提高可靠性。
　　d.内部振荡器自动校准功能
　　MCU芯片内部振荡器需要经过校准测试后才能出厂使用，为进一步降低测试成本，设计了自动校准电路，该校准电路有几个重要特性，①校准源可灵活选择，如使用外部晶振，外部时钟输入，或者外部指定宽度的信号输入，②电路可以选择二分法或者指定校准点/间隔，兼顾了测试初期和量产时的测试时间，③自动完成内部振荡器的校准以及校准参数的保存，从而减少量产测试时间。
　　e.电机控制算法技术
　　电机控制专用MCU是未来MCU市场重要的细分领域之一，公司高度重视电机控制市场的技术创新与研发投入，积极组建专业团队，致力于攻克行业技术难题，提升公司产品核心竞争力。公司电机方案团队在电机控制技术领域取得了一系列显著成果，特别是在FOC（磁场定向控制）算法能力方面取得了一系列突破。包括：高速电机控制技术、直接闭环启动技术、堵转不失速快速启动技术、高频注入检测初始位置技术、电机参数辨识技术等。这些技术点的突破，不仅提升了公司产品的性能和竞争力，也为公司未来的业务拓展和市场份额的提升奠定了坚实的基础。在未来的研发工作中，公司将继续加大对电机控制技术的研发投入，不断优化现有技术，探索新的技术方向，为客户提供更优质、更高效的电机控制解决方案。
　　（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
　　从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术作为有别于传统冯-诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理和端侧AI的绝佳载体。
　　a.低功耗存算一体推理技术
　　公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功耗和芯片面积。目前公司具备基于NorFash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
　　b.低功耗音频预处理技术
　　公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、低功耗人声活动检测(VAD)和低功耗FFT等，搭配存算一体的计算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
　　c.软硬件协同设计技术
　　结合存算一体阵列的计算特性和芯片规格，有针对性地优化AI算法结构，使得存算芯片和算法模型之间的匹配度更高。从工程学角度，同步约束芯片硬件规格与模型软件架构，最大化发挥硬件的资源利用率和软件的算法性能，避免出现互相掣肘的跛脚方案。
　　d.系统级三维集成互连技术
　　利用三维堆叠技术将存算一体芯片的不同电路模块分别使用最合适工艺制程流片，通过3D晶圆级连接组合在一起形成单颗完整功能的芯片，突破了现有工艺的瓶颈，提高产品的开发效率、同时发挥各模块的特性、实现高性能并减小芯片面积。
　　e.系统级开发技术
　　综合CiNOR或者数字存算的AI加速模块，构建以神经网络为代表的AI算法的完整计算系统。最大化地利用整个系统的计算资源和存储资源，以完成更高效的AI推理任务。
　　（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
　　a.TinyML的轻量化模型设计技术
　　基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至更高的模型准确度。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一致，最大化减少部署中的性能损失。
　　b.TinyML的模型调优技术
　　在数据预处理、结果后处理等阶段，通过合适的数据清洗、数据增强、路径优化等方法，结合传统的信号处理技术，进一步提升模型在不同应用上的性能表现。该技术能够为轻量化的模型设计带来额外的探索空间和性能提升，有效提升算法的竞争力。
　　c.TinyML的端侧部署技术
　　公司从应用出发，结合算法逻辑，对算子进行重新整合和优化，减少推理过程中不必要的算力浪费和资源占用，以期最大程度地发挥出端侧设备和算法的性能。已具备将PyTorch的算法模型高效地部署在Cortex-M系列、Cortex-A系列和RISC系列等MCU及其配套协处理器（如DSP、GPU和NPU等）的开发能力，涉及多种语音、视觉和时序信号应用。
　　d.自动化测试技术
　　在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
　　e.TinyML的商业化技术
　　对具体场景的应用需求、痛点、人机交互等因素进行分析，对算法逻辑进行优化，综合调控AI功能的识别率、误报率等性能。将demo真正变成能落地的商用AI应用方案。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司取得8项发明专利，新提交20项发明专利申请，新提交6项集成电路布图设计申请。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、坚定“存储+控制+AI”一体化战略规划
　　公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NORFLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力。同时加大MCU产品出货量，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的应用场景和客户，提升公司产品市场份额。同步公司布局嵌入式存储产品线市场，利基型NANDFash和嵌入式存储eMMC芯片业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
　　公司积极部署端侧AI业务，一方面在研的基于SRAM的存算一体AI芯片取得阶段性进展，设计和验证了基于SRAM数字存算高能效比IP，将继续推进第一颗芯片的流片工作。另一方面结合公司自身的芯片技术能力和生态优势，探索TinyML为代表的AI软件开发领域，公司已在语音识别算法上完成多次迭代，并在一些细分领域超越竞品。凭借公司领先的TinyML模型算法能力和AI软硬件融合能力，公司产品市占率正在快速增长。
　　2、供应链深度协作
　　公司采用Fabess经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nmNORFash制程和55nmeFashMCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
　　3、技术研发与创新
　　持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展我们的自主知识产权组合。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2024年公司的研发费用为10,123.45万元，占营业收入比例为27.19%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
　　4、经验丰富的人才团队
　　集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀人才。为此，我们在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONGLU博士拥有近30年的半导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
　　5、质量管控深度赋能公司发展
　　公司一直致力于强化质量管理体系与系统化运营能力。通过ISO9001:2015体系审核，公司构建了覆盖全流程的质量管控框架，尤其在供应商管理方面建立了严格的晶圆制造工艺监测机制和封装测试过程控制标准，确保产品在关键环节的一致性与稳定性。公司通过流程梳理，引进OA管理系统及DMS文控管理系统并深度应用，推进相关流程系统化，公司质量管理效率进一步提高。在产品质量提升方面，持续推进NORFash产品和MCU产品车规级AEC-Q100标准测试认证，为公司未来在车规高端市场奠定坚实基础。同时高度关注客户需求，将客户需求深度融入产品开发全周期的系统化管理体系，保障产品开发周期的优化与资源高效配置。这些举措共同形成了以质量为核心、以系统化为支撑的竞争壁垒，为公司的发展保驾护航。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润-16,099.89万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-17,856.33万元。2024年，公司所处行业竞争激烈，公司以保持市场占有率为策略，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，但公司主要产品的平均销售单价较去年同比下滑，毛利率水平较低，同时叠加存货跌价准备的计提、期间费用率较高等因素，导致业绩仍然亏损。公司经营业绩受到行业景气度、市场需求变化、激烈竞争的影响，存在周期性波动风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1、产品技术研发风险
　　NORFash芯片和MCU芯片的研发具有技术含量高、研发周期长及资金投入大等特点。公司NORFash芯片从目前主流的65nm制程工艺向50nm以及4xnm发展，MCU芯片从目前基于M0+内核向基于M3、M4更高性能发展，由于芯片的研发存在偏离市场需求、研发进度未达到预期、关键指标不达标、流片失败无法量产、市场推广进程受阻等风险，公司产品研发成功并实现产业化以及新产品获取市场认可具有不确定性。因此，公司面临新产品技术研发失败的风险，从而导致公司前期研发投入难以收回，同时也会对公司的市场竞争力和正常经营活动的开展产生不利影响。
　　2、技术泄密风险
　　公司所处的集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点。经过多年的技术创新和研发积累，公司自主研发了一系列核心技术，这些核心技术对设计企业发展和市场竞争力的提升具有关键性作用。虽然公司通过申请专利、计算机软件著作权、集成电路布图设计等方式对核心技术进行有效保护，并与核心技术人员签署了保密协议及竞业限制协议，约定了严格的保密和竞业禁止条款，但是公司有多项核心技术属于非专利技术且有多项产品和技术正处于研发阶段，公司Fabess模式也需向晶圆代工厂提供相关芯片版图，不排除存在核心技术泄密或被他人盗用的风险。如前述情况发生将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司竞争力产生不利影响。
　　3、市场竞争加剧的风险
　　公司目前的营收主要贡献来源于NORFash芯片和MCU芯片，二者所在行业均面临着较高的行业集中度以及较为激烈的竞争格局。随着下游市场需求的快速增长，华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯、美光等NORFash领域的龙头企业，以及瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法半导体、微芯科技等MCU领域的龙头企业，凭借技术和资金实力，不断拓展市场，提升其品牌知名度和市场地位。与前述厂商相比，公司整体规模偏小，在产能保障、研发投入和技术储备、产品品种数量、盈利能力及抗风险能力等方面均有一定差距。公司与行业龙头在产品布局上存在较大差距，在汽车电子、工业类市场尚未形成竞争力。近年来，随着NORFash芯片和MCU芯片下游应用市场需求的快速增长、集成电路国产替代进程加速以及国家大力发展集成电路产业，公司所处行业的国内新进入企业数量不断增加，会使公司面临更加严峻的市场竞争，公司产品可能会被竞品替代，进而导致公司存在市场份额和利润空间下降的风险。
　　4、产品质量风险
　　产品质量是保证公司强竞争力的基础。芯片产品具有高度复杂性，产品质量受到设计、晶圆生产、封装过程、测试过程等多方面因素影响，若公司产品出现质量问题或未能满足客户对质量的要求，公司可能会承担相应的退货或赔偿责任，对公司经营业绩、财务状况造成负面影响；同时，公司产品质量是公司保持良好客户关系和市场地位的重要保障，产品质量问题可能会对公司的品牌形象、客户关系造成不利影响，进而影响公司业务经营与发展。
　　5、核心技术人员流失或不足的风险
　　集成电路设计行业对高质量、高层次的核心技术人员依赖度较高，研发经验丰富和稳定的核心技术团队是公司生存和发展的基础。随着芯片市场的需求扩大，集成电路设计行业对高端技术人才的需求也不断增加，人才的竞争日趋激烈。虽然公司采取了股权激励等一系列稳定和吸引核心技术人才的措施，但若未来公司核心技术人才大规模流失，或者随着公司规模的逐渐扩大，未能引进足够的专业技术人才，将对公司的产品开发、生产经营和市场竞争产生不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司采用Fabess经营模式，供应商包括晶圆代工厂、晶圆测试厂、芯片封测厂等。基于行业特点，符合公司技术及代工要求的供应商数量较少，报告期内向前五名供应商合计采购金额占比为83.56%，占比较高。由于集成电路领域的专业化分工和技术门槛高，如果公司不能与主要供应商保持良好的合作关系，短时间内难以更换至合适的新供应商。此外，未来若主要供应商经营发生不利变化，芯片上游行业产能紧张局面进一步加剧，主要供应商自身产能建设滞后，导致公司产能供应不足或受限，将对公司生产经营产生不利影响。
　　2、产业链上下游波动风险
　　在Fabess经营模式下，产业链上游晶圆代工厂生产所需的硅晶片和其他关键原材料需要对外采购并依赖进口。未来，若受上游原材料价格上涨、晶圆代工厂产能紧张加剧等因素影响，导致公司原材料价格、委外加工费用攀升，将对公司产品成本控制和毛利率造成不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动风险
　　2024年度公司产品所处行业市场竞争激烈，为加大出货量和占据市场份额，公司主要产品平均销售单价较去年同期均出现下滑，导致公司2024年综合毛利率水平仍然处于较低水平，2024年公司综合毛利率为13.20%。公司主要产品NORFash存储芯片及MCU芯片属于通用产品，毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化，如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等，将导致公司毛利率下降，从而影响公司的盈利能力及经营业绩。
　　2、期末存货规模较大及跌价风险
　　报告期末公司存货账面价值为27,030.76万元，占期末流动资产的比例为19.39%，公司存货主要由委托加工物资及库存商品构成。公司根据下游需求及合理备货保证产品供应。公司根据存货的可变现净值低于成本的金额计提存货跌价准备，报告期期末存货跌价准备余额为7,883.99万元，若未来市场竞争加剧或技术更新升级等导致现有市场供需格局变动、产品价格向下波动，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利水平产生不利影响。
　　3、应收账款回收风险
　　报告期期末，公司应收账款账面价值为15,550.48万元，占流动资产的比例为11.15%。应收账款余额占当期营业收入的比例为42.58%。若下游客户财务状况出现不利变化或其他原因导致不能及时回款，公司可能存在应收账款无法回收的风险，进而对公司未来业绩造成不利影响。
　　(六)行业风险
　　1、半导体行业周期波动风险
　　公司经营业绩和盈利能力的改善除得益于持续的研发投入和产品迭代升级外，受半导体行业景气度影响亦较大。2022年以来，受地缘政治变化、短期经济冲击及半导体行业周期波动等综合因素影响，下游需求减弱，进而影响公司的经营业绩和盈利水平。未来，若存储器行业市场的周期性下行趋势未得到改善，将会对公司营收规模及毛利率产生不利影响。公司经营业绩受半导体行业景气度影响较大，存在周期性波动的风险。
　　(七)宏观环境风险
　　1、税收优惠政策变化的风险
　　（1）根据安徽省科学技术厅、安徽省财政厅、国家税务总局安徽省税务局联合颁发的《关于公布安徽省2023年第二批高新技术企业认定名单的通知》（皖科企秘〔2024〕10号），本公司被认定为安徽省2023年度第二批高新技术企业，并获发《高新技术企业证书》（证书编号：GR202334006478），有效期3年。按照《企业所得税法》等相关法规规定，本公司自2023年1月1日至2025年12月31日三年内享受国家高新技术企业15%所得税税率。
　　（2）根据国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
　　（3）根据财政部、税务总局《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财政部税务总局公告2023年第7号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2023年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2023年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。
　　如果未来公司所享受的税收优惠政策发生较大的变化，将对公司未来业绩造成不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1、规模扩张导致的管理风险
　　公司目前处于快速发展期，随着募集资金项目的实施，公司的人员、资产、业务规模都将进一步扩张，公司在资源整合、公司治理、内部控制、管理模式等方面都将面临更高的要求。若公司不能及时提高管理能力、培养引进高素质管理人才，更好地适应公司进入新的发展阶段带来的变化，则可能降低公司经营效率，使公司面临管理风险。
　　2、募投项目实施风险
　　报告期内，公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，变更后公司募集资金主要投资于“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU芯片升级研发及产业化项目”、“面向端侧AI的低功耗软硬件推理系统研发项目”和“发展与科技储备项目”四个项目，投资总额为75,388.00万元。上述项目的实施将有助于公司现有产品的升级、出货量的增加和新产品的早日投产。虽然公司对募集资金投资项目进行了市场和技术方面的可行性分析论证，但在实施过程中，若出现产业政策变动、行业技术迭代超过预期、产品研发或者市场化推广失败，则公司存在募集资金投资项目无法达到预计实施进度和效果的风险。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内公司实现营业总收入37,229.01万元，同比增长21.73%；实现归属于母公司所有者的净利润-16,099.89万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-17,856.33万元。影响经营业绩的主要因素：
　　1、报告期内，公司以保持市场占有率为策略，加大销售力度，相较于去年同期产品出货量增加，营业收入同比增长。但由于公司所处行业竞争仍然激烈，主营产品全年综合销售价格和综合毛利率较去年同比略有下滑。
　　2、报告期内，公司扩大销售团队，积极巩固原有市场份额，拓展新的产品市场。同时公司扩大研发团队，持续进行研发投入和产品迭代，进一步丰富产品结构和新产品研发，公司期间费用率仍处在较高水平。
　　3、报告期内，公司加大销售力度，致力于在竞争激烈的市场环境中进一步扩大市场份额，加速库存去化，期末存货金额下降，计提的资产减值损失金额同比减少，但公司存货周转率仍然处于较低水平，基于谨慎原则对存货进行资产减值损失计提，对公司净利润仍有较大影响。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　请“第三节管理层讨论与分析”之“二（三）3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势”。
　　(二)公司发展战略
　　公司自成立以来，以市场需求为导向，以自主创新为驱动，坚持“产品领先”的发展战略，专注于存储芯片领域和MCU芯片。公司也在进行存算一体AI芯片的研发，向端侧AI业务发力。
　　未来公司深化核心业务发展，巩固“存储+控制+AI”一体化战略结构，通过对现有产品工艺进行持续升级、新产品研发和新的存储业务领域的开拓，持续保持产品性能优势，不断完善产品结构，强化公司竞争优势，提升市场份额、品牌形象和影响力，成为一家国内国际一流的集成电路设计企业，为客户提供高速、低功耗、高性价比及高可靠性的芯片产品和完整解决方案及服务，为终端客户创造价值。
　　(三)经营计划
　　（一）NORFash业务
　　NORFash产品作为公司主要营收贡献来源，面对激烈的市场竞争环境，公司采取"尖端制程+精准产品矩阵"双轮驱动战略，持续巩固行业领导地位。大容量产品方面，推进512Mbit大容量产品的流片量产，锚定智能汽车、5G通信及AI算力三大万亿级赛道，开展在ADAS自动驾驶、5G蜂窝通信、AI服务器等前沿市场的布局，同时开辟更多高价值量的客户群，为业绩带来新的增长点。中容量产品方面，加速推进5Xnm制程技术迭代升级，通过存储单元阵列优化与智能纠错算法的深度融合，进一步提升新一代中容量产品的数据吞吐率与可靠性，在电子烟智能控制、OLED柔性显示及智能手机影像系统等关键领域提升市场份额，通过芯片-系统级协同创新，逐步构建起覆盖消费电子全场景的生态链协同优势。小容量产品方面，公司聚焦物联网及可穿戴设备蓝海市场，通过最新工艺技术与超低功耗电路设计的突破性结合，配合对传统蓝牙合封市场的深度场景化开发，力争新产品在能效比与集成度上实现代际跨越，2025年即将量产NORD架构设计的小容量NORFash产品。
　　市场方面，公司将深化与消费电子头部厂商的合作，推动NORFash在智能手机、TWS耳机等领域的应用；加速车载NORFash产品的认证和导入，抓住汽车电子化趋势带来的市场机遇；拓展工业控制和物联网市场，满足智能电表、5G基站等领域对高可靠性存储的需求。
　　（二）MCU业务
　　2025年，公司将继续完善低功耗产品线，持续优化成本和功耗，推出具有竞争力的基于M0+内核的低功耗产品，继续扩大MCU生态建设，为新产品推广打下坚实的基础。此外公司也在进行第一颗电机控制芯片的研发，并深度融合公司在电机控制算法方面的突破性成果，如磁场定向控制（FOC）等先进技术，能够实现高精度、高效率的电机控制，为用户提供了从硬件到软件的全系统解决方案。同时我们将积极拓展大客户市场，深入挖掘高潜客户的需求，力争扩大通用MCU销售额并增强品牌影响力。同时借助电机MCU及算法和电机驱动方案获取利润，加强客户粘性，提升毛利率。
　　（三）AI芯片业务
　　2025年，公司将以AI芯片研发、AI模组开发、大模型融合方案为战略发展方向，加大投入力度和深入耕耘，丰富AI产品，拓展AI生态。
　　AI芯片以AI存算芯片和合封AISoC为主线齐头并进，存算芯片目标完成原型机测试发布和首款商业化芯片流片，合封SoC目标完成商业化落地和批量销售；AI模组着力在更高阶市场、更广泛应用、更多元平台上实现部署和商业化；同时，公司在积极研发端+云相结合的设计方案，结合业已建立的AI端侧产品技术能力，将终端设备接入云端LLM大模型，打造端云结合、离在线一体、多算法融合的AI智能体核心解决方案。
　　公司的AI芯片业务布局包括AI芯片、AI软件、AI模块模组和AI解决方案，着力打造领先性、易用性、高性价比的富有竞争力AI产品；AI市场拓展方面，将进一步拓展公司AI客户生态，以大客户开发为重心，引入更多的AI生态合作伙伴，以3C数码、灯控、玩具、家电、降噪、穿戴为主要市场落地方向，在更多细分市场领域成为主流供应商，提升市场知名度，增加市场份额。
　　（四）嵌入式存储产品线业务
　　2025年，公司将不断完善和扩展存储产品系列，构建“易失性”+“非易失性”全系列利基型存储产品组合，从而实现公司的利基型存储产品全覆盖，以增强客户粘性并提升产品的整体竞争力。
　　1、利基型NANDFash产品线
　　搭载国际主流原厂NANDFash晶圆，采用新封装设计和优化固件设计来进行产品迭代，以提高产品的性能和可靠性，从而为客户提供更高性价比的产品。产品将在智能穿戴、网通设备和IoT等细分领域进一步提升市场份额。
　　2、eMMC产品线
　　深耕64GB以上eMMC产品，增加新的软件架构方案以适配更多主流3DNANDFash品牌，实现降低成本和增强适配性，同时满足不同客户的不同应用场景需求。并重点在智能电视、机顶盒、平板电脑等关键市场领域提升市场份额。
　　3、DRAM产品线
　　公司新建易失性存储产品，第一款搭载国内主流DRAM原厂晶圆颗粒的DDR4产品将在2025年量产发布。产品容量包含4Gb和8Gb，最高可支持3200Mbps，温度范围涵盖消费类（0~95℃）和工控类（-40~95℃）两类产品，可广泛应用于网通设备、机顶盒、智能电视、工业控制和5G基站等细分市场。
　　（五）质量体系进阶，不良质量成本管控落地，项目管理提优
　　2025年公司将进一步深化质量体系建设，推进QC080000等体系认证，使公司在体系建设上更具竞争力；推动产品分级及供应商分级管理制度建设，制定不同级别产品相关标准，满足不同客户群体对产品质量要求。制定不同级别供应商管理要求，加强产品一致性管理。
　　2025年计划推动不良质量成本管理，识别生产过程中因不良质量增加的生产运营成本，分析不良质量产生的原因，推动持续改善，降低企业不良质量成本。
　　同时持续优化项目管理流程，根据以往项目经验，分析影响项目的时间、成本等问题的原因，并推动相关方持续改善。
　　（六）聚焦供应链协同、封装升级与精益交付体系构建
　　2025年，公司运营管理将延续Fabess轻资产模式，强化供应商战略协同，继续深化与武汉新芯、中芯国际等核心晶圆厂的合作，保障产能供应，夯实产品供应链稳定性；推行跨部门联动的动态成本优化机制，通过集中采购策略与市场预判精准锁定采购成本；建立库存全生命周期管理体系，联动销售、设计部门实现需求驱动的动态水位管控；构建“市场-设计-生产”闭环响应机制，保障客户紧急订单交付；同步升级封装技术能力，加速自封产线效率提升与低成本方案验证，推动MCU隐切工艺量产落地，并在产品设计阶段前置封装可行性评估以降低开发周期风险，全面提升运营效能对业务高增长的支撑力。
　　（七）遵循法规完善治理，强化沟通赋能投资者关系
　　2025年，公司始终秉持合规运营的理念，将严格遵循《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等一系列相关法律法规，以及《公司章程》的要求开展各项工作。鉴于新《公司法》的出台，公司将对监事会相关职能以及其他内容进行深入研讨，将据此对现行的公司治理制度予以修订完善，进一步优化公司治理结构，提升治理水平。公司构建了高效的信息沟通机制，确保所有涉及信息披露的事宜都能与董事会及时对接并汇报，全力保障信息传递具备及时性、准确性与完整性。
　　此外，公司高度重视投资者关系管理工作，主动积极地把握每一个与投资者交流的契机。在巩固深化与现有投资者沟通的基础上，大力拓展与潜在投资者的联系渠道，力求全面且有效地向投资者传递公司的价值内涵与发展信息，增进投资者对公司的深入了解与信任。 收起▲