一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，公司主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，公司主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
　　经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
　　通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
　　1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、MWDM代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4代表可应用于PAM4脉冲调制技术的激光器芯片；
　　2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会将激光器芯片封装后进行销售。
　　(二)主要经营模式
　　1、销售模式
　　公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
　　新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发中心在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
　　2、采购模式
　　每月月末，采购部根据生产与运营部提报的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产原物料采购计划（含需求预测）。采购员依据该计划向合格供应商下达采购订单（PO），明确技术规格、交货周期及相关合作条款；同时通过搭建供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料供应稳定。
　　进料检验工作由IQC部门负责，该部门严格依据可接受质量水平（AQL）标准开展检验，并运用统计过程控制（SPC）方法监控物料关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA），是物料入库放行的核心依据。物料到货后，由仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部负责执行采购款项的最终结算工作。
　　研发、厂务、行政等非生产部门，需结合公司经营需求制定各自采购计划，提前提交采购部审核，审核通过后由采购部统一组织采购。
　　在供应商管理层面，公司已建立健全的供应商认证及全生命周期管理流程：对新供应商开展资质评估与实地考察，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的供应商纳入《合格供方名单》。同时，公司对供应商实施动态绩效考核与分级管理，按需推进物料替代方案管理及供应商稽核工作，确保采购质量符合ISO9001/14001体系要求，采购活动全面达成质量、成本、交付、服务、环保（QCDS）综合目标。
　　3、生产模式
　　公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
　　公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
　　4、研发模式
　　公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发中心《设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
　　（1）立项阶段
　　市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销售部、研发中心及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
　　（2）设计输入输出阶段
　　项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
　　研发中心根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
　　研发中心根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
　　（5）研发转生产培训考核阶段
　　研发转生产培训考核阶段，研发中心提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
　　批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　(1)行业的发展阶段及基本特点
　　随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
　　电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2025年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.91亿户，全年净增2,099万户。1000Mbps及以上接入速率的用户为2.38亿户，全年净增3,157万户，占总用户数的34.5%，占比较上年末提高3.6个百分点。截至2025年底，固定互联网宽带接入端口数达到12.51亿个，比上年末净增4,877万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达到12.1亿个，比上年末净增5,030万个，占比由上年末的96.5%提升至96.8%。截至2025年底，具备千兆网络服务能力的10GPON端口数达3,162万个，比上年末净增341.9万个。在无线通信领域，5G网络建设覆盖持续深化。截至2025
　　年底，全国移动电话基站总数达1,287万个，比上年末净增22.7万个。其中，4G基站为719.2万个，比上年末净增8万个。5G基站为483.8万个，比上年末净增58.8万个，5G基站占移动电话基站总数达37.6%，占比较上年末提升4个百分点。其中，具备5GRedCap接入能力的基站数达206.4万个，占5G基站的42.7%。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延降低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。万兆光网试点逐步落地，拉动了50GPON的市场需求。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响。
　　数据中心市场：随着AI技术规模化落地、大模型迭代及新兴应用爆发，算力需求指数级攀升，驱动数据中心高速率光模块需求爆发式增长。2025年后，国内外CSP加速AI基础设施投资，光模块出货量激增同时拉动光芯片需求。速率方面，2025年1.6T光模块已批量出货，2026年迈入商业化爆发期。算力提升推动业界对光模块功耗、散热、成本要求更严苛，低功耗、小型化、集成化成为核心发展主线。技术上，硅光技术在高速率模块中渗透率快速提升，拉动了光芯片领域CW产品的需求增长；CPO、NPO等新型的封装技术持续推进，成为光互联领域新增量。由于光互联的需求增长，当前光芯片存在短期产能缺口。整体而言，AI是光模块（光芯片）行业核心驱动力，增长确定性强。
　　(2)主要技术门槛
　　面向更高速率、更高功率、更长传输距离需求的光芯片，其技术研发与工艺设计面临着极高的开发难度和行业门槛。首先，随着市场对光芯片性能需求的持续提升，芯片结构设计的精度要求已达到极高标准，其技术研发与工艺开发需深度融合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多个前沿学科，通过多维度技术协同，设计出兼具精度与尺寸要求的芯片结构，任何单一学科技术的短板都将制约研发进程。其次，生产工艺的高稳定性与高成熟度门槛。激光器芯片的生产流程极为复杂，需历经几十至几百道精密工序，每一道工序的参数偏差、操作误差都将直接影响产品最终的光电性能与长期可靠性，这就对生产线的工艺成熟度、流程稳定性以及过程管控能力提出了严苛要求，需实现全流程的精准把控，门槛显著高于普通半导体器件。此外，高速率产品的关键结构开发壁垒尤为突出。相较于中低速率光芯片，高速率激光器芯片需在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等多个关键结构的设计与开发中，综合平衡光电特性、产品可靠性与制备工艺可行性等相互制约的核心因素，既要保障各结构的独立性能达标，又要实现整体协同适配，进一步提升了技术开发的难度与行业壁垒。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
　　在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；25G/50GPON接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需求，使公司能够快速满足下游客户25G/50GPON的需求，研发出满足客户需求的光芯片产品，在下一代高速PON需求迭代过程中确保行业地位。
　　在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了400G/800G、1.6T或以上高速光模块的需求增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为100GPAM4EML光芯片、70mW、100mW大功率激光器等。目前数据中心市场仍以海外供应商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的高速EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的CWDM、LWDM需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在AI数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大功率CW激光器产品，2025年面向高速可插拔硅光模块的CW芯片产品已实现大批量的出货，奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。同时，人工智能的发展导致数据中心领域光互联的技术迭代较快，更高速率、不同封装方式的需求均在快速发展，公司目前在数据中心领域实现了光芯片大批量出货的基础，相关技术、商务、产能储备处于行业领先地位，这些因素将有助于公司把握新一代的需求，巩固行业地位。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）硅光技术已成为算力场景降本增效的核心方案，渗透率持续加速提升
　　降本、降功耗、增效仍是全球算力发展的核心诉求，尤其随着AI大模型向万亿参数级迭代，算力需求爆发式增长，直接推动光模块速率与数量需求激增，进一步凸显硅光技术的核心优势，客户接受度已实现实质性提升，成为行业主流选择之一。硅光子技术基于硅和硅基衬底材料，依托现有CMOS工艺实现光器件的开发与集成，契合光模块规模化、低成本生产需求，适配AI数据中心短距高带宽场景的核心需求，相较于传统方案可实现功耗降低与更高的集成度。从当前渗透率来看，硅光方案在400G/800G/1.6T光模块中已形成规模化应用，且头部厂商硅光方案占比持续提升。在硅光方案中，CW激光器芯片作为外置核心光源，硅基芯片承担速率调制功能。未来，CW大功率激光器芯片的性能要求进一步提高，需同时具备更大功率、高耦合效率、宽工作温度的核心指标。
　　（2）关注CPO、NPO等新技术的演进
　　随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，CPO/NPO等新一代封装技术缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎之间更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从技术路径来看，以CPO交换机为例，其中CW光源单颗价值量与功率需求均持续提升，进一步带动大功率CW激光器芯片需求增长。在应用场景上看，CPO/NPO在柜内的应用，也将带来新的需求增长。但目前CPO/NPO仍面临成本、解耦程度低、产业不成熟等问题，仍需产业链上下游协同发力突破。
　　（3）光芯片下游应用市场不断拓展
　　光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。
　　二、经营情况讨论与分析
　　1、主要经营情况
　　2025年，公司实现营业收入60,143.45万元，同比增加138.50%；实现归属于上市公司股东的净利润19,092.40万元，同比扭亏为盈。公司的电信市场业务实现收入20,646.96万元，较上年同期增加2.06%。公司的数据中心业务实现收入39,325.78万元，较上年同期上升719.06%。
　　报告期内，电信市场业务基本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础上，加大10GEML产品的客户推广。面向下一代25/50GPON网络的光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入，产品技术指标对标国际厂商。电信市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。
　　报告期内，在人工智能技术发展持续拉动光芯片需求增长的背景下，公司基于技术积累和产品性能，优化资源配置，提升资源投入效率和经营质量，数据中心领域销售额实现大幅度增长，收入占比超过50%，成为公司重要的收入来源。主要产品是硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计、生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，针对高速光模块需求，CW70mW激光器芯片批量出货，该产品是数据中心业务的主要产品。同时，在市场端加强了商务拓展，逐步进入更广泛的客户供应链。
　　报告期内，数据中心产品毛利率水平高于电信市场，上述因素推动公司收入及利润实现增长。电信业务板块经营情况基本保持稳定。
　　整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
　　2、技术与研发情况
　　电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB、EML产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳定性。随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，此应用需根据不同的上下行要求对应不同芯片规格，公司具备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产品匹配度下，已实现批量发货，为把握未来电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。
　　数据中心领域，随着人工智能的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更高速率发展。报告期内，公司的CW70mW激光器产品实现大批量交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制冷设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。公司推出的CW100mW激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下，报告期内也实现批量交付。2025年，公司在可插拔的硅光光模块领域，以70mW的光源需求为主。公司的高速EML产品，在100GPAM4EML产品完成客户验证的基础上，更高速率的200GPAM4EML产品也开始推进客户验证。
　　与此同时，CPO/NPO等新型封装技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及以上速率的解决方案之一。公司瞄准这一机遇，研发了300mW等更高功率的CW光源，目前正在进一步了解客户需求来完善产品的相关研发工作。针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
　　3、人才建设情况
　　人才是公司的核心，公司持续推进人才队伍建设，在业务拓展的同时，注重人才引进和培养。公司通过校园招聘、社会招聘、内部推荐及晋升等多种渠道，积极引进行业资深人员与优秀毕业生，2025年度员工人数稳步增长，为市场拓展和业绩提升提供了有力保障。同时，公司致力于为员工提供公平、公正的竞争环境与可持续发展平台，重视现有员工的培训与能力提升，加强专业技能和综合素质培养，结合内部晋升机制，为优秀、高潜员工提供成长通道，持续优化人才结构，以适应公司业务发展需要。通过持续的人才储备，为公司长期发展巩固基础。
　　4、生产制造方面
　　公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步骤。公司在生产制造方面着力于产能的提升和自动化的升级改造。为满足光通信高速增长的市场需求，2025年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能。依托人工智能的高速发展，随着公司规模扩大及单一产品产量稳定，为自动化生产线搭建提供前提条件。报告期内，公司持续推进设备升级，制程优化，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成本。公司联合设备厂家开展生产设备自动化定制化开发，攻克设备协议接口统一、不同厂家设备信号统一等技术难点，有效提升了自动化水平，并有效降低了因人员操作差异、设备状态波动导致的质量波动，从而保障了产品的一致性。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术积累与研发优势
　　公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代更新需要深厚的芯片设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性的工作，才能够保证良好的产品特性及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销售，自主打造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一系列核心技术。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室、材料科学实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发展的趋势为导向，及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势。
　　在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，培养了大批基础扎实、技术一流的芯片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断提升技术团队的自主创新能力和技术水平。
　　2、客户资源优势
　　公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得到了客户的高度认可。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象，同时也在国内外市场开拓了众多的直接或间接优质客户。光芯片产品在下游客户的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系，建立了较高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基础。
　　3、产品结构优势
　　公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游不同场景、不同客户对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片产品、CW光源、车载激光雷达光源等产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求，打开更广阔的市场空间。
　　4、人才团队优势
　　公司以顶尖人才引领技术突破，以智能制造保障质量稳定，以全球视野定义行业标准，经过在光芯片行业的多年深耕，已培养一批与公司高度粘合、拥有丰富技术开发经验的精英团队，拥有深厚的理论基础和技术储备，持续攻坚克难，不断实现技术创新与突破。同时，公司选派优秀工程师赴美国、德国等进行技术交流，让员工在新鲜挑战中加速职业成长。
　　同时，为确保技术攻关与稳定生产的双重能力，公司不断加大投入自动化生产线，培养骨干工人转型为操控、维护智能设备的“新工匠”，不断提升效率，提升产能，最终实现“技术领先-质量可靠-交付高效”的良性循环。
　　5、生产制造优势
　　公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定的产业规模，在生产方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性能。在自动化生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进一步优化了智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性。在规模化制造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器、EML激光器等产品的生产制造能力，并且多数设备可以实现不同产品生产制造即时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付，并优化生产材料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面，公司具备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的全球化产能布局，有利于减少外部因素对产品交付的潜在影响。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术的情况
　　（2）核心技术的先进性
　　1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
　　移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的设计。
　　公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50GPAM4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
　　2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的海外技术领先
　　目前国际先进的100GPAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开发出200GPAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
　　公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，实现海外技术领先，为公司长期发展提供技术保障。
　　3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性
　　速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外通信设备的可靠性。
　　公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可靠性，使得产品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信等国内外知名运营商网络中。
　　4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场
　　数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设计。该设计方案下，光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光芯片设计与制造技术开发难点在于高温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。
　　公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材料和设计方案；②多种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与集成制造。公司凭借该项技术，实现高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型数据中心客户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。
　　5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作
　　光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。信噪比代表主信号与背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信息传递而不受噪声干扰。相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，相移光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升主信号的比值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现，但仅能够制作等周期间距的光栅，无法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和电的综合知识，此外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。
　　公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完成10G/25G/50G芯片光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光栅技术。公司将该技术成功应用于所有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。
　　6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片
　　高速数据中心市场中，800G、1.6T及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片直调速率达到100G及以上，已成为直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G、800G、1.6T及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率输出，弥补光传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结构的设计等。
　　公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外延工艺和光波导设计；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现50mW/70mW/100mW大功率激光器芯片的开发。目前，主要为海外头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。
　　7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传输，因此芯片发光耦合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的进口耦合透镜，与激光器芯片进行光模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得芯片输出的光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出高性能的产品，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。
　　公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全及成本问题。
　　8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易形成光反射并沿光纤返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传统解决方案为在光模块中的激光器与光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通过，避免反射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加了光模块的尺寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。
　　公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装成本，以及对进口器件的依赖。
　　9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造
　　光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要求激光器芯片的高光功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要产品之一，采用该平台成功开发的70mW/100mW大功率激光器芯片也将成为满足目前硅光应用趋势的产品。
　　10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造
　　目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员的研发、核心生产人员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率芯片的量产，也为更高速率产品的研发奠定了基础。脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺寸控制不佳会降低电注入效率与产品高速性能。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的异质结波导技术；④脊波导激光器芯片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导型激光器芯片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。
　　11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求
　　集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，此类集成芯片形成量产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不同功能区域可能为不同的外延材料、组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具备相当的难度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结构在可靠性方面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设计开发之初，考量分区的结构材料、组份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行性能设计开发，使集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。
　　此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块、长距离接入网等场景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。
　　12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求
　　硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术中需求的大功率激光器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与高光功率输出操作下，承受相对于一般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的开发门槛。
　　公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进行专项开发多年，从专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专项能力的提升，可用于大功率光输出激光器的可靠性需求。
　　13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高分光比场景下的应用需求
　　光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光损耗造成的光功率不足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此开发光放大器集成芯片制造平台，已成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速EML激光器集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。
　　此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各司其职，发光、高速调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司已在上述分立的主动式光器件积累多年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光放大器集成芯片制造平台的开发。
　　长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光芯片加上了光放大器的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品的核心竞争力之一。
　　14）高速激光器芯片的封装技术
　　高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做信号匹配和抗干扰处理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损耗，另一方面，封装过程中，需要搭配多个电容、电阻等元器件，同时实现多芯片的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老化、测试等环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。
　　公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化，工艺过程可追溯，整个生产制造平台已经具备量产化经验，拥有批量交付能力。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2025年12月31日，公司累计获得各类知识产权54项，其中发明专利23项，实用新型专利15项，商标11项，作品著作权5项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　主要系研发物料消耗增加，研发人员薪酬增加及股份支付增加所致。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　1、技术升级迭代的风险
　　随着全球光通信技术的不断发展，技术革新及产品升级迭代加速，应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。光芯片公司也需要紧跟光通信产业的发展趋势，不断进行光芯片设计优化及生产工艺改进，以技术先进且富有竞争力的产品满足通信系统及光模块产品日益提升的对速率、集成度等方面的要求。未来如果公司不能根据行业内变化做出前瞻性判断、快速响应与精准把握市场，将导致公司的产品研发能力和生产工艺要求不能适应客户与时俱进的迭代需要，逐渐丧失市场竞争力，对公司未来经营业绩造成不利影响。
　　2、新产品研发及商业化失败风险
　　公司的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，需集聚设计、研发、生产等公司多部门的技术人员相互配合，同时试制的激光器芯片产品还需要经过下游客户的严格认证，因此新产品研发及商业化具有投入大、周期长、风险高的特点。未来公司研发的新产品若因成本高、可靠性弱、性能达不到下游客户需求、无法大规模量产等因素，进而导致公司新产品无法顺利通过下游客户的认证或大批量出货，则将会对公司的经营业绩造成不利影响。相关产品的研发进度、客户端测试进展、客户商业化导入进度、大规模量产的产能爬坡进度以及市场供需的变化情况等存在不确定性。
　　3、核心人才流失和技术泄密风险
　　光芯片行业涵盖设计、工艺等多个核心领域，光芯片制造不仅需要精通设计的技术人员，更需要经验丰富的生产工艺人员，因此公司需要不断引进和培养优秀的技术、工艺人才，并对核心员工实施股权激励，维持核心人才团队的稳定。随着市场需求的不断增长和行业竞争日益激烈，如果公司不能持续加强核心人员的引进、培养、激励和保护力度，则未来可能出现核心人员流失和技术泄密，从而对公司的生产经营产生不利影响。
　　作为国内为数不多可以自主完成外延片设计开发与规模化生产的企业之一，产品复杂的工艺流程更需要优秀、专业、与公司共同发展的人才，公司一如既往地重视核心技术人才的引入留用、激励机制及个人发展的有效执行。产品的技术创新、稳定的生产经营离不开强大的专业技术团队，公司持续将员工与公司的发展紧密结合，稳定关键人才团队，规避核心技术人员的流失风险。
　　保护技术是保护公司的竞争力，公司对相关人员签订保密协议并定期进行培训教育，同时，通过对敏感信息访问权限制、文件发送渠道授权、技术文件加密、重要数据定期备份等加强网络安全管理。通过严格管理最大限度预防技术泄密，降低泄密风险。如技术人员违反保密规定将技术信息向外部泄露，可能会对公司的市场竞争力等带来不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、部分下游厂商与公司存在潜在竞争关系的风险
　　光芯片具有技术壁垒高、工艺流程复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因而毛利率水平整体高于产业链下游厂商，并且光芯片在光模块成本中的占比很高。部分下游厂商如海信宽带、光迅科技等，出于成本控制、产业链延拓、供应链安全等方面的考虑，积极进行整合并研发自有芯片，部分产品一定程度上与公司存在潜在竞争关系。未来如果公司不能持续推出符合市场需求的高速率产品及具有差异化优势的中低速率产品，将可能造成公司订单数量的减少，并导致公司面临更加激烈的市场竞争。
　　2、产品质量控制风险
　　公司的激光器芯片产品生产工序较多，产品工艺较复杂，随着产品迭代加快，对公司的生产工艺以及员工的生产经验都提出更高的要求，公司对质量控制的难度相应加大。行业重要客户对产品的批次质量、稳定可靠性等均有严格要求，需要公司建立适宜、有效、充分的质量管理体系。随着公司业务规模的持续增长，产品持续进行升级和迭代，以及客户对产品品质要求的不断提高，不排除由于某些不可预见的因素导致产品出现瑕疵，若产品出现严重的缺陷或质量问题，公司声誉将会受到影响，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3、毛利率波动及业绩可持续性风险
　　公司产品目前主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域，具有产品不断迭代升级的特点。针对细分的产品，其销售单价受到竞争格局、供需关系、技术迭代等因素的影响，细分产品单价下降对公司的整体毛利率产生一定影响。报告期公司的综合毛利率为58.11%，主要系高毛利的数据中心产品占比提升导致。若发生下游光芯片需求放缓、光芯片供应竞争格局加剧、下游需求技术路径改变等因素，而公司未能采取有效措施，无法巩固产品的市场竞争力或在高端市场持续突破，未能契合市场需求率先推出新产品，则将会对公司的经营业绩造成不利影响，公司当前毛利率水平的可持续性也将受到影响。同时公司在生产过程中还将面临人力成本、固定资产投入、能源成本等各方面因素影响，从而使得公司面临毛利率和经营业绩波动的风险。
　　4、客户集中的风险
　　在重点市场拓展阶段，公司在少数重点实现突破，快速进入市场。但是，也会导致客户集中度较高的风险，如果新产品在其他客户拓展中遭遇阻碍或者推进缓慢，并且重点客户的市场份额下降或竞争地位发生重大变化，可能会导致公司订单减少或流失，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　5、原材料价格波动的风险
　　整体原材料价格波动对公司生产成本具有一定影响，如果未来主要原材料价格因宏观经济、供需关系等因素影响出现持续大幅异常波动，将直接导致公司产品的生产成本发生相应波动，在公司无法将成本变化及时、有效地传导至下游客户的情况下，公司的毛利率水平和整体盈利能力将面临下降风险。
　　(五)财务风险
　　1、存货跌价风险
　　报告期内，公司存货账面价值呈上升趋势，主要系公司为了满足生产需求，对原材料进行备货所致。如果主要产品的价格未来出现大幅下滑或者销售不畅，而公司未能及时有效应对并做出相应调整，将可能使得存货可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、应收账款减值风险
　　报告期内，应收账款账面价值大幅增加，主要系收入增加所致。公司已根据谨慎性原则对应收账款计提了坏账准备。但若宏观经济形势、行业市场波动、客户财务状况或资信情况发生重大不利变化，或公司应收账款管理不当，公司可能面临应收账款存在无法收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
　　(六)行业风险
　　公司产品主要应用于光通信领域，而光芯片行业作为光通信产业链的上游，其需求易受下游电信市场及数据中心市场发展态势的影响。如果未来下游市场需求不及预期，出现需求大幅减弱甚至持续低迷的不利情形，将导致公司未来经营业绩存在波动的风险。未来若数据中心市场发展不及预期、AI行业发展不及预期、数据中心领域产品迭代速度加快或行业竞争加剧，公司在数据中心市场的销售收入将受到较大影响。
　　(七)宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦特别是中美贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护、加征关税等手段，试图制约我国产业升级发展。光通信行业也面临全球供应链重构和地缘政治风险。目前，公司对美国直接销售额较小。但如果未来关税及豁免政策变化，可能导致下游客户需求减少，或者将关税成本向上游转嫁的风险，从而对公司经营造成一定的不利影响。对此，公司会持续推进国际化战略，进一步完善全球产能布局，积极拓展多元化的客户资源。
　　公司生产激光器芯片产品所需的部分设备、部分原材料来自境外厂商。公司正在逐步加大国内供应厂商的占比。但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦进一步加剧，导致部分供应商未能及时甚至无法供货或提供设备，公司的正常生产经营将受到重大不利影响。
　　随着公司业务规模的扩大及全球化布局深化，同时，国内外宏观经济、货币政策及地缘政治等多重因素影响，汇率变动仍存在较大的不确定性，未来若人民币与美元等外币汇率发生大幅波动，将对公司的生产经营造成一定影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期公司实现营业收入60,143.45万元，同比增加138.50%；归属于母公司所有者的净利润19,092.40万元，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润16,722.24万元。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　公司将立足AI产业爆发所带来的机遇，以“迭代核心产品、扩大产能优势、深化市场拓展、强化人才支撑”为目标，推动公司发展。
　　坚持研发引领，依托现有技术与工艺壁垒，聚焦800G、1.6T等高速率光模块，以及NPO、CPO等新兴封装路线需求，加大更高功率CW光源、高速EML激光器研发与商业化落地力度。持续培育并强化前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术三大关键能力，推进研发设备高端化升级，加强专业技术培训与工艺优化，筑牢技术壁垒。同时，通过自研及并购等方式，探索光芯片产品在新兴领域的应用及其他业务方向。
　　加快产能扩产升级，以拟投建的光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目为契机，匹配市场增长需求。加大数字化投入，推动智能制造全流程应用，实现生产自动化、可视化管控，提升运营效率及品质稳定性。
　　加速融入全球AI产业生态，拓展全球客户覆盖，以便于更好的匹配高速光互联需求，把握AI算力迭代机遇。
　　人才建设上，坚持人才优先，吸纳复合型人才，搭建结构化人才梯队；完善培养、激励与晋升机制，推动员工与公司共成长，为抢占产业制高点筑牢人才根基。
　　(三)经营计划
　　1、市场计划
　　公司把握光芯片市场的发展契机，密切关注市场需求的发展动态，持续加强市场开拓力度，以自主光芯片核心能力构建的技术实力为驱动，积极拓展下游客户，稳固并提升公司的行业地位。面向PON市场、无线市场、数通市场几大应用市场开展业务。在目前需求发展较快的数据中心市场，公司立足于已经进入国内外主流客户体系的基础，把握人工智能带来的市场机遇，将持续投入资源加强销售体系建设，提升整体营销水平，在产品销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。此外，为公司未来拓展其他客户做好充足准备，公司定期对营销和技术服务人员进行培训，内容包括产品及技术参数理解、销售专业技能、客户技术服务等。同时，关注新的技术方向可能带来的行业变化，加强产业链内生态伙伴的合作，把握市场机遇。
　　2、研发计划
　　公司始终坚持以客户需求为导向，紧盯世界光芯片的发展前沿，尤其人工智能带来的对光芯片的需求的变革，向更高速率、更大功率、更高集成度等方向研发探索。围绕制造平台升级、产品技术拓展、制程效率提升和品质保障体系四个层面加大研发投入。公司持续增加研发投入，将在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。同时，公司将加强与相关高校的技术合作，增强自主创新能力，实现研发与生产的紧密结合，从而促进公司产品技术水平的提高，提升核心竞争优势。
　　3、人才计划
　　人才是公司实现高质量、可持续发展的核心资源。公司结合行业技术迭代速度与全球化竞争格局，制定了人才发展规划。紧扣核心技术研发与产业化战略目标，打造与企业发展相匹配的高素质、专业化人才队伍，构建“基础研究-应用开发-量产转化”全链条人才梯队，为公司持续技术突破与市场拓展提供坚实人才支撑。
　　未来，公司将持续致力于人才队伍的建设与优化，以战略眼光布局人才，以创新机制激活人才，以产业需求锤炼人才，最终实现“人才领先-技术突破-市场领先”的良性循环。重点培养技术领军人才，持续扩充研发团队，打造一支兼具技术创新能力、产业化落地能力的人才队伍，为公司实现长期可持续发展筑牢人才根基。加强对员工的关怀和激励，鼓励员工敢于创新和挑战，通过坚实的人力资源基础，支撑公司在技术创新与市场竞争中行稳致远。
　　4、生产计划
　　公司将进一步优化生产制造体系，重点围绕产能扩张、技术升级、自动化提升、生产管理等几方面展开：通过光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的实施，加大对核心设备进行采购，稳步扩大产能，提升高端激光器芯片制造产能；在制程工艺方面，稳定现有制程，开发新工艺，搭建下一代工艺制造平台；继续提升制造和检测自动化水平，保证制程稳定，提升生产效率；加强数字化管理能力，全面升级智能制造管理系统；提升人员制造管理水平，通过加强部门协同，精细化工序管理，提升交付能力及效率，并进一步优化库存管理；进一步完善全球化产能布局，有序推进海外建厂工作。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　(一)所属行业情况说明　　1、行业的发展阶段及基本特点　　随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。　　电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2025年6月末，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.84亿户，比上年末净增1,4... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)所属行业情况说明
　　1、行业的发展阶段及基本特点
　　随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
　　电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2025年6月末，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.84亿户，比上年末净增1,426万户。其中，1000Mbps及以上接入速率的固定互联网宽带接入用户达2.26亿户，比上年末净增1,915万户，占总用户数的33%，占比较上年末提升2.1个百分点。全国互联网宽带接入端口数量达12.34亿个，比上年末净增3,244万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达到11.93亿个，比上年末净增3,264万个，占互联网宽带接入端口的96.6%。截至6月末，具备千兆网络服务能力的10G PON端口数达3,022万个，比上年末净增201.9万个。在无线通信领域，5G网络建设深度覆盖。截至6月末，5G基站总数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，占比较一季度提高1.3个百分点。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50G PON比10G PON带宽提升了5倍、时延降低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据工信部《关于开展万兆光网试点工作的通知》的内容，到2025年底，在有条件、有基础的城市和地区，聚焦小区、工厂、园区等重点场景，开展万兆光网试点。以试点工作为牵引，推动产业链各方加快协同解决目前万兆光网落地应用中的重点难点问题，带动我国万兆光网核心技术和关键设备取得突破，促进构建万兆光网成熟产业链和完备产业体系，有序引导万兆光网从技术试点逐步走向部署应用。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响。
　　数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型性能提高，需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。进入2025年，这一投资趋势持续加强，中国云厂商也加快跟进步伐。国内外CSP对AI基础设施的投资推动400G/800G以太网光模块出货量激增，进而拉动光芯片的需求。在速率方面，2025年光模块行业1.6T光模块将开始批量出货。随着交互速率及训练集群规模的提升，业界对功耗、散热、成本提出了更高要求，因此系统互联互通的方式需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前，硅光技术在可插拔光模块中逐步提升，特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO方案也是未来趋势，其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看，未来CPO、OIO的发展和应用，也将带来更多光互联领域的新增量。LightCounting在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。整体来看，数据中心市场需求与云计算、AI等技术发展紧密相关，随着人工智能等新兴技术的持续发展，对算力的需求呈指数级增长，带动需求不断攀升，增长确定性较高。
　　2、主要技术门槛
　　更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高壁垒。
　　(二)主营业务情况说明
　　公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW、150mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
　　经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
　　1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、MWDM代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4代表可应用于PAM4脉冲调制技术的激光器芯片；
　　2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会将激光器芯片封装后进行销售。
　　(三)主要经营模式
　　1、销售模式
　　公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
　　新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
　　2、采购模式
　　每月月底，采购部依据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产原物料采购计划（含预测需求）。采购员根据该计划向合格供应商下达PO（采购订单），明确技术规格、交货周期及相关条款，并通过建立供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料的稳定供应。
　　进料检验环节由IQC部门负责，其依据可接受质量水平（AQL）标准执行检验，采用统计过程控制（SPC）方法监控关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA）将作为物料放行的核心依据。物料到货后，由仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部则负责采购款项的最终结算。
　　此外，研发部门、工程部门、厂务部门、行政部门等需根据公司经营需求，制定各自的采购计划并提前提交采购部审核，再由采购部统一执行采购。
　　在供应商管理方面，公司已建立完善的供应商认证及管理流程：对新供应商进行资质评估与实地调查，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的合格供应商将被录入《合格供方名单》。同时，公司会对供应商实施绩效考核与分级管理，按需开展物料替代管理及供应商稽核工作，确保采购质量符合ISO9001/14001体系要求，确保采购活动满足QCDS（质量/成本/交付/服务/环保）综合目标。
　　3、生产模式
　　公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
　　公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
　　4、研发模式
　　公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
　　（1）立项阶段
　　市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
　　（2）设计输入输出阶段
　　项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
　　（3）工程验证测试阶段（EVT）
　　研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
　　（4）设计验证测试阶段（DVT）
　　研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
　　（5）研发转生产培训考核阶段
　　研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
　　（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
　　批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　1、主要经营情况
　　2025年上半年公司实现营业收入20,495.09万元，同比增加70.57%；实现归属于上市公司股东的净利润4,626.39万元，同比增加330.31%。公司的电信市场业务实现收入9,987.35万元，较上年同期减少8.93%。公司的数据中心及其他业务实现收入10,460.17万元，较上年同期上升1,034.18%。
　　报告期内，电信市场业务基本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10G DFB光芯片的基础上，加大10G EML产品的客户推广。面向下一代25/50GPON网络的光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入，产品技术指标对标国际厂商。电信市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。
　　报告期内，在AI算力需求爆发的背景下，公司在AI数据中心市场实现大幅度增长，尤其是硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计、生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，针对400G/800G光模块需求，成功量产CW70mW激光器芯片，在市场端加强了商务拓展，逐步进入更广泛的客户供应链。
　　报告期内，主要系在人工智能等终端应用领域拉动下，公司高毛利率的数据中心板块业务大幅增加，产品结构进一步优化，整体收入和利润同比增加。
　　整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
　　2、技术与研发情况
　　电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB、EML产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳定性。随着无线和10G PON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，此应用需根据不同的上下行要求对应不同芯片规格，公司具备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产品匹配度下，已实现批量发货，为把握未来电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。
　　数据中心领域，随着AI技术的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更高速率发展。报告期内，公司的CW70mW激光器产品实现大批量交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制冷设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。公司推出的CW100mW激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下，通过客户的验证。公司的100G PAM4EML产品已完成性能与可靠性验证，并完成了客户端验证。更高速率的200G PAM4EML完成产品开发并推出，相关技术成果在2025年OFC大会上进行发表。与此同时，CPO技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及以上速率的解决方案之一。2024年，OIF发布3.2TbpsCPO标准，推动行业标准化进程。公司瞄准这一机遇，研发了300mW高功率CW光源，并实现该产品的核心技术突破，以满足与CPO/硅光集成的协同创新。针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
　　3、人才建设情况
　　公司始终高度重视人才储备，随着公司业务量的进一步扩大，公司持续加强人才队伍建设，通过内部推荐、网络招聘、校园招聘等各种方式招募优秀人才，核心团队成员稳定增长，汇聚了一支敢于自我挑战的半导体领域专业团队，为公司发展提供人才保障。经过多年积累和发展，不断优化培养机制，进行人才梳理，识别重点梯队员工进行阶梯式培养，制定职业发展规划，完善晋升通道，为员工提供不同层次、不同形式的培训机会，不断提升团队凝聚力和管理水平。结合员工岗位、工作绩效等实施员工激励，旨在吸引和留住更多优秀人才与公司共同成长，互相成就，促进公司持续发展、不断前行。
　　4、生产制造方面
　　公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步骤。为满足光通信高速增长的市场需求，2025年上半年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能；持续推进设备升级，制程优化，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成本。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术积累与研发优势
　　公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代更新需要深厚的芯片设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性的工作，才能够保证良好的产品特性及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销售，自主打造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一系列核心技术。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室、材料科学实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发展的趋势为导向，及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势。
　　在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，培养了大批基础扎实、技术一流的芯片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断提升技术团队的自主创新能力和技术水平。
　　2、客户资源优势
　　公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得到了客户的高度认可。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象，同时也在境内外市场开拓了众多的直接或间接优质客户。光芯片产品在下游客户的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系，建立了较高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基础。
　　3、产品结构优势
　　公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游不同场景、不同客户对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片产品、CW光源、车载激光雷达光源等产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求，打开更广阔的市场空间。
　　4、人才团队优势
　　公司始终以半导体激光器芯片核心技术为重心，根据公司市场布局及未来产品发展方向持续针对性吸纳、引进技术人才，进一步优化研发人员的结构、加强人才梯队建设。通过培养优秀核心技术团队，提升研发人员技术能力，研发团队整体素质不断提高，壮大公司自主研发实力，增强企业竞争力。优秀的人才结构为公司研发新产品、攻关新技术提供了坚实的人才保障。
　　5、生产制造优势
　　公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定的产业规模，在生产方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性能。在自动化生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进一步优化了智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性。在规模化制造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器、EML激光器等产品的生产制造能力，并且多数设备可以实现不同产品生产制造即时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付，并优化生产材料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面，公司具备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的全球化产能布局，有利于减少外部因素对产品交付的潜在影响。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术的情况
　　经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装技术”等技术。
　　（2）核心技术的先进性
　　1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
　　移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的设计。
　　公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50G PAM4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
　　2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200G PAM4EML激光器芯片的海外技术领先
　　目前国际先进的100G PAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开发出200G PAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
　　公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，实现海外技术领先，为公司长期发展提供技术保障。
　　3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性
　　速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外通信设备的可靠性。
　　公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可靠性，使得产品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信等国内外知名运营商网络中。
　　4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场
　　数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设计。该设计方案下，光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光芯片设计与制造技术开发难点在于高温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。
　　公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材料和设计方案；②多种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与集成制造。公司凭借该项技术，实现高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型数据中心客户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。
　　5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作
　　光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。信噪比代表主信号与背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信息传递而不受噪声干扰。相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，相移光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升主信号的比值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现，但仅能够制作等周期间距的光栅，无法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和电的综合知识，此外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。
　　公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完成10G/25G/50G芯片光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光栅技术。公司将该技术成功应用于所有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。
　　6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片
　　高速数据中心市场中，800G、1.6T及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片直调速率达到100G及以上，已成为直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G、800G、1.6T及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率输出，弥补光传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结构的设计等。
　　公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外延工艺和光波导设计；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现50/70mW/100mW大功率激光器芯片的开发。目前，主要为海外头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。
　　7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传输，因此芯片发光耦合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的进口耦合透镜，与激光器芯片进行光模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得芯片输出的光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出高性能的产品，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。
　　公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全及成本问题。
　　8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易形成光反射并沿光纤返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传统解决方案为在光模块中的激光器与光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通过，避免反射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加了光模块的尺寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。
　　公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装成本，以及对进口器件的依赖。
　　9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造
　　光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要求激光器芯片的高光功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要产品之一，采用该平台成功开发的70mW/100mW大功率激光器芯片也将成为满足目前硅光应用趋势的产品。
　　10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造
　　目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员的研发、核心生产人员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率芯片的量产，也为更高速率产品的研发奠定了基础。脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺寸控制不佳会降低电注入效率与产品高速性能。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的异质结波导技术；④脊波导激光器芯片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导型激光器芯片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。
　　11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求
　　集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，此类集成芯片形成量产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不同功能区域可能为不同的外延材料、组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具备相当的难度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结构在可靠性方面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设计开发之初，考量分区的结构材料、组份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行性能设计开发，使集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。
　　此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块、长距离接入网等场景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。
　　12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求
　　硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术中需求的大功率激光器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与高光功率输出操作下，承受相对于一般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的开发门槛。
　　公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进行专项开发多年，从专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专项能力的提升，可用于大功率光输出激光器的可靠性需求。
　　13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高分光比场景下的应用需求
　　光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光损耗造成的光功率不足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此开发光放大器集成芯片制造平台，已成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速EML激光器集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。
　　此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各司其职，发光、高速调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司已在上述分立的主动式光器件积累多年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光放大器集成芯片制造平台的开发。
　　长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光芯片加上了光放大器的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品的核心竞争力之一。
　　14）高速激光器芯片的封装技术
　　高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做信号匹配和抗干扰处理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损耗，其次，封装过程中，需要搭配多个电容、电阻等元器件，同时实现多芯片的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老化、测试等环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。
　　公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化，工艺过程可追溯，整个生产制造平台已经具备量产化经验，拥有批量交付能力。
　　国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2025年6月30日，公司累计获得各类知识产权51项，其中发明专利20项，实用新型专利15项，商标11项，作品著作权5项。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入20,495.09万元，较去年同期增加70.57%；实现归属于上市公司股东的净利润4,626.39万元，较去年同期增加330.31%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,537.74万元，较去年同期增加379.16%。

　　五、风险因素
　　(一)核心竞争力风险
　　1、技术升级迭代的风险
　　随着全球光通信技术的不断发展，技术革新及产品升级迭代加速，应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。光芯片公司也需要紧跟光通信产业的发展趋势，不断进行光芯片设计优化及生产工艺改进，以技术先进且富有竞争力的产品满足通信系统及光模块产品日益提升的对速率、集成度等方面的要求。未来如果公司不能根据行业内变化做出前瞻性判断、快速响应与精准把握市场，将导致公司的产品研发能力和生产工艺要求不能适应客户与时俱进的迭代需要，逐渐丧失市场竞争力，对公司未来经营业绩造成不利影响。
　　2、新产品研发及商业化失败风险
　　公司的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，需集聚设计、研发、生产等公司多部门的技术人员相互配合，同时试制的激光器芯片产品还需要经过下游客户的严格认证，因此新产品研发及商业化具有投入大、周期长、风险高的特点。未来公司研发的新产品若因成本高、可靠性弱、性能达不到下游客户需求、无法大规模量产等因素，进而导致公司新产品无法顺利通过下游客户的认证或大批量出货，则将会对公司的经营业绩造成不利影响。目前公司主要高端产品中，100G PAM4EML、CW100mW芯片已完成客户验证，200G PAM4EML完成产品开发并推出，开始了针对更高速率EML芯片相关核心技术的研发工作。相关产品的研发进度、客户端测试进展、客户商业化导入进度、大规模量产的产能爬坡进度以及市场供需的变化情况等存在不确定性。
　　3、核心人才流失和技术泄密风险
　　光芯片行业涵盖设计、工艺等多个核心领域，光芯片制造不仅需要精通设计的技术人员，更需要经验丰富的生产工艺人员，因此公司需要不断引进和培养优秀的技术、工艺人才，并对核心员工实施股权激励，维持核心人才团队的稳定。随着市场需求的不断增长和行业竞争日益激烈，如果公司不能持续加强核心人员的引进、培养、激励和保护力度，则未来可能出现核心人员流失和技术泄密，从而对公司的生产经营产生不利影响。
　　作为国内为数不多可以自主完成外延片设计开发与规模化生产的企业之一，产品复杂的工艺流程更需要优秀、专业、与公司共同发展的人才，公司一如既往地重视核心技术人才的引入留用、激励机制及个人发展的有效执行。产品的技术创新、稳定的生产经营离不开强大的专业技术团队，公司持续将员工与公司的发展紧密结合，稳定关键人才团队，规避核心技术人员的流失风险。
　　保护技术是保护公司的竞争力，公司对相关人员签订保密协议并定期进行培训教育，同时，通过对敏感信息访问权限制、文件发送渠道授权、技术文件加密、重要数据定期备份等加强网络安全管理。通过严格管理最大限度预防技术泄密，降低泄密风险。如技术人员违反保密规定将技术信息向外部泄露，可能会对公司的市场竞争力等带来不利影响。
　　(二)经营风险
　　1、部分下游厂商与公司存在潜在竞争关系的风险
　　光芯片具有技术壁垒高、工艺流程复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因而毛利率水平整体高于产业链下游厂商，并且光芯片在光模块成本中的占比很高。部分下游厂商如海信宽带、光迅科技等，出于成本控制、产业链延拓、供应链安全等方面的考虑，积极进行整合并研发自有芯片，部分产品一定程度上与公司存在潜在竞争关系。未来如果公司不能持续推出符合市场需求的高速率产品及具有差异化优势的中低速率产品，将可能造成公司订单数量的减少，并导致公司面临更加激烈的市场竞争。
　　2、产品质量控制风险
　　公司的激光器芯片产品生产工序较多，产品工艺较复杂，随着产品迭代加快，对公司的生产工艺以及员工的生产经验都提出更高的要求，公司对质量控制的难度相应加大。行业重要客户对产品的批次质量、稳定可靠性等均有严格要求，需要公司建立适宜、有效、充分的质量管理体系。随着公司业务规模的持续增长，产品持续进行升级和迭代，以及客户对产品品质要求的不断提高，不排除由于某些不可预见的因素导致产品出现瑕疵，若产品出现严重的缺陷或质量问题，公司声誉将会受到影响，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3、毛利率波动及业绩可持续性风险
　　公司产品目前主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域，具有产品不断迭代升级的特点。随着市场竞争加剧，细分产品单价下降对公司的整体毛利率产生一定影响。报告期公司的综合毛利率为48.80%，若公司未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，无法巩固产品的市场竞争力或在高端市场持续突破，未能契合市场需求率先推出新产品，则将会对公司的经营业绩造成不利影响，公司当前毛利率水平的可持续性也将受到影响。同时公司在生产过程中还将面临人力成本、固定资产投入、能源成本等各方面因素影响，从而使得公司面临毛利率和经营业绩波动的风险。
　　4、客户集中的风险
　　在新产品客户拓展阶段，公司采取了优先选择与少数重点客户开展合作的策略，有助于集中资源，快速进入市场。同时，在合作中可以提供高质量的产品和服务，从而提高客户对新产品的认可和满意度。但是，也会导致客户集中度较高的风险，如果新产品在其他客户拓展中遭遇阻碍或者推进缓慢，并且重点客户的市场份额下降或竞争地位发生重大变化，可能会导致公司订单减少或流失，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　(三)财务风险
　　1、存货跌价风险
　　报告期末，公司存货账面价值为12,447.42万元，占期末总资产的比例为5.54%。随着经营规模的扩大，公司会根据自身生产经营的规划，增加存货储备；再加上公司部分低速率产品的市场竞争加剧、价格下降等因素；如果未来客户需求发生变化，及部分产品的价格继续下滑或者销售不畅，而公司未能及时有效应对并做出相应调整，将可能使得存货可变现净值低于成本，公司存货将面临计提跌价损失的风险，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、应收账款减值风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为16,257.77万元，占期末总资产的比例为7.24%。公司应收账款金额较大，主要是由于营业收入快速增长及客户账期所致。若宏观经济形势、行业市场波动、客户财务状况或资信情况发生重大不利变化，或公司应收账款管理不当，公司可能面临应收账款存在无法收回并相应计提坏账的风险。
　　(四)行业风险
　　公司产品主要应用于光通信领域，而光芯片行业作为光通信产业链的上游，其需求易受下游电信市场及数据中心市场发展态势的影响。如果未来下游市场需求不及预期，出现需求大幅减弱甚至持续低迷的不利情形，将导致公司未来经营业绩存在波动的风险。未来若数据中心市场发展不及预期、国产化替代进程受阻、数据中心领域产品迭代速度加快或行业竞争加剧，公司在数据中心市场的销售收入将受到较大影响。
　　(五)宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦特别是中美贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护、加征关税等手段，试图制约我国产业升级发展。光通信行业也面临全球供应链重构和地缘政治风险。目前，公司对美国直接销售额较小。但如果未来关税及豁免政策变化，可能导致下游客户需求减少，或者将关税成本向上游转嫁的风险，从而对公司经营造成一定的不利影响。对此，公司会持续推进国际化战略，进一步完善全球产能布局，积极拓展多元化的客户资源。
　　公司生产激光器芯片产品所需的部分设备、部分原材料来自境外厂商。公司正在逐步加大国内供应厂商的占比。但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦进一步加剧，导致部分供应商未能及时甚至无法供货或提供设备，公司的正常生产经营将受到重大不利影响。
　　随着公司业务规模的扩大及全球化布局深化，同时，国内外宏观经济、货币政策及地缘政治等多重因素影响，汇率变动仍存在较大的不确定性，未来若人民币与美元等外币汇率发生大幅波动，将对公司的生产经营造成一定影响。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　1、主要经营情况　　2024年公司实现营业收入25,217.27万元，同比增加74.63%；实现归属于上市公司股东的净利润-613.39万元，同比减少131.49%。公司的电信市场业务实现收入20,230.39万元，较上年同期上升52.05%。公司的数据中心及其他业务实现收入4,803.83万元，较上年同期上升919.10%。　　报告期内，电信市场下游客户库存情况较上一年同期有所缓解，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础上，加大10GEML产品的客户推广，该产品在国内外客户订单量同比大幅提升，并逐步成为电信市场的重要收入组成部分。面向下... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　1、主要经营情况
　　2024年公司实现营业收入25,217.27万元，同比增加74.63%；实现归属于上市公司股东的净利润-613.39万元，同比减少131.49%。公司的电信市场业务实现收入20,230.39万元，较上年同期上升52.05%。公司的数据中心及其他业务实现收入4,803.83万元，较上年同期上升919.10%。
　　报告期内，电信市场下游客户库存情况较上一年同期有所缓解，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础上，加大10GEML产品的客户推广，该产品在国内外客户订单量同比大幅提升，并逐步成为电信市场的重要收入组成部分。面向下一代25G/50GPON的光芯片产品实现出货。
　　报告期内，在AI算力需求爆发的背景下，公司在AI数据中心市场实现销售突破，尤其是硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计，生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，针对400G/800G光模块需求，成功量产CW70mW激光器芯片，并在多家客户实现批量交付，报告期内该产品实现百万颗以上出货。部分传统数据中心市场订单需求也有一定的恢复。
　　在毛利率水平方面，报告期内公司整体收入仍以电信业务市场为主，2.5G、10G等中低速率产品的收入占比仍较高，随着价格竞争仍日益激烈，加之生产设施的投入和生产费用增加，从而造成了毛利率水平有所下降。
　　整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
　　2、技术与研发情况
　　报告期内，公司持续加大研发投入，2024年度公司研发支出5,451.76万元，较去年同期增长76.17%。公司加大了对高速率光芯片、大功率光芯片、芯片工艺等相关技术和产品的研发投入。电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳定性。随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，并实现第一阶段的卡位和小批量出货，为把握未来电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。
　　数据中心领域，随着AI技术的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更高速率发展。报告期内，公司CW70mW激光器产品实现批量交付，产品采用非制冷设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。此外，100GPAM4EML、CW100mW芯片已完成客户验证，200GPAM4EML完成产品开发并推出，开始了针对更高速率EML芯片相关核心技术的研发工作。与此同时，CPO技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及以上速率的解决方案之一。2024年，OIF发布3.2TbpsCPO标准，推动行业标准化进程。公司瞄准这一机遇，研发了300mW高功率CW光源，并实现该产品的核心技术突破，以满足与CPO/硅光集成的协同创新。针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
　　3、人才建设情况
　　公司始终将人才视为最宝贵的资源，致力于打造一支高素质、专业化团队。公司立足西安，吸引当地及周边地区优秀人才，通过多渠道持续引进高端人才，确保人才队伍的持续更新，满足公司发展需求。
　　公司注重员工长期发展，2024年整合了研发中心人才资源，优化了研发中心组织架构，充分发挥研发人才优势，为业务发展提供技术储备。同时，加强高校合作，对技术骨干、研发人员进行专业知识赋能。为高潜管理干部团队引进了外部优质管理培训，持续进行管理赋能，提升了干部的综合管理能力。鼓励员工持续提升，通过多渠道、多方式，提升员工核心竞争力，加强人才队伍建设，为公司战略发展及经营需要提供坚实的人才支撑。
　　为了进一步优化人才的激励机制，促进企业与员工共同成长，报告期内公司完成了2024年限制性股票激励计划的相关审议程序，向激励对象授予限制性股票合计57.17万股。其中，向符合授予条件的176名首次授予激励对象授予45.74万股限制性股票，约占2024年限制性股票激励计划拟授予限制性股票总额的80%。预留11.43万股，约占2024年限制性股票激励计划拟授予限制性股票总额的20%。
　　4、生产制造方面
　　公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步骤。2024年，公司不断增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能，以满足光通信高速增长的市场需求。公司持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成本，从而形成更高效、更可持续的制造技术。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW、150mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
　　经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
　　通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
　　1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、MWDM代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4代表可应用于PAM4脉冲调制技术的激光器芯片；
　　2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会将激光器芯片封装后进行销售。
　　(二)主要经营模式
　　1、销售模式
　　公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
　　新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
　　2、采购模式
　　每月月底采购部根据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存，制定对应的生产原物料采购计划（包括预测需求）；采购员根据采购计划向合格供应商下达PO（采购订单），明确技术规格、交货周期及条款。建立VMI（供应商管理库存）机制保障关键物料供应。IQC部门依据AQL（可接受质量水平）标准执行进料检验，采用SPC（统计过程控制）方法监控关键质量特性，出具COA（检验分析报告）作为放行依据。由仓管科负责核对到货单物料数量与采购订单物料数量，财务部负责最终付款。另外研发部门、生产类部门、厂务部门、行政部门等根据公司经营需要，制定相应各部门采购计划并提前传递采购部审核，由采购部统一采购。
　　公司制定供应商认证及供应商管理流程，对新的供应商进行资质评估及调查，对提供的样品进行验证，并进行合格供应商评审，合格的供应商将被录入《合格供方名单》。公司对供应商进行绩效考核并分级管理，按需进行物料替代管理、供应商稽核管理，确保公司的采购质量符合ISO9001/14001体系要求，确保采购活动满足QCDS（质量/成本/交付/服务）综合目标。
　　3、生产模式
　　公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
　　公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
　　4、研发模式
　　公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
　　（1）立项阶段
　　市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
　　（2）设计输入输出阶段
　　项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
　　研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
　　研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
　　（5）研发转生产培训考核阶段
　　研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
　　批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　(1)行业的发展阶段及基本特点
　　随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
　　电信市场：2024年，5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2024年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.7亿户，全年净增3,352万户。其中，1000Mbps及以上接入速率的用户为2.07亿户，全年净增4,355万户，占总用户数的30.9%，占比较上年末提高5.2个百分点。固定互联网宽带接入端口数达到12.02亿个，比上年末净增6,612万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达到11.6亿个，比上年末净增6,570万个，占比由上年末的96.3%提升至96.5%。截至2024年底，具备千兆网络服务能力的10GPON端口数达2,820万个，比上年末净增518.3万个。在无线通信领域，5G网络建设深度覆盖。截至2024年底，全国移动电话基站总数达1,265万个，比上年末净增102.6万个。5G基站为425.1万个，比上年末净增87.4万个。5G基站占移动电话基站总数达33.6%，占比较上年末提升4.5个百分点。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延降低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据工信部《关于开展万兆光网试点工作的通知》的内容，到2025年底，在有条件、有基础的城市和地区，聚焦小区、工厂、园区等重点场景，开展万兆光网试点。以试点工作为牵引，推动产业链各方加快协同解决目前万兆光网落地应用中的重点难点问题，带动我国万兆光网核心技术和关键设备取得突破，促进构建万兆光网成熟产业链和完备产业体系，有序引导万兆光网从技术试点逐步走向部署应用。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景。运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。
　　数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型性能提高，需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。2024年，国内外CSP对AI基础设施的投资推动400G/800G以太网光模块出货量激增，进而拉动光芯片的需求。这一投资趋势在2025年持续加强，同时中国云厂商也开始进一步的跟进。在速率方面，2025年1.6T光模块将开始批量出货。随着交互速率及训练集群规模的提升，业界对功耗、散热、成本提出了更高要求，因此系统互联互通的方式需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前，硅光技术在可插拔光模块中逐步提升，特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO方案也是未来趋势，其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看，未来CPO、OIO的发展和应用，也将带来更多光互联领域的新增量。LightCounting在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。
　　(2)主要技术门槛
　　更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高壁垒。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
　　在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；未来25G/50GPON接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需求，使公司的PON光芯片产品具备更强的市场竞争力，进入下一代高速需求的迭代过程。
　　在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了400G、800G或以上高速光模块的需求增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为100GPAM4EML光芯片、70mW、100mW大光功率激光器等。目前数据中心市场仍以海外供应商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的高速EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的CWDM、LWDM需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在AI数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大功率CW激光器产品，2024年面向400G/800G硅光模块的CW芯片产品已实现百万颗以上出货，奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）硅光技术逐渐成为提升成本效率重要方案之一
　　降本、降功耗、增效始终是算力发展过程中不断追求的方向。硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料，利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。AI的爆发大幅提升了对光模块速率和数量的需求，使得降本降功耗更为紧迫，这导致了客户对硅光的接受度有望提升。目前，硅光方案的光模块在400G和800G的渗透率有明显的提升，下一代1.6T的光模块中，硅光方案占比将进一步提升。在硅光方案中，CW激光器芯片作为外置光源，硅基芯片承担速率调制功能。CW大功率激光器芯片，要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片要求更高。
　　（2）关注CPO等新技术的演进
　　随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，CPO技术通过将交换芯片和光引擎封装在一起，缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎之间更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从目前CPO相关技术路径构架来看，在CPO交换机中CW光源单颗价值量将提升，同时所需要的功率也将进一步提高。
　　（3）光芯片下游应用市场不断拓展
　　光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术的情况
　　（2）核心技术的先进性
　　1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
　　移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的设计。
　　公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50GPAM4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
　　2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的产品突破
　　目前国际先进的100GPAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开发出200GPAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
　　公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，为公司长期发展提供技术保障。
　　3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性
　　速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AInGaAs）等复合化合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外通信设备的可靠性。
　　公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可靠性，使得产品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信等国内外知名运营商网络中。
　　4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场
　　数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设计。该设计方案下，光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光芯片设计与制造技术开发难点在于高温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。
　　公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材料和设计方案；②多种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与集成制造。公司凭借该项技术，实现高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型数据中心客户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。
　　5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作
　　光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。信噪比代表主信号与背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信息传递而不受噪声干扰。相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，相移光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升主信号的比值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现，但仅能够制作等周期间距的光栅，无法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和电的综合知识，此外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。
　　公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完成10G/25G/50G芯片光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光栅技术。公司将该技术成功应用于所有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。
　　6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片
　　高速数据中心市场中，800G、1.6T及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片直调速率达到100G及以上，已成为直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率输出，弥补光传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结构的设计等。
　　公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外延工艺和光波导设计；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现50/70mW/100mW大功率激光器芯片的开发。目前，主要为海外头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。
　　7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传输，因此芯片发光耦合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的进口耦合透镜，与激光器芯片进行光模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得芯片输出的光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出高性能的产品，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。
　　公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全及成本问题。
　　8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖
　　光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易形成光反射并沿光纤返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传统解决方案为在光模块中的激光器与光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通过，避免反射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加了光模块的尺寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。
　　公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装成本，以及对进口器件的依赖。
　　9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造
　　光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要求激光器芯片的高光功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要产品之一，采用该平台成功开发的70mW/100mW大功率激光器芯片也将成为满足目前硅光应用趋势的产品。
　　10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造
　　目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员的研发、核心生产人员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率芯片的量产，也为更高速率产品的研发奠定了基础。脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺寸控制不佳会降低电注入效率与产品高速性能。
　　公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的异质结波导技术；④脊波导激光器芯片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导型激光器芯片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。
　　11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求
　　集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，此类集成芯片形成量产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不同功能区域可能为不同的外延材料、组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具备相当的难度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结构在可靠性方面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设计开发之初，考量分区的结构材料、组份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行性能设计开发，使集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。
　　此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块、长距离接入网等场景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。
　　12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求
　　硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术中需求的大功率激光器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与高光功率输出操作下，承受相对于一般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的开发门槛。
　　公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进行专项开发多年，从专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专项能力的提升，可用于大功率光输出激光器的可靠性需求。
　　13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高分光比场景下的应用需求
　　光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光损耗造成的光功率不足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此开发光放大器集成芯片制造平台，已成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速EML激光器集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。
　　此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各司其职，发光、高速调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司已在上述分立的主动式光器件积累多年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光放大器集成芯片制造平台的开发。
　　长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光芯片加上了光放大器的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品的核心竞争力之一。
　　14）高速激光器芯片的封装技术
　　高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做信号匹配和抗干扰处理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损耗，其次，封装过程中，需要搭配多个电容、电阻等元器件，同时实现多芯片的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老化、测试等环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。
　　公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化，工艺过程可追溯，整个生产制造平台已经具备量产化经验，拥有批量交付能力。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2024年12月31日，公司累计获得各类知识产权48项，其中发明专利17项，实用新型专利15项，商标11项，作品著作权5项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　为了拓展新的发展领域，进一步优化产品结构，报告期内，公司持续加大了CW硅光光源、EML等领域的投入，研发费用同比有明显的增长。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、技术积累与研发优势
　　公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代更新需要深厚的芯片设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性的工作，才能够保证良好的产品特性及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销售，自主打造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一系列核心技术。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室、材料科学实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发展的趋势为导向，及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势。
　　在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，培养了大批基础扎实、技术一流的芯片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断提升技术团队的自主创新能力和技术水平。
　　2、客户资源优势
　　公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得到了客户的高度认可。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象，同时也在境内外市场开拓了众多的直接或间接优质客户。光芯片产品在下游客户的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系，建立了较高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基础。
　　3、产品结构优势
　　公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游不同场景、不同客户对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片产品、CW光源、车载激光雷达光源等产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求，打开更广阔的市场空间。
　　4、人才团队优势
　　公司洞悉产业、市场的变化及新技术的发展，不断加强研发人员队伍建设，重视产学研结合，围绕光芯片核心领域，加强技术储备，壮大公司自主研发实力。公司组建了包含多位博士的专业研发团队，具有光通讯半导体领域多学科的人才储备，致力于新产品的迭代、新技术的深入研究，解决技术壁垒，持续推进具有市场竞争力产品的产业化进程，为公司在新产品、新技术上的不断突破提供了有力保障。
　　5、生产制造优势
　　公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定的产业规模，在生产方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性能。在自动化的生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进一步优化了智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性。在规模化制造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器、EML激光器等产品的生产制造能力，并且多数设备可以实现不同产品生产制造即时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付，并优化生产材料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面，公司具备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的全球化产能布局，有利于减少外部因素对产品交付的潜在影响。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内，公司营业收入同比上升74.63%，但归属于上市公司股东的净利润为-613.39万元，同比下降131.49%。主要系报告期内公司营业收入虽有明显增长，但业务结构仍以电信市场为主，具体产品为2.5G、10G等中低速率产品。在传统的电信市场中，随着市场竞争不断加剧，产品价格下降，毛利率有所下行。此外，为了拓展新的发展领域，进一步优化产品结构，公司持续加大了CW硅光光源、EML等领域的投入，研发费用同比有明显的增长。加之存货资产减值损失、政府补助和期间费用等因素影响，公司盈利水平同比呈现下降趋势。
　　报告期内，随着下游市场需求逐步恢复，公司营业收入有了明显增长。特别是在AI算力需求爆发的背景下，数据中心市场的光芯片产品需求大幅增加。在数据中心市场，公司已于2024年下半年成功拓展了CW硅光光源产品并实现了批量交付量产销售，收入占比逐步提升，对公司的业绩产生一定的积极贡献。但是，未来越来越多的公司进入数据中心市场，竞争日益激烈。如果公司不能与数据中心市场的客户建立稳定的合作，将导致公司难以获得足够的市场份额。同时，数据中心市场的需求可能受到经济环境波动、政策法规调整或者产品迭代等多种因素的影响，出现需求大幅减弱甚至持续低迷的不利情形，将导致公司未来经营业绩存在波动或亏损的风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　1、技术升级迭代的风险
　　随着全球光通信技术的不断发展，技术革新及产品升级迭代加速，应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。光芯片公司也需要紧跟光通信产业的发展趋势，不断进行光芯片设计优化及生产工艺改进，以技术先进且富有竞争力的产品满足通信系统及光模块产品日益提升的对速率、集成度等方面的要求。未来如果公司不能根据行业内变化做出前瞻性判断、快速响应与精准把握市场，将导致公司的产品研发能力和生产工艺要求不能适应客户与时俱进的迭代需要，逐渐丧失市场竞争力，对公司未来经营业绩造成不利影响。
　　2、新产品研发及商业化失败风险
　　公司的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，需集聚设计、研发、生产等公司多部门的技术人员相互配合，同时试制的激光器芯片产品还需要经过下游客户的严格认证，因此新产品研发及商业化具有投入大、周期长、风险高的特点。未来公司研发的新产品若因成本高、可靠性弱、性能达不到下游客户需求、无法大规模量产等因素，进而导致公司新产品无法顺利通过下游客户的认证或大批量出货，则将会对公司的经营业绩造成不利影响。目前公司主要高端产品中，100GPAM4EML、CW100mW芯片已完成客户验证，200GPAM4EML完成产品开发并推出，开始了针对更高速率EML芯片相关核心技术的研发工作。相关产品的研发进度、客户端测试进展、客户商业化导入进度、大规模量产的产能爬坡进度以及市场供需的变化情况等存在不确定性。
　　3、核心人才流失和技术泄密风险
　　光芯片行业涵盖设计、工艺等多个核心领域，光芯片制造不仅需要精通设计的技术人员，更需要经验丰富的生产工艺人员，因此公司需要不断引进和培养优秀的技术、工艺人才，并对核心员工实施股权激励，维持核心人才团队的稳定。随着市场需求的不断增长和行业竞争日益激烈，如果公司不能持续加强核心人员的引进、培养、激励和保护力度，则未来可能出现核心人员流失和技术泄密，从而对公司的生产经营产生不利影响。
　　作为国内为数不多可以自主完成外延片设计开发与规模化生产的企业之一，产品复杂的工艺流程更需要优秀、专业、与公司共同发展的人才，公司一如既往的重视核心技术人才的引入留用、激励机制及个人发展的有效执行。产品的技术创新、稳定的生产经营离不开强大的专业技术团队，公司持续将员工及公司的发展紧密结合，稳定关键人才团队，规避核心技术人员的流失风险。
　　保护技术是保护公司的竞争力，公司对相关人员签订保密协议并定期进行培训教育，同时，通过对敏感信息访问权限制、文件发送渠道授权、技术文件加密、重要数据定期备份等加强网络安全管理。通过严格管理最大限度预防技术泄密，降低泄密风险。如技术人员违反保密规定将技术信息向外部泄露，可能会对公司的市场竞争力等带来不利影响。
　　(四)经营风险
　　1、部分下游厂商与公司存在潜在竞争关系的风险
　　光芯片具有技术壁垒高、工艺流程复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因而毛利率水平整体高于产业链下游厂商，并且光芯片在光模块成本中的占比很高。部分下游厂商如海信宽带、光迅科技等，出于成本控制、产业链延拓、供应链安全等方面的考虑，积极进行整合并研发自有芯片，部分产品一定程度上与公司存在潜在竞争关系。未来如果公司不能持续推出符合市场需求的高速率产品及具有差异化优势的中低速率产品，将可能造成公司订单数量的减少，并导致公司面临更加激烈的市场竞争。
　　2、产品质量控制风险
　　公司的激光器芯片产品生产工序较多，产品工艺较复杂，随着产品迭代加快，对公司的生产工艺以及员工的生产经验都提出更高的要求，公司对质量控制的难度相应加大。行业重要客户对产品的批次质量、稳定可靠性等均有严格要求，需要公司建立适宜、有效、充分的质量管理体系。随着公司业务规模的持续增长，产品持续进行升级和迭代，以及客户对产品品质要求的不断提高，不排除由于某些不可预见的因素导致产品出现瑕疵，若产品出现严重的缺陷或质量问题，公司声誉将会受到影响，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
　　3、毛利率波动及业绩可持续性风险
　　公司产品目前主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域，具有产品不断迭代升级的特点。随着市场竞争加剧，细分产品单价下降对公司的整体毛利率产生一定影响。总体而言，公司主营业务毛利率已从2023年度41.74%下降至2024年度33.53%，共下降约8.21个百分点，其中，电信市场类产品毛利率从38.87%下降至24.62%，共下降约15.58个百分点。若公司未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，无法巩固产品的市场竞争力或在高端市场持续突破，未能契合市场需求率先推出新产品，则将会对公司的经营业绩造成不利影响，公司当前毛利率水平的可持续性也将受到影响。在下游应用领域方面，公司目前的收入结构中光纤接入领域占比仍较高，该市场以2.5G和10G速率产品为主，市场竞争较为激烈。而数据中心等高毛利产品领域中的产品收入占比仍相对较低。若上述收入结构未能改善，公司毛利率和业绩提升也将受到不利影响。同时公司在生产过程中还将面临人力成本、固定资产投入、能源成本等各方面因素影响，从而使得公司面临毛利率和经营业绩波动的风险。
　　4、客户集中的风险
　　在新产品客户拓展阶段，公司采取了优先选择与少数重点客户开展合作的策略，有助于集中资源，快速进入市场。同时，在合作中可以提供高质量的产品和服务，从而提高客户对新产品的认可和满意度。但是，也会导致客户集中度较高的风险，如果新产品在其他客户拓展中遭遇阻碍或者推进缓慢，并且重点客户的市场份额下降或竞争地位发生重大变化，可能会导致公司订单减少或流失，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、存货跌价风险
　　报告期内，公司存货跌价准备呈上升趋势，主要系公司部分低速率产品的市场竞争加剧、价格大幅下降等因素所致。如果主要产品的价格未来出现继续大幅下滑或者销售不畅，而公司未能及时有效应对并做出相应调整，将可能使得存货可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
　　2、应收账款减值风险
　　因市场环境竞争加剧和部分客户资金紧张，出现一定回款逾期。对此，公司已采用有效的应对措施，逾期款项也有明显下降。但若宏观经济形势、行业市场波动、客户财务状况或资信情况发生重大不利变化，或公司应收账款管理不当，公司可能面临应收账款存在无法收回并相应计提坏账的风险。
　　(六)行业风险
　　公司产品主要应用于光通信领域，而光芯片行业作为光通信产业链的上游，其需求易受下游电信市场及数据中心市场发展态势的影响。如果未来下游市场需求不及预期，出现需求大幅减弱甚至持续低迷的不利情形，将导致公司未来经营业绩存在波动的风险。未来若数据中心市场发展不及预期、国产化替代进程受阻、数据中心领域产品迭代速度加快或行业竞争加剧，公司在数据中心市场的销售收入将受到较大影响。
　　(七)宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦特别是中美贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护、加征关税等手段，试图制约我国产业升级发展。光通信行业也面临全球供应链重构和地缘政治风险。目前，公司对美国直接销售额较小。但如果未来关税及豁免政策变化，可能导致下游客户需求减少，或者将关税成本向上游转嫁的风险，从而对公司经营造成一定的不利影响。对此，公司会持续推进国际化战略，进一步完善全球产能布局，积极拓展多元化的客户资源。
　　公司生产激光器芯片产品所需的部分设备、部分原材料来自境外厂商。公司正在逐步加大国内供应厂商的占比。但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦进一步加剧，导致部分供应商未能及时甚至无法供货或提供设备，公司的正常生产经营将受到重大不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期公司实现营业收入25,217.27万元，同比增加74.63%；归属于母公司所有者的净利润-613.39万元，同比下降131.49%，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-1,142.60万元。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　请“第三节管理层讨论与分析”之“二报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明”之“（三）所处行业”之“3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势”。
　　(二)公司发展战略
　　公司将立足“一平台、两方向、三关键”的战略部署，继续深耕光芯片行业，着力提升高速率激光器芯片产品的研发能力，努力攻克亟待突破的“卡脖子”瓶颈。其中，“一平台”是指公司在加强光芯片产业资源整合的基础上，着力打造良性的人才梯队，加速研发成果的转化，构建一流的人才平台。“两方向”是指纵向延拓与横向发展并行——纵向延拓方面，在现有的光通信领域中继续纵向深耕，推出更高速率的激光器芯片产品；横向发展方面，不断扩充光芯片新的应用场景，积极向激光雷达、消费电子等领域布局探索。“三关键”是指持续培育并夯实开发高质量光通信领域激光器芯片产品所需的三大关键技术力，即前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术，公司将加大投资并加强专业培训，进一步深化技术优势。
　　(三)经营计划
　　1、市场计划
　　公司把握光芯片市场的发展契机，密切关注市场需求的发展动态，持续加强市场开拓力度，以自主光芯片核心能力构建的技术实力为驱动，积极拓展下游客户，稳固并提升公司的行业地位。面向PON市场、无线市场、数通市场几大应用市场开展业务，把握人工智能带来的市场机遇，推进国内外市场的拓展和销售。为更好地服务大客户，公司将持续投入资源加强销售体系建设，提升整体营销水平，在产品销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。此外，为公司未来拓展其他客户做好充足准备，公司定期对营销和技术服务人员进行培训，内容包括产品及技术参数理解、销售专业技能、客户技术服务等。
　　2、研发计划
　　公司始终坚持以客户需求为导向，紧盯世界光芯片的发展前沿，尤其人工智能带来的对光芯片的需求的变革，向更高速率、更大功率、更高集成度等方向研发探索。公司持续增加研发投入，将在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。同时，公司将加强与相关高校的技术合作，增强自主创新能力，实现研发与生产的紧密结合，从而促进公司产品技术水平的提高，提升核心竞争优势。
　　3、人才计划
　　根据公司发展规划持续加大人才建设投入，实施战略布局，加强人才梯队建设，为有效推动公司战略目标实现提供坚实的人才保障。在人才引进方面，公司持续通过多渠道储备行业领域内专业人才，优化人才队伍；在人才留用方面，结合年度人才盘点，关注重点人员、梯队人员的留用及发展，将公司目标与个人发展相结合，提供清晰的职业晋升通道和发展路径，稳定核心团队；在人才激励方面，建立有竞争力的激励机制，通过股权激励、绩效考评、专项奖金等激发员工的积极性和创造力，通过多样化的关怀措施和团队建设活动，增强员工的归属感和凝聚力，实现个人成长与公司发展的双赢。
　　4、生产计划
　　公司将进一步优化生产制造体系，重点围绕产能扩张、技术升级、自动化提升、生产管理等几方面展开：通过募投项目的实施，加大对核心设备进行采购，稳步扩大产能，提升高端激光器芯片制造产能；在制程工艺方面，稳定现有制程，开发新工艺，搭建下一代工艺制造平台；继续提升制造和检测自动化水平，保证制程稳定，提升生产效率；加强数字化管理能力，全面升级智能制造管理系统；提升人员制造管理水平，通过加强部门协同，精细化工序管理，提升交付能力及效率，并进一步优化库存管理；进一步完善全球化产能布局，有序推进海外建厂工作。 收起▲