公司发布2026年半年度报告，实现营业收入1503.10亿，同比+873.6%，实现归母净利润776.05亿，同比扭亏799亿元，毛利率为84.7%。26Q2实现营收995.10亿，同比+977.4%，环比+95.9%，实现归母净利润528.43亿，同比扭亏536亿元，环比+113.4%，毛利率87.6%，收入利润增速超出预期。
　　投资要点：
　　经营质量较高，自由现金流充沛，上市后研发扩张，产能提升，已部分体现。1）26Q2基于经营现金净流入885.9亿元，购建固定资产无形资产等现金流出122.0亿元，自由现金流约763.9亿元，超过26Q2归母净利润528.4亿元，体现较高经营质量。2）分析“间接法现金流量表”，存货与应收款在膨胀，经营性应付高增（26Q1、26Q2为51.0、113.2亿元），体现对上游账期的话语权。3）25Q4-26Q1-26Q2存货为285.7/318.9/351.3亿元，每个季度约提升30亿元。根据存货披露明细：原材料平稳，增长明显的是“在产品”与“产成品”。尽管其占用运营资金，但对于长鑫潜在广阔客户，应主要体现产能提升，不构成经营风险。
　　收入结构向“AI算力驱动”转型，LPDDR6量产在即。DDR系列收入占比从2025年的31.87%提升至2026年H1的46.22%，已接近半壁江山，公司收入正从“移动消费驱动”向“AI算力驱动”转变。DDR5持续放量，服务器级DDR5单GB价值量高于消费级LPDDR，毛利率从Q1的79.2%提升至Q2的87.6%即为佐证。与阿里、字节跳动、腾讯等头部客户开展深度合作，有望受益于行业LTA趋势带来的需求可见度提升。收入质量更优，估值体系有望从周期股向成长股切换。半年报首次正式披露LPDDR6产品，峰值速率达12800Mbps，较LPDDR5X提升约20%，达到同期国际先进水平，目前已向关键客户送样验证。预计下半年将率先量产，高价值量的LPDDR6将与DDR5构成“双轮驱动”的新增长极。
　　DRAM供给紧缺格局延续，3DDRAM开辟新赛道。据快科技报道，长鑫存储已将战略重心转向定制化3DDRAM技术研发，已在合肥搭建键合DRAM研发线，依托DUV设备搭配多重曝光工艺攻坚10纳米级高性能DRAM量产。此外，高通与兆易创新合作开发的一款独立NPU将搭配4GB定制3DDRAM，由长鑫存储制造，采用TSV和混合键合堆叠技术，预计2026年底或2027年初出货。与传统巨头大规模标准化量产不同，3DDRAM强调“小批量、定制化”，与具体应用场景深度绑定，长鑫有望借此在细分赛道中建立差异化优势。
　　维持“买入”评级。维持盈利预测，预计26-28年归母净利润为1590.53/2923.05/3870.57亿元，对应26-28年PE分别为25/13/10X，维持“买入”评级。
　　风险提示：存储周期下行风险，市占率提升不及预期风险，技术差距风险，股权分散风险。

　　长鑫科技发布2026年半年报。2026H1公司实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；实现归母净利润776.05亿元、扣非归母净利润787.93亿元，较上年同期的亏损23.32亿元、23.87亿元实现扭亏。2026H1公司销售毛利率为84.74%，同比提升71.74pcts；销售净利率为71.55%，同比提升98.03pcts。单季度看，26Q2公司实现营业收入995.10亿元，环比增长95.89%；实现归母净利润528.43亿元，环比增长113.40%；实现扣非归母净利润524.52亿元，环比增长99.13%。26Q2销售毛利率为87.59%，环比提升8.43pcts；销售净利率为74.91%，环比提升9.93pcts。
　　产品矩阵持续完善，LPDDR6量产强化高端产品竞争力。公司已完成DDR与LPDDR系列的全产品布局，其中DDR产品完成代际升级，聚焦DDR5主流产品量产供应，可提供8GB、16GB、32GB、64GB、96GB及128GB等多种容量规格的DRAM模组，覆盖服务器、个人电脑等应用市场；LPDDR产品已形成从LPDDR4X、LPDDR5/5X到LPDDR6的完整布局，其中LPDDR4X及LPDDR5/5X已实现量产出货，LPDDR6亦正式量产，并由玄戒O3首家支持、小米18Fold首发搭载。LPDDR6实现全球首次商业落地，标志着公司在高端移动内存领域取得重要突破；随着产品向更高速度、更大容量持续迭代，公司有望进一步拓展智能手机、平板电脑、智能汽车等应用市场，提升DRAM综合解决方案能力。
　　AI资本开支持续扩张，DRAM及HBM维持高景气。TrendForce预计，全球九大CSP资本支出将由2025年的4660亿美元增至2026年的9220亿美元、2027年的1.38万亿美元，分别同比增长98%和50%；DRAM、NANDFlash合计占CSP资本支出的比例预计由2026年的47%提升至2027年的68%。价格方面，ServerDDR5合约价26Q1、26Q2分别环比上涨93%-98%、53%-58%，26Q3、26Q4预计继续上涨13%-18%、3%-8%；LPDDR5X合约价2026H1环比上涨30%-40%，H2预计上涨100%-150%，2027年HBM合约价仍可能上涨70%-140%。供给结构方面，2026年HBM与RDIMM合计将占DRAM供给位元的51%，2027年ServerDRAM与HBM供给位元预计增长27%，高端存储需求持续吸收有限产能。长鑫作为国内主要DRAM厂商，已形成DDR及LPDDR产品矩阵并实现LPDDR6量产，有望受益于DRAM供需紧张、价格上行及高端产品持续放量。
　　盈利预测与投资建议：综上所述，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和迭代，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。我们预计公司在2026/2027/2028年分别实现营业收入3030.5/4690.7/6329.1亿元，同比增长390.4%/54.8%/34.9%，实现归母净利1526.2/2421.2/3326.4亿元，同比增8040.1%/58.6%/37.4%。当前股价对应2026/2027/2028年PE分别为26/16/12X。长鑫科技作为国内DRAM龙头，产能处于快速爬坡阶段，同时有望受益于国产化趋势，给予“买入”评级。
　　风险提示：周期波动风险、地缘政治风险、市场竞争风险。

　　国内DRAMIDM领军。公司拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，按产能与出货量口径位列全球第四、中国第一。2025年第四季度全球市占率已达7.67%，在三星、海力士、美光三家合计占比超90%的格局中，是唯一进入主要厂商阵营的中国大陆企业。终端客户涵盖阿里云、腾讯云、浪潮、联想及主流手机厂商，前五大客户占比约68%，已切入国内AI算力核心供应链，产能利用率达95.73%。
　　持续升级，结构变化，营运暂健康。1）高管来看，公司管理人员具备资深半导体从业背景，核心管理层深耕存储芯片领域；2）收入结构角度：LPDDR系列为公司当前主要收入来源，但收入结构正经历从“移动消费驱动”向“AI算力驱动”的关键切换，证据为DDR系列收入占比，由2024年的13.26%增长到2025年的31.87%。3）产品迭代清晰。2018年启动产品工程投片；2019年推出自主研发的8GbDDR4，实现中国大陆DRAM产业“从零到一”突破；2020年推出LPDDR4X；2023年实现LPDDR5量产；2024年DDR5推出；2025年落地LPDDR5X。采用第一代工艺技术平台的DDR4产品于2024年底已停止生产，当前以第三、四代工艺技术平台量产为主。中长期公司将持续丰富现有产品，开发更大容量、更高带宽、更低功耗新品，并前瞻布局下一代DRAM技术。4）尽管规模快速增长，营运暂健康，依据是存货售价预期公允，经营现金流合理、主要用于购买设备，多项周转天数正常。
　　在未来，预计AI增量重塑行业属性，“价格窗口”创造额外红利。全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元。需求驱动力从消费电子转向云巨头资本开支，LTA长约锁定六至七成服务器级DDR5产能、显著收窄周期振幅；供给端三大原厂总量克制、六成以上先进制程产能倾斜HBM与传统DRAM扩产放缓，为长鑫留出加速追赶窗口。
　　首次覆盖，给予“买入”评级。预计2026-2028年营业收入3290.14/5879.94/7823.98亿元，归母净利润1590.53/2923.05/3870.57亿元。2）综合考虑三种因素：长鑫科技可比的A股半导体领军估值倍数、海外存储公司的估值倍数、公司Alpha，给予其2027年20XP/E目标，对应5.85万亿市值。首次覆盖，给予“买入”评级。
　　风险：存储周期下行风险，市占率提升不及预期风险，技术差距风险，股权分散风险等。

　　投资要点：
　　长鑫科技是中国第一、全球第四大DRAM一体化供应商，2026Q1全球DRAM市场份额7.7%，份额持续提升。依托合肥地方产业资本与国家集成电路大基金支持，公司实现DRAM全产业链自主可控。2025年公司营收617.99亿元，同比增长155.60%；归母净利润18.75亿元，同比增长126.24%，经营实现扭亏。
　　AI算力带动需求扩张，存储产业迎来发展新机遇。1）复盘存储历史周期，历史几轮上行行情分别由PC普及、智能手机迭代、线上经济需求拉动；本轮在AI算力需求拉动之下，存储价格维持上行通道。我们判断，本轮存储高景气有望贯穿2026全年。2）全球DRAM市场规模高速扩张。据Omdia数据，2025年市场规模达1505亿美元；AI服务器单台DRAM搭载量为传统通用服务器的8-10倍，配套HBM成长空间广阔。3）全球DRAM市场格局高度集中。Samsung、SKhynix、Micron三家合计占据九成以上份额，长鑫科技是国内唯一可大规模量产DRAM的企业，国产替代空间广阔。在行业需求扩张、存储芯片涨价的背景下，公司2026Q1业绩爆发，实现营收508.00亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。
　　HBM技术持续突破，产品结构优化打开存储ASP上行空间，公司业绩具备长期增长潜力。1）技术制程稳步追赶国际龙头，长鑫持续缩小与Samsung、SKhynix、Micron的技术代差，目前已实现G4工艺规模化量产，同步推进G5先进制程研发。2）高端存储产品布局加速落地，公司已完成HBM2/HBM2E样品验证，在研HBM3/HBM3E新一代高端存储产品，计划2026年推进小批量试产，完善AI算力配套高端存储矩阵。2026Q1Samsung、SKhynix、Micron单Gb均价分别达1.02、1.24、1.10美元；相较之下，公司当前服务器等高附加值存储营收占比偏低，整体存储均价与海外龙头存在显著差距。我们认为，随着DDR5、HBM等高溢价产品持续放量，公司产品结构将持续优化，带动整体存储均价稳步抬升。
　　投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2026-2028年营业收入分别为2796.17/4277.58/6077.16亿元，同比增加352.46%/52.98%/42.07%；归母净利润分别为1412.70/2413.40/3498.13亿元，对应当前股价PE分别为27.25/15.95/11.00x。公司作为国内存储领域核心标的，有望充分受益存储芯片价格上行周期，同时把握AI算力产业带来的长期需求红利。
　　风险提示：1）长鑫科技存储工艺良率爬坡不及预期；2）存储行业周期性波动风险；3）高端光刻机及海外设备出口管制风险；4）HBM高端产品量产与客户认证不及预期。