Earnings forecasts and valuation
As the DRAM sector remains buoyant with prices set to stay elevated and the company continues to expand output and market share through process upgrades, we raise our 2026/2027/2028 revenue forecasts by 12.6/4.5/3.3% to RMB403.05/744.29/1,008.46bn, and revise up our attributable net profit forecasts by 14.1/3.1/5.8% to RMB197.94/364.39/483.64bn, implying an industry-leading 2027-2028E attributable net profit CAGR of around 56.31%. Considering its peers’
(Samsung Electronics, SK Hynix, and Micron) average 2027E PE of 3.6x on Bloomberg consensus and the sector’s 2024-2026 historical average PE of 10.1x, alongside the company’s growth profile, leadership, technology catch-up stage, and A-share scarcity, we value the stock at 11.0x 2027E PE (previous: 14.5x, lowered mainly on a sector valuation contraction). Our target price is RMB59.00 (previous: RMB75.4). Maintain BUY.
Risks: slower-than-expected product R&D progress, intensifying market competition, downstream demand fluctuations, weaker-than-expected supply -chain stability.

　　公司前三季度实现营收2690.24亿元（yoy：+738.5%），净利润1965.32亿元，归母净利润1320.40亿元，同比实现扭亏为盈。其中，3Q26单季实现营收1187.14亿元（yoy：+613.2%，qoq：+19.3%），净利润889.83亿元（同比扭亏，qoq：+19.4%），归母净利润544.35亿元（同比扭亏，qoq：+3.0%）。受益于DRAM价格持续上行，3Q26公司收入同环比保持较快增长，且毛利率提升至89.53%（qoq：+1.93pct），营业利润率达83.43%（qoq：+1.32pct），其中，归母净利润环比增速低于净利润，主要受公司在子公司的权益结构影响。AI驱动DRAM市场景气上行，看好公司作为国产DRAM龙头充分受益于存储周期上行与国产替代加速，维持“买入”。
　　3Q26回顾：DRAM景气度持续上行，公司毛利率环比继续攀升
　　DRAM行业持续供不应求，TrendForce数据显示3Q26ConventionalDRAM价格环比增长约13%-18%。得益于产品价格稳步增长，公司单季营收延续高速增长态势。盈利能力方面，在DRAM价格上行与高附加值产品占比提升共同推动下，3Q26公司单季综合毛利率达约89.53%（yoy：+54.53pct，qoq：+1.93pct），环比进一步攀升；费用端，公司积极管控费用，且伴随规模效应显现，主要期间费用率（销售+管理+研发）环比下降1.14pct至4.39%，推动营业利润率环比增长1.32pct至83.43%。技术与产品方面，公司第五代工艺技术平台已实现量产，在4F2垂直沟道DRAM架构方面亦取得关键突破，且基于第六代工艺技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证，产品工艺升级迭代进展顺利。
　　4Q26及27年展望：DRAM价格保持坚挺，工艺升级驱动成长加速
　　展望4Q26和27年，受AI应用快速发展带来的需求驱动，DRAM市场供不应求态势有望延续，DRAM产品价格或仍将保持坚挺，TrendForce（9/30）预计4Q26ConventionalDRAM价格将环比增长约10%-15%。此外，公司通过产品结构优化以及产品工艺迭代有望进一步驱动增长加速：1）AI服务器需求持续旺盛，带动DDR5等高端规格、高附加值存储产品供不应求，公司顺应市场趋势，加大对DDR5、LPDDR6等先进产品的投入，有望带动营收结构优化，进一步增强盈利能力；2）公司持续推进产品工艺研发迭代，已量产的第五代工艺技术平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，且第六代、4F2架构等技术开发进展顺利，可显著提升产品能效，助力公司更好构筑中长期竞争力，进一步提升全球市场份额。
　　盈利预测与估值
　　DRAM行业仍保持较高景气度，价格有望维持高位，且公司持续通过工艺升级提升产出和市场份额，预计公司2026-2028年营业收入为4030.5/7442.9/10084.6亿元（较前值：+12.6%/+4.5%/+3.3%）；对应归母净利润1979.4/3643.9/4836.4亿元（较前值：+14.1%/+3.1%/+5.8%），2027-2028年归母净利润CAGR预计约56.31%，为行业前列。考虑2027年可比公司（三星、SK海力士、美光）平均PE为3.6倍，2024-2026年行业历史PE均值为10.1倍，结合公司成长性、行业地位、技术追赶阶段及A股稀缺性，我们给予11.0x27年PE（前值：14.5x，下修主因板块估值下滑），给予目标价59.0元（前值：75.4元），维持“买入”评级。
　　风险提示：产品研发进展，市场竞争加剧，下游需求波动，供应链稳定性。

　　事件：公司发布2026年前三季度业绩预告，预计实现营收2650亿~2700亿元，YoY+726%~741.5%；归母净利润1310亿~1325亿元，同比扭亏为盈。此外，公司公布回购计划，回购资金总额不低于10亿元且不超过20亿元，回购股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少注册资本。该回购计划目前尚处于董事长提议阶段，需经董事会或股东会批准后才能施行。
　　投资要点：
　　三季度同比增速依然较快。单三季度来看，公司预计实现营收1146.9亿~1196.9亿元，YoY+589%~619%，QoQ+15.25%~20.28%；归母净利润533.95亿~548.95亿元，同比扭亏，QoQ+1.04%~3.88%。我们判断归母净利润的环比增长略弱于营收的原因可能有少数股东权益的影响、新产线折旧前置或HBM等战略投入当期费用化等。
　　G5工艺平台已实现量产，产出相比G4提升50%。2026年9月20日长鑫在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）已经实现量产，并同步展出两款基于该平台打造的24GbLPDDR5X新品，目前两款产品目前均进入规模量产阶段，主要面向中高端智能手机和便携式消费电子产品。通过四重曝光技术，公司将内存阵列有源区的半间距缩小到了11.95nm，已经接近目前全球领先DRAM量产平台的工艺水平，按照8Gb颗粒基准折算，G5平台每片晶圆的裸片产出数量，相比第四代平台至少提升50%。
　　加速推进4FDRAM技术推进，目标年底推出服务器DDR5RDIMM。根据第一财经信息，2026年10月10日长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上透露新的DRAM技术进展，预计2026年底推出采用4FDRAM架构的新一代DDR5RDIMM产品。4F代表单元面积压缩至4倍最小特征尺寸的平方，同面积存储密度可提升30~50％。与消费级存储器不同，DDR5RDIMM面向服务器市场，必须支持7×24小时不间断运行，能承受带电热插拔的电压冲击，并与不同厂商、不同代际的CPU和主机板完成数百项严苛兼容性测试。将产品的首次使用场景置于服务器，意味着技术验证标准更为严苛，也有助于在高端市场建立信任。
　　3DDRAM开辟新赛道。与传统巨头大规模标准化量产不同，3DDRAM强调“小批量、定制化”，与具体应用场景深度绑定，长鑫有望借此在细分赛道中建立差异化优势。
　　维持盈利预测，维持“买入”评级。维持盈利预测，预计2026-2028年归母净利润为1590.53/2923.05/3870.57亿元，对应2026-2028年PE分别为18/10/7X，维持“买入”评级。
　　风险提示：存储周期下行风险；市占率提升不及预期风险；技术差距风险；股权分散风险。

　　事件概述
　　2026年10月17日，长鑫科技集团股份有限公司（688825.SH）发布2026年前三季度业绩预告。公司预计实现营业收入2,650.00–2,700.00亿元，同比增长725.96%–741.54%；预计实现归母净利润1,310.00–1,325.00亿元，上年同期亏损52.80亿元，实现扭亏为盈。上述数据为公司初步测算，未经审计，具体以正式三季报为准。公司表示，AI算力需求快速增长带动全球DRAM供不应求、价格大幅上涨；公司推进产能建设、产品研发和工艺提升，提高单位晶圆产出及产能利用率，规模效应持续显现。按前三季度预告中值测算，第三季度单季营收为1,171.90亿元，归母净利润为541.45亿元。
　　分析判断:
　　营收与利润大幅增长
　　结合前三季度预告、半年报及招股书数据测算，第三季度单季营收为1,146.90–1,196.90亿元，环比增长15.25%–20.28%；归母净利润为533.95–548.95亿元，环比增长1.04%–3.88%。按区间中值计算，单季营收及归母净利润环比分别增长17.77%和2.46%，本次预告中业绩增长核心原因是AI需求带动DRAM供不应求导致价格上涨，同时公司通过提升工艺，提高了单位晶圆产出和产能利用率，叠加公司积极拓展市场推动业务规模不断扩张。我们认为归母净利润环比增速较低的原因是合肥二期和北京厂Q3的利润占比快速提升，少数股东损益增长影响归母净利润的释放。
　　4F新品计划面向服务器，关注器件与集成工艺协同
　　10月10日，据上海证券报、科创板日报对公司总裁曹堪宇大会演讲的报道，长鑫4FDRAM架构研发取得关键进展，预计2026年底推出融合先进器件、4F架构与混合键合技术的新一代DDR5RDIMM，面向服务器内存市场，具体规格及发布日期尚未披露。相较目前主流6F架构，4F路线通过调整存储单元结构提升密度；公司自研VSG晶体管采用垂直包围沟道结构，以增强栅控、改善漏电与短沟道问题，并优化字线、位线和结激活等工艺，已公开相关专利族超过300件。混合键合探索则将DRAM与CMOS工艺分开优化，再通过晶圆级键合互联。该路线将公司技术布局从既有工艺微缩延伸至存储单元架构与集成方式创新，若新品顺利推出并通过客户验证，有望增强服务器产品竞争力；目前仍属研发进展和推出计划，量产规模与收入贡献尚待验证。
　　投资建议
　　全球DRAM供需偏紧格局延续，AI算力需求持续支撑高端存储市场景气。供需偏紧有望支撑存储价格维持高位震荡，甚至进一步上行。若存储价格在高位继续上涨，在销量稳定、成本和费用增幅可控的情况下，涨价带来的收入增量有望更多转化为利润，叠加工艺迭代和单位晶圆产出提升，进一步放大公司的利润弹性。结合三季度业绩预告，上调2026–2028年盈利预测：预计营收3,946.11/5,692.69/9,602.26亿元（原预测为3,262.05/4,481.24/7,585.82亿元），同比增长538.5%/44.3%/68.7%；归母净利润1,967.19/2,933.59/5,334.05亿元（原预测为1,544.11/2,180.47/4,071.42亿元），同比增长10,392.5%/49.1%/81.8%；EPS为2.90/4.32/7.86元。按2026年10月16日收盘价45.02元及当前总股本计算，对应PE约16/10/6倍，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　DRAM价格波动、下游需求不及预期、单季利润率回落、4F等新技术研发和客户验证进度不及预期、资本开支与折旧压力。

　　首次覆盖长鑫科技并给予“买入”评级，给予75.4元，对应2027年PE14.5倍。公司是我国收入规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化IDM企业，已完成第一代至第四代工艺平台量产，产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X等主流代际，广泛应用于服务器、手机、PC及智能汽车等下游。据Omdia，按2025年四季度销售额其全球DRAM市场份额位列第四、中国第一。展望未来，AI拉动DRAM与HBM需求快速增长、原厂有效产能释放存在时滞，存储行业景气有望延续；叠加供应链自主可控诉求提升，公司作为国产DRAM龙头有望依托持续迭代的工艺平台与逐步释放的产能，加速导入国内核心客户、持续提升市场份额。
　　AI驱动存储周期高景气，HBM带来行业新成长机遇
　　AI大模型训练与推理对高速存储需求快速抬升,对高容量DDR5与HBM均提出更高需求。根据我们测算，在AI数据中心强劲拉动下，2026-2027年全球DRAM供需紧张趋势仍将持续。DRAM行业保持较高景气度，据TrendForce，全球DRAM市场规模有望从2025年的1536亿美元增长至2026年的6554亿美元，同比增长326.6%。此外，HBM将带来更具弹性市场空间，据IDC数据，全球HBM市场规模有望从2026年的574亿美元增长至2030年的1703亿美元，4年CAGR达31.2%，相关布局厂商或将充分受益。
　　本土DRAM芯片龙头技术最先进、布局最全，国产替代加速进行
　　DRAM行业技术与资金门槛较高、格局高度集中，三星、SK海力士、美光三大原厂长期寡头垄断，而中国是全球最大的DRAM需求市场。在AI算力需求高增与供应链安全、自主可控诉求提升双重背景下，国内客户导入本土DRAM供应商的动力有望持续增强，国产替代空间广阔。长鑫科技是我国收入规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM一体化IDM企业，已完成第一代至第四代工艺平台量产，DDR5、LPDDR5/5X等产品在主流规格上的覆盖度已对齐三大原厂，第五代工艺平台研发同步推进。依托持续迭代的工艺平台、逐步释放的产能以及广泛的头部客户积累，公司有望在国产替代趋势下持续提升市场份额，成长潜力可期。
　　我们与市场观点不同之处
　　市场担忧各大原厂陆续扩产将致本轮上行周期加速见顶，进而担心公司成长性。我们认为公司成长逻辑强于周期，主要有两点不同：其一，本轮上行核心驱动来自AI训练与推理，需求确定性与持续性强于以往消费电子驱动的周期，且存储原厂产能扩产存在时滞，据我们测算26/27年供需有望维持偏紧，叠加原厂多年期长协锁定量价，行业景气确定性显著增强；其二,公司当前份额仍处较低水平，而国内需求空间广阔，份额提升本身即构成独立于周期的成长来源，公司有望凭借份额扩张实现超越行业的成长。
　　盈利预测与估值
　　预计公司2026-2028年营业收入3578.8/7123.6/9767.1亿元，同比增长479.10%/99.05%/37.11%；对应归母净利润1734.2/3533.2/4573.3亿元，同比增长9150%/103.74%/29.43%。2027年可比公司（三星、SK海力士、美光）平均PE为4.8倍，行业历史PE均值为10.1倍。结合公司成长性、行业地位、技术追赶阶段及A股稀缺性，我们给予一定溢价，给予目标价75.4元，对应2027年PE14.5倍，首次覆盖给予买入评级。
　　风险提示：产品研发进展，市场竞争加剧，下游需求波动，供应链稳定性。

事件描述
　　公司发布2026年三季报，2026年前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；实现归母净利润1320.40亿元，同比扭亏；实现扣非归母净利润1340亿元，同比增长127x。其中26Q3单季度实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%，归母净利润544.35亿元，同比扭亏，环比增长3.01%。考虑到公司长鑫新桥、长鑫集电的少数股东损益，公司三季度环比增长符合市场乐观预期。
　　事件点评
　　长鑫科技是国内第一、全球第四的DRAM研发设计制造一体化企业，产品覆盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、DDR5X及LPDDR6全系列，广泛应用于服务器、移动设备、PC、智能汽车等领域，客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部厂商。AI服务器用HBM2e、HBM3及3D DRAM产品研发持续推进，4F2-CBA技术处于行业领先水平。
　　DRAM维持超级景气，公司份额持续提升。 2025年下半年以来，AI算力需求快速增长，全球存储行业景气度显著提升，HBM产品供不应求、普通DRAM产能挤占，价格实现大幅增长，同时，AI推理及智能体应用带动高容LPDDR、RDIMM需求抬升，公司作为全球少数颗粒原厂充分受益于价格景气周期，市场份额不断抬升，根据Trendforce统计，截至2026年中，长鑫科技市占率达9.5%，环比提升1.9pct。
　　G5平台全面量产，4F架构全球领先。1）2026年9月，公司宣布第五代DRAM技术平台实现量产，公司利用四重曝光技术实现内存阵列有源区半间距至11.95nm，并通过变革工艺及采用新材料，存储密度跨越式提升，单片晶圆产出裸片数量较G4平台提升50%以上。2）公司在4F垂直沟道架构上具备先发优势，预计于年底推出基于该项技术的DDR5 RDIMM产品。4F技术是通过重构晶体管结构，将沟槽由水平变为垂直，理论条件下，相比6F架构，存储单元面积有望减少30%，每片晶圆裸die数量有望提升。
　　大额回购彰显长期发展信心。2026年10月，公司发布回购股份公告，拟以不超过人民币72.69元/股的价格回购10-20亿元对用股份。2026年11月，公司董事长进一步提议将回购金额增加值25亿元至50亿元，存储代工为重资产行业的背景下，回购金额大幅提升，彰显公司长期发展信心。
　　投资建议
　　受AI需求扩张及对成熟制程产品产能挤占，存储晶圆厂需求旺盛，公司作为国内第一、全球第四的DRAM颗粒原厂受益于存储超级周期，同时自研的G5平台及4F技术打破EUV对先进制程的垄断，有望随AI服务器放量发展充分受益。预计公司2026-2028年EPS分别为3.04\4.82\5.79，对应公司11月06日收盘价的2026-2028年PE分别为14.5\9.2\7.6，首次覆盖给予“增持-A”评级。
　　风险提示
　　1）DRAM价格波动风险。存储为强周期行业，公司盈利对DRAM价格高度敏感。需求端AI资本开支降低或供给端行业新增产能集中释放将导致供需格局逆转，进而。2）产能扩张与资本开支风险。全球DRAM持续紧缺，公司加大资本开支提升产能。若技术迭代、设备进场、良率爬升或产能利用率不及预期，可能影响当期利润水平。3）新技术迭代风险。公司持续推进研发HBM、3D DRAM及4F2-CBA工艺，但在先进制程、混合键合等环节与三星、海力士等国际大厂存在一定差距，若技术路线判断失误或国际竞争加剧可能影响公司全球份额。4）次新股定价风险。公司上市时间较短，次新股估值体系尚未完全定价，存在一定风险。

　　国产DRAM一体化龙头，产能、工艺与研发实力持续迭代，业绩实现扭亏高增。长鑫科技是国内唯一、全球第四的DRAM全链路IDM厂商，依托合肥、北京三座12英寸晶圆厂实现产能持续爬坡，公司采取跳代研发路线，多代工艺平台顺利量产，DDR5、LPDDR5X已批量供货，HBM3完成头部云厂商验证，前瞻布局高端AI存储产品。公司研发团队规模庞大、专利储备充足，股权由国资、员工平台多元制衡，无控股股东，兼顾产业扶持与市场化管理；财务端2022至2026H1完成由深度亏损到大幅盈利的转变，营收、毛利率同步高速改善，295亿元募投项目将持续推动产线技改与前沿技术研发，中长期产能与技术成长空间充足。
　　AI算力重塑DRAM供需格局，行业持续高景气，为长鑫带来广阔成长红利。AI算力建设带来服务器DRAM长期增量，全球DRAM需求高增，大幅对冲手机、PC消费端需求疲软，行业周期逻辑发生根本性变化。同时，存储厂商随下游需求动态调控产能，但晶圆厂建设及产能爬坡周期长达数年，未来几年DRAM行业或将延续供不应求态势。全球DRAM市场规模持续高速扩张，国内需求占比超四分之一但本土供给不足，叠加地缘摩擦下供应链自主可控需求提升，国产替代、新技术迭代两大逻辑共同打开行业长期成长天花板。
　　长鑫聚焦高毛利DRAM赛道，工艺技术、IDM模式、产品、客户、供应链优势构筑核心成长壁垒。公司完整覆盖DRAM设计、制造、封测、模组全链条，DDR、LPDDR产品性能对标海外三巨头，广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游；相较三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务，公司聚焦高毛利DRAM赛道，盈利弹性更显著。随着国内云厂商、消费电子品牌持续导入国产存储，客户规模稳步扩张，同时公司积极推进供应链的多元化、本土化，增强供应链的安全保障能力，降低国际贸易摩擦带来的供应链风险，叠加多厂区产能有序释放、高端产品占比持续提升，中长期业绩增长具备坚实支撑。
　　盈利预测与投资建议：综合来看，长鑫科技深度受益AI算力长期增量、DRAM行业超级上行周期、国内存储国产替代三大核心红利，公司产能持续释放、募投项目助力工艺与高端产品迭代，DDR、LPDDR双产品线量价共振驱动营收与毛利率同步上行，叠加HBM前瞻布局打开远期成长天花板。我们预计公司2026/2027/2028年营业收入分别为2,948.74/4,533.45/6,132.44亿元，归母净利润分别为1473.66/2471.89/3320.86亿元，预测期内成长动能充足，业绩具备向上弹性，首次覆盖，给予公司“增持”评级。
　　风险提示：主营业务收入不及预期风险；公司存在累计未弥补亏损的风险；产品及技术研发不达预期的风险；人才短缺或流失的风险；客户集中度较高的风险；国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险；无控股股东和实际控制人的风险；毛利率不及预期的风险；管理费用率上升的风险等。