一、报告期内公司所属行业及主营业务
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车、工控等重点应用领域客户的需求。
　　3、行业情况
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。
　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。
　　据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。
　　发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达到了优秀水平。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将同比增长13.1%，到2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%，从地区来看，亚太地区预计增长10.4%。Gartner则预测全球半导体收入预计将在2025年增长14%，达到7170亿美元。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omdia的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元；根据中商产业研究院预测数据，2024年中国功率半导体的市场规模达到238亿美元，其中功率IC市场占54.3%，MOSFET占16.4%，功率二极管占比14.8%，IGBT占比12.4%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiC MOSFET为代表的功率器件需求旺盛。
　　②按应用领域
　　随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏及储能、无人机、5G、物联网等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　新能源汽车及充电桩汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐渐成熟。据中国汽车工业协会分析，2025年上半年我国汽车产销量首次双超1500万辆，均同比实现两位数增长，汽车产业活力持续释放，对拉动市场整体增长贡献显著。随着一系列政策的出台落地，政策组合效应不断释放，多措并举共同激发了车市终端的消费活力，此举将进一步释放汽车市场的消费潜力。中汽协数据显示，2025年1-6月，汽车产销分别完成1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销分别完成696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。汽车出口方面，2025年1-6月，汽车整车出口308.3万辆，同比增长10.4%，新能源汽车出口106万辆，同比增长75.2%。预计至2025年末，我国汽车市场将继续呈现稳中向好发展态势，汽车产销将继续保持增长，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。
　　随着新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。根据YOLE报告显示，汽车上的半导体器件市场规模将从2023年的520亿美元增长到2029年的970亿美元，2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元，到2029年将增长到约1,000美元。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。根据ICWISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。
　　充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国电动汽车充电基础设施促进联盟发布的报告显示，2025年1-6月，全国充电基础设施新增328.2万个，跟去年同期比，涨幅高达99.2%，公共充电桩2025年上半年新增51.7万个，同比增长30.6%，私人充电桩新增276.5万个，同比增长120.8%。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　AI算力服务器及数据中心随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。
　　受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。
　　以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用，服务器电源对硅的替代也取得了进展。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。
　　工控自动化：细分领域迎来爆发式发展根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比36%，是功率半导体最大的应用领域，该领域涉及细分行业广泛，2025年无人机、智能机器人、电动工具等细分领域迎来高速增长。
　　2024年以来，随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品迎来了更广阔的市场前景。根据Precedence Research预计，2032年全球eVTOL市场规模将达到357.9亿美元左右，2022-2032年10年复合增长率为12.4%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。
　　智能机器人广泛应用于工业、服务、家庭、医疗等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，智能机器人正以惊人的速度重塑人类生产与生活方式。我国智能机器人产业正在蓬勃发展，凭借政策支持、技术创新和庞大的市场需求，迅速跻身全球科技竞争的前沿阵地。2025年第二届中国人形机器人与具身智能产业大会上发布的《2025人形机器人与具身智能产业研究报告》显示，本年度中国具身智能市场规模预计达52.95亿元，占全球约27%；人形机器人市场规模预计达82.39亿元，占全球约50%。2025年，智能机器人产业迎来技术突破与规模化落地的关键节点。根据该报告，2025年，人形机器人产业有望从“技术验证期”向“规模化商用期”快速过渡。随着成本下探与生态完善，产业有望复制新能源汽车发展路径，成为中国经济新增长极。2025年，全球具身智能市场规模预计达195.25亿元，2030年预计达2326.3亿元，复合年增长率(CAGR)达64.18%。目前公司已有多款产品进入智能机器人、机器狗等应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升。目前公司的MOSFET、IGBT等产品广泛应用于机器人多个细分领域，如工业机器人、水下机器人、智能家居机器人、机器狗等，其他多个机器人领域客户正在积极拓展中。
　　在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。
　　光伏储能：库存改善、市场回暖随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。据中国光伏行业协会预测，2025年全球需求约570-630GW。国家能源局的政策支持以及光伏产业链价格的触底反弹，进一步刺激了企业的装机积极性。为把握430和531两大政策节点，终端市场启动抢装潮，带动4-5月国内新增光伏装机规模节节高升。2024年中央经济工作会议提出，综合整治"内卷式"竞争，工信部在2024年11月份发布了《光伏制造行业规范条件（2024年本）》，光伏行业破内卷，需要将限制价格、控制产能与提升品质相结合，通过产业升级逐渐淘汰落后产能，提升行业利润率，促进良性循环发展。随着技术进步和政策支持，光伏行业有望继续保持健康平稳增长。
　　中国是全球最大的光伏市场，中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。目前欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，中东、非洲、拉美等新兴市场表现亮眼，成为了我国逆变器企业出海的重要目的地。2025年上半年，光伏市场回暖，亚非市场增长强劲，欧洲需求回调，逆变器出口韧性显现。
　　IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。
　　泛消费及其他市场稳步增长功率半导体广泛应用于各种消费电子及智能家居产品中，比如电机驱动、电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。
　　2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；提高农业机械报废更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，消费品领域的市场空间有望进一步释放，有望持续带动功率半导体应用规模的提升。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入92,970.31万元，较去年同期增长了6.44%；利润总额26,755.02万元，较去年同期增加了8.92%；归属于上市公司股东的净利润23,512.05万元，较去年同期增长了8.03%。
　　2025年第二季度，公司实现营业收入48,066.35万元，环比第一季度增长7.04%；实现归属于上市公司股东的净利润12,685.05万元，环比第一季度增长17.16%。
　　（一）市场营销
　　近两年来，随着半导体国产化进程的持续进行，叠加新能源汽车、AI算力、机器人等新兴应用市场的需求驱动，公司所处行业的部分下游领域景气度有所回暖，国产功率半导体的市场份额逐步提升，库存结构亦得到显著优化，行业整体已逐步走出周期性低谷。然而，从竞争角度来看，市场的竞争激烈程度进一步加剧，一方面国际厂商积极调整策略参与国内市场竞争以期保障市场份额，另一方面国内同行以内卷价格的方式努力扩大自身销售规模，整体来看目前仍然供大于需。
　　面对机遇与挑战并存的市场环境，公司积极应对变化，响应客户需求，并着力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以及高效的产业链协同，公司持续优化产品、市场及客户结构，产品已成功导入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能等战略领域的头部客户并实现量产销售，进一步扩大了在中高端市场的应用规模与品牌影响力。
　　此外，公司全球化战略取得重要进展。新加坡研发及销售中心已于上半年正式投入运营，并已开始服务海外客户。该中心的设立为公司深化全球化布局、促进产品升级迭代、拓展海外销售渠道以及有效应对国际贸易政策风险奠定了坚实基础。
　　产品结构方面：
　　（1）SGT-MOSFET产品：为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。2025年以来，公司SGT第三代产品全系列已成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含车舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源以及新一代高功率密度电动工具等战略领域。报告期内，汽车电子、储能、无人机、电动工具、AI算力服务器等下游领域的需求持续释放，订单保持增长态势。公司积极把握市场机遇，通过深入市场调研，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，动态优化产品及市场策略，并适时扩充产能以保障产品供应。得益于此，公司SGT-MOSFET产品2025年上半年实现销售收入4.19亿元，占主营业务收入比例达45.21%。
　　（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域，公司自2024年起持续加强IGBT产品在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步扩大产品的应用范围以相应提高销售规模。2025年上半年，全球光储市场呈现差异化增长态势：一方面，主要客户积极推进机型迭代及新产品开发；另一方面，原有成熟产品市场需求逐步回暖，尤其是受国家光伏储能并网发电政策推动，市场需求一度出现短期集中释放。目前，公司第七代IGBT产品已进入批量供货阶段，并在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，形成一定销售规模。报告期内，公司IGBT产品实现销售收入人民币1.32亿元，占主营业务收入比例为14.26%。展望下半年，随着光伏储能市场的持续回暖，以及第七代IGBT产品在更多客户处完成验证并实现量产，预计公司的IGBT产品销售将呈现稳步回升态势。
　　（3）SJ-MOSFET产品：公司的SJ MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等多个领域。2025年上半年，公司在消费类家电、照明等市场实现第四代SJ MOSFET产品的快速放量，凭借产品优势持续扩大市场份额。同时，积极加大在汽车OBC、移动储能、服务器电源等应用领域的产品市场推广力度，相关销售取得积极进展。报告期内，公司的SJ MOSFET产品实现销售收入1.04亿元，占主营业务收入比例为11.21%。
　　（4）Trench-MOSFET产品：Trench MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具有应用领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现了多款产品的成功导入与量产销售。但同时，Trench MOSFET市场竞争亦最为激烈，2025年上半年，公司积极应对市场竞争态势，动态调整产品销售策略，在稳固现有市场地位的基础上寻求更多市场机会。报告期内，Trench MOSFET产品实现销售收入2.50亿元，占主营业务收入比例为26.95%，同期产品销量实现了5.7%的同比增长。展望下半年，公司将通过协同研发加快新品推广、优化运营降低成本，积极把握市场机遇，推动Trench MOSFET产品全年销售的稳定增长。
　　市场结构和客户结构方面：报告期内，公司持续深耕现有市场，着力提升市场份额，并加大对潜在客户的开发力度。通过深度挖掘客户需求，加速推动潜在客户的验证导入及量产进程。公司坚持“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动的市场战略：一方面深化与国内行业头部客户的战略合作；另一方面以新加坡子公司为核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展海外市场，提升品牌影响力及市场份额。
　　从具体结构来看：汽车电子领域：截至目前，公司已推出300余款车规级MOSFET产品，报告期内出货量达8,500万颗，产品覆盖汽车电子车身控制域、智能信息域、辅助驾驶域、动力域及底盘域全域控，广泛应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。同时，公司IGBT产品于报告期内成功导入汽车主控制器应用，并实现月度批量交付。凭借连续多年的高质量稳定交付，公司产品已获得比亚迪、联合电子、伯特利、阳光电动力、威睿等头部车企TIER1&TIER2供应商的高度认可。公司目前重点布局800V高压平台及48V车载系统，车规级SiC MOSFET产品预计将于2025年第四季度实现量产。
　　工业自动化领域：报告期内，公司相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域实现高速增长。公司前瞻性布局低空经济产业客户（如大疆等），MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件，已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电驱动系统等核心部件。伴随智能机器人市场的快速发展与应用场景的消费化落地，公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统，并实现对宇树科技等头部客户的批量供货。公司将持续开发适配机器人应用的产品，紧密跟进客户需求迭代，推动该领域销售规模持续提升。
　　AI算力及通信领域：2025年初Deepseek等AI应用引爆大模型热潮，在AI应用需求激增的推动下，全球半导体行业保持增长态势，国内外众多厂商加速布局千亿级参数大模型。公司紧跟行业发展趋势，一方面在传统服务器电源客户中稳步扩大份额；另一方面，凭借迭代的高性能、高性价比产品，成功导入国内外新兴AI算力服务器客户，并实现海内外市场的批量销售。
　　光伏储能领域：报告期内，受益于国内光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现复苏态势。公司秉持长期主义理念，着眼全球能源结构转型。面对光伏行业的长周期属性及当前“去产能、去库存、反内卷、格局优化”的发展阶段，公司IGBT产品精准定位于光伏应用，深度服务于阳光电源、德业股份、上能电气、固德威等头部客户。公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。通过细分布局微型逆变器、10-50KW户用及工商业光伏储能逆变器等应用场景，公司在该领域销售额实现稳步增长。
　　（二）研发创新
　　2025年1-6月，公司实现研发投入5297.10万元，占营业收入的比例为5.70%。截至报告期末，公司共有专利248项，其中发明专利122项（不含已到期专利）。
　　SGT MOS平台：
　　（1）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N25V第三代SGT MOS平台完成设计，开始进行工程流片，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
　　（2）具有业界最小单位元胞尺寸的N40V第三代SGT MOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至133款，其中车规产品达到56余款。
　　（3）N40V第三代SGT MOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6先进封装产品，同时双面散热DFN3x3封装产品正在研发中。
　　（4）N40V第三代SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、新一代高功率密度电动工具等行业应用。
　　（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGT MOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、服务器电源、植物照明等领域基本完成了整机测试。
　　（6）N85V第三代SGT MOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、服务器、电机驱动等行业实现批量交付。
　　（7）N100V第三代SGT MOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低50%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在锂电保护、电机控制、短途交通等行业基本完成整机测试。
　　（8）N85V和N100V第三代产品均已完成车规认证，已给多家车企及Tier1送样评测。
　　（9）基于华虹12寸新产线，N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均已完成技术转移。
　　Trench MOS平台：
　　（1）基于8寸平台具有创新结构的（后续简称TTO结构）高可靠性P30V~200V产品平台，已frozen P60V、P100V和P150V及以上工艺和design rule&P60V-200V，可靠性能满足车规要求。
　　（2）P60V已tapeout3颗系列产品，P100V已tapeout6颗系列产品，P150V和P200V各已tapeout2颗。
　　（3）完成TTO结构P250V~300V工艺平台模拟和初步design，后续将E-tapeout并工程流片。
　　（4）TTO结构N200V工程批已产出，基本功能达成，需进一步优化工艺窗口等后续再衍生N100~150V产品。
　　（5）超高元胞密度（0.55umCell Pitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化产品均已量产。
　　（6）现有世代CSP产品平台计划新开穿戴设备用系列产品；新一代CSP产品已完成工艺和design定型，后续投工程批流片验证。
　　（7）基于12寸平台0.9umpitch含超短沟N40工艺平台已完成开发，系列产品已tapeout4套；60V产品需进一步优化EPI条件等已达成更优Rsp水平。
　　（8）具有超高元胞密度（0.65umCell Pitch）第六代N沟道20V~60V含超短沟工艺平台工艺条件已确定需进一步优化窗口。
　　（9）带ESD的N30V工艺平台工程批产出，参数基本达成，ESD HBM达到5KV满足器件要求，目前优化良率中。
　　IGBT平台：
　　（1）12寸华虹Fab9第七代微沟槽高功率密度IGBT平台1200V产品已经完成风险批流片，产品良率达到预期水平，可靠性考核已通过，进入量产阶段。
　　（2）第七代微沟槽高功率密度IGBT1200V平台增加140A产品，650V/750V平台增加120A产品，均已有样品产出，进一步丰富了大电流IGBT分立产品的产品家族，第七代产品目前在光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩等行业都有客户进入量产。
　　（3）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品电流规格从55A增加到最大电流240A，形成了完整的400V产品系列，主要用于马达驱动、工业变频等应用。
　　（4）1200V和650V平台已经各有部分产品完成了车规认证，开始批量用于PTC、车载空调等领域。
　　（5）内部开发的第八代微沟槽高功率密度IGBT平台首轮工程批芯片已产出，静态基本达到设计预期，第八代产品预计在损耗上会较第七代产品再降低10~15%，且开关特性和短路特性等会得到进一步优化。
　　（6）目前同步开发650V，750V，1200V，1400V，1700V第八代IGBT平台。
　　SJ MOS平台：
　　（1）第四代9um pitch在华虹fab9已经开始批量投产，截至目前已经完成了在fab2、fab7、fab9全面量产。
　　（2）在12寸工艺平台上，基于第四代超结设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的650V/360mohm产品，目前产品样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，产品已经通过完整的可靠性测试。目前正在将650V和700V小电流产品全部在此平台上开发，达到降低成本，提升EMI性能的目标。
　　（3）基于12寸工艺平台的第四代950V深沟槽SJ MOS平台产品目前已经通过可靠性考核，正式进入量产阶段，并在此基础上，进行800V产品开发。
　　（4）第五代SJ MOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，首轮工程批已产出，650V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度，正在进行样品封装和动静态参数测试。产品成本预计降低20%，目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　（1）公司第二代SiC MOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V平台，导通电阻覆盖13mohm~160mohm，新增产品型号20余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。
　　（2）完成2.5代SiC MOSFET产品开发，新增750V/1200V/1700V电压平台，导通电阻涵盖13mohm~1ohm，新增产品型号10余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。
　　（3）第三代SiC MOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。
　　（4）同时，公司规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程流片阶段。
　　（5）已开发完成1200V和650V SiC二极管平台搭建，新增产品6款。
　　（6）开发SiC功率模块产品2款，相关产品处于客户验证阶段。
　　（7）100V/200VGaN产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　（1）在40V电压段，采用公司第三代SGT晶圆的车规品已全面完成产品迭代，其中，PDFN3*3产品系列的导通电阻覆盖2mohm~12mohm，开发10款产品，8款产品量产；PDFN5*6产品系列
　　的导通电阻覆盖0.8mohm~10mohm，开发24款产品，13款产品量产；TOLL与sToll产品系列的导通电阻覆盖0.6mohm~2mohm，开发7款产品，4款产品量产；PDFN5*6双芯产品系列导通电阻覆盖4.5mohm~13mohm，12款产品，6款产品量产。
　　（2）在80V~150V电压段，针对新能源汽车48V系统应用的产品，累计开发70余款产品，累计实现量产30款。其中，TOLL、TOLT、sToLL系列产品电阻覆盖范围1mohm~3mohm，开发22款产品，量产13款；PDFN5*6、PDFN3*3系列产品电阻覆盖范围1mohm~30mohm，开发15款产品，量产5款。
　　（3）先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
　　（4）适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
　　（5）同期，基于车规级产品质量管控需求，公司加强了车规级晶圆CP测试能力，优化了车规级晶圆CP测试中SPAT/DPAT/SBL/SYL管控规范，进一步提高了异常探测与筛选的能力，提高产品质量。
　　报告期内，公司进一步加大了研发投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI算力与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化等下游应用相关产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的回暖，上游晶圆产能趋于紧张，公司的运营部门持续做好供应链协调工作，确保公司供应链稳定供货，业务量维持了稳健增长。同时，公司确保了芯片代工、封装测试等各个环节的产销衔接及产能调配，目前与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步扩大规模实现了供应保障。
　　报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，在华虹FAB9厂12寸工艺平台顺利通线并实现批量投片；FRD、SiC MOSFET等产品实现批量生产；进行封装资源整合，维护现有供应链完整的同时，针对客户特定需求，及时开发符合要求的封装供应商；已开发完成IGBT的CP测试资源；完成生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动了封装运营管理系统进一步电子化。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，始终秉持“用心生产产品，品质赢得客户；行动突破过去，创新迈向未来”的方针，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。
　　电基集成目前已建设了先进车规级封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内难以找到代工资源的先进封装技术和产品，已实现量产十余种高门槛、高附加值的封装形式，满足母公司近四成封装需求。
　　在新能源与智能化浪潮中，公司积极布局车规级功率器件封装和测试技术，2025年实现TOLL封装产能提升21.8%，TO-247封装产能跃升51%，已完成QFN IPM立项，体现了电基集成在高端封装领域的研发实力，为新能源汽车、工业控制等领域客户提供了更可靠的供应链保障。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，同时具备卓越的生产品质管理经验。目前，金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。
　　产品开发方面：
　　（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，完成开发了电流覆盖10A~800A的64款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流100A~600A的27款产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品5款。
　　（2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正在开发。包括应用于工商业储能的产品E3_400A/1000VT电平模块、E3_600A/1100VINPC（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）E3480A/1200VANPC SIC硅基混合模块。公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上实现产品的进一步拓展，持续完善产品系列。
　　报告期内，金兰半导体申请了专利38项（其中9项为发明专利），已授权27项（发明3项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”等认定。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。一直以来，国硅集成特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品26款（2025年新增8款），适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品8款（2025年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片40款（2025年新增10款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片30款（2025年新增2款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅集成2024年新增的智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM以及三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售，2025年上半年三相IPM产品已经在头部白色家电厂商小批量试产。
　　报告期内，国硅集成通过江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；“规模以上企业”、科技型中小企业年审；无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。
　　国硅集成2025年度新增授权知识产权6项，其中发明专利3项。截至目前，国硅集成累计获得知识产权62项，其中专利17项（发明专利10项，实用新型7项），软件著作权1件。
　　4、Singapore Eruby MicroelectronicsPte.Ltd
　　公司的海外全资子公司Singapore Eruby MicroelectronicsPte.Ltd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。
　　海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司已有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。报告期内公司积极扩充具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，完成了前期市场调研和产品定义，首款产品正在研发中。
　　功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已培养了一定规模的海外经销商及终端客户，完成了批量订单的交付。
　　（五）内部管理
　　报告期内，公司继续完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。
　　（六）投资情况
　　报告期内，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　（七）荣誉奖项
　　2025年上半年，公司新增荣誉如下：
　　2024年中国功率半导体十强企业2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目2025年无锡市生态型创新联合体建设项目2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质2025年国家级创新型中小企业资质复审

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至报告期末，公司（含子公司）拥有248项专利（其中发明专利122项、美国专利2项），软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，形成了十二大产品平台，除上述四个成熟产品线外，还包括车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU，为客户提供多元化解决方案。公司已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。同时，公司引进高端人才，新增开发多款将数字、模拟、功率半导体三大领域的技术单芯片集成电机驱动IC芯片和电源管理IC芯片以不断丰富产品品类，加快搭载基于RISC-V内核的MCU芯片及数模混合产品。截至目前，公司已拥有近4000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司作为上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司，展现了强大的品牌影响力和客户认可度。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。报告期内，公司设立海外全资子公司，引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才，制定适宜当地情况的激励机制，快速组建精悍团队，同时建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升国内外人才团队技术素养水平。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
　　四、可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，关税壁垒持续升级，国际贸易摩擦加深，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控、机器人等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系，同时加强海外渠道建设，应对国际贸易限制；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　报告期内，公司共实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增加23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增加34.50%。　　（一）市场营销　　2024年以来，在经济复苏的大背景下，公司下游行业景气度温和回升，功率半导体的国产替代趋势进一步加强，客户国产化率诉求提升，各大晶圆代工厂产能接近满载，部分功率半导体公司产品价格得到修复，库存持续优化，逐步走出2023年周期的谷底。但同时，随着中美贸易摩擦持续升级，全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增加23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增加34.50%。
　　（一）市场营销
　　2024年以来，在经济复苏的大背景下，公司下游行业景气度温和回升，功率半导体的国产替代趋势进一步加强，客户国产化率诉求提升，各大晶圆代工厂产能接近满载，部分功率半导体公司产品价格得到修复，库存持续优化，逐步走出2023年周期的谷底。但同时，随着中美贸易摩擦持续升级，全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到降低利润预期，与中国半导体品牌开展价格竞争，基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术领先、产品丰富、产业链高度协同等优势，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。此外，报告期内公司设立新加坡研发及销售中心，为公司全球化发展战略、产品升级、开拓海外渠道、应对国际贸易政策影响搭建了坚实的基础。
　　产品结构方面：
　　（1）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。其市场广阔，主力应用于汽车电子、储能市场、无人机、电动工具、AI算力服务器、智能机器人、泛消费等多行业领域。在汽车电子领域，在保证原有产品供应的同时，逐步导入更具性价比的第三代40VSGT-MOSFET系列产品，进一步提升产品竞争力。在无人机和光伏储能领域，第三代150VSGT-MOSFET系列产品已完成试产和小批量过程，达成大批量交付订单。在AI算力服务器领域，利用第三代SGT-MOSFET平台的高性能优势，加快产品推广，已经在代表客户中通过试产，后续会快速上量。受益于相关下游领域景气度影响，2024年产品销量取得了显著增长。2024年全年实现销售收入7.80亿元，同比2023年5.46亿元增长了43%，销售占比从37.11%增长到42.86%。2025年一季度，订单持续增长，公司积极跟进客户需求，相关产品继续扩充产能增加供货，保证已有销售并进一步拓展其他新兴市场，预计2025年SGT产品的销售量仍会继续提升。
　　（2）IGBT产品：在维持现有光伏、储能客户中优势市场地位的前提下，大力推广第七代IGBT产品，同时加大在汽车电子、变频家电、工控等领域的推广力度。2024年全球光储市场呈现差异化增长格局，客户库存基本回到正常水位，市场需求逐渐恢复，主要客户都在进行机型迭代和新机型开发。公司针对该市场情况一方面对原有产品加强销售去库存，目前库存已经恢复到正常水平；另一方面加大第七代IGBT产品的推广力度，以满足客户机型升级以及新机型的需要，以750V系列和650V/1200V大电流系列产品为代表的第七代产品，已经通过光储行业多家典型客户测试和试产，进入批量供货阶段。消费电子领域，在变频冰箱、空调等典型应用中，利用新开发的集成续流二极管相应的第七代IGBT产品（RC-IGBT）的成本优势，加快产品推广，目前已经在代表客户中通过试产，后续会快速上量。此外家电领域的IPM模块也已经开始逐步推广，配合IGBT分立产品，可以满足洗衣机、空调压缩机等多领域需求。在工业变频、逆变、伺服等领域，通过IGBT分立产品、IGBT模块的联动，为客户提供整体方案，提升产品竞争力。2024年IGBT产品销售数量同比2023年增加35%以上，但受价格竞争等因素影响，公司的IGBT产品实现了销售收入2.75亿元，比2023年2.66亿增长了3.17%，销售占比从18.09%降至15.08%。从2025年一季度的销售情况看，光伏IGBT产品已经加速回暖，预计2025年IGBT产品销售将实现有效增长。同时，随着新产品系列的有效推广，IGBT产品利润率有望进一步提升。
　　（3）SJ-MOSFET产品市场比较广泛，目前主要应用用于汽车OBC、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源、消费类电子等领域。在OBC市场中，随着电动汽车市场规模的提升，进一步增加了交付数量，同时还在逐步增加导入的器件型号。在微型逆变和移动储能方面，公司利用第四代SJ-MOSFET产品的性价比优势，已经在多家行业典型客户中完成试产，即将陆续进入批量交付。在AI服务器电源、工业电源等领域，利用第四代SJ-MOSFET的型号齐全、及600V快恢复系列的成本优势，销售规模不断扩大。在传统的消费电子领域，如电视机、照明等领域，在保证原有产品供应的同时，逐步导入第四代SJ-MOSFET的650V和700V系列产品，市场份额也有进一步增加。2024年末第四代SJ-MOSFET产品该产品平台销售占比已经提升到16%以上，随着600~700V第四代SJ-MOSFET产品的推广，以及500V、800V、900V第四代SJ-MOSFET产品型号的增加，公司SJ-MOSFET产品的竞争力和销售额有望进一步提升。2024年SJ-MOSFET产品销售数量同比2023年增加45%以上，受价格因素影响，实现销售收入2.16亿元，相比2023年1.84亿元增长了17.35%，销售占比从12.52%降至11.86%。
　　（4）Trench-MOSFET产品作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，凭借产品的高质量、高可靠性以及持续迭代保持产品技术的领先，应用领域广，长期积累了广泛的客户群体，且对公司产品有长期信任的基础。2024年公司在保证原有智能家居、电动工具、消费电子、工业等领域的销售地位的同时抓住了市场机遇，加大了对于光伏储能市场、汽车电子以及特殊行业等领域的拓展，其销售规模获得了相应的增长，全年实现销售收入5.27亿元，比2023年同期4.54亿增长16.23%，销售占比从30.84%降至28.96%，随着公司应用于智能手机、穿戴设备的BMS的CSP产品大力推广，2025年销售收入会有效增加，销售占比实现进一步增长。
　　市场结构和客户结构方面：
　　2024年，公司坚守现有客户，开拓更多市场应用。一方面积极响应原有市场客户需求，持续跟进订单，加强客户黏性以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司继续挑战高端应用市场，开拓多家海内外客户，应用领域涉及AI人工智能、机器人、高端服务器、汽车电子、无人机等，深度绑定国内新能源光储领域头部客户，以可靠的产品，优质的服务，加强客户对公司品牌的认可度，进而形成深度合作和战略互补，获取更大的市场份额，稳固公司在国内功率半导体市场的领先地位。
　　从具体结构来看：
　　汽车电子领域：公司已推出200余款车规级MOSFET，供应产品数量同比增长超6成，汽车电子产品的整体销售占比加速提升。公司产品覆盖汽车电子全域控，多款型号应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。公司与比亚迪、联合电子、伯特利等头部汽车客户的合作规模持续扩大，公司为比亚迪配置了专门的团队，从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪、服务协调，实现了更多车规产品的导入。对于其他已经形成规模出货的车企，加速提供更多AEC-Q认证的产品系列，扩大销售产品规模，涉及新的车规产品、新的车企客户，从产品送样开始建立管理体制，确保送样产品从生产制程、车载应用、具体车型等可追溯。同时，积极配合车企对公司的审核，实现产品快速上量销售，持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和市场占有率。公司持续推动已有产品在800V高压平台和48V车机系统上的布局，积极开发新的车规产品。汽车市场作为公司未来几年的重点布局行业，预计今年将继续快速发展。
　　工业自动化领域：该领域涉及细分行业广泛，2024年公司的相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域高速增长。2024年，中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。
　　随着智能机器人市场的崛起，公司已有多款产品进入智能机器人应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司将持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升，同时机器人应用场景不断丰富，公司长期看好下游发展并积极布局。
　　AI算力及通信领域：随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量增长。公司及时跟进响应客户需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已应用于服务器电源领域海内外头部客户并实现稳定批量销售。
　　光伏储能领域：相比于去年同期，2024年光伏储能行业呈现差异化增长格局，特别是在20KW以内的混网和离网市场，相关产品在亚非拉等基础电力设施落后、使用受限的地区为刚性需求，该市场形成了增长点。欧洲市场以经济性为导向，在高电价的压力下，光储产品受到市场青睐，客户端库存得到有效去化。报告期内公司大力推广第七代IGBT产品，同时加快部分已有IGBT产品的去库存。对于1至5度电类储能电源，公司通过前期市场推广布局，大力推广SGT类产品，抓住行业头部客户，有效形成了订单增量，并积极协调产能应对紧急交付，实现销售额增长。工商业光伏市场是光伏的重点市场，公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。从长远来看，光伏行业依旧是市场空间巨大、前景广阔的重要下游，公司将持续深耕。
　　（二）研发创新
　　2024年度，公司实现研发投入103,745,624.20元，占营业收入比例为5.67%。截至目前，公司共有专利240项，其中发明专利119项（不含已到期专利）。
　　SGTMOS平台：
　　（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CePitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，系列产品数量已拓展至26款；
　　（2）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，系列产品数量已拓展至122款，其中车规产品达到50余款；
　　（3）40V第三代SGTMOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6等先进封装产品；
　　（4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用；
　　（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，平台产品数量拓展至10余款，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、车载逆变器、通信电源、服务器电源、植物照明等领域正在大力推广中；
　　（6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工艺固化，进入风险量产阶段；
　　（7）以85V第三代SGTMOS为例，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、锂电保护、电机驱动行业已经完成测试验证，进入小批量验证阶段；同时针对混动新能源车48V系统、工业/农业大功率无人机电调、园林工具、短途交通等行业已完成送样，客户端测试评估中；
　　（8）基于华虹12寸新产线，已完成N沟道100V第二代SGT平台技术转移，同时N沟道80V和100V第三代SGT平台正在开发中。
　　TrenchMOS平台：
　　（1）基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~200V产品平台，已Tapeout6颗产品，P60V~200V工艺已frozen系列产品开发中，P60V-200V，可靠性能满足车规要求；
　　（2）N200V工程批已产出，基本功能达成，待后续工艺frozen后开发不同电压段系列平台。
　　（3）具有高元胞密度（0.75umCePitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台已tapeout10套mask并衍生出53颗系列产品；
　　（4）超高元胞密度（0.55umCePitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化，已tapeout3套mask，产品均已量产；
　　（5）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65umCePitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定，工艺基本frozen待后续开系列产品。
　　（6）带ESD的工艺平台开发中，目前工艺fow条件基本确定，目前工艺单项开发进行中。
　　IGBT平台：
　　（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V、750V、1200V产品已经完成10A~200A多个电流规格产品量产，在Fab1、2、3和Fab7量产产品良率已提升至98%以上，并通过代表性光伏、储能、逆变电源等行业客户测试，开始进入批量阶段；
　　（2）第七代IGBT在12寸Fab9已经完成首批工程批流片，参数达到预期水平，开始进行可靠性考核；
　　（3）第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建，完成封装测试和可靠性考核，该平台主要用于光伏、储能应用的三电平IGBT模块中；
　　（4）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成客户端测试，开始批量交付，主要用于马达驱动、工业变频等应用；
　　（5）1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成，参数达到预期水平，开始送客户端评估，该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调、PTC等应用；
　　（6）第七代快速恢复体二极管的650V逆导（RC-IGBT）IGBT已经开始小批量投产，该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用；
　　（7）1200V10A逆导（RC-IGBT）IGBT完成工程样品；
　　（8）目前第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）已经完成400V、650V、750V、1200V、1600V等产品平台搭建和批量试产，产品良率稳定在97%以上。
　　SJMOS平台：
　　（1）第四代9umpitch超结MOS500V/600V/650V/700V在12寸和8寸产线已经全部实现量产，四代超结在三代超结的基础上，更好的优化了特征导通电阻（Rsp）及可靠性，实现更高的性价比；
　　（2）500V/600V/650V在四代超结基础上继续优化特征导通电阻（Rsp），特征导通电阻（Rsp）可以降低10%左右，目前三个电压平台已经全部实现量产；
　　（3）四代800V深沟槽SJMOS平台在8寸推出第一颗产品，该产品增加快速恢复体二极管设计，目前已经实现量产阶段，800V产品主要用于微型逆变器等市场；
　　（4）第四代950V深沟槽SJMOS平台，该平台预计较第二代SJMOS900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上，样品已产出，参数均符合预期，正在进行可靠性及应用测试，后续将展开其他电流平台产品。
　　（5）在四代SJMOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品，从动态参数来看，反向恢复速度可以提升40%，反向恢复损耗降低60%左右，静态参数IDSS漏电从uA级别降低至nA级别，其他参数符合预期，可靠性已经全部完成，该工艺后续将全部展开，该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩等应用。
　　（6）第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，目标600V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率由要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　公司已开发完成第二代SiCMOSFET产品平台搭建，以1200V为例，Rsp相较于上一代产品降低29%，产品各项参数性能指标达到国际先进水平，已完成650V23mohm~80mohm、750V25mohm~80mohm、900V50mohm~100mohm、1200V20mohm~160mohmSiCMOSFET系列产品开发，新增产品60余款，相关产品已通过车规级AEC-Q100可靠性考核，处于小规模销售阶段，目标市场包括新能源汽车OBC/充电桩、工业设备、服务器电源、通信基站电源、光伏储能等领域；已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品两款；650V/100mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成，新增产品1款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　公司在SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大技术平台上已完成200余款产品开发，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证。报告期内新增100余款车规产品，覆盖P型20V-200V（7个电压等级）及N型30V-650V（13个电压等级），电流范围1A-400A，以100V电压产品为例，其导通电阻已经做到1.5mΩ以下，达到业界领先水平，全面适配车内动力、域控、热管理等场景需求。另有120余款产品处于认证阶段，持续补全高压化、大电流应用缺口。
　　采用公司第三代SGT晶圆技术的车规产品已实现性能迭代，全面替代上一代产品，以40V电压平台为例，27款产品进入量产阶段，特征导通电阻（Rsp）较上一代降低26%-39%，核心综合性能优值（FOM）领先竞品25%以上。
　　同时，针对新能源汽车48V系统，开发50余款80V/100V车规级产品，已进入工程验证与小批量试产，覆盖车载空调、DCDC、OBC等应用。
　　此外，报告期内完成PDFN5×6、TOLT、sTo三款车规级封装开发，以PDFN5×6双面散热为例，采用双Cip工艺，结壳热阻降低20%-40%，器件的功率密度得到大幅度提升，从而进一步满足汽车零部件小型化的需求，相关产品已进入小批量试产，目标应用于车载电子助力转向器（EPS）、域控制器等高功率密度场景，预计2025年实现规模化交付。
　　车规产品批量交付近130家Tier1及终端车企，包括头部新能源主机厂及全球零部件巨头。报告期内新增导入30余家客户，重点突破智能驾驶域控、线控底盘等高端供应链。加快建设车规级CNAS实验室，加速客户验厂认证周期，持续优化IATF16949:2016与ISO9001:2015体系，通过APQP流程实现从设计到量产的闭环管控，确保产品良率与一致性。建立寿命预测模型，结合多应力测试（温度循环、功率循环等）验证器件可靠性，满足15年以上车规寿命要求。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、智能机器人和半导体功率模块产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
　　报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，FRD、SiCMOSFET等产品实现小批量生产；持续进行化镀工艺优化，同等成本下改善封装打线问题，进一步提高了成品器件的可靠性；已完成新品储备，如TOLT、LFPAK、STOLL、HSOP8/5*6双面散热等新品的工程批试封；生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动封装运营管理系统的进一步电子化。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，致力为公司提供优质且稳定的先进封装和测试资源。报告期内，电基集成总营收同比增长19.85%，增速高于业界同行。
　　2024年，电基集成成功通过数十家汽车行业客户及供应链合作伙伴的体系审核，并高效完成264项新产品封装测试导入，这其中汽车类产品占比约为15%，标志着公司在汽车电子市场的战略布局取得显著成效，进一步巩固了在智能汽车产业链的核心供应商地位。
　　2024年，电基集成成功创建江苏省智能示范车间彰显工业4.0实施能力，跻身江苏省星级上云企业序列印证数字化转型成效，更凭借物联网融合应用方案荣膺无锡市新一代信息技术示范项目。作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业，电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。
　　电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品，包括DSCPDFN、sTOLL等封装形式，其中sTOLL的Cip加Wire的工艺已进入小量阶段，sTOLL的FuCip的工艺已进入小试状态，配合先进封装的激光全切技术已调试完成。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。按计划，金兰半导体开始根据车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，目标今年通过车规质量体系IATF16949审核。
　　产品开发方面：
　　（1）开发完成：基于650V、1200V、1700V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，分别为L34、L62、LE1、LE2、LE3、LN2、LN3、LD3、LQ2。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，在1200V电压平台，完成开发了电流分别为10A、35A、50A、75A、100A、150A、200A、300A、450A、600A、800A的系列产品；在光伏逆变储能领域，在650V电压平台，完成开发三电平150A、200A、300A、400A、600A的系列产品，在1050V平台，完成开发电流分别为三电平400A、600A的系列产品，在1200V电压平台，完成开发电流分别为三电平225A、400A、600A、和半桥600A、800A的系列产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发三电平75A、100A、150A、200A系列产品；在感应加热领域，完成开发1200V电压平台上电流风别为40A、50A、75A、100A、150A系列产品。
　　（2）正在开发：储能领域，基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和碳化硅芯片，根据市场及客户需求，开发行业通用及定制的SiC与Si混合模块、SiC模块等。与此同时，在工业控制及变频领域，在650V、1200V和1700V平台上逐步拓展和完善LE1、LE2、LN2、LN3系列产品。
　　截至目前，金兰半导体已经申请了专利33项（其中8项为发明专利），已授权24项实用新型；通过了2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核，获得“省级科技型中小企业”入库；2025年计划通过“雏鹰企业”遴选。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅就特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品6款（2024年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片30款（2024年新增15款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片28款（2024年新增8款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅于2024年新增智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM已经三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售。
　　国硅2024年通过了江苏省“专精特新”企业、“江苏省民营科技企业”、无锡市“雏鹰企业”、无锡市“瞪羚企业”等认定；获得2024年第十一届中国青创赛（科技创新专项）铜奖；顺利通过2024年度专利密集型产品认定、江苏省贯标备案、无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金、高新技术企业认定奖励及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。
　　4、SingaporeErubyMicroeectronicsPteLtd
　　报告期内公司新设海外全资子公司SingaporeErubyMicroeectronicsPteLtd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。
　　海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。尤其是高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。目前公司已组建了具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，已完成前期市场调研及产品定义，正着手首款产品的研发。
　　功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场，且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已开拓海外经销商及终端客户，完成小批量订单交付。
　　（五）内部管理
　　2024年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。
　　（六）资本市场
　　2024年，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　报告期内，公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售，进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作；参股投资了以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商，原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商，拥有自主可控RISC-V处理器芯片核心技术和研发能力的MCU、MPU和CPU提供商等。相关投资有利于公司产品的进一步集成化进程，同时加强纵向资源整合，持续完善产业链布局。
　　（七）荣誉奖项
　　2024年，公司新增荣誉如下：
　　2024年全球半导体综合竞争力百强企业
　　2024年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业
　　2024年无锡市掩膜制版/流片补贴项目
　　2024年车规级功率器件资质认证项目
　　2024年国家级小巨人区级奖励资金项目
　　2024年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定项目
　　2024年高企重新认定区级奖励项目
　　2024年高新区营经济转型升级项目
　　2024年度无锡高新区（新吴区）第二批知识产权项目
　　2024年高新区三类企业奖励资金项目
　　
　　二、报告期内公司所处行业情况
　　1、行业特点及发展趋势
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。
　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yoe数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。
　　发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将同比增长13.1%，到2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%，从地区来看，亚太地区预计成长10.4%。Gartner则预测全球半导体收入预计将在2025年增长14%，达到7170亿美元。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元；根据中商产业研究院预测数据，2024年中国功率半导体的市场规模达到238亿美元，其中功率IC市场占54.3%，MOSFET占16.4%，功率二极管占比14.8%，IGBT占比12.4%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。
　　②按应用领域
　　随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏及储能、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　新能源汽车及充电桩
　　汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。
　　据中国汽车工业协会分析，2024年国内汽车产销量再创新高，超预期完成全年销量目标，汽车出口保持快速增长，对拉动市场整体增长贡献显著，随着一系列政策的出台落地，政策组合效应不断释放，多措并举共同激发了车市终端的消费活力，此举将进一步释放汽车市场的消费潜力。中汽协数据显示，2024年，汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7%和4.5%。其中，新能源汽车产销分别完成1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的40.9%，较2023年提高9.3个百分点。汽车出口方面，2024年汽车出口585.9万辆，同比增长19.3%。预计2025年，我国汽车市场将继续呈现稳中向好发展态势，汽车产销将继续保持增长，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。
　　在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。根据YOLE报告显示，汽车上的半导体器件市场规模将从2023年的520亿美元增长到2029年的970亿美元，2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元，到2029年将增长到约1,000美元。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。根据ICWISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。
　　充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　AI算力服务器及数据中心
　　随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。
　　服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。
　　以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用，服务器电源对硅的替代也取得了进展。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。
　　工控自动化：细分领域迎来爆发式发展
　　根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比36%，是功率半导体最大的应用领域，该领域涉及细分行业广泛，2024年无人机、智能机器人、电动工具等细分领域迎来高速增长。
　　2024年，中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行，进一步完善了政策法规，提升了保障措施，强化了市场开发力度；由工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局于2024年3月27日印发的《通用航空装备创新应用实施方案（2024-2030）》，为低空经济的发展提供了坚实的政策保障，并明确了发展目标和具体任务；2024年7月21日，党的二十届三中全会通过的《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》中再次提及发展通用航空和低空经济。无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。根据PrecedenceResearch预计，2032年全球eVTOL市场规模将达到357.9亿美元左右，2022-2032年10年复合增长率为12.4%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。
　　智能机器人广泛应用于工业、服务、家庭、医疗等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，智能机器人正以惊人的速度重塑人类生产与生活方式。我国智能机器人产业正在蓬勃发展，凭借政策支持、技术创新和庞大的市场需求，迅速跻身全球科技竞争的前沿阵地。2024年，我国智能机器人产业实现营收146.4亿元，同比增长42.3%，连续两年保持40%以上的增速。2025年，智能机器人产业将迎来技术突破与规模化落地的关键节点。具身智能作为人工智能与机器人学交叉领域的重要发展方向，强调实体设备与智能决策的深度结合，预计将在未来几年内实现重大跃升。智能机器人的长期趋势是智能决策与执行，可以让人类彻底解放双手，但目前来看，短时间内还是难以实现，在未来10年或者5年内，智能机器人在技术方面更多的还是以完善为主。艾瑞咨询预测，2021年-2025年国内智能机器人市场规模的年平均复合增长率将达到40%，2023年，除家用机器人外，工业机器人的市场规模大约在534亿元左右，2025年市场规模近千亿元。随着智能机器人市场的崛起，公司已有多款产品进入智能机器人应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司将持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升，同时机器人应用场景不断丰富，公司长期看好下游发展并积极布局。
　　在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。
　　光伏储能：库存改善、市场回暖
　　随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。2024年全球光伏预测新增装机为462GW，中国贡献了超过60%的份额，进一步巩固了其在全球光伏市场的主导地位。根据国家能源局数据，2024年全国光伏新增装机达277.17GW，同比增长约28%，其中集中式光伏159GW，分布式光伏118GW，超过了中国光伏行业协会的预期。2024年12月单月新增装机高达70.87GW，占全年新增装机的26%，成为推动全年数据增长的关键因素。国家能源局的政策支持以及光伏产业链价格的触底反弹，进一步刺激了企业的装机积极性。尽管2024年光伏新增装机增速有所放缓（从2023年的148%降至28%），但中国光伏市场仍处于稳步增长阶段。未来，随着技术进步和政策支持，光伏行业有望继续保持增长，但增速可能趋于平稳。
　　中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2024年我国光伏逆变器累计出口82.6亿美元，同比下降17%。欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，中东、非洲、拉美等新兴市场表现亮眼，成为了我国逆变器企业出海的重要目的地。2024年，我国出口亚洲市场的逆变器金额201亿元，同比增速31%；出口拉美市场的逆变器金额75亿元，同比增长27%。2025年初，光伏市场显著回暖，亚非市场增长强劲，欧洲需求回调，逆变器出口韧性显现。
　　IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。
　　泛消费及其他市场稳步增长
　　功率半导体广泛应用于各种消费电子及智能家居产品中，比如电机驱动、电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。
　　2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；提高农业机械报废更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，消费品领域的市场空间有望进一步释放。
　　
　　三、报告期内公司从事的业务情况
　　1、主要业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、市场地位
　　公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司是上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司。
　　
　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
　　此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，形成了十二大产品平台，除上述四个成熟产品线外，还包括车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU，为客户提供多元化解决方案。公司已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。同时，公司引进高端人才，新增开发多款将数字、模拟、功率半导体三大领域的技术单芯片集成电机驱动IC芯片和电源管理IC芯片以不断丰富产品品类，加快搭载基于RISC-V内核的MCU芯片及数模混合产品。截至目前，公司已拥有近4000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司作为上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司，展现了强大的品牌影响力和客户认可度。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。报告期内，公司设立海外全资子公司，引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才，制定适宜当地情况的激励机制，快速组建精悍团队，同时建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升国内外人才团队技术素养水平。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司共实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增长23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增长34.50%。业绩变化的主要原因系：在经济复苏的大背景下，公司下游行业景气度温和回升，功率半导体的国产替代趋势进一步加强，客户国产化率诉求提升，各大晶圆代工厂产能接近满载，部分功率半导体公司产品价格得到修复，库存持续优化，逐步走出2023年周期的谷底。但同时，随着中美贸易摩擦持续升级，全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到降低利润预期，与中国半导体品牌开展价格竞争，基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、智能机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。
　　2024年春节以来，下游市场逐步恢复，新兴应用领域需求显著增加，公司库存加速消化，部分产品出现了供不应求甚至持续加单的情况。公司敏锐把握市场行情，及时了解和积极响应客户需求变化，提前加大排产，满足市场新增需求，进而推动业绩稳步增长。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发MCU产品、功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。
　　同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，加强海外销售渠道建设，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
　　(三)经营计划
　　新的一年，公司将继续提升和巩固在MOSFET和IGBT产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下：
　　1、产品开发与技术创新计划
　　（1）不断扩宽产品线，并丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。公司目前已形成十二大产品系列，未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。
　　（2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于基于RISC-V内核开发的MCU及集成预驱类芯片、功率芯片的数模混合产品，公司将进一步推进其研发落地和产业化进程，为客户提供更多元的解决方案。
　　（3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，加快建设车规级CNAS实验室，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。
　　（4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。
　　2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划
　　封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。
　　公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、MCU、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。
　　3、人力资源建设计划
　　（1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一支高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。报告期内，公司聚集了海外高端研发、市场人才，为公司产品线升级、海外渠道建设打下了坚实的基础。
　　（2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。
　　4、市场开拓与宣传建设计划
　　（1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。
　　（2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。
　　（3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。
　　（4）坚持多维驱动的市场开拓策略，构建企业全球竞争力，实现价值跃迁。海外市场约占全球功率半导体60%的份额，公司利用其产品线丰富、质量可靠、研发迭代能力强等优势，打入国际市场。汇聚海外高端人才，快速拓展精悍团队，立足东南亚辐射全球，着力开拓海外成熟市场，实现本土化运营+国际化生态圈共建的市场开拓策略。
　　(四)可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，关税壁垒持续升级，国际贸易摩擦加深，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控、机器人等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系，同时加强海外渠道建设，应对国际贸易限制；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　1、主营业务　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号3000余款，电压覆盖12V~1700V全... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号3000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI算力服务器和数据中心、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、行业情况
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。
　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。
　　发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将增长13.1%。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占15.1%；中国功率半导体的市场规模，预计2024年将达到206亿美元，占全球市场约为38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛
　　②按应用领域
　　随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、光伏及储能、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　新能源汽车及充电桩
　　汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。
　　据中国汽车工业协会分析，2024年上半年，国内汽车销量同比微增，终端库存高于正常水平；汽车出口保持快速增长，对拉动市场整体增长贡献显著，新能源汽车出口增速明显放缓；新能源汽车产销继续保持较快增长，市场占有率稳步提升。中汽协数据显示，2024年1-6月，汽车产销分别完成1,389.1万辆和1,404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。其中，新能源汽车产销分别完成492.9万辆和494.4万辆，同比分别增长30.1%和32%。2024年1-6月，汽车出口279.3万辆，同比增长30.5%。下半年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。
　　在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET均有广泛使用。根据IC WISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。
　　充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　AI算力服务器及数据中心
　　随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。
　　服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。
　　以SGT MOSFET、SJ MOSFET、GateDriver、Dr MOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。
　　光伏储能：库存改善、加速渗透
　　随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2024年上半年，光伏新增装机102.48GW。其中，集中式光伏新增装机49.6GW；工商业新增装机37.03GW；户用光伏新增装机15.85GW。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024年中国新增光伏装机保守情况达到190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。
　　中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2024年1-6月我国光伏逆变器累计出口40.11亿美元，同比下降34.76%。与此同时，逆变器出口自今年2月以来连续4月环比提升，6月我国逆变器出口金额9.18亿美元，为近12个月最高水平，同、环比分别增长-4%、18%。欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，亚、非、拉等新兴市场表现亮眼。
　　IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。
　　工控自动化、泛消费及其他市场
　　在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。功率半导体也广泛应用于各种消费电子产品中，比如电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，工业占比35%，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。
　　2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；支持老旧营运船舶报废更新；支持老旧营运货车报废更新；提高农业机械报废更新补贴标准；提高新能源公交车及动力电池更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，工业及消费品领域的市场空间有望进一步释放。
　　除上述应用外，功率半导体在无人机、安防、医疗设备、锂电保护、5G通信、物联网等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入87,348.90万元，较去年同期增长了15.16%；归属于上市公司股东的净利润21,764.85万元，较去年同期增长了47.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21,413.50万元，较去年同期增长了55.21%。
　　2024年第二季度，公司实现营业收入50,180.66万元，环比第一季度增长35.01%；归属于上市公司股东的净利润11,758.21万元，环比第一季度增长17.50%。
　　（一）市场营销
　　2023年受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体行业市场增速有所放缓。同时，国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着诸多挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。
　　2024年春节以来，下游市场逐步恢复，新兴应用领域需求显著增加，公司库存加速消化，部分产品出现了供不应求甚至持续加单的情况。公司敏锐把握市场行情，及时了解和积极响应客户需求变化，提前加大排产，满足市场新增需求，进而推动业绩稳步增长。
　　产品结构方面：
　　（1）IGBT产品作为光伏和储能行业的重点应用产品，2023年受到光伏储能行业整体去库存的影响，需求有所减弱。2024年初以来，下游客户需求逐渐恢复，并逐步加大提货力度，但整体销售尚未达到去年同期水平。对此，公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车电子等领域的销售力度。2024年上半年，公司IGBT实现了销售收入1.41亿元，相比去年同期减少了22.64%；销售占比从去年同期的24.07%降低到今年的16.20%。公司预计下半年光伏IGBT产品会进一步回暖，同时新品大电流IGBT单管上量，销售将比上半年有所增长。
　　（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司产品中销售基数最大、客户群体最多的产品平台。目前SGT-MOSFET产品主要应用于汽车电子及工控、泛消费领域当中，受益于相关下游领域的景气度影响，上半年产品销量显著增长。2024年上半年，公司SGT-MOSFET实现销售收入3.60亿元，相比去年同期增长了40.29%，销售占比从去年同期33.95%增长到41.44%。目前，公司的SGT-MOSFET产品部分品种已处于供不应求阶段，公司将积极跟进客户需求，保证已有销售市场，并积极拓展其他新兴市场，尤其是AI算力服务器应用中，多款产品均为SGT系列。公司预计下半年SGT产品的销售量仍会继续提升。
　　（3）SJ-MOSFET产品方面，上半年实现销售收入1.02亿元，相比去年同期增加了8.49%，销售占比从去年同期的12.48%降低至11.78%。公司最新的第四代SJ-MOSFET产品系列型号齐全，已经开始批量交付，下半年将进一步加大在家电、AI服务器、汽车OBC等领域的推广，预计公司SJ-MOSFET产品的销售将迈上新的台阶。
　　（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，客户群体众多，应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，随着春节后部分市场的复苏，工控、泛消费、汽车电子需求的带动下，公司Trench-MOSFET产品的销售也获得了相应的增长。2024年上半年，Trench-MOSFET产品实现销售收入2.55亿，比去年同期增长了19.64%，销售占比从去年同期的28.15%提升到29.30%。
　　市场结构和客户结构方面：
　　2024年上半年，公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极响应原有市场客户需求，持续跟进订单，并通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。
　　从具体结构来看：
　　汽车电子方面：2023年底公司与比亚迪的合作转为直供，对于产品需求的及时保障显得更为重要，公司为比亚迪销售配置专门的团队，从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪，服务协调，实现了更多车规产品的导入，进一步扩大与比亚迪的合作规模。2024年上半年同比增长供应产品数量超5成，并有多款型号应用于OBC、DC转换等重要三电电源模块；对于其他已经形成规模出货的车企，加速提供更多AEC-Q认证的产品系列，扩大销售产品规模，涉及新的车规产品、新的车企用户，从产品送样开始建立管理体制，确保送样产品从生产制程、具体车载应用、具体车型等可追溯。同时，积极协调车企对公司的审核，快速实现产品上量销售，持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和占比。公司继续将汽车市场国产品牌出货品种数最多，出货总数量最大作为公司的销售目标。
　　光伏储能市场：2024年上半年实现了显著回暖。特别是在20KW以内混网和离网市场，受非洲等地区供电不稳定因素影响，该市场需求快速增长，形成了增长点。对此，公司一方面，积极开拓光伏企业，推广第七代IGBT产品，同时针对于该市场供应快、低成本的特点，主动进行部分库存IGBT的去库存。对于0.5至2度电类储能电源，公司通过前期市场推广布局，大力推广SGT类产品，抓住行业头部客户，有效形成了订单增量，并积极协调产能应对紧急交付，实现销售额增长。组串式光伏市场，依旧是光伏市场主要产品形态，但该市场受欧洲能源危机解除、全球经济疲软、光伏企业迅速增加等多重影响，该市场依旧处于恢复期。从长远来看，光伏依旧是实现能源清洁低碳转型、能源独立、能源安全的长远之计，光伏行业依旧是发展空间巨大、前景广阔的重要市场，公司将持续重点关注与发力。
　　其他市场：近年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已最终应用于GPU领域海外头部客户并实现大批量销售，且更多料号已通过验证，未来将进一步快速增长。
　　此外，随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，短途运输、物流配送、低空旅游、体验飞行、文化体育等“大众化”和“个性化”航空消费场景不断涌现，低空空域逐步开放，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。当前我国低空应用和需求远未饱和，产业链各个环节均将受益。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。
　　（二）研发创新
　　2024年上半年，公司实现研发投入4,046.81万元，占营业收入的比例为4.63%。截至目前，公司共有专利197项，其中发明专利93项（不含已到期专利），集中电路布局图40项。
　　IGBT平台：
　　（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V产品已经完成40A~200A多个电流规格产品量产，并通过代表性光伏、储能客户测试，开始进入批量阶段；
　　（2）目前第七代IGBT在12寸和8寸晶圆全部具备量产条件，并有相应产品开始批量投产。第七代650V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成内部测试，开始向客户推广，主要用于马达驱动、工业变频等应用；
　　（3）750V高频大饱和电流IGBT平台已经搭建完成，电流规格涵盖40~200A，已经开始批量投产，主要用于单项和工商业光伏逆变及储能应用；
　　（4）1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成，参数达到预期水平，并完成交直流测试，开始送客户端评估，该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调、PTC等应用；
　　（5）第七代快速恢复体二极管的650V逆导（RC-IGBT）IGBT目前已经在开发流片中，该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用；
　　（6）第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建，芯片已经产出，各项参数达到预期水平，该平台主要用于光伏、储能应用的三电平IGBT模块中；
　　（7）第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）芯片全部自行设计，并专门设计了不同的动态特性以匹配相应的IGBT产品应用。
　　SJ MOS平台：
　　（1）第四代超结MOS600V、650V优化特征导通电阻（Rsp）平台已经在8寸晶圆厂全面量产；
　　（2）500V优化特征导通电阻（Rsp）工程批已产出，特征导通电阻（Rsp）可以降低10%左右，后续将逐步进行平台展开；
　　（3）第四代800V深沟槽SJ MOS平台开始进入量产，并增加快速恢复体二极管设计，产品主要用于微型逆变器等市场；
　　（4）第四代950V深沟槽SJ MOS平台目前已经开始工程流片，该平台预计较第二代SJ MOS900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上；
　　（5）在四代SJ MOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品，目前首轮工程批已完成，反向恢复速度可以提升40%，反向恢复损耗降低60%左右，参数符合预期，目前正在进行可靠性考核，该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩等应用；
　　（6）第五代SJ MOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，目标600V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　SGT MOS平台：
　　（1）P沟道60V SGT MOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段；
　　（2）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N沟道30V第三代SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，该平台不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至18款；
　　（3）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至40余款，10余款产品已完成车规认证，20余款产品正在进行车规认证；
　　（4）上述N30V~N40V第三代SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用；
　　（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGT MOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，平台产品数量拓展至10余款，主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用；
　　（6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGT MOS均完成工艺固化，进入风险量产阶段。以85V第三代SGT MOS为例，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品主要针对AI算力、混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。
　　Trench MOS平台：
　　（1）基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~60V产品平台，已Tape out一颗产品并完成1st工程批流片参数基本达到要求，可靠性能满足车规要求；
　　（2）N200V的工艺条件确定且工厂flow已建完，待工程批上线流通；
　　（3）具有高元胞密度（0.75um Cell Pitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台已tape out7套mask并衍生出32颗系列产品；
　　（4）超高元胞密度（0.55um Cell Pitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化，已tape out3套mask，产品进入小批量；
　　（5）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65um Cell Pitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定，目前正单项开发中。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　（1）公司已开发完成1200V23mohm~75mohm和750V26mohm SiC MOSFET系列产品，新增产品6款，相关产品处于小规模销售阶段；
　　（2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　公司在SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台上已有150余款典型产品基于APQP完成了产品开发，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，报告期内新增10余款车规级产品，另有70余款产品正在认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了P型20V至200V共7个电压等级，N型30V至650V共13个电压等级，报告期内新增N型75V和82V两个电压平台系列产品，且在持续扩充增量中。此外，公司正在积极开发具有更低热阻、更高功率密度的先进车规级封装外形产品，包括双面散热PDFN5×6、TOLT、sToll等，相关系列产品均已在可靠性验证中。
　　目前，公司的车规产品已大批量交付近100家Tier1厂商及终端车企，新增导入10余家汽车客户，从原先的域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC、电控悬架等领域，公司产品进一步应用到智能驾驶等要求更高安全、高功率、高稳定的模块中。
　　此外，公司针对汽车质量管理体系不断完善和改进，进一步落实汽车质量管理体系对于公司的适宜性、充分性和有效性，确保质量管理体系满足IATF16949：2016与ISO9001：2015标准要求和公司发展需要。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。工艺条件已确定，目前正单项开发中。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
　　报告期内，芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前SiC MOSFET产品进入风险量产。同时，公司积极开发符合车规要求的化镀资源，完成了TOLT、LFPAK、STOLL等新品的工程批试封，推动封装运营管理系统的进一步电子化。
　　（四）子公司发展情况
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。报告期内，总营收比去年同期增长14.17%，利润与去年同期相比增加了181.61%，实现扭亏为盈。
　　一直以来，电基集成特别注重制造智能化和汽车封测产线的建设，今年上半年新增数十家汽车客户的导入和监督审核，汽车产品在公司的产品结构中的占比进一步提升。厂房布局不断向智能化方向调整，智能醒料系统已建设完成并顺利投入使用，省市级智能制造示范车间项目和星级上云项目都已在申报过程中，同时持续推动智能工厂建设，以进一步提升企业竞争力。
　　电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品，包括DSC PDFN、sTOLL等封装形式，其中sTOLL的Clip加Wire的工艺已进入小量阶段，sTOLL的Full Clip的工艺已进入小试状态，配合先进封装的激光全切技术已调试完成。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部分成员具有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已建设完成第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，2025年通过车规质量体系IATF16949审核。
　　产品开发方面：
　　（1）开发完成：基于650V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款模块产品完成开发。完成开发的模块产品平台有LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2等。其中应用于组串式光伏逆变/储能的产品LQ2_300A&450A/650V和LE3_650A/650V已通过内部测试，客户测试进行中；应用于集中式逆变/储能的产品L62_800A/1200V和LD3_600A&800A/1200V开发完成，通过内部测试，客户测试进行中；应用于车用空调控制的产品LE1_35A/1200V和LE2_50A/1200V已通过客户测试，预计2024年下半年开始批量生产。
　　（2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正开发。包括应用于组串式光伏逆变/储能的产品LE2_100A&150A&200A/1200V、LQ2_400A/1000V、LE3_600A/1000V（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）；集中式光伏的L62_1000A/1200V、LD3_1000A/1200V。公司计划在2024年下半年初步完成光伏领域的产品布局，与此同时，2024年下半年计划完成开发用于工业电机控制和变频的3个产品平台，包括L34、LN2、LN3；以及，在原有产品平台LE1、LE2、L62、LD3上拓展产品，开发应用于工业控制和变频的系列产品。
　　2024年上半年，公司申请了专利27项（其中5项为发明专利），已授权5项实用新型；公司通过了2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核；2025年计划申请“国家高新科技企业”。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅集成就特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片25款（2024年新增5款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片20款（2024年新增4款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增的高侧驱动、马达驱动两条产品线，已经在重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用展开推广、销售。
　　国硅集成2024年通过江苏省“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定；顺利通过无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。
　　截至目前，国硅集成累计获得知识产权55项，其中专利14项（发明专利6项，实用新型8项），集成电路布图40件，软件著作权1件。
　　（五）内部管理
　　2024年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。
　　（六）投资情况
　　2024年，公司继续围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在公司所处产业链相关领域，通过对一些能够与公司业务形成紧密协同、且具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，形成新的整体解决方案，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，从而增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　2024年上半年，公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售，进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作。此外，公司参股投资以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商、原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商，该两项投资有利于公司纵向资源整合，持续完善产业链布局。

　　三、风险因素
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。

　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有197项专利（其中发明专利93项、美国专利2项），集成电路布局图40项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 收起▲