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企业号

001309

主营介绍

  • 主营业务:

    自主可控的存储主控芯片与固件方案研发,以及产业化应用的长期深耕。

  • 产品类型:

    固态硬盘、嵌入式存储、内存条、移动存储

  • 产品名称:

    固态硬盘 、 嵌入式存储 、 内存条 、 存储卡模组 、 存储盘模组

  • 经营范围:

    一般经营项目:计算机系统集成、计算机网络技术、计算机网络软件、计算机应用软件的研发、技术咨询;电脑软件、软件产品、计算机软硬件、电子产品、集成电路软硬件的研发、批发、技术咨询、技术服务、佣金代理(不含拍卖)、进出口及相关配套业务(不涉及国营贸易管理商品,涉及配额、许可证管理及其它专项规定管理的商品,按国家有关规定办理申请);转让自行研发的技术成果;从事货物及技术进出口(不含分销、国家专营专控商品);从事上述产品的售后服务。以上经营范围不含国家规定实施准入特别管理措施的项目,涉及备案许可资质的需取得相关证件后方可经营。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)许可经营项目:计算机系统集成、计算机软硬件、集成电路和模块、电子设备、存储产品等电子产品的封装、测试、生产和销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)

运营业务数据

最新公告日期:2026-08-28 
业务名称 2026-06-30 2025-12-31 2025-06-30 2024-12-31 2024-06-30
企业级存储营业收入(元) 48.15亿 - - - -
嵌入式存储营业收入(元) 55.92亿 - - 8.43亿 -
嵌入式存储营业收入同比增长率(%) 228.98 - - 1730.60 -
产量:存储行业(个) - 3.16亿 - 1.45亿 -
销量:存储行业(个) - 3.05亿 - 1.39亿 -
固态硬盘业务营业收入(元) - - 15.34亿 - -
固态硬盘业务营业收入同比增长率(%) - - 64.62 - -
嵌入式存储业务营业收入(元) - - 17.00亿 - -
嵌入式存储业务营业收入同比增长率(%) - - 290.10 - -
内嵌入式存储产品销售收入(元) - - - - 4.36亿

主营构成分析

报告期
报告期

加载中...

营业收入 X

单位(%) 单位(万元)
业务名称 营业收入(元) 收入比例 营业成本(元) 成本比例 主营利润(元) 利润比例 毛利率
加载中...
注:通常在中报、年报时披露 

主要客户及供应商

您对此栏目的评价: 有用 没用 提建议
前5大客户:共销售了36.78亿元,占营业收入的34.09%
  • 客户1
  • 客户2
  • 客户3
  • 客户4
  • 客户5
  • 其他
客户名称 销售额(元) 占比
客户1
15.71亿 14.56%
客户2
9.39亿 8.70%
客户3
5.22亿 4.84%
客户4
3.24亿 3.00%
客户5
3.23亿 2.99%
前5大供应商:共采购了68.98亿元,占总采购额的55.75%
  • 供应商1
  • 供应商2
  • 供应商3
  • 供应商4
  • 供应商5
  • 其他
供应商名称 采购额(元) 占比
供应商1
42.28亿 34.17%
供应商2
7.78亿 6.29%
供应商3
6.35亿 5.13%
供应商4
6.30亿 5.09%
供应商5
6.27亿 5.07%
前5大客户:共销售了24.44亿元,占营业收入的51.22%
  • 客户1
  • 客户2
  • 客户3
  • 客户4
  • 客户5
  • 其他
客户名称 销售额(元) 占比
客户1
8.41亿 17.63%
客户2
6.33亿 13.26%
客户3
4.83亿 10.11%
客户4
2.55亿 5.35%
客户5
2.32亿 4.86%
前5大供应商:共采购了45.51亿元,占总采购额的68.84%
  • 供应商1
  • 供应商2
  • 供应商3
  • 供应商4
  • 供应商5
  • 其他
供应商名称 采购额(元) 占比
供应商1
18.45亿 27.91%
供应商2
17.63亿 26.67%
供应商3
3.48亿 5.27%
供应商4
3.05亿 4.61%
供应商5
2.89亿 4.38%
前5大客户:共销售了4.43亿元,占营业收入的24.92%
  • 客户1
  • 客户2
  • 客户3
  • 客户4
  • 客户5
  • 其他
客户名称 销售额(元) 占比
客户1
1.09亿 6.12%
客户2
9223.31万 5.19%
客户3
8799.62万 4.95%
客户4
7922.38万 4.46%
客户5
7450.29万 4.20%
前5大供应商:共采购了14.63亿元,占总采购额的54.13%
  • 供应商1
  • 供应商2
  • 供应商3
  • 供应商4
  • 供应商5
  • 其他
供应商名称 采购额(元) 占比
供应商1
6.22亿 23.02%
供应商2
2.68亿 9.91%
供应商3
2.68亿 9.90%
供应商4
1.55亿 5.72%
供应商5
1.51亿 5.58%
前5大客户:共销售了5.20亿元,占营业收入的43.70%
  • 客户1
  • 客户2
  • 客户3
  • 客户4
  • 客户5
  • 其他
客户名称 销售额(元) 占比
客户1
2.02亿 16.99%
客户2
1.12亿 9.39%
客户3
7810.10万 6.56%
客户4
7242.40万 6.08%
客户5
5567.96万 4.68%
前5大供应商:共采购了7.84亿元,占总采购额的62.35%
  • 供应商1
  • 供应商2
  • 供应商3
  • 供应商4
  • 供应商5
  • 其他
供应商名称 采购额(元) 占比
供应商1
2.84亿 22.61%
供应商2
1.97亿 15.62%
供应商3
1.43亿 11.33%
供应商4
9278.03万 7.37%
供应商5
6814.68万 5.42%
前5大客户:共销售了6.96亿元,占营业收入的64.49%
  • Starjade Internation
  • 深圳市朗科科技股份有限公司与深圳市朗博科
  • 尧云科技(西安)有限公司与西安奇维科技有
  • 深圳市威科伟业电子科技有限公司
  • 深圳鑫银波科技有限公司与香港汉高科实业有
  • 其他
客户名称 销售额(元) 占比
Starjade Internation
2.11亿 19.57%
深圳市朗科科技股份有限公司与深圳市朗博科
1.92亿 17.79%
尧云科技(西安)有限公司与西安奇维科技有
1.24亿 11.51%
深圳市威科伟业电子科技有限公司
9143.15万 8.47%
深圳鑫银波科技有限公司与香港汉高科实业有
7722.56万 7.15%
前5大供应商:共采购了8.42亿元,占总采购额的79.10%
  • GREAT UNION TECHNOLO
  • 易利科技有限公司
  • HUNG KAI INVESTMENT
  • 深圳市泓润达电子科技有限公司与深圳市联润
  • 锦晖电子股份有限公司
  • 其他
供应商名称 采购额(元) 占比
GREAT UNION TECHNOLO
5.11亿 48.01%
易利科技有限公司
1.16亿 10.92%
HUNG KAI INVESTMENT
1.11亿 10.42%
深圳市泓润达电子科技有限公司与深圳市联润
5580.37万 5.24%
锦晖电子股份有限公司
4804.37万 4.51%

董事会经营评述

  一、报告期内公司从事的主要业务
  (一)主营业务
  公司是一家专业存储控制芯片及存储解决方案提供商,核心能力源于自主可控的存储主控芯片与固件方案研发,以及产业化应用的长期深耕。公司经过多年积累,掌握了自主可控的主控芯片研发核心技术,同步形成固件解决方案及量产优化工具核心技术,夯实存储解决方案的技术根基。在此基础上,公司持续深化“从底层技术到终端场景”的全链路布局,推动业务模式从标准化产品交付逐步向场景化、定制化解决方案转型升级,使存储模组成为解决方案落地的重要载体,为客户提供一站式、全链路存储解决方案服务。
  公司产品线涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、内存条类及移动存储类四大系列,已广... 查看全部▼

  一、报告期内公司从事的主要业务
  (一)主营业务
  公司是一家专业存储控制芯片及存储解决方案提供商,核心能力源于自主可控的存储主控芯片与固件方案研发,以及产业化应用的长期深耕。公司经过多年积累,掌握了自主可控的主控芯片研发核心技术,同步形成固件解决方案及量产优化工具核心技术,夯实存储解决方案的技术根基。在此基础上,公司持续深化“从底层技术到终端场景”的全链路布局,推动业务模式从标准化产品交付逐步向场景化、定制化解决方案转型升级,使存储模组成为解决方案落地的重要载体,为客户提供一站式、全链路存储解决方案服务。
  公司产品线涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、内存条类及移动存储类四大系列,已广泛应用于数据中心、手机、车载电子、平板、通信、工控、安防、监控等多元应用场景。同时,公司以客户场景为中心,结合系统设计硬件工程、创新优化固件算法、深度挖掘介质应用等方式,实现晶圆颗粒与特定应用场景的敏捷适配,保障数据存储的稳定性、安全性和兼容性,在满足产品性能、可靠性、QoS等指标的基础上,持续提供增值特性服务,为全球100多个国家和地区的客户提供定制化、高品质、高性能的存储产品和解决方案。
  (二)主要产品
  公司以闪存主控芯片的设计、研发为差异化核心竞争力,结合固件方案及量产工具开发、存储模组测试和供应链管理等形成完善的存储解决方案,最终通过存储模组产品形式实现销售。
  在“聚焦存储”战略指导下,公司不断完善存储产品矩阵,拓展产品应用领域与应用场景,目前已经形成了包括固态硬盘、嵌入式存储、内存条和移动存储在内多条存储产品线。在消费级市场,公司通过自研主控、自建测试与生产线,形成具备市场竞争力的固态硬盘、嵌入式存储、内存条、移动存储等存储产品;在数据中心、信创金融、工控安防等应用领域,公司聚焦场景需求,灵活、高效调整主控与固件方案,为客户提供高品质、定制化的存储解决方案。
  公司主要产品及应用情况如下:
  1.固态硬盘
  固态硬盘采用闪存芯片阵列制成,产品覆盖PCIe、SATA等主流接口,形态包括E1.S、E1.L、E3.S、U.2、M.2、2.5英寸、移动固态硬盘等,可适配数据中心、台式电脑、笔记本电脑、游戏主机、工控设备等多元应用场景。
  公司将企业级存储作为核心战略方向,以“AI基础设施方案提供商”及“企业级存储核心芯片提供商”为定位,依托企业级自研主控芯片、全谱系产品矩阵,紧扣海内外头部AI领军企业的需求痛点,具备全球化企业级存储规模交付等综合服务能力,可提供高速存储、差异化芯片能力的AI基础设施解决方案。报告期内公司企业级SSD产品已成为多家头部互联网、服务器OEM、信创生态客户的核心供应商,通过多种元业务形态及深度研发合作,加速落地E1.S、E1.L、E3.S等新一代企业级SSD产品规模化交付,PCIe6.0SSD专项研发稳步推进;同时,光明智能制造基地企业级存储产品测试线首期建设已完成。
  企业级产品方面,AI大模型训练与推理正在重塑数据中心存储架构:训练阶段的数据集加载与检查点写入、推理阶段的词元缓存与KVCache卸载,以及跨节点的分布式存储池,推动存储按“热—温—冷”分层部署,更要求以带宽、容量与成本的最优组合支撑算力利用率与集群TCO。公司企业级SSD已形成覆盖E1.S、E1.L、E3.S、U.2、M.2及2.5英寸形态,PCIe5.0/6.0与SATA接口,TLC/QLC介质,容量240GB至61.44TB的全谱系产品矩阵,可满足AI服务器、分布式存储与云数据中心的全场景分层存储需求。
  针对AI浪潮下KVCache扩展、向量检索与训练检查点等性能敏感核心负载场景,公司已量产的PCIe5.0TLC产品顺序读写最高可达14000/10000MB/s,随机读写最高可达3400K/490KIOPS;正在推进的PCIe6.0TLC产品顺序读带宽翻倍至28000MB/s,随机读提升至6000KIOPS,随机写时延低至4μs级,为AI核心负载提供高带宽、低时延的极致性能底座。容量层面,E1.L及U.2形态QLC产品单盘容量最高达61.44TB,较主流7.68TB级TLC产品提升8倍,以更优的单位容量成本承接海量数据集、历史上下文等温冷数据,显著降低集群TCO。面向企业级场景对高密度部署、热插拔与高效散热的运维需求,公司推出了EDSFF系列产品,以1U高密度机位的E1.S为例,其较U.2等传统形态整机部署密度提升50%以上,并原生支持热插拔与侧向散热,同等功耗下散热效率更高,更适配数据中心大规模部署和AI高负载场景。消费级产品方面,公司存储模组产品容量覆盖从入门级至8TB全规格,满足从日常办公到专业创作的多元存储需求。其中PCIe5.0SSD产品已实现全面量产,顺序读写速度最高可达14100/12200MB/s,随机读写性能最高可达2500/2000KIOPS。区别于传统数据存取与单轮推理调用,AIAgent多任务并发与端侧AI推理会产生大量KV-Cache换入换出、Agent记忆检索、多会话切换操作,形成大量小粒度高频随机访问,随机读取性能成为影响实际体验的关键指标。公司产品随机读取性能达2500KIOPS,处于行业领先水平,较常规PCIe4.0产品性能提升1.5倍以上。产品采用M.22280形态,支持NVMe2.0协议,容量覆盖1TB至8TB,搭载高效散热设计,可满足高端AIPC、端侧AIAgent负载等场景下的旗舰级存储需求。
  报告期内,公司PC类SSD与内存条产品已先后完成主流PC平台生态认证,能够为客户提供“即插即用、平台级适配”服务,大幅降低整机厂商的导入验证成本与时间,目前已成功导入多家全球PC头部客户并实现批量出货。公司相关存储模组产品在兼容性、稳定性及性能调优层面已获得国际一线品牌的认可。
  报告期内,公司相关产品已在金融设备、工业控制、边缘计算等领域实现客户拓展,并在多个行业标杆客户处完成产品导入与批量交付。公司推出以“主控芯片+固件算法+定制服务”为核心的定制化行业解决方案,产品具备宽温、抗硫化、防尘、抗冲击等特性,并为边缘计算、5G基站、电力监控等场景提供差异化技术支持。
  2.嵌入式存储
  嵌入式存储广泛应用于智能终端,如智能手机、平板、智能电视、机顶盒等。近年来,随着智能网联汽车、人工智能与边缘计算的快速发展,其应用场景已延伸至智能穿戴、自动驾驶辅助系统(ADAS)、AI学习机等各类AI终端。
  公司嵌入式存储产品已覆盖eMMC5.1、UFS、LPDDR4X/5/5X等协议,并拓展QLCeMMC、QLCUFS、小尺寸eMMC、ePOP等方案。公司eMMC、UFS产品基于技术创新持续迭代:eMMC5.1产品读取速度最高可达320MB/s,UFS2.2、UFS3.1产品读取速度最高分别可达1000MB/s、2000MB/s。
  报告期内,公司LPDDR全线产品已实现量产出货,产品已覆盖LPDDR5/5X、LPDDR4X系列,传输速率分别可达8533Mbps、6400Mbps和4266Mbps。产品采用小尺寸封装与FDVFS动态调压等低功耗设计,较前代功耗降低20%-25%,可满足智能手机、平板电脑及AI终端对高带宽、低功耗的存储需求;同时,公司持续推进手机、平板、移动物联网等领域的主流SoC平台兼容性验证与多元颗粒适配,实现公司嵌入式产品下游客户导入工作提效。
  针对智能穿戴设备小型化、合封化趋势,公司加快推出小尺寸eMMC、ePOP等产品,适用于智能手表等空间受限的穿戴设备。报告期内,公司小尺寸eMMC产品已具备量产能力,正在加快客户验证与导入工作,产品容量覆盖16GB至128GB,读取、写入速度最高分别可达240MB/s、200MB/s,封装尺寸仅为7.2×7.2×0.8mm,较标准eMMC封装面积减小约65%、厚度降低20%。公司已完成ePOP产品开发工作,后续将持续推进产品量产及客户送样。
  公司围绕QLC在AI终端时代的应用,推出QLCeMMC、QLCUFS方案。依托自研纠错算法与固件调优支撑QLC介质寿命与性能,公司QLCeMMC产品读取、写入速度最高分别可达320MB/s、260MB/s,在保持与TLCeMMC5.1主流产品相当读写性能的前提下,将容量上限提升一倍至512GB,并已完成客户验证、实现批量交付;QLCUFS产品读取、写入速度最高分别可达820MB/s、700MB/s,目前已进入客户验证阶段,有望年内实现批量交付。
  客户拓展方面,报告期内,公司加快了AI边缘计算应用领域、海外客户拓展,相关产品已进入CPE网关、单板计算机、工控设备等细分领域头部客户供应链体系。公司嵌入式产品已完成宽温域适应性、抗硫化设计、定制化固件优化等关键技术升级,可满足电力设施、网络安全设备、数据通信设备等高可靠性场景7×24小时稳定运行要求。
  3.内存条
  公司内存条产品覆盖DDR4、DDR5系列,形态包括RDIMM、UDIMM、SODIMM、CUDIMM/CSODIMM及LPCAMM2等,容量覆盖8GB至128GB,可满足数据中心、台式电脑、笔记本电脑、AIPC等消费级场景及工控设备需求。
  报告期内,公司面向AI存储需求持续完善产品矩阵。针对AI服务器及数据中心场景,公司推出了企业级DDR5RDIMM产品并实现规模化交付,容量覆盖32GB-128GB,支持最高6400MT/s速率,采用On-dieECC与ECC颗粒双重纠错,可满足服务器、数据中心、AI计算等场景对高可靠、大容量内存的需求;针对AIPC场景,公司推出了64GB、最高6400MT/s速率的大容量内存条并实现量产,满足AI应用对大容量、高带宽内存的需求;同时,LPCAMM2新型内存模组产品已向客户送样,为下一代轻薄高性能PC提供更优的存储解决方案。
  公司还通过全链路信号协同优化,新推出了non-CKD6400标准时参内存产品,在保持6400MT/s高频性能的同时无需搭载CKD(时钟驱动器)芯片,相较CSODIMM方案成本可下降9%-12%,进一步丰富公司高频内存产品矩阵,为下游用户提供更多的高频内存选择。
  报告期内,公司还重点推进了DDR颗粒芯片级测试能力建设,DRAMIC测试产能显著提升,自研DDRIC测试设备已进入试产阶段。新测试体系与测试设备,通过自主搭建基于高性能主控平台的高精度测试系统,对DDR颗粒在高速信号、温度控制、电气特性等关键指标上的精确筛选与验证,将测试管控从模组级延伸至芯片级,实现了从颗粒筛选源头对内存条产品品质与性能的自主把控,为公司内存条产品线向企业级、服务器、PCOEM等高交付要求的领域提供了坚实的底层支撑。
  针对AI应用与工控场景,研发团队在硬件设计上改进散热设计、添加电源管理系统,快速跟进新型外形尺寸与接口,更基于自研固件技术实现数据加密、纠错码、温度管理、自适应电压调节、数据完整性保护、动态频率调整等功能。
  4.移动存储
  移动存储因其技术成熟且具有低功耗、低成本等特点,在数据备份、文件传输、移动终端等场景大量应用。公司深耕移动存储多年,已流片多款自研主控,具备从主控、固件方案到生产制造的全栈技术能力。针对需求不断增长的视频监控、工业控制、车载后装等新领域,公司通过研发创新,已经推出了多款定制化新品,为移动存储业务开拓新的增长方向。
  1)存储卡模组
  存储卡是一种利用闪存技术存储数据信息的存储器,其尺寸小巧,外形多为卡片形式,主要应用于手机、GPS设备、数码相机、无人机、安防摄像头、智能音箱、电子游戏机等消费电子产品中作为存储介质。
  针对不间断录制环境下高写入存储需求,公司新一代SD卡主控芯片采用创新架构设计,支持144/176层乃至更高层的3DTLC/QLCNAND,支持4KLDPC技术与ONFI4.0协议,通过智能GC(垃圾回收)算法与写入调度机制优化,减少长时间循环写入过程中的性能波动与数据碎片化问题,提升产品兼容性与耐久性,该芯片还内置了S.M.A.R.T健康监测系统,采用低功耗设计,支持生产环境下的预测性维护与能耗管理,全面满足工业存储的可靠性与能效要求。
  搭载公司新一代自研SD6.0存储卡主控芯片的存储模组已经完成产品开发,并实现批量出货。报告期内,公司进一步开发了具备宽温和高耐久特性的存储卡产品,积极丰富存储卡下游应用领域,加快拓展下游客户类型,加速推进移动存储产品在车载电子、行车记录仪、工控设备等领域的产品落地,并实现了规模销售。
  2)存储盘模组
  存储盘(U盘)是一种通过USB接口进行数据传输,利用NANDFlash存储芯片进行存储的可移动数据存储装置,目前已经成为人们日常生活中最常用的移动存储介质之一。
  公司基于自研主控芯片与全栈定制能力,面向个人消费、车载后装、工控安防等场景提供多样化产品,公司同时提供外观、功能、材质、包装等一站式定制服务,满足消费电子客户的差异化需求。
  报告期内,公司进一步拓展车载后装市场,推出新一代TC301系列USBType-C车载U盘,采用T型短机身设计,更适配隐藏式车载接口环境。产品已通过EMI/EMC、静电、盐雾等多项可靠性测试,存储空间写满后,系统可自动循环覆盖旧录像,更契合新能源车载的行车记录、哨兵模式等高负载循环录像及复杂环境下的使用需求。
  (三)经营模式
  1.盈利模式
  公司主要基于自身技术积累与介质研究,在充分了解客户需求后,结合硬件设计、固件开发、算法优化、供应链管理等形成完善的存储解决方案,根据方案需要采购存储晶圆,搭配自研主控、外采主控、PCB等材料或器件,通过封装、贴片、测试等工序后,形成闪存、内存存储模组,再将存储模组销售给下游渠道商、品牌商、行业客户、其他终端客户或消费者赚取利润。
  在存储模组中,存储晶圆的成本占比较高,存储晶圆的利用率水平对企业经营效益影响较大,而晶圆利用率水平的高低对与其匹配的闪存主控技术和固件方案提出了较高的要求。公司系中国大陆在存储领域同时掌握持续、稳定的存储晶圆采购资源和闪存主控芯片设计及芯片固件开发技术能力的少数存储模组公司之一。
  2.研发模式
  产品设计与研发环节属于公司经营的核心流程,公司已形成规范化的研发流程和质量控制体系,并根据实际执行情况不断进行完善和更新,全面覆盖产品项目可行性研究、评审、实施、产品投片到工程验证和质量验证以及量产等阶段,确保产品开发的全过程得到有效监控并达到预期目标。
  为推进新产品在客户端的技术验证及导入进程,公司已构建面向下游的协同研发体系,在企业级、消费级等多个领域,联合多家下游客户搭建联合实验室平台。采用前置协同研发测试模式,将技术适配、方案验证、可靠性测试等工作前置,深化与下游客户在产品定义、技术对接、品质确认等环节的协同,提升技术响应效率,缩短新产品落地周期。
  1)介质研究流程
  公司介质研究以存储介质的演变状态及未来发展趋势为导向,围绕公司产品研发对介质技术支撑的实际需求,系统开展介质测试验证、介质特性研究与算法转化,为自研主控芯片、固件方案及存储解决方案的迭代升级提供介质层面的技术支撑。
  公司介质研究的具体过程包括介质选型评估、特性测试与数据沉淀、算法开发与转化、验证与产品应用等阶段。介质选型评估阶段,公司基于产品性能、成本及可靠性目标,与存储原厂开展技术对接与颗粒参数对比分析,确定介质技术路线;特性测试阶段,公司依托自研介质分析平台与业界主流测试机台,对颗粒开展功能、性能、可靠性等多维度测试,建立颗粒特性数据库与多场景失效模型,形成标准化的介质评估机制;算法开发阶段,公司基于特性数据与失效机理分析,开展数据纠错、介质读恢复管理、数据管理等核心算法的开发与仿真验证,并通过软硬分层适配实现算法能力与自研芯片的协同优化;验证与产品应用阶段,公司开展介质导入验证与量产管控,将研发成果落地于具体产品,并持续收集量产数据反向迭代优化算法与测试方案,形成“测试数据反哺研究、研究成果回馈产品”的闭环机制,支撑产品在性能、成本及可靠性之间实现最优平衡,为3DPCM等新型介质前瞻研究奠定基础。
  2)主控芯片研发流程
  公司始终以研发创新作为驱动企业发展的核心经营战略,自设立以来,持续将技术提升作为提高市场竞争力的重要因素,紧跟市场行业发展趋势,不断研发新技术、设计新产品。对于存储主控芯片研发,持续投入资源进行创新,公司的研发根据存储介质的演变状态及未来发展趋势评估,以更高性能、更低功耗、更先进的工艺制程以及更优越的兼容性和性价比作为芯片设计与研发目标,遵循科学技术的更新规律,以摩尔定律周期和行业发展趋势为基础,不断进行芯片产品迭代。公司还基于下游客户的差异化应用场景与个性化功能诉求,针对性开展定制开发工作,确保芯片产品能够精准匹配客户的实际应用需求,形成自主可控的全栈存储解决方案。
  公司芯片研发的具体过程包括项目启动阶段、项目计划阶段、项目实施阶段、工程和质量验证阶段,经过上述过程后,由市场部、研发部组织量产评审会议,再评估芯片产品竞争力、制造成本、经济效益、工厂产能等并决定产品量产计划。量产评审通过后,产品开始批量生产。
  3)存储解决方案开发过程
  公司存储解决方案是以存储晶圆资源的型号特点为基础,适配闪存主控芯片等材料或器件,结合电路与结构设计形成产品方案,并包括固件方案、量产工具等而形成系统解决方案。
  公司存储解决方案开发的具体过程包括市场需求调研、资源整理与方案目标设立、方案开发、方案试样、测试、导入量产。公司在存储模组解决方案的研发过程中,根据客户需求首先制定所需存储产品各项性能参数,结合市场中存储晶圆资源的型号和数量情况,通过技术可行性分析确定开发路线,闪存模组产品还将综合考虑拟适配的闪存主控芯片性能特点;继而开展硬件架构设计、固件算法开发,同步建立供应链管理体系、测试验证体系;随后通过小批量试产进行工艺验证与参数校准,并视需要开发特定量产工具;最终完成量产导入并持续优化生产流程,确保产品在性能、成本及可靠性之间达到最优平衡。整个开发周期嵌入动态监测机制,通过实时数据反馈持续迭代优化,确保方案始终符合市场需求与技术发展趋势。
  3.采购模式
  公司采购的产品或服务主要包括存储晶圆产品、自研闪存主控芯片代工服务或闪存主控芯片产品采购、存储晶圆和存储模组封装、测试服务等。公司建立了较为严格的采购管理制度,确保对供应商管理有效性,具体各类产品或服务的采购情况如下:
  1)存储晶圆采购
  全球存储晶圆主要由三星电子(SAMSUNG)、海力士(SKHynix)、美光(Micron)、闪迪(SanDisk)和铠侠(KIOXIA)、长江存储(YMTC)、长鑫存储(CXMT)等存储原厂供应,根据CFM统计数据,境外存储原厂的供应规模占全球存储晶圆市场份额较高,形成寡头垄断市场,因此,公司主要从存储原厂直接采购或从其代理经销商渠道采购存储晶圆。
  2)闪存主控芯片采购
  公司存储模组使用的闪存主控芯片包括自研主控芯片代工生产和外部采购闪存主控芯片两类。自研与外购闪存主控芯片均是公司现有产品方案的重要组成,外购方案实现成熟品类高效落地,自研方案聚焦核心技术突破、未来产品迭代、打造差异化产品能力,叠加自主固件、调试算法的系统级开发,共同满足不同应用场景的客户需求。报告期内,公司持续开展以闪存主控芯片为核心的闪存控制管理技术的研发,其中,根据NANDFlash存储晶圆的技术架构和产品特点进行专业化的闪存主控芯片匹配,并形成系统配套的固件方案、调试算法等是存储管理方案的重要部分。
  3)委托加工采购
  公司存储模组产品部分工序通过委托加工方式生产,主要包括部分存储晶圆测试工序、晶圆颗粒封装测试工序、存储模组封装测试工序、部分模组产品贴片集成和产品测试工序。具体产品与委托加工工序的对应关系见生产模式。
  4.生产模式
  公司主控芯片主要采用委外代工模式进行生产,注重主控芯片设计能力和技术水平的提升。公司存储模组产品自有产线主要集中于保障产品品质与可靠性的测试环节,同时亦会根据实际客户订单情况,委托外部企业封装测试,并结合完善的质量管控体系与各类高规格实验室支持,实现产品的全周期质量管理。
  随着公司产品矩阵持续完善、技术实力不断增强,企业级存储、PCOEM、手机、工控等行业客户占比不断提升。此类客户对产品兼容性、批量交付一致性与长期供应稳定性要求严苛,公司持续构建覆盖全产品线的测试验证体系,实验室用例9000余项、兼容性测试平台3000余个、自动化率超过90%,自动化智能产线与MES全流程数字化管控,形成从平台认证、客户导入到批量量产的完整交付闭环。
  公司当前主要产品的生产模式如下:
  1)存储晶圆测试工序
  在存储原厂生产晶圆(Wafer)的过程中,一方面由于晶圆生产工艺特点,另一方面由于新工艺制程或产品型号在投产早期生产尚不稳定,导致晶圆中不同区域的存储颗粒品质存在差异。为了达到经济效益最大化,存储原厂对于不同品质的存储颗粒存在分类销售的情况。
  为保证产品质量与经济效益,公司在存储模组生产前,需要对部分购买的晶圆进行拣选(下DIE),并对其中的低品级存储颗粒进行测试分类(测DIE)。在完成存储晶圆测试工序后,可初步确定存储晶圆的容量品质以及物理特性,并纳入晶圆半成品库管理,最终用于不同产品的生产。公司智能制造(福田)存储产品产业基地已经建立了DIE芯片测试线,存储晶圆拣选、测试工序主要由自有产线完成,部分存储晶圆测试进行委托加工。
  2)封装测试工序
  公司产品涉及的封装工序主要委托专业封装厂商实施,公司提供NANDFlash存储晶圆,由外协厂商将存储晶圆颗粒封装为TSOP或BGA形态的晶圆封装片半成品,公司根据不同产品的生产流程与工艺要求,选择合适的外协厂商。封装完成后半成品需要进一步测试,除委外测试外,公司已经建立了测试生产线,实现对BGA封装片的自主测试。
  此外,由于公司合作的主要外协封装厂商多为专业从事存储产品的封装测试生产厂,其一般会根据产能情况储备部分市场中主流型号闪存主控芯片,因此,公司也存在部分存储模组产品由外协封装厂商根据公司产品和固件方案按照公司要求配供市场主流闪存主控芯片的情形。
  3)贴片集成工序
  贴片集成即将封装后的晶圆和主控芯片及其他贴片类电子元器件贴装到PCB的对应位置,该工序存在于固态硬盘、内存条模组产品的生产过程中,公司目前固态硬盘、内存条模组贴片生产工序主要由自有产线完成,部分产品的贴片进行委托加工。
  4)存储模组产品测试工序
  该工序为存储模组产品开发的后端部分,通过高温老化测试等方式对存储模组产品的可靠性、稳定性等方面进行检验,公司目前该工序主要由自有产线完成,部分存储模组的产品测试存在委托加工。
  针对部分高端存储产品与海外交付场景,公司除自建产线外,还采用差异化深度战略合作生产模式,与专业头部生产制造合作伙伴建立专属定制化合作链路,区别于常规产品的委外加工模式。产品的整体存储解决方案,包括硬件架构设计、主控适配、定制化固件开发、量产工具开发、量产标准与测试规范制定、生产设备、供应链管理均由公司自主完成;方案定型后,规模化量产、成品测试等制造环节由指定深度战略合作厂商按标准落地。公司全程把控方案标准、工艺要求与验收规范,对合作厂商的生产流程、工艺参数及成品质量实施全流程监督验收,保障产品高端品质与稳定性,适配企业级市场高端定制、高可靠、规模化交付的行业特点。
  对于外协厂商,公司制定了完善的委外管理制度,详细规定了委外管理的办法、制度和流程,对整个生产过程进行标准化、系统化、制度化管理,保证委外生产、制造环节能够规范、有效地进行,从而保证公司产品的质量。公司会综合考虑加工成本、加工品质、产能规模和交期速度等各项评估指标,选择境内外最为符合要求的供应商合作。
  5.销售模式
  根据行业特点和下游客户需求,公司销售主要采用“直销和渠道分销相结合”的销售模式,两种销售模式下均为买断式销售。通过该种销售模式使公司更好地专注于产品的设计、研发环节,提高产业链的分工合作效率。
  1)直销模式
  在直销模式下,公司产品通过线下线上直接销售给终端客户、下游贴牌加工厂商及终端消费者,依靠对需求的快速响应能力和稳定可靠的产品质量,公司获得了较好的行业口碑及细分领域内较强的产品竞争力。公司存储模组产品已导入多家云服务厂商、知名品牌商,并成功进入车载应用、平板电脑、智能手机等多个领域知名企业的供应链体系。
  企业级存储产品对稳定性、可靠性及性能要求较高,且需要适配数据中心整体架构,客户通常需要深度技术协同或联合定制开发。公司与企业级客户以项目合作方式开展业务,在需求定义阶段即介入定制化的性能指标和规格类型定义,在产品开发阶段提供深度技术协同,在交付与服务阶段保障定制化硬件版本的长期稳定供货。
  同时公司持续推动自有品牌建设工作,发布了全新品牌VI标识,以全新“TWSC”品牌标识作为战略深化的标志,聚焦“全球化、科技化、专业化”品牌策略,打造“真芯改变世界”的高科技品牌形象。公司通过充分整合渠道资源、销售网络,多元化销售方式,逐步提高德明利、TWSC、CUSU等自有品牌曝光度及知名度,推动自有品牌产品的终端客户导入和直接对外销售。
  2)渠道分销模式
  在渠道分销模式下,公司通过渠道客户,向下游市场提供各类存储产品。公司已建立了成熟完善的渠道客户管理制度,通过比较信誉、资金实力、市场影响力、客户服务水平、行业背景、终端资源等因素,择优选择渠道客户。
  (四)经营情况分析
  2026年上半年,全球AI大模型技术迭代与产业落地持续深化,多模态模型普及、推理侧算力扩容推动AI服务器出货规模保持高速增长,AI浪潮成为驱动存储产业发展的核心主线。AI算力体系中,存储的基础支撑与价值增益持续凸显,一方面,存算融合、以存强算、以存代算等技术路径加速商业化落地,通过高带宽内存架构、模型键值缓存(KVCache)压缩算法、KVCache卸载等方式有效缓解内存墙瓶颈,助力AI大模型训练与推理环节实现降本增效;另一方面,训练数据规模扩容与推理场景广泛渗透同步催生海量存储需求,AI服务器配套的企业级固态硬盘(eSSD)、高带宽内存模组(HBM)、企业级内存条(RDIMM)等产品需求爆发式增长,存储行业增长引擎已全面切换为AI产业驱动。供需环境方面,全球存储原厂持续将研发资源与产能向企业级存储市场倾斜,海外头部云服务商及头部AI服务器厂商为保证长期供应链稳定性,以长期协议方式锁定上游产能的趋势持续强化,进一步加剧了存储行业供需关系的紧张度,对下游模组厂商的供应链稳定性提出了更大的挑战。此外,为缓解日益趋紧的供给缺口,存储原厂资源进一步向上游芯片与晶圆制造环节聚焦,为下游模组厂商、方案服务商留出了更大的价值整合空间,具备定制化产品研发能力与强供应链管理能力的厂商迎来更大的客户拓展与价值提升的发展窗口。
  面对行业发展机遇,公司聚焦全链路存储解决方案能力强化,实施“全栈方案+价值整合”双轨驱动策略,依托“主控芯片+固件算法+场景适配”的全链路定制能力,构建了完善的客户需求快速产品化与定制化全栈方案转化体系,深化信创与行业生态共建,结合自身长期积累的供应链管理能力,成为衔接技术、定义产品、服务场景的价值整合与创新中心。报告期内,公司依托优秀的全栈存储解决方案能力,在企业级存储、消费电子等市场主赛道实现客户突破,加快自主产能与高端制造能力建设,保障产品交付与质量稳定,推动公司经营规模与盈利能力快速增长。
  报告期内,公司实现营业收入169.11亿元,同比增长311.55%,其中单二季度实现营业收入93.72亿元,同比增长228.04%,环比增长24.33%,在企业级存储、嵌入式存储等新业务的加速拓展下,业务规模稳步扩张;上半年公司实现归属于上市公司股东的净利润60.17亿元,同比增长5,201.60%。
  1.把握AI产业发展红利,聚焦企业级存储业务布局
  随着产品矩阵快速拓展、技术实力不断增强,公司紧抓AI浪潮驱动的行业发展机遇,围绕企业级存储下游大客户定制化需求以及大规模、高质量稳定交付要求,持续加快推动战略客户拓展、产品验证及产能扩张工作,相关业务收入及订单规模均快速增长。公司企业级业务在手订单充足,持续推进企业级业务规模增长、业务占比持续提升,本报告期内实现收入48.15亿元。
  公司前瞻性把握本轮AI产业发展机遇,在战略层面全面聚焦企业级存储业务布局。公司企业级存储事业部锚定AI服务器、云数据中心等高价值场景,定位AI基础设施方案提供商+企业级存储核心芯片提供商,持续引入行业资深技术及产业化人才,目前企业级存储事业部已完成超400人专业团队搭建。企业级存储业务具有技术难度高、开发周期长等特征,为匹配客户技术需求,公司企业级存储事业部依托于四大企业级研发中心,组建超300人的高层次研发团队,其中拥有10年以上技术经验人员超130人。依托于核心研发能力,公司快速迭代完善自研企业级存储产品线,面向云服务商等核心客户提供先进存储解决方案。
  介质端,公司已经完成从经验筛选到模型驱动的体系化升级,完成一套“设备—平台—数据—模型”四位一体的统一颗粒特性数据平台与先进分析体系。设备及平台层,公司融合自研设备及商用ATE机台的双重技术优势,搭建NCA介质分析平台及业界主流ATE机台的双平台交叉验证体系,形成从电学信号、协议时序到环境应力的完整测量闭环。数据和模型层,公司结合多年存储领域应用经验及对介质应用的深度理解,已经建立完整颗粒特性数据库与多场景失效模型,全面覆盖主流原厂多代次、多类型存储颗粒,累计沉淀几十款型号的全场景实测数据,并通过对数据的解构和分析形成数据纠错算法、介质读恢复管理算法、数据管理算法三大自研核心算法,再通过软硬分层适配将核心算法能力下沉至自研主控芯片,构建起区别于行业通用方案的核心技术壁垒。
  芯片端,公司报告期内发布行业首颗企业级eSSDSATA&PCIe双模主控芯片H3361,该主控芯片针对数据中心多元存储需求开发,基于相同PCB设计,通过固件配置形成SATA或NVMe企业级SSD方案,降低多接口产品的重复开发与维护成本。同时,依托于介质及算法上的深厚技术积淀,公司在H3361上落地包括电压管理算法(优化产品普通场景下达到99.9%以上的一次性读成功率,同时保障产品QoS的整体性能)、读电压管理算法(减少GC搬移量,减少写放大10%以上)、软化Suspend算法(将4KB读写应力场景下的99.9%QoS时延降低十倍以上)、智能流控方案、多层级读恢复流程、磨损均衡在内的10余种算法,充分保障产品性能及可靠性。H3361的发布也帮助公司进一步完善了从主控芯片、全栈固件到方案验证、系统适配的企业级存储技术布局,为数据中心及行业客户提供稳定、可靠、安全的存储一站式解决方案。
  产品端,公司企业级存储业务目前已构建全谱系产品矩阵,覆盖各类主流市场需求,其中eSSD产品形态覆盖E3.S、E1.S、E1.L、U.2、M.2,接口协议覆盖PCIe5.0/6.0、SATA3.2,容量覆盖240GB-61.44TB;DDR5RDIMM产品覆盖32GB-128GB市场主流容量,最高支持6400MT/s且向下兼容,综合性能达到行业一流梯队,适配主流云与AI服务器场景。公司TE5133系列产品以国产NAND颗粒为核心,搭载国产主控,4KB随机读写速度分别达到3400K/490KIOPS,均处于行业领先水平,为客户提供安全、稳定、高性能的全国产存储解决方案;公司PCIe5.0QLC产品TE518C系列eSSD,支持U.2/E1.L双形态,最高支持61.44TB大容量及14GB/s极速读取,满足极致容量密度、卓越能耗比的全闪存AI应用场景需求,帮助客户实现企业存储资源优化与云基础设施降本增效。
  此外,针对AI服务器对于存储产品的高性能要求,公司搭载PCIe6.0的eSSD产品TE619A系列已在研发过程中,该系列读取带宽较PCIe5.0翻倍提升至28GB/s,具有4μs级超低写时延,适配E3.S/E1.S等高密度新形态,为数据中心高速缓存、核心业务及高性能计算场景提供极致性能支撑,该系列产品预计将于年内实现量产。PCIe6.0接口作为新一代接口标准,凭借翻倍带宽及CXL协同能力,正逐步成为高端AI服务器的主流选项,并预计将成为下一代大模型算力及企业级存储的核心互连方向,公司作为国内首批实现PCIe6.0产品商业化落地的企业,有望帮助客户有效缓解大模型训练、推理等AI场景下的数据传输瓶颈,依托于技术先发优势优先进入头部客户新一代AI基础设施预研验证体系,构建面向下一代AI服务器存储方案的卡位优势。
  客户端,公司积极把握本轮AI产业发展红利,紧扣核心客户需求推动业务拓展,目前已实现对多家头部云服务商客户的批量化出货,并结合客户差异化产品需求落地多项定制化开发项目;除国内重点客户的业务开拓外,公司亦在积极拓展海外市场,本报告期公司陆续参与环球资源香港展、台北COMPUTEX2026、巴西EletrolarShow等重量级全球行业展会,向海外客户展出全栈AI+存储解决方案,覆盖AI服务器、高性能消费终端、嵌入式智能设备等多样化产品,目前已与部分海外企业级客户达成订单合作并实现批量交付。
  供应链端,公司企业级存储业务目前在中国境内布局深圳光明、广东惠州、广东东莞三大生产基地及生产线,其中深圳光明智能制造基地具备从SMT贴片、组装、老化测试到成品包装的端到端自主能力,可实现企业级存储及内存模组全流程管控及稳定交付,是后续公司企业级存储业务高速发展的有力保障。同时,为满足海外客户的稳定交付需求,公司通过与已有多年合作经验的委外生产头部供应商协同,复刻国内成熟合作模式,快速布局完善越南生产基地,该生产基地主要服务于海外客户,截止目前该生产基地已经实现量产与交付,并预计未来产能有望进一步提升,海外业务拓展有望成为公司企业级存储业务的新增长点,并助力公司精准把握全球产业趋势,为后续业务的稳步拓展筑牢根基。
  企业级存储模组作为高端形态的存储产品,具有研发难度高、落地周期长、客户验证要求高等特征,且客户对供应链稳定交付能力具有较为严格的要求,整体行业具备较高的进入门槛。同时,近年来受益于AI产业的带动,企业级存储需求及占比持续提升,据TrendForce预测,NANDFlash位元需求中服务器相关需求占比有望从2026年的44.2%持续攀升至2027年的51.1%,已超越手机成为第一大应用。预期未来随着公司企业级存储业务布局的持续完善,企业级存储业务将作为核心驱动力,助力公司经营表现持续向上。
  2.巩固技术人才优势,建立长效激励机制
  为持续夯实研发综合实力,抢抓AI红利下企业级存储发展机遇,支撑战略业务快速拓展,公司持续引进高端研发技术人才,不断完善研发人才梯队,巩固人才竞争优势,持续强化技术积淀,稳步提升自主研发与创新能力。报告期内,公司研发人员迅速增长,截至报告期末公司研发人员数量达522人,较上年年末增加85人,公司研发支出为3.43亿元,同比增长197.10%。
  高端人才布局方面,公司亦持续加大投入力度。2026年8月,公司第三届董事会第四次会议审议通过了《关于聘任公司副总经理的议案》,同意聘任范云松先生为公司副总经理。范云松先生自2026年1月起担任公司研发中心总经理兼CTO,拥有近30年半导体行业相关工作经验,历任华为技术有限公司、华为海思半导体有限公司、深圳忆联信息系统有限公司、成都华瑞数鑫科技有限公司等公司重要技术及管理岗位。范云松先生曾任华为企业级SSD研发团队核心主管,是国内首个国产化企业级SSD主控解决方案研发负责人,曾在国内率先推出SATA6G、SAS6G、SAS12G、PCIeGen3、PCIeGen4企业级SSD控制器,成功交付了10余款企业级/消费级SSD主控和系列化模组产品。高端人才团队的完善将进一步夯实公司技术底座,强化研发体系建设,提升核心技术攻关与产品迭代能力,助力公司持续巩固技术壁垒与市场竞争力。
  为推动上市公司治理架构不断完善,帮助公司吸引和留住高素质人才,公司在持续引进优秀中层管理层及核心研发人员的基础上,通过实施多期股权激励计划覆盖核心管理团队、技术人员与业务骨干,持续增强团队凝聚力与企业核心竞争力,为公司实现高质量、可持续发展奠定坚实的人才基础。报告期内,公司完成了2026年股票期权激励计划首次授予,进一步将员工与企业的利益紧密交织,有效提升了团队的活力和员工的积极性,深度绑定股东、公司及核心团队利益。
  3.前瞻性布局新型介质研究,产品落地在即市场空间广阔
  公司存储解决方案坚持自主研发核心战略,以介质深度研究为基座,以自研主控芯片及固件方案为核心,依托于持续提升的研发实力,持续深化关键技术的体系化创新,并积极探索新介质等前沿技术发展。公司研发中心下设介质算法研发部、芯片研发部、架构设计部、硬件与平台研发部、产品工程部、新产品孵化部及各事业部研发部等二级部门,其中介质算法研发部及芯片研发部合计超100人。依托于完整的人才团队布局以及持续的介质算法前瞻性研发投入,公司目前不仅在NANDFLASH、DRAM等主流存储介质上具备深厚研发积累,也持续紧跟新型存储介质的技术演进浪潮,围绕下一代非易失存储路线开展系统性技术研判与预研工作,在围绕器件机理、阵列可靠性、存储密度与成本、产业成熟度、以及与AI数据中心CXL温存储架构的匹配度等多维度进行细致调研、建模与对比验证后,最终选定3DPCM作为重点攻坚方向,并通过多年前瞻性投入取得阶段性突破,为后续的快速产业化奠定了扎实技术根基。
  3DPCM,即3DPhaseChangeMemory,也称三维相变存储器,是一种基于硫属化合物,通过电脉冲加热使材料在晶态/非晶态间可逆相变的非易失性存储介质,具有存储速度快、存储密度高、数据保持时间长及与CMOS工艺兼容等优点。3DPCM综合表现位于DRAM和NAND之间,相较NAND具有更快的读写速度以及更高的耐久性,相较DRAM具有更低成本、更大容量及非易失性特征,因此能够很好地填补DRAM及NAND间性能和成本差异,完善现有存储架构。
  2023年以来,随着AI应用落地不断加速,AI大模型参数的数据量级持续增长,驱动企业级存储需求也随之快速增长,同时“内存墙”问题日益凸显,内存及存储带宽增速不足成为制约处理器性能发挥的主要因素之一。PCM兼具低延迟、非易失、大容量等特征,可有效缓解“内存墙”问题,解决AI时代下存储技术的重要瓶颈之一。同时PCM可结合CXL技术以低成本扩容超大容量内存池,适配大容量、高并发的键值数据库及大模型KVCache缓存业务场景,在AI算力、嵌入式存储、商业航天等多个领域也均有较大应用潜力,未来有望逐步发展为主流存储介质之一。市场的实际需求为3DPCM存储发展营造了良好的外部环境,相关产品产业化落地条件越发成熟,提前布局相关技术研究,沉淀技术积累,挖掘市场需求,将为公司在未来半导体存储技术竞争中的赢得先发优势。
  报告期内,公司围绕PCM介质开展了固件与算法层面的实质性开发,完成IO块管理、磨损均衡、介质格式化等方向的专利布局,面向CXL接口场景开发适配PCM的存储管理方案,打通主控固件对新型介质的适配链路,为后续PCM相关产品落地夯实底层技术基础。产品化方面,公司自研H8560、H9560两颗芯片,覆盖PCMSSD与CXL内存扩展两大产品形态,重点支撑AIKV缓存、热数据分层场景,助力AI基础设施构建性能与成本均衡的分层存储体系。其中,H8560芯片已率先完成回片验证,并将于下半年实现PCMSSD产品化落地,产品耐久度指标高达150DWPD,较主流企业级TLCSSD实现数十倍的指数级跃升,随机读时延低至10μs级,进一步接近DRAM级访问性能,彻底打破传统存储介质的时延壁垒。同步布局的H9560主控芯片预计年内完成回片,瞄准CXL内存扩展核心场景,进一步完善公司从存储芯片到AI存储基础架构解决方案的全栈版图。未来,公司将围绕PCM等新型介质,坚持技术创新驱动,不断强化自研优势及核心技术壁垒,同时深化上下游生态建设,加强产业链协同合作,联动战略伙伴推进技术攻关与产品落地,依托技术、生态与市场多重优势,丰富产品矩阵,把握AI产业发展红利,深挖云服务商等重点客户需求,巩固公司在企业级存储领域的综合竞争力。
  4.丰富多元产品矩阵,拓展新客户新市场激活长期增长潜力
  报告期内,公司围绕嵌入式存储及消费级存储领域持续深挖重点客户需求,推进产品迭代及研发创新,同时积极开拓新客户及新市场,驱动相关业务收入规模快速增长。
  嵌入式存储业务板块,公司紧扣可穿戴设备小型化、高集成的发展趋势,加速推进ePOP及小尺寸eMMC产品研发,目前公司已与部分客户达成战略合作,相关产品进入测试验证阶段,预计年内可实现量产出货,进一步丰富公司嵌入式产品矩阵。同时,公司嵌入式存储业务的海外拓展亦取得阶段性成果,报告期内开拓北美、欧洲、韩国等多个境外市场,覆盖通讯、AI端侧、消费电子品牌等多元客户类型,持续深化全球化客户布局,为业务的长期增长储备增量动能。
  消费级存储业务板块,公司持续发力PCOEM市场,相关产品已顺利导入多家头部厂商供应链并实现批量出货,有效拉动固态硬盘、内存条等产品线销售规模增长,推动业务收入规模快速扩张。
  (五)业绩驱动因素
  1.新业务驱动增长,海外业务加速布局
  报告期内,公司持续推进研发创新,丰富产品矩阵及产品类型,围绕重点客户快速推进新业务、新产品的拓展,企业级存储、嵌入式存储等战略业务快速放量,相关收入占比不断提升,已成为支撑公司收入快速增长的重要增长极。2026年上半年公司企业级存储业务规模持续增长,业务占比持续提升,上半年实现收入48.15亿元;嵌入式存储业务实现收入55.92亿元,同比增长228.98%。目前公司企业级及嵌入式存储业务在手订单充足,下半年相关业务规模有望持续向上。
  本报告期公司持续深挖战略业务重点客户需求,加深加宽双方业务合作深度及范围,相关业务收入及订单规模均快速增长,为进一步提升相关订单交付能力,公司已于第二季度启用光明工厂,目前已进入量产交付阶段,产能持续爬坡,有望为下半年相关业务的快速增长提供有力保障。
  除国内重点客户的业务开拓外,本报告期公司已与部分海外企业级客户推进业务洽谈并达成合作意向,为保证相关产品的供应链稳定性,公司通过与已有多年合作经验的委外生产头部供应商协同,复刻国内成熟合作模式,快速布局完善越南生产基地,该生产基地主要服务于海外客户,截止目前越南生产基地已经实现量产交付,并预计未来产能有望进一步提升。
  2.研发投入持续加码,经营效率稳步提升
  报告期内,公司为推动企业级存储、嵌入式存储等新业务的快速发展,持续加大研发投入力度,截至报告期末公司研发人员数量已达522人,较上年年末增加85人,其中毕业于985/211或双一流高校的研发人员达185人,上半年公司研发投入为342,868,515.56元,同比增长197.10%,持续增加的研发投入和不断完善的人才队伍有效帮助公司夯实技术壁垒,是公司企业级存储、嵌入式存储等战略业务快速拓展的核心底座。
  在推动业务规模快速增长的同时,公司经营效率亦在稳步提升,截至报告期末,公司员工总数为1,499人,人均创收1,128.12万元,人效水平持续提升,同时期间费用率亦同比优化1.83个百分点,规模效应对盈利能力的提振作用持续释放。预期未来随着公司规模优势的不断扩大,公司经营效率将有望持续向好,并通过规模化采购和销售提升上下游产业链议价能力,为公司后续业绩释放奠定扎实基础。
  3.AI红利持续释放,供应链优势价值凸显
  报告期内,受AI产业需求快速增长带动影响,存储行业价格延续2025年三四季度以来的增长趋势,根据CFM闪存市场数据,截至2026年6月30日,NAND价格指数/DRAM价格指数较2025年年末分别增长57.5%/73.2%,从公开信息来看,AI相关业务已成为云服务商重要业绩增长方向,头部云服务商AI产品季度收入持续同比高增,大模型厂商商业化进程不断加速,营收规模持续增长,AI产业高景气支撑云服务商、大模型厂商资本开支持续扩张,带动存储行业需求持续高增。
  公司持续看好存储行业景气度上行趋势,同时为配合业务规模的快速扩张,上半年积极加大战略库存储备,截至2026年6月末,公司存货余额为214.12亿元,相较2025年年末增长203.36%,战略储备为公司后续业务,尤其是企业级存储等战略业务的加速扩张提供了坚实保障,并为公司后续业绩的持续释放提供了扎实基础。同时,公司积极加宽加深与上游多家存储原厂的战略合作关系,通过长期协同机制保障供应链的稳定安全,结合持续强化的多元化采购体系,在保证风险可控的基础上全方位提升自身供应链能力。突出的供应链能力是公司在行业供给紧张期间保障订单交付的有力支撑,也是公司后续业绩持续释放的重要依托。
  二、报告期内公司所处行业情况
  1.AI浪潮推动市场加速扩容,产业链下游持续加码资本投入
  存储行业兼具成长性与周期性,存储技术与社会需求形成双向驱动。2025年,AI技术的快速发展与落地,带动AI服务器、数据中心等存储需求爆发式增长,产业各界持续保持高资本投入。据TrendForce集邦咨询最新测算,受全球AI算力需求持续超预期驱动,谷歌、AWS、微软、Meta、甲骨文、字节跳动、腾讯、阿里巴巴、百度等云服务商持续上调资本开支规划;预计2026年上述厂商合计资本支出将上调至8,300亿美元,同比增幅由此前预估61%提升至79%。资本开支中超六成资源投向AI服务器、GPU集群、数据中心高速网络与算力基建升级。
  与此同时,智能手机、智能汽车等智能终端需求稳步攀升。AI应用持续推进终端化,加速终端性能升级和容量扩充,由数据中心企业级市场率先启动的高端逻辑芯片与存储芯片结构性升级浪潮,正进一步向车载、消费电子等多元端侧应用场景扩散,共同驱动本轮半导体技术创新突破与市场规模持续增长。根据WSTS预测,2026、2027年全球半导体市场将分别增长89.9%、26.6%,约为15,112亿美元、19,137亿美元,其中存储市场有望分别实现同比249.5%、32.1%增长,达到8,039亿美元、10,621亿美元,2025-2027年全球存储器销售额占集成电路市场规模的比例分别为32.81%、56.92%和58.73%,占半导体市场规模的28.91%、53.20%和55.50%,已成为推动半导体市场发展重要的细分领域。
  2004-2027E全球半导体、集成电路及存储器市场规模
  2.AI需求接力驱动存储扩容,供给端结构性紧张态势全面蔓延
  伴随AI大模型技术迭代与场景落地持续推进,存储作为AI服务器的核心组件,对AI大模型实现性能与成本均衡、推动商业化闭环落地发挥着举足轻重的作用。首先,伴随分级存储架构的优化与KV键值存储下移至SSD等技术的成熟,存储系统正成为AI大模型平衡性能与成本的关键工具;其次,DeepSeek引入Engram等创新技术,进一步以存算融合路径提升模型训练与推理效率,有望推动AI在企业知识管理领域的深度应用。最后,大模型厂商与终端品牌厂商,通过系统级融合、GUI模拟、云端协同等技术路径,不断提高AIAgent(智能体)可用性,加速终端智能化进程,终端AI应用实现了更广泛落地。在这一过程中,开源生态与高性能存储解决方案共同驱动着从云端到终端全场景存储需求的提升与格局重塑。
  随着AI相关需求的爆发性增长,存储需求增长主要驱动力正从消费电子向AI服务器加速迁移,持续拉动行业需求和结构的双重提升,根据Trendforce数据,2021-2024年服务器场景在NANDFlash位元需求中占比仅不到30%,但预计将在2026年提升至近45%,并进一步在2027年突破50%,AI相关需求的爆发式增长带来行业供需结构的大幅改变,进而引发产品价格大幅增长。
  自2025年三季度开始,受AI相关需求集中爆发影响,海外云服务商重启积极备货策略,纷纷提前锁定原厂长期订单,带来企业级存储行业需求的快速增长。在需求缺口的推动下存储原厂产能加速向企业级存储市场倾斜,致使存储行业供给压力从企业级市场迅速蔓延至消费级市场,带来行业历史性的涨价潮。原厂持续优先保障云厂商长期供货协议,通用型存储产能挤压状态延续,机构普遍预计结构性紧缺将维持。
  TrendForce集邦咨询预估,2026年一季度一般型DRAM合约价季增90%-95%,NANDFlash合约价季增55%-60%;二季度一般型DRAM合约价延续季增58%-63%,NANDFlash合约价季增70%-75%。进入2026年三季度,行业结构性紧缺格局并未扭转,根据TrendForce最新预测,预估2026年NANDFlash供给缺口约4%至5%,供需关系持续偏紧,Q3合约价将继续保持上行趋势。
  3.国产算力生态适配加速,政策持续推动硬件国产化
  2026年,国产大模型与国产算力不仅实现“各自突破”,更加快走向“双向适配”。据央视报道,我国日均词元调用量已从2024年初的约1000亿飙升至2026年3月底的140万亿,增长超千倍。在算力芯片层面,集邦咨询预测以华为和寒武纪为首的国产芯片供应商将合计占据中国AI服务器芯片市场近56%的份额。与此同时,国产大模型主动向国产算力深度迁移——DeepSeekV4首次将华为昇腾芯片与英伟达芯片并列写入硬件验证清单,依托昇腾910C集群完成1.6万亿参数大模型全参数后训练;2026年7月,月之暗面正式开源2.8万亿参数KimiK3,华为昇腾同步实现Day0全链路适配,在训练侧完成算子、并行加速、显存优化等专项优化,推理侧通过vLLMAscend与SGLang实现快速部署;海光信息同步完成KimiK3在海光DCU平台的全流程适配、部署与性能验证;阿里云真武M890超节点亦实现Day0适配。
  2026年国内算力、存力产业政策完成体系化升级,行业重心从早期单点技术攻关,全面转向算存一体化协同、基础设施标准化、全栈自主可控与规模化商用落地。2023年10月,工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》,强调“持续提升存储产业能力,鼓励存储产品制造企业持续提升关键存储部件等自主研发制造水平”,以加快存储国产化进程;2024年5月,中央网信办、市场监管总局、工信部联合印发的《信息化标准建设行动计划(2024—2027年)》,明确提出加大先进计算芯片、新型存储芯片关键技术标准攻关。2026年行业新政密集落地、落地力度显著加码:工信部启动全国算力互联互通节点建设,搭建“1+M+N”算力互联体系,统一算存调度标准,倒逼国产存储适配全国算力网络规范;普惠算力专项行动推动国产存算方案下沉,拓宽规模化应用场景。七部委印发的《2026-2028年全国算力基础设施建设行动方案》作为年度核心纲领,从补贴、税收、采购、技术攻关多维度扶持产业链,重点赋能适配国产大模型、存算融合架构的定制化存储产品迭代与场景验证。现阶段政策已构建“攻关-标准-落地-普及”完整体系,加速国产算力基建规模化商用,持续提升数据中心、信创、政企算力领域国产化渗透率。公司依托自研存储主控芯片与全链路存储解决方案,加快国产算存生态融入与建设,持续推进算力基础建设与存储国产化落地。
  4.下游应用对存储性能要求不断提升,驱动技术加速迭代与合作深度重构
  随着AI大模型从训练向推理规模化落地,以及端侧AI应用的全面铺开,服务器、AI终端等场景对存储的性能、容量、功耗和形态要求持续升级,推动存储技术在多个维度加速迭代。上游存储原厂聚焦存储介质本身的性能突破,研发与产能资源向最前沿的企业级/数据中心标准产品倾斜,加快HBM、QLCNAND等产品迭代,存储密度和传输性能得到进一步提升,单位成本也不断得到优化。
  以NAND为例,2026年量产节点的主流产品已从200层过渡至300层,三星、铠侠、美光等主要供应商在2026年陆续实现高层数NAND量产出货。随着QLC技术成熟度逐步提升,成本优势不断凸显,AI浪潮下对大容量高性能存储需求的持续增长使得QLCNAND加速渗透,企业级存储进入百TB时代。存储单元架构从TLC向QLC的迁移,QLC在企业级温存储场景的渗透率第一季度已达28%,预计2030年将超过55%。QLCSSD在企业级SSD市场渗透率预计2026年将达30%。此外,闪迪还推出了新型的AI存储架构高带宽闪存(HBF),其结合了3DNAND闪存和高带宽存储器(HBM)的技术特性,适合读取密集型的AI推理任务。
  NANDFlash技术发展
  而AI架构的快速迭代和深化,正将存储从性能、容量等单纯指标要求转为场景化、定制化的综合解决方案需求,存储产业正经历从标准化供应向场景化定制的深度重构,形成"应用端主导架构创新、方案商深化定制服务"的新型分工格局。云服务厂商基于海量应用洞察,从大规模部署与成本效率出发,主导云端存储池架构与数据分层创新;AI设备终端厂商则深入场景,规划存储延迟、吞吐、功耗与形态等规格;存储方案商则扮演关键整合者,将上游多元存储介质,与主控芯片、定制固件及硬件设计结合,并不断融入CXL等最新技术发展,实现从客户需求转化为深度定制的全栈存储方案。多方协作下,存储方案不再是通用硬件的堆砌,而是贯穿云、边、端,紧密贴合AI数据生命周期的定制化服务。公司正依托全栈自研技术能力,及深入理解终端应用场景的专家团队,通过“主控芯片+固件算法+场景适配”的全链路定制能力,赋能客户在AI浪潮中的存储方案落地。

  二、核心竞争力分析
  在AI驱动数据爆发与存储升级的时代背景下,公司持续深化“技术纵深+场景深耕+增值服务”存储解决方案战略布局,已构建覆盖芯片设计、产品研发、场景方案、供应链协同到全周期服务的核心竞争力体系,致力于成为客户可信赖的数据基础设施合作伙伴,提供高性能、高可靠、可定制的存储解决方案。
  1.全链路一体化研发生态,铸就行业先进存储解决方案
  公司高度重视自主创新,一直专注于集成电路的设计及商业化应用。自设立以来,公司主要聚焦于存储控制芯片与存储解决方案的研发、设计。公司研发团队主要人员均有超过十年的产业背景或集成电路研发经历,具备丰富的芯片设计研发与产品化应用经验。公司通过重构研发管理模式和研发项目流程,采用先进的DSTE-IPD模式,整合芯片设计、算法开发、系统集成到终端应用,打造了极具技术纵深的一体化研发生态,显著提升了公司场景需求快速产品化和大型复杂研发项目落地的能力。
  公司拥有成熟的研发体系,并逐渐形成了汇聚多地区科研人才的国际化管理和研发队伍。截至报告期末,公司研发人员已达到522人,其中毕业于985/211或双一流高校的研发人员达185人。凭借完善的技术储备和高端的研发人才团队,公司不断研发创新,推出了多款高传输率、高稳定性和高适配性闪存主控芯片,持续迭代固件方案稳步提升产品各项性能满足下游客户各类定制化需求,提升公司生产制造环节智能化水平降本增效。
  截至报告期末,公司累计申请专利484项,已获授权专利合计228项,其中已获授权发明专利67项,已获授权实用新型136项,此外公司已获授集成电路布图设计专有权9项,已获授软件著作权75项,公司技术研发成果在近年来呈现集中释放的趋势。因此,公司具有较强的技术研发优势,完善的研发体系、高素质的研发队伍及丰富的研发经验积累等为公司开拓市场、提升产品竞争力提供了坚实的基础。
  得益于研发体系与技术积累,公司已经具备存储产品与主控芯片核心关键技术攻关能力。近年来,公司一方面不断完善存储产品矩阵,拓展固态硬盘与嵌入式存储产品线,并开发出性能与稳定性要求较高的工规级、车规级、企业级存储产品;另一方面努力向更高技术难度、更先进制程的主控芯片研发发出挑战,完成移动存储主控芯片的多次迭代更新,完成固态硬盘SATASSD及PCIeSSD主控芯片量产,并积极推动UFS、eMMC等主控芯片的研发进程。报告期内,公司发布首颗企业级eSSD双模主控H3361,在数据中心场景通过芯片层的协议兼容,将多协议共存转化为系统内可调度、可管理的能力,在保障系统兼容性的同时支撑高效词元数据处理,进一步增强公司企业级存储业务从主控芯片、全栈固件到方案验证、系统适配的技术布局,为数据中心及行业客户提供稳定、可靠、安全的存储一站式解决方案。
  公司核心技术平台相互支持,共同迭代,加速技术积累,提高公司研发效率,降低研发风险和成本。公司基于自研的纠错算法、介质管理算法、低功耗管理等自主IP,结合加速接口协议等,满足新一代存储晶圆适配与客户定制化开发需求,为固件开发提供底层支持;基于固件方案平台进一步开发特定命令集,支持数据防护和盘片监测等增值特性,灵活、快速地适配不同晶圆颗粒及特定使用场景,确保产品技术方案的有效落地,保障产品量产进度;基于量产交付平台构建完整供应链生态,高效反馈真实客户需求与生产工艺迭代及适配,为主控芯片研发提供必要方向指导。公司核心技术平台构建了全链协同的存储芯片研发生态,以规范流程和高品质、高效率的解决方案,满足并超越行业标准,推动技术创新和产品快速上市,为全球客户提供定制化、高品质、高效率的存储解决方案。
  2.三层介质研究能力体系,夯实全栈存储解决方案技术底座
  存储行业技术迭代由存储介质演进驱动,公司的核心竞争优势体现为将存储颗粒转化为成熟存储解决方案的系统能力,介质特性研究与算法转化能力是公司全栈存储解决方案的核心技术底座。基于该能力定位,公司搭建“介质测试验证—介质特性研究与算法转化—新型介质前瞻开发”三层介质研究能力体系,各层级共享底层数据与验证平台,形成“测试数据反哺技术研究、研究成果赋能产品开发”的技术闭环。
  在介质测试验证层面,公司打造自研介质分析平台与业界主流测试机台相结合的双平台交叉验证体系,可完成多类型NANDFlash颗粒的特性分析及可靠性验证,测试项、命令时序、取数颗粒度均可实现自主可控。依托自研平台及配套分析设备,公司搭建覆盖多家主流原厂、多工艺代次、多品类存储颗粒的颗粒特性数据库与多场景失效模型,设置30余项特性管控维度,形成17项介质可靠性分析项目及标准化测试矩阵,沉淀10余类失效模型及配套固件处置策略,将介质筛选由经验判断升级为数据驱动、模型判定的标准化机制,完成“失效现象—失效机理—固件对策”全链条闭环管理。该能力可以基于已有特性数据库,经验证后直接复用同代际颗粒的Vt分布、retry表与失效模型基线,免去大量重复摸底实验,有效降低新颗粒量产风险与试错成本,颗粒平均导入周期缩短40%以上。
  在介质特性研究与算法转化层面,公司依托自研测试与仿真平台,建立“实测采集—数据校验—方案仿真—结果分析”完整研发链路,深度解析介质底层物理特性、读写机制、磨损规律、干扰特性及温度漂移特性,迭代形成数据纠错、介质读恢复管理、数据管理三大自主核心算法体系。通过软硬分层适配设计,将高吞吐、高实时、高算力消耗的核心逻辑下沉至自研主控芯片硬件执行,把策略性强、需要灵活迭代的功能保留于固件侧,实现产品性能、成本与可演进性的最优平衡。
  其中,自研纠错算法覆盖LDPC、BCH、RS等主流纠错编码,具备完备软译码能力;介质读恢复管理算法围绕电压管理、自适应读恢复两大技术主线,将TLC颗粒一次性读成功率提升至99.9%以上;数据管理算法集成健康度管理、磨损均衡、读写调度、冷热数据分层等全维度能力,在降低写放大的同时提升产品使用寿命与综合性能。上述算法已在搭载自研H3361主控芯片的企业级产品及多个嵌入式项目实现规模化应用,产品在BOL、EOL掉电Retention场景下可达成UBER1E-18的可靠性指标,实现介质的高品质应用与性能充分释放。
  在新型介质前瞻开发层面,公司针对下一代非易失性存储路线开展系统性技术研判与预研,对PCM、ReRAM、STT-MRAM、FeRAM等多条主流技术路线完成调研、建模与对比验证。结合AI数据中心存储架构演进趋势,公司将PCM介质作为重点攻关方向,深度参与介质特性建模、主控设计、固件算法、系统验证等关键环节,同步推进IO块管理、磨损均衡、介质格式化等方向专利布局,为布局AI分层存储、参与下一代存储介质标准定义筑牢技术基础。公司与介质原厂的分工模式、过程交互与问题定位闭环流程,已在H8560/H9560项目中完整跑通并得到验证,已经实现从介质机理研究到主控芯片、固件算法、系统验证的全链路自主掌控,并形成可复用的协作机制。
  3.筑牢订单交付保障,深度供应链协同与智能化产线扩产双柱并举
  供应链方面,公司通过多年存储领域的经营和资源积累,已经形成稳定的存储晶圆采购渠道,与多家存储原厂或其主要经销商已建立了长期可靠的战略合作关系,结合持续强化的多元化采购体系,已形成系统化的供应链保障系统。随着市场影响力的不断增强,公司目前已建立具有较强竞争力的规模化采购优势,为上游供应链的稳定安全以及下游核心战略客户的开拓形成有力支撑。
  制造能力方面,公司目前已分别在深圳福田、深圳光明打造两大智能制造基地,并在广东东莞、广东惠州、越南等地通过与外协供应商深度绑定的模式,全方位保障对客户的订单。1)福田智能制造基地,该基地集研发、设计、验证于一体,打造了高度灵活且柔性化生产设备矩阵,其中自主研发设备占比超过30%,基地内拥有业内一流的全自动SMT生产线及自动化配套测试线,包括真空回流焊、3DX-ray检测、数字荧光示波器等高可靠、高性能设备,全方位保障存储产品的生产品质与良率,实现多品类产品的高效柔性化生产。2)光明智能制造基地,该基地已于2026年第二季度启用,当前进入量产交付阶段。基地构建集智能制造、测试验证、规模化交付于一体的高端制造体系,可实现企业级SSD、RDIMM及嵌入式存储产品的测试与规模量产,持续增强公司高可靠验证与规模化制造实力。基地构建自上而下数字化管控链路,依托MES生产执行系统下达生产物料需求,联动WMS仓储管理系统统筹出库调度,驱动AGV智能物流完成物料转运,并通过电子料架实现线边物料精细化管控,打通仓储转运、线边存放、生产消耗全链路数据流,实现核心元器件至成品的批次穿透式追溯,满足企业级、数据中心、消费品牌终端客户严苛的制程审计与不良溯源要求,持续夯实高端存储品质管控水平,提升高端存储订单交付能力。3)广东东莞、广东惠州生产基地,针对部分高端存储产品,公司采用差异化深度战略合作生产模式,联合头部专业封测厂商搭建专属定制化合作链路。相较常规委外加工模式,公司全流程把控方案标准、工艺要求与验收规范,并配套健全委外管理制度,有效保障产品高品质与质量稳定性。4)越南生产基地,为保障海外企业级客户相关订单供应稳定性,公司携手长期合作的头部委外生产厂商,复刻国内成熟协同模式,加速推进越南生产基地布局,该生产基地目前已实现量产交付,未来产能有望进一步提升。
  4.具备场景化解决方案整合能力,实现从产品到价值交付的跨越
  公司深耕存储行业,以深入理解云服务、智能汽车、消费电子、工业互联网等领域客户的业务痛点的复合型专家团队为核心支撑,深度优化整合行业生态系统内的市场资源和技术资源,通过硬件、固件、管理软件及与上层应用(如数据库、虚拟化平台)的协同优化,支持硬件规格、软件功能的快速定制开发,以灵活响应客户的差异化需求,真正实现存储技术与业务场景的深度融合。目前,公司针对云服务场景,深入了解客户技术架构存储需求,定制化存储产品规格,保证数据读写效率的同时,最大化资源利用率;针对智能汽车、工业互联网场景需求,已实现宽温、抗震、高稳定性、数据加密的定制化方案落地,以场景化方案为客户创造超额价值。公司已经建立了完善的从客户需求到产品定制全流程快速响应机制,结合公司精益制造能力,具备了完整的定制化需求交付能力。
  5.数智化信息系统建设,助推组织运营效率提升
  公司持续推动数智化信息系统建设,已形成包括ERP企业资源计划管理系统、PMIS项目管理系统、EAP企业应用程序平台、ONES企业级研发管理平台、CRM客户关系管理系统、PLM产品生命周期管理系统、MES生产执行系统、WMS仓储管理系统、OA办公自动化系统在内的成熟数智化管理平台,实现从研发、采购、生产、销售到日常经营的全面信息化和数智化,同时持续完善制度化和流程化建设,有效提高管理决策效率和有效性。
  公司积极践行“高效文化”核心价值观,高度重视日常经营效率和人效管理,通过绩效管理体系和股权激励工具等多样化方式有效激发团队积极性,报告期人均创收1,128.12万元,人效水平处于行业前列并持续提升,高效运营能力帮助公司持续提升核心竞争力。
  6.深化生态合作拓展上下游纵深,推动生态共建与可持续发展
  公司以“坚持开放合作,共创共赢赋能行业发展”为核心理念,构建垂直整合的存储产业生态,与产业链上下游深度协同,公司部分嵌入式产品已与紫光展锐、瑞芯微等国产SoC平台完成深度适配,同时公司亦积极与飞腾、龙芯、兆芯及海光等主流国产CPU平台及统信、麒麟、中科方德等操作系统开展联合测试与长期生态适配。2026年7月,公司与全志科技联合实验室正式揭牌,双方团队目前已经搭建存储方案与终端处理器联合测试、同步认证、前置量产适配的协同通道,围绕不同终端的系统架构、数据负载及运行环境,已完成平板、商用交互显示、智能机器人等相关终端平台认证适配。未来双方将依托联合实验室,持续迭代优化现有场景的存储配套方案,深度协同德明利高可靠嵌入式存储方案与全志科技终端处理器平台,共同打磨一体化的底层适配能力,并围绕市场终端需求联合开发更多终端品类的相关解决方案。
  公司积极参与行业产品体系认证,目前企业级产品已完成飞腾生态体系合作伙伴认证,完成OpenCloudOS、腾讯云技术兼容互认证,并加入海光产业生态合作组织(即“光合组织”)及中国移动“千帆”生态联盟,成为信创工委会技术活动单位;通过深化上下游合作,公司不仅实现了产品和客户结构的多元化,实现经营稳定增长,还推动了存储行业的生态共建,为行业的可持续发展奠定了坚实基础。

  三、公司面临的风险和应对措施
  1.宏观经济波动的风险
  随着宏观经济形势的变化,存储产品下游应用领域的市场景气度可能存在波动。公司产品销售包括内销和外销,外销客户主要集中在中国香港地区,并通过中国香港地区的物流、贸易平台辐射、服务全球消费者。在国际贸易摩擦、经贸对抗的宏观环境下,全球经济发展面临新的不确定性,宏观经济环境的恶化将会使下游客户的需求下降,影响存储行业的市场空间,进而对公司的经营业绩带来不利影响。
  应对措施:公司将优化业务结构和产品组合,以提升抗风险能力,并通过技术创新和产品升级,提高市场竞争力。其次,公司将加强市场分析和预测,灵活调整经营策略,确保能够迅速响应市场需求的变化。
  2.市场需求不及预期风险
  公司目前已经建立了完整的存储产品矩阵,包括固态硬盘、嵌入式存储、内存条以及移动存储四大产品线。随着社会经济数字化的不断发展,对数据存储要求越来越高,存储模组产品在消费电子、数据中心、服务器、智能汽车、人工智能等领域中应用广泛。
  受全球通胀、俄乌冲突等不确定因素影响,包括消费性电子在内的存储下游市场可能存在需求减弱,周期复苏不及预期等风险,进而对公司业绩成长带来不利影响。
  应对措施:公司将通过技术创新和产品多样化,提升产品竞争力和市场适应性,确保持续满足客户需求。同时,强化市场调研和客户反馈机制,灵活调整产品和营销策略。建立战略合作伙伴关系,拓展新兴市场和应用领域,提升整体市场占有率,分散市场需求波动风险。
  3.上游晶圆等原材料紧缺和价格波动的风险
  晶圆等原材料紧缺可能对公司的生产经营造成不利影响。公司生产的产品主要为闪存和内存模组,产成品的成本构成中NANDFlash和DRAM存储晶圆的占比较高,全球NANDFlash和DRAM存储晶圆供应商只有三星电子、海力士、美光、闪迪、铠侠、长江存储、长鑫存储等少数大型原厂。存储晶圆市场呈现寡头垄断特征,货源供应受上述存储原厂的产能情况和其执行的市场销售政策影响较大。若未来受地缘政治因素或其他因素影响,公司无法获取持续、稳定的存储晶圆供应,将会对公司的生产经营造成不利影响。
  晶圆等原材料价格波动可能对公司的盈利能力造成不利影响。随着存储晶圆工艺技术的不断进步、新技术、新工艺产线的陆续投产、社会科技进步、电子产品数字化、智能化的快速发展,市场中存储当量的供给和需求都在快速增长,存储晶圆价格可能因上下游技术进步及存储原厂产能扩张计划等变化发生短期的供给过剩或不足。若未来原材料价格大幅上升,同时公司无法在短时间内将原材料价格上升的因素传导至下游客户,将导致公司的利润率出现大幅波动;若未来原材料价格大幅下跌,公司可能需要对存货计提大额跌价准备,从而大幅减少公司盈利,在极端情况下将有可能导致公司出现亏损。
  应对措施:高端存储器行业具有技术壁垒高、竞争者进入难度大的特点。为确保稳定的原材料供应和输出,公司不断拓展与全球主要存储晶圆供应商的合作,并扩展高端存储器业务。同时,公司优化库存管理,以应对价格波动,从而部分减少晶圆价格波动带来的负面影响。此外,公司致力于推动技术创新和产品升级,提高生产效率和原材料利用率,减少对单一供应商和高价原材料的依赖,确保生产经营的稳定性。
  4.技术升级迭代和研发失败风险
  公司所处存储行业技术升级和产品更新换代速度较快,并且上游存储原厂和下游存储应用需求的发展一直在不断升级丰富,且存储主控芯片设计及固件方案主要以适配存储颗粒的产品架构、技术参数等为核心。因此,公司需要正确判断行业技术发展趋势,并结合存储行业的技术发展方向和新工艺推出节奏,对现有主控芯片设计、固件方案、量产工具进行升级迭代。
  未来若公司的技术升级以及产品迭代进度和成果未达预期,致使技术水平落后于行业升级换代水平或不能跟随存储行业的技术发展节奏,将影响公司产品竞争力并错失市场发展机会,对公司的竞争力和持续盈利能力造成不利影响。
  应对措施:公司将保持对行业技术发展的敏锐洞察,定期进行技术评估和市场分析,并根据市场需求和技术发展动态,及时调整和优化新技术的研发工作。同时,公司将引进高水平的研发团队和建立完善的研发体系,以提升公司的自主创新能力。
  5.核心技术泄密风险
  长期以来,公司持续的产品研发与技术创新为公司积累了丰富的技术成果。除部分知识产权已通过申请专利、软件著作权及集成电路布图设计专有权等方式进行保护外,另有多项自主研发的技术成果以技术秘密、非专利技术的形式保有。
  虽然公司采取了多种措施对核心技术和知识产权进行了保护,仍可能出现如核心技术相关内控制度未得到有效执行、相关人员泄密、出现重大疏忽、恶意串通舞弊等情况。若未来出现未申请知识产权保护的核心技术大量泄密的情况,将可能使公司丧失技术竞争优势,对公司持续盈利能力造成不利影响。
  应对措施:公司严格执行核心技术相关的内控制度,建立严密的研发保密体系,严格按照相关规定落实核心信息和技术保密制度,与核心技术人员签订了《劳动合同》及《保密协议》,对核心技术人员的保密义务等进行了约定。同时,公司建设自有测试工厂,以逐步减少对第三方测试的外协依赖,从而提供更好的核心技术保密物理环境,减少核心技术外泄的风险。另外,公司持续加强知识产权管理,及时有效地将公司的职务智力劳动成果转化成公司的知识产权。
  6.行业周期影响和业绩下滑风险
  公司主营业务所属行业受上游原材料供给与下游市场需求关系影响,呈现较为显著的周期性波动特征。2023年至2026年半年度,公司扣除非经常性损益后的归母净利润分别为1,493.67万元、30,269.81万元、66,825.20万元和596,600.49万元。2026年半年度,受益于行业周期复苏与AI驱动,公司营业收入与归母净利润同比大幅提升。
  若未来行业周期下行、产品市场价格下滑导致计提大额存货减值准备,或出现原材料供应紧张、贸易摩擦加剧、委外加工风险、海外经营合规风险等不利情形,公司业绩可能面临进一步下滑的风险。
  应对措施:通过多元化产品布局和市场拓展,公司可以减少单一市场波动带来的影响。其次,公司将持续优化供应链管理,建立战略库存储备机制,结合业务快速发展的产能保障需求,进行有效的存货战略储备。此外,公司将加强成本控制,提升运营效率,以保持稳定的利润率。公司还将密切关注市场动态,灵活调整研发、生产和销售策略,确保快速响应市场变化。
  7.供应商集中度较高及原材料供应风险
  公司主要原材料为NANDFlash和DRAM存储晶圆,存储晶圆制造属于资本与技术密集型产业,产能在全球范围内集中于三星电子、海力士、美光、闪迪、铠侠、长江存储、长鑫存储等少数存储晶圆原厂,市场集中度较高。报告期内,公司各期向前五大供应商采购占比较高且存在一定变动。随着公司经营能力不断提升,公司已与主要存储晶圆制造厂及其代理商建立合作关系。
  未来,若公司主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限、与公司合作关系发生变化,或受国际贸易摩擦等因素影响,公司生产经营所需的主要原材料存储晶圆可能存在无法取得的风险,从而对公司生产经营产生重大不利影响。
  应对措施:公司积极加强与更多存储晶圆制造商及代理商的合作,与现有供应商建立长期稳定的合作关系,通过签订长期供货协议确保原材料供应的稳定性。此外,公司将密切关注市场动态,及时调整采购策略,确保原材料采购的灵活性和价格的合理性。
  8.境外市场需求疲软、境外客户合作出现波动等外销相关风险
  2023年至2026年半年度,公司外销收入分别为129,154.61万元、332,849.59万元、691,382.48万元和1,099,125.30万元,占比分别为72.73%、69.74%、64.08%和65.00%。公司外销收入占比较高且金额增长较快,主要系由于外汇结算、物流便捷性、交易习惯、税收等因素,中国香港已成为全球半导体产品重要集散地,同时公司积极拓展海外销售渠道、挖掘海外市场空间,大力开拓海外市场。未来若全球经济周期波动、国际贸易摩擦加剧,相关国家或地区的贸易政策、政治经济政策、法律法规等发生重大不利变化,导致境外市场需求疲软,公司境外客户合作出现波动,新客户拓展不及预期等情况,将影响公司外销收入规模,从而对公司经营业绩产生不利影响。
  应对措施:公司将加强内控管理,积极完善公司治理,提高管理团队的经营管理水平,熟悉在境外开展业务需要遵守所在国家或地区的法律法规,并加强对子公司的管理与控制。
  9.存货规模较大及跌价风险
  2023年至2026年半年度末,公司存货账面价值分别为193,200.96万元、443,639.68万元、705,843.28万元和2,141,234.11万元,占各期资产的比例分别为58.76%、67.54%、65.05%和64.95%。公司存货主要由原材料、在产品、库存商品、发出商品、委托加工物资和半成品构成。2023年至2026年半年度末,原材料及半成品金额分别为147,978.35万元、375,181.04万元、541,233.39万元和1,750,939.31万元,占存货账面价值的比例分别为76.60%、84.57%、76.68%和81.77%。2023年以来存货金额增长较快,其中原材料及半成品金额均大幅增加,企业级存储原材料采购规模持续提升,主要系公司基于业务发展需要和客户需求、存储市场发展情况进行存货战略储备。若未来市场价格出现大幅波动,公司可能面临存货可变现净值低于成本,出现大额减值的风险。
  2023年至2026年半年度末,公司存货跌价准备计提比例分别为1.34%、1.50%、0.50%和0.19%,受存储晶圆和存储模组产品市场价格的影响呈现一定的波动性。公司已对存货充分计提了跌价准备,未来若出现市场需求环境变化、原材料价格出现波动、竞争加剧或技术更新导致存货滞销、积压、变现困难,将导致公司存货跌价风险增加、市场竞争加剧导致毛利率下跌等情况,公司将面临存货跌价损失的风险,从而对公司经营成果和财务状况产生不利影响。
  应对措施:公司将密切关注行业发展动态,紧随上游原材料供给及下游市场需求优化存货管理,通过加强市场预测和需求分析,及时调整存货结构,在保障客户需求的同时控制生产备货风险。同时,公司将建立科学的存货跌价计提机制,根据市场价格和产品生命周期定期评估存货价值,合理计提存货跌价准备。
  10.经营性现金流量为负的风险
  2023年至2026年半年度末,公司经营活动产生的现金流量净额分别为-101,541.35万元、-126,336.67万元、-224,089.32万元和-673,556.58万元,归属于母公司股东的净利润分别为2,499.85万元、35,055.37万元、68,832.90万元和601,711.50万元。公司经营活动产生的现金流量净额自2023年以来快速下降并与当期净利润存在较大差异,主要系公司经营规模持续扩张等因素导致经营性应收项目有所增加,以及增加存货储备导致相应原材料采购支出相应大幅增加所致。
  未来随着公司业务规模持续扩大,若公司经营业绩不及预期、战略储备的存货无法及时实现销售、对客户信用政策调整导致公司无法及时回笼资金、或偿债能力下降导致无法获取外部融资,则公司将面临一定的流动性风险,进而给公司的生产经营、资金周转带来不利影响。
  应对措施:公司将通过加强应收账款和存货管理、优化信用政策、严格控制成本和费用来提升现金流。同时,积极拓展融资渠道,确保资金链稳定,避免因现金流不足导致的经营风险。
  11.偿债能力风险
  报告期内公司业务规模快速发展,公司资金需求量较大,融资需求较高。除自身积累外,公司日常生产经营所需资金的融资渠道主要为银行借款等方式。截至本报告期末,公司有息负债规模较大,存在一定的偿债压力。公司偿债能力、资金流动性的保持依赖于公司资金管理能力及经营活动产生现金流量的能力,若未来宏观金融环境、银行信贷政策和利率等发生变化,公司管理层不能有效管理资金支付或公司经营情况发生重大不利变化,可能导致公司营运资金周转压力增大,偿债能力受到影响。同时,若借款利率上升也将增加公司财务费用支出,可能对公司的日常经营带来压力,导致偿债能力风险增加。
  应对措施:公司将通过加强现金流管理、优化债务结构、提高资金使用效率、增加盈利能力等措施来增强偿债能力,并积极拓展融资渠道,确保在不同经济环境下保持充足的流动性,降低因资金短缺导致的偿债风险。
  12.应收账款余额较大、账龄延长等相关风险
  2023年至2026年半年度末,公司应收账款账面价值分别为42,264.41万元、39,698.07万元、72,266.79万元和366,850.22万元,主要系销售规模提升带动应收账款余额增长。
  2023年至2026年半年度末,公司账龄在1年以上应收账款余额分别为2,432.58万元、6,507.29万元、587.43万元和588.74万元,占当期应收账款余额的比例分别为5.58%、15.93%、0.80%和0.16%。2024年,由于部分客户未及时回款,导致1年以上应收账款有所提升,随着公司加大应收账款管理力度,回款情况在2025年末已有所改善。公司已根据会计政策对应收账款足额计提坏账准备,2023年至2026年半年度期末应收账款坏账计提比例分别为3.11%、2.83%、1.48%和1.12%。
  若未来行业再次因周期波动、需求不及预期等因素出现下滑,或客户的信用状况发生不利变化、因经营困难而延迟支付货款、出现违约情形,公司应收账款可能继续增长且账龄结构可能发生恶化、回款难度可能进一步增加,导致公司发生大额坏账、出现流动性及短期偿债能力不足等情形,对公司日常经营产生重大不利影响。
  应对措施:公司将加强应收账款管理,严格评估客户信用,合理设置信用额度和期限,并定期监控客户的信用状况和付款行为,及时采取催收措施,确保及时回款。与主要客户签订明确的付款协议,确保及时回款。同时,公司将适当调整销售策略,增强销售回款力度,减少因客户回款速度放缓导致的资金压力。通过这些措施,以有效降低应收账款带来的流动性风险和坏账风险。
  13.预付款项相关的风险
  2023年至2026年半年度末,公司预付款项余额分别为10,639.28万元、7,936.12万元、29,576.16万元和18,255.12万元,主要为存储晶圆的采购款,以及部分存储模组产品、自研主控代工、外购主控芯片等采购款。公司的预付款项金额较大,若预付款项对应的上游供应商经营情况出现恶化导致其无法正常履约或终止交易,公司预付账款可能存在坏账风险,并对公司形成资金占用,从而对公司经营产生不利影响。
  应对措施:公司将严格审核供应商的财务稳定性和履约能力,以确保选择可靠的供应商。同时,公司将建立、加强与供应商的沟通与合作,评估其经营状况,降低预付款项带来的风险。另外,实施供应链多元化战略,减少对单一供应商的依赖,以应对供应商破产或经营困难的风险。通过这些措施,以有效控制预付款项的增长,保障资金流动性。
  14.毛利率与业绩波动及增长可持续性的风险
  2023年至2026年半年度末,公司营业收入分别为177,591.28万元、477,254.63万元、1,078,910.02万元和1,691,055.89万元,营业收入呈持续增长趋势,2023年至2025年年均复合增长率为146.47%,2026年半年度营业收入同比增长率达到311.55%。公司毛利率分别为16.66%、17.75%、14.81%和47.12%。
  2023年至2026年半年度,公司归属于母公司股东的净利润分别为2,499.85万元、35,055.37万元、68,832.90万元和601,711.50万元。自上市以来,公司进一步集中资源投入研发,不断提高技术水平,2023年至2026年半年度,公司研发费用分别为10,801.34万元、20,321.96万元、29,169.35万元和34,286.85万元;同时,公司客户结构不断升级优化,公司销售费用亦随之增长,2023年至2026年半年度,公司销售费用分别为1,666.56万元、4,048.49万元、9,340.91万元和6,351.64万元。
  未来,如果公司研发投入带来的技术优势未能顺利转化为业绩表现,或公司未能顺利完成新客户、大客户的导入,将对公司毛利率和业绩增长带来负面影响。
  应对措施:公司将持续加大芯片设计、解决方案研发等的研发,大力引进行业优秀人才,不断优化产品结构,加大对高毛利产品的研发和投入;通过持续产品创新及技术服务等维护现有客户并持续拓展新客户、新市场,优化客户结构,以实现业务规模和收入的增长,提高公司盈利能力和财务状况。
  15.流动性风险
  2023年至2026年半年度末,公司的资产负债率分别为65.84%、62.22%、69.87%和70.34%,负债水平较高且增长较快,主要系为了满足在业务快速发展阶段的资金需求,同时公司资产规模相对偏小所致。截至报告期末,公司长短期借款合计159.54亿元,随着公司业务规模持续扩大,若未来外部宏观政策以及经营环境出现重大不利影响,公司经营业绩不及预期、客户回款周期延长等导致公司无法及时回笼资金、偿付相关债务,公司将面临一定的流动性风险,并对公司生产经营造成不利影响。
  应对措施:公司将强化回款管理、全流程跟踪应收账款以加速资金回笼,拓宽融资渠道、稳固银企合作并积极探索直接融资工具以优化债务结构,动态评估供应商资质并推进供应链多元化以控制预付款占比,同时建立风险预警机制、监控关键财务指标并开展压力测试,切实保障资金链安全。 收起▲