要点一:配股投资新型电力电子器件基地项目
       2019年4月，公司按每10股配售3股的比例向全体股东配售，配股价格3.9元/股，募集资金总额8.3亿元，扣除发行费用后的净额拟全部用于新型电力电子器件基地项目（二期）的建设。该项目产品包括重点应用于工业传动、消费电子等领域，形成600V-1700V各种电压、电流等级的IGBT芯片；同时包括应用于各领域的具有成熟产业化技术的MOSFET芯片；以及与公司主流产品配套的IC芯片。项目达产后预计将实现年销售收入91818.14万元，生产期平均年税后净利润为18226.68万元。

要点二:军品领域合作
       2016年3月，公司与北京微电子技术研究所签订《战略合作意向协议书》，双方本着平等互利、优势互补的原则，在功率半导体器件、集成电路、MEMS器件等产品的开发应用方面进行合作，包括在军品领域开发军方订单和军方新产品研发任务所涉及的产品型号，以及对有一定批量需求的工业产品，双方分别承担芯片设计、生产制造、封装、测试、销售的任务，并开展业务合作及相应的资源共享等。协议有效期十年。北京微电子技术研究所是国家重点投资建设的军用电子与器件研制单位，专业从事各种军用/抗辐射集成电路、MEMS器件和二、三极管的研制，同时提供集成电路封装、测试、可靠性试验、可靠性及失效分析等技术服务。

要点三:重点突破战略性新兴产业领域
       公司持续推进超结MOS、SGT MOS、IGBT、可控硅以及Trench SBD等五大工艺平台的建设工作。加大公司新技术、新产品的研发投入，研发资金逐年递增，公司高度重视国家战略性新兴产业发展所带来的机会，重点突破光伏领域、新能源汽车、变频家电、军工产品等市场领域，基本覆盖了智能电网的产电、输电和用电端等。公司生产的FS-Trench IGBT、FRD等高端功率器件在智能小家电、变频家电、充电桩等领域已经实现批量销售；公司开发了符合军工市场要求的抗辐射MOSFET产品，产品各项性能指标已经通过客户认证；不断优化高压MOS、SBD产品的性能指标，已经成功进入DELL、DIODES等大客户系统。

要点四:功率半导体器件龙头
       公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司坚持生产、研发、储备相结合的技术开发战略，不断向功率半导体器件的中高端技术及应用领域拓展。公司发挥自身产品设计、工艺设计等综合技术优势，已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系，正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变；同时公司积极向新能源汽车、变频家电、光伏等新兴领域快速拓展，并已取得初步效果，为公司持续发展奠定了坚实的基础。

要点五:国内领先的制造能力
       公司拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体晶圆生产线，报告期内，各尺寸晶圆生产能力为330万片/年，封装资源为24亿只/年，处于国内同行业的领先地位。同时，公司地处“中国最适宜建厂的城市”-吉林市，稳定的人力资源以及充沛的水力、电力保障，使公司拥有功率半导体制造最为宝贵的“资源优势”。