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业绩回顾

主营业务:
  公司是全球领先的第三代半导体硅基氮化镓功率器件IDM企业,专注于全电压谱系产品的研发、设计、制造及销售,覆盖芯片设计、外延生长、晶圆制造、封装测试等核心环节。

报告期业绩:
  2025年,集团的收益总额为人民币1,213.3百万元,较上年的人民币828.5百万元增加46.4%,主要是公司氮化镓产品在多个领域取得应用突破,订单持续增加。

报告期业务回顾:
  (一)产品研发回顾集团是全球唯一具备15V至1,200V全电压谱系产品矩阵的硅基氮化镓功率芯片企业,聚焦高压大功率与中低压高频化两大发展方向,持续优化产品性能与应用可靠性。2025年,集团在工艺平台迭代、封装创新、集成化开发等方面取得重大突破,新产品规模化量产进程加速,进一步拓宽氮化镓性能边界。
  高压产品(650V/700V/900V/1,200V)集团高低压3.0工艺平台已全面进入大规模量产阶段,累计推出70余款新产品,产品良率稳定在90%以上,彰显成熟的量产管控能力。基于新一代工艺平台,高压产品新增50余款型号,覆盖650V、700V、900V及1,200V全电压等级,已在智能家电、数据中心、汽车电子、可再生能源等领域实现量产出货。
  700VG3.0平台产品成功导入头部手机厂商原装充电器;集成无损电流检测功能的‘senseGaN’合封芯片已全面释放高频性能,导入头部厂商inbox应用,2026年将规模上量。面向AI服务器的高功率需求,集团Gen3650V大功率产品在AIHVDC关键客户完成产品导入;1,200V平台产品已在新能源电池化成应用实现量产。同时,集团正大力研发下一代高低压4.0技术平台,旨在进一步提升器件开关速度与导通电阻,并通过工艺层数优化,在现有基础上持续降低单颗芯片成本,为大规模市场渗透奠定坚实基础。
  中压产品(100V/150V/200V)在中压领域,集团基于第三代100VGaN工艺平台,创新推出双面冷却En-FCLGA封装,开发3.3x3.3mm及5x6mm全系列产品。该系列与MOS封装全兼容,紧凑设计适配PCB布局友好和垂直电流路径,双面散热路径显著提升散热效率及系统可靠性。基于创新的VGaN技术,推出100V和120V双向GaN系列产品,并配合自研驱动IC,全面催熟电池保护BMS生态。
  100V及150V产品在音频系统成功量产发货;100VGaN系列已扩展至国内多家头部机器人及关节模组客户。面向数据中心48V电压转换及汽车48V系统,双面冷却En-FCLGA封装100V系列产品已在AI800VDC及48VDC多家头部客户导入,凭藉提升20%的功率密度和1%的效率优势,助力数据中心迈入‘兆瓦时代’。
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