投资要点：
　　事件：公司发布2025年三季报，2025年前三季度实现营收68.32亿元（yoy+20.92%）；实现归母净利润10.83亿元（yoy+30.18%）；实现扣非净利润10.42亿元（yoy+34.04%）。单季度看，公司25Q3实现营收26.81亿元（yoy+31.4%，qoq+19.64%）；实现归母净利润5.08亿元（yoy+61.13%，qoq+48.97%）；实现扣非归母净利润4.98亿元（yoy+63.71%，qoq+55.25%。
　　存储周期上行驱动产品量价齐升，25Q3营收创单季度历史新高。2025年前三季度，公司营收同比增长20.92%，其中Q3单季度营收同比增长31.4%，创单季度历史新高。公司业绩大幅增长，主要系本轮存储行业周期上行，供需格局改善驱动产品量价齐升。具体来看，利基型DRAM海外大厂退出造成供给紧缩叠加AI需求拉动，形成“价量齐升”的良好态势；SLCNAND方面，AI拉动数据存储需求爆发，叠加海外大厂重心从2DNAND向3DNAND迁移，致使2DNAND供应缺口扩大，公司SLCNAND产品开始涨价；NORFlash则受益于AI发展推动容量需求提升，步入温和涨价周期。盈利能力方面，2025年前三季度毛利率38.59%（yoy-0.87pp），得益于存储产品涨价的拉动，25Q3单季毛利率环比提升3.7pp至40.72%，盈利能力大幅提升。
　　端侧AI星辰大海，定制化存储业务持续推进。相比于传统存储架构，定制化存储由于高带宽、低功耗、小体积等特性，匹配端侧AI对存储实时性、能效、小型化等需求，在端侧有望取得较大的应用前景。公司通过与青耘智凌等共同投资设立控股子公司北京青耘科技有限公司，计划将该公司作为针对定制化存储解决方案等创新性业务的子公司进行孵化。目前公司定制化存储解决方案进展顺利，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。凭借深厚研发实力和先发优势，公司有望在定制化存储领域占据重要地位。
　　MCU业绩表现亮眼，持续拓宽产品矩阵及应用边界。公司深耕MCU市场，已成功量产64大系列、超过700款MCU产品，2025年上半年公司MCU产品营收同比增长接近20%。公司继续强化深耕优质消费及工业市场，同时继续深耕工控、数字能源等细分领域。在新产品进展方面，公司围绕AI的产品布局逐渐深入，公司推出的基于M7内核的高性能MCUGD32H7系列新产品，广泛用于数字信号处理、电机变频、电源储能等各类应用场景；基于H7系列开发出的AI应用，如用H7实现AI直流拉弧检测的方案在客户端得到了广泛的欢迎和产品的导入；公司GD32F5系列新产品全面适配于能源电力、光伏储能、工业自动化、PLC等应用场景，实现了大规模的应用。下游市场来看，公司光模块产品报告期内营收实现良好增长，机器人及服务器电源领域客户拓展稳步推进。车规级MCU方面，公司2024年推出首颗单核ASIL-BA7系列车规MCU产品，目前已实现在头部Tier1客户以及下游OEM客户的多个项目定点，预计后续将继续推出一系列面向底盘、域控、BMS等应用的多核产品，进一步丰富汽车领域产品布局。
　　首次覆盖，给予“买入”评级：公司是国内领先的综合性芯片设计企业，主营业务为存储器、微控制器、传感器及模拟芯片的研发与销售，形成“存储+控制+传感+互联”的全方位产品布局。随着海外大厂退出利基型市场，以及AI带来存储行业旺盛需求，公司作为全球利基存储龙头，将有望充分受益存储行业上行周期。同时，公司定制化存储、车规级MCU等新业务持续推进，随着端侧AI、汽车电子等领域需求持续释放，公司多元产品矩阵协同效应将进一步凸显，有望深度受益于下游市场成长及半导体国产化浪潮。预计2025-2027年公司归母净利润分别为15.41亿元、20.09亿元、25.04亿元，EPS分别为2.31元、3.01元、3.75元，对应PE分别为88X、67X、54X。首次覆盖，给予“买入”评级。
　　风险提示：下游需求不及预期；研发进度不及预期；市场竞争加剧。

　　投资要点
　　AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，NORFash用量持续提升。HBM4作为HBM3E的迭代产品，在带宽、容量、功耗等核心性能指标及制造工艺上均实现跨越式升级，这种技术升级使得其对应的AI服务器对承担系统初始化等功能的NORFash用量大幅提升。一方面，HBM4的复杂结构依赖NORFash适配。HBM4采用2048位接口，传输速率提升至8Gb/s，总带宽达到2TB/s，较HBM3（1TB/s）实现翻倍增长；HBM4还支持4-18层的TSV堆叠，芯片密度达到24Gb或32Gb，单堆栈的最大容量可达64GB；HBM4的独立通道数从HBM3的16个增至32个。HBM4物理结构和电源管理逻辑远复杂于HBM3E，NORFash承担着AI服务器系统初始化、安全启动和固件存储的核心功能，可满足HBM4每层DRAM独立电源管理与初始化的需求。另一方面，AI服务器需求放量放大NOR用量缺口。11月11日，据科创板日报援引台湾经济日报报道，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NORFash用量提升约50%。
　　GPU/DPU算力部件、BMC、RAID控制器等管理与存储辅助部件推动NORFash用量。GPU和DPU将是SPINORFash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中，高频数据交互催生SPINORFash的差异化需求，如8个英伟达A100组成的GPU模组中，有4种不同容量组合的SPINORFash在使用，以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时，作为云端服务器标配的数据处理单元DPU，因云端处理与GPU加速的异构计算特性，对存储方案提出分级需求：256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景，8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求，通过精准匹配任务负载的分级策略，实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。AI服务器的技术演进推动SPINORFash需求持续升级：针对紧凑空间设计，需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案；耐高温性能适配数据中心高温环境；面对高速信号传输中的干扰与衰减问题，需强化驱动能力以保障信号完整性；针对高安全敏感市场，数据加密功能需求显著提升；同时，BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多，推动产品向轻量化、定制化方向发展。
　　AI大发展时代，定制化存储市场空间潜力巨大。AI模型推理场景，除了算力芯片，数据存储的带宽和降本需求也是关键，基于先进封装的近存计算应运而生。3DDRAM相较于HBM和传统DDR，3DDRAM比HBM的功耗更低，适合端侧低功耗场景，同时定制化可实现更高带宽，可通过定制更多I/O接口实现超高带宽，而传统DDR的带宽偏低；另外，3DDRAM成本更低，对比海外存储大厂HBM颗粒十几美元/GB的价格，国产定制化存储有望实现显著的降本，更加适合端侧海量设备的普及。3DDRAM潜在限制为存储容量，相较于HBM，3DDRAM能做到几十GB的水平，能够适用于部分云端的场景。3DDRAM凭借高带宽、低功耗、适配定制化的特性，契合端侧与边缘侧AI推理对数据传输效率和功耗控制的核心需求，当前已通过与多家芯片厂商合作实现商业化落地，在边缘计算、机器人、智能座舱等多推理场景形成突破，同时国内产业链已构建起从技术研发到量产供应的完整落地体系。公司定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。
　　长期来看，公司坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。
　　投资建议
　　我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入95/120/150亿元，实现归母净利润分别为16/25/33亿元，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　宏观环境和行业波动风险，供应链风险，人才流失风险，汇率风险。

　　事件：公司发布25年三季报，25年前三季度实现营业总收入68.32亿元，同比增长20.92%；归属母公司股东的净利润10.83亿元，同比增长30.18%；扣除非经常性损益后的归属母公司股东净利润10.42亿元，同比增长34.04%。
　　受益存储产品涨价，公司盈利能力大幅提升。公司Q3单季度实现营业收入26.81亿元，同比增长31.40%；归母净利润5.08亿元，同比增长61.13%；扣非归母净利润4.98亿元，同比增长63.71%，公司Q3业绩同比、环比均实现大幅增长，受益存储产品涨价驱动，公司Q3毛利率40.72%，环比增长3.7pct。
　　利基型DRAM业务成长亮眼，有望成为公司第二大产品线。公司利基型DRAM增长强劲，量价齐升，主要源自算力产业爆发来带的对存储需求量增加，叠加海外三大厂商退出利基市场，行业供给端明显偏紧。公司在产品料号布局不断完善，25年新量产的DDR48Gb较快抢占份额，进入Q3销量已经与DDR44Gb基本相当，预计26年将实现自研LPDDR4系列产品的量产，并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。公司积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括TV客户、工业类如电力客户、AI相关应用如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用等。
　　定制化存储进展显著，终端应用陆续落地。AI端侧落地为定制化存储带来广阔空间，公司凭借研发优势进行前瞻性布局，定制化存储解决方案进展显著，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。
　　盈利预测与投资建议：预计2025-2027年营业总收入分别为93.73、117.61、139.58亿元，同比增速分别为27.42%、25.48%、18.68%；归母净利润分别为15.30、20.51、25.87亿元，同比增速分别为38.74%、34.11%、26.13%，对应25-27年PE分别为96X、72X、57X，维持“买入”评级。
　　风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险。

　　公司公告:2025年前三季度，公司实现营业收入68.32亿元，同比增加20.92%；实现归母净利润10.83亿元，同比增加30.18%；25Q3公司实现营业收入26.81亿元，同比增加31.40%；实现归母净利润5.08亿元，同比增加61.13%，业绩整体符合预期。
　　毛利率与净利率双重提升，规模效应凸显。公司2025年前三季度毛利率为38.6%，同比提升1.8pct，主要得益于DRAM行业供给格局改善带来的定价能力提升，以及消费、工业、汽车等领域需求增长与产品矩阵的协同效应。费用端呈现分化，销售费用率下降0.3个百分点至5.1%，管理费用率下降0.5个百分点至6.6%，体现规模效应；研发费用为8.6亿元，研发费用率下降1.8个百分点至12.6%。净利率提升1.2pct至15.8%，主要受益于产品结构优化带来的毛利提升及费用管控。
　　存储产品量价双增，定制化存储有望成新增长引擎。存储芯片市场正经历显著的“量价齐升”阶段，三星、美光等国际大厂逐步将DDR4/LPDDR4X产能转向HBM和DDR5等高附加值产品，导致利基型存储市场出现显著的供应缺口。这一结构性调整使得利基型DRAM和NORFash的市场供需关系持续紧张，价格自2025年第二季度起进入上升通道，在此行业机遇下，公司利基型存储业务直接受益。同时，互联网大厂以及手机厂商对于定制化存储产品需求提升，定制化存储有望成公司新增长引擎。
　　投资建议：我们预计公司2025-2027年营业收入分别为73.56/95.23/127.45亿元，对应增长为27.7%/29.5%/33.8%，预计2025-2027年净利润为11.03/15.50/21.79亿元，对应增长为584.2%/40.6%/40.6%，对应PE为133.15/94.72/67.37，维持“推荐”评级。
　　风险提示：市场需求不足的风险；行业竞争加剧的风险；上游成本变动的风险。

　　事件：
　　10月28日，公司发布2025年三季报。2025年前三季度，公司实现营业收入68.32亿元，同比增长20.92%；实现归母净利润10.83亿元，同比增长30.18%；Q3单季度，公司实现营业收入26.81亿元，同比增长31.40%，环比增长19.64%；实现归母净利润5.08亿元，同比增长61.13%，环比增长48.97%。
　　存储周期上行驱动盈利能力大幅改善。
　　受益于存储涨价周期，公司盈利能力大幅改善，Q3单季度实现归母净利润5.08亿元，同比增长61.13%，环比增长48.97%；实现毛利率40.72%，环比增长3.71pcts。
　　（1）Flash：NORFlash行业整体处于相对平衡但偏紧的状态，7月宣布温和涨价，Q3开始陆续落地，下游客户加快备货，公司预计年初全年NORFlash收入yoy+10%的目标有信心实现。
　　（2）利基DRAM：受三大原厂不同程度的停产或减产利基型DRAM产品影响，公司利基型DRAM迎来“价量齐升”。公司预计年初制定的DRAM收入同比增长50%的目标有望超预期达成，新量产的DDR48Gb较快抢占份额，Q3销量已与4Gb基本相当。
　　（3）MCU：Q3消费相关需求边际有所走弱，工业延续弱复苏节奏，MCU收入环比持平略增，依然保持了较好的水平。
　　（4）其他：模拟、传感业务等方面，公司与赛芯的整合顺利推进。赛芯在维持其原有市场的基础上，在移动电源市场的大功率应用上亦取得了增长。AI眼镜方面，已在雷鸟、Rokid及字节等项目上实现量产，整体综合运营情况平稳，有望达成全年业绩承诺目标。
　　定制化存储适配端侧高算力需求，公司领先布局打开成长空间。
　　在端侧百TOPS算力场景下，定制化存储能带来非常明显的容量、带宽、能耗等提升。作为公司面向AI时代的“第二成长曲线”，部分项目已进入客户送样和小批量试产阶段，预计2026年将在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现量产并贡献收入。展望未来，公司有望凭借产品性能、产能绑定、先发优势等打开成长空间。
　　风险提示：市场需求不及预期、技术迭代不及预期、关税影响。

　　25Q3扣非净利润环比+55%，存储周期上行带动业绩持续向好
　　25年前3季度营收68.32亿元，同比+21%，归母净利润10.83亿元，同比+30%，扣非净利润10.42亿元，同比+34%。业绩增长主要受益于存储行业周期上行及产品涨价。
　　25Q3单季度营收26.81亿元，环比+20%，归母净利润5.08亿元，环比+49%，扣非净利润4.98亿元，环比+55%。单Q3季度毛利率40.72%，环比+3.71pct，归母净利率18.94%，环比+3.73pct，扣非净利率18.56%，环比+4.26pct。Q3单季度扣非净利率环比上升，主要系Q3单季度毛利率环比+3.71pct、以及研发费用率环比-1.42pct所致。
　　存储芯片为核心板块，上半年营收占比69%，Q3受益于存储向上周期
　　第一大业务存储芯片销售2025年上半年营收28.45亿元，同比+9%，占总营收69%。第二大业务微控制器2025年上半年营收9.59亿元，占总营收23%。存储作为公司的主要营收板块，DRAM量价齐升贡献主要增量。
　　25Q3末存货环比增长7%，存货周转天数持续优化
　　截至25Q3末，公司存货金额25.67亿元，较25Q2末（存货24.01亿元）环比+7%。25Q3公司存货周转天数为145天，较25Q2环比-7天。
　　前三季度研发费用8.60亿元，车规MCU及定制化存储研发进展顺利
　　2025年前三季度公司研发费用8.60亿元，同比+2%，占总营收比重的12.6%。公司持续推进车规MCU、LPDDR4及定制化存储等产品研发，成果逐步落地。
　　国内存储与MCU龙头企业，维持“增持”评级
　　公司是国内领先的存储器、微控制器和传感器芯片设计公司。公司在NORFlash、SLCNANDFlash、利基型DRAM及MCU领域均位居全球前列，随着AI技术发展推动存储行业进入上行周期，公司成长空间广阔。预计公司2025~2027年归母净利润分别为17.27/24.52/33.50亿元，对应PE为74/52/38倍，给予“增持”评级。
　　风险提示：宏观环境和行业波动风险;供应链风险;人才流失风险;汇率风险等

　　投资要点：
　　事件：公司发布2025年三季报，2025前三季度年实现营业收入68.32亿元，YOY+20.92%；归母净利润10.83亿元，YOY+30.18%；2025Q3实现营业收入26.81亿元，YOY+31.40%，QoQ+19.64%；归母净利润5.08亿元，YOY+61.13%，QoQ+48.97%。
　　NORFlash：目前NORFlash呈现涨价趋势。由于NORFlash整体产能是联动的，其中大容量产品单颗价值高，对产能的消耗量大，在供应出现紧缺的时候，大容量产品会较早出现涨价，并逐渐传导到中小容量产品。我们预计NORFlash明年全年仍会维持价格整体温和上涨的节奏。
　　利基DRAM：目前利基型DRAM的供应短缺，主要原因是主流应用（数据中心和AI应用等）对存储等芯片的大量需求，挤占了利基型DRAM的产能。行业头部厂商不同程度的停产或减产利基型DRAM产品，导致利基型DRAM产能缺口较大，我们预计涨价趋势会持续到25年第四季度，并在26年全年维持相对较高的价格水平。
　　定制化存储：随着端侧AI需求的兴起，对定制化存储解决方案提出新的要求，公司控股子公司青耘科技紧贴客户需求，积极开拓包括定制化存储方案在内的新技术、新产品和新市场，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。公司定制化存储在AI手机、AIPC、汽车、机器人等若干领域的客户拓展进展顺利，我们预计26年进入规模放量期，想象空间巨大。
　　盈利预测及投资建议：我们预计公司2025-2027年归母净利润为16.76、24.21和26.85亿元，对应当前股价（2025年11月20日收盘价）PE为79.3、54.9和49.5倍，给予“增持”评级。
　　风险提示：宏观经济波动风险；行业竞争加剧；下游需求不及预期。

　　我们预计兆易创新2025年利基型产品收入或达16.5亿元。
　　我们预计兆易创新2025年毛利率在39.6%。
　　重申“买入”评级，上调目标价至人民币260.00元。
　　根据兆易创新2025年三季报，2025年三季度公司实现收入26.81亿元，同比增长31.40%。2025年前三季度收入实现68.31亿元，同比增长20.92%。2025年前三季度实现归母净利10.83亿元（同比增长30.18%），基本符合我们和市场预期。
　　我们预计兆易创新2025年利基型产品收入或达16.5亿元。根据兆易创新于2025年10月30日披露的投资者关系活动记录表，由于行业头部厂商不同程度的停产或减产利基型DRAM产品，因此导致利基型DRAM产能缺口较大，公司预计利基型DRAM价格有望在25年第四季度继续上涨。根据我们测算，2025年公司利基型DRAM业务营收有望同比增长超60%，超预期达成公司在2025年初计划同比增长50%的目标。另一方面，公司提到公司的定制化存储解决方案非常适用于推理应用场景，并聚焦在端侧推理应用。公司看好定制化存储产品有望2026年在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。针对NORFlash，我们看好公司在2025-2028年继续提升市场份额。公司提到正在推动工业、汽车、端侧AI和海外市场等领域的新品，我们预计NORFlash市占率有望在2025-2028年期间继续提升。
　　我们预计兆易创新2025年毛利率在39.6%。根据兆易创新于2025年10月30日披露的投资者关系活动记录表，2025年初公司利基型DRAM业务整体仅有低个位数毛利率，2025年第二季度达到了双位数的毛利率，公司认为25年第三季度和第四季度DRAM业务毛利率仍可以维持健康水平。考虑到未来来自客制化存储业务的收入，我们分别上调公司2026-2027年净利润约11.6-11.8%。我们现在预计公司2025-27年的净利润CAGR达到50%。
　　重申“买入”评级，上调目标价至人民币260.00元。我们目标价基于43倍2027年P/E，略高于兆易创新过去五年的24个月动态P/E估值中值（42倍）。考虑到兆易创新2025-27财年净利CAGR是50%，高于行业平均水平（28%），这是我们给予43.0倍2027年P/E估值的基础。风险提示：DDR4停产对于DDR4价格和兆易创新收入拉动不及预期；存算一体存储产业进度慢于预期；NORFlash和SLCNAND行业增速慢于预期；美国新一轮制裁或影响兆易新产品研发和生产。

　　事项：
　　公司公布2025年三季报，2025年前三季度公司实现营收68.32亿元，同比增长20.92%；归属上市公司股东净利润10.83亿元，同比增长30.18%。
　　平安观点：
　　Q3毛利率显著提升，归母利润同环比保持高增长：2025前三季度，公司实现营收68.32亿元（+20.92%YoY）；归母净利润10.83亿元（+30.18%YoY），扣非后归母净利润10.42亿元（+34.04%YoY），主要系DRAM行业供给格局持续改善，形成“价量齐升”的良好态势；公司持续深化多元化产品布局，消费、工业、汽车等领域需求增长，与公司丰富的产品矩阵形成有效协同，共同推动营业收入实现快速增长。Q3单季度，公司实现营收26.81亿元（+31.4%YoY，+19.64%QoQ），实现归母净利润5.08亿元（+61.13%YoY，+48.97%QoQ），Q3单季度的毛利率和净利率分别为40.72%（-1.05pctYoY，+3.71pctQoQ）和19.27%（+3.83pctYoY，+3.74pctQoQ），毛利率的提升主要得益于存储产品涨价的拉动。从费用端来看，2025前三季度，公司期间费用率为21.81%（-1.01pctYoY），其中销售费用率、管理费用率、财务费用率和研发费用率分别为5.05%（+0.14pctYoY）、6.63%（+0.73pctYoY）、-2.46%（+0.50pctYoY）和12.59%（-2.38pctYoY）。
　　利基DRAM增长超预期，定制化存储进展顺利：根据公司投资者纪要披露的信息，2025年公司利基型DRAM业务营收有望超预期达成本年初计划同比增长50%的目标，本年下半年利基型DRAM收入有明显增长，有望超越MCU业务成为公司第二大产品线。今年亮眼的业绩背后，除了受益于行业周期改善以外，更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护：（1）产品料号方面，公司今年新量产的DDR48Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR44Gb基本相当。明年公司将实现自研LPDDR4系列产品的量产，并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。（2）客户关系方面，在本轮供应紧张周期中，公司不单纯追求短期毛利率的提升，也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括：TV客户、工业类（如电力）客户、AI相关应用（如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用）等。定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。
　　投资建议：公司主要业务为存储器、微控制器、传感器和模拟芯片的研发、技术支持和销售，产品应用广泛，为消费电子、汽车、工业应用、PC及服务器、物联网、网络通讯等领域的客户提供全面的“感、存、算、控、连”生态协同解决方案。综合行业趋势和公司最新财报，我们上调了公司的盈利预测，预计公司2025-2027年的净利润分别为15.85亿（前值为14.49亿）、26.12亿（前值为19.69亿）、32.91亿（前值为25.38亿），对应的EPS分别为2.37元、3.92元、4.93元，对应2025年11月6日收盘价PE分别为95.7倍、58.0倍、46.1倍，维持公司“推荐”评级。
　　风险提示：1）下游需求不及预期风险。若下游需求不及预期，公司不能及时调整客户和产品结构，可能会对业绩产生不利影响；2）供应链风险。公司的产品特点适合采用无晶圆厂运营模式，晶圆代工厂和封装测试厂等供应链各环节的产能能否保障采购需求以及合理成本，存在不确定风险。3）汇兑损益风险。公司境外销售占比较高，且主要以美元结算，汇率大幅波动可能给公司运营带来汇兑风险。

　　投资要点
　　事件概述：公司10月29日发布2025年Q3业绩公告，1）公司2025年Q3单季度营收为26.81亿元（yoy+31.40%，qoq+19.64%），单季度归母净利润为5.08亿元（yoy+61.13%,qoq+48.97%）；2）公司2025Q1-Q3营收合计为68.32亿元（yoy+20.92%），Q1-Q3归母净利润为10.83亿元（yoy+30.18%）；3）2025年Q3毛利率为40.72%（yoy-1.05pct，qoq+3.71pct），2025Q1-Q3毛利率为38.59%（yoy-0.87pct）。
　　全球存储产品供需缺口短期难补，存储芯片大幅涨价，公司充分受益本轮涨价中量价齐升。报告期内，公司DRAM行业供给格局持续改善，形成“价量齐升”的良好态势；公司持续深化多元化产品布局，本报告期消费、工业、汽车等领域需求增长，与公司丰富的产品矩阵形成有效协同，共同推动营业收入实现快速增长。TechInsights数据显示，用于各种应用的DRAM现货价格在今年9月已较去年同期上涨了近两倍。从全球供给方面来看，NAND/DRAM主制造商受此前需求疲软、价格压力影响以及技术迭代等因素影响，以三星、海力士为主的大型企业实行减产或旧制程停产来应对市场变化，从而导致供应今年以来开始紧张。从全球需求方面来看，网络通信、消费电子和工业安防的需求在下半年持续修复，特别是AI推理应用快速发展，催生了大量对实时存取和高速处理海量数据的需求。供需结构错配下，价格在下半年加速上涨，目前存储产能在短期内难以快速恢复应对需求的高速回暖，预计涨价趋势或将延续。TrendForce集邦咨询表示，终端品牌厂商为了防止供应断裂，加强了智能手机LPDDR4X备货，预计第四季度LPDDR4X价格将上涨10%以上；DDR5价格预计也将维持上涨，包括用于PC的DRAM产品将涨价。公司的利基存储产品或充分受益本轮存储行业全面价格上涨。
　　公司利基DRAM高速增长，新产品导入与推广十分顺利，未来随着新产品不断丰富，利基DRAM或继续高增长。公司的DDR48Gb在年初量产以后，又恰逢供应短缺，迅速在TV、工业等领域实现了产品的导入和在客户端的量产，目前已经成为DRAM部门重要的收入组成部分。LPDDR4小容量产品营收贡献占比较高。全年来看，在量价齐升的背景下，公司有信心实现DRAM产品线同比收入增长50%以上的目标。展望未来，公司目标为用数年的时间占领国内利基DRAM市场三分之一的份额，发展成为国内利基DRAM市场的龙头公司。在定制化存储方面，公司积极与逻辑芯片客户合作，覆盖了多种端侧的应用。公司在堆叠DRAM的带宽、功耗、能效等方面具备较高市场水平，目前已经有一些项目落地。长期来看，公司坚信这个技术路线在端侧AI会得到相对广泛的应用。
　　投资建议：公司所处存储行业短期供需错配格局难以缓解，涨价趋势或持续，公司充分受益于本轮上升周期中量价齐升。此外，公司不断开拓新产品，不断开拓新的应用市场，产业生态逐步扩张，公司长期或保持增长趋势。我们预计公司2025、2026、2027年归母净利润分别为16.06、20.46、25.94亿元（2025、2026、2027年原预测为15.12、19.51、23.81亿元），当前市值对应2025、2026、2027年PE为100.18、78.63、62.03倍，给予“增持”评级。
　　风险提示：产品价格下跌风险；新产品导入不及预期风险；国际贸易政策波动风险。