中微公司2025财报：全年营收123.85亿元，同比增加36.6%；归母净利润约21.11亿元，同比增长约30.69%；扣除非经常性损益的净利润约15.50亿元，同比增加约1.62亿元，同比增长约11.64%。2025年以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资产生公允价值变动收益和投资收益合计约6.61亿元，同比增加约4.64亿元。2025年业绩符合预期。
　　刻蚀设备营收维持35%高速，薄膜设备营收增长224%。刻蚀设备销售98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售5.06亿元，同比增长约224.23%。在逻辑集成电路制造环节，公司12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于3纳米、3纳米以下器件中若干关键步骤的加工。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于200层以上的量产，同时公司正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax分别实现单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。
　　半导体设备市场规模快速增长。根据Gartner预测，2026年全球WFE市场规模达1385亿美元，同比增长11.8%，2027年市场规模达到1513亿美元，同比增长9.2%。
　　大幅加大研发投入，设备研发周期大幅缩短。2025年研发投入37.44亿元，同比增长52.65%；研发投入占营收约30.23%。设备研发周期从3-5年缩短至现在2年及更短时间。当前在研项目6大类，超过20款新设备。2025年底，研发人员1548人，研发人员占比52%。
　　产能储备充裕，2030年厂房面积达85万平米。南昌约14万平米生产和研发基地于2023年7月正式投入使用；上海临港18万方米生产和研发基地已于2024年8月投入使用，临港二期约20万平米生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海临港10万平米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；广州华南总部研发及生产基地总体规划占地约130亩，2025年9月开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年底建成，2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩，于2025年10月正式启动建设，预计2027年投产；为今后的发展夯实基础。
　　调整盈利预测，维持买入评级。2025年加速平台化布局、薄膜设备加速市场拓展，研发投入增速远超营收增速，预计未来3年公司研发费用仍将较快速增长。上调2026/27年营收预测至160/204亿元（原值158/199亿元），下调归母净利润预测至27/37亿元（原值32/43亿元）；新增2028年营收与归母净利润预测258亿元/43亿元。2026/27年PE74/53X，较可比公司精测电子/拓荆科技/中科飞测2026平均PE102X低38%，维持买入评级。
　　风险提示：算力景气度不及预期；公司产品研发、客户导入进展不及预期；竞争加剧。

　　25年中微公司营收增长37%至124亿元，归母净利润增长31%至21亿元。
　　刻蚀设备保持强大竞争力。部分投资者担忧公司刻蚀设备面临激烈竞争。我们看到，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。公司刻蚀设备业务25年营收增长35%至98亿元。CCP刻蚀设备25年付运超1000个反应台，累计装机量超5000个反应台，ICP刻蚀设备累计安装数达1800个反应台。中微具有完整的单台和双台刻蚀设备布局，已被应用于国内外一线客户从65到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。公司的刻蚀设备已应用于200层以上3DNAND芯片的量产，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，下一代超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。
　　薄膜设备保持高增长。中微已开发多种化学薄膜设备，其中的LPCVD设备可用于先进逻辑电路接触孔填充工艺、200层以上3DNAND的多个工艺等，LPCVD累计出货量超过300个反应台，25年营收增长224%至5亿元以上。公司正进行更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。中微的多款新型ALD薄膜设备获得重复性订单，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场；公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证。公司在25年已完成头部Micro-LED外延客户的量产验证，氮化镓基功率器件MOCVD设备、8英寸碳化硅外延设备等已在国内客户进行验证。
　　保持高研发投入，新产品布局广。中微25年研发投入增长53%至37亿元，在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备。公司新设备开发周期从3~5年缩短至2年内，未来几年有望推出光学和电子束量检测设备、先进封装设备（TSV刻蚀、等离子体切割、CuBSPVD集成设备等）、平板显示设备等新品。此外，公司拟购买杭州众硅的控股权，填补湿法设备领域空白，提升先进制程中系统级整体解决方案能力。
　　我们预测公司26-28年每股收益分别为5.02/6.85/9.66元（原26-27年预测为5.40/7.17元，主要调整了营业收入和毛利率），采用DCF估值法，给予374.48元目标价，维持买入评级。
　　风险提示
　　研发费用增长影响盈利；晶圆厂扩产进度影响后续新增订单增长；业绩不及预期。

　　投资要点
　　事件概述：根据公司发布2025年年度业绩报告，公司2025年营业总收入为123.85亿元（yoy+36.62%），归母净利润为21.11亿元（yoy+30.69%），公司销售毛利率为39.17%（yoy-1.89pct）。公司2025Q4营业总收入为43.22亿元（yoy+21.48%，qoq+39.33%），归母净利润为9.00亿元（yoy+28.12%，qoq+78.18%），销售毛利率为39.29%（yoy+0.02pct，qoq+1.40pct）。
　　核心产品规模持续扩大，高端设备加速推进。1）公司刻蚀设备2025年收入98.32亿元（yoy+35.12%），占总营收约79.4%。CCP与ICP两大类设备覆盖95%以上的三百余种刻蚀应用，工艺节点覆盖65nm至3nm及更先进制程。其中，CCP设备年付运超1000台，累计装机突破5000台，60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配，量产指标稳步提升，下一代90:1产品即将进入市场；ICP设备累计装机达1800反应台，适用于下一代逻辑和存储客户的ICP刻蚀及化学气相刻蚀设备开发进展顺利，加工精度与重复性已达单原子水平。2）薄膜设备作为第二曲线快速增长，2025年LPCVD收入5.06亿元，同比增长224.23%，累计出货超300反应台，多款新型设备已获重复性订单。另有二十余种导体薄膜沉积设备将陆续推向市场，可覆盖全部先进金属应用；同时，硅及锗硅外延EPI设备已进入客户端量产验证阶段。3）MOCVD设备在氮化镓基LED领域保持市场份额领先，Micro-LED设备完成头部客户量产验证，新型氮化镓功率器件MOCVD设备已发往下游客户进行量产验证。同时，AsP材料专用MOCVD设备正定制开发，面向红光LED及Mini-LED的设备已发往头部IDM公司进行量产验证，红光Micro-LED、光电子材料外延等应用也在稳步推进中。
　　长期保持高强度研发投入，持续提升产品竞争力。2025年公司研发投入达37.44亿元，同比增长52.65%，占总营收30.23%，远超行业平均水平；其中研发费用为24.75亿元，同比增长74.61%。目前，公司在研设备涵盖等离子体刻蚀、薄膜沉积（LPCVD、ALD、PVD、PECVD）、外延（硅/锗硅EPI）、光学及电子束量检测、MOCVD以及大平板设备等领域，在研项目覆盖6大品类、超20款新设备。同时，公司研发周期已从过去的3-5年大幅缩短至2年以内，具备快速推出有竞争力设备的能力，预计未来几年将新品持续验证上市，进一步扩大市场份额。
　　内生外延，落地平台化战略。量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备板块，已规划覆盖多种量检测设备产品。此外，公司通过拟收购众硅电子科技控股权，从单一干法工艺延伸至“干法+湿法”整体解决方案，补齐湿法设备短板，增强为先进制程提供系统级解决方案的能力。目前公司产品覆盖约30%的集成电路设备，未来5年左右将通过有机生长与外延扩展，力争覆盖60%以上高端关键设备和70%以上先进封装设备，成为集成电路设备领域的平台型公司。
　　投资建议：公司作为聚焦高端半导体装备的核心供应商，刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备持续迭代放量，同时深度受益于下游晶圆厂产能扩张与国产替代趋势的双重机遇，长期在集成电路制造领域稳健发展。我们预计公司2026、2027、2028年营业收入分别为162.75、204.35和248.25亿元（2026、2027年原预测值分别是156.40和197.88亿元），同比增速分别为31.41%、25.56%和21.48%；预计公司2026、2027、2028年归母净利润分别为30.47、42.44和55.34亿元（2026、2027年原预测值分别是32.04和43.44亿元），同比增长分别为44.33%、39.26%和30.41%。当前市值对应2026、2027、2028年的PE分别为61、44和34倍，维持“买入”评级。
　　风险提示：1）产品研发验证进展不及预期风险；2）上游供应链风险；3）下游晶圆厂扩产不及预期风险。

　　投资要点
　　营收&业绩稳健增长，薄膜产品持续放量：2025年公司营收为123.9亿元，同比+36.6%，其中刻蚀设备收入98.3亿元，同比+36.6%，LPCVD设备收入5.1亿元，同比+224.2%；归母净利润为21.1亿元，同比+30.7%，扣非净利润15.5亿元，同比+11.6%。Q4单季营收43.2亿元，同环比+21.5%/+39.3%；归母净利润为9.0亿元，同环比+28.1%/+78.2%，扣非归母净利润为6.6亿元，同环比+13.8%/+88.6%。
　　公司毛利率略降，研发投入&效率大幅提升：2025年公司综合毛利率为39.2%，同比-1.9pct；销售净利率为16.7%，同比-1.1pct；扣非净利率为12.5%，同比-2.8pct。期间费用率为27.5%，同比+2.2pct，其中销售费用率为4.0%，同比-1.3pct，管理费用率为3.9%，同比-1.5pct，财务费用率为-0.4%，同比+0.6pct，研发费用率为20.0%，同比+4.3pct；期间公司研发投入37.4亿元，同比+52.7%。Q4单季毛利率为39.3%，同比持平/环比+1.4pct；销售净利率为20.4%，同环比+0.7pct/+4.5pct；扣非净利率为15.3%，同环比-0.9pct/+4.1pct。
　　存货&合同负债稳步增长，在手订单充足：截至2025Q4末公司合同负债为30.4亿元，同比+17.7%；存货为71.7亿元，同比+1.9%。2025年公司经营性现金流为23.0亿元，Q4单季为10亿元，现金流稳定。
　　平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测等核心工艺：（1）刻蚀设备：①CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。②ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。③高选择比设备：于2026年SEMICON发布PrimoDomingo高选择比刻蚀设备，充分适配下一代GAA逻辑、3DNAND及DRAM的高选择比刻蚀需求。（2）薄膜沉积设备：LPCVD、PECVD、ALD、EPI等多款薄膜设备已经顺利完成多个先进逻辑、存储客户验证，陆续进入量产；公司同步推进多款CVD、ALD、PVD开发，持续推进薄膜产品覆盖率。（3）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。
　　收购杭州众硅，切入湿法CMP领域：拟通过发行股份方式购买杭州众硅，最终交易价格为15.7亿元。众硅12寸大硅片设备已批量交付国内头部厂商，技术实力强劲，本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力；众硅承诺公司2026-2028年分别实现并表营收2.8/4.3/5.8亿元。
　　盈利预测与投资评级：考虑到下游半导体厂商验证周期较长，我们调整公司2026-2027年归母净利润为27.3（原值34.1）/34.6（原值44.6亿元），预计2028年归母净利润为42.6亿元，当前市值对应动态PE分别为73/57/47倍，考虑到下游晶圆厂资本开支持续增长、公司平台化持续推进，维持“买入”评级。
　　风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

　　事件：中微公司发布2025年年度报告，公司2025年实现营业收入约123.85亿元，较24年增长约33.19亿元，同比增长约36.62%，公司实现归母净利润21.11亿元，较上年同期增加约4.96亿元，同比增长30.69%。
　　公司业绩放量增长，产品竞争优势助推业绩显著增量。受益于3DNAND向更高层数堆叠演进以及DRAM结构的复杂化，叠加先进工艺芯片加工光刻机受波长限制，采用多重模板工艺导致薄膜沉积和刻蚀工序大幅增长，促使产品需求量增加，公司营收迎来高速成长。25年公司刻蚀设备销售额约达98.32亿元，同比增长约35.12%，LPCVD设备营收约为5.06亿元，同比增长约224.23%。公司25年归母净利润增速强劲，主要系25年公司毛利较24年增长约11.28亿元。此外市场对公司新设备开发需求旺盛，促使公司25年研发投入高增，全年研发投入约37.44亿元，较2024年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，全年研发费用约达24.75亿元，同比增长约74.61%。我们认为，未来随着公司针对先进逻辑和存储的刻蚀设备营收或将持续放量，公司业绩长期上行空间有望持续拓宽。
　　产品研发进入密集量产验证期，有望夯实长期业绩增长基础。CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，目前可全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求，2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000台，连续十年保持大于30%的年平均复合增速；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得良好进展。截至25年底，公司累计有超7800个反应台量产覆盖170余条芯片及LED产线，刻蚀设备反应台全球累计出货超过6,800台。薄膜设备方面，公司针对先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备顺利进入市场，设备性能达到国际领先水平。目前公司部分设备已获得重复性订单，薄膜设备累计出货量突破三百个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；MOCVD新产品进入客户端验证阶段，部分新设备已付运至国内先进制程客户开展验证。我们认为，公司设备布局深化和产业化应用或将赋能公司新业绩增长曲线。
　　盈利预测与评级：结合公司25年刻蚀和薄膜设备营收增量和研发投入高增，我们预计2026-2028年公司归母净利润为30.65/41.73/51.79亿元，对应当前市值的PE分别为62.59/45.97/37.04倍，考虑到公司行业地位与技术优势领先，维持“买入”评级。
　　风险提示。晶圆厂扩产节奏不及预期，新产品研发不及预期；上游供应链风险等。

　　事项：
　　公司公布2025年年报，2025年公司实现营收123.85亿元（36.62%YoY），归属上市公司股东净利润亿元21.11（30.69%YoY）。公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.50元（含税）,以资本公积金向全体股东每10股转增4.9股。
　　平安观点：
　　业绩稳定，新品逐步起量：2025年公司实现营收123.85亿元（36.62%YoY），归属上市公司股东净利润亿元21.11（30.69%YoY，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2025年产生公允价值变动收益和投资收益合计约6.61亿元，较2024年的1.98亿元增加约4.64亿元），扣非后归母净利15.50亿元（11.64%YoY）。2025年公司整体毛利率和净利率分别是39.17%（-1.89pctYoY）和16.67%（-1.14pctYoY）。其中，2025年刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。费用端：2025年公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为4.03%（-1.25pctYoY）、5.31%（-1.45pctYoY）和-0.38%（0.58pctYoY），公司费用率稳定。研发投入方面：公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2025年公司研发投入约37.44亿元，同比增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占公司营业收入比例约为30.23%。此外，为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。
　　刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进：1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2025年继续保持高速增长态势，单年付运超过1000个反应台。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE付运量继续增加。2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000反应台。公司已有的刻蚀产品已经对绝大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对更加先进的7纳米及以下的逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以及金属掩膜大马士革工艺，公司在可调节电极间距的双反应台CCP刻蚀机PrimoSD-RIE的基础上，基于新的平台开发了具有可调电极间距的单反应台刻蚀产品。2）ICP刻蚀设备：公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、Primonanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。2025年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1800个反应台。公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过，并取得重复订单，在客户的下一代产品的产线上实现量产。与此同时，下一代ICP刻蚀设备的Alpha机在实验室开展多个客户的工艺验证，Beta机器计划2026年初去客户端认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，装机量快速增长。
　　薄膜沉积产品进展顺利，获得客户重复量产订单：公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场，中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。
　　投资建议：结合公司的订单交付情况，我们略微调整公司盈利预测并新增28年盈利预测，预计2026-2028年公司归母净利润为30.90亿元/41.72亿元/55.20亿元（26/27年原值为29.59亿元/38.83亿元），对应的市盈率分别为60倍、44倍、33倍。公司作为半导体设备平台型企业，薄膜沉积设备及EPI设备产品研发进展顺利，维持“推荐”评级。
　　风险提示：1）下游客户扩产投资不及预期的风险。若下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。2）新产品研发不及预期风险。若公司新产品研发不及预期，将影响公司长远发展。3）国际贸易摩擦风险。近年来，国际贸易摩擦不断。如果中美贸易摩擦继续恶化，公司的生产运营将受到一定影响。

　　重点一：中微公司CCP及ICP刻蚀设备工艺已覆盖超过95%的刻蚀应用场景。
　　重点二：2025年LPCVD与ALD薄膜沉积设备订单金额同比增长59%。
　　重点三：重申“买入”评级，维持目标价380元，对应65倍2026年预期市盈率。
　　中微公司于2026年3月28日在上海召开全球供应商大会。公司目前持续加大在刻蚀、薄膜沉积及MOCVD等领域的投入，已有超过7,800个反应台在170多家客户实现量产。尽管持续较高的研发投入或对2026年利润率形成一定压力，但我们认为这将显著支撑公司中长期成长。同时，公司在LPCVD及其他设备领域的新增订单进展积极，亦显示其正逐步由单一设备厂商向平台型半导体设备供应商演进。
　　中微正在拓展核心刻蚀设备品类。从核心刻蚀设备看，中微公司在CCP领域已覆盖100%的成熟逻辑应用、94%的3DNAND应用及95%的DRAM应用；在ICP领域，公司已覆盖94%的成熟逻辑应用、100%的先进逻辑应用、100%的3DNAND应用以及98%的DRAM应用。综合CCP与ICP两大技术路线来看，公司目前已覆盖不同器件类型约300项刻蚀应用中的95%以上，显示其刻蚀平台的工艺覆盖度已处于较高水平，产品矩阵持续完善。
　　我们预计公司2026年仍将维持较高强度的研发投入。根据公司2025年业绩披露，在薄膜沉积业务板块中，LPCVD与ALD产品收入于2025年达到5.06亿元人民币，同比增长224.2%。公司表示，部分应用于存储及逻辑领域的LPCVD设备已于2025年上半年实现稳定量产，且未来5至6年内还计划进一步开发约40款薄膜设备型号。2025年公司研发投入达37.4亿元人民币，同比增长52.65%，占营业收入比重为30.23%。考虑到公司仍在持续推进产品开发、缩小与海外半导体设备厂商之间的技术差距，我们判断其2026年研发投入仍可能维持在较高水平。
　　我们重申对中微公司的“买入”评级，维持目标价380元人民币。我们的目标价基于65倍2026年预期市盈率，系由此前估值基准顺延所得，明显高于行业平均约42倍的估值水平，反映我们对公司2026至2027年收入及利润增长潜力更为乐观。我们认为，市场尚未充分计入公司在刻蚀工艺高覆盖率、薄膜设备放量以及平台化拓展方面的中长期成长空间。风险：下游需求弱于预期、美国进一步收紧对中国半导体产业的限制，以及半导体设备行业竞争加剧。

　　事件概述
　　公司发布2025年报。
　　刻蚀&薄膜设备放量，25年营收延续快速增长态势
　　2025年公司实现收入123.85亿元，同比+36.62%，其中Q4为43.22亿元，同比+21.47%。1）刻蚀设备：25年收入98.32亿元，同比+35.12%，主要系针对先进存储/逻辑的高端产品新增付运量显著提升；2）薄膜设备：LPCVD收入5.06亿元，同比+224.23%，新品持续放量，成为业绩增长新引擎。截止2025年末，公司存货/合同负债为71.7/30.44亿元，同比+2%/+18%，新接订单向好。展望后续，公司刻蚀设备将继续升级满足更先进需求，薄膜设备提升高端关键制程覆盖率，当前超过20款新设备开发中，看好收入体量持续快速增长。
　　毛利率波动&研发投入影响盈利水平，25年业绩符合预期
　　2025年公司实现归母净利润21.11亿元，同比+30.69%；扣非归母净利润15.50亿元，同比11.64%；其中Q4归母/扣非归母净利润9.00/6.63亿元，同比+28%/+15%。2025年公司销售净利率/扣非销售净利率为16.67%/12.51%，分别同比-1.14/-2.80pct，Q4销售净利率/扣非销售净利率为20.44%/15.34%，分别同比+0.71/-0.81pct，盈利水平有所承压，具体来看：1）毛利端：25年公司毛利率为39.17%，同比-1.89pct，主要系公司客户发生结构性变化，给予部分客户销售折扣。2）费用端：25年公司期间费用率为27.49%，同比+2.21pct，主要系公司持续加大研发投入力度，研发费用率同比+4.35pct，研发投入占收入比重同比+4.88pct。3）25年公司计入非经常性损益的股权投资收益为6.07亿元，同比增加约4.09亿元，一定程度上增厚利润。
　　刻蚀&薄膜设备满足先进存储需求，新品开发验证进展顺利
　　1）刻蚀：公司刻蚀设备可覆盖65nm到3nm及更先进工艺，满足95%以上刻蚀需求，25年针对存储器件刻蚀工艺的新增装机占比继续提升，超高深宽比深孔刻蚀/沟槽刻蚀均大规模量产，下一代产品已完成实验室研发。2）薄膜：公司新开发十多种设备，钨系列产品可覆盖存储器件所有钨应用，以及先进逻辑器件中多道金属钨互连应用需求，获得重复量产订单；金属栅系列产品客户端验证顺利；EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。
　　股权激励利好长期发展，收购杭州众硅完善平台化布局
　　1）公司公告26年限制性股票激励计划草案，计划不超过3061人，占全部人数97%，拟授予不超过820万股，授予价为200元/股；公司每年进行激励，利好公司长期发展。2）公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买杭州众硅64.69%股权，交易价格15.76亿元；标的公司是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业，收购完成后，公司将实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。
　　投资建议
　　我们调整公司2026-2027年营收预测为159.14、211.50亿元（原值为159.77、205.59亿元），分别同比增长28.5%、32.9%；归母净利润预测为29.42、43.77亿元（原值为32.88、44.56亿元），同比增长39.3%、48.8%；对应EPS为4.70、6.99元（原值为5.25、7.12元）。新增2028年营收预测为273.08亿元，同比+29.1%；归母净利润为56.83亿元，同比+29.8%；对应EPS为9.08元。公司2026/3/30收盘价为316.74元，对应2026-2028年PE为67、45、35倍，维持“增持”评级。
　　风险提示
　　新品产业化进度不及预期、行业竞争格局恶化、收购杭州众硅后业务整合不及预期等。

　　我们看好CCP和ICP在2026年的销售趋势。
　　公司在2026年或保持新品研发投入。
　　重申“买入”评级，目标价上调至人民币380.00元。
　　根据中微公司2025年度业绩快报，公司2025年收入达123.85亿元，同比增长36.6%，归母净利21.11亿元，同比增长30.7%。刻蚀设备保持高增同时LPCVD/ALD设备销售金额同比提升608%。公司持续高研发投入，占收入比重30.7%，多条新产品线同步推进。
　　我们看好CCP和ICP在2026年的销售趋势。根据中微公司2025年度业绩快报，CCP方面，公司用于CCP关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，能够全面覆盖存储刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户的ICP刻蚀和化学气相设备开发取得良好进展，加工精度和重复性已经达到单原子水平。截至2025年底，公司累计已出货超过6,800台刻蚀设备反应台。我们判断刻蚀设备国产化率水平在2025年底已达到20-25%水平。由于中微公司在逻辑关键环节CCP和ICP市占率较高（CCP在国内厂商中市占率超过60%，ICP在国内厂商中市占率超40%），随着公司布局先进薄膜和电子束检测设备，我们看好CCP和ICP在2026年的销售趋势。
　　公司在2026年或保持新品研发投入。根据中微公司2025年度业绩快报，薄膜沉积设备方面，公司LPCVD和ALD设备销售收入在2025年达到5.06亿元，同比增长224.2%。公司LPCVD用于存储和逻辑的部分机型在2025年上半年已实现稳定量产。公司提出在5-6年内完成40款薄膜设备研发，逐步实现进口替代。2025年研发投入仍然较高。根据中微公司2025年度业绩快报，2025年研发投入约37.44亿元，同比增长52.65%，占公司收入比例30.23%。考虑到公司或持续自研弥补国产半导体设备短板，我们认为2026研发投入或仍然较大。我们上调公司26-27年收入预测4.3-12.3%。下调2026年每股盈利预测6%，但是上调2027年每股盈利预测14.6%，主要我们相比市场更加看好2027年后的收入和毛利率水平。
　　重申“买入”评级，目标价上调至人民币380.00元。我们的目标估值对应65倍2026年预期P/E（从2025年调整至2026年），这是因为我们更看好公司2026-27年的收入和利润增长潜力。风险提示：下游需求不及预期，美国对中国半导体行业进一步限制，半导体设备竞争加剧。

　　投资要点：
　　2025年前三季度，公司实现营收80.63亿元，同比增长46.4%，归母净利润12.11亿元，同比+32.7%，扣非归母净利润8.87亿元，同比+9.1%。单季度看，公司2025Q3营收31.02亿元，同比增长50.6%，归母净利润5.05亿元，同比增长27.5%。
　　刻蚀设备：付运量显著提升，90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。2025前三季度公司刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长38.3%。CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60:1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展，加工的精度和重复性已达到单原子水平。
　　薄膜设备：多款LPCVD/ALD进入市场，薄膜覆盖度不断增加。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，2025年前三季度实现相关收入4.03亿元，同比增长1333%，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。此外，在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。
　　2026年存储设备开支有望高斜率，公司作为刻蚀龙头有望充分受益。展望2026年，受AI驱动，存储价格持续上涨，行业供需失衡迎来新一轮价格上行周期；此外，NAND端国内长江存储300+层产品有望量产，长鑫存储3DDRAM/HBM有望实现突破，技术迭代和追赶加速。因此，我们预计，存储领域“价格周期”和“技术周期”共振，有望带动存储资本开支超预期高斜率增长，公司作为国内刻蚀设备龙头之一，同时在极高深宽比刻蚀领域经验积累丰富，2025年上半年新签订单中存储客户占比约为67%，有望继续充分受益存储扩产周期。
　　盈利预测：我们预计公司2025-2027年分别实现营收120.63、153.72、202.46亿元，实现归母净利润19.95、29.39、43.53亿元，首次覆盖，给予“增持”评级。
　　风险提示：下游需求不及预期及晶圆厂扩产不及预期；新设备新工艺研发不及预期；中美科技博弈影响供应链风险；中微公司为我司做市企业。