投资要点：
　　事件：公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（下称“众硅科技”）控股权并同步募集配套资金。公司股票自2025年12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。
　　众硅科技成立于2018年，主要从事CMP设备及配套系统研发制造，产品布局覆盖6–12英寸CMP整机、单模组CMP、抛光液供液系统（SDS）及ECMP等。其中，12英寸高端CMP设备已批量应用，8英寸先进CMP设备通过SEMI认证并导入多家晶圆厂产线。
　　CMP（化学机械抛光）设备价值量约占半导体设备投资总额的4%，市场集中度较高。1）CMP通过化学反应与机械去除协同实现晶圆表面高精度平坦化，是当前唯一能够有效抛光铜互连金属层的关键工艺，广泛应用于晶圆制造及TSV、2.5D/3DIC等先进封装环节。2）据头豹，预计2025-2029年，中国半导体化学机械抛光设备行业市场规模由183亿元人民币增长至486亿元人民币，期间年复合增长率27.7%；3）CMP行业竞争格局高度集中，根据Gartner，AppliedMaterials与日本荏原合计占据全球约93%的CMP市场份额，尤其在14nm以下先进制程产线中形成垄断。
　　公司此次筹划收购众硅科技，核心意义在于补齐湿法关键工艺、完善前道核心设备体系，加速向平台型半导体设备厂商演进。1）工艺上，公司现有产品以刻蚀、薄膜沉积等真空干法设备为主，而CMP是湿法工艺中不可替代的核心环节，与刻蚀、沉积共同构成除光刻机外最关键的前道工艺装备组合。通过并购切入CMP领域，公司有望实现“刻蚀—沉积—平坦化”工艺系统覆盖，提升体解决方案竞争力。2）战略上，本次交易推动公司由单一设备龙头向“集团化、平台化”设备企业迈出关键一步。
　　投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.58/42.78亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.4%，对应PE分别为74.8x/51.6x/38.1x。
　　在晶圆厂扩产与国产替代推进下，本次收购补齐CMP关键工艺，完善前道设备体系，推动公司平台化发展并强化中长期成长性。
　　风险提示：化学机械抛光设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

　　投资要点
　　CP刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3DNAND等领域超50家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多ICP刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova12寸ICP单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM及3DNAND存储芯片的制造需求。
　　刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀（≥60:1）CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。
　　投资建议
　　我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，归母净利润21/31/43亿元，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。

　　投资要点
　　切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力：2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份，为其第二大股东。杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速演进。
　　杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备：杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投入产线应用。
　　平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺：（1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。（3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。（4）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。
　　盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元，当前股价对应动态PE分别为70/50/38倍，维持“买入”评级。
　　风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

　　投资要点：
　　投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.5%，对应PE为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业，但基于公司1）刻蚀设备在主流晶圆厂不断验证，应用于先进逻辑节点；2）薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破，新产品已陆续进入规模化放量阶段，在半导体设备行业中具备稀缺性，我们认为应给予一定估值溢价。
　　行业与公司情况：公司是中国前道核心工艺设备领先厂商，刻蚀产品覆盖CCP与ICP两大体系，已满足65nm至5nm及更先进节点需求，并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备，同时拓展光学与电子束量测及多类泛半导体微加工设备。行业方面，全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。
　　关键假设点：1）多重图案化与3D存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm向5nm及以下推进，以及3DNAND层数由100+层向200+层、单deck向双/三deck演进，刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM均提升约1.7–2.0倍。
　　我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展，有较强能力承接先进制程扩容带来的结构性增量。2）薄膜沉积业务进入规模化阶段，新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD等新品相继通过客户验证并形成批量出货，2025前三季度该业务收入约4亿元，同比增幅超1300%。同时，硅及SiGe外延（EPI）设备已陆续导入头部客户的量产验证环节，外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027年保持放量，公司收入结构逐渐多元化，并成为未来毛利率改善主要来源。
　　有别于市场的认识：市场多将关注点放在国产替代进程上，但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先进逻辑及高层数3DNAND在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进，由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM提升；在这两条工艺主线中，公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段，具备相对更明确的受益基础。
　　股价表现的催化剂：公司薄膜沉积产品线放量；公司先进工艺验证进展加速；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动算力存力投资上行。
　　风险提示：先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡不及预期风险。

　　事件
　　公司2025年第三季度实现营业总收入31亿元，同比增加51%，环比增加11%；归母净利润5亿元，同比增加28%，环比增加29%；扣非净利3亿元，同比增加5%，环比增加45%。
　　刻蚀基本盘稳固，薄膜新品爆发增长
　　公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，前三季度，公司刻蚀设备实现收入约61亿元，同比增长38%。薄膜设备迎来爆发期，LPCVD、ALD等新产品顺利放量，前三季度收入约4亿元，同比激增超1300%。此外，硅和锗硅外延EPI设备已运付客户端进行量产验证，公司半导体设备布局持续完善。
　　研发加码驱动创新提速，平台化战略加速落地
　　公司坚持高强度研发策略，前三季度研发支出约25亿元，同比大幅增长63%，占营收比例高达31%。公司研发效率大幅提升，新设备开发周期已大幅缩短至2年以内。目前公司在研项目涵盖6类设备、超20款新品。随着先进逻辑和存储关键工艺的高端产品付运提升，公司正加速向平台型设备公司迈进。
　　投资建议
　　我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.09、42.90亿元，对应的EPS分别为3.95、5.44、6.85元，对应最新收盘价PE分别为66x、48x、38x。维持公司“买入”评级。
　　风险提示
　　研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

　　投资要点：
　　2025年前三季度，公司实现营收80.63亿元，同比增长46.4%，归母净利润12.11亿元，同比+32.7%，扣非归母净利润8.87亿元，同比+9.1%。单季度看，公司2025Q3营收31.02亿元，同比增长50.6%，归母净利润5.05亿元，同比增长27.5%。
　　刻蚀设备：付运量显著提升，90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。2025前三季度公司刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长38.3%。CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60:1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展，加工的精度和重复性已达到单原子水平。
　　薄膜设备：多款LPCVD/ALD进入市场，薄膜覆盖度不断增加。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，2025年前三季度实现相关收入4.03亿元，同比增长1333%，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。此外，在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。
　　2026年存储设备开支有望高斜率，公司作为刻蚀龙头有望充分受益。展望2026年，受AI驱动，存储价格持续上涨，行业供需失衡迎来新一轮价格上行周期；此外，NAND端国内长江存储300+层产品有望量产，长鑫存储3DDRAM/HBM有望实现突破，技术迭代和追赶加速。因此，我们预计，存储领域“价格周期”和“技术周期”共振，有望带动存储资本开支超预期高斜率增长，公司作为国内刻蚀设备龙头之一，同时在极高深宽比刻蚀领域经验积累丰富，2025年上半年新签订单中存储客户占比约为67%，有望继续充分受益存储扩产周期。
　　盈利预测：我们预计公司2025-2027年分别实现营收120.63、153.72、202.46亿元，实现归母净利润19.95、29.39、43.53亿元，首次覆盖，给予“增持”评级。
　　风险提示：下游需求不及预期及晶圆厂扩产不及预期；新设备新工艺研发不及预期；中美科技博弈影响供应链风险；中微公司为我司做市企业。

　　事项：
　　公司公布2025年三季报，2025年前三季度公司实现营收80.63亿元（46.40%YoY），归属上市公司股东净利润12.11亿元（32.66%YoY）。
　　平安观点：
　　国内半导体设备平台企业，持续研发投入：2025年前三季度公司实现营收80.63亿元（46.40%YoY），归属上市公司股东净利润12.11亿元（32.66%YoY，公司2025年前三季度计入非经常性损益的股权投资收益为3.29亿元，较上年同期增加约2.75亿元）。其中刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长约38.26%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长约1332.69%。2025年前三季度公司整体毛利率和净利率分别是39.10%（-3.12pctYoY）和14.64%（-1.92pctYoY）。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。研发投入方面：2025年前三季度公司研发支出25.23亿元，较去年同期增长约63.44%，研发支出占公司营业收入比例约为31.29%。公司目前在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短的时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年加速、大规模地推出多种新产品。
　　刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进：1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订单。截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，较2024年同期增长超过900个反应台。
　　2）ICP刻蚀设备：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并获得在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上进行机台认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。公司PrimoMenova12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商，开始现场验证。
　　投资建议：公司作为半导体设备国内领先企业，充分受益于半导体国产化。根据最新财报，我们调整公司盈利预测，预计2025-2027年公司归母净利润为20.62亿元/29.59亿元/38.83亿元（原值为23.63亿元/30.84亿元/40.59亿元），对应的市盈率分别为89倍、62倍、47倍。公司设备产品研发进展顺利，维持“推荐”评级。
　　风险提示：1）下游客户扩产投资不及预期的风险。若下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。2）新产品研发不及预期风险。若公司新产品研发不及预期，将影响公司长远发展。3）研发人员流失的风险。公司所在行业是人才密集型行业，核心研发人员的流失会对公司产生一定影响。

　　事件概述
　　公司发布三季报。
　　刻蚀&薄膜设备放量，Q3营收端高增好于预期
　　2025Q1-3公司收入80.6亿元，同比+46.4%，其中Q3为31.0亿元，同比+50.6%，延续高增势头，好于市场预期。25Q3营收拆分：1）刻蚀设备：收入23.2亿元，同比+35.3%，主要系先进逻辑中段关键刻蚀工艺和先进存储超高深宽比刻蚀工艺大规模量产。分产品看，CCP方面60:1设备已成为国内标配，90:1刻蚀机马上进入市场；ICP方面，加工精度和重复性已达原子水平；2）薄膜设备：LPCVD和ALD收入约2.0亿元（2024年为1.6亿元），新品快速放量。公司刻蚀设备保持出色竞争力，已突破至5nm及更先进节点量产；薄膜设备覆盖率不断增加，性能完全对标海外。截止2025Q3末，公司存货/合同负债为81.9/43.9亿元，同比+5%/+47%，公司新接订单向好，后续随着产品矩阵不断扩大，看好收入体量持续快速增长。
　　毛利率波动&研发投入影响盈利水平，Q3利润端基本符合预期
　　2025Q1-3公司归母净利润/扣非归母净利润为12.1/8.9亿元，同比+32.7%/+9.1%；其中Q3为5.1/3.5亿元，分别同比+27.5%/+5.5%，利润端增速低于收入端，符合我们预期。2025Q3公司净利率/扣非净利率为16.0%/11.2%，分别同比-3.3pct/-4.8pct，盈利水平有所承压。具体分析：1）毛利端：25Q3公司毛利率为37.9%，同比-5.8pct，环比基本稳定，推测系新品确收及先进机台验证等成本较大；2）费用端：25Q3公司期间费用率为29.1%，同比+1.2pct，其中销售及管理合计下降3.7pct，规模效应明显；而研发费用率同比+5.0pct，为主要增长来源，压制了盈利水平，进一步分析，25Q1-3公司研发费用资本化率为28.9%，同比-11.9pct，影响了利润端表观增速；3）25Q3非经损益1.57亿元（去年同期约6000万元），一定程度增厚利润端表现。
　　#3、薄膜、量测等先进制程新品突破顺利，平台化布局加速推进
　　AI产业趋势下，先进制程敞口+平台化是投资设备重要考量因素，尤其存储大周期下，超高深宽比刻蚀设备更加重要。公司新品研发显著加速，将不断内生外延，逐步覆盖半导体高端设备50%-60%，深度受益：
　　①刻蚀设备：已覆盖95%以上刻蚀需求，具有量产≥60:1深宽比刻蚀设备能力，并积极储备更高深宽比结构刻蚀技术，TSV硅通孔刻蚀设备持续获得重复订单；②薄膜沉积设备：六种先进薄膜设备已经顺利进入市场,并同步推进多款金属薄膜气相设备、新一代等离子体源的PECVD设备的开发；③量测设备：公司增资超微公司重点开发电子束检测设备，将通过各种方式不断扩大覆盖度；④泛半导体设备：公司正在开发更多化合物半导体外延设备，陆续付运至客户端开展生产验证。
　　投资建议
　　我们维持2025-2027年公司营收预测为120.28、159.77、205.59亿元，分别同比+32.7%、+32.8%、+28.7%；归母净利润预测为23.45、32.88、44.56亿元，分别同比+45.2%、+40.2%、35.5%；对应EPS为3.75、5.25、7.12元。2025/10/29日股价296.66元对应PE分别为79、56、42倍，维持“增持”评级。
　　风险提示
　　新品产业化进度不及预期、行业竞争格局恶化等。

　　我们看好CCP和ICP在2025-2026年的销售趋势。
　　短期毛利率波动不影响中长期毛利率趋势。
　　重申“买入”评级，目标价是人民币288.00元。
　　根据中微公司2025年半年报，1H25收入达49.61亿元，同比增长43.9%，归母净利7.06亿元，同比增长36.6%。刻蚀设备保持高增同时LPCVD/ALD设备销售金额同比提升608%。公司持续高研发投入，占收入比重30.7%，多条新产品线同步推进。
　　我们看好CCP和ICP在2025-2026年的销售趋势。中微公司在2025年半年报提到当前半导体设备整体国产化率约18%，刻蚀设备国产化率水平在20-25%，高于平均水平，其中国内头部晶圆厂国产化率已达60%。中微公司在逻辑关键环节CCP和ICP实现突破，其中CCP在国内厂商中市占率已超过60%，ICP在国内厂商中市占率已超40%。随着公司布局先进薄膜和电子束检测设备，我们看好CCP和ICP在2025-2026年的销售趋势。薄膜沉积设备方面，公司LPCVD用于存储和逻辑的部分机型在2025年上半年已实现稳定量产。其中公司也储备40多种薄膜设备的研发计划，公司提出在5-6年内完成40款薄膜设备研发，逐步实现进口替代。
　　短期毛利率波动不影响中长期毛利率趋势。根据中微公司2025年半年报，2Q25毛利率（38.54%）略低于1Q25，主要原因是新设备导入成本高及大客户折扣影响。公司将通过成本优化和供应链管理实现中长期毛利率40%以上的目标。
　　重申“买入”评级，目标价是人民币288.00元。我们的目标估值对应65倍2025年预期P/E，这是因为我们更看好公司2025-2026年的收入和利润增长潜力。风险提示：下游需求不及预期，美国对中国半导体行业进一步限制，半导体设备竞争加剧。

　　事项：
　　公司公布2025年半年报，2025年半年度公司实现营收49.61亿元（43.88%YoY），归属上市公司股东净利润亿元7.06（36.62%YoY）。
　　平安观点：
　　业绩符合预期，持续研发投入：2025年半年度公司实现营收49.61亿元（43.88%YoY），归属上市公司股东净利润亿元7.06（36.62%YoY，2025年上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约1.68亿元，较2024年上半年亏损的0.08亿元增加约1.76亿元）。2025年上半年公司整体毛利率和净利率分别是39.86%（-1.46pctYoY）和13.83%（-1.14pctYoY）。2025年上半年刻蚀设备销售约37.81亿元，同比增长约40.12%；LPCVD设备销售约1.99亿元，同比增长约608.19%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。费用端：2025年上半年公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为3.85%（-2.01pctYoY）、4.03%（-1.53pctYoY）和-0.64%（0.79pctYoY），公司费用率稳定。研发投入方面：2025年上半年公司研发投入总额14.92亿元，较上年同期增加53.70%，研发投入总额占营业收入比例为30.07%。公司目前在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好，在部分关键客户市场占有率稳步提升。
　　刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进：1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订单，其中PrimoHD-RIEe在2025年上半年累计装机超过120个反应台，PrimoUD-RIE累计装机接近200个反应台。截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，较2024年同期增长超过900个反应台。2）ICP刻蚀设备：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并获得在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上进行机台认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。公司PrimoMenova12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商，开始现场验证。
　　MOCVD设备市场领先，EPI进入先进制程工艺验证和客户验证阶段：公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证，并已经进入先进制程工艺验证和客户验证阶段。
　　投资建议：公司作为半导体设备国内领先企业，充分受益于半导体国产化。我们维持此前盈利预测，预计2025-2027年公司归母净利润为23.63亿元/30.84亿元/40.59亿元，对应的市盈率分别为60倍、46倍、35倍。公司作为半导体设备平台型企业，薄膜沉积设备及EPI设备产品研发进展顺利，维持“推荐”评级。
　　风险提示：1）下游客户扩产投资不及预期的风险。若下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。2）新产品研发不及预期风险。若公司新产品研发不及预期，将影响公司长远发展。3）国际贸易摩擦风险。近年来，国际贸易摩擦不断。如果中美贸易摩擦继续恶化，公司的生产运营将受到一定影响。