主要观点：
　　事件
　　公司2026年第一季度实现营业收入29亿元，同比增加34%，环比减少33%；归母净利润约9亿元，同比增加197%，环比增加3%；扣非净利约5亿元，同比增加60%，环比减少28%。
　　刻蚀高端产品持续放量，薄膜新品快速兑现增量
　　公司一季度营收同比增长34%，主要得益于1）公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升；2）先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。此外，得益于此前高强度研发投入，公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款导体和介质薄膜新品设备，已经顺利进入市场，薄膜设备的覆盖率不断增加。
　　高强度研发投入+平台化加速完善，核心技术持续兑现
　　公司刻蚀基本盘稳固，用于先进存储超高深宽比工艺的刻蚀设备已有300多台反应器实现大规模量产；薄膜设备LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS、PECVD等十余款产品快速放量；减压EPI先进制程进入量产验证；持续保持国际氮化镓基MOCVD领先地位，积极布局用于SiC和GaN基功率器件应用的市场。公司新设备开发周期已缩至2年以内，在研6大类、超20款新品，有望依托刻蚀基本盘、薄膜与EPI新增长引擎以及平台化协同，持续提升在先进逻辑、存储与新兴半导体设备市场的综合竞争力。
　　投资建议
　　我们预计公司2026-2028年收入分别为156、185、213亿元，归母净利润分别为34、43、53亿元，最新收盘价对应PE分别为68x、54x、44x，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

　　中微公司公告拟发行股份及支付现金购买杭州众硅控股权，众硅是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业，中微公司实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。公司2025年实现营收123.85亿元（yoy+36.62%），归母净利21.11亿元（yoy+30.69%），26Q1收入29.15亿元（yoy+34.13%，qoq-32.56%），归母净利9.30亿元（yoy+197.20%，qoq+3.36%），其中非经损益4.53亿元。公司作为国内半导体设备龙头，刻蚀设备在先进制程持续突破、市占率提升，薄膜设备进入高速放量期，2025年LPCVD营收同比大幅增长约224.23%，量检测规划覆盖多款产品。国内晶圆厂扩产与先进制程国产化提速，公司有望持续受益。看好公司未来成长性，维持“买入”评级。
　　“刻蚀+薄膜”驱动业绩稳健增长，公司持续加大研发
　　公司2025年实现营收123.85亿元（yoy+36.62%），其中刻蚀设备收入98.32亿元（yoy+35.12%，占比79.39%）；LPCVD设备收入5.06亿元（yoy+224.23%，占比4.09%）；公司综合毛利率39.17%（yoy-1.89pct）。公司持续加大研发，25年研发投入37.44亿元（yoy+52.65%），占营收比例30.23%（yoy+4.88pct）。利润端，2025年公司归母净利21.11亿元（yoy+30.69%），对应归母净利率17.05%（yoy-0.77pct）。26Q1，公司实现收入29.15亿元（yoy+34.13%，qoq-32.56%），归母净利9.30亿元（yoy+197.20%，qoq+3.36%），毛利率39.89%（yoy-1.65pct，qoq+0.6pct）。
　　公司拓展“干法+湿法”整体解决方案，刻蚀与薄膜设备持续放量
　　公司拟购买杭州众硅控股权，实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。1）刻蚀：20多种细分刻蚀设备已可以覆盖95%以上的三百多种刻蚀应用，覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺。CCP累计装机超5000反应台，ICP累计装机达1800反应台。2）薄膜沉积：2025年LPCVD营收同比大幅增长约224.23%，累计出货超300个反应台，多款LPCVD、ALD设备获复购订单，硅和锗硅外延EPI设备已交付客户进行量产验证。3）量检测：旗下超微公司规划覆盖多款产品。4）MOCVD：用于氮化镓基LED外延生产设备已在行业领先客户生产线上大规模量产。
　　持续推进先进逻辑、存储设备研发，公司持续加码产能布局
　　随存储、逻辑芯片向更先进节点持续突破，目前公司持续推进新一代刻蚀、薄膜、量检测及湿法设备新设备研发。公司60比1超高深宽比刻蚀设备量产提升，针对更先进三维存储器件超高深宽比刻蚀工艺的下一代产品实验室研发阶段已经完成。针对存储器件的钨系列薄膜沉积产品已获客户重复订单，公司开发出应用于先进逻辑器件的ALD金属栅系列产品已完成多个先进逻辑客户设备验证。供给端，公司已在南昌、上海临港、广州、成都等多区域布局生产基地，目前已有厂房面积45.3万平方米，预计2030年厂房面积增加至85万平方米。2025年公司人均年销售已超450万元。
　　盈利预测与估值
　　我们调整公司26-27年收入预测（4.04%/3.95%）至161.36/207.65亿元，对应调整26-27年归母净利润预测（8.71%/12.20%）至32.43/43.25亿元。下游晶圆厂积极扩产，设备行业高景气，板块估值抬升，可比公司26年wind一致预期PE均值为61.9倍。考虑公司刻蚀订单饱满，薄膜等新产品进展较快，同时拟收购众硅继续向平台化公司迈进，我们基于91.4倍26年PE给予目标价472.54元（前值：333.2元，对应70x26年PE），维持“买入”。
　　风险提示：全球半导体下行周期，半导体设备需求不及预期，行业竞争。

　　事项：
　　2026年3月31日，公司发布2025年年报；2026年4月29日，公司发布2026年一季报：
　　1）2025年公司实现营收123.85亿元，同比+36.62%；毛利率39.17%，同比-1.89pct；归母净利润21.11亿元同比+30.69%；扣非归母净利润15.50亿元，同比+11.64%；
　　2）26Q1公司实现营收29.15亿元，同比/环比+34.13%/-32.56%；毛利率39.89%，同比/环比-1.65pct/+0.6pct；归母净利润9.30亿元,同比/环比YoY+197.20%/+3.36%，扣非归母净利润4.78亿元,同比/环比+60.09%/-27.97%。
　　评论：
　　扣非利润增速逐季提升，毛利率企稳回升，Q1研发高投入压制放缓释放利润弹性。2025年毛利率39.17%（YoY-1.89pct），主因客户结构变化给予部分客户销售折扣。25Q4/26Q1单季度毛利率39.29%/39.89%环比分别提升1.4pct/0.6pct，毛利率已阶段性企稳回升。费用端最大变量是研发：2025年研发费用24.75亿元（YoY+74.61%），研发投入总额37.44亿元占收入30.23%，远高于科创板均值；26Q1研发支出9.08亿元（YoY+32.15%），增速较全年有所收敛，费用端压力边际减轻。26Q1归母净利润大增197%，其中包含处置拓荆科技股票税后净收益约3.97亿元，剔除后扣非约+60%更能反映主业趋势。
　　刻蚀设备稳固基本盘，薄膜设备进入放量期。1）刻蚀设备2025年销售98.32亿元（YoY+35.12%），其中CCP单年付运超1000个反应台、累计装机超5000台，连续十年CAGR>30%；ICP累计安装1800台，近9年年均增长>100%。公司在先进存储超高深宽比（60:1已成国内标配）和先进逻辑3nm及以下关键工艺上持续突破，高端产品占比提升是后续毛利率回升的核心抓手。2）薄膜设备是最大的边际变化：LPCVD2025年销售5.06亿元（YoY+224.23%），累计出货突破300个反应台；钨系列已获得客户重复量产订单、金属栅系列已完成多个先进逻辑客户设备验证,核准推进顺利。我们认为薄膜设备正从验证期进入放量期，2026-2027年有望成为收入增量的核心新驱动。26Q1公司薄膜设备新增付运量保持快速增长。MOCVD方面，Micro-LED设备PreciomoUdx已获重复订单，GaN功率器件PRISMOPD5获重复订单，新型8”碳化硅外延设备已进入国内头部企业试产验证。
　　国产替代加速+产品矩阵扩张+产能释放，中期成长确定性强。短期看，海外出口管制趋严使国内存储和逻辑大厂对国产刻蚀/薄膜设备的需求刚性提升，公司作为国内同时覆盖CCP+ICP+薄膜的平台型设备公司，卡位优势突出。中期看，公司在研项目涵盖六大类超20款新设备，薄膜从LPCVD/ALD向WCVD、PECVDTi、PVDCuBS、EPI等全面展开，TAM从刻蚀（据Gartner数据占晶圆设备~22%）扩展至薄膜（~23%），远期还布局量检测（子公司超微，市场占前道设备~13%）和湿法设备（拟收购众硅电子）。产能端，临港二期（20万㎡）拟2026H2开工，广州一期预计2026年底建成、2027年投产，成都基地预计2027年投产，产能瓶颈将逐步打开。此外SEMI预测2026/2027年全球半导体设备市场将达1450/1560亿美元续创新高，行业β共振向上。
　　投资建议：下游扩产叠加替代加速，公司作为国内半导体设备重要厂商有望显著受益，同时研发高投入持续、毛利率在产品结构改善下有望逐步企稳，我们将公司2026-2027年归母净利润预测由29.23/39.58亿元调整至29.25/39.60亿元，新增2028年归母净利润预测51.91亿元。结合公司历史估值及行业平均估值水平，给予公司2026年17倍PS，对应目标价为457.5元，维持“强推”评级。
　　风险提示:国际贸易形势变化；下游扩产不及预期；新品拓展不及预期；上游零部件供应短缺；行业竞争加剧。

　　26Q1公司实现29.15亿元，同比增长34.13%；归母净利润9.30亿元，同比增长197.20%；毛利率39.89%，环比提升0.6个百分点。公司持续加大研发投入，26Q1研发支出9.08亿元，同比增长32.15%，研发支出占营收比例约为31.14%。目前在研项目涵盖六大类、超20款新设备，收购杭州众硅案已获受理，平台化战略全面落地。
　　刻蚀：针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机在先进存储器件制造工艺中已有300多台反应器实现稳定可靠的大规模量产。CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，全面覆盖存储器刻蚀用中各类超高深宽比需求。ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备PrimoAngnovaTM在3DDRAM的应用中取得140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备PrimoDomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3DDRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。
　　薄膜：公司已成功开发出十多种薄膜设备,包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，2025年薄膜设备营收同比大幅增长约224.23%。公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD系列产品，设备性能达到国际领先水平的同时，表现出更优异的生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作也有良好的进展。减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
　　MOCVD：公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于SiC和GaN基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展。四款MOCVD新产品包括用于SiC和GaN功率器件的MOCVD，用于MicroLED的GaNMOCVD和用于红黄光LED的GaAsMOCVD设备已进入客户端验证阶段，部分得到批量订货。
　　投资建议：中微公司高端产品新增付运量显著提升，平台化战略全面落地，业绩增长动力强劲。我们预计公司2026-2028年营收分别为166.80/218.07/282.80亿元，归母净利润分别为30.11/42.13/55.24亿元。维持“强烈推荐”评级。
　　风险提示：下游终端市场需求不及预期风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，系统性风险等。

　　中微公司发布26Q1业绩报告。公司26Q1实现营收29.15亿元，同比增长34.13%，实现归母净利润9.30亿元，同比增长197.20%，实现扣非归母净利润约4.78亿元，同比增长60.09%，实现毛利率39.89%，同比-1.65pct，扣非销售净利润率16.38%，同比+2.65pcts。26Q1公司利润高增主要系：1）营收增长34.13%下，毛利较上年增长约2.60亿元；2）公司研发支出较上年同期增长2.21亿元（增长32.15%），研发支出占公司营收比例约为31.14%；3）公司26Q1出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97亿元。
　　产品矩阵逐步完备，高端设备布局演进。公司累计已有超过8300个反应台在国内外180余条客户芯片及LED生产线全面量产。以远高于科创板上市公司的平均研发投入水平，推进六大类、超20款新设备的研发。
　　1）刻蚀设备：公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。CCP方面，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备PrimoAngnovaTM在3DDRAM应用中取得140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新化学气相刻蚀设备PrimoDomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si高选择比，在GAA和3DDRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求
　　2）薄膜设备：公司在短时间内成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长。公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD系列产品，设备性能达到国际领先水平同时，表现出更优异生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。公司所开发的多款核心介质沉积设备有序推进。公司减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
　　3）MOCVD设备：公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于SiC和GaN基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展。四款MOCVD新产品包括用于SiC和GaN功率器件的MOCVD，用于MicroLED的GaNMOCVD和用于红黄光LED的GaAsMOCVD设备已进入客户端验证阶段，并且部分得到批量订货。
　　盈利预测及投资建议：公司作为国内半导体刻蚀设备龙头，近年来专注于加速设备平台化，我们认为伴随公司研究成果高效转化，有望进一步支撑营收业绩增长，预计公司2026-2028年有望实现营收169/224/291亿元，有望实现归母净利润33/42/55亿元，维持“买入”评级。
　　风险提示：下游需求不及预期、地缘政治风险、产品进展不及预期。

　　事件概述
　　公司发布2026年一季报。
　　刻蚀&薄膜设备持续放量，26Q1营收延续快速增长
　　2026Q1公司实现营收29.15亿元，同比+34.13%，延续较快的增长势头。1）刻蚀设备：我们推测仍为主要收入构成，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储超高深宽比刻蚀工艺实现量产。2）薄膜设备：收入快速放量，公司为先进存储/逻辑开发的LPCVD、ALD等多款设备顺利进入市场，覆盖率不断增加，新增付运量快速增长，成为业绩增长重要新引擎。展望后续，公司刻蚀设备继续升级满足更先进需求，薄膜设备覆盖率持续提升，看好收入体量持续快速增长。
　　期间费用率受益规模效应，26Q1业绩超预期
　　2026Q1公司实现归母净利润/扣非归母净利润为9.30/4.78亿元，同比+197.20%/+60.09%，环比大幅加速，超出市场预期。2026Q1公司净利率/扣非净利率分别为31.51%/16.38%，分别同比+17.32/+2.66pct，盈利水平大幅提升。具体来看，1）毛利端：2026Q1公司整体毛利率为39.89%，同比-1.64pct，推测毛利率下降主要系相关新品导入验证。2）费用端：2026Q1公司期间费用率为26.32%，同比-2.51pct，其中销售/管理/研发/财务费用率分别同比+0.20/-0.61/-3.37/+1.28pct，研发费用率下降主要系规模效应显现。2026Q1公司研发支出9.08亿元，同比+32.15%。3）26Q1非经损益4.53亿元，同比增加4.38亿元，主要系出售部分持有的拓荆科技股票，产生非流动资产处置损益4.67亿元，一定程度增厚公司利润。
　　刻蚀&薄膜设备等新品持续推进，平台化成长逻辑不断兑现
　　1）刻蚀：公司刻蚀设备可覆盖65nm到3nm及更先进工艺，满足95%以上刻蚀需求；CCP下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备正在验证，已全面覆盖存储刻蚀各类超高深宽比需求；ICP取得140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。2）薄膜：公司在短时间内成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，用于先进逻辑/先进存储件金属栅的ALD设备性能达到国际领先水平，开发的多款核心介质沉积设备均有序推进，客户验证进展良好；减压EPI在成熟制程验证成功，部分先进工艺进入量产验证；常压外延设备进入晶圆验证阶段。3）四款MOCVD新产品包括用于SiC和GaN功率器件的MOCVD，用于MicroLED的GaNMOCVD和用于红黄光LED的GaAsMOCVD设备已进入客户端验证阶段，并且部分得到批量订货。
　　投资建议
　　我们维持公司2026-2028年营收预测为159.14、211.50、273.08亿元，分别同比增长28.5%、32.9%、29.1%；归母净利润预测为29.42、43.77、56.83亿元，同比增长39.3%、48.7%、29.8%；对应EPS为4.69、6.98、9.07元。公司2026/4/27收盘价为352.01元，对应2026-2028年PE为75.01、50.42、38.83倍，维持“增持”评级。
　　风险提示
　　新品产业化进度不及预期、行业竞争格局恶化、收购杭州众硅后业务整合不及预期等。

　　我们看好CCP和ICP在2026年的销售趋势，国产替代空间持续打开。
　　公司在2026年或保持新品研发投入，薄膜沉积设备进入快速放量期。
　　重申“买入”评级，维持目标价人民币380.00元。
　　根据中微公司2025年度年报，公司2025年营业收入达123.85亿元，同比增长36.62%，归母净利润21.11亿元，同比增长30.69%。刻蚀设备实现销售98.32亿元，同比增长35.12%，LPCVD和ALD设备销售5.06亿元，同比增长224.23%。
　　我们看好CCP和ICP在2026年的销售趋势，国产替代空间持续打开。根据中微公司2025年年报，CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配，下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将推向市场，能够全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户的ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得良好进展，加工精度和重复性已达到单原子水平。截至2025年底，公司累计已有超过7,800个反应台在全球170余条客户芯片及LED生产线全面量产，其中刻蚀设备反应台全球累计出货超过6,800台。根据界面《硬科技头条》在2026年4月15日报道，长江存储在2026年建成一座新厂基础上，还将再建两座额外工厂，到2028年三家单厂月产能均有望达到10万片。我们认为长存的扩产有望拉动中微刻蚀和薄膜设备订单。
　　公司在2026年或保持新品研发投入，薄膜沉积设备进入快速放量期。根据中微公司2025年年报，薄膜沉积设备方面，公司LPCVD设备累计出货量突破300个反应台，部分应用于存储及逻辑领域的机型已在2025年上半年实现稳定量产，且未来5至6年内还计划进一步开发约40款薄膜设备型号，逐步实现进口替代。我们认为2026年研发投入或仍维持较高强度。
　　重申“买入”评级，维持目标价人民币380.00元。我们的目标估值对应65倍2026年预期P/E，明显高于行业平均约42倍的估值水平，这是因为我们更看好公司2026-2027年的收入和利润增长潜力。风险提示：下游需求不及预期，美国对中国半导体行业进一步限制，半导体设备竞争加剧。

　　事项：
　　公司公布2025年年报，2025年公司实现营收123.85亿元（36.62%YoY），归属上市公司股东净利润亿元21.11（30.69%YoY）。公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.50元（含税）,以资本公积金向全体股东每10股转增4.9股。
　　平安观点：
　　业绩稳定，新品逐步起量：2025年公司实现营收123.85亿元（36.62%YoY），归属上市公司股东净利润亿元21.11（30.69%YoY，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2025年产生公允价值变动收益和投资收益合计约6.61亿元，较2024年的1.98亿元增加约4.64亿元），扣非后归母净利15.50亿元（11.64%YoY）。2025年公司整体毛利率和净利率分别是39.17%（-1.89pctYoY）和16.67%（-1.14pctYoY）。其中，2025年刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。费用端：2025年公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为4.03%（-1.25pctYoY）、5.31%（-1.45pctYoY）和-0.38%（0.58pctYoY），公司费用率稳定。研发投入方面：公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2025年公司研发投入约37.44亿元，同比增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占公司营业收入比例约为30.23%。此外，为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。
　　刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进：1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2025年继续保持高速增长态势，单年付运超过1000个反应台。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE付运量继续增加。2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000反应台。公司已有的刻蚀产品已经对绝大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对更加先进的7纳米及以下的逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以及金属掩膜大马士革工艺，公司在可调节电极间距的双反应台CCP刻蚀机PrimoSD-RIE的基础上，基于新的平台开发了具有可调电极间距的单反应台刻蚀产品。2）ICP刻蚀设备：公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、Primonanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。2025年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1800个反应台。公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过，并取得重复订单，在客户的下一代产品的产线上实现量产。与此同时，下一代ICP刻蚀设备的Alpha机在实验室开展多个客户的工艺验证，Beta机器计划2026年初去客户端认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，装机量快速增长。
　　薄膜沉积产品进展顺利，获得客户重复量产订单：公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场，中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。
　　投资建议：结合公司的订单交付情况，我们略微调整公司盈利预测并新增28年盈利预测，预计2026-2028年公司归母净利润为30.90亿元/41.72亿元/55.20亿元（26/27年原值为29.59亿元/38.83亿元），对应的市盈率分别为60倍、44倍、33倍。公司作为半导体设备平台型企业，薄膜沉积设备及EPI设备产品研发进展顺利，维持“推荐”评级。
　　风险提示：1）下游客户扩产投资不及预期的风险。若下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。2）新产品研发不及预期风险。若公司新产品研发不及预期，将影响公司长远发展。3）国际贸易摩擦风险。近年来，国际贸易摩擦不断。如果中美贸易摩擦继续恶化，公司的生产运营将受到一定影响。

　　重点一：中微公司CCP及ICP刻蚀设备工艺已覆盖超过95%的刻蚀应用场景。
　　重点二：2025年LPCVD与ALD薄膜沉积设备订单金额同比增长59%。
　　重点三：重申“买入”评级，维持目标价380元，对应65倍2026年预期市盈率。
　　中微公司于2026年3月28日在上海召开全球供应商大会。公司目前持续加大在刻蚀、薄膜沉积及MOCVD等领域的投入，已有超过7,800个反应台在170多家客户实现量产。尽管持续较高的研发投入或对2026年利润率形成一定压力，但我们认为这将显著支撑公司中长期成长。同时，公司在LPCVD及其他设备领域的新增订单进展积极，亦显示其正逐步由单一设备厂商向平台型半导体设备供应商演进。
　　中微正在拓展核心刻蚀设备品类。从核心刻蚀设备看，中微公司在CCP领域已覆盖100%的成熟逻辑应用、94%的3DNAND应用及95%的DRAM应用；在ICP领域，公司已覆盖94%的成熟逻辑应用、100%的先进逻辑应用、100%的3DNAND应用以及98%的DRAM应用。综合CCP与ICP两大技术路线来看，公司目前已覆盖不同器件类型约300项刻蚀应用中的95%以上，显示其刻蚀平台的工艺覆盖度已处于较高水平，产品矩阵持续完善。
　　我们预计公司2026年仍将维持较高强度的研发投入。根据公司2025年业绩披露，在薄膜沉积业务板块中，LPCVD与ALD产品收入于2025年达到5.06亿元人民币，同比增长224.2%。公司表示，部分应用于存储及逻辑领域的LPCVD设备已于2025年上半年实现稳定量产，且未来5至6年内还计划进一步开发约40款薄膜设备型号。2025年公司研发投入达37.4亿元人民币，同比增长52.65%，占营业收入比重为30.23%。考虑到公司仍在持续推进产品开发、缩小与海外半导体设备厂商之间的技术差距，我们判断其2026年研发投入仍可能维持在较高水平。
　　我们重申对中微公司的“买入”评级，维持目标价380元人民币。我们的目标价基于65倍2026年预期市盈率，系由此前估值基准顺延所得，明显高于行业平均约42倍的估值水平，反映我们对公司2026至2027年收入及利润增长潜力更为乐观。我们认为，市场尚未充分计入公司在刻蚀工艺高覆盖率、薄膜设备放量以及平台化拓展方面的中长期成长空间。风险：下游需求弱于预期、美国进一步收紧对中国半导体产业的限制，以及半导体设备行业竞争加剧。

　　事件概述
　　公司发布2025年报。
　　刻蚀&薄膜设备放量，25年营收延续快速增长态势
　　2025年公司实现收入123.85亿元，同比+36.62%，其中Q4为43.22亿元，同比+21.47%。1）刻蚀设备：25年收入98.32亿元，同比+35.12%，主要系针对先进存储/逻辑的高端产品新增付运量显著提升；2）薄膜设备：LPCVD收入5.06亿元，同比+224.23%，新品持续放量，成为业绩增长新引擎。截止2025年末，公司存货/合同负债为71.7/30.44亿元，同比+2%/+18%，新接订单向好。展望后续，公司刻蚀设备将继续升级满足更先进需求，薄膜设备提升高端关键制程覆盖率，当前超过20款新设备开发中，看好收入体量持续快速增长。
　　毛利率波动&研发投入影响盈利水平，25年业绩符合预期
　　2025年公司实现归母净利润21.11亿元，同比+30.69%；扣非归母净利润15.50亿元，同比11.64%；其中Q4归母/扣非归母净利润9.00/6.63亿元，同比+28%/+15%。2025年公司销售净利率/扣非销售净利率为16.67%/12.51%，分别同比-1.14/-2.80pct，Q4销售净利率/扣非销售净利率为20.44%/15.34%，分别同比+0.71/-0.81pct，盈利水平有所承压，具体来看：1）毛利端：25年公司毛利率为39.17%，同比-1.89pct，主要系公司客户发生结构性变化，给予部分客户销售折扣。2）费用端：25年公司期间费用率为27.49%，同比+2.21pct，主要系公司持续加大研发投入力度，研发费用率同比+4.35pct，研发投入占收入比重同比+4.88pct。3）25年公司计入非经常性损益的股权投资收益为6.07亿元，同比增加约4.09亿元，一定程度上增厚利润。
　　刻蚀&薄膜设备满足先进存储需求，新品开发验证进展顺利
　　1）刻蚀：公司刻蚀设备可覆盖65nm到3nm及更先进工艺，满足95%以上刻蚀需求，25年针对存储器件刻蚀工艺的新增装机占比继续提升，超高深宽比深孔刻蚀/沟槽刻蚀均大规模量产，下一代产品已完成实验室研发。2）薄膜：公司新开发十多种设备，钨系列产品可覆盖存储器件所有钨应用，以及先进逻辑器件中多道金属钨互连应用需求，获得重复量产订单；金属栅系列产品客户端验证顺利；EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。
　　股权激励利好长期发展，收购杭州众硅完善平台化布局
　　1）公司公告26年限制性股票激励计划草案，计划不超过3061人，占全部人数97%，拟授予不超过820万股，授予价为200元/股；公司每年进行激励，利好公司长期发展。2）公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买杭州众硅64.69%股权，交易价格15.76亿元；标的公司是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业，收购完成后，公司将实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。
　　投资建议
　　我们调整公司2026-2027年营收预测为159.14、211.50亿元（原值为159.77、205.59亿元），分别同比增长28.5%、32.9%；归母净利润预测为29.42、43.77亿元（原值为32.88、44.56亿元），同比增长39.3%、48.8%；对应EPS为4.70、6.99元（原值为5.25、7.12元）。新增2028年营收预测为273.08亿元，同比+29.1%；归母净利润为56.83亿元，同比+29.8%；对应EPS为9.08元。公司2026/3/30收盘价为316.74元，对应2026-2028年PE为67、45、35倍，维持“增持”评级。
　　风险提示
　　新品产业化进度不及预期、行业竞争格局恶化、收购杭州众硅后业务整合不及预期等。