要点一:自然人股东及核心员工增持计划
       基于对公司未来发展的信心和对公司价值的认可，公司部分自然人股东，核心员工拟自2024年2月1日起6个月内以集中竞价交易等方式增持公司股份，本次拟增持股份金额合计不少于人民币2,200万元，不超人民币3,500万元。

要点二:募资10亿投建高端半导体设备等
       2022年5月份，公司完成124.29元/股非公开发行8,045,699股，募集资金总金额999,999,928.71 元，扣除发行费用后将用于上海临港研发及产业化项目，高端晶圆处理设备产业化项目（二期），补充流动资金。其中，上海临港研发及产业化项目计划总投资额为64,000.00万元，项目建成并达产后，主要用于研发与生产前道ArF光刻工艺涂胶显影机，浸没式光刻工艺涂胶显影机及单片式化学清洗机等高端半导体专用设备。高端晶圆处理设备产业化项目（二期）计划总投资额为28,939.27万元，项目建成并达产后，主要用于前道I-line与KrF光刻工艺涂胶显影机，前道Barc（抗反射层）涂胶机及后道先进封装Bumping制备工艺涂胶显影机。通过建设上海临港研发及产业化项目，公司将在前道先进制程设备研发及产业化领域实现进一步突破，进一步增强我国产业链自主可控能力。公司拟使用本次募集资金建设高端晶圆处理设备产业化项目（二期），提升现有量产半导体设备的供货能力，满足下游客户多元化的定制需求。

要点三:布局SiC设备领域
       与传统半导体材料相比，以SiC制成的器件拥有良好的耐热性，耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC下游应用包含新能源，光伏，储能，通信等领域。据Yole预计，全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元，CAGR超过34%。公司通过在SiC设备领域提前布局，已向国内多家SiC龙头厂商实现批量销售。

要点四:半导体专用设备
       公司主要从事半导体专用设备的研发，生产和销售，产品包含光刻工序涂胶显影设备（涂胶/显影机，喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机， 去胶机，湿法刻蚀机），产品可用于6英寸及以下单晶圆处理（如LED芯片制造环节）及8/12英寸单晶圆处理（如集成电路制造前道晶圆加工及后道先进封装环节）。自2008年我国启动实施“02重大专项”以来，公司作为项目责任单位承担并完成了两项与所处涂胶显影设备领域相关的“02重大专项”项目，分别为“凸点封装涂胶显影，单片湿法刻蚀设备的开发与产业化”项目和“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目，成功突破了包含凸点封装工艺相关的超厚光刻胶膜的涂覆，显影，单片湿法多工艺药液同腔分层刻蚀及193nm（ArF）光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷，精细化显影，精密温控热处理等在内的多项核心关键技术。

要点五:后道封装设备
       在集成电路制造后道先进封装领域和化合物，MEMS，LED芯片制造等领域，公司通过借鉴前道产品的先进设计理念，对产品架构进行优化，提升了工艺水平和产品产能。应用了前道先进设计理念及技术的后道产品目前已在国内多家封装大厂Fan-out产线应用，成为客户端的baseline设备。

要点六:SpinScrubber清洗机设备
       在集成电路制造前道晶圆加工领域，公司生产的前道SpinScrubber清洗机设备已在中芯国际，上海华力等多个客户处通过工艺验证，截止至目前已获得国内多家晶圆厂商的重复订单。报告期内，通过持续改进硬件设计，系统集成和工艺配方优化，公司集成电路制造前道晶圆加工领域用清洗机SpinScrubber设备产能提升至国际知名企业产品同等水平，在晶圆正反面清洗技术方面，颗粒去除能力由原来的>90nm水平提升至>40nm水平，内部微环境精确控制技术已与国际知名企业持平。公司生产的集成电路前道晶圆加工领域用清洗机SpinScrubber设备已达到国际先进水平。

要点七:OLED
       OLED制造工艺可分为三个步骤：TFT阵列，器件制作，模组制作，整个制造过程需要配套众多的半导体设备。公司作为我国主要的半导体设备制造商之一，生产的清洗机，涂胶/显影机，去胶机，湿法刻蚀机可应用于OLED制造工艺的清洗，涂胶/显影，去胶，刻蚀环节，未来还可用于硅基OLED制造领域。此外，公司还将凭借已有维信诺，京东方等标杆企业成功应用的案例优势，抓住硅基OLED和MEMS蓬勃发展的机遇，进一步扩大8～12英寸单片式湿法设备在硅基OLED和MEMS等领域的销售规模。

要点八:单片式湿法设备
       公司生产的单片式湿法刻蚀机采用可变速摆臂喷洒化学液，同时利用高精度的流量检测和控制技术，多级稳压技术及在线温度检测及控制技术，对工艺所用的化学品流量，压力及温度等参数进行精准控制以满足多种刻蚀工艺要求，进而有效地提高刻蚀均匀性，降低侧蚀效应，目前广泛应用于集成电路后道先进封装制程中的湿法刻蚀环节。公司在利用已掌握的刻蚀设备相关成熟技术的基础上，开发出适合膜厚1-130微米各种正负性光刻胶去除及适用于金属剥离的去胶机，在研发过程中，解决了浸泡单元技术，在浸泡单元中引入了鼓泡技术，化学液溢流技术及片盒垂直翻转等关键技术。公司生产的清洗机通过自主研发的二流体喷嘴技术可将附着在晶圆表面的细微颗粒污染物去除，去除率超过95%，对于微米级别大颗粒，采用特殊材料的毛刷或高压喷淋对晶圆进行擦洗去除，配合特有的晶圆翻转装置和夹持式承片台，可在同一台设备中实现对晶圆的正反两面进行清洗。

要点九:核心零部件国产化进展加速
       公司持续对前道涂胶显影机的核心零部件进行自主或联合研发。高速机械手和高精度热盘等多种核心零部件已实现国产替代。还有一系列核心部件也在合作研发和验证中，这些部件的国产替代，不但能保证供应链的自主可控，也将极大地降低成本，提高整机产品的竞争力。公司前道物理清洗设备整体已达到国际先进水平并成功实现国产化替代。在后道先进封装领域，公司在多项工艺能力上达到了更高水平，力争为客户提供更具价值的产品解决方案，同时积极定义下一代产品。在化合物，MEMS，LED等小尺寸领域，公司继续巩固技术领先优势，更为完善的光学对准协同技术通过自研机器人和光学AWC对准系统相协同，大幅提升了去胶剥离机的极限产能，可满足更高的产能需求，该技术已达到国际领先水平，微孔超分子材料真空吸附技术可在SiC等化合物工艺中实现光刻胶更高等级的均匀性要求。此外，公司在金属离子卡控技术，EBR真空保护技术等技术方面也实现了技术等级的进步。