一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造的先进性。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造的先进性。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能、功耗、集成度等方面提出了更高的要求。特别是近两年，AI应用的迅速普及加速推动了技术创新，对先进半导体技术的需求强劲，同时催生了巨大的先进半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2025年全球半导体设备销售额预计达到1255亿美元，同比增长超过7%，并持续保持增长态势，预计2026年销售额将进一步攀升至1381亿美元，实现连续三年增长。
　　中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在AI应用快速发展的拉动下，对先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
　　2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
　　在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2025年晶圆制造设备销售额预计将达到1108亿美元，同比增长超过6%，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元。
　　公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。
　　在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及Flowable CVD（流动性化学气相沉积）等薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
　　PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
　　3、公司所聚焦的三维集成设备行业
　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
　　在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合，主要应用如图示：
　　（二）公司主营业务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。
　　2、主要产品情况
　　报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，公司研制的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已在客户端实现产业化应用，业务规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　（2）ALD系列产品
　　（3）SACVD系列产品
　　（4）HDPCVD系列产品
　　（5）Flowable CVD系列产品
　　（6）三维集成领域系列产品
　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
　　（三）主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
　　（3）采购模式
　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收入维持高增长趋势。2025年上半年度，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上市公司股东的净利润9,428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%。
　　截至2025年6月30日，公司总资产1,755,366.06万元，较2024年年末增长14.62%；归属于上市公司股东的净资产541,194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况：
　　报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业化应用等方面均取得了突出成果，产品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入持续高速增长。报告期内的研发投入金额达到34,917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为17.87%。
　　在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及Flowable CVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM、Lok-II及PECVD Bianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；公司目前已实现对PECVD ACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO2和PE-ALD SiCO多台通过客户验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
　　在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日，公司累计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。
　　报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.43亿片。
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品：PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　公司面向先进存储领域自主研发的PECVD Supra-D OPN、SiB、高温SiN等工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。PECVD Supra-D OPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要作为3D NAND顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串的精确选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVD Supra-D SiB和高温SiN设备可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工艺；高温SiN薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力调整区间，很大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择比需求较高的工艺。
　　公司基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。
　　公司PECVD Bianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末，累计超过60个PECVD Bianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
　　公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
　　公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300M Supra-H设备已完成样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。
　　②UV Cure产品
　　UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UV Cure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况：
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　PE-ALD产品PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　报告期内，基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
　　基于PF-300T和高产能平台NF-300H开发的PE-ALD SiO2及PE-ALD SiCO持续出货，且多台设备通过客户验证，公司PE-ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。
　　截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
　　②Thermal-ALD产品
　　Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户，验证进展顺利。Thermal-ALD Al2O3、AlN等工艺设备在不同客户端验证进展顺利，此外，公司持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利，关键技术指标已达到客户要求。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVD USG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
　　（5）Flowable CVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　Flowable CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。Flowable CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
　　截至报告期末，公司自主研发的Flowable CVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。
　　（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况：
　　三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出货。
　　报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，已出货至客户端验证。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。
　　公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现，该产品已获得客户订单。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
　　公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品已获得客户订单并出货，验证进展顺利。
　　⑤键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
　　公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑥键合强度检测产品
　　键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
　　永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。报告期内，公司已完成该产品的研制。
　　3、供应链保障方面
　　公司已建立稳定的供应链体系，确保供应链安全与运营连续性，主要如下：
　　（1）建立多元化供应商体系
　　公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免单一供应商依赖。此外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，保证关键部件的及时稳定供应。
　　（2）战略库存与弹性备货
　　公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。同时，推动供应商建立本地仓储，缩短交货周期。
　　（3）创新保障与协同研发
　　公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
　　（4）合规与可持续发展
　　公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，减少碳足迹及资源浪费。
　　公司已将供应链安全战略从被动响应升级为主动构建韧性，最大限度地降低国际地缘政治动荡、贸易环境变化及产业链突发性中断等外部不确定性带来的风险。同时，面对可能产生的风险，能够快速吸收、适应、恢复并维持关键业务持续运行的能力，保障公司设备生产供应的连续性和稳定性，提升在市场的竞争力和客户信任度。
　　报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
　　公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成领域设备新工艺、新产品，同时，公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。
　　在人才引进方面，公司通过与国内高校合作、设立实习基地等形式，积极吸引优秀应届毕业生；在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，持续推进产学研深度融合，着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。截至2025年6月30日，公司员工总数1569人，其中研发人员638人，占公司员工总数的40.66%。
　　报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，并向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司持续改进智能化的软硬件系统（Smart Machine），对系统的功能和结构进一步优化，在已有功能基础上，开发新的优化算法和数据分析方法，更好地满足工艺研发、大规模生产、故障排查等方面的需求，进一步促进设备性能和维护效率的提升，以及研发成本、维护成本的降低，提高产品综合竞争力。
　　公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，报告期内，公司对MES（生产管理系统）进行升级，从设备启动生产便自动开始监控交期，及时反馈生产进度，实现设备出货时间自动预警及全程监控，能够有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理；公司始终秉持“质量至上”的核心原则，建立和优化全流程质量管理体系，不断完善质量改进机制，以确保产品与服务的持续优化，报告期内，公司围绕产品设计、生产及交付等全生命周期实施系统化管控，确保产品符合法规标准及客户需求，持续推进质量优化与技术创新；在EHS（环境、健康、安全）方面，公司持续完善在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全；报告期内，公司积极开展ISO27001信息安全管理体系认证，持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全和物理安全管控。
　　7、募投项目建设进展情况：
　　①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。该产业化基地已于2025年6月投入使用，截至本报告披露日，该项目已结项。
　　新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
　　（1）投资设立子公司/控股子公司
　　报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。
　　（2）积极开展产业投资
　　报告期内，公司开展了对原子启智的股权投资，布局覆盖了ALE（原子层刻蚀）等设备。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开3次股东大会、4次董事会、3次董事会审计委员会、3次董事会薪酬与考核委员会、4次监事会及1次独立董事专门会议，所审议的议案100%通过，并得到有效执行和实施。
　　公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/投资者交流会。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1783项（含PCT），获得授权专利581项，其中发明专利294项。
　　公司先后承担了多项国家重大专项/课题，研发并推出的基于不同平台类型且支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和Flowable CVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平，并持续迭代升级产品性能，快速响应客户先进技术需求。
　　公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备，并积累了多项具有自主知识产权的核心技术。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
　　2、优秀的技术研发及管理团队优势
　　公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
　　公司国际化、专业化的高级管理团队、长效激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有638名，占公司员工总数的40.66%，研发人员中博士研究生和硕士研究生共计437人，占研发人员总人数的68.50%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。
　　3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备及三维集成设备的技术积累和快速发展，较国内竞争对手形成显著先发优势，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
　　公司已与国内下游客户形成了较为稳定的合作关系。公司薄膜系列产品已批量发往国内集成电路晶圆厂。此外，公司致力于为客户提供三维集成领域全面的技术解决方案，目前应用于三维集成领域的系列产品研发和产业化已取得重大进展，产品陆续发货至不同的客户端。
　　4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。
　　在产品方面，公司通过创新设计及与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
　　5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
　　公司针对客户提出的定制化的半导体专用设备具有快速响应能力，可以及时满足客户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成领域设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担11项国家重大专项/课题。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1783项（含PCT）、获得授权专利581项；报告期内，公司新增申请专利143项（含PCT）、新增获得专利89项。
　　3、研发投入情况表研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明：
　　公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期增加13.88个百分点，主要是根据研发项目的进度，将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。
　　(二)经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、3D DRAM、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。由于部分产业应用尚未完成规模化验证，存在定制化需求攀升的技术风险，可能引致研发投入超预期增长及验证周期延长，导致公司收入确认及回款周期延后，增加资金链压力，对财务稳健性构成潜在风险。
　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也逐步进入公司业务领域开发部分同类产品。公司面临国际巨头以及国内新进入者的双重竞争。如果公司未来无法持续有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、晶圆厂扩产不及预期的风险
　　下游晶圆厂扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　(三)财务风险
　　1、政府补助政策变动风险
　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。
　　2、税收优惠风险
　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　(四)行业风险
　　半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析
　　集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2024年全球半导体设备销售额达到1,171亿美元，相较2023年的1,063亿美元增长10%，并持续保持增长态势，预计2025年销售额将达到1,215亿美元，2026年预计达到1,394亿美元的新高。
　　中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
　　在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2024年晶圆制造设备销售额达到约1,042亿美元，约占总体半导体设备销售额的90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。
　　公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。
　　在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FowabeCVD（流动性化学气相沉积）薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
　　PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FowabeCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
　　在3DNAND存储芯片中的主要应用图示
　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
　　面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合，主要应用如图示：
　　在三维集成领域的主要应用图示
　　报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，营业收入维持高增长趋势。2024年度，公司实现营业收入410,345.39万元，同比增长51.70%；实现归属于上市公司股东的净利润68,815.47万元，同比增长3.86%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润35,613.79万元，同比增长14.10%。
　　截至2024年12月31日，公司总资产1,531,416.61万元，较期初增长53.61%；归属于上市公司股东的净资产528,015.44万元，较期初增长14.94%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到75,597.63万元，同比增长31.26%，研发投入占营业收入比例达18.42%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富薄膜沉积设备及三维集成设备产品的品类，拓宽工艺应用覆盖面，在新产品、新型平台研发、验证及产业化应用等方面均取得了突破性成果。
　　在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，并拓展了应用于芯片沟槽填充的新产品FowabeCVD设备；开发的PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-300TPus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备，实现了大批量出货，陆续通过客户验证；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，推出的ALDSiCO、SiN、AN等工艺设备已实现大量出货，持续扩大量产规模，此外，研发了ALD新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FowabeCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
　　在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，同时，公司自主研发并推出了新产品晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备，致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　随着公司先进产品不断迭代升级，设备出货量实现了大幅攀升。2024年度，公司设备反应腔出货超过1,000个。截至报告期末，公司累计出货超过2,500个反应腔（包括超过220个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。
　　报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告披露日，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破2.96亿片
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
　　PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
　　PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　公司自主研发并推出了PECVDBianca工艺设备，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。报告期内，公司PECVDBianca工艺设备已通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末,累计超过40个PECVDBianca工艺设备反应腔已出货至客户端。
　　公司基于新型设备平台（PF-300TPus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、LoK-Ⅱ等先进工艺设备实现了批量出货，并陆续通过客户验证，满足客户在先进技术更新迭代过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至报告期末，累计超过220个反应腔出货至客户端。
　　公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备，已实现产业化应用，报告期内，该产品持续获得客户重复订单并出货。
　　公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
　　公司在NF-300H基础上，再次开发了更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。目前NF-300MSupra-H设备已完成样机研发，可以沉积多层氧化硅和氮化硅叠层介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。
　　②UVCure产品
　　UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模，截至报告期末，累计超过30个反应腔出货至客户端。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，在新工艺拓展方面取得了突破性进展。公司自主研发的低介电常数SiCO薄膜工艺设备获得多台不同客户订单并出货，已通过客户验证，实现了产业化应用，该薄膜工艺设备主要用于先进逻辑芯片和存储芯片中的低介电隔离层；PE-ALDSiN工艺设备（PF-300TAstra）通过客户验证，实现了产业化应用。
　　此外，公司研发了新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。报告期内，基于该平台研发的ALDSiO2薄膜工艺设备已出货，可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
　　截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fi)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
　　②Therma-ALD产品
　　Therma-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　公司Therma-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Therma-ALDA2O3、AN等工艺设备持续出货至客户端，包括集成工艺设备Therma-ALD（TS-300Atair），该设备不仅具有高产能的特点，并可以实现在同一台设备中沉积Therma-ALDAN及PECVDADC-II薄膜。此外，公司持续拓展Therma-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物薄膜材料应用，整体进展顺利。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利。截至本报告期末，公司SACVD系列产品反应腔累计出货超过100个。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　报告期内，公司多台HDPCVDFSG、STI工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，HDPCVDUSG工艺设备持续扩大量产规模，公司HDPCVD设备持续获得客户重复订单。截至本报告披露日，公司HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模，HDPCVD系列产品反应腔累计出货量达到100个。
　　（5）FowabeCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　FowabeCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。FowabeCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
　　报告期内，公司自主研发并推出的FowabeCVD产品多台通过客户验证，实现了产业化应用，并获得不同客户订单。截至本报告期末，与FowabeCVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。
　　（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
　　三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得客户重复订单，扩大量产应用规模。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。
　　公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现。报告期内，该产品已获得客户订单。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单，扩大量产应用规模。目前该产品是国内唯一应用在芯片对晶圆生产线上的同类型设备。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
　　公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Peione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。报告期内，该产品已获得客户订单并出货。
　　⑤键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
　　公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。报告期内，该产品已通过客户验证。
　　⑥键合强度检测产品
　　键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascea300，可以实现晶圆键合后的强度检测。报告期内，该产品已通过客户验证。
　　3、供应链保障方面
　　随着国际形势日益复杂，国内半导体设备产业面临高度复杂的供应链挑战及地缘政治风险，报告期内，公司及相关子公司被美国商务部工业和安全局列入“实体清单”。为应对错综复杂的局面，公司已采取多维度的保障措施，确保供应链安全与运营连续性，该事项对公司的供应链采购未产生影响。
　　（1）建立多元化供应商体系
　　公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免单一供应商依赖。此外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，保证关键部件的及时稳定供应。
　　（2）战略库存与弹性备货
　　公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。同时，推动供应商建立本地仓储，缩短交货周期。
　　（3）创新保障与协同研发
　　公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
　　（4）合规与可持续发展
　　公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，减少碳足迹及资源浪费。
　　报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
　　在薄膜沉积设备方面，公司的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FowabeCVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加；此外，公司积极布局三维集成领域的专用设备，公司在晶圆对晶圆混合键合设备和芯片对晶圆键合前表面预处理设备之外，拓展了晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、以及配套使用的键合套准精度量测设备、键合强度检测设备，这些产品已取得客户订单或重复订单。
　　公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。公司定期开展客户满意度调研，以更全面地了解客户反馈，持续优化产品设计与服务质量。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。截至2024年12月31日，公司员工总数1,532人，其中研发人员648人，占公司员工总数的42.30%。
　　在人才引进方面，公司采取多元化招聘策略精准引进人才，通过与国内高校合作、设立实习基地、赞助大学生创新创业活动大赛等形式，积极吸引优秀应届毕业生，同时，通过参加行业活动及内部人才推荐等方式，吸引业内资深人才。
　　在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，通过专业技术、通用能力、软性实力等方面的培训加强员工职业素养；为员工提供继续教育支持，符合条件的员工可申请在职研究生、在职博士进行学历提升，管理干部可申请MBA（工商管理硕士）管理课程学习；公司作为省级博士后实践基地，与高校共同联合培养博士后，报告期内有3名博士在博士后工作站学习深造；公司积极推动产学研密切合作，同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。
　　报告期内，公司完成了2023年度限制性股票激励计划的首次授予和预留授予，其中，首次授予共向697名激励对象授予444万股（公司2023年年度资本公积转增股本后股数）第二类限制性股票，预留授予共向214名激励对象授予111万股限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司开发了一套智能化的软硬件系统（SmartMachine），通过引入数据统计、方差分析、机器学习等方法，搭建了智能化数据分析平台。该平台可对量产设备的海量数据实时收集，并进行高效分析，具有设备运行实时监控、性能变化识别、根因分析等功能，促进设备性能和维护效率的提升，以及研发成本、维护成本的降低，进一步提高产品综合竞争力。
　　报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，搭建的智能化MES（生产管理系统）全面上线运行，有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理，形成整个生产过程透明化管理；公司深化产品质量管理体系，为顺利推进公司新产品的开发和验证，通过规范化流程开展质量改进活动，及时识别并分析产品质量相关议题，深入挖掘潜在问题，并基于内部目标与原因分析制定针对性改进措施，确保质量提升的持续性和有效性；公司EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全。同时，公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全。
　　7、募投项目建设进展情况
　　①公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”
　　为进一步完善产业布局，公司在上海临港新片区购置整体厂房，建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米），基于公司原有ALD设备技术储备，开发ALD设备平台架构、发展多种工艺机型，并进行规模化量产。截至本报告期末，该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用，相关的ALD设备研发和生产工作已完成，本募投项目已结项。
　　超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米），用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，公司结合项目实际进展情况，将本项目原计划达到预定可使用状态日期由2024年12月延期至2025年6月，并按此计划顺利推进。截至本报告披露日，本项目已完成基地的整体建设，并计划于2025年6月前投入使用。
　　新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”
　　公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
　　（1）投资设立子公司及向子公司增资
　　报告期内，公司出资2亿日元设立全资子公司拓荆日本，出资1万美元设立全资子公司拓荆国际，为公司进一步拓展海外市场奠定基础；公司向全资子公司岩泉科技增资50,000.00万元，以增强岩泉科技对外投资资本；公司以向拓荆键科提供的借款形成的债权作价6,873.58万元认购拓荆键科新增注册资本67.5409万元，本次债转股完成后，公司合计持有拓荆键科注册资本617.5409万元，截至本报告披露日，公司合计持有拓荆键科57.8471%的股权，拓荆键科仍为公司的控股子公司。
　　（2）参与成立产业投资平台
　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技出资900.00万元并作为执行事务合伙人设立上海岩池；由上海道禾长期投资管理有限公司作为执行事务合伙人、上海岩池作为普通合伙人、岩泉科技及上海道禾产芯私募投资基金合伙企业（有限合伙）作为有限合伙人共同发起设立道禾拓荆芯链，其中，上海岩池出资人民币100.00万元、岩泉科技出资2750.00万元。该基金将专注于半导体设备零部件产业链领域的股权投资，充分发挥公司的产业链主引领作用及其他投资方的产金融合优势，紧密围绕半导体产业链上游环节，助推我国半导体设备及零部件产业做大做强。
　　（3）积极开展产业投资
　　公司积极开展产业投资布局，报告期内，公司开展了对新松半导体、珂玛科技、芯密科技、素珀电子、星奇半导体、君原电子、辉龙电器、先锋精科、深圳冠华等公司的股权投资。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开4次股东大会、12次董事会、5次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、4次董事会薪酬与考核委员会、11次监事会及2次独立董事专门会议，所审议的议案100%通过，并得到有效执行和实施。
　　公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开7次业绩说明会/投资者交流会，开展180余次投资者交流活动。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FowabeCVD等薄膜设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已实现产业化应用。
　　2、主要产品情况
　　报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，业务规模逐步扩大。公司产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　（2）ALD系列产品
　　（3）SACVD系列产品
　　（4）HDPCVD系列产品
　　（5）FowabeCVD系列产品
　　（6）三维集成领域系列产品
　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
　　(二)主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
　　（3）采购模式
　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业的发展阶段、基本特点
　　①半导体设备行业
　　半导体产业的发展是现代科技和经济的重要支撑，而半导体设备作为半导体产业链的技术先导者，是半导体产业快速发展的坚实基础和技术进步的关键驱动力。随着半导体技术的迭代创新，半导体芯片逐步向精密化、微小化和高集成度发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。
　　由于半导体行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加宏观经济波动，半导体行业的发展呈现周期性波动的趋势。2024年，在人工智能（AI）浪潮的助推下，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，拉动了半导体行业规模的迅速扩大，根据SEMI统计，2024年全球半导体销售额增长19%至6,280亿美元，首次突破6,000亿美元，2025年预计继续保持两位数增长，2030年将突破万亿美元。
　　随着人工智能应用终端的发展，对半导体设备的性能需求和三维集成技术的要求越来越高，这也为半导体设备行业带来新一轮的升级和增长机遇。根据SEMI统计，2024年全球半导体制造设备的销售额达到1,171亿美元，相较2023年的1,063亿美元增长10%，并持续保持增长态势，预计2025年销售额将达到1,215亿美元，2026年预计达到1,394亿美元的新高。从中国大陆市场来看，智能终端的强劲需求及产业技术的快速迭代带动了半导体设备的市场需求，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市场。与此同时，我国持续加大半导体产业的政策扶持和投入力度，加速了国内半导体设备产业的发展，为国内设备厂商迎来了巨大的成长机遇。
　　②薄膜沉积设备行业
　　在半导体设备中，应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类。根据SEMI统计，2024年晶圆制造设备销售额达到约1,042亿美元，约占总体半导体设备销售额的90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备的销售额约为42%的比例测算，2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为97亿美元，具有广阔的市场空间。
　　薄膜沉积设备主要包括CVD设备和PVD设备。公司主要聚焦在CVD设备细分领域内的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FowabeCVD为主的薄膜设备产品。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺技术对薄膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。根据SEMI历史统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，SACVD、HDPCVD、FowabeCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。
　　③三维集成领域设备行业
　　在半导体行业技术发展过程中，三维集成技术已成为推动技术创新和市场增长的关键驱动力。随着传统晶体管缩放技术逐渐接近物理极限，业界正转向通过采用三维集成技术实现芯片的高密度、高集成度、高性能、低功耗等目标，这将推动半导体行业技术进入一个新的发展阶段。随着人工智能应用的带动，三维集成技术的发展成为重要趋势，并带来了新的市场空间和机遇。据Yoe统计，全球先进封装市场（包括2.5D封装和3D封装）规模预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。
　　应用于三维集成领域的设备是实现三维集成芯片、Chipet等芯片堆叠的关键，同时也是先进逻辑和先进存储等芯片从2D向3D芯片设计架构发展的技术基础。先进键合设备及配套的量检测设备作为三维集成中的核心装备，可以提供键合面小于1μm互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界更高水平，有效打破“通信墙”，从而提高系统性能。在芯片技术的持续迭代和创新发展过程中，应用于三维集成领域的半导体设备将迎来广阔的市场空间。
　　（2）主要技术门槛
　　半导体设备行业属于技术密集型行业，涉及化学、等离子体物理、流体力学、射频及微波学、电气控制及自动化、软件工程、机械工程等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，具有技术壁垒高、产品验证周期长的特点。
　　①薄膜沉积技术
　　半导体行业通常是“一代产品、一代工艺、一代设备”，晶圆制造要超前下游应用开发新一代工艺，而半导体设备要超前晶圆制造开发新一代设备。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展，并不断追求技术革新、迭代。
　　在薄膜沉积设备研制过程中，其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在基础理论知识深刻理解外，结合整机设计思路和产线工艺理解，技术壁垒较高。此外，集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同，薄膜沉积设备需要结合不同材料的物理、化学性质，进行工艺开发，以实现不同材料的沉积功能。
　　由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。
　　随着集成电路制造产线向更小线宽发展，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，因此，技术门槛也在日益提升。
　　②先进键合及相关量检测技术
　　先进键合设备的关键指标包括键合精度、键合强度以及界面空隙缺陷。先进键合设备的研制，对于高精密光学对准系统、微纳精密运动控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验，技术壁垒较高。随着键合工艺的发展，对键合精度等性能指标不断提出更高的要求。此外，键合套准精度量测设备和键合强度检测设备的技术基础均为红外光学技术和图像分析处理技术，除了对技术原理的深刻理解外，业界对设备产能和精度有较高的要求，因此，进入该领域的技术壁垒较高。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现垄断竞争的局面，行业基本由海外国际巨头垄断。根据Gartner历史统计数据，在CVD市场中，应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）和东京电子（TEL）三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在三维集成领域，先进键合设备市场主要由EVGroup公司、东京电子（TEL）、博思（BESI）、先进科技（ASMPT）等公司高度垄断，这些厂商占据全球绝大部分的市场份额。
　　公司凭借十多年的技术积累，自主研制了包括PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FowabeCVD等薄膜设备系列产品，以及先进键合设备和配套的量检测设备系列产品，在国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线有广泛应用，已实现量产的设备性能指标均达到国际同类设备先进水平。公司设备产品的量产应用及销售规模稳步提升，是国内该领域专用量产型设备的领军企业。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　①半导体设备市场需求稳步增长
　　纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化，而每一次技术变革是驱动行业持续增长的主要动力。在人工智能、高性能计算、新能源汽车等新兴领域的终端需求带动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，进而带动半导体设备的市场需求量。根据SEMI预测，预计2025年到2027年，中国大陆将保持其作为全球300mm设备支出第一的地位，未来三年将投资超过1,000亿美元。晶圆厂设备投资及产能扩建将引领半导体设备需求的持续增长，薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，具有巨大的市场需求和增长空间。
　　②芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求
　　在90nmCMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。
　　不同工艺节点薄膜沉积工序对比
　　在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3DNANDFLASH芯片的堆叠层数不断增高，逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
　　在芯片工艺技术持续进步的趋势下，当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下，可以结合薄膜沉积设备（主要为ALD设备）与刻蚀设备相配合，采用自对准多重成像技术，实现更小尺寸的工艺，这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。
　　③先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求
　　在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化，对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求，包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加，这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。
　　④三维集成领域关键设备需求
　　随着半导体工艺技术的发展，芯片设计架构由平面逐步向三维发展，芯片集成与封装方式由微凸点技术（MircoBump）向铜-铜直接互联技术（即先进键合）发展，芯片材料由硅基半导体向新型半导体与硅基的异质集成方向发展，上述发展趋势将直接拉动先进键合设备的市场需求，在先进逻辑芯片、先进存储芯片（包括三维存储芯片、三维随机动态存储器、高带宽存储器等）、图像传感器、人工智能（AI）芯片等领域均具有巨大的应用市场空间。
　　随着芯片技术和先进键合工艺的发展，对芯片通信速度和芯片集成度将提出更高的要求，持续缩小键合面的互联间距是未来的技术趋势，这对先进键合设备的键合精度等性能指标不断提出更高的要求。因此，先进键合及配套的量检测系列设备产品未来需求将呈快速增长的趋势。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成领域设备的研发与产业化。报告期内，公司获批承担2项国家重大专项。截至报告期末，公司已先后累计承担11项国家重大专项/课题。
　　2024年度，公司通过了工业和信息化部第六批专精特新“小巨人”企业审核，被授予专精特新“小巨人”企业称号，此外，公司凭借核心产品“化学气相沉积设备”获得“2024年辽宁省制造业单项冠军企业”称号。上述认定是对公司技术创新能力和自主研发能力的充分肯定，也是公司科研能力和综合能力的体现。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1,640项（含PCT）、获得专利507项；报告期内，公司新增申请专利435项（含PCT）、新增获得专利157项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　公司继续加大研发力度，保持细分领域内产品技术领先，不断丰富薄膜沉积设备及应用于三维集成领域设备产品的品类，拓宽工艺应用覆盖面，在新产品、新型平台的研发、验证及产业化应用等方面均取得了突破性成果。开发的PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-300TPus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备，实现了大批量出货，陆续通过客户验证。报告期研发投入75,597.63万元，同比增长31.26%，主要系职工薪酬及专业机构服务费等增加。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1,640项（含PCT），获得授权专利507项，其中发明专利246项。
　　公司先后承担了多项国家重大专项/课题，研发并推出的基于不同平台类型且支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和FowabeCVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平，并持续迭代升级产品性能，快速响应客户先进技术需求。
　　公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备，并积累了多项具有自主知识产权的核心技术。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
　　2、优秀的技术研发及管理团队优势
　　公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
　　公司国际化、专业化的高级管理团队、长效激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有648名，占公司员工总数的42.30%，研发人员中博士研究生47人，占比约7.25%，硕士研究生377人，占比约58.18%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。
　　3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备及三维集成领域的先进键合设备及配套的量检测设备的技术积累和快速发展，较国内竞争对手形成显著先发优势，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
　　公司已与国内下游客户形成了较为稳定的合作关系。公司薄膜系列产品已批量发往国内集成电路晶圆厂产线。此外，公司致力于为客户提供三维集成领域全面的技术解决方案，目前应用于三维集成领域的系列产品研发和产业化已取得重大进展，产品陆续在客户端实现产业化应用。
　　4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。
　　在产品方面，公司通过创新设计及与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
　　5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
　　公司针对客户提出的定制化的半导体专用设备具有快速响应能力，可以及时满足客户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。
　　(四)经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、3DDRAM、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。由于部分产业应用尚未完成规模化验证，存在定制化需求攀升的技术风险，可能引致研发投入超预期增长及验证周期延长，导致公司收入确认及回款周期延后，加剧资金链压力，对财务稳健性构成潜在风险。
　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也进入公司业务领域开发部分同类产品。公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司未来无法持续有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业竞争态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、晶圆厂扩产不及预期的风险
　　下游晶圆厂产能规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　(五)财务风险
　　1、政府补助政策变动风险
　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。
　　2、税收优惠风险
　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　(六)行业风险
　　半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　近期美国推行的关税政策预计将对全球经济产生深远影响，全球贸易体系与秩序遭受冲击，全球经济面临显著下行压力，全球半导体行业增长速度及供应链体系预计将受到影响，继而影响半导体设备行业的市场需求。
　　公司将密切关注国际贸易政策动向，采取灵活应对策略，同时，公司将紧抓国内半导体行业发展机遇，最大限度降低关税政策变动对公司业务发展的不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　1、下游应用高速发展，市场需求持续旺盛
　　在人工智能（AI）浪潮的助推下，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，拉动了半导体行业规模的迅速扩大。半导体设备是晶圆厂建设中的重要投资方向，新建晶圆厂约90%的投资用于购买晶圆制造相关设备，而薄膜沉积设备约占晶圆制造设备总投资的22%，是集成电路晶圆制造的核心设备。在下游应用高速发展的拉动下，薄膜沉积设备市场需求将持续旺盛。同时，随着芯片技术的迭代升级，对于三维集成领域设备的市场需求也将高速增长。
　　2、国内半导体产品需求量大，推动国内设备市场规模增长
　　我国作为全球最大的半导体消费市场，对半导体芯片需求巨大。在终端产品市场的需求拉动及国内半导体产业链日趋完善的发展趋势下，推动了半导体设备整体产业规模和技术水平的提高，进而促进了国内设备市场需求量的增长。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备市场连续第五年成为全球最大半导体设备市场。
　　3、国际厂商占据主导地位，国内设备厂商机遇与挑战共存
　　从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业和三维集成领域设备行业呈现出垄断竞争的局面。但近年来，国内半导体设备实现了从无到有、从弱到强的质的飞跃，使我国半导体产业生态和制造体系得以不断完善，国内高端设备的自给率逐步提升。但我国半导体设备整体技术水平相较海外设备巨头仍有差距，因此，国内半导体设备厂商的成长空间和市场空间较大。
　　(二)公司发展战略
　　公司始终专注于半导体设备的研发，坚持自主研发、自主创新的战略，面向集成电路芯片制造产线的需求，持续深耕薄膜设备产品及工艺的研发，同时面向“后摩尔时代”的技术发展趋势，公司积极布局三维集成的前沿技术领域。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FowabeCVD等薄膜设备产品系列，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品系列，为集成电路芯片制造产线、三维集成领域提供专用的、高端的半导体设备。
　　未来，公司将继续紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇，面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，通过持续加大研发投入，保持现有产品的核心竞争力，凭借已有的技术、人才、经验及售后服务等优势，不断扩大现有设备市场占有率。同时，面向市场技术的迭代需求，不断提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域。
　　(三)经营计划
　　公司将围绕未来发展战略规划，面向市场需求和技术迭代的发展趋势，通过持续加强产品研发、人才培养、市场开拓等多方面工作，提升公司的核心竞争力，扩大公司产品的市场规模，使公司长期稳定、快速的高质量发展。
　　1、持续研发投入，保持产品核心竞争力
　　公司将持续关注半导体行业发展趋势和下游晶圆厂对设备的先进需求，加大研发投入，加速完善产品布局，稳步推进产品的迭代升级和工艺性能提升。
　　面向集成电路芯片前道薄膜设备领域，公司将持续优化现有成熟量产产品，进一步提升产品性能及技术水平，满足下游晶圆厂产线不同的应用需求；围绕CVD细分领域，不断拓宽产品品类，持续提升薄膜工艺应用覆盖面，并积极推进新产品、新工艺的研发和产业化，整体提升公司产品竞争力。
　　面向三维集成领域，公司持续研发投入，强化先进键合设备和配套的量检测设备等系列产品的关键核心技术，提升设备性能，并不断拓宽公司产品布局，推进新产品的研发与产业化应用，为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　2、搭建持续稳定的供应链体系
　　公司将持续优化供应链管理体系，不断优化供应链结构，通过合作开发等方式，持续加强与供应商的深度合作，巩固供应链的稳定性，并不断提升供应部件的质量，保证关键部件的及时稳定供应，同时优化产品成本，提升产品综合竞争力。
　　3、拓展新客户和现有客户的新需求
　　在新客户方面，公司将积极拓展下游客户，拓宽公司产品对下游客户的销售覆盖。在现有客户方面，公司将积极关注客户新建产线或新工艺引入带来的新需求。基于公司与现有客户已建成的合作基础，通过提供性能参数优异、性价比突出的产品，实现对现有客户新需求的供应，进一步提高公司市场份额。此外，公司积极关注国际市场需求，积极开拓国际市场。
　　4、加强人才梯队建设和培养
　　公司结合发展战略规划和实际业务需求，不断加强人才队伍建设，推动公司在国际前沿技术和先进管理理念等方面保持竞争力。通过制定行业内具有竞争力的薪酬政策和股权激励制度，持续引进高层次人才和吸纳国内专业技术人才。以产业引才，以事业留才、构建多维度人才政策，营造良好的人才配套环境。此外，公司为内部研发人员搭建技术交流平台，帮助研发人员有效拓展专业技术积累，提高研发设计能力和实际操作技能。通过研发、管理实践和务实高效的培训，积极培养内部技术、管理人才，构建坚实的人才梯队。
　　5、持续完善内控建设
　　公司将继续深化内部控制体系建设，优化内部控制环境，完善内部控制各项制度，规范内部控制制度执行，强化内部控制监督检查，提升内控管理水平，有效防范各类风险，促进公司持续、健康、高质量发展。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、行业基本情况
　　（1）半导体设备行业
　　集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
　　随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备产业需要持续迭代创新，不断提升产品性能... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、行业基本情况
　　（1）半导体设备行业
　　集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
　　随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备产业需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计和预测，2023年全球半导体设备的销售额达1,063亿美元，2024年预计增长至1,090亿美元，并持续保持增长态势，2025年预计达到1,280亿美元的新高。
　　中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，同比增长29%，连续第四年成为全球最大半导体设备市场。
　　近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，但高端半导体设备自给率仍较低，这也为国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的成长机遇。
　　（2）公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
　　在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的90%，达到约960亿美元。而薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元。
　　公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
　　PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
　　（3）公司所聚焦的混合键合设备行业
　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，该方式已成为先进芯片制造的发展趋势，并由此产生了新的设备需求，即应用于三维集成领域的半导体设备。
　　应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片堆叠的技术基础，同时也是先进逻辑和先进存储从2D向3D芯片设计架构发展的技术支撑。混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以提供键合面小于1μm互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界更高水平，从而提高芯片系统性能。
　　面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。
　　（二）公司主营业务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列，已实现产业化应用。
　　2、主要产品情况
　　公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列及混合键合设备产品系列均已在客户端实现产业化应用，量产规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际领先水平。
　　报告期内，公司持续推进各系列产品的迭代升级，不断拓展新工艺，并加大力度推进新工艺以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化应用，持续保持产品核心竞争力。此外，公司开发一套智能化的软硬件系统（Smart Machine），能够提升设备装机调试效率和设备性能，进一步提升产品竞争力。
　　公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD及混合键合系列产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品。
　　②UV Cure产品
　　UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　（2）ALD系列产品
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。
　　①PE-ALD产品
　　PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　②Thermal-ALD产品
　　Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　（3）SACVD系列产品
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　（4）HDPCVD系列产品
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　（5）超高深宽比沟槽填充CVD系列产品
　　超高深宽比沟槽填充CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。公司自主研发并推出了超高深宽比沟槽填充CVD产品。
　　（6）混合键合系列产品
　　混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过直接键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠。通常对晶圆表面进行等离子激活和清洗之后，运用高精密对准技术和键合工艺控制技术，实现晶圆对晶圆或芯片对晶圆的键合，并将键合精度控制在亚微米级，从而有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能。除此之外，混合键合工艺可以有效缩短芯片开发周期。
　　公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品、芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品以及键合套准精度量测产品（Bonding Metrology）。
　　①晶圆对晶圆键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
　　②芯片对晶圆键合表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　③键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。公司自主研发的键合套准精度量测产品具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。
　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
　　（三）主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售半导体专用设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。
　　（3）采购模式
　　公司采购业务主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件是根据机台技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。
　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　二、核心技术与研发进展
　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成应用领域，形成了晶圆高速高精度对准技术、混合键合实时对准技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2.报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担9项国家重大专项/课题。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1279项（含PCT）、获得专利402项；报告期内，公司新增申请专利74项（含PCT）、新增获得专利45项。
　　3.研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　研发费用较上年同期增长49.61%，系公司持续进行高强度研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVD Bianca工艺设备及键合套准精度量测产品，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，进一步扩大公司产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力。因此，报告期内的研发直接投入、研发人员薪酬均有所增加。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，并重点聚焦薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化应用。公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异的成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，公司不断突破核心技术，持续推进各系列产品的迭代升级与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，报告期内，公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，且第二季度新签订单环比第一季度亦有大幅增加，截至报告期末，公司在手销售订单充足。2024年上半年度，公司实现营业收入126,689.07万元，同比增长26.22%；实现归属于上市公司股东的净利润12,909.40万元，同比增长3.64%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1,995.75万元，同比减少69.38%。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVD Bianca工艺设备及键合套准精度量测设备，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，进一步扩大公司产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力，研发投入金额达到31,431.34万元，同比增长49.61%，研发投入占营业收入比例达24.81%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在新工艺机型研发、验证，以及产品出货、产业化应用等方面均取得了优异成果。
　　随着公司业务规模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量大幅增加。2024年上半年度，公司出货超过430个反应腔。截至报告期末，公司累计出货超过1,940个反应腔（包括超过130个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。预计公司2024年全年出货超过1,000个反应腔，将创历史新高。
　　报告期内，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，推出的超高深宽比沟槽填充CVD、PE-ALD SiN工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工艺设备等新产品及新工艺均通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
　　为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司开发一套智能化的软硬件系统（SmartMachine），通过收集设备的数据，并引入数据分析、统计、机器学习等方法，搭建智能化数据分析平台，可实现支持设备调试、系统优化、实时监控、故障修复等功能，提高设备装机调试效率、提升设备性能、降低维护成本，进一步提高产品竞争力。
　　报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.94亿片。
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
　　①PECVD产品
　　PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。
　　报告期内，公司不断拓展通用介质薄膜材料工艺及先进介质薄膜材料工艺的应用，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　公司自主研发并推出了PECVD Bianca工艺设备，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。报告期内，公司首台PECVD Bianca工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末,超过25个PECVD Bianca工艺设备反应腔获得订单，部分反应腔已出货至客户端。
　　公司两款新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和两款新型反应腔（pX和Supra-D）持续获得客户订单并出货至多个客户端，验证进展顺利。截至报告期末，公司累计超过180个新型反应腔（pX和Supra-D）获得客户订单，超过130个反应腔出货至客户端验证。两款新型设备平台的设计进一步提升了设备产能，机械产能可提高约20%至60%，新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可以满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。
　　公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备，已实现产业化应用，报告期内，该产品持续获得客户重复订单并出货至客户端验证。
　　公司NF-300H型号的PECVD设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在3D IC领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货至客户端，扩大量产规模。
　　②UV Cure产品
　　公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UV Cure（HTN、LokⅡ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货至客户端验证，继续扩大量产应用规模。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
　　①PE-ALD产品
　　报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，首台PE-ALD SiN工艺设备（PF-300T Astra）通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末，公司PE-ALD高温、低温SiO2、SiN等薄膜均已实现产业化应用，并持续获得客户订单、出货至客户端验证，不断扩大量产规模。
　　②Thermal-ALD产品
　　公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALD设备持续获得订单并出货至客户端验证，已通过验证的Thermal-ALD（TS-300Altair）设备再次获得重复订单，该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积Thermal-ALD金属化合物薄膜及PECVD ADC II薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，持续扩大薄膜材料覆盖面，并积极推进客户端的验证，报告期内整体进展顺利。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续获得客户的订单、出货至客户端验证并扩大量产应用规模，保持了产品的核心竞争优势，在公司产品收入占比同比大幅提高。公司推出的等离子体增强SAF薄膜工艺应用设备在客户端验证进展顺利，同时，公司基于新型平台PF-300T Plus开发的SAF薄膜工艺应用设备获得客户订单并发货至客户端验证。截至本报告期末，公司可实现SA TEOS、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的应用规模进一步提升。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司多台HDPCVD FSG、STI工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，HDPCVD USG工艺设备持续扩大量产规模，公司HDPCVD设备持续获得客户重复订单。截至本报告披露日，公司HDPCVD USG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，HDPCVD反应腔累计出货量达到70个，并持续扩大量产规模，在公司产品收入占比同比大幅提高。
　　（5）超高深宽比沟槽填充CVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。截至本报告披露日，与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。
　　（6）混合键合系列产品研发及产业化进展情况
　　公司晶圆对晶圆键合产品Dione300及芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus均实现产业化，性能表现优异。报告期内，两款产品均获得客户量产重复订单。
　　此外，公司自主研发了键合套准精度量测产品。该设备产品可以实现晶圆对晶圆混合键合和芯片对晶圆混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测等特点，同时兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景，可以解决客户在未来混合键合技术迭代时量测精度不够、产能不足、兼容性不够等需求。报告期内，公司键合套准精度量测产品Crux300已获得客户订单。
　　3、供应链保障方面
　　公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制，合理规划采购体量及进度，通过提前策划、共享需求预测等方式提高供应链协同性及响应能力，以确保部件供给匹配机台生产需求。公司注重供应商关系管理，将与供应商的简单供需关系提升到协同合作、创新共赢的合作伙伴关系，持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。公司通过召开合作伙伴大会等形式，加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，持续提升公司设备的先进性、可靠性。公司采用全球化、多货源的供应策略，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产、及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势，持续增强产品竞争力，进一步促进客户群体的拓展，公司产品的市场覆盖面和客户认可度持续提升，截至报告期末，公司在手订单饱满。
　　公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加。此外，公司新推出的混合键合系列产品Dione300及Propus均获得客户重复订单，公司新推出的键合套准精度量测产品Crux300也获得了客户订单。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化、高性能的设备产品，以及高质量的售后服务，为公司业务持续增长奠定坚实基础。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，人员规模不断扩大，截至2024年6月30日，公司员工总数达到1,253人，其中，研发人员506人，占公司员工总数的40.38%。在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生，形成良好的人才梯队。在人才激励方面，公司充分发挥绩效考核激励作用，持续增强员工的荣誉感和凝聚力；在人才培养方面，公司建立了完善的人才储备及培养体系，不断探索校企合作新机制，已经与国内多所知名高校建立校企联合培养机制，推荐优秀工程师进行在职教育，同时，公司作为省级博士后实践基地，与高校共同联合培养博士后；公司积极推动产学研密切合作，同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。
　　报告期内，公司完成了2023年度限制性股票激励计划的首次授予，共向697名激励对象授予300万股（注：为公司2023年度资本公积转增股本前股数）第二类限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，搭建的智能化MES（生产管理系统）全面上线运行，有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理，形成整个生产过程透明化管理；公司持续强化产品质量的管理体系，为顺利推进公司新产品的开发和验证，通过采取培训等有效措施持续加强供应商质量管理，并强化售后技术支持服务，获得客户高度认可；公司EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全。同时，公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全。
　　7、募投项目建设进展情况
　　①公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”
　　为进一步完善产业布局，公司在上海临港新片区购置整体厂房，建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米），开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。截至本报告期末，该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用，已经开展ALD设备的研发和生产相关工作，本募投项目已结项。
　　②超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米），用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，公司按计划施工建设，进展顺利，预计2024年底完成基地的整体建设，2025年6月前投入使用。
　　③新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”
　　公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已完成项目规划用地的付款，项目规划设计等工作正在有序开展。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
　　①设立全资子公司拓荆日本
　　报告期内，公司出资2亿日元设立了全资子公司拓荆日本，拓荆日本将主要从事半导体设备及其零部件的组装、设计、开发、销售及进出口贸易等业务，为公司进一步拓展海外市场奠定基础。
　　②向控股子公司拓荆键科增资
　　报告期内，公司以向拓荆键科提供的借款形成的债权作价6,873.58万元认购拓荆键科新增注册资本67.5409万元，本次债转股完成后，公司合计持有拓荆键科注册资本617.5409万元。截至本报告披露日，公司合计持有拓荆键科57.8471%的股权，拓荆键科仍为公司的控股子公司。
　　③积极开展产业投资
　　公司积极开展与公司具有协同效应的产业公司的投资布局，报告期内，公司完成对新松半导体等公司的增资。公司开展的产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开3次股东大会、5次董事会、2次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、2次董事会薪酬与考核委员会、5次监事会及1次独立董事专门会议。
　　公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作。公司严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系。此外，公司将继续遵守相关法律法规，完善投资者关系管理制度，提高投资者关系管理水平，为投资者提供优质的服务，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/业绩交流会，开展80余次投资者交流活动。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。

　　三、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备性能的要求也随之提升。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能跟进下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司建立了科学的研发体系，技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。
　　（二）经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，由于公司开发并推出更多新产品、新工艺，这些新产品和新工艺的验收周期相较成熟产品略长，导致公司的收入确认和回款将有所延迟，增加公司的资金压力，影响公司的财务状况。
　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也进入公司业务领域开发部分同类产品。公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业竞争态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、晶圆厂扩产不及预期的风险
　　下游晶圆厂产能规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　（三）财务风险
　　1、政府补助政策变动风险
　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。
　　2、税收优惠风险
　　报告期内，公司享受国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠政策波动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　（四）行业风险
　　半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　半导体设备行业易受全球经济形势波动影响，如果未来宏观经济发展乏力，将影响半导体设备的市场需求量，从而对半导体设备行业的发展带来波动风险。
　　全球半导体产业已形成高度垄断格局，近年来，存在部分国家在强项领域设置贸易壁垒。如果国际形势进一步恶化，贸易摩擦进一步加剧，可能会对我国半导体产业的发展带来不利影响。公司始终严格遵守各国法律，并持续关注国际贸易形势和行业发展趋势变化，提前制定防范措施。

　　四、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1279项（含PCT），获得授权专利402项，其中发明专利209项。
　　公司研发并推出的支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平。
　　公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新设备、新工艺。
　　2、优秀的技术研发及管理团队优势
　　公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
　　公司国际化专业化的高级管理团队、员工的股权激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有506名，占公司员工总数的40.38%，研发人员中博士研究生34人，占比约6.72%，硕士研究生281人，占比约55.53%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。
　　3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司以“建立世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
　　公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD等产品已批量发往国内集成电路晶圆厂产线。此外，公司正在积极拓展海外市场。
　　4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。
　　公司的主要竞争对手均位于国外，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
　　5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
　　公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。 收起▲