一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　半导体设备行业是半导体产业链的核心基石，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭代升级的关键基础与核心动力，直接决定了芯片的制程精度、生产良率与产能规模，其发展水平直接决定了整个半导体产业的技术高度与持续创新能力，是电子工业乃至数字经济发展的战略性基础产业。随着半导体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　(一)公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　半导体设备行业是半导体产业链的核心基石，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭代升级的关键基础与核心动力，直接决定了芯片的制程精度、生产良率与产能规模，其发展水平直接决定了整个半导体产业的技术高度与持续创新能力，是电子工业乃至数字经济发展的战略性基础产业。随着半导体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术壁垒也在持续攀升。
　　半导体行业作为数字经济的核心底座，是人工智能、高性能计算、智能驾驶、新一代通信网等战略性新兴产业的发展基石。随着AI大模型驱动算力需求爆发式增长、存储芯片向3D堆叠架构演进、先进封装技术成为延续摩尔定律的关键路径，全球半导体设备市场正经历由技术创新与产能扩张双轮驱动的发展快车道。根据SEMI统计，2025年全球半导体制造设备总销售额达1,347亿美元，同比增长15%，创历史新高，2026年至2028年有望继续攀升至1,659亿美元、2,012亿美元和2,295亿美元。
　　中国大陆作为全球最大的半导体芯片的需求市场，也为半导体设备带来了广阔的市场空间。随着人工智能（AI）高速发展对先进芯片的需求巨增，国产晶圆制造商快速提升产品性能和产能规模，不断推进产品的市场份额提升，对中国大陆先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。
　　根据SEMI统计，2025年中国大陆半导体设备销售额约493亿美元，占当年全球半导体制造设备销售额约37%，自2020年起连续稳居全球半导体设备最大市场，预计2028年前继续维持领先地位。
　　近年来，面对复杂严峻的国际形势，在国家产业政策的大力引导下，中国大陆半导体产业链上下游协同攻关，实现了从技术迭代创新到产业生态构建的系统性突破。当前，我国半导体产业整体技术水平快速跃升，产业链系统性、独立性显著增强，加速在先进制程与关键设备领域布局，为本土高端半导体设备厂商开辟了广阔的发展空间与战略机遇期。
　　2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
　　在半导体设备产业中，薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，是实现集成电路先进逻辑及3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。当前，在人工智能技术快速发展的驱动下，先进逻辑芯片与高端架构存储的市场需求持续释放，推动全球晶圆制造产能扩张与技术迭代加速。芯片结构复杂化导致薄膜层数显著增加，芯片制程微缩化对沉积工艺精度要求不断提升，高端薄膜沉积设备将迎来规模扩张与价值量提升的双重驱动，薄膜设备市场需求将保持长期增长，具备明确的发展空间与较高的增长确定性。
　　根据SEMI统计，2025年全球半导体芯片制造设备销售额约1,169亿美元，同比增长约12%，占全球半导体设备销售额的比例约86%。2026年至2028年预计继续保持增长趋势，将达到约1,439亿美元、1,753亿美元和2,000亿美元。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设备市场的22%，由此推算，2026年全球薄膜沉积设备市场规模约为317亿美元。
　　薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，其中公司所聚焦的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备为化学气相沉积和原子层沉积细分领域产品，其主要应用及薄膜材料如图示：
　　3、公司所聚焦的三维集成设备行业
　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。
　　先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。
　　在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。
　　近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，促进了国内半导体行业的高质量发展。技术创新上，行业内上下游产学研用深度融合，创新成果转化效率持续提升；市场生态上，本土芯片制造厂扩产为设备厂商提供了丰富的验证场景与市场空间，形成“需求牵引-技术迭代-规模应用”的良性循环；产业氛围上，业内人才储备持续增多，为行业发展注入源源不断的活力。国内半导体行业整体呈现出结构优化、创新集聚、良性循环的发展态势，为高端半导体设备行业营造了更优质的创新土壤与发展环境。
　　(二)公司主营业务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。
　　报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、芯片需求扩张与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进存储、先进逻辑、先进封装等领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵。
　　2、主要产品情况
　　公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
　　报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领域的新产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和薄膜后处理相关的UVCure产品。公司的PECVD产品满足包括先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术等领域芯片制造所需求的各类型钝化层、介电层、覆盖层、刻蚀阻挡层、扩散阻挡层、应力记忆层、抗反射层、硬掩膜在内的100余种工艺机型，可以提供PECVD全套解决方案，以整套产品和前瞻式技术研发相结合的方式匹配并满足客户的前沿技术需求。
　　UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　（2）ALD系列产品
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。
　　PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　（3）SACVD系列产品
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　（4）HDPCVD系列产品
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　（5）FlowableCVD系列产品
　　FlowableCVD设备主要应用于深宽比大于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。该设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
　　（6）三维集成领域系列产品
　　三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
　　公司持续拓展三维集成设备产品，主要产品如下：
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　晶圆级熔融键合设备可高效完成晶圆间非电气连接的一体化键合，实现两片高平整晶圆的永久性贴合。该工艺先对晶圆进行清洗与亲水活化处理，使两片晶圆预先在室温下完成预贴合，再通过高温退火工艺强化界面结合力，最终实现稳定可靠的晶圆熔融键合。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在满足超高产能的同时，还需实现芯片对晶圆的高精度对准和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
　　⑤芯片对晶圆熔融键合产品
　　芯片对晶圆熔融键合技术主要可以支撑先进封装领域的高端应用。与传统键合方法不同，该技术无需键合介质或粘合剂，而是在室温下直接键合。同时，该设备可以筛选已知合格芯片（KnownGoodDie），从而大幅提升良率。
　　⑥键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
　　⑦键合强度检测产品
　　键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。
　　⑧永久键合后晶圆激光剥离产品
　　永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
　　⑨键合界面空洞修复产品
　　键合界面空洞修复产品可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面空洞缺陷修复。公司自主研发了高精度键合界面空洞修复产品。
　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
　　(三)主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队，团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
　　（3）采购模式
　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向行业内优质供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术指标与工艺要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商准入审核标准，对供应商技术实力、生产能力、品控体系、交付能力、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期/不定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验证合格后入库。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。
　　库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式以直销为主，通过与潜在客户商务谈判、公开招投标、合作开发等方式获取客户订单。经过多年沉淀，公司已与国内半导体芯片制造厂商建立了长期可持续的深度战略合作关系。
　　公司标准化销售流程一般包括市场调查与技术推介、获取客户工艺需求、公司内部工艺方案研讨、定制化报价、招投标全流程管理（如需）、商务谈判、合同评审、销售订单（或Demo订单）的签订、设备生产与交付、客户端产品安装与调试、分阶段工艺测试、客户验收、合同回款等步骤。
　　通常，公司设备在客户端完成安装与调试后，需配合客户在其生产线上完成多轮工艺匹配与稳定性验证。客户完成设备相关测试并出具验收文件后，公司据此确认该设备的销售收入。此外，公司提供覆盖产品全生命周期的售后服务。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、下游应用需求扩张与国产替代的发展机遇，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持自主创新，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，随着公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备产品的持续性技术突破与规模化量产应用，公司在先进制程领域的产品核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。报告期内，公司实现营业收入291,286.43万元，同比增长49.06%；实现归属于上市公司股东的净利润134,275.40万元，同比增长1,324.10%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润36,733.50万元，同比增长861.92%。
　　截至2026年6月30日，公司总资产2,531,214.98万元，较2025年年末增长27.69%；归属于上市公司股东的净资产1,271,569.96万元，较2025年年末增长92.37%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司持续加大力度推进先进制程领域的新产品、新工艺的拓展与量产应用，通过持续自主创新和高强度研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，薄膜沉积设备和三维集成设备已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。公司报告期内的研发投入金额达到42,280.92万元，同比增长21.09%。公司先进产品凭借高质量、高性能的优异表现，批量通过了客户验证，致公司业务规模和收入快速增长。
　　在薄膜沉积设备方面，公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级，定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔，精准满足先进制程领域对多种先进薄膜工艺的高要求。报告期内，公司已出货不同工艺的PECVD设备产品至海外客户端；基于反应腔pX和Supra-D研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款先进工艺设备以及PECVDBianca工艺设备持续扩大量产规模，且基于pX反应腔开发的α-Si工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司基于原有已规模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台，并设计了nX、kX等反应腔，以满足先进制程芯片对低介电常数材料的高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验证；公司目前已实现对PECVDACHM系列工艺（包括ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III等适配不同沉积温度的薄膜工艺）、α-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商。公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户量产规模快速攀升，同时获得了客户批量订单，且SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客户端；Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端，包括AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺。截至报告期末，公司多台ALD设备在客户端完成重复订单验收，量产规模持续增长。公司沟槽填充系列产品持续获得客户批量订单、出货，进一步扩大量产应用规模，其中，SACVDPESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD等薄膜设备可以支撑先进存储、先进逻辑等领域中所需的约100多种工艺应用。
　　在应用于三维集成设备方面，报告期内，公司持续拓展新产品，包括芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等产品，同时，公司拓展了多个新客户。目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品量产规模不断攀升，截至本报告期末，公司累计出货超过3,800个反应腔（包括超过480个新型反应腔pX和Supra-D），进入约100条生产线。
　　公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量约6亿片。
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
　　PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，包括通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）、先进介质薄膜材料（包括LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、LoK-III、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、ADC-III、Stack（ONO叠层）、OPN等）及先进硬掩膜材料（包括ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III、HTN、α-Si、SiB等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　报告期内，公司面向先进存储等领域自主研发的基于反应腔pX和Supra-D的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款关键工艺设备以及PECVDBianca先进工艺设备持续扩大量产规模，并持续获得客户批量复购订单；在先进逻辑领域，公司多台PECVD通过客户验证，包括基于pX反应腔开发的PECVDα-Si先进工艺设备。上述工艺产品满足先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告期末，基于反应腔pX和Supra-D开发的系列工艺设备已累计出货超过480个反应腔，PECVDBianca先进工艺产品累计出货超过90个反应腔，该等关键工艺设备均在快速扩大应用规模，为客户提供先进薄膜工艺技术的全套解决方案，同时有效降低客户成本。
　　公司基于原有已规模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台，并设计了nX、kX等反应腔，以满足先进制程芯片对低介电常数材料高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验证，为客户提供先进薄膜工艺技术的解决方案。
　　此外，公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片技术迭代需求，不断前瞻式深耕拓展新工艺、新产品，其中，公司开发的更高产能的NF-300MSupra-H设备已进行工艺优化及多重验证。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺，满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。
　　1、UVCure产品
　　UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品，与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、LoK-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、LoK-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大应用规模。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储领域的量产规模进一步攀升。同时，公司PE-ALD获得了客户批量订单，SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客户端。
　　截至报告期末，公司PE-ALD高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO、TiO等介质薄膜工艺设备已应用至存储芯片、逻辑芯片制造等领域，覆盖芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺需求。
　　2、Thermal-ALD产品
　　公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用，可以沉积Al2O3、AlN、TiN、TiON、LaO等金属及金属化合物等先进薄膜材料，可应用于先进存储、先进逻辑、先进封装等领域，覆盖High-K栅极、电极层、金属互联等工艺需求。
　　报告期内，公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端验证，包括AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺。此外，公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。
　　截至报告期末，公司ALD设备量产规模持续增长，是集成电路领域量产型ALD设备的领军企业。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，获得客户批量订单、批量出货及通过客户验证。公司推出的PESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证，进一步扩大量产应用规模，并获得客户的复购批量订单，满足先进存储领域应用需求。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司HDPCVD持续获得客户批量订单、出货及通过客户验证。截至报告期末，公司HDPCVDUSG、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
　　（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　截至报告期末，公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，在先进逻辑领域实现了产业化应用。报告期内，公司持续获得订单并出货。
　　（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司持续拓展应用于三维集成设备，包括先进键合产品及配套的量检测产品。
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　公司晶圆对晶圆混合键合产品是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，公司持续拓展晶圆对晶圆混合键合产品的应用领域，获得客户订单并出货。
　　报告期内，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX在客户端验证进展顺利。该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，可达到国际同类产品最先进水平。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现。截至报告期末，该产品已出货至不同客户验证。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出货。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品正在客户端进行验证，公司同时进一步提升其量产性能指标。
　　⑤芯片对晶圆熔融键合产品
　　芯片对晶圆熔融键合技术可以支撑先进封装的前沿应用。与传统键合方法不同，该技术无需键合介质或粘合剂，而是在室温下直接键合；同时，还能筛选已知合格芯片（KnownGoodDie），从而大幅提升良率。报告期内，公司已完成该产品的研制，并获得不同客户订单。
　　⑥键合套准精度量测产品
　　公司自主研发的键合套准精度量测产品可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。报告期内，公司持续拓展该产品的应用，获得新客户订单。
　　⑦键合强度检测产品
　　公司研制的键合强度检测产品可以实现晶圆键合后的强度检测。截至报告期末，该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑧永久键合后晶圆激光剥离产品
　　报告期内，公司已完成晶圆级永久键合后晶圆激光剥离产品的研制，并获得客户订单。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
　　⑨键合界面空洞修复产品
　　公司自主研发的高精度键合界面空洞修复设备可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面空洞缺陷修复。报告期内，该产品开发进展顺利。
　　3、供应链保障方面
　　在供应链建设方面，公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进技术需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
　　报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司持续深耕中国大陆高端半导体设备市场并积极开拓海外市场，依托自主可控的创新技术、客户资源的积累布局、高效售后服务体系等多方面的核心竞争优势，持续提升产品综合竞争力，成功导入多家新客户、获得海外客户订单并出口至海外市场。截至报告期末，公司在手订单饱满，可为全年交付与业绩增长提供坚实支撑。
　　公司持续拓展薄膜沉积及三维集成设备新工艺、新机型，同时持续与下游芯片客户开展前瞻性联合研发，紧密跟进前沿工艺迭代需求，根据客户差异化制程目标，提供高度定制化、对标国际一线性能标准的成套设备解决方案，并配套7×24小时驻场调试、工艺迭代升级、备件快速响应、年度设备维保等全方位高质量的技术服务。公司以客户的应用需求为导向，驱动技术创新，不断完善先进产品矩阵，保持市场份额的稳步提升，进一步巩固公司市场地位，为长期业务发展筑牢根基。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。截至2026年6月30日，公司员工总数2,049人，其中研发人员856人，占公司员工总数的41.78%。
　　公司构建完善的人才引育留用体系。在人才引进方面，通过校企合作、校园招聘、科学家进校园活动、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生，借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。在人才培养方面，搭建分层分类培训体系，覆盖技术、管理等多方面，支持员工学历与能力提升，依托博士后基地深化产学研合作，培育复合型人才，为企业持续发展提供坚实人才支撑。
　　同时，公司定期开展员工关怀、评优表彰活动，在报告期内组织以“聚势向新，以质行远”为主题的企业年会、第一季度员工大会、三八节活动等，提升员工归属感与凝聚力。
　　截至本报告期末，公司已实施2022年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025年限制性股票激励计划，上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，将公司发展和员工利益结合在一起，让员工共享发展成果，强化激励，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　报告期内，公司开发的智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面，持续开展针对性优化升级，并积极推进商业化应用落地。在技术与功能层面，公司结合先进的算法优化深入探索系统模型，并引入AI技术辅助分析设备运行数据，实现对设备性能的预测，形成完整的分析流程与结果呈现机制。在用户体验方面，通过优化交互逻辑与系统性能，实现了用户体验与运行效率的双重提升。2026年，公司积极推动SmartMachine系统在客户端的逐步落地推广，以进一步验证系统技术能力，赋能客户业务发展，提升公司的综合服务能力与市场竞争力。
　　公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理。公司智能化MES系统（生产管理系统）在保障原有操作可记录、追溯功能的基础上，结合现场生产实际痛点与一线员工业务需求持续迭代优化，已累计提出多项系统改善项目，充分发挥MES系统生产支撑、作业指引作用。公司使用配套数据传输系统，实现装配工序扭矩数据自动直传，有效保障装配作业精度。
　　公司持续优化质量管理体系，打通研发、供应链、制造及服务全链条，对全流程数据进行动态监测分析，进一步强化质量管控、提升生产效率与敏捷性，保障生产经营有序开展。公司持续深化EHS（环境、健康、安全）体系建设，完善绿色环保、职业健康、安全生产及应急管理管控举措，常态化落实风险防控要求，夯实合规运营基础，保障各项生产经营活动安全有序开展。同时，公司积极推进信息安全管理，持续规范信息资产管理、数据使用管理等流程，夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。
　　此外，公司内网部署了GPU服务器资源，自主搭建智能AI办公系统，开发了智能对话与智能体工作流，实现文档生成、智能问答等工具，使用智能化工具链深度赋能日常业务，有效提升办公效率。
　　7、募投项目建设进展情况
　　“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是公司在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，规划总建筑面积超15万平方米，规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施，致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。
　　沈阳二厂建成后，将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。同时，通过智能化生产系统的部署，将有效提升生产运营效率，以充分满足下游市场需求。本项目的实施将有力支撑公司业务规模的持续扩大，进一步巩固在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。
　　报告期内，沈阳二厂主要开展产业化基地主要楼体主体的建设工作。截至本报告披露日，沈阳二厂已完成主体结构封顶，目前整体项目实施进展顺利，后续将按照既定计划稳步推进，预计于2028年完成建设并投入使用。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力。
　　（1）向全资子公司增资
　　报告期内，公司使用首次公开发行股票超募资金向拓荆上海增资人民币10,000.00万元，用于支付首次公开发行股票超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”尾款。本次增资后，拓荆上海的注册资本由人民币143,253.79万元增加至人民币153,253.79万元，公司仍持有拓荆上海100%的股权。拓荆上海在报告期内尚未办理公司注册资本的工商变更登记。
　　（2）积极开展产业投资
　　报告期内，公司开展了对物元半导体、托伦斯及长鑫科技的股权投资，该等投资有助于公司业务的深度拓展，进一步提升公司整体的市场竞争力及上下游产业链的协同效应，符合公司主营业务及战略发展方向。
　　此外，公司与沈阳市人民政府国有资产监督管理委员会及其他产业合作方共同发起设立聚芯智能创新中心，该主体主要围绕应用于先进制程领域的高端集成电路装备新产品、新技术的需求，开展关键零部件的核心技术开发、验证与应用，并搭建设备及零部件研发、测试平台，孵化相关技术实现产业化聚芯智能创新中心的设立，将有效强化产业链协同创新机制，促进设备厂商、零部件供应商及应用端的深度融合，助力国家集成电路装备及零部件产业实现高质量发展。
　　截至本报告期末，公司及子公司已直接/间接累计投资23家企业，覆盖多个半导体设备产业链领域，强化产业链协同效应，提升整体业务竞争力。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开股东会2次、董事会4次、董事会审计委员会2次、董事会薪酬与考核委员会1次、董事会提名委员会1次、董事会战略规划委员会1次及独立董事专门会议2次，所有审议议案均100%获得通过。公司董事会职责清晰，全体董事能够认真、负责地履行职责。
　　公司严格遵循《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》以及有关法律法规的要求，结合公司发展情况及时修订《拓荆科技股份有限公司薪酬管理制度》；公司建立由股东会、董事会（含各专门委员会）和公司管理层组成的健全的公司治理架构，持续完善公司制度建设，不断提升公司治理水平。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，不断提升投资者关系管理水平，建立了多元化的信息传递渠道，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。公司已召开2025年年度暨2026年第一季度业绩暨现金分红说明会，通过视频直播和文字互动的形式，针对广大投资者普遍关心的问题进行了充分交流。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，持续做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。公司对董事、高级管理人员及相关员工作出禁止内幕交易的提示，敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定，维护公司及投资者合法权益。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司长期专注于高端半导体专用设备的研发与产业化，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司在战略布局、研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源、人才队伍建设、供应链稳定等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　1、战略定位明确，围绕自身发展战略稳步推进产业布局
　　公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战略方向、市场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积设备优势的基础上，面向后摩尔时代技术迭代方向，公司于2018年即开始布局三维集成设备产品并取得了显著成果，形成“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
　　公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。同时，公司遵循战略方向稳步扩张，持续深耕现有核心赛道，推动在薄膜沉积设备和三维集成设备领域的纵深发展，并前瞻性布局前沿技术赛道，提前抢占行业未来发展制高点，稳步推进横向发展，适时进行产业链整合与业务延伸，不断提升综合竞争力与行业影响力。
　　2、自主研发能力突出，支撑产业链协同创新
　　公司始终坚持自主创新研发，以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向开展研发工作，实现薄膜沉积设备和三维集成设备的全研发环节覆盖，在硬件设计、工艺开发和系统集成等多方面，实现了核心技术自主可控。凭借深厚的整机装备自主研发经验和技术积累，公司保证了较高的研发自主性和灵活性，面向客户先进制程工艺需求，能够快速实现先进产品技术研发，并高效完成研发阶段向生产阶段的快速转化，及时响应下游的供货需求。
　　公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技术迭代需求，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁垒。在此基础上，公司基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研发，精准适配客户特定工艺材料、特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。公司可以结合客户特定需求，提供定制化、适配度高的解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现技术升级。此外，公司先后承担多项国家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、生产、供应各环节的协同创新体系，支撑产业链整体技术水平提升。
　　3、核心技术领先，工艺应用覆盖全面
　　公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域，涵盖了先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术等，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产能。
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至2026年6月30日，公司累计申请专利2,245项（含PCT），获得授权专利791项，其中发明专利416项。
　　公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、深度的覆盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户先进技术需求。在薄膜沉积设备领域，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，PECVD设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑芯片、存储芯片等领域广泛应用；在ALD设备方面，推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国内装机量及工艺覆盖均领先；HDPCVD、SACVD、FlowableCVD设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求，已在多条产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的混合键合设备、熔融键合设备等系列产品已成功应用于先进存储、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。
　　4、国内领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模化应用。薄膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司产品已进入约100条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过3,800个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量达到约6亿片；客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际主流水平）。此外，在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品并陆续推向市场，部分已通过客户验证并进入稳步放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。
　　公司产品已进入逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，实现主流芯片制造厂的深度覆盖与批量供货，适配从成熟制程到先进制程的工艺应用需求。公司与客户的合作模式已从单纯的设备供应升级为“协同研发+定制化适配+长期服务”的深度绑定模式，合作关系呈现稳定性强、覆盖面广、协同深入的特点，构建了可持续的客户生态体系。
　　5、拥有优秀的技术研发及管理团队
　　公司已构建起一支兼具国际视野与产业深度的高端半导体专用设备技术研发及管理团队，通过“外部引智+内部育能”双轮驱动，形成了稳定、高效且具备创新活力的人才梯队，为技术突破与产品迭代提供核心支撑。
　　在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工艺开发、系统控制、软件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方面，公司自成立以来始终重视本土科研团队自主培养，伴随PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD、三维集成设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。
　　截至2026年6月30日，公司研发人员规模达856人，占员工总数的41.78%，形成覆盖半导体设备研发全环节的学科布局。其中，博士研究生84人，占研发人员的9.81%，硕士研究生490人，占研发人员的57.24%，团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研发、工艺优化等环节分工明确、协同高效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。
　　报告期内，公司核心技术团队稳定，为技术研发的连续性与产品创新的持续性提供了坚实保障。
　　6、建立起稳定供应链生态
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用形成了多项核心技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担16项国家重大专项/课题。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利2,245项（含PCT）、获得授权专利791项；报告期内，公司新增申请专利105项（含PCT）、新增获得专利87项。
　　四、风险因素
　　(一)核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。
　　(二)经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所制备薄膜的技术参数是影响芯片最终性能表现的核心要素之一。在生产流程中，晶圆厂不仅需要在薄膜成型后对厚度均匀性、光学特性、机械应力、颗粒缺陷等关键指标进行检测，还需要在完成全流程晶圆制造与芯片封装后，对终端产品开展可靠性与全生命周期测试，以此验证薄膜沉积设备是否满足量产技术要求，这一完整验证过程使得晶圆厂对该类设备的导入验证周期普遍较长。同时，公司面向三维集成领域开发的先进键合设备属于高精度专用制造装备，目前已实现百纳米级键合精度，该技术是高带宽存储器（HBM）、三维闪存芯片、3DDRAM、异构集成芯片等先进芯片产品制造的核心支撑，当前整体仍处于产业化初期阶段。由于该设备在部分下游应用场景中尚未完成规模化验证，若下游定制化开发需求超出预期，将可能带来技术开发风险，导致公司研发投入超预期增长、产品验证周期延长，进而使得公司收入确认与货款回收周期延后，加大资金周转压力，对公司财务稳健性构成潜在影响。
　　未来，随着公司产品在集成电路制造产线中的应用规模持续拓展，新平台、新工艺技术不断成熟，叠加公司与下游客户已建立的高效稳定合作关系，整体产品验证周期预计将逐步呈现收敛缩短趋势。公司也将持续对产品验证进度与货款回收情况进行跟踪管控，保障公司经营业务持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　半导体设备行业具有很高的技术壁垒和市场壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，由于半导体产线对于设备技术水平、稳定性、设备间配合度要求极高，因此半导体设备的验证周期与导入周期一般较长，与中国大陆半导体专用设备厂商相比，国际领先制造商往往在客户端具备一定先发优势；此外，存在国内潜在竞争对手进入本行业参与竞争的可能性，引起行业竞争格局的变化。尽管公司的产品工艺覆盖面与核心技术目前具备较大的领先地位与竞争优势，但若无法有效应对市场竞争环境、维持技术创新迭代能力并保持产品竞争优势，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能会受到一定影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续精准化的研发投入推动公司产品技术性能达到国外竞争对手同等水平，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、下游客户扩产不及预期的风险
　　下游客户扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期和客户扩产节奏的协调。同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司仍然与部分零部件的海外供应商保持合作关系。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、本地化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　(三)财务风险
　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强、市场占有率扩大及产品竞争力持续提高，税收优惠政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　(四)行业风险
　　近年来，受下游新兴需求不断涌现、客户资本性支出增加、芯片结构及制造工艺不断迭代等因素影响，国内半导体设备市场需求整体呈持续增长趋势。但由于半导体行业受国际经济波动、下游产业发展进度、终端消费市场需求变化等方面影响较大，其发展往往呈现一定的周期性波动特征。在半导体行业上行周期中，半导体芯片制造厂往往加大资本性支出，快速提升对半导体设备的需求；若未来半导体行业处于下行周期中，半导体芯片制造厂往往会削减资本性支出，减少对半导体设备的需求。前述宏观环境及行业波动造成的半导体设备需求波动，可能会为公司的业务发展和经营业绩带来一定波动性风险。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。
　　(五)宏观环境风险
　　当前全球经济增长承压，叠加地缘政治冲突、关税政策变化加剧，可能影响半导体行业发展增速、供应链安全及终端市场需求，继而影响半导体设备行业整体需求。
　　公司将持续密切跟踪全球经贸政策、关税规则及地缘政治动态，完善政策风险预警与应急响应体系，动态调整市场布局；同时紧抓国内半导体产业发展机遇，并积极拓展市场布局，最大限度降低宏观环境带来的影响。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。
　　报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进制程领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。
　　报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进制程领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵。
　　2、主要产品情况
　　公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
　　报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领域的新产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和薄膜后处理相关的UVCure产品。
　　①PECVD产品
　　②UVCure产品
　　UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　（2）ALD系列产品
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。
　　①PE-ALD产品
　　PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　②Thermal-ALD产品
　　Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　（3）SACVD系列产品
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　（4）HDPCVD系列产品
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　（5）FlowableCVD系列产品
　　FlowableCVD设备主要应用于深宽比大于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。该设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
　　（6）三维集成领域系列产品
　　三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
　　公司持续拓展应用于三维集成设备，主要产品如下：
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　晶圆级熔融键合设备可高效完成晶圆间非电气连接的一体化键合，实现两片高平整晶圆的永久性贴合。该工艺先对晶圆进行清洗与亲水活化处理，使两片晶圆预先在室温下完成预贴合，再通过高温退火工艺强化界面结合力，最终实现稳定可靠的晶圆熔融键合。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在满足超高产能的同时，还需实现芯片对晶圆的高精度对准和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
　　⑤键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
　　⑥键合强度检测产品
　　键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。
　　⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
　　永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
　　(二)主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
　　（3）采购模式
　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）半导体设备行业发展阶段
　　半导体设备作为半导体产业链的技术先导与核心支柱，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭代升级的关键基础与核心动力，其发展水平直接决定了整个半导体产业的技术高度与持续创新能力。随着半导体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术壁垒也在持续攀升。
　　当前，数字化、自动化、智能化需求加速演进，以人工智能（AI）、高性能计算、物联网、数据中心、智能驾驶等为代表的新兴产业蓬勃发展，正成为半导体行业及产业链上下游需求增长的核心引擎。尤其是人工智能技术的快速突破与规模化应用，对超大规模算力提出迫切需求，进而对半导体芯片的制程工艺、性能指标与供给能力均提出更高标准。在此背景下，全球半导体行业迎来前所未有的结构性变革和发展机遇，也直接带动了半导体设备市场需求量的快速增长。根据SEM统计，2025年全球半导体制造设备总销售额达1,351亿美元，同比增长15%，创历史新高，2026年和2027年有望继续攀升至1,450亿和1,560亿美元。
　　中国大陆作为全球最大的半导体芯片的需求市场，也为半导体设备带来了广阔的市场空间，随着人工智能（AI）高速发展对先进芯片的需求巨增，中国大陆对先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI最新统计，2025年中国大陆半导体设备销售额达到493亿美元，较2024年基本持平，占当年全球半导体制造设备销售额约36.51%，自2020年起连续稳居全球半导体设备最大市场。
　　近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
　　①公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
　　在半导体设备产业中，薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，是实现集成电路先进逻辑及3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。随着人工智能技术的快速发展，直接拉动先进逻辑芯片、先进存储及高带宽存储架构的市场需求，全球晶圆制造产能不断扩展、技术持续升级，这进一步显著拉动高端薄膜沉积设备的市场需求。
　　根据SEMI统计，2025年全球半导体芯片制造设备销售额增长11%，达到约1,157亿美元，占全球半导体设备销售额的比例约86%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为255亿美元。结合2024年中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额的比例36.51%测算，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约93亿美元，具有广阔的市场空间。
　　根据SEMI历史统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，而SACVD、HDPCVD、FlowableCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。
　　在薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，其中公司所聚焦的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，其主要应用及薄膜材料如图示：
　　②公司所聚焦的三维集成设备行业
　　随着后摩尔时代的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。
　　先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。
　　在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。
　　近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，从研发支持、市场引导、产业链协同等多维度引导半导体行业高质量发展。技术创新上，行业内上下游产学研用深度融合，创新成果转化效率持续提升；市场生态上，本土芯片制造厂扩产为设备厂商提供了丰富的验证场景与市场空间，形成“需求牵引-技术迭代-规模应用”的良性循环；产业氛围上，业内人才储备持续增多，为行业发展注入源源不断的活力。半导体行业整体呈现出结构优化、创新集聚、良性循环的发展态势，为高端半导体设备行业营造了更优质的创新土壤与发展环境。
　　（2）基本特点和主要技术门槛
　　①半导体设备行业呈现一定周期性
　　从需求端看，半导体设备需求高度依赖人工智能、消费电子、数据中心、汽车电子等新兴产业发展及宏观经济景气度。终端产品需求波动沿“终端应用—芯片设计—芯片制造”产业链逐级传导，最终反映为晶圆厂扩产节奏的快慢，使半导体设备需求随下游产能扩张呈现周期性波动。同时，芯片技术迭代进一步强化行业周期性。随着先进逻辑工艺、3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等技术持续升级，晶圆厂为适配新制程与新工艺，会启动产线升级与设备集中采购，带动设备需求阶段性释放，使得半导体设备行业同样呈现明显的周期特征。
　　②下游需求的不断增长为行业提供了良好的发展机遇
　　先进制程的持续迭代，在推动工艺技术向更高性能不断演进的同时，也直接带动高端半导体设备市场需求显著提升。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机器人及可穿戴设备等新兴领域的快速发展与需求爆发，对芯片的算力、能效与集成度提出更高要求。芯片制造厂为适配这一趋势，持续推进先进制程迭代并扩大产能规模，直接拉动高端半导体设备的适配性需求，推动行业市场空间持续扩容。
　　此外，在后摩尔时代，传统硅基芯片逐步逼近物理极限，行业技术路线正从单一依赖制程升级，转向新架构设计、新材料应用及先进芯片堆叠等多元创新方向，对高端半导体设备提出更新、更高的技术要求，也为行业开辟出新的增长空间。
　　据SEMI最新预测，受益于先进制程芯片产能扩张与后摩尔时代技术革新带来的新增需求，高端半导体设备产业将迎来重要发展机遇，市场前景广阔。其中，作为核心设备之一的薄膜沉积设备，也有望保持良好增长态势。
　　③技术壁垒高，研发向量产转化周期长，需上下游协同创新
　　半导体产业是驱动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体设备作为半导体产业的核心基础，其核心竞争力源自多学科前沿技术的深度融合与持续创新，涵盖等离子体物理、射频及微波技术、微观分子动力学、结构化学、光谱学、能谱学、精密机械、真空传输、软件算法等多个领域，属于技术高度密集、系统高度集成的复杂产业。因其研发难度大、集成度高、制造工艺严苛、设备价值量高，高端半导体设备被誉为工业精密制造的顶尖代表之一。
　　半导体行业的技术研发与演进具有极强的前瞻性，头部设备企业必须提前布局，面向物理极限与材料体系开展前沿探索，进行超前于当前芯片制造代际的基础研究与工艺开发。同时，芯片制造厂对高端半导体设备的性能、稳定性、一致性等指标提出极高要求。芯片制造工序繁多、精度要求严苛，半导体设备尤其是薄膜沉积等核心设备的性能波动，经多道工艺累积放大后，会对产品良率、生产效率与制造成本产生显著影响。鉴于沉积薄膜将直接保留于芯片内部，其参数优劣对最终芯片性能的影响更为关键。因此，下游客户对高端设备供应商的遴选极为审慎，优先选择技术领先的企业，并对设备执行长周期、高标准的验证流程。围绕芯片制造工艺、基础学科方向及产线升级节奏，半导体产业链上下游需要开展深度协同研发，共同推进技术与工艺迭代升级，已成为行业的重要特征。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　在薄膜沉积设备领域，国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，并通过并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的先发优势。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业海外国际巨头市场份额占比较高。根据Gartner历史统计数据，在CVD市场中，AMAT、LAM和TEL三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，EVGroup公司、TEL等公司高度垄断了全球绝大部分的键合设备市场份额。
　　近年来，国内半导体设备产业在多项关键核心领域陆续实现技术突破与自主创新，我国半导体产业生态与制造体系不断完善，高端设备国产化率与自给能力稳步提升。公司依托十余年持续的技术深耕与研发积累，自主研发并形成了覆盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等多条技术路线的薄膜沉积设备产品矩阵，同时布局先进键合设备及配套量检测设备，构建起多元化、高端化的设备供给能力。相关设备已在国内逻辑芯片、存储芯片等主流集成电路制造产线实现规模化导入与广泛应用，多款量产设备的关键性能指标均达到国际同类设备先进水平。随着公司设备在客户端量产验证、批量交付与市场认可度持续提升，销售收入与市场份额稳步增长，公司已成为国内半导体薄膜沉积及相关专用设备领域具备量产能力与核心竞争力的领军企业。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术、新行业的爆发式发展驱动芯片革新，高端薄膜沉积设备迎来技术升级窗口
　　新技术、新行业的爆发式发展持续驱动芯片革新：在制程层面，随着尖端芯片技术节点逐步逼近摩尔定律极限的大背景下，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高K（High-K）金属栅等特殊材料的应用也愈发重要；在结构层面，数据量爆发式增长快速驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3DNANDFlASH芯片堆叠层数不断提高；在散热层面，先进技术节点芯片功耗呈指数级增长，形成了“功耗提升-散热革新”的技术循环。
　　在此背景下，下游客户也对薄膜沉积设备的适配性提出了新的要求：一方面，在先进制程、日益复杂的三维集成结构下，传统薄膜沉积材料已难以满足下游生产中对高深宽比、高刻蚀选择比的需求，先进硬掩膜和介质薄膜将成为前沿技术节点芯片制造的新趋势；另一方面，等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖性、宽温域调节、减少薄膜残留等下游先进芯片制造中的核心工艺难题亦对薄膜沉积设备的技术创新水平提出了更高要求。
　　基于此，薄膜沉积设备厂商需持续优化薄膜沉积设备的创新设计和工艺参数，推动ALD技术替代传统刻蚀工艺，持续拓展相关薄膜材料的工艺体系，丰富工艺组合，以覆盖更多应用场景，满足先进存储、先进逻辑以及先进封装等领域的技术要求，高端薄膜沉积设备因此迎来了重要的技术升级窗口。
　　（2）多利好因素促芯片产能持续扩张，薄膜沉积设备市场空间持续打开
　　多领域的技术快速升级与需求爆发增长形成叠加效应，推动芯片需求持续放量：AI领域的爆发式增长引领算力与存储芯片的需求激增；汽车电子领域受益于新能源汽车渗透率提升与智能化升级，车载芯片的需求持续扩容；手机、PC、可穿戴设备等终端设备的高端化、智能化趋势对先进制程芯片、高容量存储芯片的依赖度亦稳步提升。
　　在芯片需求持续旺盛的大背景下，下游芯片制造厂针对先进制程、先进存储、车规级芯片等多品类产线的扩产规划清晰、预期明确。多因素驱动下的先进芯片扩产一方面放大了薄膜沉积设备的整体需求量，而产线的工艺升级需求则同步提升了高端薄膜沉积设备的市场份额。根据SEMI最新预测，2026年-2028全球300mm芯片制造厂每年设备支出预计持续增长，累计达到4,390亿美元。中国大陆将持续保持强劲投资趋势，先进工艺产能持续扩张，从2024年的85万月产量增至2028年的140万月产量，年复合增长率约14%，是行业平均水平的两倍。薄膜沉积设备行业将迎来高确定性发展机遇，高端薄膜沉积设备厂商亦将打开广阔且可持续的市场空间。
　　（3）先进键合赋能三维集成，高端设备支撑产业升级
　　三维集成设备的应用场景随半导体技术演进持续拓展，已形成多领域需求共振的格局。在3DNAND存储领域通过晶圆混合键合技术实现存储单元与逻辑电路的垂直堆叠，解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；在作为AI算力需求激增的核心受益领域高带宽存储器（HBM）中，预计混合键合技术将被引入以支持更高的堆叠层数和互连密度，将带来对混合键合设备的新需求；在3DDRAM领域，依托三维集成技术实现存储芯片的垂直堆叠与高密度互连，突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗，满足AI训练、高性能计算等对内存性能要求严苛的场景；在CIS（CMOS图像传感器）领域，混合键合使得“三层堆叠”甚至“多层堆叠”成为可能，除了基础的像素层和逻辑层，还可以将DRAM缓存层也键合进来，实现CIS芯片内的高速数据缓冲；在3D封装、Chiplet、异质集成等领域，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混合键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，助力终端芯片产品实现性能跃升与尺寸微型化。
　　二、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持自主创新，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。2025年度，公司实现营业收入651,909.49万元，同比增长58.87%；实现归属于上市公司股东的净利润92,670.40万元，同比增长34.67%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润72,314.69万元，同比增长103.05%。
　　截至2025年12月31日，公司总资产1,982,356.69万元，较2024年年末增长29.45%；归属于上市公司股东的净资产660,995.72万元，较2024年年末增长25.18%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司不断丰富和完善薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵和覆盖面。通过持续自主创新和高强度研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，薄膜沉积设备和三维集成设备已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。报告期内，公司先进制程领域的核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。报告期内的研发投入金额达到85,927.42万元，同比增长13.66%。
　　在薄膜沉积设备方面，公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级，积极覆盖先进制程领域对先进薄膜工艺的需求，定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔，目前在先进存储、先进逻辑领域应用的量产规模不断扩大。报告期内，基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM以及PECVDBianca等先进工艺设备已实现产业化放量，Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证，持续获得客户复购订单；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商；公司ALD设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升，其中，PE-ALD多款SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量，Thermal-ALD在持续拓展新工艺，并陆续获得订单、出货，其中首台TiN工艺产品已通过客户验证，截至报告期末，公司ALD设备累计出货超过140个反应腔；SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模，首台SACVD等离子体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片等领域中所需的约100多种工艺应用。
　　在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司持续拓展客户群体，晶圆对晶圆混合键合设备获得客户复购订单并实现量产应用，同时拓展应用至不同客户并通过验证；公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，产能、键合精度等关键指标大幅提升；首台晶圆对晶圆熔融键合设备通过客户验证。目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品量产规模不断攀升，截至本报告期末，公司累计出货超过3,400个反应腔（包括超过400个新型反应腔pX和Supra-D），进入约100条生产线。
　　公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片，2025年单年的累计流片量突破2.1亿片。
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
　　①PECVD产品
　　PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　报告期内，公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备且均通过客户验证，并持续获得订单，为存储领域顶部选择栅极和硬掩膜工艺提供解决方案。此外，公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片需求，不断深耕拓展新工艺、新产品，研发高温至低温不同温度范围的多种先进薄膜，已陆续在客户端实现量产应用，满足客户不同的高标准需求。
　　公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备已实现产业化放量，持续获得客户复购订单。该等产品满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告期末，对应前述设备已累计超过400个反应腔出货至客户端。
　　同时，公司PECVDBianca工艺设备也实现了产业化放量，同时持续获得客户复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末，累计超过80个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
　　公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在存储芯片制造、三维集成等领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
　　公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时最多处理24片晶圆。截至本报告期末，NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造，进行工艺优化及多重验证。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺，满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。
　　②UVCure产品
　　UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品，与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
　　①PE-ALD产品
　　报告期内，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升,目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
　　基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单并出货，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
　　②Thermal-ALD产品
　　公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用，目前可以覆盖Al2O3、AlN、TiN、TiON等金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。报告期内，公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺，并陆续获得订单、出货，其中TiN工艺产品已通过客户验证，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户。此外，公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备首台通过客户验证，满足先进存储领域应用需求，同时，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应用规模。截至报告期末，公司SACVD系列产品已出货累计超过150个反应腔。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVDUSG、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模，截至报告期末，公司HDPCVD系列产品已出货累计超过120个反应腔。
　　（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况
　　公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。报告期内，公司持续获得订单并出货，凭借优异的性能表现，被客户选定为POR（基准工艺）机台。
　　（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续拓展客户群体，获得客户复购订单并出货，覆盖了先进存储、先进逻辑等应用领域，量产规模快速提升。
　　报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，可达到国际同类产品最先进水平，目前已出货至客户端验证，验证进展顺利。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现，报告期内，该产品已完成先进逻辑领域客户的验证。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品正在客户端进行验证，同时进一步提升其量产性能指标。
　　⑤键合套准精度量测产品
　　公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑥键合强度检测产品
　　公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
　　报告期内，公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品的研制。该产品可以实现永久键合后晶圆剥离，晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
　　3、供应链保障方面
　　在供应链建设方面，公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
　　报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，成功导入多家新客户，并获得海外客户订单，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
　　公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成设备新工艺、新产品，同时，公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。截至2025年12月31日，公司员工总数1,696人，其中研发人员726人，占公司员工总数的42.81%。
　　公司构建完善的人才引育留用体系。在人才引进方面，通过校企合作、校园招聘、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生，借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。在人才培养方面，搭建多维培训体系，覆盖技术、管理等多方面，支持员工学历与能力提升，依托博士后基地深化产学研合作，培育复合型人才。同时，开展员工关怀活动，定期评优表彰，强化激励与归属感，为企业持续发展提供坚实人才支撑。
　　报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。截至本报告披露日，公司已实施2022年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025年限制性股票激励计划，上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　报告期内，公司智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面，开展针对性优化升级。在用户体验优化方面，优化交互逻辑与系统性能，实现了用户体验与运行效率的双重提升；在功能方面，结合先进的算法优化深入探索系统模型，形成完整的分析流程与结果呈现机制。公司智能化MES系统（生产管理系统）进行了数十项的功能优化与提升，实现“系统服务于人、人员遵守系统规则”的双向管控，使员工在作业中更加标准规范，所有操作均可被记录、追溯与持续优化。
　　公司持续完善产品质量管理体系，致力于为客户提供稳定、可靠的产品与服务。报告期内，公司全面质量管理体系（TQM）实现全流程落地运行，覆盖研发、供应链、制造及服务全链条，有效保障产品质量目标达成。在EHS（环境、健康、安全）方面，公司进一步完善绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理，保障生产的合规性与安全性。同时，公司积极推进信息安全管理，报告期内，新增公司和拓荆创益的ISO/EC27001:2022信息安全管理体系认证，进一步规范信息资产管理、数据使用管理等流程，夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。
　　7、募投项目建设进展情况
　　①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”（以下简称“上海二厂”）是在上海临港新片区建设研发与产业化基地，总建筑面积约9万平方米，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，该产业化基地已投入使用，本募投项目已结项。
　　高端半导体设备产业化基地建设项目
　　“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，规划总建筑面积超15万平方米，规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施，致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。截至报告期末，沈阳二厂已开始施工建设，进展顺利。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
　　（1）投资设立控股子公司/向控股子公司增资
　　报告期内，公司控股子公司拓荆键科为进一步加强三维集成领域产业布局，开展了新一轮融资，融资金额为人民币103,950.00万元，其中，公司以经评估后的债权和自有资金合计人民币45,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本，本次交易完成后，公司对拓荆键科的持股比例为53.5719%，并合计控制拓荆键科约76.9188%的表决权，拓荆键科仍为公司合并报表范围内的控股子公司。
　　报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。
　　（2）积极开展产业投资
　　报告期内，公司开展了对原子启智、芯丰精密的股权投资，围绕原子层刻蚀、三维集成等领域的产业链进行横向布局，本次投资系围绕产业趋势和公司战略目标的产业投资，有助于公司业务的深度拓展，实现资源的高效整合与优化配置，进一步提升公司整体的市场竞争力，符合公司主营业务及战略发展方向。
　　截至本报告期末，公司及子公司已直接/间接累计投资19家企业，覆盖多个半导体设备产业链领域，强化产业链协同效应，提升整体业务竞争力。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开股东会6次、董事会9次、董事会审计委员会7次、董事会薪酬与考核委员会5次、提名委员会1次、战略规划委员会2次及独立董事专门会议5次，所有审议议案均100%获得通过。
　　公司严格遵循《公司法》《证券法》等法律法规要求，根据监管导向及时制定和修订相关公司治理制度28项，持续优化决策程序与内控机制。通过不断健全法人治理结构、完善内部控制制度建设，公司经营管理决策的科学性、合理性与合规性进一步增强，规范运作水平持续提升。报告期内，公司治理体系运行高效、风险管控扎实有力，为业务稳健发展及战略目标实现提供了坚实保障。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级，2025年度获得中国证券报2024年度上市公司金牛奖“金信披奖”。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开6次业绩说明会/投资者交流会。报告期内，公司获得中国上市公司协会颁发的“2024年投资者关系管理最佳实践奖”。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司长期专注于高端半导体专用设备的研发与产业化，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司在战略布局、研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源、人才队伍建设、供应链稳定等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　（1）战略定位明确，围绕自身发展战略稳步推进产业布局
　　公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战略方向、市场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积设备优势的基础上，面向后摩尔时代技术迭代方向，公司于2018年即开始布局三维集成设备产品并实现了显著成果，形成“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
　　公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。同时，公司遵循战略方向稳步扩张，持续深耕现有核心赛道，推动在薄膜沉积设备和三维集成设备领域的纵深发展，并前瞻性布局前沿技术赛道，提前抢占行业未来发展制高点，稳步推进横向发展，适时进行产业链整合与业务延伸，不断提升综合竞争力与行业影响力。
　　（2）自主研发能力突出，支撑产业链协同创新
　　公司始终坚持自主创新研发，以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向开展研发工作，实现薄膜沉积设备和三维集成设备的全研发环节覆盖，在硬件设计、工艺开发和系统集成等多方面，实现了核心技术自主可控。凭借深厚的整机装备自主研发经验和技术积累，公司保证了较高的研发自主性和灵活性，面向客户先进制程工艺需求，能够快速实现先进产品技术研发，并高效完成研发阶段向生产阶段的快速转化，及时响应下游的供货需求。
　　公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技术迭代需求，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁垒。在此基础上，公司基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研发，精准适配客户特定工艺材料、特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。公司可以结合客户特定需求，提供定制化、适配度高的解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现技术升级。此外，公司先后承担多项国家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、生产、供应各环节的协同创新体系，支撑产业链整体技术水平提升。
　　（3）核心技术领先，工艺应用覆盖全面
　　公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域，涵盖了先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术等，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产能。
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至2025年12月31日，公司累计申请专利2,140项（含PCT），获得授权专利707项，其中发明专利362项。
　　公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、深度的覆盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户先进技术需求。在薄膜沉积设备领域，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，PECVD设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑芯片、存储芯片等领域广泛应用；在ALD设备方面，推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国内装机量及工艺覆盖均领先；HDPCVD、SACVD、FlowableCVD设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求，已在多条产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的晶圆对晶圆混合键合设备、熔融键合设备等系列产品已成功应用于先进存储、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。
　　（4）国内领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模化应用。薄膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司产品已进入约100条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过3,400个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片；客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际主流水平）。此外，在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品，相关产品陆续通过客户验证并进入稳步放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。
　　公司产品已进入逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，实现主流芯片制造厂的深度覆盖与批量供货，适配从成熟制程到先进制程的工艺应用需求。公司与客户的合作模式已从单纯的设备供应升级为“协同研发+定制化适配+长期服务”的深度绑定模式，合作关系呈现稳定性强、覆盖面广、协同深入的特点，构建了可持续的客户生态体系。
　　（5）拥有优秀的技术研发及管理团队
　　公司已构建起一支兼具国际视野与产业深度的高端半导体专用设备技术研发及管理团队，通过“外部引智+内部育能”双轮驱动，形成了稳定、高效且具备创新活力的人才梯队，为技术突破与产品迭代提供核心支撑。
　　在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工艺开发、系统控制、软件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方面，公司自成立以来始终重视本土科研团队自主培养，伴随PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD、三维集成设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。
　　截至2025年12月31日，公司研发人员规模达726人，占员工总数的42.81%，形成覆盖半导体设备研发全环节的学科布局。其中，博士研究生65人，占研发人员的8.95%，硕士研究生425人，占研发人员的58.54%，团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研发、工艺优化等环节分工明确、协同高效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。
　　报告期内，公司核心技术团队稳定，为技术研发的连续性与产品创新的持续性提供了坚实保障。
　　（6）建立起稳定供应链生态
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用形成了多项核心技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担16项国家重大专项/课题。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利2,140项（含PCT）、获得授权专利707项；报告期内，公司新增申请专利498项（含PCT）、新增获得专利244项。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
　　公司依据企业会计准则的规定，研究开发项目进入开发阶段后，对满足资本化确认条件的相关支出予以资本化。本期研发投入总额85,927.42万元较上年增加13.66%，其中本年符合资本化条件的研发项目支出金额为8,969.71万元，本期研发投入资本化比重10.44%。
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　(三)核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术持续迭代升级，下游客户对半导体设备的品类拓展、性能指标及工艺适配性的要求不断提升。公司需持续保持高水平研发投入，以巩固产品核心竞争力与技术先进性。若未来公司未能精准把握下游客户产线升级、设备迭代及工艺演进趋势，或技术创新成果与客户实际需求不匹配，将导致公司产品无法满足下游产线规模化生产与工艺适配要求，进而对公司经营业绩、市场地位及持续发展能力产生不利影响。
　　公司已建立系统化、科学化的研发管理体系，具备核心技术自主研发与持续创新能力，坚持以市场趋势为导向、以客户需求为核心开展研发立项与技术攻关，与下游客户保持常态化、高效沟通及深度协同，持续跟踪行业技术演进方向，最大限度降低研发方向偏离、技术成果转化不及预期等风险对公司经营造成的潜在损失。
　　(四)经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、3DDRAM、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。由于部分产业应用尚未完成规模化验证，存在定制化需求攀升的技术风险，可能引致研发投入超预期增长及验证周期延长，导致公司收入确认及回款周期延后，增加资金链压力，对财务稳健性构成潜在风险。
　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　半导体设备行业具有很高的技术壁垒和市场壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，由于半导体产线对于设备技术水平、稳定性、设备间配合度要求极高，因此半导体设备的验证周期与导入周期一般较长，与中国大陆半导体专用设备厂商相比，国际领先制造商往往在客户端具备一定先发优势；此外，存在国内潜在竞争对手进入本行业参与竞争的可能性，引起行业竞争格局的变化。尽管公司的主要产品与核心技术目前具备较大的领先地位与竞争优势，但若无法有效应对市场竞争环境、维持技术创新迭代能力并保持产品竞争优势，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能会受到一定影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、下游客户扩产不及预期的风险
　　下游客户扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期和客户扩产节奏的协调。同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　5、技术研发风险
　　近年来，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，半导体领域的新结构、新材料不断涌现，下游客户对半导体设备的技术要求也日益提升。在此背景下，公司持续保持高强度的研发投入，紧跟芯片制造工艺、基础学科的发展方向，立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律，继续深化与客户协同研发的机制，精准锚定其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求，系统性规划工艺优化和迭代方向，专项开发定制化、高适配度的解决方案，支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。若行业技术发展趋势及下游研发进展发生重大变化，下游芯片制造厂未延续此前与公司协同研发的技术路径，公司技术研发将可能出现与下游技术研发路线不同步等情况，可能出现无法及时响应下游客户对产线设备和工艺技术的需求并对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司将持续加强对行业技术路线、前沿工艺发展趋势的前瞻性研判，建立多维度技术路线跟踪与评估机制，提升对行业技术迭代方向的预判能力。在与客户开展协同研发过程中，进一步强化技术沟通与需求对接，动态跟踪客户产线规划、工艺路线及研发进展，确保公司研发方向与下游技术路径保持高度协同。同时，公司将持续完善多元化技术储备，在重点工艺领域布局前瞻性研发项目，提升对客户需求变化的快速响应能力。此外，公司将不断优化研发资源配置，强化核心技术团队建设，持续提升工艺开发与设备迭代效率，最大限度降低因技术路线差异对经营业绩产生的不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、政府补助政策变动风险
　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。
　　2、税收优惠风险
　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　(六)行业风险
　　1、行业波动的风险
　　近年来，受下游新兴需求不断涌现、半导体产业向中国大陆转移、客户资本性支出增加等因素影响，国内半导体设备市场需求整体呈持续增长趋势。但由于半导体行业受国际经济波动、终端消费市场需求变化等方面影响较大，其发展往往呈现一定的周期性波动特征。在半导体行业上行周期中，半导体芯片制造厂往往加大资本性支出，快速提升对半导体设备的需求；若未来半导体行业处于下行周期中，半导体芯片制造厂往往会削减资本性支出，减少对半导体设备的需求。前述宏观环境及行业波动造成的半导体设备需求波动，可能会为公司的业务发展和经营业绩带来一定波动性风险。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　当前全球经济增长承压，叠加地缘政治冲突、关税政策变化加剧，可能影响半导体行业发展增速、供应链安全及终端市场需求，继而影响半导体设备行业整体需求。
　　公司将持续密切跟踪全球经贸政策、关税规则及地缘政治动态，完善政策风险预警与应急响应体系，动态调整市场布局；同时紧抓国内半导体产业发展机遇，并积极拓展市场布局，最大限度降低宏观环境带来的影响。
　　五、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　在人工智能（AI）浪潮的助推下，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，拉动半导体行业规模迅速扩大。作为晶圆厂建设的核心投资环节，半导体设备在产线资本开支中占据主导地位，新建晶圆厂约86%投资用于购置晶圆制造相关设备，其中薄膜沉积设备约占晶圆制造设备总投资的22%，是集成电路前道制造的关键装备，直接决定芯片制程精度与结构可靠性。下游应用的旺盛需求与产能扩张共振，推动薄膜沉积设备市场保持高景气；同时，芯片制程向先进节点演进、存储芯片向高层数三维堆叠升级，进一步拉动三维集成设备需求高速增长，为行业打开新的增长空间。
　　我国作为全球最大的半导体消费市场，终端芯片需求持续旺盛，叠加国内半导体产业链配套能力不断完善，共同驱动半导体设备产业规模与技术水平稳步提升。据SEMI统计，2025年中国大陆半导体设备市场连续第六年位居全球首位，本土晶圆厂扩产与产能升级形成持续设备采购动能，显著拉动薄膜沉积、三维集成等关键设备的本土需求，推动国内设备市场规模持续增长。
　　从全球竞争格局看，薄膜沉积设备与三维集成设备领域仍由国际厂商主导，行业集中度高、海外龙头占据主要市场份额。当前我国高端半导体设备自给率仍处低位，国产替代空间巨大，叠加本土晶圆产能持续扩张、供应链自主可控战略深入推进，国内设备企业拥有持续的验证机会与市场需求支撑。近年来，国内半导体设备企业已实现从无到有、从弱到强的关键突破，技术能力、产品矩阵与客户验证进度快速提升，产业生态与制造体系日趋完善。尽管在部分核心技术、工艺积累上与海外巨头尚存阶段性差距，但在庞大本土市场、政策支持与产业链协同加持下，国内半导体设备厂商成长空间充足、市场空间广阔，正迎来加速突破、份额提升的黄金发展期。
　　(二)公司发展战略
　　公司长期专注于半导体设备领域，坚定实施自主研发、自主创新战略，紧扣集成电路芯片制造产线需求，持续深耕薄膜沉积设备与工艺技术研发。同时，顺应后摩尔时代技术演进趋势，积极布局三维集成等前沿技术领域，不断提升核心竞争力与长期成长潜力。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜设备产品系列，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品系列，为集成电路芯片制造产线、三维集成领域提供专用的、高端的半导体设备。
　　未来，公司将继续紧抓国内半导体产业快速发展的市场机遇，紧密贴合国内半导体制造产业的实际需求与产线迭代升级节奏，坚持以技术创新与产品升级为核心驱动力，持续加大研发投入，巩固并提升现有产品的核心竞争力。依托公司在技术储备、人才团队、行业经验及售后服务体系等方面的综合优势，稳步提升现有设备产品的市场份额与行业地位。同时，紧跟行业技术发展趋势与市场迭代需求，持续提升公司设备的技术指标与先进性，不断丰富产品矩阵、拓宽设备品类，进一步增强公司整体盈利能力与可持续发展能力。
　　(三)经营计划
　　公司以建设世界领先的高端半导体设备公司为发展战略目标，紧密围绕国家重大技术创新需求、紧跟产业趋势，提前布局产品研发，并持续保持高强度研发投入，持续强化人才队伍建设，深化产学研合作和产业协同发展，不断巩固并提升公司行业领先地位。具体如下：
　　1、围绕国家半导体产业战略、紧抓客户技术创新需求，提前布局研发
　　公司秉承“紧跟产业趋势、产品提前布局”的研发策略，聚焦客户技术创新需求，协同下游客户规划未来行业技术发展路线，前瞻性布局研发工作，在现有薄膜沉积设备与三维集成设备领域，持续深化产品技术覆盖、完善产品谱系；此外，公司将依托现有技术积淀，积极开展横向拓展布局。
　　（1）强化薄膜沉积设备的技术创新优势与市场领先地位
　　基于公司优势产品薄膜沉积设备，公司将紧跟半导体制程发展节奏和后摩尔时代技术方向，以CVD细分赛道为核心，持续推进产品创新与工艺迭代，系统布局前瞻性技术研发，加速推动新产品、新工艺的研发及产业化，拓展设备在前沿技术领域多应用场景的覆盖。
　　（2）丰富三维集成设备产品矩阵，形成平台化服务能力
　　公司将以三维集成的技术趋势为导向，持续完善、丰富三维集成领域的设备产品矩阵，并不断迭代、提升先进键合设备、配套量检测设备等核心产品的技术水平。同时，建立三维集成设备专项技术平台，为下游客户技术落地提供全流程技术支撑与方案设计，形成从设备供应到技术解决方案的一体化服务能力，进一步提升市场份额。
　　（3）稳步推进横向产业链延伸，建立世界领先的高端半导体设备公司
　　公司以薄膜沉积设备与三维集成设备领域的既有技术积淀、产品矩阵及客户资源为基础，通过前瞻性研发和适时的横向产业整合，稳步推进高端半导体设备领域的横向拓展与多元业务布局，着力构建覆盖核心应用场景、辐射产业链关键环节的高端半导体设备公司，围绕公司聚焦领域提升整体解决方案能力，持续强化公司在半导体设备行业的综合竞争力。
　　2、夯实国内市场领先地位，稳步开拓国际市场
　　公司将立足核心技术、产品性能、定制化服务等方面的优势，持续紧跟产业技术发展趋势，深化产品布局，强化在国内细分领域的领先地位，稳步提升市场份额。在巩固国内市场的基础上，公司将积极关注国际市场需求趋势，逐步推进海外市场布局。通过参与国际行业展会、建立海外合作渠道等方式展示产品技术实力，针对性开拓适配海外市场，拓宽公司长期增长空间。
　　3、多措并举引进培养优秀人才，持续加强产学研合作
　　公司结合发展战略规划和实际业务需求，不断加强人才队伍建设，确保在国际前沿技术和先进管理理念等方面保持竞争力。公司将不断完善薪酬政策和长效的股权激励机制，持续引进高层次人才的同时积极自主培养科研人才，通过完善的研发实践、管理实践及务实高效的培训体系，积极培养内部技术与管理人才，构建坚实的人才梯队。公司秉持校企协同发展理念，将持续加强高校合作互动，通过共建产学研协同创新平台、实验室项目合作、设立奖学金、多学科联合培养硕士/博士等方式，推动高端科研合作及专业人才储备，为行业提供创新动力。公司将继续积极推动行业联动与交流合作，通过深度参与国际半导体展会及行业大会，共同探讨前沿趋势，携手推动产业创新。
　　4、继续坚持上下游协同创新，促进产业协同发展
　　公司将立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律，继续深化与客户协同研发的机制，精准锚定其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求，系统性规划工艺优化和迭代方向，专项开发定制化、高适配度的解决方案，支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。公司将持续通过战略协作等方式与供应商建立深度绑定的研发协作关系。在新产品、新技术开发规划中，将建立常态化、高效化的研发互动机制，确保部件产品的先进性能充分匹配公司技术研发要求，持续夯实稳定、互信、共赢的长期合作关系。公司将持续积极承担实施国家重大专项/课题，不断整合产业链优质资源开展联合技术攻坚，逐步构建覆盖研发、生产、销售全环节的协同研发生态体系，助力产业链整体技术水平稳步提升。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造的先进性。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）公司所属行业情况
　　1、半导体设备行业
　　集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造的先进性。
　　伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能、功耗、集成度等方面提出了更高的要求。特别是近两年，AI应用的迅速普及加速推动了技术创新，对先进半导体技术的需求强劲，同时催生了巨大的先进半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2025年全球半导体设备销售额预计达到1255亿美元，同比增长超过7%，并持续保持增长态势，预计2026年销售额将进一步攀升至1381亿美元，实现连续三年增长。
　　中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在AI应用快速发展的拉动下，对先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
　　2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
　　在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2025年晶圆制造设备销售额预计将达到1108亿美元，同比增长超过6%，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元。
　　公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。
　　在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及Flowable CVD（流动性化学气相沉积）等薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
　　PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
　　3、公司所聚焦的三维集成设备行业
　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
　　在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合，主要应用如图示：
　　（二）公司主营业务情况
　　1、主要业务情况
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。
　　2、主要产品情况
　　报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，公司研制的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已在客户端实现产业化应用，业务规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：
　　（1）PECVD系列产品
　　（2）ALD系列产品
　　（3）SACVD系列产品
　　（4）HDPCVD系列产品
　　（5）Flowable CVD系列产品
　　（6）三维集成领域系列产品
　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
　　（三）主要经营模式
　　（1）盈利模式
　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
　　（2）研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
　　（3）采购模式
　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
　　（4）生产模式
　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
　　（5）销售和服务模式
　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
　　1、主要经营情况
　　报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收入维持高增长趋势。2025年上半年度，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上市公司股东的净利润9,428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%。
　　截至2025年6月30日，公司总资产1,755,366.06万元，较2024年年末增长14.62%；归属于上市公司股东的净资产541,194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
　　2、公司产品研发及产业化进展情况：
　　报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业化应用等方面均取得了突出成果，产品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入持续高速增长。报告期内的研发投入金额达到34,917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为17.87%。
　　在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及Flowable CVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM、Lok-II及PECVD Bianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；公司目前已实现对PECVD ACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO2和PE-ALD SiCO多台通过客户验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
　　在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
　　随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日，公司累计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。
　　报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.43亿片。
　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品：PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。
　　公司面向先进存储领域自主研发的PECVD Supra-D OPN、SiB、高温SiN等工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。PECVD Supra-D OPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要作为3D NAND顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串的精确选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVD Supra-D SiB和高温SiN设备可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工艺；高温SiN薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力调整区间，很大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择比需求较高的工艺。
　　公司基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。
　　公司PECVD Bianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末，累计超过60个PECVD Bianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
　　公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
　　公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300M Supra-H设备已完成样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。
　　②UV Cure产品
　　UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
　　公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UV Cure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况：
　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
　　PE-ALD产品PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
　　报告期内，基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
　　基于PF-300T和高产能平台NF-300H开发的PE-ALD SiO2及PE-ALD SiCO持续出货，且多台设备通过客户验证，公司PE-ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。
　　截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
　　②Thermal-ALD产品
　　Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
　　公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户，验证进展顺利。Thermal-ALD Al2O3、AlN等工艺设备在不同客户端验证进展顺利，此外，公司持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。
　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
　　报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利，关键技术指标已达到客户要求。
　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
　　报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVD USG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
　　（5）Flowable CVD系列产品研发及产业化进展情况：
　　Flowable CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。Flowable CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
　　截至报告期末，公司自主研发的Flowable CVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。
　　（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况：
　　三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
　　①晶圆对晶圆混合键合产品
　　晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出货。
　　报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，已出货至客户端验证。
　　②晶圆对晶圆熔融键合产品
　　晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。
　　公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现，该产品已获得客户订单。
　　③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
　　芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
　　公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单。
　　④芯片对晶圆混合键合产品
　　芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
　　公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品已获得客户订单并出货，验证进展顺利。
　　⑤键合套准精度量测产品
　　键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
　　公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑥键合强度检测产品
　　键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
　　⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
　　永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。报告期内，公司已完成该产品的研制。
　　3、供应链保障方面
　　公司已建立稳定的供应链体系，确保供应链安全与运营连续性，主要如下：
　　（1）建立多元化供应商体系
　　公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免单一供应商依赖。此外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，保证关键部件的及时稳定供应。
　　（2）战略库存与弹性备货
　　公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。同时，推动供应商建立本地仓储，缩短交货周期。
　　（3）创新保障与协同研发
　　公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
　　（4）合规与可持续发展
　　公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，减少碳足迹及资源浪费。
　　公司已将供应链安全战略从被动响应升级为主动构建韧性，最大限度地降低国际地缘政治动荡、贸易环境变化及产业链突发性中断等外部不确定性带来的风险。同时，面对可能产生的风险，能够快速吸收、适应、恢复并维持关键业务持续运行的能力，保障公司设备生产供应的连续性和稳定性，提升在市场的竞争力和客户信任度。
　　报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
　　4、市场销售情况
　　报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
　　公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成领域设备新工艺、新产品，同时，公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
　　5、人才队伍建设情况
　　报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。
　　在人才引进方面，公司通过与国内高校合作、设立实习基地等形式，积极吸引优秀应届毕业生；在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，持续推进产学研深度融合，着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。截至2025年6月30日，公司员工总数1569人，其中研发人员638人，占公司员工总数的40.66%。
　　报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，并向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
　　6、营运管理方面
　　为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司持续改进智能化的软硬件系统（Smart Machine），对系统的功能和结构进一步优化，在已有功能基础上，开发新的优化算法和数据分析方法，更好地满足工艺研发、大规模生产、故障排查等方面的需求，进一步促进设备性能和维护效率的提升，以及研发成本、维护成本的降低，提高产品综合竞争力。
　　公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，报告期内，公司对MES（生产管理系统）进行升级，从设备启动生产便自动开始监控交期，及时反馈生产进度，实现设备出货时间自动预警及全程监控，能够有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理；公司始终秉持“质量至上”的核心原则，建立和优化全流程质量管理体系，不断完善质量改进机制，以确保产品与服务的持续优化，报告期内，公司围绕产品设计、生产及交付等全生命周期实施系统化管控，确保产品符合法规标准及客户需求，持续推进质量优化与技术创新；在EHS（环境、健康、安全）方面，公司持续完善在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全；报告期内，公司积极开展ISO27001信息安全管理体系认证，持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全和物理安全管控。
　　7、募投项目建设进展情况：
　　①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。该产业化基地已于2025年6月投入使用，截至本报告披露日，该项目已结项。
　　新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。
　　8、对外投资情况
　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
　　（1）投资设立子公司/控股子公司
　　报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。
　　（2）积极开展产业投资
　　报告期内，公司开展了对原子启智的股权投资，布局覆盖了ALE（原子层刻蚀）等设备。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
　　9、公司治理情况
　　报告期内，公司共召开3次股东大会、4次董事会、3次董事会审计委员会、3次董事会薪酬与考核委员会、4次监事会及1次独立董事专门会议，所审议的议案100%通过，并得到有效执行和实施。
　　公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
　　10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
　　公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/投资者交流会。
　　公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：
　　1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1783项（含PCT），获得授权专利581项，其中发明专利294项。
　　公司先后承担了多项国家重大专项/课题，研发并推出的基于不同平台类型且支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和Flowable CVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平，并持续迭代升级产品性能，快速响应客户先进技术需求。
　　公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备，并积累了多项具有自主知识产权的核心技术。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
　　2、优秀的技术研发及管理团队优势
　　公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
　　公司国际化、专业化的高级管理团队、长效激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有638名，占公司员工总数的40.66%，研发人员中博士研究生和硕士研究生共计437人，占研发人员总人数的68.50%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。
　　3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
　　公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备及三维集成设备的技术积累和快速发展，较国内竞争对手形成显著先发优势，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
　　公司已与国内下游客户形成了较为稳定的合作关系。公司薄膜系列产品已批量发往国内集成电路晶圆厂。此外，公司致力于为客户提供三维集成领域全面的技术解决方案，目前应用于三维集成领域的系列产品研发和产业化已取得重大进展，产品陆续发货至不同的客户端。
　　4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。
　　在产品方面，公司通过创新设计及与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
　　5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
　　公司针对客户提出的定制化的半导体专用设备具有快速响应能力，可以及时满足客户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成领域设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担11项国家重大专项/课题。
　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1783项（含PCT）、获得授权专利581项；报告期内，公司新增申请专利143项（含PCT）、新增获得专利89项。
　　3、研发投入情况表研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明：
　　公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期增加13.88个百分点，主要是根据研发项目的进度，将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　四、风险因素
　　(一)核心竞争力风险
　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。
　　(二)经营风险
　　1、产品验收周期较长风险
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、3D DRAM、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。由于部分产业应用尚未完成规模化验证，存在定制化需求攀升的技术风险，可能引致研发投入超预期增长及验证周期延长，导致公司收入确认及回款周期延后，增加资金链压力，对财务稳健性构成潜在风险。
　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
　　2、市场竞争风险
　　目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也逐步进入公司业务领域开发部分同类产品。公司面临国际巨头以及国内新进入者的双重竞争。如果公司未来无法持续有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。
　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。
　　3、晶圆厂扩产不及预期的风险
　　下游晶圆厂扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。
　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
　　4、供应链安全风险
　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。
　　(三)财务风险
　　1、政府补助政策变动风险
　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。
　　2、税收优惠风险
　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
　　随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
　　(四)行业风险
　　半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。
　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。 收起▲