要点一:定增投资MicroLED芯片
       2022年6月份，公司拟向不超35名的特定投资者发行A股股票数量不超16,300.00万股，本次向特定对象发行A股股票拟募集资金总额不超120,000.00万元，扣除发行费用后全部用于Mini/MicroLED芯片研发及制造扩建项目，项目总投资155,000.00万元。Mini/MicroLED芯片研发及制造扩建项目位于江苏省宿迁经济技术开发区聚灿光电科技（宿迁）有限公司现有厂区内，主要生产Mini/MicroLED芯片，项目主要建设内容包含厂房建设，购置生产Mini/MicroLED芯片所需设备等，项目建成后形成年产720万片Mini/MicroLED芯片产能。

要点二:领先的LED芯片供应商
       公司的主营业务为LED外延片及芯片的研发、生产和销售业务，并围绕LED照明应用为核心提供合同能源管理服务，公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片。公司已与国内多家大中型LED封装制造商建立了良好稳定的合作关系，因公司产品品质高且质量稳定，受到了客户的广泛好评，在华南、华东区域树立了良好的“聚灿光电”品牌效应。

要点三:技术研发
       公司自成立以来，充分重视技术研发团队的建设，打造了一支国内领先的技术研发团队。目前，公司已在LED外延生长和芯片制造的主要工序上拥有了核心技术如低缺陷密度高可靠性的外延技术，高取光效率的芯片工艺技术，高发光效率高散热的高压，倒装结构芯片，高均匀性的MiniLED芯片技术等。公司内部研发团队一方面充分利用“江苏省高亮度，高可靠性LED外延，芯片工程技术研究中心”，“江苏省企业技术中心”，“江苏省高光效，高稳定性LED外延片，芯片工程中心”等省级研发资质与资源，积极营造有利于科技创新的良好环境，自主创新能力和成果转化能力显著增强，有效将产品技术优势转化为市场竞争优势，另一方面，积极与外部机构如以华中科技大学，中国矿业大学等为代表的高校，境内外下游封装巨头合作，着眼于行业前沿趋势，前瞻性地提前做好相关技术储备和产业布局，保持行业领先地位。

要点四:化合物光电半导体材料
       公司主要从事化合物光电半导体材料的研发，生产和销售业务，主要产品为GaN基高亮度LED外延片，芯片。公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高，所生产的产品主要应用于显示背光，通用照明， 植物照明，医疗美容等中高端应用领域。未来，公司将充分抓住“创业板注册制改革”重大机遇，聚焦核心资源，推动LED芯片主业的扩产升级，增强内生动力，牢固确立国内LED芯片行业领先企业之一的战略地位。

要点五:发展战略
       目前LED芯片行业已处于高集中寡占型，行稳致远，强者恒强。未来，公司将始终专注于LED外延片，芯片的研发，生产和销售，坚持“聚焦资源，做强主业”的发展战略，专注的领域，前瞻的布局和踏实的苦干是公司健康，快速发展的内生动力，瞄准市场和行业前沿，加大科技创新力度，明确国内领先的发展定位，用实力铸就品牌价值。公司将秉持“传统光源的颠覆者，绿色照明的领航人”的企业愿景，紧紧抓住国家大力贯彻“碳达峰”，“碳中和”，低碳经济发展战略有利时机和LED行业广阔的发展前景，充分发挥公司技术优势，管理优势，产品优势，品牌和客户资源优势及规模效应优势，积极调动全体员工能动性，努力提升行业技术水平，加快完成现有产品的工艺改进和新产品研究开发，加速推动产能释放，继续为推进绿色LED照明事业做出贡献。

要点六:打造智能制造工厂
       下一年度，公司将继续打造智能制造工厂。根据国家“十四五规划”，智能制造是大势所趋，基于信息系统的智能装备，智能工厂等先进制造正在引领制造方式变革。打造智能工厂是制造企业实现跨越式发展的战略机遇，公司作为制造业中的一员，随着产能不断提升，公司将整体规划，分步实施，着力发展智能装备，推进生产过程智能化改造，旨在实现第一阶段全线信息自动化，第二阶段智能制造一体化，最终智能制造达到行业一流水平，向“智能工厂”发展，实现公司的长期可持续发展，维护股东的长远利益。

要点七:LED背光
       LED背光具有轻薄化液晶屏幕，提升显示效果及节能省电等特点，使其较传统背光光源有着不可比拟的优势。近年来，随着技术进步和价格下降，LED背光目前已基本取代传统背光源。公司生产的高亮度LED背光用芯片，经封装后适用于中小尺寸背光模组，最终应用于手机，电视，车载屏幕等背光产品。LED显示具有亮度高，重量轻，厚度薄，易于创意设计等特点，其中，Mini/MicroLED的超高分辨率，高色彩饱和度等优势更为明显。伴随着技术进步和成本下降，在加速对传统显示替代的同时，应用场景不断扩展。公司开发的Mini/MicroLED芯片目标产品可广泛应用新一代信息技术显示市场，如车载显示，超大型显示及AR，可穿戴设备，可植入器件等。

要点八:外延方面
       在外延方面，创新研发SiO2/Al2O3复合衬底结合复式缓冲层技术，成功解决复合衬底导致的晶格缺陷损失问题，有效提升光效和高阶ESD抗性，通过粗化层独特设计及多量子阱(MQW)分段式渐变结构(Ramp)，大幅提升LED垒晶层内量子效率(IQE)，光效得到改善。同时，使用UnimaxMOCVD设备，优化设计反应腔室气温场分布与垒晶过程设定相结合的技术，通过新型多量子阱(MQW)前置结构层，实现外延片波长，电容，光色均一性，为Mini/MicroLED产品性能和良率提供有力保障。

要点九:产能规模
       LED外延芯片行业属于资本和技术双重密集型行业，也属于持续高投入，规模经济愈发明显的行业。目前，随着国内LED芯片行业快速发展，经过多次行业调整，技术水平低，实力较弱的中小企业逐渐被淘汰，行业呈现强者恒强的高集中寡占格局。报告期内，公司单一宿迁生产基地占地面积320亩，目前年产能近2,400万片，居同行业单一生产基地产能前茅，同时鉴于公司前期已统筹安排，合理规划该基地的基础配套与厂务公辅设备等，为下一轮新扩产预留空间，奠定基础，将大幅降低基建成本，未来该基地的规模效应优势将得到进一步显现。

要点十:芯片方面
       在芯片方面，通过步进式光刻技术和AOI自动光学检验设备全面导入，有效改善了MiniLED，大功率DBR倒装，银镜倒装新产品品质和良率，通过新电极结构，透明导电层技术，DBR反射镜工艺等多项芯片工艺和技术创新，提升了核心产品芯片光效，抗静电能力及可靠性。高光效照明，背光产品方面，销量稳步增长，银镜倒装产品方面，产能充分释放，市场份额快速增长，Mini/MicroLED方面，品质，良率快速提升，产品小批量供货。目前，公司高端LED芯片已处于国内一线水平。