一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所处行业情况　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛　　（1）行业现状及市场规模　　功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所处行业情况
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业现状及市场规模
　　功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服务，以及为客户提供定制化开发产品能力等方面均有较高的要求，需要长时间的实践和积累。
　　随着全球贸易格局的演变，半导体自主可控重要性提升，当前国产替代关键领域持续进行技术攻关，产业链各环节的国产化率不断提升。下游应用端对产品性能多元化需求、对质量标准日益提高的需求，以及国家对行业发展规划的需要，国内功率半导体厂商需要通过持续技术创新，实现技术突破，提高技术储备，以高性价比的产品和服务实现核心电子元器件国产化，响应国家产业政策的发展规划。“China for China”的趋势下，国产替代有望从单点突破迈向全链条渗透。
　　世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。其中一季度市场规模约1,670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1,800亿美元，同比增长19.6%。逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长4%。该机构预测，2025年全球半导体市场规模将达到7,009亿美元，同比增长11.2%。
　　（2）行业发展与演进
　　功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。
　　（3）行业的主要特点
　　1）功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新
　　功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
　　2）产品多世代并存
　　二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等传统器件与碳化硅、氮化镓等新材料器件共存，适应不同应用场景需求。
　　3）特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求
　　“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。
　　4）IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起
　　半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。
　　近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。
　　（4）主要技术门槛
　　功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGT MOSFET、SiC MOSFET及GaN HEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
　　功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。当前半导体芯片产业链国产替代空间巨大，基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一，展现出良好的发展势头。
　　公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。
　　在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
　　在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。
　　在第三代半导体领域，公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产，性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时，公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。
　　在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域，设计了多款塑封模块，并已逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发，为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
　　1）持续追求高效能与低功耗目标
　　随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高，半导体功率器件需要不断提高能效，降低功耗，以满足节能减排的需求。这要求半导体功率器件在设计和制造过程中不断优化结构、材料和工艺，以实现更高的转换效率和更低的损耗。市场需求的多样化将推动半导体功率器件的差异化发展。
　　2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键
　　功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的核心,随着Si基材料逐渐逼近其物理极限,摩尔定律接近效能极限，新型材料可以突破传统材料的局限性，提升器件性能，满足高压、高频等严苛应用需求。
　　3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透
　　低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
　　4）国产化进程加速
　　现代半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也已成功研发并投入产业化应用，其应用领域也在不断拓展。
　　我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小。
　　（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
　　1）人工智能及数据中心建设
　　随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键，数据中心作为AI重要的基础设施，迎来新一轮的建设热潮。
　　AI模型训练和推理对算力需求不断增强，数据中心建设装机进入扩张期。根据IEA数据统计显示，全球已部署的数据中心装机容量从2005年的21.4GW增至2021年的66.9GW，预计2025年将攀升至114.3GW，比20年前增长逾5倍。并且根据其测算，乐观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR高达21%，即使在悲观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR仍能达到8%的增长。
　　2）AI算力服务器市场
　　服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等部件中，广泛应用SGT MOSFET、SJ MOSFET、高密度功率模块、GateDriver、DrMOS等功率半导体。
　　在AI应用需求的驱动下，服务器市场正进入一个长周期的快速增长阶段。根据IDC数据，2024年全球服务器行业整体表现强劲，尤其是AI服务器市场增长显著。2024年全球服务器市场规模达到约1,693.4亿美元，预计2031年将达到2,812.6亿美元，2025-2031期间年复合增长率为7.4%。AI服务器市场表现出色，2024年全球AI服务器市场规模为1,251亿美元，预计2025年将达到1,587亿美元，到2028年有望突破2,227亿美元。
　　工信部《算力基础设施高质量发展行动计划》显示，2023年我国算力规模达到220EFLOPS，其中智能算力占25%，目标到2025年，算力规模超过300EFLOPS，智能算力占比达到35%。
　　3）新能源汽车领域
　　中国汽车工业协会数据，2025年上半年，我国汽车产销量分别达1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。具体来看，以旧换新政策持续显效带动，内需市场显著改善，新能源汽车延续快速增长态势，1-6月国内销量587.8万辆，同比增长35.5%，持续拉动产业转型升级。总体来看，全球半导体分立器件最大的应用领域之一仍是汽车领域，主要终端应用的稳定增长，为功率分立器件奠定稳固的基本需求，但行业竞争依然激烈。
　　新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　功率半导体在新能源汽车半导体价值量中的占比高达50%左右。第三方市场调研机构Omdia曾预测，2025年全年车规级半导体市场规模将达到804亿美元，中国市场规模达到216亿美元，其中功率半导体占比将突破30%。
　　4）充电桩
　　中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2025年1-6月，全国充电基础设施增量为328.2万个，同比上升99.2%。其中公共充电设施增量为51.7万个，同比增长30.6%，私人充电设施增量为276.5万个，同比上升120.8%。截至2025年6月，全国充电设施累计数量已突破1,610万个，同比增长55.6%。
　　充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压、开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件，也面临着不断优化和升级。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。
　　此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件的快速增长。
　　5）5G基站
　　根据工业和信息化部发布的2025年上半年通信业经济运行情况数据显示：截至2025年6月末，5G基站总数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，占比较一季度提高1.3个百分点。
　　5G基站采用Massive MIMO等技术，单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上，同时基带处理单元（BBU）功率超过1000W，这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，尤其是氮化镓（GaN）等新型器件，凭借其高功率密度、高频特性和高效能，成为5G基站射频功率放大的核心选择，其耐高压、耐高温特性，又能使基站模块实现小型化设计，降低部署成本。
　　6）光伏逆变及储能
　　根据国家能源局发布的2025年上半年光伏发电建设情况：全国光伏新增并网2.12亿千瓦，其中集中式光伏约1亿千瓦，分布式光伏1.13亿千瓦。截至2025年6月底，全国光伏发电装机容量达到约11亿千瓦，同比增长54.1%，其中集中式光伏6.06亿千瓦，分布式光伏4.93亿千瓦。今年上半年，全国光伏累计发电量5,591亿千瓦时，同比增长42.9%，全国光伏发电平均利用率94%。
　　根据CNESA DataLink全球储能数据库不完全统计，截止到2024年底，全国新型储能累计装机首次超过百吉瓦时，达到78.3GW/184.2GWh，同比增长126.5%/147.5%，新增新型储能投运装机规模43.7GW/109.8GWh，同比增长103%/136%。各地“十四五”储能发展累计目标达到86.6GW，远超国家的40GW目标水平。CNESA预测，2025年新型储能新增装机预计在40.8GW~51.9GW之间，平均45GW左右。储能技术的不断创新将推动产业升级，大容量储能电芯的研发和量产将进一步加速，长时储能技术也将迎来大规模增长，满足新能源电力系统对长时间储能的需求。此外，人工智能技术将在新型储能领域得到更广泛的应用，提高储能系统的安全性和稳定性。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代，产品获得工业和车载重要客户认可。
　　（1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
　　车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等；
　　直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；
　　服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；
　　光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞瓦特、固德威等公司；
　　泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客户，并持续为上述客户开发新的产品规格；
　　高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户；
　　报告期内，作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长；公司中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT销售额及销售量较上年同期均显著增长。
　　（2）SiC器件（含Si2C MOSFET）业务进展
　　报告期内，公司在SiC系列产品上的推进效果显著，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。
　　公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　2、主要产品
　　公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含Si2C MOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　公司上述产品的具体介绍如下：
　　（1）超级结MOSFET
　　公司的超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET
　　公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
　　公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用Copper Clip技术封装的超低导通电阻的产品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。
　　（3）超级硅MOSFET
　　公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
　　（4）TGBT
　　公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下。
　　公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了电流密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、压缩机控制、电焊机、光伏逆变器等领域。
　　（5）SiC器件（含Si2C MOSFET）
　　公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等产品。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。公司SiC产品快速跨越初代技术，已实现第二代、第三代技术平台的量产，并推出了多款技术领先的产品。第四代SiC MOSFET平台也已完成研发，进入小批量试产和终端验证阶段。Si2C MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和可靠性挑战大的缺点，实现了低成本和高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在特定应用场景中给客户提供多种选择。
　　（6）功率模块
　　公司的超级结MOSFET塑封模块，在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破；车载OBC领域公司布局了全系列塑封模块，包括超级结MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET主力产品线平台，为400V和800V平台新能源汽车OBC提供整套功率模块解决方案；同时公司在主驱电控领域的SiCMOSFET塑封模块方案得到了国内头部Tier1的A样定点。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年上半年，在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下，全球半导体市场呈现复苏与增长态势。据世界半导体贸易组织（WSTS）发布的2025年春季半导体市场最新预测，按细分市场来看该机构认为今年的半导体市场规模攀升将由逻辑和存储器的增长引领，传感器和模拟等细分领域预计增长较为温和。
　　（一）整体经营业绩情况
　　报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2,758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。
　　报告期内，公司各季度营业收入攀升，受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升，公司营业收入及净利润较上年同期实现较大增长。公司产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。
　　公司产品在汽车、工业、消费等应用领域广泛发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比约为84%，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用。同时，由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。
　　（二）技术研发情况
　　公司始终坚持技术创新与研发投入，2025年上半年研发费用为4,223.04万元，较上年同期增长8.89%；截至2025年6月末，公司研发人员数较上年同期增长20.29%；2025年上半年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长22.71%。
　　报告期内，公司积极推进主营产品超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET（含Si2C MOSFET）产品线的扩容，包含了产品的迭代、更多的产品规格、更多的制造基地。硅基产品线通过和晶圆代工厂的合作，首次形成12英寸交付片量超越8英寸的局面。同时，公司进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体SiC MOSFET产品线实现量产交付，产品性能达到国内外第一梯队水平，研发实力进入国内领先序列。具体如下：
　　1、公司超级结产品持续扩大在300mm生产线的交付能力，平均良率和制造一致性得到大幅提升；
　　2、基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户；
　　3、SiC系列产品的研发推进效果显著。第二代、第三代650V和1200V平台的SiC MOSFET多个产品进入稳定交付阶段，报告期内公司率先推出了性能优良的1400V系列，通过客户的测试并获得订单。公司第四代SiC MOSFET完成研发，性能处于国内领先水平。
　　综上，报告期内，公司持续保持研发投入，主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，持续通过专利布局建立深厚的技术壁垒和市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
　　（三）产能供给情况
　　报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。在第三代半导体领域，公司与多家SiC代工厂进行SiC二极管、SiC MOSFET以及Si2C MOSFET的深入合作，保障公司第三代半导体产品系列研发工作的有序推进及产能供应，通过合理有效的采购方式应对产能供给的周期性变化，降低产能波动对公司产品交付及时性的影响。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。
　　（四）实验平台建设
　　公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善，推动实验室体系向更高标准迈进。报告期内，公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。在车规级可靠性验证方面，公司实验室已具备完整的测试能力，覆盖关键实验项目，确保产品在严苛环境下的长期可靠性。实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期，使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律，并快速反馈至设计与封装工艺优化环节，为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。一流实验平台的升级与完善，将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。
　　（五）产业链布局情况
　　公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区智源微新创业投资合伙企业（有限合伙），主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。报告期内，公司根据整体战略布局，完成了对电征科技54.55%的股权收购，纳入公司合并报表范围，旨在进一步丰富公司产品线，拓展算力服务器电源和新能源功率模块产品。
　　公司密切关注优质资产及并购机会，综合考虑业务、上下游产业链协同、公司发展战略规划等情况，充分评估风险收益，谨慎决策。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、完善的研发团队及体系
　　公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系，完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。
　　同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统上线，进一步推动研发效率的提升。
　　2、丰富的产品规格
　　功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域。
　　同时，公司车规产品管理评审流程日渐成熟，车规产品推出速度和数量大为提升，车规市场项目的对接成功机会显著增加。
　　3、强大的客户基础
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
　　4、稳定的供应商关系
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。
　　5、经验丰富的管理团队
　　公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，从事半导体技术研发工作超过20年，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者，拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。除联合创始人及研发团队以外，公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验，熟悉公司业务流程并作为开发项目负责人主导和参与了公司各项重大科研项目。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品在完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂扩展的基础上，主要产品在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均得到了显著的扩容。报告期内，功率模块和GaN HEMT领域实现了突破，其中，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付，GaN产品系列得到扩充，积极推进客户验证。
　　（1）超级结MOSFET方面：
　　公司深槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结MOSFET由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结MOSFET在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关损耗和驱动能量损耗。基于上述核心技术，公司的超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。公司的深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。
　　报告期内，公司在12英寸新晶圆制造基地推进扩展和技术优化工作，为公司带来丰富且优质的制造资源。在与12英寸新晶圆制造基地的通力合作下，超级结MOSFET的产能获得了显著的提升，晶圆测试良率持续稳定在高水平，这种优异的表现更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。第四代超级结MOSFET量产工作已经完成，多颗产品获得批量订单并对销售额增长做出贡献；第五代超级结MOSFET小批量交付，性能国内领先；第六代的研发工作进展顺利，经初步验证器件性能已经接近国际大厂最优系列，性价比优势明显。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备性能的提升，公司在供应能力和产品性能上的优势正在逐步放大。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：
　　公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。公司的中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。
　　报告期内，公司优化了25V-150V全规格段产品性能，量产多颗难度较高的规格产品，帮助终端客户完成国产化替代。公司持续投入车规验证资源，陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。在大电流高频率领域，25V-80V高频系列单体器件性能国内领先，公司25V、30V、40V、60V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，新型机器人等领域实现了销售。
　　（3）独创结构的TGBT方面：
　　公司TGBT产品设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；公司独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。
　　报告期内，公司完成了基于背面氢注入的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力，预计将在下半年陆续推出基于该技术的产品系列，为公司赢得更多订单机会。使用公司研发的650V高频TGBT搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。
　　（4）Hybrid-FET器件方面:
　　Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件架构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。
　　公司的Hybrid-FET器件兼具IGBT与MOSFET器件的优势，综合提供更加符合应用场景的解决方案，器件及其工艺技术处于国内领先水平，目前该技术已申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于TGBT技术，因此是TGBT的一个子类。报告期内，Hybrid-FET器件稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。以90A的Hybrid-FET产品为例，该产品已经批量应用于客户系统中，处于稳定出货状态，其在客户端的最高工作频率可达100K以上，采用该产品的系统，效率比采用传统器件的系统有大幅提升。
　　（5）SiC器件方面：
　　公司长期跟进SiC技术的发展，包括SiC器件的FOM设计、高可靠性的栅氧工艺以及测试筛选技术等。通过逐步积累知识产权和头部工厂保持联动，积极推进SiC器件产品的自主研发和规模化生产交付工作。
　　报告期内，公司加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，并成为该晶圆代工厂产品推进速度最快的战略伙伴，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时，成功解决了客户应用的痛点问题，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充，同时公司也积极研发其他类型的SiC器件，如硅器件和SiC JFET的组合，沟槽型SiC MOSFET，以及超结型SiC MOSFET，以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。
　　此外，公司积极布局基于SiC器件的功率模块开发，通过优化SiC器件性能以及模块封装代工资源加速SiC业务的拓展。在前期工业和车用单管类SiC MOSFET开发成功的基础上，公司已经启动主驱模块芯片的开发，为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。公司在算力和车载模块的研发成果显著，搭载公司SiC MOSFET芯片的塑封模块已实现了成倍的功率密度增长，目前可靠性考核结果理想，预计第三季度有序投放头部客户作为下一代技术方案进行推广。
　　（6）Si2C MOSFET器件方面：
　　Si2C MOSFET器件具有独创的器件架构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，已用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等领域。
　　（7）超级硅MOSFET方面：
　　公司的超级硅MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入SiC MOSFET及GaN HEMT的应用领域。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司新增知识产权申请项目13个，其中发明专利申请数9个；新增知识产权授权项目8个，其中境内发明专利2个，境外发明专利5个。
　　
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2,758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.69亿元，较2024年同期增长40.36%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.18亿元，较2024年同期增长62.14%；（3）公司Tri-gate IGBT产品报告期内实现营业收入2,066.61万元,较2024年同期增长88.62%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入168.89万元，较2024年同期增长18.15%；（5）公司SiC器件产品（含Si2C MOSFET）报告期内实现营业收入34.91万元，较2024年同期增长5.24%；（6）公司功率器件模块产品报告期内实现营业收入610.96万元。
　　报告期内，公司产品以车规级、工业级应用为主，报告期内上述领域营业收入占比约84%，主要来自各类工业及通信电源、车载充电机、光伏逆变器、新能源汽车直流充电桩等领域。公司主要细分领域收入具体表现为：各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重约39%，该领域收入较上年同期增长约74%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重约22%，该领域收入较上年同期增长逾90%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重逾7%，该领域收入较上年同期增长约98%；新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收入的比重约7%，该领域收入较上年同期增长约45%。
　　2025下半年度，公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　作为电能转化和电路控制的核心器件，功率半导体下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，国内对功率半导体产品的需求扩大，推动了行业的快速发展，良好的发展前景吸引了国内诸多企业进入这一领域。行业内厂商在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展，市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时进行技术迭代、提高产品性能与服务质量，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。作为全球最大的应用市场，中国市场对国际厂商来说具有重要的战略意义，因此国际厂商纷纷不断增加在中国的研发、技术、资本和人员投入，并扩大营销网络和市场布局，以占据中国功率器件市场的优势地位。相较于消费级客户，工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如果公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期，将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。
　　（二）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业出现产能紧张的情况，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司持续发展需求，从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面，公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于高性能功率器件的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系。由于公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　3、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司营业收入中经销收入占比相对较高，为66.82%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等仍占据了高性能功率半导体器件的主要市场，这些企业具有较大的生产规模和市场份额，产品线齐全，技术实力雄厚。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内功率半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进功率半导体器件公司的竞争也愈加激烈。在此背景下，终端客户可能采取向多家供应商分散采购的策略，从而降低企业在终端客户中的采购份额和采购单价，若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会持续波动、下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为18,076.94万元，公司应收账款账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　3、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为46,067.58万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　4、税收优惠政策变动风险
　　公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、研发加计扣除等。公司系高新技术企业，于2024年11月获得江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、国家税务总局江苏省税务局颁发的《高新技术企业证书》，有效期为三年。报告期内公司按15%的税率征收企业所得税。如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
　　（四）行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。国家持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）。《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（2020年），明确集成电路产业是核心，提出深化国际合作、提升创新能力等措施。《关于巩固回升向好趋势加力振作工业经济的通知》（2022年），强调半导体作为关键领域，要求优化产业环境。未来，如果国家相关产业政策支持力度减弱，将不利于国内功率半导体行业的技术进步，加剧对进口半导体器件的依赖，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2、下游需求波动的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及产能库存等因素紧密相关。因此，若新能源汽车、光伏逆变及储能、5G通信等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响。
　　3、功率半导体周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，功率半导体行业存在一定的周期性变化。功率半导体器件广泛应用于工业制造、新能源、汽车电子、通信运输、消费电子等国民经济各个领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致功率半导体行业处于低迷状态，则功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。
　　（五）宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。全球贸易保护主义壁垒高筑，地缘政治冲突和国际贸易摩擦频发，未来国际贸易政策存在一定的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。 收起▲

　　一、经营情况讨论与分析　　2024年，全球经济形势复杂多变，面对全球经济增速放缓、市场需求相对供给不足、价格整体偏弱等多重外部挑战，公司始终坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线。2024年是半导体行业展现复苏曙光的一年，随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展，对逻辑芯片和存储芯片的需求呈现出爆发式增长，而在其他一些传统或特定应用领域的半导体产品，由于技术更新换代较慢、市场竞争激烈、需求饱和等原因，出现了增长乏力甚至负增长的情况，整体来看，各细分领域复苏进度并不一致。在此背景下，公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规... 查看全部▼

　　一、经营情况讨论与分析
　　2024年，全球经济形势复杂多变，面对全球经济增速放缓、市场需求相对供给不足、价格整体偏弱等多重外部挑战，公司始终坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线。2024年是半导体行业展现复苏曙光的一年，随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展，对逻辑芯片和存储芯片的需求呈现出爆发式增长，而在其他一些传统或特定应用领域的半导体产品，由于技术更新换代较慢、市场竞争激烈、需求饱和等原因，出现了增长乏力甚至负增长的情况，整体来看，各细分领域复苏进度并不一致。在此背景下，公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产能供给，持续进行前沿技术的合作。
　　（一）整体经营业绩情况
　　报告期内，公司实现营业收入10.03亿元，较上年同期增加3.12%；实现归属于上市公司股东的净利润4,023.51万元，较上年同期减少71.27%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元，较上年同期减少98.06%。公司产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域，减少对单一市场及单一产品的依赖性，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。报告期内，公司保持了主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，整体销售规模较上年同期小幅增加，但由于产品销售价格的下降，公司毛利率有所下降，企业盈利承受一定压力。
　　（二）持续技术迭代，强化研发体系建设
　　报告期内，公司积极推进主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiCMOSFET（含Si2CMOSFET）产品线的技术迭代和产品升级。硅基产品线，在充分利用8英寸晶圆代工平台制造能力的基础上，12英寸晶圆代工平台由产能扩充阶段全面进入到产品升级阶段，主力规格产品的升级基本完成。同时，公司进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体SiCMOSFET产品线实现量产，产品性能达到国内外第一梯队水平。
　　综上，报告期内，公司持续保持研发投入，主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化，车规产品管理评审流程得以健全。公司自研的新一代产品生命周期管理系统上线开发，旨在进一步推动研发效率的提升。
　　（三）持续稳定供应商关系，保证产能及时交付
　　报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。在第三代半导体领域，公司与多家SiC代工厂进行SiC二极管、SiCMOSFET以及Si2CMOSFET的深入合作，保障公司第三代半导体产品系列研发工作的有序推进及产能供应，通过合理有效的采购方式应对产能供给的周期性变化，降低产能波动对公司产品交付及时性的影响。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。
　　（四）持续聚焦产业链上下游布局，提升产业协同，赋能公司发展
　　公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区智源微新创业投资合伙企业（有限合伙），主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。公司密切关注优质资产及并购机会，综合考虑业务、上下游产业链协同、公司发展战略规划等情况，充分评估风险收益，谨慎决策。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。
　　（五）减排增效，践行可持续发展理念
　　公司秉持“稳健发展，保护环境”的管理方针，坚定不移地将绿色低碳理念全方位融入生产经营的每一处环节。持续发力完善环境管理体系建设，大力推行绿色办公理念，致力于为我国顺利实现“双碳”目标贡献东微力量。未来，公司将持续践行可持续发展理念，根据ESG工作规划不断完善自身制度建设，回应利益相关方，在日常经营的各个方面完成ESG相关的举措。
　　
　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司近年积极扩展高性能中低压功率器件产品系列，多个大电流低导通电阻产品获得工业和车载重要客户认可，订单需求上升。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOSFET多个产品已完成量产考核，进入批量供货阶段，具有低导通电阻以及覆盖车规级高可靠性要求等特点。650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，性能处于国内领先水平，目前已进入送样验证阶段。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已经用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等领域。
　　（1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
　　1）MOSFET
　　新能源汽车是公司一直以来的重点应用方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司应用于车载电子领域。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等。随着新能源汽车高压平台车型陆续上市，渗透率不断提高，对于直流快充/超充桩/液冷终端需求也将不断攀升。直流充电桩领域是公司基础应用方向，公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长，继续批量出货给客户A、维谛技术、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司；继续批量出货给客户A、禾迈股份、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞瓦特、固德威等公司并应用于光伏逆变器及储能领域。报告期内，上述细分市场持续增加设计规格。
　　报告期内，公司中低压屏蔽栅MOSFET获得工业和车载重要客户认可，销售额及销售量均同比增长。持续批量出货给客户A、长晶科技、世纪云芯、东科半导体、铂科电子、长城科技、欧陆通、美的股份等公司并大量应用于算力服务器电源系统、汽车、工业及消费电子设备领域，并且持续增加规格设计。
　　除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）等公司，并持续增加设计规格。批量出货给高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客户。
　　公司超级硅MOSFET器件主要应用于高密度电源领域，批量进入航嘉驰源、视源股份、艾罗网络、禾迈股份、升华电源、硕通电子等客户。
　　公司加大了TGBT大功率产品的研发投入，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车领域的客户导入、产品验证工作，获得终端客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。2024年，公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品，多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电器领域。基于950V平台产品的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案；下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号，已经通过部分工业电机及光伏逆变类客户验证并进入批量交付阶段。
　　（2）SiC器件（含Si2CMOSFET）业务进展
　　公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。报告期末，公司的SiC二极管、SiCMOSFET、具有自主知识产权的Si2CMOSFET均已经实现量产。其中，公司第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOSFET多个产品已完成量产考核，进入批量供货阶段；650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，已进入送样验证阶段，预计2025年批量供货。Si2CMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代。
　　公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　2、主要产品
　　公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　公司上述产品的具体介绍如下：
　　（1）高压超级结MOSFET
　　公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET
　　公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
　　公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用CopperCip技术封装的超低导通电阻的产品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。
　　（3）超级硅MOSFET
　　公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
　　（4）TGBT
　　公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下。
　　公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了电流密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、压缩机控制、电焊机、光伏逆变器等领域。
　　公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、Si2CMOSFET等产品。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。公司SiC产品基于第一代技术的基础，迅速进行技术迭代以应对近年国内SiC市场降本增效的需求。SiCMOSFET产品已经实现第二代、第三代技术平台的量产，并推出了多款技术领先的产品，第四代SiCMOSFET平台也已完成研发。Si2CMOSFET则部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量。Si2CMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在一部分应用场景中取代SiCMOSFET。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabess的经营模式。Fabess模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　1、研发模式
　　公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。
　　公司的产品研发流程具体如所示：
　　公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。同时，公司具有深度定制开发的能力。在产品研发阶段，公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾（QuarteryTechnoogyReview，“QTR”）与季度业务（QuarteryBusinessReview，“QBR”)回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。同时，晶圆厂也会定期向公司提供制程能力（CompexProcessCapabiity,“CPK”)管控数据及外观检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告。公司也会定期对厂家的管控计划提出意见，以保证产品质量。
　　2、采购与生产模式
　　公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabess模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，即公司将自主研发设计的集成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。
　　3、销售模式
　　结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至客户指定地点。
　　公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。
　　4、管理模式
　　自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品开发和营销经验，经过多年的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相应的业绩衡量指标。从管理架构上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及售后维护的专业性，不断提高和积累技术能力，又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标，以确保相应任务高质量完成。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）所处行业
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。
　　（2）行业发展阶段
　　①全球功率半导体市场分析
　　在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。
　　据WSTS预计，2024年全球半导体市场规模的增长将主要由逻辑芯片和存储芯片推动，增幅分别达到两位数，而分立器件、光电子器件等领域的规模将出现个位数下降。从产品结构看，2024年逻辑芯片和存储芯片出现了两位数增长，其中，GPU、FPGA、ASIC等逻辑芯片增速高于行业平均增速，这得益于AI大模型对底层大模型算力需求的激增。而分立器件、光电器件、传感器和模拟芯片预计出现2%-10%负增长。这种产品结构的增长差异，反映了市场需求的不均衡性。根据Omida的数据及预测，全球功率半导体市场规模2023年达到503亿美元，2024年全球功率半导体市场规模将增长至522亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占15.1%。随着信息技术的不断发展，计算和通信领域对半导体芯片的需求持续增长，无论是服务器、数据中心等计算设备，还是5G、6G等通信技术的发展，都离不开高性能的半导体芯片。汽车行业的电动化、智能化发展趋势，也促使汽车对半导体芯片的需求大增，从传统的发动机控制到自动驾驶、智能座舱等功能的实现，都需要大量的半导体芯片支持。
　　○2中国市场分析
　　目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场规模约为38%。
　　（3）行业的主要特点
　　①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
　　功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
　　②IDM与Fabess模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
　　目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabess模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabess模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabess模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabess模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
　　③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
　　“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业细分需求多样化，功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要求极高。
　　（4）主要技术门槛
　　功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabess设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
　　功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。
　　（1）产品品类及技术方面
　　在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
　　在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipoarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。
　　在SiC领域，公司的SiC二极管、SiCMOSFET均已经实现量产。第一代、第二代、第三代650V及1200VSiCMOSFET均已通过可靠性测试，推向市场。第四代SiCMOSFET产品技术平台完成研发。公司发明的Si2CMOSFET产品克服了传统SiCMOSFET成本高、Vth飘移、抗电流浪涌能力弱的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET的优秀的反向恢复能力，已经在市场批量出货，取代了一部分SiCMOSFET的应用。
　　此外，公司还在功率模块及GaN器件方面持续进行研发投入并初步进入相关市场，为公司的长远发展打下基础。
　　（2）产品结构方面
　　公司的功率器件产品包含了具有高技术含量的高压超级结MOSFET产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET、独创结构且产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品、性能处于国内领先水平的SiCMOSFET产品已经实现量产、公司基于自主知识产权的Si2CMOSFET产品在2024年持续出货。由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。
　　（3）产品应用领域方面
　　公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾79%。应用领域包括5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等。
　　由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，通常而言其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。同时，为公司的长远发展和占领更大的市场，公司对产品价格也进行了适当的调整。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
　　1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代
　　采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。
　　2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
　　第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，以SiCMOSFET为主要内置芯片的电控主驱模块在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。同时，随着国产SiC器件继续在降本增效方面的努力，SiCMOSFET在算力电源，光伏储能领域对硅基功率器件的替代也逐见端倪。SiCMOSFET在电动汽车主驱逆变器、光伏逆变器领域渗透率持续提升。根据Yoe发布的SiC（碳化硅）/GaN（氮化镓）市场研究报告称，预计2029年SiC功率器件市场规模将达到100亿美元，SiC市场的快速扩张主要得益于EV（电动汽车）的需求。GaNHEMT市场主要由消费应用驱动，最近的趋势包括充电器的更高输出功率以及家用电器电源和电机驱动器的更高效率/小型化。汽车和数据中心应用对GaN功率器件的期望也不断提高，依托高频优势，有望快速渗透消费电子快充、数据中心电源、5G基站等领域。
　　3）功率器件模块和分立化的竞争
　　除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，低压大电流和中高压大电流的应用场景都带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
　　（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
　　随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、5G、自动驾驶等技术的快速发展，半导体行业也迎来了新的变革浪潮。一方面需求爆发，AI技术持续进步不断刺激新应用的落地，新兴应用让芯片需求不断攀升；另一方面，市场供需不平衡、价格战加剧，隐藏着产能过剩和利润缩水的现实，产业链迎接机遇也面临挑战。
　　1）人工智能及数据中心建设
　　随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键。随着云计算的不断发展，全球范围内云数据中心、超级数据中心的建设速度亦不断加快。
　　根据IDC数据，2024年服务器行业整体表现强劲，尤其是AI服务器市场增长显著。2024年全球服务器市场规模达到约1,693.4亿美元，预计2031年将达到2,812.6亿美元，2025-2031期间年复合增长率为7.4%。AI服务器市场表现出色，2024年全球AI服务器市场规模为1,251亿美元，预计2025年将达到1,587亿美元，到2028年有望突破2,227亿美元。
　　IDC发布的《中国智算服务市场（2024上半年）跟踪》报告显示，2024上半年中国智算服务整体市场同比增长79.6%，市场规模达到146.1亿元人民币。从智算服务的增长态势来看，IDC认为智算服务市场在未来五年内仍将保持超高增速高速成长。
　　工信部《算力基础设施高质量发展行动计划》显示，2023年我国算力规模达到220EFLOPS，其中智能算力占25%，目标到2025年，算力规模超过300EFLOPS，智能算力占比达到35%。截至2024年6月，全国在用算力中心机架总规模超过830万标准机架，算力总规模达246EFLOPS。
　　数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，随着人工智能的发展和数据中心建设的展开，公司发明的一系列SiCMOSFET器件、Si2CMOSFET器件及超低电阻超级结器件、SGTMOSFET将有望在此类市场中实现销售额的增长。
　　2）新能源汽车领域
　　①新能源汽车
　　中国汽车工业协会数据，2024年，我国汽车产销量分别达3,128.2万辆和3,143.6万辆，同比分别增长3.7%和4.5%。其中，新能源汽车产销量首次跨越1,000万辆大关，分别达1,288.8万辆和1,286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%。新能源新车占汽车新车总销量的比重达到40.9%，较2023年提高9.3个百分点。总体来看，全球半导体分立器件最大的应用领域之一仍是汽车领域，主要终端应用的稳定增长，为功率分立器件奠定稳固的基本需求。
　　②车规级功率半导体
　　车规级功率半导体器件，是指专为汽车应用设计并满足汽车行业严格标准的半导体产品。这些器件不仅需要具备高性能、高可靠性，还必须在极端环境下（如高温、低温、振动、电磁干扰等）保持稳定工作，供货周期一般长达10-15年。为了确保质量，车规级半导体器件通常需要通过一系列行业公认的认证标准，如AEC（汽车电子委员会规范）系列标准。车规级功率半导体同时也是电动汽车“三电系统”的核心部件，影响驱动效率、充电速度和续航里程。
　　新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。
　　在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　功率半导体在新能源汽车半导体价值量中的占比高达50%左右。第三方市场调研机构Omdia曾预测，2023年全球车规级半导体市场规模将达641亿美元，同比增长14.3%，其中中国市场规模预计达到177亿美元。2025年全年车规级半导体市场规模将达到804亿美元，中国市场规模达到216亿美元，其中功率半导体占比将突破30%。
　　3）充电桩
　　中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，截至2024年12月,全国电动汽车充换电基础设施累计数量为1,281.8万台,同比上升49.1%。2024年1-12月,全国充电基础设施增量为422.2万台,同比上升24.7%。其中公共充电桩增量为85.3万台,同比下降8.1%,随车配建私人充电桩增量为336.8万台,同比上升37.0%。
　　充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压、开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件，也面临着不断优化和升级。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。
　　此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件高压超级结MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET的快速增长。
　　4）5G基站
　　根据工业和信息化部发布的2024年上半年通信业经济运行情况数据显示：我国5G网络建设深度覆盖，截止2024年年底，我国5G基站总数达425.1万个，比上年末净增87.4万个，占移动基站总数的33.6%，占比较上年末提升4.5个百分点。5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。
　　综上所述，5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、MassiveMIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
　　5）光伏逆变及储能
　　根据国家能源局发布的2024年光伏发电建设情况：2024年全年，光伏新增装机277.57GW。其中，集中式光伏新增装机159.39GW，同比增长33%，分布式光伏新增装机118.18GW，同比增长23%，户用光伏新增装机29.55GW，同比减少23%，工商业新增装机88.63GW，同比增长68%。根据中国光伏行业协会预测，2025年我国光伏新增装机规模或落于215GW-255GW区间。对比2024年277.57GW的数据，2025年我国光伏新增装机预期同比下滑约8.1%-22.5%。
　　根据CNESADataLink全球储能数据库不完全统计，截止到2024年底，全国新型储能累计装机首次超过百吉瓦时，达到78.3GW/184.2GWh，同比增长126.5%/147.5%，新增新型储能投运装机规模43.7GW/109.8GWh，同比增长103%/136%。各地“十四五”储能发展累计目标达到86.6GW，远超国家的40GW目标水平。CNESA预测，2025年新型储能新增装机预计在40.8GW~51.9GW之间，平均45GW左右。储能技术的不断创新将推动产业升级，大容量储能电芯的研发和量产将进一步加速，长时储能技术也将迎来大规模增长，满足新能源电力系统对长时间储能的需求。此外，人工智能技术将在新型储能领域得到更广泛的应用，提高储能系统的安全性和稳定性。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。
　　(四)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图加速推进各项技术迭代。主营产品技术迭代和产品升级有序进行，高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品均完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展。报告期内，在功率模块和GaNHEMT领域实现了突破，其中，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现销售。
　　1）超级结MOSFET方面：
　　深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术。公司深槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结MOSFET由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结MOSFET在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关损耗和驱动能量损耗。
　　基于上述核心技术，公司的GreenMOS系列高压深槽超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。公司的深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。
　　报告期内，公司完成超级结MOSFET8英寸及12英寸的扩产工作。在产品性能可以对齐8英寸的前提下，12英寸晶圆代工厂显示出了优良的工艺控制能力。12英寸晶圆制造平台的技术转移使得超级结MOSFET的供应能力获得大幅提升。第四代超级结MOSFET量产工作已经完成，多颗产品已通过客户认证，获得批量订单；第五代超级结MOSFET首批物料完成量产考核并小批量交付；第六代的研发工作顺利推进中，研发团队已经完成第六代超级结MOSFET工艺平台的初步流片和测评。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备的性能提升，公司将进一步突破产能和工艺瓶颈，以获得更大的市场份额。
　　2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：
　　公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。公司的中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。
　　优化了25V-150V全规格段产品性能。多颗产品通过第三方车规考核并进入更多车规客户。在大电流高频率领域，25V-80V高频系列单体器件性能国内领先，公司25V、30V、40V、60V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，新型机器人等领域实现了销售。
　　3）独创结构的TGBT方面：
　　公司TGBT产品设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；公司独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。
　　在TGBT领域，公司应对市场变化，除了传统家电，新能源车主驱应用场景外，将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。报告期内，公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品，多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电机领域。
　　同时，公司研发团队完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，使得大功率TGBT芯片器件的电性能、可靠性以及芯片成本得到了全面的优化。使用公司研发的650V高频TGBT搭载公司自研的高可靠性SiC续流管，已大批量供应于新能源车载充电机领域；950V平台所制造的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案；下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号，已经得到部分工业电机及光伏储能客户的认可，进入批量交付阶段。
　　4）Hybrid-FET器件方面:
　　Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件架构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。
　　公司的Hybrid-FET器件兼具IGBT与MOSFET器件的优势，综合提供更加符合应用场景的解决方案，器件及其工艺技术处于国内领先水平，目前该技术已申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于TGBT技术，因此是TGBT的一个子类。报告期内，Hybrid-FET器件稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。以90A的Hybrid-FET产品为例，该产品已经批量应用于客户系统中，处于稳定出货状态，其在客户端的最高工作频率可达100K以上，采用该产品的系统，效率比采用传统器件的系统有大幅提升。
　　5）SiC器件方面：
　　公司非常重视并长期跟进SiC技术的发展。通过逐步积累知识产权和头部工厂保持联动，积极推进SiC器件产品的研发及量产工作。
　　报告期内，公司第二代、第三代SiCMOSFET通过可靠性测试进入量产阶段，并开始获得客户订单；第三代、第四代SiCMOSFET研发工作进展顺利。第四代研发产品已完成制样，性能可对标国外一线品牌水平。同时，公司积极布局基于SiC器件的功率模块开发，通过优化SiC器件性能以及模块封装代工资源加速SiC业务的拓展。在前期工业和车用单管类SiCMOSFET开发成功的基础上，公司已经启动主驱模块芯片的开发，为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。
　　6)Si2CMOSFET器件方面：
　　Si2CMOSFET器件具有独创的器件架构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，可以在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等多种应用场景替换采用传统技术路线的SiCMOSFET，性价比极高。
　　7）超级硅MOSFET方面：
　　公司的超级硅MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入SiCMOSFET及GaNHEMT的应用领域。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司新增知识产权申请项目15个，其中发明专利申请数12个；新增知识产权授权项目24个，其中境内发明专利1个，境外发明专利22个。
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明
　　
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先甚至国际领先
　　公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系。完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。凭借优秀的研发实力，公司主要产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET产品、TGBT产品以及SiCMOSFET（含Si2CMOSFET）方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术并持续优化升级。
　　在持续投入研发的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
　　2、丰富的产品规格，满足不同应用场景的需求
　　功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域，包括5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS电源和工业照明电源、直流充电桩、储能和光伏逆变器、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器领域等。
　　3、作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的客户基础
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
　　4、稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续技术合作
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。
　　5、经验丰富的管理团队，核心成员深耕半导体多年
　　公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，从事半导体技术研发工作超过20年，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者，拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。除联合创始人及研发团队以外，公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。公司的核心技术人员均在公司任职超过5年，工作稳定，熟悉公司业务流程并作为开发项目负责人主导和参与了公司各重大科研项目的开展。
　　公司是国内领先的高性能功率器件厂商之一。公司目前已积累了知名的国内外客户群，产品及方案被各终端应用领域广泛应用，市场认可度逐渐提高。一直以来，公司深耕5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS电源和工业照明电源、直流充电桩、储能和光伏逆变器等领域，通过强大的研发实力和优越的产品性能，成为了量产工业级和汽车级高压超级结MOSFET、工业级和汽车级中低压SGTMOSFEET及工业级新型IGBT器件的高性能功率半导体厂商。
　　公司在高端功率器件领域的技术能力与产品性能已接近国际一流厂商，在人工智能及算力服务器、新能源汽车、低空经济等行业蓬勃发展的历史机遇面前，公司将进一步发挥本土优势，迅速提升各类产品的市场占有率。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　报告期内，受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格较上年同期有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，持续加大市场拓展力度，报告期内继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，公司整体销售规模较上年同期也有所增加，但由于产品销售价格的下降，公司毛利率有所下降。公司持续保持前瞻性研发投入，主营产品技术迭代升级有序进行，新产品开发稳步推进。相应的职工薪酬、加工检测费、研发设备等均持续投入。另外，公司基于谨慎性考虑，对可能出现减值迹象的相关资产进行了减值测试，2024年计提的信用减值损失为682.90万元，计提的存货跌价损失为2,209.57万元。以上多重因素，致使公司盈利能力有所减弱。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，且公司未能及时采取措施积极应对，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩下滑的风险。
　　(三)核心竞争力风险
　　作为电能转化和电路控制的核心器件，功率半导体下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，国内对功率半导体产品的需求扩大，推动了行业的快速发展，良好的发展前景吸引了国内诸多企业进入这一领域。行业内厂商在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展，市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时进行技术迭代、提高产品性能与服务质量，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。作为全球最大的应用市场，中国市场对国际厂商来说具有重要的战略意义，因此国际厂商纷纷不断增加在中国的研发、技术、资本和人员投入，并扩大营销网络和市场布局，以占据中国功率器件市场的优势地位。相较于消费级客户，工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如果公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期，将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。
　　(四)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业出现产能紧张的情况，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司持续发展需求，从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面，公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于高性能功率器件的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系。由于公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　3、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司营业收入中经销收入占比相对较高，为65.38%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等仍占据了高性能功率半导体器件的主要市场，这些企业具有较大的生产规模和市场份额，产品线齐全，技术实力雄厚。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内功率半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进功率半导体器件公司的竞争也愈加激烈。在此背景下，终端客户可能采取向多家供应商分散采购的策略，从而降低企业在终端客户中的采购份额和采购单价，若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会持续波动、下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为16,294.43万元，公司应收账款账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　3、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为36,060.22万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　4、税收优惠政策变动风险
　　公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、研发加计扣除等。公司系高新技术企业，于2024年11月获得江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、国家税务总局江苏省税务局颁发的《高新技术企业证书》，有效期为三年。报告期内公司按15%的税率征收企业所得税。如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
　　(六)行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。2017年，相关部委发布了《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）》，将集成电路芯片设计及服务列入战略性新兴产业重点产品目录，并明确了电力电子功率器件的地位和范围，其中包括了MOSFET和IGBT等功率器件。此外国家还持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）等。如果未来国家相关产业政策支持力度减弱，公司的经营业绩将会受到不利影响。
　　2、下游需求波动的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及产能库存等因素紧密相关。因此，若新能源汽车、光伏逆变及储能、5G通信等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响。
　　3、功率半导体周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，功率半导体行业存在一定的周期性变化。功率半导体器件广泛应用于工业制造、新能源、汽车电子、通信运输、消费电子等国民经济各个领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致功率半导体行业处于低迷状态，则功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。
　　(七)宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。全球贸易保护主义壁垒高筑，地缘政治冲突和国际贸易摩擦频发，未来国际贸易政策存在一定的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入10.03亿元，较上年同期增加3.12%；实现归属于上市公司股东的净利润4,023.51万元，较上年同期减少71.27%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元，较上年同期减少98.06%。公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1）公司高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入7.83亿元，较2023年同期减少2.80%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.79亿元，较2023年同期增长40.09%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入3,714.81万元,较2023年同期增长24.30%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入238.50万元，较2023年同期减少72.28%；（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）报告期内实现营业收入63.65万元,较2023年同期减少9.65%。2024年，公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　1、行业竞争格局
　　功率半导体行业全球市场集中度高，尤其是高端功率器件领域以美、日、欧等国厂商为主导。其中，高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等厂商长期占据垄断地位。功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面，竞争格局较为分散，市场集中度较低，Fabess(无晶圆厂)和IDM厂商并存，高端产品依赖进口，中低端产品又深陷价格战的泥潭。近年来，随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新，国产功率半导体企业取得较大进步，国内孕育出一批优秀的功率半导体器件企业，逐步从低端市场向高端应用领域持续渗透。过去两年，去库存成为了行业的核心任务，整个行业承受着巨大的压力。然而，行业的自我修复能力亦不容小觑。随着库存水平的逐步调整和市场需求的有序恢复，功率半导体市场正在逐步回暖。
　　2、行业发展机遇
　　（1）半导体行业整合热潮，产业并购大势所趋
　　2024年以来，证监会等经济主管部门以及各地方政府相继出台了支持上市公司并购重组的政策举措，加速推动行业整合。其中，6月发布了《关于深化科创板改革服务科技创新和新质生产力发展的八条措施》，9月发布了《关于深化上市公司并购重组市场改革的意见》。上海、深圳、苏州等地的地方行动方案进一步支持企业并购重组。其中，苏州在今年1月发布了《苏州市推进并购重组促进高质量发展行动方案（2025—2027年）》，包括提升苏州企业并购重组积极性、引导国有企业通过并购重组做优做强、丰富并购重组融资渠道、搭建并购重组综合服务平台、优化提升并购重组营商环境、加强对并购重组活动的风险防控等，支持上市公司、相关国企把握并购重组机遇、赋能经济高质量发展。鼓励企业在集成电路等重点产业赛道上积极开展并购重组，快速提升产业规模和实现关键技术突破。从全球半导体行业发展历程来看，并购是很多国际知名半导体企业走强的有效经验，国内半导体并购热潮的持续升温，体现了政策支持和市场需求的双向驱动。
　　（2）国家及地方政策陆续出台，为行业发展提供有利的宏观环境
　　近年来，国家及地方出台了多项产业和财税政策推动半导体产业发展，为功率半导体提供了良好的产业发展环境和可靠保障。相关产业政策下述：
　　2022年01月12日，国务院印发《“十四五”数字经济发展规划的通知》（国发〔2021〕29号），指出：增强关键技术创新能力。瞄准传感器、量子信息、网络通信、集成电路、关键软件、大数据、人工智能、区块链、新材料等战略性前瞻性领域，发挥我国社会主义制度优势、新型举国体制优势、超大规模市场优势，提高数字技术基础研发能力。
　　2021年3月12日，十三届全国人大四次会议发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，指出：瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。集成电路领域包括设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
　　2020年10月29日，中国共产党第十九届中央委员会第五次全体会议《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标的建议》瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
　　2020年8月4日，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。文件指出：为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施。进一步创新体制机制，鼓励集成电路产业和软件产业发展，大力培育集成电路领域和软件领域企业。加强集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置，支持产教融合发展。严格落实知识产权保护制度，加大集成电路和软件知识产权侵权违法行为惩治力度。推动产业集聚发展，规范产业市场秩序，积极开展国际合作。
　　2017年2月4日，国家发改委印发《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）》，进一步明确电力电子功率器件的地位和范围，包括金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶闸管（GTO）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、中小功率智能模块。
　　综上所述：国家相关政策的出台有利于功率半导体行业健康、稳定和有序的发展。
　　（3）“碳达峰、碳中和”双碳目标驱动功率半导体器件需求
　　2021年10月26日，国务院印发《国务院关于印发2030年前碳达峰行动方案的通知》（国发〔2021〕23号），将碳达峰贯穿于经济社会发展全过程和各方面，重点实施能源绿色低碳转型行动、节能降碳增效行动、工业领域碳达峰行动、城乡建设碳达峰行动、交通运输绿色低碳行动、循环经济助力降碳行动、绿色低碳科技创新行动、碳汇能力巩固提升行动、绿色低碳全民行动、各地区梯次有序碳达峰行动等“碳达峰十大行动”。2020年9月22日，习近平总书记在第七十五届联合国大会一般性辩论上宣布：“中国将提高国家自主贡献力度，采取更加有力的政策和措施，二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和。
　　就我国而言，当前碳排放主要来源于化石能源的利用过程。可再生能源替换化石能源来解决碳排放问题变得尤为紧迫和重要。目前，可再生能源存在能量密度低、时空分布不均衡、不稳定、成本较高等特点，成为其规模化应用的瓶颈。未来一段时间内，化石能源清洁高效利用、可再生能源大规模利用，是实现“双碳”目标的必经之路。化石能源清洁高效利用、节能减排驱动高性能功率半导体器件的研发及应用。主要表现在如下三个方面：1）清洁能源(水电、风能、太阳能)无论发电、传输、储存都需要高性能电力转换；2）提升终端用电设备的使用效率(降低单位生产值的排放量)，需要大量高性能功率半导体器件；3）利用电能替代石化能源的直接燃烧(新能源汽车、电加热器)需要大量高性能功率半导体器件。
　　（4）国产化替代成为我国功率器件市场长期的主旋律
　　中国已成为全球最大的功率半导体市场，伴随着国内功率半导体行业技术水平的不断提升，以及新能源汽车行业的发展、高端制造的崛起，功率半导体器件的“中国制造”在中高端市场拓展速度在不断加快，中国的功率半导体企业将迎来难得的发展机遇。然而，英飞凌、安森美、意法半导体等国际一流半导体制造企业却长期占据着我国半导体高端应用市场，上述厂商产品的价格通常情况下高于国内厂商，无法满足国内低成本高功效的市场需求。
　　随着国内企业逐步参与到全球半导体市场的供应体系，以及下游行业大力创新的驱动，国内企业逐步积累了较为丰富的功率器件研发和生产经验，部分优秀企业参与到中高端半导体市场的竞争，并取得了一定的知名度和市场占有率。但在新能源汽车、电力、轨道交通等领域应用较多的高端产品中高压MOSFET、IGBT技术门槛较高，工艺更复杂，且客户认证壁垒较高，目前仍主要依赖于进口，国产替代将成为我国半导体市场发展中长期的主要基调。
　　(二)公司发展战略
　　公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。公司领先的功率器件和工艺创新能力已得到了充分的验证，受到终端客户的认可。未来，公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。公司制定的战略规划如下：
　　1、持续专注于研发高效率、低损耗产品，实现国产功率器件的自主可控
　　作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司将进一步利用平台优势提高现有产品的性能。公司计划充分发挥自主知识产权的技术优势，充分利用12英寸制程工艺，进一步提升产品动态性能，优化一致性和稳定性，达到甚至超过国际先进产品的性能。同时，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，持续跟踪新兴终端市场的变化，坚持以客户与市场为导向，实现国产高端、高速功率器件产品的自主可控。
　　2、深化与上下游优秀合作伙伴的合作，实现双赢
　　作为技术创新驱动型设计公司，公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabess的轻资产经营模式，充分利用国内外一流的代工资源，更快速地实现新技术的成果转化。基于上述经营模式，公司将根据代工厂产能扩张幅度，获取对公司更大的支持力度，与代工合作伙伴充分依托各自在技术、产能等方面的优势集中资源共同讨论，开发出更多优秀的产品系列，进而提高各自的竞争力，并进一步强化公司的技术优势和产能优势。
　　3、探索资源整合的方式，加速产品能力提升
　　除了通过内生发展的方式提高产品能力外，公司将探索并购整合的方式加速产品能力的提升。在公司核心产品高性能功率器件产品上，公司将通过并购整合具有创新与技术能力的企业，结合公司自身的创新技术与工艺能力经验，进一步提升如车规级功率器件领域、算力服务器电源和新能源功率模块领域以及先进材料等领域的高性能功率器件产品开发能力。同时，公司亦会探索上下游资源整合的路径，进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构。
　　(三)经营计划
　　一直以来，公司深耕基站电源及通信电源、数据中心、人工智能和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等领域，通过功率器件底层技术创新，开发出一系列性能优越的产品。为实现战略目标，公司将进一步加强研发投入，加强人才团队建设，持续进行技术创新，优化产品结构，扩大各个产品系列的市场份额，为客户及股东创造价值。具体计划如下：
　　1、继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与多元化；持续开发更多新技术，以产品性能为第一竞争力，实现产品的多元化。
　　2、持续扩大各类功率器件的产能，进一步扩充12英寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT及SiC的产品规格与系列，扩大市场占有率。
　　3、重点加大人工智能（AI）、算力服务器电源等在内的新兴应用领域的产品开发，加大研发投入，保持现有产品的持续竞争力，并在此基础上开发新品，不断推出高性能、高品质、高附加值的产品，进一步开拓新产品线，力争提升业务规模和盈利能力。
　　4、加强研发技术力量和人才队伍建设，公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设，将根据市场需求，以引进人才和培养人才为基础，激励现有员工和公司形成利益共同体，吸引国内外优秀设计人才加入公司，促进人才队伍建设、研发技术力量建设、提高公司经营效率，形成良性循环，最终实现业绩的增长及公司发展规划。
　　5、利用好上市公司的资本优势，加大在半导体上下游产业布局，提升产业协同，赋能公司发展，以谋求公司更为长远的发展。
　　6、随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续加强内控建设，提高公司经营管理水平和风险防范意识，促进公司高速、稳定、健康发展。结合公司实际情况，梳理现有管理制度，在符合内部控制要求的前提下，建立适合本公司的内部控制管理体系，明确相关部门人员的职责和权限，对内部控制的实施情况进行持续监控，及时发现和纠正存在的问题，确保内部控制的有效性，建立彼此连接、彼此约束的内控制度。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所处行业情况　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛　　（1）所处行业　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。　　（2）行业发展阶段　　①全球功率半导体市场分析　　在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）所处行业
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。
　　（2）行业发展阶段
　　①全球功率半导体市场分析
　　在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据Omida、国信证券研究所数据及预测，全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至2023年的503亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元。应用场景上看，根据WSTS预测，中金公司研究部数据，到2027年分立器件的细分市场规模为402亿美元，其中，WSTS预计集成电路市场有望在2024和2025年看到较强劲的复苏，同比增速分别为+20.8%/+13.7%；光学器件、传感器、分立器件的复苏则比前次预期更慢，2024年营收或同比下滑，但有望在2025-2027年看到持续的温和增长。
　　②中国市场分析
　　目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场规模约为38%。
　　（3）行业的主要特点
　　①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
　　功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
　　②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
　　目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
　　③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
　　“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业细分需求多样化，功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要求极高。
　　（4）主要技术门槛
　　功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGT MOSFET、SiC MOSFET及GaN HEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
　　功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。
　　（1）产品品类及技术方面
　　在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
　　在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。
　　在SiC领域，公司的SiC二极管、SiC MOSFET均已经实现量产。第一代、第二代605V及1200V SiC MOSFET已通过可靠性测试，逐步推向市场。公司发明的Si2C MOSFET产品克服了传统SiC MOSFET成本高、Vth飘移、抗电流浪涌能力弱的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiC MOSFET的优秀的反向恢复能力，已经在市场批量出货，取代了一部分SiC MOSFET的应用。
　　（2）产品结构方面
　　公司的功率器件产品包含了具有高技术含量的高压超级结MOSFET产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET、独创结构且产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品、性能处于国内领先水平的SiC MOSFET产品已经实现量产、公司基于自主知识产权的Si2C MOSFET产品在2024年持续出货。由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。
　　（3）产品应用领域方面
　　公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾76%。应用领域包括光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源以及工业照明电源等。由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。同时，为公司的长远发展和占领更大的市场，公司对产品价格也进行了适当的调整。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
　　1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代
　　采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。
　　2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
　　第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现，SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。
　　3）功率器件集成化趋势
　　除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领域。而芯片技术的提升可有效提高模块的集成度和综合性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。
　　（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
　　随着应用领域的扩展，新能源汽车、直流充电桩、工业及通信电源、光伏逆变及储能等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，以及对节能减排和能源效率提升的持续追求，在技术进步和市场需求的双重推动下，功率半导体行业不断涌现新的产品和解决方案，以满足不同应用场景的需求。
　　1）新能源汽车
　　①新能源汽车市场规模
　　中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）的统计数据显示，2024年上半年，我国汽车产销分别完成1389.1万辆和1404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。其中，新能源汽车产销分别完成492.9万辆和494.4万辆，同比分别增长30.1%和32%，市场占有率达到35.2%。另外，根据中汽协统计的数据，截至2024年6月底，国产新能源汽车累计产销已超过3000万辆。
　　②车规级功率半导体
　　新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。根据国信证券研究院数据：受益于汽车智能化，2020-2026年MOSFET非动力应用市场将从8.3增至11.1亿美元，其中ADAS在安全管理、域控制系统、泊车系统智能化升级的拉动下将从0.3增加至0.9亿美元；受益于汽车电动化，包含轻混动的非燃油车动力总成市场将从1.5增至6亿美元。
　　在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　2）充电桩
　　中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2024年上半年，充电基础设施增量为164.7万台，新能源汽车国内销量494.4万辆，充电基础设施与新能源汽车继续快速增长。截至2024年6月底，全国充电基础设施累计数量为1024.3万台，同比增加54.0%，充换电基础设施建设快速推进。充电设施与新能源汽车的增长比例保持在1:3，表明充电基础设施的建设基本能够适应新能源汽车市场的快速发展。
　　在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等，超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。
　　此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件高压超级结MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET的快速增长。
　　3）人工智能及数据中心建设
　　随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键。随着云计算的不断发展，全球范围内云数据中心、超级数据中心的建设速度亦不断加快。根据IDC预测，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2025年达317.9亿美元，2023-2025年CAGR为22.7%。中国AI服务器市场规模将从2021年的53.9亿美元增长到2025年的103.4亿美元，2021-2025年CAGR达17.7%。
　　数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了较多创新的电路拓扑，比如，图腾柱PFC电路。一部分传统的高压Si基功率器件技术因为反向恢复速度较慢而逐渐被SiC或者GaN器件所取代，而采用公司发明的Si2C MOSFET技术的新型功率器件可以实现SiC MOSFET的反向恢复速度及高电路效率，在价格与性能之间找到了更好的平衡点。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列SiC MOSFET器件、Si2C MOSFET器件及超低电阻超级结器件、SGT MOSFET将可以在此类市场中实现销售额的增长。
　　4）5G基站
　　根据工业和信息化部发布的2024年上半年通信业经济运行情况数据显示：截止2024年6月30日，我国5G基站总数达391.7万个，比上年末净增54万个，占移动基站总数的33%。5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。
　　综上所述，5G通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、Massive MIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
　　5）光伏逆变及储能
　　根据国家能源局发布的2024年上半年光伏发电建设情况：2024年上半年，光伏新增装机102.48GW。其中，集中式光伏新增装机49.6GW；工商业新增装机37.03GW；户用光伏新增装机15.85GW。截至2024年6月底，光伏累计并网容量712.93GW，其中集中式光伏电站403.42GW；分布式光伏电站309.51GW，包含131.84GW户用光伏。
　　光伏系统电压提升是降低平准化度电成本（LCOE）的重要途径，高电压系统线损更低、系统效率更高，光伏系统电压从600V提升到1000V、1500V高压系统成为大型光伏项目的发展趋势。光伏、储能行业高电压需要，带动上游高压功率器件占比持续提升。根据Yole数据：高压功率器件的市场占有率将持续提升，600V功率器件市占率从2021年的46%提升到2027年的49%，1200V功率器件市占率从2021年的11%提升到2027年的20%，1700V功率器件市占率从2021年的2%提升到2027年的3%。
　　2021年，国家发展改革委、国家能源局联合印发的《关于加快推动新型储能发展的指导意见》提出，到2025年，实现新型储能装机规模达到3,000万千瓦以上的目标。根据Mordor Intelligence数据：2024年储能市场规模预计为511.0亿美元，预计到2029年将达到997.2亿美元，在预测期内（2024-2029年）复合年增长率为14.31%。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司第一代及第二代1200V SiC MOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性等特点，已通过可靠性测试工作并开始获得客户订单。650V/750V/1200V的第三代、第四代SiC MOSFET研发工作进展顺利，其中第二代SiC MOSFET产品已在2024年推出多个产品，性能处于国内领先水平。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2C MOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，可以用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。
　　2、主要产品
　　公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2C MOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　（1）高压超级结MOSFET
　　公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET
　　公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
　　公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。
　　（3）超级硅MOSFET
　　公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
　　（4）TGBT
　　公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐振电路中使用。
　　公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。
　　（5）SiC器件（含Si2C MOSFET）
　　公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。Si2C MOSFET则部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量。Si2C MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiC MOSFET优秀的反向恢复能力，能够在一部分应用场景中取代SiC MOSFET。
　　二、核心技术与研发进展
　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）报告期内，公司积极推进主营产品技术迭代并加大新产品开发力度。
　　1）超级结MOSFET方面：完成超级结MOSFET8英寸扩产12英寸的量产工作，在产品性能可以对齐8英寸的前提下，12英寸晶圆代工厂显示出了优良的工艺控制能力。报告期内，基于12英寸平台的超级结MOSFET第四代、第五代量产推进工作初见成效，部分物料已通过客户认证，获得批量订单。同时，公司积极布局对齐国际一线品牌最新最优性能产品的第六代超级结MOSFET的研发工作。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备的性能提升，公司将进一步突破产能瓶颈，以期占领更大的市场份额。
　　2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：优化了25V-150V全规格段产品性能。报告期内，该系列新增多颗产品通过第三方车规考核并进入更多汽车用户。在高频率SGT MOS领域，公司30V、40V、60V产品成功完成了高速器件的研制，使之更适合在服务器以及AI算力电源领域的应用，并持续批量出货。在Dr.MOS(Driver MOS)领域，公司25V高频管产品的性能已经接近国际一线产品，并实现小批量出货。
　　3）在独创结构IGBT系列TGBT器件方面：报告期内，公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品。同时，公司研发团队完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，使得大功率TGBT芯片器件的电性能、可靠性以及芯片成本得到了全面的优化。使用公司研发的950V TGBT芯片所制造的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案，在电站安全运行超过半年。
　　4）SiC器件方面：报告期内，公司与国内多家一线SiC晶圆代工厂的战略合作稳步进行。同时，公司第一代及第二代1200V SiC MOSFET已通过可靠性测试并开始获得客户订单；650V/750V/1200V的第三代、第四代SiC MOSFET研发工作进展顺利。
　　报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图加速推进各项技术迭代。公司主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品均完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，产能的可利用量在报告期内得到了显著的提升，为下一阶段的市场需求做好准备。
　　其中，在高压超级结MOSFET领域，第三代、第四代高压超级结MOSFET产品通过其优良的性能表现已经大批量交付市场。第五代超级结MOSFET小批量交付，并在产线端积极准备量产。研发团队已经拟定第六代超级结MOSFET工艺平台的性能指标，设计、工艺、制造方案已经定型，第六代产品将对标国外最优器件产品性能，有望在高端应用领域实现国产替代。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司完成了25V-150V系列的技术升级，器件性能得到进一步提升。
　　在TGBT领域，使用公司研发的950V TGBT芯片所制造的330KW功率模块已经在电站安全运行超过半年，并持续获得一线客户的小批量订单。
　　在SiC器件领域，公司SiC MOSFET产品的研制工作推进顺利，SiC MOSFET第一代已经推出多个规格物料，第二代，第三代的研发成果已经初见规模。同时，作为SiC应用的另一个方向，公司着眼于基于SiC器件的功率模块的开发，积极通过优化SiC器件性能以及模块封装代工资源加速SiC业务的渗透，也为未来进入SiC主驱模块领域提前准备。
　　报告期内，公司持续保持研发投入力度，研发人员数量、专利数量、新品开发数量均保持增长态势。此外，公司的研发管理体系与质量体系进一步健全与完善。报告期内公司数字化管理系统如产品生命周期管理系统、质量管理系统、良率管理系统、运营管理系统等运行通畅，研发效率、产品质量管控以及交付效率等能力持续提升。
　　（3）公司分产品系列技术先进性情况
　　报告期内，公司分产品系列具体技术及相关参数情况如下：
　　1）超级结MOSFET产品设计及其工艺技术
　　深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术。公司深槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结MOSFET由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结MOSFET在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关损耗和驱动能量损耗。
　　基于上述核心技术，公司的GreenMOS系列高压深槽超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。
　　公司的深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。本报告期内，公司高压超级结MOSFET产品从8英寸转12英寸制造平台的拓展工作已经全面完成。借助12英寸更加先进的软硬件能力，提供更富竞争力的制造工艺技术，公司的新技术开发得到了有力推进，进一步为公司的交付能力和技术迭代提供了有力保障。
　　2）超级硅MOSFET产品设计及其工艺技术
　　公司的超级硅MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。
　　公司的超级硅系列MOSFET产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入SiC MOSFET及GaN HEMT的应用领域。报告期内，公司完成了二代超级硅技术的开发，推出性能更加优良的产品系列，持续出货中。
　　3）中低压屏蔽栅MOSFET产品设计及其工艺技术
　　公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。
　　公司的中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。公司完成了屏蔽栅MOSFET产品从8英寸转12英寸制造平台的拓展工作并实现量产，公司多个高密度中低压屏蔽栅MOSFET技术平台通过车规可靠性考核。公司开展第三代30V、40V、60V电压平台产品开发并得到优良的器件性能。此外，公司顺利扩充25~80V电压平台高频MOSFET系列并实现了工艺设计上的突破，实现短沟道的制造能力，可广泛应用于高算力服务器电源、算力卡的高频供电电源系统。150V产品优化后的器件已经被应用于新能源汽车、光伏逆变及储能等领域。
　　4）TGBT产品设计及其工艺技术
　　公司TGBT产品设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；公司独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。
　　在TGBT产品领域，公司加强对自有知识产权Tri-gate IGBT技术研发力度，迅速实现了高性能IGBT产品的国产化替代。随着公司第二代Tri-gate IGBT量产并推广，产品性能进一步提升，在光伏、储能、电动车主驱、车充、充电桩等领域具备全面国产化替代的能力，并且在新型大功率密度的光伏组串逆变，主驱逆变领域成为主力国产供应厂商。使用公司950V200A TGBT芯片制造的330KW功率模块，呈现出比国内厂家（客户还未认证）运行温度低，比海外头部公司（客户主物料）更优异的表现，同时在极限350KW条件下依旧显示出平稳的运行效率，得到了国内客户的认可并持续获得小批量验证订单。公司TGBT产品的导通压降与开关速度同时得到优化，在关键技术参数上有着大幅的提高，在应用过程中拥有发热低、效率高的优势，可使整体应用系统的功耗更低，并拥有高功率密度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。
　　本报告期内，公司基于原创的新型TGBT技术，完善了650V15A~300A，950V200A以及1200V40A~150A，200A等全系列产品。同时，随着公司二代TGBT技术的量产，芯片的电流密度得到进一步提高。目前，公司三代TGBT已经研发成功，产品料号逐步扩展中。公司也积极推进基于IGBT芯片的各类功率模块研发，基于优良的TGBT芯片性能，该项研发工作将大幅提升同型模块下的功率密度。
　　5）Hybrid-FET器件及其工艺技术
　　Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件架构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。
　　公司的Hybrid-FET器件兼具IGBT与MOSFET器件的优势，综合提供更加符合应用场景的解决方案，器件及其工艺技术处于国内领先水平，目前该技术已申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于TGBT技术，因此是TGBT的一个子类。本报告期内，Hybrid-FET器件持续稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。以90A的Hybrid-FET产品为例，该产品已经批量应用于客户系统中，处于稳定出货状态，其在客户端的最高工作频率可达80kHz以上，采用该产品的系统，效率比采用传统器件的系统有大幅提升。
　　6）SiC二极管以及SiC MOSFET产品设计极其工艺技术
　　公司非常重视并长期跟进SiC技术的发展。通过逐步积累知识产权和头部工厂保持联动，积极推进SiC器件产品的研发及量产工作。公司研发团队在功率器件领域多年根植，积累了丰富的器件设计和工艺设计经验。第一代、第二代1200V SiC MOSFET通过可靠性测试，并已获得客户订单；650V/750V/1200V电压平台的第三代，第四代SiC MOSFET均在开发中，研发进展顺利。
　　7）Si2C MOSFET器件及其工艺技术
　　Si2C MOSFET器件具有独创的器件架构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，可以在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等多种应用场景替换采用传统技术路线的SiC MOSFET，性价比极高。截至报告期末，Si2C MOSFET已经通过多个客户测试验证并实现小批量供货。
　　以650V60mohm Si2C MOSFET器件为例，这款芯片的反向恢复时间远远小于超级结器件，与SiC MOSFET接近。由于其极短的反向恢复时间，Si2C MOSFET器件在服务器及车载充电机中可以实现对SiC MOSFET的替换，同时大幅降低器件成本。
　　随着以大模型以及自动驾驶为代表的人工智能技术的兴起，国际上对服务器及数据中心的需求大增。而数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了第三代半导体组成的图腾柱PFC电路拓扑。公司发明的基于Si2C MOSFET技术的新型功率器件适合在图腾柱PFC中应用并实现GaN或SiC MOSFET的高效率，以期实现在此类市场中实现销售额的高速增长。报告期内，公司Si2C MOSFET平台完成了全国产供应链评价，提供更加稳固的供应链保障。
　　2.报告期内获得的研发成果
　　公司持续保持新产品与新技术研发投入力度，持续优化8英寸与12英寸先进工艺制程产品布局，取得较好成效。报告期内，公司取得的主要研发成果如下：
　　12英寸第三代高压超级结MOSFET实现了大规模出货；第四代高压超级结MOSFET实现批量出货；第五代超级结MOSFET实现小批量出货。基于第四、五代超级结技术，单晶圆产出芯片颗数进一步提高，性能得到大幅提升。第六代超级结技术工艺平台的性能目标和设计、工艺制造方案拟定，工艺可行性开发完成。
　　公司基于12英寸先进工艺制程的高压超级结MOSFET技术大规模量产，其中800V产品系列稳定量产，产品料号扩充中，性能较8英寸得到大幅提升。900V以及1000V产品系列试产成功，1200V产品系列研发推进中。
　　公司积极扩充第三代低压高密度屏蔽栅MOSFET工艺平台的产品规格，基于良好的器件性能，来自于算力以及服务器市场的订单正在增加，同时xPU电源专用中低压屏蔽栅MOSFET产品技术通过多个客户评测，实现小批量供货。报告期内多产品实现量产和车规验证，基于新技术的产品规格型号逐步丰富，性能逐步提升。
　　公司持续拓展基于自主IGBT专利技术的TGBT产品规格，持续提升产品性能，公司第二代TGBT进入稳定量产交付状态，电流密度显著提高。报告期内，公司第三代TGBT研发成功，先头物料的性能对比第二代产品呈现出更加优良的性能，1200V二代平台实现量产。
　　公司TGBT产品在12英寸先进工艺制程的研发及扩产顺利进行，目前已具备主力物料的12英寸代工厂的大量交付能力。同时，依托于12英寸先进制造工艺设备的支持，公司第三代TGBT的技术迭代将会大大加速。
　　公司TGBT产品在光伏逆变器及储能、新能源汽车直流充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用。同时，更大功率的车用主驱以及大功率光伏芯片产品开发成功。在新型大功率密度项目中，作为国内为数不多可以提供该类芯片支持的供应商，产品性能得到了客户的认可并持续获得批量订单。
　　公司研发的高速大电流功率器件600/650V Hybrid-FET器件产业化顺利进行，报告期内产品规格数量及出货量持续增加。
　　公司积极布局第三代功率半导体器件，申请多项相关专利，进一步完善对相关知识产权的保护，相关产品的开发顺利进行。公司Si2C MOSFET产品研发成功并顺利通过客户验证，进入批量供货阶段。SiC技术路线方面，公司自主研发的SiC二极管、SiC MOSFET已经实现对国外芯片的替代。SiC MOSFET开发快速推进中，已经具备650V、1200V多个市场主力料号的制造能力。
　　公司关注到功率模块在整个功率器件市场的重要性并积极推进功率模块的研发和试制，目前已与外协代工厂成功开发Easy3B，Flow2，HPD，MSOP等多个功率模块规格，产品陆续进行考核验证并稳步推向市场。
　　3.研发投入情况表
　　4.在研项目情况
　　5.研发人员情况
　　6.其他说明

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2023年，因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化，经历了两年高歌猛进的功率半导体行业进入下行周期，产品价格呈现明显下降趋势，给国内众多公司相关产品持续的市场化推广带来较大压力。与国外竞争对手的综合成本优势相比，国内掌握技术创新能力的企业在下行周期背景下的抗周期能力进一步凸显，长期助力公司规避市场波动带来的经营稳定性风险。
　　2024年一季度以来，下游应用领域结构性分化依然存在。AI相关应用呈现高景气度，汽车电子需求较为强劲，家电需求恢复且消费电子延续温和复苏，工业及光伏需求随着去库逐步回暖。板块而言，存储涨价动能持续，算力芯片、SoC、CIS、射频芯片等产品国产化和高端化进程加速，模拟和功率芯片仍有部分产品价格承压。报告期内，公司市场均衡分布在新能源汽车、直流充电桩、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、消费电子、数据中心和算力服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场，减小对单一市场及单一产品的依赖性，始终坚持以技术创新为驱动，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产能供给，持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础，紧抓国产替代的历史机遇，继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。报告期内，公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。报告期内，公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得了较大的研发进展，其中，Si2C MOSFET持续出货，进入批量交付阶段。报告期内，公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200V SiC MOSFET完成设计流片、可靠性评估工作，基于15V驱动平台的SiC MOSFET器件产品已经进入内部验证阶段。
　　报告期内，公司实现营业收入4.20亿元，较上年同期减少21.30%；实现归属于上市公司股东的净利润1,694.14万元，较上年同期减少83.08%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润166.27万元，较上年同期减少98.20%。公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1）公司高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入3.34亿元，较2023年同期减少24.18%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入7,248.02万元，较2023年同期增长2.66%；（3）公司Tri-gate IGBT产品报告期内实现营业收入1,095.64万元,较2023年同期减少22.34%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入142.95万元，较2023年同期减少80.56%；（5）公司SiC器件产品（含Si2C MOSFET）报告期内实现营业收入33.17万元,较2023年同期增长446.93%。2024年下半年度，公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。
　　（一）产品规格、应用场景进一步丰富，终端客户群体持续拓展
　　2024年，公司在新能源汽车车载充电机、直流充电桩、工业及通信电源（含5G基站、数据中心以及算力服务器电源等）、光伏逆变及储能、工业照明、消费电子等领域持续发力。
　　1、Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
　　（1）MOSFET
　　新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、陆巡科技、英威腾等公司应用于车载电子领域，公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号。随着新能源汽车高压平台车型陆续上市，渗透率不断提高，对于直流快充/超充桩/液冷终端需求也不断提升。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货给客户A、特来电、永联科技、英飞源、优优绿能、阳光电动力、汇川技术等公司，保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心和算力服务器电源等领域的出货量继续保持增长，继续批量出货给客户A、中兴、维谛技术等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司；继续批量出货给客户A、禾迈股份、欧陆通、固德威、麦田能源、艾罗能源等公司并应用于光伏逆变器及储能领域。报告期内，上述细分市场持续增加设计规格。
　　公司中低压屏蔽栅MOSFET持续批量出货给客户A、长晶科技、东科半导体、长城科技、中兴康讯、视琨电子、美的股份、茂睿芯等公司应用于汽车、工业及消费电子设备领域，并且持续增加规格设计。
　　除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货给视源股份、航嘉Huntkey等公司，并持续增加设计规格。批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份、茂硕电源等客户。
　　公司超级硅MOSFET器件主要应用于高密度电源领域，批量进入航嘉驰源、艾罗能源、英威腾、陆巡科技、拓邦股份、欧陆通等客户。
　　（2）TGBT
　　公司转换TGBT竞争策略，加大TGBT大功率产品研发投入力度，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品可批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低Vcesat IGBT实现了替代。此外，公司TGBT产品也已进入300KW以上的大功率光伏发电应用方案。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650V Hybrid-FET开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升，开发出1200V100A、140A和150A单管产品，可以替换国际领先的1200V产品。
　　2、SiC器件（含Si2C MOSFET）业务进展
　　公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。报告期内，公司开发的SiC二极管已实现量产，基于18V~20V驱动平台的1200V SiC MOSFET完成自主设计流片和可靠性测试工作，基于15V-20V驱动平台的650V/750V SiC MOSFET研发工作进展顺利。公司发明的具有自主知识产权的Si2C MOSFET已通过客户的验证并批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心和算力服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的替代。
　　公司致力于发展全球客户，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　（二）持续保持研发投入，保证公司产品性能国内领先
　　报告期内，公司积极推进主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品平台的技术迭代升级，优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效。进一步加大第三代半导体、第四代半导体材料等前瞻性研发投入，取得突破性进展。公司高度重视技术团队的建设，报告期内进一步扩充研发团队。截至2024年6月30日，公司研发部共拥有69名研发人员，合计占员工总数比例为48.59%。在研发投入方面，报告期内，公司的研发费用投入为3,878.39万元，占公司营业收入的比例为9.24%。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。
　　综上，报告期内，公司主营产品技术迭代升级有序进行，新产品开发稳步推进。报告期内公司持续保持研发投入，研发人员数量、专利数量、新品开发数量保持增长。同时，公司的研发管理体系与质量体系进一步健全，报告期内多个数字化系统上线，研发效率持续提升。
　　（三）持续稳定供应商关系，保证产能供给
　　报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。为了积极响应第三代半导体的发展趋势，公司已开拓多家SiC供应商进行SiC二极管、SiC MOSFET以及Si2C MOSFET的合作开发，保障公司的第三代半导体产品系列研发有序推进以及供应产能的稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。
　　（四）产业基金布局项目发展态势良好，产业链进一步协同
　　公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应，实现协同发展，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。

　　三、风险因素
　　(一)业绩下滑或亏损的风险
　　报告期内，受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司报告期内营业收入较2023年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步保持前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等持续投入，亦对公司报告期经营业绩产生影响。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩下滑的风险。
　　(二)核心竞争力风险
　　目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段。半导体功率器件作为基础性电子元器件，应用极为广泛。随着新能源、光伏逆变及储能产业的蓬勃发展以及我国汽车电子、工业电子、智能装备制造、物联网等新兴领域的兴起，国内对功率半导体产品的需求迅速扩大，推动了行业的快速发展。良好的发展前景吸引了国内诸多企业进入这一领域，行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展，市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时进行技术迭代、提高产品性能与服务质量，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。相较于消费级客户，工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如果公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期，将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。
　　(三)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业出现产能紧张的情况，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司持续发展需求，从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面，公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于高性能功率器件的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系。由于公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　3、经营规模扩大引致的管理风险
　　报告期内，公司资产规模、业务规模和员工数量均保持持续增长。未来，随着公司主营业务的持续发展以及募集资金投资项目的稳步实施，公司经营规模将会进一步扩张。公司规模的快速扩张会使得公司的组织结构和经营管理趋于复杂化，对公司的管理水平和内部控制将提出更高的要求。若公司未能及时有效应对公司规模扩张带来的管理问题，可能会面临一定的管理和内控风险。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等仍占据了高性能功率半导体器件的主要市场份额，尤其在大功率光伏逆变及储能、新能源汽车电子和工控自动化等为代表的细分应用领域表现尤为突出。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内功率半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进功率半导体器件公司的竞争也愈加激烈。若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　(四)财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司的经销收入占比相对较高，为69.91%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　3、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为12,944.74万元，公司应收账款账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　4、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为33,275.48万元，较上年末存货的账面价值有所减少。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　(五)行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。2017年，相关部委发布了《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）》，将集成电路芯片设计及服务列入战略性新兴产业重点产品目录，并明确了电力电子功率器件的地位和范围，其中包括了MOSFET和IGBT等功率器件。此外国家还持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）等。如果未来国家相关产业政策支持力度减弱，公司的经营业绩或将受到不利影响。
　　2、下游需求波动的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此，若新能源汽车、光伏逆变及储能、5G通信等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，公司的研发进展与成果不达预期，或宏观经济发展出现较大波动，则公司将面临业绩无法继续保持增长的风险。
　　3、功率半导体周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，功率半导体行业存在一定的周期性变化。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，新能源、工业控制自动化等下游市场需求的波动和低迷亦会导致功率半导体产品的需求下降，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。同时，国内功率半导体行业各公司因采用的经营模式不同，Fabless厂商与晶圆制造环节相辅相成，通常终端客户需求变化速度较快，Fabless厂商调整版图设计、产品迭代升级以及上游代工厂产能的增减需要更长的时间。因此，功率半导体行业尤其是Fabless厂商若无法及时响应市场需求端的快速变化，也将带来行业价格和利润率的变化。
　　(六)宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。在全球贸易保护主义抬头的大背景下，未来国际贸易政策存在一定的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。

　　四、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先甚至国际领先
　　公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系。完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。凭借优秀的研发实力，公司在主要产品方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术，并在核心技术的基础上实现了高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET产品、TGBT产品以及SiC MOSFET（含Si2C MOSFET）的量产与销售。公司的高压超级结MOSFET产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，使关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司的产品技术水平亦达到了国内领先水平。公司的超级硅系列MOSFET实现了比传统超级结更高的效率，获得了众多客户的认可，已批量进入全球第一大微逆变厂商Enphase Energy，应用于微逆变领域。公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。第三代半导体方面，公司具有独立知识产权的SiC二极管已实现量产，公司SiC MOSFET产品的研制工作推进顺利。公司利用上市的先发优势，加大第三代半导体上下游的资本投入，布局该领域的专利技术，为未来宽禁带半导体业务的拓展打下了坚实的基础。
　　2、丰富的产品规格，满足不同应用场景的需求
　　功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域，包括新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、UPS电源和工业照明电源、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器领域等。
　　3、作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的客户基础
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
　　4、稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续技术合作
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。
　　5、经验丰富的管理团队
　　公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，从事半导体技术研发工作超过20年，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者，拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。除联合创始人及研发团队以外，公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。公司的核心技术人员均在公司任职超过5年，工作稳定，熟悉公司业务流程并作为开发项目负责人主导和参与了公司各重大科研项目的开展。
　　6、作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，受益于行业发展与国产替代机遇
　　公司是国内领先的高性能功率器件厂商之一。公司目前已积累了知名的国内外客户群，产品及方案被各终端应用领域广泛应用，市场认可度逐渐提高。一直以来，公司深耕新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、UPS电源和工业照明电源等领域，通过强大的研发实力和优越的产品性能，成为了量产工业级和汽车级高压超级结MOSFET、工业级和汽车级中低压SGT MOSFEET及工业级新型IGBT器件的高性能功率半导体厂商。公司未来将持续受益于新能源、光伏、5G通讯、汽车电动化等工业级及车规级应用领域迅速扩张带来的高性能功率器件市场快速发展。同时，公司在高端工业级功率器件领域的技术能力与产品性能已可与国际一流厂商比肩，在抓住行业本身快速发展机遇的同时拥有广阔的进口替代空间。 收起▲