一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所处行业情况　　公司是一家具备从专利到量产完整经验的技术驱动型半导体企业，产品覆盖高性能功率器件、功率模块、数模混合电源管理芯片、数字实时控制器等。公司致力于围绕信号采集、逻辑控制、功率输出等环节，构建完整的“控制－驱动－执行”全链路解决方案，助力算力能源基础设施、新能源电力系统、汽车电子及工业控制等下游客户实现一体化系统应用落地。根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）。　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛　　（1）行业发... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所处行业情况
　　公司是一家具备从专利到量产完整经验的技术驱动型半导体企业，产品覆盖高性能功率器件、功率模块、数模混合电源管理芯片、数字实时控制器等。公司致力于围绕信号采集、逻辑控制、功率输出等环节，构建完整的“控制－驱动－执行”全链路解决方案，助力算力能源基础设施、新能源电力系统、汽车电子及工业控制等下游客户实现一体化系统应用落地。根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）。
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业发展情况及市场概况
　　1）2026年上半年，半导体行业整体呈现高景气度，在AI算力需求爆发、成熟制程产能紧缺等多重因素共振下，迎来了新一轮的上行周期，叠加国内半导体国产替代进程纵深推进，产业链迎来高质量发展的重要机遇期。
　　2）全球半导体市场情况，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）2026年8月公布的数据显示，上半年全球半导体市场规模达到了7,020亿美元，同比增幅高达102%，实现了历史性的翻倍增长，细分上存储芯片增速最高（同比增长305%），逻辑芯片同比增长45%，分立器件、模拟、传感器全线正增长。该机构预测2026年全球半导体市场规模将达到1.655万亿美元，同比增长108%，较此前春季预测进一步上调。
　　3)我国半导体/集成电路市场情况，国家统计局2026年7月15日公布的数据显示，2026年上半年我国规模以上工业企业的集成电路产量达到2,798亿块，同比增长23.1%。海关总署2026年7月14日发布的数据显示，全国上半年集成电路出口金额达1,772.8亿美元，同比增长96.1%，出口额创半年度历史新高，已接近2025年全年数值。
　　根据Omdia《2026年第二季度，半导体应用领域市场预测工具（AMFT）-中国地区》最新报告数据显示，2026年中国半导体市场预计同比增长率将大幅上修至92.9%，达8,120.8亿美元，说明中国的半导体产业发展形态与全球同步，将全面进入AI驱动的科技时代。Omdia认为，AI的全面普及对中国半导体产业基础是巨大的提振，尤其是在半导体成熟制程，功率器件产能逐步扩充的背景下，AI基础设施建设需求将大幅提升国产芯片的利用率，上游供应链产能也将借此迎来订单数量和产能利用率的提升。
　　市场与需求端，AI算力需求高速扩张，AI数据中心单机柜供电功率持续抬升，行业新一代架构正朝着兆瓦级高密度供电方案演进，进而拉动先进AI算力芯片、高端存储、功率半导体器件、高速互连芯片的需求大幅放量。竞争格局方面，行业结构性竞争分化，一方面，国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突破，国产化率稳步提升。另一方面，行业内部聚焦不同赛道的企业表现迥异，成功卡位AI高景气赛道的企业，较容易获得业绩与竞争力的双重溢价。聚焦于激烈竞争赛道的企业，受价格和产品结构影响，虽然营收增长，但原材料、代工成本持续上涨，产品端较难顺利涨价转嫁成本。
　　（2）行业的主要特点、技术门槛
　　1）技术、资本、人才高度密集，行业整体壁垒较高
　　①半导体行业技术壁垒较高，横跨材料科学、固体物理、化学、电子电气工程、精密制造等多门学科，研发迭代持续性强，行业技术发展存在路径依赖，叠加海量布局专利构筑厚重专利壁垒。
　　②行业资本投入门槛较高，其中重资产特征显著的主要是晶圆制造（Foundry/IDM）、设备、材料三大环节，产业链资本高度集中；Fabless设计企业剥离了最重的固定资产型资本开支，由重资产环节转移为“高强度研发+刚性流片费用”的轻固定资产、高费用化投入模式，两者资本投入表现形式不同，但行业资本密集底色未变。行业内企业均需要充足资金方可入局，大额持续投入形成坚固的资本壁垒。
　　③行业高端复合型技术人才稀缺，芯片设计、晶圆制造工艺、半导体设备、配套材料、封装测试各业务环节专业体系相对独立，成熟技术工程师需要长期项目实操积累，培养周期较长，人才壁垒是行业天然的竞争护城河。
　　2）产业链高度协同与区域博弈半导体产业链条长，涵盖原材料、设备制造、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个环节，全球化分工深，各环节紧密相连，专业性强，彼此依赖度高，近年受地缘政治与自主可控政策影响，区域博弈加剧，各大经济体依托自身产业基础出台本土化扶持、供应链壁垒设置、关键技术出口管制等差异化策略，产业链原有全球化协同格局被持续重塑，欧美依托高端设备、先进工艺占据上游制高点，日韩把持关键晶圆材料与特色工艺，国内则紧抓新能源、工控、AI算力等庞大下游需求，上下游资源争夺、技术标准话语权竞争、核心产能属地化布局较量成为常态，倒逼国内产业链自上而下推动全链条国产化突破，以此对冲外部供应链断供风险，筑牢产业安全底座。
　　3）显著的周期性波动半导体行业具有强周期性特征，资本开支扩张→产能过剩降价→亏损收缩产能→供需紧张涨价→新一轮扩产，3～5年一轮完整行业周期。
　　①供需错配：产能扩张需要经历“晶圆厂建设-设备安装-工艺调试-良率爬坡”等漫长过程。当下游需求快速增长时，供给难以迅速跟上，导致供不应求；反之，则可能引发产能过剩和价格战。
　　②库存周期：行业会经历“被动去库存”到“主动补库存”的循环。在需求预期乐观时，厂商会主动增加库存以应对订单，推动行业上行；而在需求疲软时，则会降价去库存，加速行业降温。
　　4）强认证壁垒、高可靠性要求车规、工控、电网级产品需要AEC-Q100、UL、电网准入等严苛认证，认证周期数月至数年不等，客户粘性强，替换成本很高；消费级产品认证门槛相对较低。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉，公司功率器件产品多次斩获中国芯“优秀市场表现产品”奖等荣誉。
　　报告期内，公司收购的控股子公司“深圳慧能泰半导体科技有限公司”同样是国家高新技术企业，国家级专精特新“小巨人”企业，并于2025年被评为广东省制造业单项冠军企业。其数模混合的快速充电控制芯片凭借硬核技术性能、广泛市场应用与高度客户认可，先后荣获第十八届和第二十届中国芯“芯火新锐产品”奖；数模混合的开关电源控制芯片荣获第十届中国电源学会的“技术创新奖”。
　　功率端，公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。
　　IC端，公司研发构建了涵盖数模混合电源管理芯片、栅极驱动、高压辅助电源管理芯片等IC产品矩阵。在数模混合电源管理芯片领域，聚焦于消费电子的快速充电系统应用与智慧工业电源应用，推出了数模混合的快速充电控制芯片和数模混合的开关电源控制芯片的产品组合。针对高性能数字电源系统，公司布局了多款数模混合的开关电源控制芯片产品，以自有专利的数字化开关电源控制技术为核心，辅以高精度、低时延的模拟外设电路，针对服务器电源常见的多个先进拓扑推出专用控制器，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　1）服务器市场及人工智能数据中心建设在人工智能应用需求的持续驱动下，服务器产业正步入长周期高速增长阶段。数据中心作为人工智能发展的关键基础设施，伴随海量数据的产生、传输与计算处理需求，迎来新一轮建设热潮，并推动传统数据中心（IDC）向人工智能数据中心（AIDC）加速演进与转型。
　　根据研究公司IDC的数据，2026年第一季度人工智能(AI)基础设施支出达到897亿美元，基于Arm架构的机架级GPU服务器取代x86处理器，成为主流加速计算平台。IDC还将2026年全年AI基础设施支出预测上调至4,970亿美元，同比增长近56%，主要得益于超大规模云服务商的资本支出增长以及新兴的非GPU类AI需求。全球AI基础设施市场规模将在2029年突破1万亿美元，达到1.08万亿美元，并在2030年攀升至1.21万亿美元，从2025年起五年复合年增长率(CAGR)约为30%。TrendForce集邦咨询最新AI服务器产业研究，在AI基础建设需求高涨的背景下，2026年全球九大云端服务供应商（CSP）总资本支出预估将同比增长约90%,2026年AI服务器出货年成长幅度上调为近31%。由此可见，全球及国内AI算力基础设施维持高景气度，头部云厂商AI相关资本开支持续加码，推动服务器及人工智能数据中心市场规模高速增长。
　　根据IDC发布的《中国半年度加速计算市场（2025上半年）跟踪》报告显示，2025上半年中国加速服务器市场规模达到160亿美元，同比增长超过一倍。IDC预测，到2029年，中国加速服务器市场规模将超过1,400亿美元。加速服务器专为AI训练与推理、高性能计算等复杂任务设计，正在人工智能、科学研究等领域成为不可或缺的基础设施。IDC还在报告中指出：超大规模数据中心和云服务供应商继续引领投资需求，而传统的本地部署领域在支出方面仍然保持谨慎；GPU、DRAM、SSD等关键组件价格的剧烈波动，需求在短期内持续碾压供应能力，成本压力很可能在2026年更加猛烈地冲击整个产业链，导致对长期合同的需求增加，整个行业也在适应新的形势。
　　为适配AI算力场景的超高供电标准，服务器电源系统、CPU与GPU主板供电模块实现技术持续迭代，除广泛搭载SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、SiC-MOSFET、高密度功率模块等功率半导体外，还大量应用各类模拟、混合信号及数字集成电路。包含PFC控制器、LLC谐振控制器、同步整流控制器、VRM多相PWM主控芯片、电源管理MCU、运算放大器、数字隔离器等，承担环路控制、信号采样、保护逻辑、数字通信等功能。功率半导体负责电能变换与功率输出，各类集成电路实现控制与调度，二者协同，共同实现AI算力场景下高效率、高功率密度、高精度的供电需求。
　　2）新能源汽车及充电桩领域
　　①新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　据中国汽车工业协会整理的海关总署数据显示，2026年1-6月，汽车整车出口530.7万辆，同比增长52.8%；出口金额达918.0亿美元，同比增长53.9%，实现量额齐升，其中，新能源汽车成为出海核心动力。与此同时，国内汽车市场正经历深度调整，行业“内卷”现象显著，2026年前5个月，国内汽车产销分别完成1,223.5万辆和1,220.7万辆，同比分别下降4.6%和4.2%，国内“内卷”倒逼出海，海外成关键增长极，800V高压、一体化压铸、自研电池等技术溢价已初步兑现，“出海”更多是车企主动全球化布局，这也将有望推动全球新能源车的转型进程和渗透率提升。
　　②国家能源局发布2026年上半年全国电动汽车充电设施数据。根据国家充电设施监测服务平台数据，截至2026年6月底，我国电动汽车充电基础设施（枪）总数达到2,305.7万个，同比增长43.2%。其中，公共充电设施（枪）500.9万个，同比增长22.3%，额定总功率达到2.47亿千瓦，单枪平均功率约为49.35千瓦；私人充电设施（枪）1,804.8万个，同比增长50.4%，私人充电设施报装用电容量达到1.55亿千伏安。
　　为推动充电设施的高质量发展，国家层面密集出台了相关政策。2025年7月，国家发改委等四部门印发《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》，明确定义大功率充电设施为单枪充电功率达到250kW以上的设施，并在规划、应用场景、要素保障、技术标准等方面给予了指引。同年9月，国家发展改革委、国家能源局等六部门联合印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027年）》，进一步明确了今后一段时期充电设施发展的目标和行动路径，为行业的持续扩张提供了顶层设计和政策保障。进入2026年，政策重心转向落地实施与准入规范，财政部、工信部、交通运输部启动县域充换电设施补短板试点工作，下沉补齐县乡充电网络短板；《新型电力系统建设“十五五”规划》也对充电基础设施中长期建设规模、大功率充电布局、车网互动等作出远景部署，持续引导行业规范化、高质量发展。
　　在政策的引导和市场的驱动下，快充技术实现了快速突破。液冷、油冷、兆瓦超充、超静音、V2G（车网互动）、光储充一体化等新技术不断涌现，其中充电效率的质变是近年最显著的技术升级。充电桩的核心部件是充电模块，功率器件（如IGBT、MOSFET）和功率模块作为高速电子开关，通过精确、快速地导通和关断，完成电能的形态转换。如SiC器件具有更高的效率、更快的开关速度和更强的耐高温能力，它能让充电模块体积更小、功率密度更高，是实现大功率超级快充（如250kW以上）的关键技术。除功率器件外，还大量应用各类集成电路，构成设备的控制、采样、驱动、通信与保护中枢，主控MCU、PWM控制芯片、栅极驱动芯片、ADC、运算放大器、数字隔离、CAN及以太网通信芯片、计量芯片、电源管理芯片、保护逻辑芯片等。功率器件和模块的性能直接决定了充电桩的充电速度、安全性、效率和可靠性，各类集成电路协同工作，是支撑新能源汽车快充体验背后的核心技术。
　　3）5G基站和通信电源领域根据工业和信息化部发布的数据显示，2026年上半年我国5G基站总数达510.2万个，比上年末净增26.3万个。5G基站硬件系统同时应用大量功率器件与集成电路，其中功率器件主要应用于射频发射链路及电源供电模块，功率放大环节普遍采用GaN等新型器件实现射频信号大功率输出，同时MOSFET等功率器件承担整机电源整流、DC-DC变换等能量转换功能；集成电路则广泛用于BBU基带单元与RRU射频单元，通过基带SoC、FPGA、RFIC、存储及接口芯片完成5G信号编解码、MIMO信号处理、射频收发变频、协议运算等信号与逻辑处理工作。伴随5GMassive-MIMO技术规模化部署，基站通道数量显著提升，进一步带动功率器件及相关集成电路的需求增长。
　　据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）调研团队最新报告“全球通信电源系统市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球通信电源系统市场规模将达到88.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为6.0%。通信电源系统，按市场规模和产品应用而言，通信基站是最大的下游市场和最主要的需求来源。功率器件不仅是基站电源和通信电源的必要组成部分，更是支撑5G高效率、高功率密度、高可靠性需求的关键技术要素；同时电源管理、驱动、监控类集成电路承担电源环路控制、信号采样、故障保护及状态通信等功能，是通信电源实现智能化、精细化电能管控的重要基础。随着5G基站、数据中心、物联网设备的普及，对通信电源产品的需求呈现出多样化特征，不同应用场景对电源系统的要求各不相同，行业从业者需要不断创新以满足这些需求。
　　4）消费快充领域
　　“消费快充领域”主要涵盖消费电子（手机、平板、笔记本等），当前该领域正经历从“配件”向“芯片+解决方案”的“智能能源中枢”转型，技术迭代与市场重构同步进行。氮化镓（GaN）普及，第三代半导体材料成为高功率快充标配，GaN方案显著降低充电器体积与发热，支持更高开关频率。协议融合与标准化，USBPD、PPS、QC及UFCS等主流协议整合，USB-C接口统一加速生态兼容化。欧盟与中国推动标准统一，减少私有协议壁垒。功率持续升级，65W-160W成为多设备场景主流，200W+产品差异化竞争加剧。快充协议芯片是消费电子快充设备等场景的主要器件，负责实现快充协议适配、功率调节及安全保护等功能，包括支持快充协议的智能手机设备，支持快充功能的平板电脑、笔记本电脑的电源适配器端和设备端，是快充协议芯片的重要应用市场。近年来，PD3.1、UFCS等新一代快充标准普及，推动快充协议芯片向高功率、多协议兼容、高集成度方向发展。
　　根据CounterpointResearch最新报告，2026年上半年，全球高端智能手机市场（批发均价在600美元及以上）销量同比增长5%，在全球智能手机总销量中的占比升至29%，创下历史新高。据分析，存储成本上涨对中低端市场冲击显著；高端OEM凭借更高的利润率以及减少促销投入，更容易消化成本上涨带来的压力，从而在整体市场承压的环境下维持了需求。
　　5）机器人领域
　　人形机器人半导体器件选型，主要围绕强大的运动控制、高效的能源管理两大核心需求。其中功率器件承担功率变换与功率驱动职能，集成电路负责信号运算、逻辑控制、感知处理及指令调度，共同支撑机器人智能化、高精度、高稳定运行。关节电机驱动是核心应用场景，亦是功率器件用量最大、技术要求最高的环节，一台人形机器人通常配置30-40个及以上关节（执行器），各关节电机运转均依靠功率器件实现大电流、高可靠性功率驱动；运动系统的精准运转同样离不开集成电路，整机主控SoC、运动控制MCU解析指令并处理传感器反馈，输出精准控制信号以驱动功率器件。在电源管理系统中，功率器件实现电压升降转换与充放电回路管控，电源管理集成电路（PMIC）统筹电源逻辑调控、多路电压稳压及过压、过流、过热保护，二者协同为主控、感知、通信、关节驱动等模块提供稳定供电，提升整机能源利用效率。
　　2025年被广泛认为是人形机器人发展的关键元年，“具身智能”和“智能机器人”首次写入2025年政府工作报告，标志着国家层面的战略支持升级；2026年2月，人形机器人与具身智能标准化（HEIS）年会在北京召开，会上正式发布《人形机器人与具身智能标准体系（2026版）》，该体系由工信部标委会组织编制，是我国首个覆盖全产业链、全生命周期的国家级标准顶层设计，标志着国内人形机器人产业迈入标准化发展新阶段。
　　据高工机器人（GGII）预测，到2030年全球人形机器人市场规模预计将达到150亿美元，销量规模将增长至60.57万台。其中，中国人形机器人市场规模到2030年将达到近380亿元，销量规模将增长至27.12万台。
　　伴随技术迭代演进，市场普遍预期人形机器人有望实现生产效率的显著提升，在工业制造、医疗服务、仓储物流、家庭陪护、科研教育等诸多领域发挥更为重要的作用。但人形机器人仍属于新兴科技产品，行业整体尚处在技术探索的早期阶段，尚未在各类民用场景实现大规模商业化落地。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司专注于高性能功率半导体及数字控制IC的研发和销售，产品涵盖高性能功率器件与IC产品。基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体设计厂商。公司产品的终端应用聚焦在工业及汽车相关等中大功率应用领域，同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，产品获得工业和车载重要客户认可。
　　（1）功率器件/功率模块产品业务进展
　　车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英搏尔公司颁发的“最佳交付奖”等；
　　直流充电桩领域：批量出货给客户A、领充、麦格米特、优优绿能等公司。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；
　　服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、麦格米特等公司；
　　光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、固德威、麦田能源等公司。并获得麦田能源股份有限公司颁发的“同心鼎力奖”；
　　泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝等客户；其中，电机驱动方面，在机器人关节驱动、微型伺服驱动、扫地机器人等领域小批量试产出货；
　　高密度电源领域：批量出货给铂科电子、麦格米特、中恒电气等客户；
　　报告期内，公司积极推进在SiC系列产品的研发和量产工作，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。
　　（2）IC产品业务进展
　　报告期内，公司集成电路业务主要依托控股子公司开展数模混合电源管理芯片研发与销售。业务重点围绕消费电子快充系统、智慧工业电源两大应用赛道布局；凭借深耕快充领域形成的技术积淀、全系列的产品布局以及优异的充电适配兼容性，跻身快充领域主流方案供应商梯队。目前产品已实现批量供货，核心客户涵盖联想、三星、台达、群光、光宝、安克创新、倍思、绿联、贝尔金等行业知名企业。
　　智慧工业电源业务方面，公司依托先进控制技术攻克多款主流先进电路拓扑项下技术痛点，推出多款国产化的数字电源控制器，并联合行业头部电源企业，合作开发超高效、超高功率密度产品方案。
　　公司产品已进入AI服务器、算力电源、通信电源、基站电源、光伏储能、机器人关节、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、工业照明、家电等领域。未来，公司将持续专注于算力能源基础设施、新能源电力系统及机器人等新兴应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的电力电子半导体解决方案厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　2、主要产品
　　功率器件领域，公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含Si2CMOSFET）以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　IC产品领域，公司主要产品包括数模混合的快速充电控制芯片和开关电源控制芯片。快速充电控制芯片围绕各类快充接口生态布局，开发并量产了供电端快充协议系列、受电端快充协议芯片系列和线缆端电子标签芯片等产品，广泛应用于手机、适配器、车充、储能设备、线缆、IoT设备等领域。开关电源控制芯片包括ACDC数字电源控制器系列、DCDC数字电源控制器系列和栅极控制器。
　　二、经营情况的讨论与分析
　　公司专注于高性能功率半导体及数字控制IC的研发和销售，产品涵盖高性能功率器件与IC产品，可广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以TV电源板、手机、笔记本电脑等快速充电系统应用为代表的消费电子领域。
　　公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。
　　（一）整体经营业绩情况
　　报告期内，公司实现营业收入7.36亿元，较上年同期增长19.58%；实现归属于上市公司股东的净利润10,630.18万元，较上年同期增长285.41%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润68.92万元，较上年同期减少92.91%。
　　功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，报告期内，车规级、工业级领域营业收入占比约为79%。受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响，公司营业收入和毛利率有所上升。
　　（二）技术研发情况
　　公司坚持技术创新与研发投入，夯实现有产品的技术升级，加快实现新产品的技术迭代。2026年上半年研发费用为5,565.28万元，较上年同期增长31.78%；报告期内，公司研发人员数较上年同期增长36.14%。
　　公司持续进行新技术开发工作，功率产品端，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。IC产品端，与控股子公司慧能泰开展技术整合，搭建起完整数字IC矩阵，覆盖数模混合快速充电控制芯片、数字电源控制器、工业实时控制DSP、高精度BMSAFE、PMIC、栅极驱动、模拟运放等全品类芯片，包含了更多的产品品类和更多的应用领域。报告期内取得多项关键进展，具体进展如下：
　　（1）功率器件/功率模块方面
　　①超级结MOSFET方面：
　　报告期内，公司12英寸晶圆制造基地产能保持稳定，前期深度扩展与技术优化所构建的制造资源池持续发挥效能，为超级结产品线的技术迭代与规模化交付提供了坚实保障。第四代超级结MOSFET作为当前主力产品平台，制造工艺持续成熟，晶圆测试良率保持高水平，产品一致性表现优异，能够充分满足高端客户对产能和品质的严苛要求。报告期内，公司持续优化器件结构与工艺流程，进一步降低导通电阻（Ron）与栅电荷（Qg），同时改善开关软度，提升系统整体能效；工业级及车规级产品高温可靠性管控进一步强化，失效PPM比率持续降低。第四代产品出货比例稳步提升，延续了上一年度的增长势头。第六代超级结MOSFET作为全新技术平台，研发工作取得阶段性重要进展。报告期内，第六代产品验证结果符合预期。器件性能继续保持国内领先水平，性价比优势明显，该平台将为后续多场景应用拓展提供有力支撑。与此同时，公司持续推进耐压范围拓展，全电压段超结产品布局进一步完善。第四代产品的稳定供应能力与第六代新平台的蓄势待发，将共同构筑公司超级结MOSFET产品在高端功率半导体领域的长远竞争力。
　　②中低压屏蔽栅MOSFET方面：
　　报告期内，通过对25V-200V全规格段中低压屏蔽栅产品性能的深度优化，成功量产了多颗高难度规格产品，为客户的国产化替代提供了坚实支撑。其中，40VFSMOS系列实现了从8英寸到12英寸产线的全面迭代；150V-200V平台凭借新开发的独特技术，成为通信与服务器电源等高频应用的理想选择。同时，公司全力推进25V-200V下一代高速系列器件，达成更低的比导通电阻，更小的电容，更快的开关速度，致力于在高端电力电子装备等前沿应用领域创造更大价值。
　　③独创结构的TGBT方面：
　　报告期内，公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前国际头部的IGBT竞品对等的参数能力，在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估，性能满足预期，这将为公司赢得更多的订单机会。使用公司研发的650VTGBT，搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值，同时对标国际第八代IGBT技术水平，布局相关器件的前期预研与技术储备。
　　④SiC器件方面：
　　报告期内，公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已推出多款涵盖多种封装形式的SiCMOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，并成功切入行业头部客户供应链，覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景；公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单，该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件；650V/750V/1200V第四代SiCMOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段，性能处于国内领先水平；同时，3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2CMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充。此外，公司SiC二极管（SiCSBD）已实现规模化量产，公司同步推进高性能沟槽型SiCJFET、沟槽型SiCMOSFET、超结型SiCMOSFET及GaNHEMT等器件的研发工作。
　　⑤功率模块方面：
　　依托在功率器件和功率模块上的技术积累，公司模块产品已批量出货，产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景，并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。
　　高压领域，依托成熟的SMD3平台，产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等，可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域，展现出卓越的功率密度与热管理能力。
　　低压领域，低压SGTMOS半桥/全桥模块系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗，具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。其核心应用场景广泛，涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组，以及汽车热管理系统，可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。
　　（2）IC产品方面
　　①数模混合快速充电控制芯片，主要应用在消费电子的旅行充电器、车载充电器、快充线缆、各类移动式快充设备中。在报告期内，公司对现有优势产品持续迭代，将在单快充端口中应用较为成熟的零外围极简方案扩展到多端口应用场合，进一步加强了产品组合的竞争力。同时，针对主流快充协议USBPD的变更升级，公司也推出了新一代产品，以始终给客户提供最佳性能的解决方案。
　　②数模混合开关电源控制芯片，主要面向工业类场景的PC电源、充电机、服务器电源、中间母线变换器等应用。报告期内，基于上一代产品的反馈，对于分别适用于图腾柱无桥PFC拓扑和交错PFC拓扑的ACDC数字控制器进行了升级优化，提升了产品在EMC性能、动态响应等方面的关键指标，进一步增强了产品竞争力。同时，在DCDC数字控制器产品方面，首次推出了AI数据中心48V供电环节下覆盖硬开关全桥、开环LLC、多相Buck等主流拓扑的数字控制器产品，并向部分行业领先客户送样测试。
　　③工业实时控制DSP系列，对标国际大厂产品，主要面向电源和电机控制应用。产品的数字架构、硬件加速电路和专用接口全自研，新一代产品支持私有协议的工业实时总线。
　　④在辅助电源方面，公司在第三代半导体器件领域的技术积累基础上，积极推进面向车载及AI算力电源的800V辅助电源芯片系列的研发工作，该系列产品具有外围电路极其简洁的特点，可以满足未来800V先进供电系统对电路面积的极致要求。车规级辅助电源适用于新能源汽车主驱辅助电源及高压DC/DC内部辅助供电；AI用辅助电源针对800V高压母线输入场景进行了高压启动及高功率密度专项优化，为AI服务器电源系统提供小体积高可靠性的辅助供电。
　　综上所述，报告期内，公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发，提升测试实验能力的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
　　（三）产业链布局情况
　　公司持续追踪优质资产与并购契机，基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划，对风险收益进行充分评估与审慎决策。2026年上半年，公司顺利完成对慧能泰的控股收购，此次并购以协议芯片+数字能源控制IC为双核心，锚定先进能源数字化趋势，补齐公司在数字控制领域的技术短板，推动从“功率器件”到“系统方案”的战略跃迁。本次并购落地开启了公司“控制-驱动-执行”全链路布局的新篇章，充分彰显公司从单一功率器件供应商转型为电源系统解决方案供应商的战略决心。
　　（四）供应链布局情况
　　报告期内，公司在供应链协同方面持续深化。在晶圆代工端，公司与上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。通过前瞻性的采购策略，公司有效应对了产能的周期性波动，确保了产品交付的及时性。此外，公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发，并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配，实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。
　　在封测端，公司整合供应链资源，强化了对封装与测试环节的协同管理。公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略，以此推动代工成本的优化与整体效率的提升，从而不断增强供应链的自主可控能力。
　　（五）总部基地建设情况
　　报告期内，公司总部基地项目正式奠基，基地以高端化、智能化、一体化为建设目标，围绕新型功率器件、新一代功率管理控制芯片的研发及产业化布局。短期层面，项目有利于优化公司资产结构，改善运营管理质量；长期而言，本次建设不局限于场地扩容，更是创新体系的提质升级。项目建成后将集中整合研发、实验、办公资源，提升综合管理效率，为公司持续开展技术攻关、产品快速迭代夯实硬件载体与运营基础。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、雄厚的技术研发实力
　　长久以来公司将研发团队培育、研发体系搭建置于发展重点，依托体系化研发布局、专业研发人才梯队与不间断的研发资源投入，发展成为国内功率半导体领域产品技术性能具备领先优势的本土企业之一。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统的上线，进一步推动研发效率的提升。
　　2、多元化产品矩阵
　　公司搭建了多元化、全覆盖的产品矩阵，品类布局日趋丰富完善。矩阵核心囊括各类规格齐全的功率器件，不同参数规格的功率器件可精准适配差异化应用场景；在此基础上，依托收购控股子公司慧能泰及自研开发实力，公司持续补齐产品线布局，包括快速充电控制芯片、数字电源控制器、栅极控制器、工业实时控制DSP、模拟前端AFE等多款芯片产品，进一步夯实整体产品竞争力。
　　3、长效稳定的供应链协作关系
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。基于与供应商长期稳定的战略合作关系，在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力。功率半导体制造工艺专业性强，高性能产品落地离不开芯片设计与晶圆制造工艺、封装测试方案的高度适配。研发团队一方面针对晶圆厂基准工艺平台开展深度优化与定制化芯片设计，开展工艺调试，优化制程参数，让晶圆工艺充分匹配芯片设计指标；另一方面联动封测厂商匹配专属封装结构、定制化测试方案，敲定封装选型、搭建专属测试流程，解决封装带来的散热、应力、电性测试等关键问题，保障整体性能与可靠性。在此合作模式下，晶圆制造工艺、封测制程方案都在双方协同对接中持续迭代优化，供需双方技术水平互补共进、协同提升。
　　4、深厚的市场合作根基
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率半导体应用领域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率半导体领域的领先地位奠定基础。
　　5、严格的质量管控
　　公司高度重视产品质量的可靠性，始终坚持高标准的质量要求。从产品的研发到生产的过程中，坚持严格的质量管控，为客户提供稳定可靠的产品。公司秉承着质量管理系统化的理念，构建了全面质量管理体系，遵循“全流程监控-全流程透明-全流程可追踪”的原则，覆盖公司所有关键流程，确保质量管理体系的全面落实和执行。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司深耕高性能功率半导体的研发与设计领域，产品广泛应用于多种电力电子系统。目前，公司在硅基器件、第三代半导体、功率模块及数字IC、模拟IC等关键方向上已构建起多项核心技术壁垒，并成功将这些技术全面应用于公司的主营产品中，实现了技术与产品的深度融合。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司新增知识产权申请项目13个，其中境内发明专利申请数7个,集成电路布图6个；新增知识产权授权项目15个，其中境内发明专利7个，境外专利4个，集成电路布图4个。
　　3、研发投入情况表
　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因主要系报告期内，公司持续加强研发投入特别是先进工艺产品研发，相应的材料、职工薪酬、检测测试费等投入均持续增加，同时2025年下半年公司实施了限制性股票激励计划，相应的股份支付有所增加。
　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入7.36亿元，较上年同期增长19.58%；实现归属于上市公司股东的净利润10,630.18万元，较上年同期增长285.41%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润68.92万元，较上年同期减少92.91%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.54亿元，较2025年同期减少3.28%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.97亿元，较2025年同期增长67.50%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入3,008.83万元，较2025年同期增长45.59%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入153.22万元，较2025年同期减少9.28%；（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）报告期内实现营业收入207.42万元，较2025年同期增长494.14%；（6）公司功率模块产品报告期内实现营业收入367.53万元，较2025年同期减少39.84%；（7）公司PD快充产品报告期内实现营业收入4,321.15万元。
　　报告期内，公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，其中，车规级、工业级领域主营业务收入占比约79%，主要来自各类工业及通信电源、车载充电机、光伏逆变器、大功率照明电源等领域。公司主要细分领域收入具体表现为：各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重逾37%，该领域收入较上年同期增长约15%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重逾14%，该领域收入较上年同期减少逾21%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重约14%，该领域收入较上年同期增长逾130%；消费电子设备领域收入占当期主营业务收入的比重约12%，该领域收入较上年同期增长约99%。
　　报告期内，公司主营产品稳定批量出货，同时积极推进多款新品的送测认证工作，预计将为公司主营产品的销售带来持续的促进作用。
　　五、可能面对的风险
　　（一）核心竞争力风险
　　1、技术迭代与研发升级风险
　　公司所处行业下游应用场景广泛，既包含新能源赛道的风电、光伏、储能、新能源汽车，也覆盖人工智能、云计算、智能电网、工业自动化、轨道交通、通信基础设施、消费电子等多元领域。行业技术迭代速度快、终端市场需求动态变化，企业唯有贴合技术发展趋势，持续研发迭代、攻坚前沿技术，优化存量产品、布局创新产品，才能筑牢技术创新能力，保持稳定的市场竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，保持核心技术优势并根据客户需求及时进行技术迭代并推出具有竞争力的新产品，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　2、专利壁垒风险
　　行业巨头（如英飞凌、意法半导体等）已构筑严密的专利网络，后发企业可能面临诉讼或高额授权成本的风险。为有效应对该风险，公司知识产权部门与专利事务所开展长期合作，通过系统的专利地图分析，识别风险。在中国、欧洲、东亚等关键市场布局专利申请，逐步构建区域化专利防护体系，从源头降低侵权风险。同时，公司建立并落实知识产权激励机制，鼓励研发人员及时提交技术创新成果，持续充实自主知识产权储备。
　　3、核心技术泄密与人才流失风险
　　半导体行业具有技术密集型的显著特征，其核心技术与人才是支撑企业竞争力的关键资产。在激烈的人才竞争下，核心人员的流失可能导致企业技术发展受阻、创新能力断层。此外，尽管已有保密协议和专利保护作为防护屏障，但核心工艺、设计方法等关键技术泄密的风险依然存在，一旦发生，将严重削弱企业的竞争优势。
　　为应对风险，公司与核心技术人员签订严格的保密协议及竞业限制协议，稳定核心技术团队，提供有市场竞争力的待遇和中长期激励计划，增强人才留任吸引力，同时保持对新人才的引进和培养，降低因技术泄密或关键人才流失对公司持续研发能力可能带来的不利影响。
　　（二）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司晶圆供应商集中度较高，若出现晶圆代工行业产能紧张或双方关系恶化的情况，则可能导致公司产品无法按时、足量交付，进而对公司的经营业绩产生不利影响。同时，芯片设计企业与代工及封装测试企业之间一定程度上互相依赖，专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后通常不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，针对这一风险，公司将在持续拓展上游供应商渠道的同时，稳固、加深与现有供应商的合作关系。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于产品的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系，但由于产品交期长、多环节外包导致链条长、协调难等情况，且公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，公司优先选择行业内的头部供应商进行合作，建立常态化现场审核与质量监控制度；同步布局多家供应商，分散单一依赖风险；强化封装设计与晶圆工艺的协同验证，从源头降低风险。
　　3、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司营业收入中经销收入占比相对较高，为72.36%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　针对上述风险，公司建立严格的经销商准入制度，考察经销商资质、资金实力、行业经验、客户资源等，择优选择合作经销商，并根据销售规模、市场覆盖、服务能力等对核心经销商给予更优惠的价格、账期与资源支持，对不合格经销商及时淘汰，提升渠道整体质量。定期召开经销商会议，收集市场反馈，及时解决经销商在供货、技术、售后等方面的问题，增强合作信任度。通过长期共赢的合作模式，提升经销商忠诚度，减少渠道流失风险。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等长期占据主要市场，这些企业具有较大的生产规模和市场份额，产品线齐全，技术实力雄厚。作为全球最大的应用市场，中国市场对国际厂商来说具有重要的战略意义，因此国际厂商纷纷不断增加在中国的研发、技术、资本和人员投入，并扩大营销网络和市场布局，以占据中国市场的优势地位。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进公司的竞争也愈加激烈。在此背景下，终端客户可能采取向多家供应商分散采购的策略，从而降低企业在终端客户中的采购份额和采购单价。若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，避免陷入“价格战”，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会存在持续波动、下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为25,405.32万元，公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　3、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为68,442.21万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　4、商誉减值的风险
　　报告期内，公司收购慧能泰形成商誉32,243.81万元。根据《企业会计准则》的规定，本次收购形成的商誉将每年进行减值测试。未来若由于经济环境、行业政策或经营状况等发生不利变化，导致慧能泰经营业绩出现不及预期的情况，则会导致商誉减值的风险，并将对公司未来的当期损益造成不利影响。公司将密切关注被收购标的的经营状况和行业动态，加强投后整合与管理，定期对商誉进行减值测试，审慎评估资产价值。
　　（四）行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。国家持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要（2026—2030年）》。在“十五五规划”中半导体（集成电路）产业作为战略性新兴支柱产业，被置于十大新产业新赛道榜首，成为“十五五”期间科技创新与产业升级的核心抓手。未来，如果国家相关产业政策支持力度减弱，将不利于国内功率半导体行业的技术进步，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2、下游需求波动及新兴应用领域发展不及预期的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及产能库存等因素紧密相关。因此，若驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响。
　　公司产品在机器人、AI算力服务器、高速通信等新兴赛道的落地应用与产业发展具备广阔空间，但同时面临多重不确定性风险。一方面，相关产业政策、行业监管规则若发生调整，将直接影响行业发展环境；另一方面，若新兴应用领域整体发展进度不及预期、下游需求疲软，也会制约公司产品的市场渗透与规模化应用，进而对行业发展带来不利影响。此外，若公司在以上新兴领域的相关研发推进不及预期、技术迭代及产品落地进展不顺，同样可能拖累相关业务布局，进而对公司经营发展带来不利影响。
　　3、行业周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，半导体行业存在一定的周期性变化。功率半导体产品广泛应用于工业制造、新能源、汽车电子、通信运输、消费电子等国民经济各个领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致半导体行业处于低迷状态，则行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。
　　（五）宏观环境风险
　　1、贸易保护主义风险
　　近年来，全球贸易保护主义壁垒高筑，地缘政治冲突和国际贸易摩擦频发，部分国家通过贸易保护加技术封锁的手段，试图制约中国相关产业的发展，国际贸易政策存在一定的不确定性。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。
　　2、税收优惠政策变动风险
　　公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、研发加计扣除等。公司及控股子公司慧能泰系高新技术企业，有效期自获得高新技术企业证书起三年。报告期内按15%的税率征收企业所得税。如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件设计厂商。公司产品的终端应用聚焦在工业及汽车相关等中大功率应用领域，同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，产品获得工业和车载重要客户认可。
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　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件设计厂商。公司产品的终端应用聚焦在工业及汽车相关等中大功率应用领域，同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，产品获得工业和车载重要客户认可。
　　（1）Si基器件业务进展
　　车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾、赛力斯、零跑、法雷奥、小鹏、富特、联合汽车电子等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“最佳交付奖”等；
　　直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、领充、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、先控捷联、超聚变等公司。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；
　　服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；
　　光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、铂科电子、固德威、思格新能源、三晶电气、德业科技、麦田能源、艾罗网络等公司。并获得江苏思格新能源技术有限公司颁发的“最佳协同奖”；
　　泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客户；其中，电机驱动方面，公司产品导入灵足时代、优必选、相石智能、脉塔智能、卓誉电气、追觅科技等客户，在机器人关节驱动、微型伺服驱动、扫地机器人等领域小批量试产出货；
　　高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户。
　　（2）SiC器件业务进展
　　报告期内，公司积极推进在SiC系列产品的研发和量产工作，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司SiC器件产品，获得翌工电子、思格新能源、北斗星电子、台达、陆巡科技等客户订单，思格新能源、陆巡科技等产品处于试产阶段。
　　公司产品已进入AI服务器、算力电源、通信电源、基站电源、光伏储能、机器人关节、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、工业照明、家电等领域。未来，公司将持续专注于工业及汽车应用领域及新兴应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　2、主要产品
　　公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含Si2CMOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　(二)主要经营模式
　　公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
　　1、研发模式
　　公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。
　　公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。公司具有深度定制开发的能力,在产品研发阶段，公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾（QuarterlyTechnologyReview，“QTR”）与季度业务（QuarterlyBusinessReview，“QBR”)回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。晶圆厂定期向公司提供制程能力（ComplexProcessCapability,“CPK”)管控数据及外观检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告，定期对厂家的管控计划提出意见，以保证产品质量。
　　2、采购与生产模式
　　公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabless模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，随后将制造完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。
　　3、销售模式
　　结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品，同时也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至客户指定地点。
　　公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方较易形成长期稳定的合作关系。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。
　　（1）行业发展情况及市场概况
　　1）随着全球电气化、数字化和智能化水平的持续提升，功率半导体已成为支撑工业自动化、新能源、轨道交通、汽车电子及消费电子等多个关键领域发展的不可替代的基础性产品，是半导体产业的重要组成部分，更是推动能源结构转型和产业升级的核心力量。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。
　　功率半导体行业全球市场集中度高，尤其是高端功率器件领域以美、日、欧等国厂商为主导。其中，高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等厂商长期占据垄断地位。功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面，竞争格局较为分散，市场集中度较低，Fabless(无晶圆厂)和IDM厂商并存，高端产品依赖进口，中低端产品又深陷价格战的泥潭。近年来，随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新，国产功率半导体企业已取得较大进步，国内孕育出一批优秀的功率半导体器件企业，逐步从低端市场向高端应用领域持续渗透。
　　2）全球半导体市场情况，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）于2026年3月发布的最终官方数据显示，2025年全球半导体销售额达7,956亿美元，同比增长26.2%，主要由AI和数据中心需求驱动。从产品结构看，规模增长最大的是存储芯片，增幅达39%；其次为逻辑芯片，增幅38.8%；传感器增幅达10.4%。
　　同时，该机构预测2026年全球半导体市场将继续保持高速增长态势，销售额达到9,750亿美元，向万亿美元规模迈进。
　　3)我国半导体/集成电路市场情况，根据美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2025年中国半导体销售额首次突破2,000亿美元，超过2,100亿美元，同比增幅超过15%，占全球总额约三成。海关总署数据（“2025年1至12月部分出口商品主要贸易方式量值表<人民币值>”）显示，2025年中国集成电路出口总额达14,442亿元人民币，同比增长超27%，出口单价首次突破4元/个，双双创下历史新高。
　　从市场情况数据可以反映，随着库存水平的逐步调整和市场需求的有序恢复，功率半导体市场正在逐步回暖，但产品结构的增长差异，反映了市场需求的不均衡性。
　　2025年，全球半导体市场延续2024年的复苏态势，逐步进入周期性向上通道。由人工智能（AI）算力爆发和全球能源转型两大核心引擎驱动，行业呈现出技术升级和市场竞争格局分化特征，存量博弈与增量开拓并存。
　　①市场与需求：需求结构转变，AI服务器的功率需求正迈向兆瓦（MW）级，对功率器件的密度、效率和散热提出极高要求，成为拉动高端功率半导体需求的新增长极。清洁能源，光伏逆变器、储能系统等领域也持续贡献着稳定需求。
　　②技术与产品：以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体正加速渗透，以IGBT和MOSFET为代表的传统硅基器件，凭借成熟工艺和成本优势，与第三代半导体形成互补共生的格局。
　　③竞争格局：行业竞争日趋激烈，一方面，国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突破，国产化率稳步提升。另一方面，行业内部聚焦不同赛道的企业表现迥异，成功卡位AI服务器等高增长赛道的企业，较容易获得业绩与竞争力的双重溢价。聚焦于激烈竞争赛道的企业，受价格和产品结构影响，虽然营收增长，但盈利能力承压，呈现“增收不增利”的局面。
　　（2）行业的主要特点
　　1）技术密集型，依赖特色工艺
　　①功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新
　　功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间，成熟制程主导，对先进工艺依赖较低。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
　　②产品和材料多世代并存，生命周期长
　　从器件结构看，二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等多代产品的出现并非简单的替代和迭代，而是因各自在功率、频率上的优势而长期共存互补，适应不同应用场景需求；从材料看，成熟的硅基材料与以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体，正共同构建起适应多元化应用场景的多材料并存格局。
　　③特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求
　　“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。
　　2）显著的周期性波动
　　功率半导体行业具有强周期性特征，其发展与宏观经济和下游需求紧密相关。
　　①供需错配：产能扩张需要经历“晶圆厂建设-设备安装-工艺调试-良率爬坡”等漫长过程。当下游需求快速增长时，供给难以迅速跟上，导致供不应求；反之，则可能引发产能过剩和价格战。
　　②库存周期：行业会经历“被动去库存”到“主动补库存”的循环。在需求预期乐观时，厂商会主动增加库存以应对订单，推动行业上行；而在需求疲软时，则会降价去库存，加速行业降温。
　　3）产业链高度协同与特定经营模式
　　功率半导体产业链条长，涵盖原材料、设备制造、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个环节，各环节紧密相连。
　　①IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起
　　半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。
　　近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。
　　4）全球寡头竞争与国产替代加速
　　全球功率半导体市场集中度较高，呈现寡头竞争格局，尤其在高端领域集中于少数几家头部企业，国内企业仍处于充分竞争阶段。
　　①国际巨头主导：以英飞凌、意法半导体、安森美等为代表的欧美日企业，凭借先发优势、技术积累和齐全的产品线，长期占据全球中高端市场的主导地位。
　　②国产替代加速：中国是全球最大的功率半导体消费国。在政策扶持和市场需求的双重驱动下，本土企业快速崛起，在关键领域不断取得技术突破，市场份额持续提升，国产替代进程深化。
　　（3）主要技术门槛
　　功率半导体行业属于技术密集型行业，技术壁垒较高。功率器件的性能不仅取决于电路设计，更与制造工艺深度绑定。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术，需要具备“特色工艺”平台的定制化能力，针对不同的电压、电流和应用场景，开发特定的工艺平台，这对企业的工艺开发经验和技术积累提出了极高要求。
　　在功率半导体器件中，超级结MOSFET、SGTMOSFET、IGBT、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高，上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。2025年，公司超级结MOSFET/OSG65R038HZF产品，荣膺第二十届中国芯“优秀市场表现产品”奖，这也是公司第三次斩获“中国芯”系列荣誉。
　　公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。
　　在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
　　在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。
　　在第三代半导体领域，公司的SiCMOSFET、Si2CMOSFET、SiCSBD已经实现量产，性能指标和同类型竞品对比优势明显。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiCJFET、GaNHEMT等器件的开发工作。
　　在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，报告期内，公司模块产品线实现了关键性的技术跨越，形成了覆盖全电压等级的完整解决方案，并在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发，为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
　　1）持续追求高效能与低功耗目标
　　为应对全球能源危机与日益提升的环保要求，半导体功率器件需要不断提升电能转换效率，降低功耗，以满足节能减排与绿色低碳发展需求。这要求半导体功率器件在设计和制造环节中不断优化器件结构、材料体系和工艺技术，实现更高转换效率与更低导通、开关损耗。同时，下游应用场景的多元化与精细化，也将进一步推动功率器件向高性能、定制化、差异化方向发展。
　　2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键
　　功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的核心,随着传统硅基材料逐渐逼近其物理极限,性能提升空间收窄，新型材料可以突破传统材料的固有局限，提升器件耐压、开关频率与高温稳定性，满足高压、高频、高效的严苛应用场景需求。
　　3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透
　　低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
　　4）国产化进程加速
　　半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也正在加速渗透，其应用边界不断拓展。
　　我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小。
　　（2）新的市场应用领域及未来发展趋势
　　1）服务器市场及人工智能数据中心建设
　　在人工智能应用需求的持续驱动下，服务器产业正步入长周期高速增长阶段。数据中心作为人工智能发展的关键基础设施，伴随海量数据的产生、传输与计算处理需求，迎来新一轮建设热潮，并推动传统数据中心（IDC）向人工智能数据中心（AIDC）加速演进与转型。
　　尽管全球经济呈现增长动能不足的态势和地缘政治紧张局势带来不确定性，但AI基础设施的加速推进，已成为超越传统经济周期的核心力量，成为定义全球科技市场走向的首要力量。根据IDC数据，2025年全球服务器市场规模达到创纪录的4,441亿美元，同比增幅达到80.4%。第四季度单季营收更是突破1,253亿美元，同比激增52.4%。IDC发布的《中国半年度加速计算市场（2025上半年）跟踪》报告显示，2025上半年中国加速服务器市场规模达到160亿美元，同比增长超过一倍。IDC预测，到2029年，中国加速服务器市场规模将超过1,400亿美元。加速服务器专为AI训练与推理、高性能计算等复杂任务设计，正在人工智能、科学研究等领域成为不可或缺的基础设施。IDC还在报告中指出：超大规模数据中心和云服务供应商继续引领投资需求，而传统的本地部署领域在支出方面仍然保持谨慎；GPU、DRAM、SSD等关键组件价格的剧烈波动，需求在短期内持续碾压供应能力，成本压力很可能在2026年更加猛烈地冲击整个产业链，导致对长期合同的需求增加，整个行业也在适应新的形势。
　　为满足AI算力场景下高效率、高功率密度及高精度供电的严苛要求，服务器电源系统、CPU与GPU主板供电模块广泛采用多种功率半导体器件及电源拓扑技术，包括SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、高密度功率模块、栅极驱动芯片（GateDriver）及DrMOS等核心功率器件，同时结合PFC、LLC谐振变换、同步整流等拓扑结构与高效散热方案。上述功率半导体器件与配套技术，是保障服务器电源系统实现高效能、高功率密度及稳定精准供电的关键支撑。
　　2）新能源汽车及充电桩领域
　　①新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　根据中国汽车工业协会最新发布数据显示，2025年，我国汽车产销累计完成3,453.1万辆和3,440万辆，同比分别增长10.4%和9.4%。其中，乘用车年度产销首次双超3,000万辆，商用车回到400万辆以上景气区间；新能源汽车产销量分别完成1,662.6万辆和1,649万辆，同比分别增长29%和28.2%，国内销量1,387.5万辆。新能源汽车全年新车销量占比达47.9%，较上年同期提升了7个百分点，显示出强劲的市场替代效应。
　　同时，中国汽车工业协会预测，2026年新能源汽车销量有望达到1,900万辆，同比增长15.2%；汽车出口预计达到740万辆，同比增长4.3%，主要终端应用的稳定增长，将为功率半导体等核心部件奠定稳固的基本需求。尽管市场前景广阔，但国内新能源车行业“内卷”现象显著。一方面，产能快速扩张，另一方面，企业间价格竞争激烈，“增产不增利”的局面导致行业经营压力巨大。2025年，我国汽车行业销售利润率已降至4.1%，低于下游工业企业平均水平，这表明从整车生产到终端销售的整条产业链都在承压，企业需要在技术创新与成本控制之间积极平衡。国内自主品牌新能源车型的加速出海，将有望推动全球新能源车的转型进程和渗透率提升。
　　②根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布的数据，截至2025年12月底，我国电动汽车充电设施数量达到2,009.2万个，正式突破2,000万大关。其中，公共充电设施（枪）471.7万个，私人充电设施（枪）1,537.5万个。目前，我国已建成全球最大的电动汽车充电网络，支撑了超4,000万辆新能源汽车的充电需求。
　　为推动充电设施的高质量发展，国家层面密集出台了相关政策。2025年7月，国家发改委等四部门印发《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》，明确定义大功率充电设施为单枪充电功率达到250kW以上的设施，并在规划、应用场景、要素保障、技术标准等方面给予了指引。同年9月，国家发展改革委、国家能源局等六部门联合印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027年）》，进一步明确了今后一段时期充电设施发展的目标和行动路径，为行业的持续扩张提供了顶层设计和政策保障。
　　在政策的引导和市场的驱动下，快充技术实现了快速突破。液冷、油冷、兆瓦超充、超静音、V2G（车网互动）、光储充一体化等新技术不断涌现，其中充电效率的质变是近年最显著的技术升级。2025年，充电设施的功率结构显著上移。根据国家充电设施监测服务平台数据，全国公共充电桩额定总功率达到2.20亿千瓦，平均功率约为46.53千瓦，同比提升33%。在结构上，大功率充电设施也在加速布局，其中250kW以上的大功率充电枪保有量已达202,752个，尽管目前占比尚不高，但已成为未来发展的重要趋势。
　　充电桩的核心部件是充电模块，而功率器件（如IGBT、MOSFET）和功率模块作为高速电子开关，通过精确、快速地导通和关断，完成电能的形态转换。如SiC器件具有更高的效率、更快的开关速度和更强的耐高温能力，它能让充电模块体积更小、功率密度更高，是实现大功率超级快充（如250kW以上）的关键技术。功率器件和模块的性能直接决定了充电桩的充电速度、安全性、效率和可靠性，是支撑新能源汽车快充体验背后的核心技术。
　　3）光伏逆变及储能领域
　　根据国家能源局发布2025年光伏发电建设情况：2025年全国光伏新增并网容量3.17亿千瓦，同比增长14%，其中集中式光伏新增1.64亿千瓦，分布式光伏新增1.53亿千瓦；截至2025年底累计并网容量12亿千瓦，同比增长35%，其中集中式光伏6.7亿千瓦，分布式光伏5.3亿千瓦。
　　随着全球能源结构的转型和可再生能源比例的提升，光伏行业的市场需求将有望持续增长。分布式光伏和BIPV（建筑一体化光伏）等新兴应用场景将成为市场增长的重要动力。光储市场的爆发将直接拉动功率器件的需求增长，并倒逼其向高效、高压、高可靠性演进；而功率器件的技术进步又成为光储系统降本增效的关键支撑。两者形成相互驱动、协同发展的闭环关系。
　　2025年，全球储能市场继续保持高速发展态势，根据CNESADataLink全球储能数据库不完全统计，全年新增投运电力储能项目装机规模首次突破100GW，达到123.9GW，同比增长49.3%,新型储能新增装机占比超过90%，达到113.3GW/305.8GWh，同比增长52.9%/72.0%。其中，中国新型储能新增装机连续四年位居全球首位，2025年新增投运新型储能项目规模达到66.4GW/189.5GWh，同比增长51.9%/72.6%，在全球市场的占比达到58.6%。
　　截至2025年底，我国已投运电力储能项目累计装机规模213.3GW，占全球市场总规模的43.0%，同比增长54%。新型储能累计装机规模达到144.7GW，占国内电力储能总规模的2/3以上，较“十三五”期末实现45倍增长，在全球新型储能市场中的占比首次过半，达到51.9%。
　　CNESA还对2026年—2030年中国新型储能市场规模进行了预测：在保守场景（政策执行、成本下降、技术改进等因素未达预期）下，预计2030年新型储能累计规模将达到371.2GW，2026年—2030年复合年均增长率（CAGR）为20.7%；在理想场景（未来几年中国新能源加速发展）下，预计2030年新型储能累计规模将达到450.7GW，2026-2030年复合年均增长率（CAGR）为25.5%。
　　从全球储能供需格局看，地缘政治、政策、刚需等驱动因素下，储能战略地位有望持续提升，需求端保持高增速。从应用模式来看，储能技术的不断创新将推动产业升级，中国储能市场正呈现大型化、规模化、多元化并行的趋势。《储能产业研究白皮书2026》显示，独立储能已成为主要发展模式,伴随AI算力需求的爆发，人工智能数据中心场景的储能项目正在加速布局。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。
　　4）5G基站和通信电源领域
　　根据工业和信息化部发布的数据显示，2025年，我国通信业电信业务量收保持平稳增长，优势领域不断巩固，顺利完成各项发展目标任务。其中，截至2025年底，我国5G基站数达483.8万个，平均每万人拥有5G基站34.4个，高于“十四五”信息通信行业发展规划建设目标8.4个。
　　5G基站采用MassiveMIMO等技术，单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上，同时基带处理单元（BBU）功率超过1000W，这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，尤其是氮化镓（GaN）等新型器件，凭借其高功率密度、高频特性和高效能，成为5G基站射频功率放大的核心选择，其耐高压、耐高温特性，又能使基站模块实现小型化设计，降低部署成本。5G网络的建设和运营需要大量的通信电源设备来支持，这将直接推动通信电源市场规模的增长。随着5G通信技术的逐步普及和应用，通信电源市场有望进一步扩大。
　　据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）调研团队最新报告“全球通信电源系统市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球通信电源系统市场规模将达到88.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为6.0%。
　　通信电源系统，按市场规模和产品应用而言，通信基站是最大的下游市场和最主要的需求来源。功率器件不仅是基站电源和通信电源的必要组成部分，更是支撑5G高效率、高功率密度、高可靠性需求的关键技术要素，随着5G基站、数据中心、物联网设备的普及，对通信电源产品的需求呈现出多样化特征，不同应用场景对电源系统的要求各不相同，行业从业者需要不断创新以满足这些需求。
　　5）机器人领域
　　2025年被广泛认为是人形机器人发展的关键元年，“具身智能”和“智能机器人”首次写入2025年政府工作报告，标志着国家层面的战略支持升级；2026年2月，人形机器人与具身智能标准化（HEIS）年会在北京召开，会上正式发布《人形机器人与具身智能标准体系（2026版）》，该体系由工信部标委会组织编制，是我国首个覆盖全产业链、全生命周期的国家级标准顶层设计，标志着国内人形机器人产业迈入标准化发展新阶段。
　　根据IDC《全球人形机器人市场分析》报告数据显示，2025年全球人形机器人出货量约1.8万台，同比增长约508%，中国厂商主导行业规模化商用，占据核心市场份额。根据中国信通院《人形机器人产业发展白皮书(2025)》数据显示，2025年中国人形机器人市场规模突破85亿元，占全球比重超50%。高工机器人产业研究所（GGII）预测，2025年全球人形机器人市场销量有望达到1.24万台，市场规模63.39亿元；到2030年全球人形机器人市场销量将接近34万台，市场规模将超过640亿元；到2035年，全球人形机器人市场销量将超过500万台，市场规模将超过4,000亿元。
　　人形机器人对功率器件选择主要围绕两大核心需求，强大的运动控制能力和高效的能源管理能力。关节电机驱动作为核心应用，是功率器件用量最大、技术要求最高的部分，一台人形机器人通常有30-40个甚至更多的关节（执行器），每个关节都需要功率器件来驱动电机；电源管理系统中，功率器件负责电压的升降转换，以及充放电保护，确保机器人各模块获得稳定电力，并提高能源利用效率，延长续航时间。
　　二、经营情况讨论与分析
　　公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。
　　2025年，在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下，全球半导体市场呈现复苏与增长态势。公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。
　　（一）整体经营业绩情况
　　报告期内，公司实现营业收入12.53亿元，较上年同期增长24.87%；实现归属于上市公司股东的净利润4,621.04万元，较上年同期增长14.85%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元，较上年同期增长240.49%。
　　功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，报告期内，车规级、工业级领域营业收入占比约为83%。受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响，公司营业收入和毛利率有所上升，盈利能力也有所提升。
　　（二）技术研发情况
　　公司坚持技术创新与研发投入，夯实现有产品的技术升级，加快实现新产品的技术迭代。2025年度研发费用为9,231.76万元，较上年同期增长21.93%；截至2025年末，公司研发人员数较上年同期增长13.04%；2025年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长18.09%。
　　（1）报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级，包含了更多的产品规格和更多的制造基地。超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等主要产品在完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂扩展的基础上，在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均得到了显著的扩容。报告期内，功率模块和GaNHEMT领域实现了突破，其中，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付，GaN产品系列得到扩充，积极推进客户验证。主要产品进展具体如下：
　　①超级结MOSFET方面：
　　报告期内，公司依托12英寸晶圆制造基地的深度扩展与技术优化，成功构建了丰富且优质的制造资源池。在与基地的全年通力合作下，超级结MOSFET产能实现跨越式增长，不仅完成了年初设定的产能爬坡目标，更在应对市场高峰需求时展现出卓越的弹性。报告期内，晶圆测试良率持续稳定在高水平，这种优异的一致性表现，更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。第四代超级结MOSFET进入全面放量阶段，凭借成熟的工艺和极高的性价比，该系列产品收到多家客户的长期订单，为公司年度销售额增长做出贡献，提升了市场占有率。第五代超级结MOSFET小批量交付，性能国内领先；第六代超级结MOSFET研发工作进展顺利，器件性能已经接近国际大厂最优系列，性价比优势明显。目前，第六代超级结MOSFET正在开展严苛的可靠性验证，旨在满足客户日益严格的质量预期。随着12英寸晶圆代工厂产能的全面扩张以及制造设备性能的持续升级，“供应能力”与“产品性能”的双重优势不仅巩固了超级结产品在高端功率半导体领域的护城河，更为长远发展积蓄了强劲动能。
　　②中低压屏蔽栅MOSFET方面：
　　公司中低压屏蔽栅产品覆盖25V-250V全电压平台。报告期内，公司优化了25V-200V全规格段产品性能，量产多颗规格难度较高的产品，助力终端客户完成国产化替代。FSMOS系列推出了200V电压平台产品，产品性能优越，可用于光伏逆变、储能和电机驱动等相关领域。公司持续投入车规验证资源，陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。在大电流高频率领域，25V-200V高频系列单体器件性能国内领先。公司25V、30V、40V、60V、80V、100V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，人形机器人等领域实现了销售。
　　③独创结构的TGBT方面：
　　报告期内，公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力，在下半年陆续推出基于该技术的产品系列，在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估，性能满足预期，这将为公司赢得更多的订单机会。使用公司研发的650VTGBT，搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。
　　④SiC器件方面：
　　报告期内，公司加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。报告期内，公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段；公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时，成功解决了客户应用的痛点问题，该系列产品已通过客户的测试并获得订单；公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，推进客户验证中；同时，更高电压的系列产品也在积极研发中。公司自主研发的Si2CMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充，同时公司也积极研发其他类型的SiC器件，如硅器件和SiCJFET的组合，沟槽型SiCMOSFET，以及超结型SiCMOSFET，以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。
　　⑤功率模块方面：
　　2025年，依托在功率器件和功率模块上的技术积累，公司模块产品已批量出货，产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景，并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。
　　高压领域，依托成熟的SMD3平台，产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等，可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域，展现出卓越的功率密度与热管理能力。
　　低压领域，公司于2025年推出了低压SGTMOS半桥/全桥模块，该系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗，具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。其核心应用场景广泛，涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组，以及汽车热管理系统，可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。
　　（2）公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善，推动实验室体系向更高标准迈进，良好的研发实验环境，能为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。2025年上半年，公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。在车规级可靠性验证方面，公司实验室已具备完整的测试能力，覆盖关键实验项目，确保产品在严苛环境下的长期可靠性。实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期，使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律，并快速反馈至设计与封装工艺优化环节，为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。一流实验平台的升级与完善，将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。
　　综上所述，报告期内，公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发，提升测试实验能力的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
　　（三）供应链布局情况
　　报告期内，公司在供应链协同方面持续深化。在晶圆代工端，公司与华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。同时，为保障第三代半导体产品系列的研发与产能，公司与多家SiC代工厂展开深入合作。通过前瞻性的采购策略，公司有效应对了产能的周期性波动，确保了产品交付的及时性。此外，公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发，并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配，实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。
　　在封测端，公司整合供应链资源，强化了对封装与测试环节的协同管理。公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略，以此推动代工成本的优化与整体效率的提升，从而不断增强供应链的自主可控能力。
　　（四）产业链布局情况
　　公司持续追踪优质资产与并购契机，基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划，对风险收益进行充分评估与审慎决策。公司在产业链上下游的投资布局，预期将在中长期显著提升协同效应，从而推动公司持续、快速、稳定及健康发展。
　　（五）股权激励情况
　　报告期内，公司推出2025年限制性股票激励计划，向董事、高级管理人员及核心技术和业务骨干授予1,594,619股限制性股票。公司致力于构建员工与企业共享发展成果的长期利益共同体，通过完善长效激励机制，激发核心人才的积极性与稳定性，促进核心团队与公司长期价值的协同成长。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、强大的研发能力
　　公司一直以来高度重视研发团队及体系的建设，完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。
　　同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统的上线，进一步推动研发效率的提升。
　　2、丰富的产品规格
　　功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域。
　　同时，公司车规产品管理评审流程日渐成熟，车规产品推出速度和数量大为提升，车规市场项目的对接成功机会显著增加。
　　3、广泛的客户基础
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
　　4、稳定的供应商关系
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。基于与供应商长期稳定的战略合作关系，在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。
　　5、严格的质量管控
　　公司高度重视产品质量的可靠性，始终坚持高标准的质量要求。从产品的研发到生产的过程中，坚持严格的质量管控，为客户提供稳定可靠的产品。公司秉承着质量管理系统化的理念，构建了全面质量管理体系，通过“全流程监控-全流程透明-全流程可追踪”的原则，覆盖公司所有关键流程，确保质量管理体系的全面落实和执行。
　　(二)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　公司深耕高性能功率器件的研发与设计领域，作为电能转换与控制的核心元件，产品广泛应用于多种电力电子系统。目前，公司在硅基器件、第三代半导体及功率模块等关键方向上已构建起多项核心技术壁垒，并成功将这些技术全面应用于公司的主营产品中，实现了技术与产品的深度融合。
　　四、风险因素
　　(一)核心竞争力风险
　　1、技术迭代与研发升级风险
　　全球能源结构转型与数字经济浪潮叠加，功率半导体作为电能转化和电路控制的核心器件，下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，公司需要根据技术发展趋势和终端客户需求不断优化现有产品并研发新技术、新产品，从而保持技术创新性和产品竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，保持核心技术优势并根据客户需求及时进行技术迭代并推出具有竞争力的新产品，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　2、专利壁垒风险
　　国际巨头（如英飞凌、意法半导体等）已构筑严密的专利网络，后发企业可能面临诉讼或高额授权成本的风险。为有效应对该风险，公司知识产权部门与专利事务所开展长期合作，通过系统的专利地图分析，识别风险。在中国、欧洲、东亚等关键市场布局专利申请，逐步构建区域化专利防护体系，从源头降低侵权风险。同时，公司建立并落实知识产权激励机制，鼓励研发人员及时提交技术创新成果，持续充实自主知识产权储备。
　　3、核心技术泄密与人才流失风险
　　功率半导体具有技术密集型的显著特征，其核心技术与人才是支撑企业竞争力的关键资产。在激烈的人才竞争下，核心人员的流失可能导致企业技术发展受阻、创新能力断层。此外，尽管已有保密协议和专利保护作为防护屏障，但核心工艺、设计方法等关键技术泄密的风险依然存在，一旦发生，将严重削弱企业的竞争优势。
　　为应对风险，公司与核心技术人员签订严格的保密协议及竞业限制协议，稳定核心技术团队，提供有市场竞争力的待遇和中长期激励计划，增强人才留任吸引力，同时保持对新人才的引进和培养，降低因技术泄密或关键人才流失对公司持续研发能力可能带来的不利影响。
　　(二)经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若出现晶圆代工行业产能紧张或双方关系恶化的情况，则可能导致公司产品无法按时、足量交付，进而对公司的经营业绩产生不利影响。同时，芯片设计企业与代工及封装测试企业之间一定程度上互相依赖，专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后通常不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，针对这一风险，公司将在持续拓展上游供应商渠道的同时，稳固、加深与现有供应商的合作关系。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于高性能功率器件的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系，但由于功率半导体产品交期长、多环节外包导致链条长、协调难等情况，且公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，公司优先选择行业内的头部供应商进行合作，建立常态化现场审核与质量监控制度；同步布局多家供应商，分散单一依赖风险；强化封装设计与晶圆工艺的协同验证，从源头降低风险。
　　3、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司主营业务收入中经销收入占比相对较高，为70.24%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　针对上述风险，公司建立严格的经销商准入制度，考察经销商资质、资金实力、行业经验、客户资源等，择优选择合作经销商，并根据销售规模、市场覆盖、服务能力等对核心经销商给予更优惠的价格、账期与资源支持，对不合格经销商及时淘汰，提升渠道整体质量。定期召开经销商会议，收集市场反馈，及时解决经销商在供货、技术、售后等方面的问题，增强合作信任度。通过长期共赢的合作模式，提升经销商忠诚度，减少渠道流失风险。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等长期占据高性能功率半导体器件的主要市场，这些企业具有较大的生产规模和市场份额，产品线齐全，技术实力雄厚。作为全球最大的应用市场，中国市场对国际厂商来说具有重要的战略意义，因此国际厂商纷纷不断增加在中国的研发、技术、资本和人员投入，并扩大营销网络和市场布局，以占据中国功率器件市场的优势地位。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内功率半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进功率半导体器件公司的竞争也愈加激烈。在此背景下，终端客户可能采取向多家供应商分散采购的策略，从而降低企业在终端客户中的采购份额和采购单价。若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　(三)财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，避免陷入“价格战”，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会存在持续波动、下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为15,514.40万元，公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　3、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为54,789.84万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　(四)行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。国家持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）。在《关于推动能源电子产业发展的指导意见》中明确“加快功率半导体器件等面向光伏发电、风力发电、电力传输、新能源汽车、轨道交通推广”。未来，如果国家相关产业政策支持力度减弱，将不利于国内功率半导体行业的技术进步，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2、下游需求波动及新兴应用领域发展不及预期的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及产能库存等因素紧密相关。因此，若驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响。
　　功率器件在机器人、AI算力服务器、高速通信等新兴赛道的落地应用与产业发展具备广阔空间，但同时面临多重不确定性风险。一方面，相关产业政策、行业监管规则若发生调整，将直接影响行业发展环境；另一方面，若新兴应用领域整体发展进度不及预期、下游需求疲软，也会制约功率器件产品的市场渗透与规模化应用，进而对行业发展带来不利影响。此外，若公司在以上新兴领域的相关研发推进不及预期、技术迭代及产品落地进展不顺，同样可能拖累相关业务布局，进而对公司经营发展带来不利影响。
　　3、功率半导体周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，功率半导体行业存在一定的周期性变化。功率半导体器件广泛应用于工业制造、新能源、汽车电子、通信运输、消费电子等国民经济各个领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致功率半导体行业处于低迷状态，则功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。
　　(五)宏观环境风险
　　1、贸易保护主义风险
　　近年来，全球贸易保护主义壁垒高筑，地缘政治冲突和国际贸易摩擦频发，国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护加技术封锁的手段，试图制约中国相关产业的发展，国际贸易政策存在一定的不确定性。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。
　　2、税收优惠政策变动风险
　　公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、研发加计扣除等。公司系高新技术企业，于2024年11月获得江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、国家税务总局江苏省税务局颁发的《高新技术企业证书》，有效期为三年。报告期内公司按15%的税率征收企业所得税。如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入12.53亿元，较上年同期增长24.87%；实现归属于上市公司股东的净利润4,621.04万元，较上年同期增长14.85%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元，较上年同期增长240.49%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入9.17亿元，较2024年同期增长17.07%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入2.71亿元，较2024年同期增长51.04%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入4,523.43万元,较2024年同期增长21.77%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入297.50万元，较2024年同期增长24.74%；（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）报告期内实现营业收入125.69万元，较2024年同期增长97.45%；（6）公司功率器件模块产品报告期内实现营业收入1,428.25万元。2025年度，公司主营产品稳定批量出货，同时积极推进多款新品的送测认证工作，预计将为公司主营产品的销售带来持续的促进作用。
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)公司发展战略
　　公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。凭借领先的功率器件与工艺创新能力，公司已获得终端客户广泛认可。未来，公司将继续聚焦高性能、创新型功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。围绕技术自主、生态协同、外延整合、品牌提升等目标，公司制定如下发展战略：
　　1、技术创新与产品自主战略
　　作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司将依托先发量产优势，持续提升产品动态性能、一致性及可靠性，深耕高效率、低损耗功率半导体技术，推动国产高端功率器件在关键性能上达到或超越国际先进水平。同时，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，跟踪新兴终端市场的变化，坚持以客户与市场为导向，持续布局车规级功率器件、第三代半导体、高功率模块等前沿方向，实现国产高端、高速功率器件产品的自主可控。
　　2、产业链协同与生态共建战略
　　作为技术创新驱动型设计公司，公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabless的轻资产经营模式，充分利用国内外一流的代工资源，更快速地实现新技术的成果转化。积极探索与材料、设备、封装等上下游优秀伙伴的资源整合，推动工艺协同开发与产能深度绑定，构建安全、弹性、高效的产业合作生态，提升供应链韧性。
　　3、内生发展与外延整合战略
　　核心技术、主力产品、组织能力上公司坚持内生发展，持续进行技术研发和创新，以产品性能为第一竞争力，保障公司可持续高质量发展。外延整合方面，公司将围绕高性能半导体核心方向，适时通过投资、并购等方式整合在先进工艺、车规芯片、新一代材料、模块封装等领域具备技术特色的优质标的。横向并购，在特定技术或细分市场有优势的团队或公司，快速补强能力，加速技术突破和产品拓展；纵向延伸，向上游投资或成立合资公司，保障供应链安全与成本优势。
　　4、提升市场与品牌战略
　　持续深耕新能源汽车、光伏储能、工业电源、数据中心与AI算力等高端市场，逐步从器件供应商向系统解决方案伙伴转型，进一步丰富产品结构以及提高公司竞争力。
　　(二)经营计划
　　一直以来，公司深耕基站电源及通信电源、数据中心、人工智能和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等领域，通过功率器件底层技术创新，开发出一系列性能优越的产品。为实现战略目标，巩固公司在功率半导体领域的领先地位，并有效应对日益激烈的市场竞争与技术迭代挑战，公司将进一步加强研发投入，加强人才团队建设，持续进行技术创新，优化产品结构，扩大各个产品系列的市场份额，为客户及股东创造价值。具体计划如下：
　　1、技术研发与创新：持续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与产品的多元化。
　　2、产品开发与迭代：稳步扩大各类功率器件的产能，不断丰富超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC及功率模块的产品规格与系列，持续提升市场占有率。
　　3、市场与客户拓展：重点加强对人工智能（AI）、算力服务器电源等在内的新兴应用领域的产品开发，保持并增强现有产品的持续竞争力，并在此基础上不断推出高性能、高品质、高附加值的产品，进一步开拓新产品线，助力业务规模与盈利能力的提升，力求从单纯的供应商向战略合作伙伴转型。
　　4、质量控制与体系完善：建立覆盖设计、制造、测试的全流程质量追溯系统。
　　5、组织与人才发展：公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设，坚持外部引进与内部培养相结合，吸引国内外优秀设计人才加入公司，激励现有员工和公司形成利益共同体，促进人才队伍建设、研发技术力量建设、提升整体运营效率，形成人才发展与业绩增长相互促进的良性循环。
　　6、产业协同与布局：充分发挥上市公司资本优势，积极布局半导体上下游产业链，强化协同效应，为公司长远发展注入持续动力。
　　7、内控体系与建设：随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续加强内控建设，提高公司经营管理水平和风险防范能力，保障公司高速、稳定、健康发展。结合公司实际情况，梳理现有管理制度，在符合内部控制要求的前提下，建立适合本公司的内部控制管理体系，明确相关部门人员的职责和权限，对内部控制的实施情况进行持续监控，及时发现和纠正存在的问题，确保内部控制体系有效运行，建立彼此连接、彼此约束的内控制度。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所处行业情况　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛　　（1）行业现状及市场规模　　功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所处行业情况
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业现状及市场规模
　　功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服务，以及为客户提供定制化开发产品能力等方面均有较高的要求，需要长时间的实践和积累。
　　随着全球贸易格局的演变，半导体自主可控重要性提升，当前国产替代关键领域持续进行技术攻关，产业链各环节的国产化率不断提升。下游应用端对产品性能多元化需求、对质量标准日益提高的需求，以及国家对行业发展规划的需要，国内功率半导体厂商需要通过持续技术创新，实现技术突破，提高技术储备，以高性价比的产品和服务实现核心电子元器件国产化，响应国家产业政策的发展规划。“China for China”的趋势下，国产替代有望从单点突破迈向全链条渗透。
　　世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。其中一季度市场规模约1,670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1,800亿美元，同比增长19.6%。逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长4%。该机构预测，2025年全球半导体市场规模将达到7,009亿美元，同比增长11.2%。
　　（2）行业发展与演进
　　功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。
　　（3）行业的主要特点
　　1）功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新
　　功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
　　2）产品多世代并存
　　二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等传统器件与碳化硅、氮化镓等新材料器件共存，适应不同应用场景需求。
　　3）特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求
　　“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。
　　4）IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起
　　半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。
　　近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。
　　（4）主要技术门槛
　　功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGT MOSFET、SiC MOSFET及GaN HEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
　　功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。当前半导体芯片产业链国产替代空间巨大，基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一，展现出良好的发展势头。
　　公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。
　　在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
　　在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
　　在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。
　　在第三代半导体领域，公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产，性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时，公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。
　　在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域，设计了多款塑封模块，并已逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发，为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
　　1）持续追求高效能与低功耗目标
　　随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高，半导体功率器件需要不断提高能效，降低功耗，以满足节能减排的需求。这要求半导体功率器件在设计和制造过程中不断优化结构、材料和工艺，以实现更高的转换效率和更低的损耗。市场需求的多样化将推动半导体功率器件的差异化发展。
　　2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键
　　功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的核心,随着Si基材料逐渐逼近其物理极限,摩尔定律接近效能极限，新型材料可以突破传统材料的局限性，提升器件性能，满足高压、高频等严苛应用需求。
　　3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透
　　低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
　　4）国产化进程加速
　　现代半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也已成功研发并投入产业化应用，其应用领域也在不断拓展。
　　我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小。
　　（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
　　1）人工智能及数据中心建设
　　随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键，数据中心作为AI重要的基础设施，迎来新一轮的建设热潮。
　　AI模型训练和推理对算力需求不断增强，数据中心建设装机进入扩张期。根据IEA数据统计显示，全球已部署的数据中心装机容量从2005年的21.4GW增至2021年的66.9GW，预计2025年将攀升至114.3GW，比20年前增长逾5倍。并且根据其测算，乐观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR高达21%，即使在悲观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR仍能达到8%的增长。
　　2）AI算力服务器市场
　　服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等部件中，广泛应用SGT MOSFET、SJ MOSFET、高密度功率模块、GateDriver、DrMOS等功率半导体。
　　在AI应用需求的驱动下，服务器市场正进入一个长周期的快速增长阶段。根据IDC数据，2024年全球服务器行业整体表现强劲，尤其是AI服务器市场增长显著。2024年全球服务器市场规模达到约1,693.4亿美元，预计2031年将达到2,812.6亿美元，2025-2031期间年复合增长率为7.4%。AI服务器市场表现出色，2024年全球AI服务器市场规模为1,251亿美元，预计2025年将达到1,587亿美元，到2028年有望突破2,227亿美元。
　　工信部《算力基础设施高质量发展行动计划》显示，2023年我国算力规模达到220EFLOPS，其中智能算力占25%，目标到2025年，算力规模超过300EFLOPS，智能算力占比达到35%。
　　3）新能源汽车领域
　　中国汽车工业协会数据，2025年上半年，我国汽车产销量分别达1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。具体来看，以旧换新政策持续显效带动，内需市场显著改善，新能源汽车延续快速增长态势，1-6月国内销量587.8万辆，同比增长35.5%，持续拉动产业转型升级。总体来看，全球半导体分立器件最大的应用领域之一仍是汽车领域，主要终端应用的稳定增长，为功率分立器件奠定稳固的基本需求，但行业竞争依然激烈。
　　新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
　　功率半导体在新能源汽车半导体价值量中的占比高达50%左右。第三方市场调研机构Omdia曾预测，2025年全年车规级半导体市场规模将达到804亿美元，中国市场规模达到216亿美元，其中功率半导体占比将突破30%。
　　4）充电桩
　　中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2025年1-6月，全国充电基础设施增量为328.2万个，同比上升99.2%。其中公共充电设施增量为51.7万个，同比增长30.6%，私人充电设施增量为276.5万个，同比上升120.8%。截至2025年6月，全国充电设施累计数量已突破1,610万个，同比增长55.6%。
　　充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压、开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件，也面临着不断优化和升级。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。
　　此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件的快速增长。
　　5）5G基站
　　根据工业和信息化部发布的2025年上半年通信业经济运行情况数据显示：截至2025年6月末，5G基站总数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，占比较一季度提高1.3个百分点。
　　5G基站采用Massive MIMO等技术，单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上，同时基带处理单元（BBU）功率超过1000W，这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，尤其是氮化镓（GaN）等新型器件，凭借其高功率密度、高频特性和高效能，成为5G基站射频功率放大的核心选择，其耐高压、耐高温特性，又能使基站模块实现小型化设计，降低部署成本。
　　6）光伏逆变及储能
　　根据国家能源局发布的2025年上半年光伏发电建设情况：全国光伏新增并网2.12亿千瓦，其中集中式光伏约1亿千瓦，分布式光伏1.13亿千瓦。截至2025年6月底，全国光伏发电装机容量达到约11亿千瓦，同比增长54.1%，其中集中式光伏6.06亿千瓦，分布式光伏4.93亿千瓦。今年上半年，全国光伏累计发电量5,591亿千瓦时，同比增长42.9%，全国光伏发电平均利用率94%。
　　根据CNESA DataLink全球储能数据库不完全统计，截止到2024年底，全国新型储能累计装机首次超过百吉瓦时，达到78.3GW/184.2GWh，同比增长126.5%/147.5%，新增新型储能投运装机规模43.7GW/109.8GWh，同比增长103%/136%。各地“十四五”储能发展累计目标达到86.6GW，远超国家的40GW目标水平。CNESA预测，2025年新型储能新增装机预计在40.8GW~51.9GW之间，平均45GW左右。储能技术的不断创新将推动产业升级，大容量储能电芯的研发和量产将进一步加速，长时储能技术也将迎来大规模增长，满足新能源电力系统对长时间储能的需求。此外，人工智能技术将在新型储能领域得到更广泛的应用，提高储能系统的安全性和稳定性。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。
　　（二）主要业务、主要产品或服务情况
　　1、主要业务
　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代，产品获得工业和车载重要客户认可。
　　（1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
　　车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等；
　　直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；
　　服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；
　　光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞瓦特、固德威等公司；
　　泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客户，并持续为上述客户开发新的产品规格；
　　高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户；
　　报告期内，作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长；公司中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT销售额及销售量较上年同期均显著增长。
　　（2）SiC器件（含Si2C MOSFET）业务进展
　　报告期内，公司在SiC系列产品上的推进效果显著，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。
　　公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。
　　2、主要产品
　　公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含Si2C MOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
　　公司上述产品的具体介绍如下：
　　（1）超级结MOSFET
　　公司的超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET
　　公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
　　公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用Copper Clip技术封装的超低导通电阻的产品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。
　　（3）超级硅MOSFET
　　公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
　　（4）TGBT
　　公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下。
　　公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了电流密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、压缩机控制、电焊机、光伏逆变器等领域。
　　（5）SiC器件（含Si2C MOSFET）
　　公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等产品。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。公司SiC产品快速跨越初代技术，已实现第二代、第三代技术平台的量产，并推出了多款技术领先的产品。第四代SiC MOSFET平台也已完成研发，进入小批量试产和终端验证阶段。Si2C MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和可靠性挑战大的缺点，实现了低成本和高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在特定应用场景中给客户提供多种选择。
　　（6）功率模块
　　公司的超级结MOSFET塑封模块，在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破；车载OBC领域公司布局了全系列塑封模块，包括超级结MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET主力产品线平台，为400V和800V平台新能源汽车OBC提供整套功率模块解决方案；同时公司在主驱电控领域的SiCMOSFET塑封模块方案得到了国内头部Tier1的A样定点。

　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年上半年，在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下，全球半导体市场呈现复苏与增长态势。据世界半导体贸易组织（WSTS）发布的2025年春季半导体市场最新预测，按细分市场来看该机构认为今年的半导体市场规模攀升将由逻辑和存储器的增长引领，传感器和模拟等细分领域预计增长较为温和。
　　（一）整体经营业绩情况
　　报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2,758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。
　　报告期内，公司各季度营业收入攀升，受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升，公司营业收入及净利润较上年同期实现较大增长。公司产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。
　　公司产品在汽车、工业、消费等应用领域广泛发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比约为84%，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用。同时，由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。
　　（二）技术研发情况
　　公司始终坚持技术创新与研发投入，2025年上半年研发费用为4,223.04万元，较上年同期增长8.89%；截至2025年6月末，公司研发人员数较上年同期增长20.29%；2025年上半年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长22.71%。
　　报告期内，公司积极推进主营产品超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET（含Si2C MOSFET）产品线的扩容，包含了产品的迭代、更多的产品规格、更多的制造基地。硅基产品线通过和晶圆代工厂的合作，首次形成12英寸交付片量超越8英寸的局面。同时，公司进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体SiC MOSFET产品线实现量产交付，产品性能达到国内外第一梯队水平，研发实力进入国内领先序列。具体如下：
　　1、公司超级结产品持续扩大在300mm生产线的交付能力，平均良率和制造一致性得到大幅提升；
　　2、基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户；
　　3、SiC系列产品的研发推进效果显著。第二代、第三代650V和1200V平台的SiC MOSFET多个产品进入稳定交付阶段，报告期内公司率先推出了性能优良的1400V系列，通过客户的测试并获得订单。公司第四代SiC MOSFET完成研发，性能处于国内领先水平。
　　综上，报告期内，公司持续保持研发投入，主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，持续通过专利布局建立深厚的技术壁垒和市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
　　（三）产能供给情况
　　报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。在第三代半导体领域，公司与多家SiC代工厂进行SiC二极管、SiC MOSFET以及Si2C MOSFET的深入合作，保障公司第三代半导体产品系列研发工作的有序推进及产能供应，通过合理有效的采购方式应对产能供给的周期性变化，降低产能波动对公司产品交付及时性的影响。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。
　　（四）实验平台建设
　　公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善，推动实验室体系向更高标准迈进。报告期内，公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。在车规级可靠性验证方面，公司实验室已具备完整的测试能力，覆盖关键实验项目，确保产品在严苛环境下的长期可靠性。实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期，使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律，并快速反馈至设计与封装工艺优化环节，为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。一流实验平台的升级与完善，将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。
　　（五）产业链布局情况
　　公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区智源微新创业投资合伙企业（有限合伙），主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。报告期内，公司根据整体战略布局，完成了对电征科技54.55%的股权收购，纳入公司合并报表范围，旨在进一步丰富公司产品线，拓展算力服务器电源和新能源功率模块产品。
　　公司密切关注优质资产及并购机会，综合考虑业务、上下游产业链协同、公司发展战略规划等情况，充分评估风险收益，谨慎决策。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　1、完善的研发团队及体系
　　公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系，完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。
　　同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统上线，进一步推动研发效率的提升。
　　2、丰富的产品规格
　　功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域。
　　同时，公司车规产品管理评审流程日渐成熟，车规产品推出速度和数量大为提升，车规市场项目的对接成功机会显著增加。
　　3、强大的客户基础
　　凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
　　4、稳定的供应商关系
　　公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。
　　5、经验丰富的管理团队
　　公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，从事半导体技术研发工作超过20年，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者，拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。除联合创始人及研发团队以外，公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验，熟悉公司业务流程并作为开发项目负责人主导和参与了公司各项重大科研项目。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品在完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂扩展的基础上，主要产品在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均得到了显著的扩容。报告期内，功率模块和GaN HEMT领域实现了突破，其中，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付，GaN产品系列得到扩充，积极推进客户验证。
　　（1）超级结MOSFET方面：
　　公司深槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结MOSFET由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结MOSFET在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关损耗和驱动能量损耗。基于上述核心技术，公司的超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。公司的深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。
　　报告期内，公司在12英寸新晶圆制造基地推进扩展和技术优化工作，为公司带来丰富且优质的制造资源。在与12英寸新晶圆制造基地的通力合作下，超级结MOSFET的产能获得了显著的提升，晶圆测试良率持续稳定在高水平，这种优异的表现更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。第四代超级结MOSFET量产工作已经完成，多颗产品获得批量订单并对销售额增长做出贡献；第五代超级结MOSFET小批量交付，性能国内领先；第六代的研发工作进展顺利，经初步验证器件性能已经接近国际大厂最优系列，性价比优势明显。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备性能的提升，公司在供应能力和产品性能上的优势正在逐步放大。
　　（2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：
　　公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。公司的中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。
　　报告期内，公司优化了25V-150V全规格段产品性能，量产多颗难度较高的规格产品，帮助终端客户完成国产化替代。公司持续投入车规验证资源，陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。在大电流高频率领域，25V-80V高频系列单体器件性能国内领先，公司25V、30V、40V、60V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，新型机器人等领域实现了销售。
　　（3）独创结构的TGBT方面：
　　公司TGBT产品设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；公司独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。
　　报告期内，公司完成了基于背面氢注入的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力，预计将在下半年陆续推出基于该技术的产品系列，为公司赢得更多订单机会。使用公司研发的650V高频TGBT搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。
　　（4）Hybrid-FET器件方面:
　　Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件架构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。
　　公司的Hybrid-FET器件兼具IGBT与MOSFET器件的优势，综合提供更加符合应用场景的解决方案，器件及其工艺技术处于国内领先水平，目前该技术已申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于TGBT技术，因此是TGBT的一个子类。报告期内，Hybrid-FET器件稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。以90A的Hybrid-FET产品为例，该产品已经批量应用于客户系统中，处于稳定出货状态，其在客户端的最高工作频率可达100K以上，采用该产品的系统，效率比采用传统器件的系统有大幅提升。
　　（5）SiC器件方面：
　　公司长期跟进SiC技术的发展，包括SiC器件的FOM设计、高可靠性的栅氧工艺以及测试筛选技术等。通过逐步积累知识产权和头部工厂保持联动，积极推进SiC器件产品的自主研发和规模化生产交付工作。
　　报告期内，公司加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，并成为该晶圆代工厂产品推进速度最快的战略伙伴，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时，成功解决了客户应用的痛点问题，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充，同时公司也积极研发其他类型的SiC器件，如硅器件和SiC JFET的组合，沟槽型SiC MOSFET，以及超结型SiC MOSFET，以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。
　　此外，公司积极布局基于SiC器件的功率模块开发，通过优化SiC器件性能以及模块封装代工资源加速SiC业务的拓展。在前期工业和车用单管类SiC MOSFET开发成功的基础上，公司已经启动主驱模块芯片的开发，为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。公司在算力和车载模块的研发成果显著，搭载公司SiC MOSFET芯片的塑封模块已实现了成倍的功率密度增长，目前可靠性考核结果理想，预计第三季度有序投放头部客户作为下一代技术方案进行推广。
　　（6）Si2C MOSFET器件方面：
　　Si2C MOSFET器件具有独创的器件架构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，已用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等领域。
　　（7）超级硅MOSFET方面：
　　公司的超级硅MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入SiC MOSFET及GaN HEMT的应用领域。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　报告期内，公司新增知识产权申请项目13个，其中发明专利申请数9个；新增知识产权授权项目8个，其中境内发明专利2个，境外发明专利5个。
　　
　　3、研发投入情况表
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况
　　6、其他说明

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2,758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.69亿元，较2024年同期增长40.36%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.18亿元，较2024年同期增长62.14%；（3）公司Tri-gate IGBT产品报告期内实现营业收入2,066.61万元,较2024年同期增长88.62%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入168.89万元，较2024年同期增长18.15%；（5）公司SiC器件产品（含Si2C MOSFET）报告期内实现营业收入34.91万元，较2024年同期增长5.24%；（6）公司功率器件模块产品报告期内实现营业收入610.96万元。
　　报告期内，公司产品以车规级、工业级应用为主，报告期内上述领域营业收入占比约84%，主要来自各类工业及通信电源、车载充电机、光伏逆变器、新能源汽车直流充电桩等领域。公司主要细分领域收入具体表现为：各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重约39%，该领域收入较上年同期增长约74%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重约22%，该领域收入较上年同期增长逾90%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重逾7%，该领域收入较上年同期增长约98%；新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收入的比重约7%，该领域收入较上年同期增长约45%。
　　2025下半年度，公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。

　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　作为电能转化和电路控制的核心器件，功率半导体下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，国内对功率半导体产品的需求扩大，推动了行业的快速发展，良好的发展前景吸引了国内诸多企业进入这一领域。行业内厂商在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展，市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时进行技术迭代、提高产品性能与服务质量，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
　　在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。作为全球最大的应用市场，中国市场对国际厂商来说具有重要的战略意义，因此国际厂商纷纷不断增加在中国的研发、技术、资本和人员投入，并扩大营销网络和市场布局，以占据中国功率器件市场的优势地位。相较于消费级客户，工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如果公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期，将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。
　　（二）经营风险
　　1、供应商集中度较高的风险
　　公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业出现产能紧张的情况，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司持续发展需求，从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面，公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
　　2、供应链管理风险
　　公司专注于高性能功率器件的研发与设计，晶圆制造和封装等主要生产环节由专业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内，公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装厂商均建立了长期稳定的合作关系。由于公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关应用及消费等多个行业，行业内客户均具有较高的供应商认证要求，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
　　3、经销商管理不善的风险
　　公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内，公司营业收入中经销收入占比相对较高，为66.82%，经销商可以帮助公司快速建立销售渠道，提升品牌知名度，也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带来不利影响。
　　4、市场竞争风险
　　海外巨头厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等仍占据了高性能功率半导体器件的主要市场，这些企业具有较大的生产规模和市场份额，产品线齐全，技术实力雄厚。公司相较于海外品牌，在产品系列、人才体系、供应链资源等方面仍存在一定差距。同时，随着国内功率半导体产业的高速发展和完善，公司面临的现有竞争对手以及本土新进功率半导体器件公司的竞争也愈加激烈。在此背景下，终端客户可能采取向多家供应商分散采购的策略，从而降低企业在终端客户中的采购份额和采购单价，若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，可能对公司业绩产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1、毛利率波动的风险
　　公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术创新停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平未来可能会持续波动、下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
　　2、应收账款增加的风险
　　报告期末，公司应收账款账面价值为18,076.94万元，公司应收账款账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备，但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。
　　3、存货减值的风险
　　报告期末，公司存货的账面价值为46,067.58万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，未来，如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。
　　4、税收优惠政策变动风险
　　公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、研发加计扣除等。公司系高新技术企业，于2024年11月获得江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、国家税务总局江苏省税务局颁发的《高新技术企业证书》，有效期为三年。报告期内公司按15%的税率征收企业所得税。如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
　　（四）行业风险
　　1、产业政策变化的风险
　　功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。国家持续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（“十四五规划”）。《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（2020年），明确集成电路产业是核心，提出深化国际合作、提升创新能力等措施。《关于巩固回升向好趋势加力振作工业经济的通知》（2022年），强调半导体作为关键领域，要求优化产业环境。未来，如果国家相关产业政策支持力度减弱，将不利于国内功率半导体行业的技术进步，加剧对进口半导体器件的依赖，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2、下游需求波动的风险
　　半导体行业具有较强的周期性特征，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及产能库存等因素紧密相关。因此，若新能源汽车、光伏逆变及储能、5G通信等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响。
　　3、功率半导体周期性波动风险
　　受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，功率半导体行业存在一定的周期性变化。功率半导体器件广泛应用于工业制造、新能源、汽车电子、通信运输、消费电子等国民经济各个领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致功率半导体行业处于低迷状态，则功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和盈利能力。
　　（五）宏观环境风险
　　近年来，国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律，但国际局势瞬息万变，一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。全球贸易保护主义壁垒高筑，地缘政治冲突和国际贸易摩擦频发，未来国际贸易政策存在一定的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。 收起▲