一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　1、主要业务　　公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余款，电压... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　1、主要业务
　　公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、行业情况
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件，主要承担功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）及整流（交流转直流）等关键功能。随着国家持续推进电能替代与节能改造战略，各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。目前，全球范围内绝大部分电能需经功率半导体器件处理后才能投入使用，且该比例有望进一步扩大，为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。
　　自功率半导体诞生以来，历经数十年技术演进，行业围绕基材迭代、结构设计优化、先进封装技术及大尺寸晶圆应用等方面持续创新。技术演进的主要方向为更高的功率密度、更小的器件体积、更低的功耗及损耗，器件结构设计亦不断接近理想目标，以适应日益丰富的应用场景。据行业研究机构Yole数据显示，功率半导体器件约每二十年进行一次产品迭代，相较于其他半导体品类，其迭代周期相对较长，每一代芯片产品均拥有较长的生命周期，这为具备技术积累的企业提供了稳定的市场回报期。
　　发展至今，我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的技术体系。在中低端领域，国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化替代，成功从依赖进口转向国内自给自足。然而，在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT及化合物半导体等方向，因国内起步相对较晚、设计门槛较高、工艺复杂且缺乏充分的验证机会，国内厂商仍处于追随海外技术发展路线的发展阶段。
　　公司自成立以来，始终立足于全球功率半导体先进技术的前沿，致力于成为国内中高端功率半导体领域的领先企业。公司专注于功率半导体器件的设计与市场推广，精准把握市场需求及供应节奏，与国际一流代工厂保持长期紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划及产能调配等方面形成了显著的竞争优势，为公司在市场竞争中持续巩固领先地位奠定了坚实基础。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测，受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求，2025年全球半导体销售额同比增长26%，达到7,956亿美元；展望2026年，市场有望进一步增长23%，约9,750亿美元。从地区结构看，亚太地区作为全球半导体产业的重要引擎，2025年营收同比增长45.4%。
　　功率半导体作为半导体产业的重要分支，其市场规模在全球半导体行业中的占比保持在8%—10%的稳定区间。由于其广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业，且受益于新能源汽车与充电桩、AI数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通信等新兴应用领域的快速发展，功率半导体市场呈现出快速增长态势。2026年，在电气化、AI基础设施和可再生能源的共同驱动下，全球功率器件市场迎来爆发式增长。
　　由于统计口径差异，各研究机构对全球功率半导体市场规模的统计及预测存在差异，从区域格局来看，亚太地区凭借其完整的制造产业链优势，占据全球功率半导体市场51.35%的份额，且保持着6.74%的复合年增长率。中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了全球约40%的功率半导体需求，市场发展前景持续向好。伴随新能源、AI基础设施、高端工控等下游领域的加速渗透，国内功率半导体市场有望保持高于全球平均的增速，为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛。
　　②按应用领域
　　在新能源汽车与充电设施、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏储能、无人机、5G通信、物联网及人工智能等新兴市场的驱动下，功率半导体行业的应用场景正持续向纵深拓展。与此同时，工业自动化和消费电子等传统支柱产业亦稳步发展，为行业需求侧提供了坚实支撑。作为上述领域终端产品的核心元器件，高性能功率器件的应用需求有望伴随技术迭代与产业升级而持续释放，为公司业务发展带来广阔的市场空间与战略机遇。
　　AI算力服务器及数据中心2026年，全球AI算力基础设施建设进入全速扩容周期。算力密度持续攀升，单机柜耗电需求大幅抬升，从电网输入端到处理器芯片，全链路电源变换与配电环节的性能门槛同步提高。受此驱动，全行业在整套供电链路中不断追求更高功率密度与电源转换效率，为功率器件创造了广阔的市场空间，AI服务器及数据中心正成为功率半导体市场增长最为迅猛的下游应用领域之一。据TechInsight测算，2025年全球AI服务器用分立器件市场规模约23.82亿美元，预计2032年将接近87.89亿美元，未来六年复合年增长率为19.1%，其中2025年全球AI服务器用MOSFET市场规模约10.08亿~10.37亿美元，预计2032年将增至46.65亿~46.77亿美元，2026—2032年复合年增长率约22.0%~22.6%。
　　技术演进趋势方面，随着机柜功率密度跃升，数据中心供电架构加速向800V高压直流（HVDC）升级。短期以独立电源机柜稳定电力，中长期将转向集中式高压直流配电与固态变压器技术（SST）。高压直流（HVDC）市场方面，随着数据中心向高密度、高能耗方向发展，供配电系统正经历从传统交流向高压直流的深刻变革，高压HVDC方案能够释放机柜空间、提升供电效率、节省铜材用量，成为新一代数据中心供电的更优解。英伟达发布的800V直流供电白皮书指出，未来数据中心配电的最终方案将向中压整流器或固态变压器（SST）方案演进。固态变压器（SST）市场方面，作为下一代供电方案的核心，SST通过高频变换技术实现电压转换，摒弃传统变压器的铁心与线圈结构，以IGBT、SiCMOSFET等功率半导体器件为核心，可实现10kV中压交流直转直流输出，供电路径更短、效率更高。全链条变革持续助推高端功率半导体技术迭代，在硅基器件持续优化的同时，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料渗透率稳步提升。纳微半导体预测，随着800VHVDC架构逐步普及，至2030年全球SiC&GaN数据中心功率器件市场规模将达25.64亿美元。
　　同时，智能电源管理与数字化控制快速渗透，强化电源厂商在客户侧的黏性与定价权。从价值量分布看，电源供应单元（PSU）和电压调节模块（VRM）目前约占AI服务器功率半导体需求的70%，是转换电网电力并向GPU提供稳定电力的核心环节。
　　作为电能变换与电路控制的核心器件，公司的MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体产品可广泛应用于AI服务器及数据中心的电源供应单元、电压调节模块、HVDC系统及SST等关键环节。
　　随着全球AI算力基础设施建设的加速推进以及数据中心供电架构向高压直流化、智能化方向的持续升级，公司将持续紧跟技术前沿，深化与头部服务器电源厂商及云服务提供商的合作，以高可靠性、高效率的功率器件助力AI数据中心绿色低碳发展，积极把握该领域爆发式增长的历史机遇。
　　新能源汽车及充电桩
　　在汽车产业电动化、智能化、网联化深度融合的背景下，功率半导体作为电能转换与管理的核心器件，正迎来前所未有的发展机遇。2025年，我国汽车产销量跃升至3,440万辆以上，同比增长9.4%，再创历史新高。中国汽车工业协会预测，2026年汽车市场总销量有望达到3,475万辆，同比增长1%，其中乘用车销量3,025万辆，商用车销量450万辆。
　　新能源汽车持续引领产业转型。2025年，我国新能源汽车销量达1,649万辆，同比增长28.2%，新车渗透率首次突破50%，达到50.8%。中汽协展望2026年，新能源汽车销量有望增至1,900万辆，同比增长15.2%，渗透率进一步提升至54.7%。汽车出口方面，2025年出口达709.8万辆，继续保持全球首位；预计2026年出口将达740万辆，同比增长4.3%。
　　汽车芯片需求呈现倍增态势。据中汽协统计，传统燃油车所需芯片数量为600至700颗，而电动车所需芯片数量提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量有望提升至3,000颗/辆。功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车价值约为传统燃油车的2至3倍。从汽车应用看，电机驱动、主驱逆变器、DC/DC、OBC（车载充电器）及热管理等场景对高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET需求广泛。根据ICWISE预测，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将持续提升，成为支撑行业发展的中坚力量。
　　充电桩基础设施同步快速发展。2025年，我国公共充电桩额定总功率达2.1亿千瓦，私人充电桩报装用电容量达1.29亿千伏安，充电基础设施总功率约3亿千瓦。交通运输部持续推进公路服务区充电基础设施建设，适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度及可靠性提出更高要求。据QYResearch数据，全球充电桩用功率器件市场规模2025年为2亿美元，预计2032年将达7.9亿美元，2026-2032年年复合增长率达22.0%。充电机作为充电桩核心部件，成本占比超50%，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占比过半，为公司相关产品提供了广阔市场空间。
　　光伏储能：光伏逐步回暖、储能需求爆发在全球能源转型战略深入推进的背景下，以光伏储能为代表的新能源产业迎来历史性发展机遇。我国能源安全保障能力持续增强，绿色低碳转型步伐不断加快，为功率半导体市场开辟了广阔的增长空间。
　　光伏市场方面，根据中国光伏行业协会最新发布的数据，2026年全球新增光伏装机规模预计为500GW至667GW。尽管我国新增装机预计为180GW至240GW，较2025年有所回调，但“十五五”期间中国年均光伏新增装机规模有望达到238GW至287GW，全球年均装机规模预计为725GW至870GW。这一阶段性调整主要受分布式管理办法、上网电价市场化改革等新政策影响，市场短期存在观望情绪，但中长期增长趋势依然明确。逆变器出口方面，据海关总署数据，2026年1-6月，我国光伏逆变器出口呈现“量减价增”态势，出口数量同比下降6.5%，但出口金额同比大幅增长30%。区域结构持续优化，欧洲为最大市场，澳洲、中东、非洲、拉美等市场表现突出，成为我国逆变器企业出海的重要增长极。
　　储能市场则呈现爆发式增长态势，增长动力已由过去的单一新能源消纳，转变为“AI算力基建+能源转型刚需+电网阻塞”的三重驱动。从区域结构看，中国市场预计2026年装机达250GWh，同比+67%；美国市场受益于AI数据中心需求，预计装机70GWh，同比+35%；欧洲市场装机预计51GWh，同比+55%；新兴市场表现尤为亮眼，预计装机67GWh，同比+91%。行业供需关系显著改善，已由去库周期转入补库繁荣期。
　　IGBT器件及模块、MOSFET、SiC等功率器件作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件，承担着功率变换和能量传输的关键作用，直接决定系统性能、稳定性、发电效率及使用寿命，是光伏与储能系统的“心脏”。其中，IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同应用场景对功率器件需求呈现差异化特征：集中式光伏主要采用IGBT模块，分布式光伏则以IGBT单管或模块为主。随着光伏装机稳步增长、储能市场爆发式扩容，功率半导体市场规模将同步扩张，公司作为产业链核心供应商将持续受益于下游高景气发展。
　　工控自动化：细分领域增长强劲根据行业权威研究机构最新统计，全球功率半导体下游应用市场中，工业电子仍是占比最大的领域，市场份额维持在36%左右。该领域应用场景广泛，涵盖电机驱动、机器人、轨道交通、工业电源、工程机械等多个细分方向。2024年以来，随着全球制造业智能化转型加速，无人机、智能机器人、高端电动工具等细分赛道迎来高速发展机遇。
　　低空经济领域，政策支持力度持续加大。2024年《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行，为行业规范发展提供了法律保障；工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局联合印发的《通用航空装备创新应用实施方案（2024-2030年）》明确了产业发展路线图。2026年政府工作报告进一步将低空经济定位为"新兴支柱产业"，连续三年的政策升级彰显国家战略决心。据行业数据显示，2025年我国低空经济市场规模已达1.5万亿元，预计2030年将突破2万亿元。无人机（消费级、工业级）、直升机和电动垂直起降飞行器（eVTOL）等产品市场空间持续拓展。根据权威机构最新预测，2035年全球eVTOL市场规模预计将达到50.8亿美元，2025-2035年复合增长率达12.3%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空应用场景对功率半导体提出高能量密度、轻量化、高安全、超级快充等严苛要求。公司已与低空经济产业链相关客户建立合作，MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中批量应用，部分客户已实现规模化销售。公司将紧抓行业发展机遇，持续提供高可靠性产品，深化与头部客户的战略合作。
　　智能机器人领域正以前所未有的速度重塑生产生活方式。我国智能机器人产业凭借政策支持、技术创新和庞大市场需求，已跻身全球科技竞争前沿。根据国际数据公司（IDC）最新预测，2026年全球智能机器人硬件市场规模将接近300亿美元，其中中国将引领全球具身智能机器人市场增长，届时中国市场规模有望突破110亿美元。智能机器人正广泛应用于工业制造、医疗服务、家庭服务、特种作业等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，应用场景持续丰富。随着智能机器人市场的快速崛起，公司已有多款产品进入机器人应用领域，获得头部客户认可及批量订单。公司将紧跟客户需求，持续加强新品研发与配套能力，推动该领域销售规模进一步提升，长期看好下游发展前景并积极布局。
　　在工业应用领域，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等设备中扮演核心角色，通过精确控制电机速度和扭矩，实现节能降耗与性能优化。IGBT和MOSFET等功率器件的大规模应用，显著提升了工业设备的能源使用效率和运行性能，为工业自动化和智能制造提供关键支撑。
　　泛消费及其他市场稳步增长功率半导体器件广泛应用于各类消费电子、电动两三轮车及智能家居产品中，涵盖电机驱动、电源适配器、电源供应器及LED照明系统等核心环节，各品类家用电器均需依赖功率半导体实现电能的精准控制与转换，在满足设备精细化用电需求的同时，显著提升能效水平、降低待机能耗。根据行业权威研究机构最新统计，全球功率半导体下游应用市场中，消费电子占比19%，其庞大的市场规模构成了功率半导体产业的稳定基本盘。
　　政策层面，国家持续加力支持消费品以旧换新。2026年国家发展改革委、财政部安排2,500亿元超长期特别国债资金，深入实施大规模设备更新和消费品以旧换新政策。补贴范围从2024年的汽车报废更新和八大类家电，扩大至2025年的12类家电产品，并新增手机、平板电脑、智能手表（手环）等数码产品及智能家居设备。政策明确对个人消费者购买一级能效或水效的冰箱、洗衣机、电视、空调、电脑、热水器等家电产品，按最终销售价格的15%给予补贴；对购买手机、平板、智能手表手环、智能眼镜等数码及智能产品，按售价的15%给予补贴。各地也结合实际配套资金，进一步优化补贴发放机制，简化审核流程，加大了对农村地区的倾斜力度。今年以来，县域农村换新提速明显，空调套装、壁挂式洗衣机等大家电销量同比增长超六倍，部分偏远农村地区国补电视、空调、冰箱产品订单量同比大幅增长。
　　作为消费电子及智能家电电源管理、电机控制等模块的核心器件，公司的MOSFET、IGBT等功率半导体产品广泛应用于电源适配器、变频家电、智能家居控制系统等领域。随着国家以旧换新政策的深入推进和农村消费市场的持续激活，消费端对高效节能、智能化的产品需求不断提升，将为公司功率半导体业务带来稳定的市场增量。公司将紧抓政策机遇，持续深化与家电及消费电子头部客户的合作，以高可靠性产品助力下游产业绿色智能化升级。
　　全球电动两轮车市场方面，根据行业权威机构最新统计，2025年全球电动两轮车市场规模约为786亿美元，预计到2035年将达到1,439亿美元，复合年增长率为6.4%。在区域结构上，亚太地区是全球最大的电动两轮车市场，中国、印度等国家凭借庞大的两轮车保有量和政策支持，持续引领全球增长。中国市场作为全球最大的电动两轮车及三轮车生产与消费市场，发展态势尤为突出。2025年，中国电动两轮车市场在"以旧换新"政策和新国标切换的双重刺激下，生产规模达6,316万台，同比增长14.8%。新版《电动自行车安全技术规范》的实施，推动行业向安全化、智能化、轻量化方向加速升级，铅酸电池车型占比显著提升，锂电池则在高端市场持续突破。在电动载货三轮车细分领域，受益于电商快递物流迅猛发展，2025年中国市场规模约211亿元，预计2030年将增长至232.2亿元，需求量有望达到838.4万辆。政策层面，国家持续推动新能源汽车补贴政策向电动三轮车延伸，乡村振兴战略进一步激活农村市场，同时部分城市对燃油三轮车的限行政策趋严，为电动三轮车带来结构性替代机遇。
　　作为电动两轮车及三轮车电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、充电设施等核心部件的关键元器件，MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）等功率半导体产品广泛应用于整车控制器、直流转换器、充电器等环节，承担着电能变换与精准控制的核心功能。随着新国标对车辆安全性能要求的提升以及消费者对智能化、长续航需求的增长，电动两轮车及三轮车对高可靠性、高能量密度的功率半导体需求将持续释放。公司已与多家头部整车企业形成合作，产品批量应用于电动两轮车及三轮车的电机控制器和BMS系统。公司将紧抓行业绿色智能化转型机遇，持续以高性能功率器件助力下游客户产品升级，推动该领域销售规模稳步提升。
　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入116,738.88万元，较去年同期增长了25.57%；利润总额26,823.69万元，较去年同期增加了0.26%；归属于上市公司股东的净利润23,336.59万元，较去年同期下降了0.75%。
　　2026年第二季度，公司实现营业收入65,034.64万元，环比第一季度增长25.78%；利润总额15,976.67万元，环比增长47.29%，实现归属于上市公司股东的净利润13,882.26万元，环比第一季度增长46.84%。
　　（一）市场营销
　　当前，功率半导体行业正经历一场由“AI算力+新能源”双轮驱动的深刻变革，迎来新一轮量价齐升的景气周期。AI算力基础设施、新能源汽车及储能三大赛道景气度持续提升，无人机、机器人、工业自动化等细分领域需求旺盛，得益于国产功率半导体高性价比、快速响应及本土化服务优势，客户积极导入本土方案，国产替代进程持续加速。从供给端看，2025年起全产业链成本刚性上涨，成熟制程产能扩充存在周期约束，AI相关产品对晶圆产能的挤占，导致原本分配给功率器件的产能更加紧张。供需两端共振，推动功率器件产品交期从2025年一季度起逐步拉长，供需关系错配持续紧张。同时，行业库存前期已充分消化，渠道与终端库存水位处于低位，库存结构持续优化，行业彻底走出此前周期性低谷，进入高质量发展的复苏新阶段。2026年上半年，先后已有多家国内外功率半导体企业发布了涨价通知。
　　当前行业景气度持续向好、高端产品呈现结构性缺货，但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商为巩固国内市场地位，加速核心技术本土化落地，同时通过产品下沉、本土合作等方式深度布局国内市场；国内同业方面，本轮缺货周期下原材料与制造成本显著上行，然而中低端产品领域同质化竞争加剧，行业价格竞争态势仍存在，对行业整体盈利空间与长期发展质量形成一定挑战。
　　面对机遇与挑战并存的市场环境，公司坚定践行“技术驱动、市场导向”发展战略，积极应对行业变革。内部持续构建以客户需求为核心的运营体系，高效响应客户的特殊化需求；外部全力开拓新兴市场蓝海，挖掘优质新客户，持续优化市场布局。依托长期积累的核心技术优势、全场景丰富产品矩阵及高效产业链协同能力，公司稳步推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。
　　报告期内，凭借卓越的产品实力与综合服务能力，公司在战略新兴领域实现进一步发展：产品已成功通过更多新能源汽车及充电桩、AI算力中心、机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户严苛认证，实现量产销售并不断扩大规模，有力推动公司中高端功率半导体业务规模持续扩张。依托核心场景的稳定表现，公司品牌认可度与核心竞争力进一步提升，差异化竞争壁垒持续夯实。
　　同时，公司全球化战略布局持续深化并取得扎实成效。作为海外市场拓展与技术服务的核心枢纽，新加坡研发及销售中心稳定运营，实现海外客户服务覆盖度的不断提升，在海外客户开拓、技术响应及本地化支持等方面已取得阶段性成果，海外业务落地能力持续增强。该中心既是公司深度融入全球半导体产业链、推进全球化布局的关键支点；也是汇聚国际化人才与前沿技术资源、推动产品对标国际高端标准的创新平台；更是精准服务海外客户、高效拓展全球市场的前沿阵地，为公司提升国际竞争力、扩大全球市场份额提供了坚实支撑。
　　产品结构方面：
　　（1）SGT-MOSFET产品：核心产品在多高端赛道持续放量。SGT-MOSFET为公司综合竞争力最强、销售规模最大、客户覆盖最广的核心产品平台。报告期内，SGT-MOSFET产品实现销售收入5.45亿元，占主营业务收入比例为46.92%，比去年同期增长28.57%。公司第三代SGT-MOSFET产品已实现全系列市场化落地，产品性能、可靠性处于行业先进水平，广泛适配汽车电子、AI算力中心、高端通讯电源、无人机、电摩电机控制、工业电源、高功率密度电动工具等高端战略赛道，其中车载领域全面覆盖域控制器、油泵水泵控制器、智能辅助驾驶系统等核心场景。报告期内，面对汽车电子市场需求的波动，公司紧抓功率半导体国产化替代机遇，持续抢占外资厂商替代份额。同时，AI算力中心、无人机、高端储能、电动工具等下游新兴赛道需求持续高增。公司强化销售、研发、生产全链条协同，快速响应客户定制化需求，提前布局产能备货，保障头部客户稳定交付，产品订单维持稳健增长态势。依托持续的市场拓展与优质的产品交付能力，该产品持续稳居公司第一大营收品类，核心产品壁垒进一步巩固。
　　（2）IGBT产品：光储赛道高景气爆发，应用版图持续拓宽。公司IGBT产品以光伏、储能市场为核心基本盘，2026年上半年，受全球地缘冲突加剧、海外能源短缺、各国新能源政策加持影响，全球光伏储能行业需求显著回暖、市场热度持续攀升，为公司IGBT业务发展提供了强劲的推动力。IGBT产品实现销售收入1.96亿元，占主营业务收入比例为16.85%，比去年同期增长48.10%。公司持续深化与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、科华数据等光伏储能领域头部企业的战略合作，合作深度与供货规模持续提升，产品在微型逆变器、户用储能、工商业储能、便携储能等细分场景渗透率稳步提高。在此基础上，公司持续加大IGBT产品在汽车电子、变频家电、工业伺服控制等领域的市场推广力度，不断丰富产品应用场景。目前公司第七代IGBT产品已实现稳定批量供货，第八代IGBT产品顺利市场化销售，两代新品凭借优异的能效表现与稳定性，获得工控、变频、伺服驱动领域客户的广泛认可，逐步形成规模化销售，为IGBT业务长期增长筑牢基础。
　　（3）SJ-MOSFET产品：应用场景主要覆盖家电、车载OBC充电机、新能源充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。报告期内SJ-MOSFET实现销售收入1.02亿元，占主营业务收入比例为8.77%。公司紧抓结构性机遇，在AI服务器电源、高端工业电源、汽车电子等相对高附加值赛道持续深耕拓展，客户导入与批量供货进度顺利推进，相关板块销售稳步上行，有效对冲传统板块需求疲软带来的影响；加快第五代SJ-MOSFET新品落地推广，依靠能效、耐压等性能优势构筑差异化竞争力，缓解低价内卷压力，稳固存量市场份额；车载业务层面，公司重心转向大电流规格产品布局，加大车载OBC、大功率充电桩配套器件推广，持续优化产品营收结构，力争在激烈竞争环境中实现细分市场稳步突围。
　　（4）Trench-MOSFET产品：夯实成熟基本盘，行业景气上行打开增量空间。报告期内，Trench-MOSFET产品实现销售收入2.75亿元，占主营业务收入比例为23.79%，比去年同期增长10.27%。Trench-MOSFET产品是公司量产工艺最成熟、客户基础最稳固的产品平台，长期深耕智能家居、电动工具、消费电子、基础工业控制等领域，同时持续向光伏储能、汽车电子等新兴领域渗透，多款产品已实现批量导入量产。公司持续优化经营策略，灵活调整产品定价体系，稳固存量客户基本盘的同时积极挖掘新兴增量需求。公司紧抓市场窗口期，充分盘活现有产能、优化生产排产，全力保障客户交付，持续扩大成熟产品市场规模，进一步提升细分赛道市场占有率。
　　市场结构和客户结构方面：
　　2026年上半年，功率半导体行业呈现显著结构性分化特征。报告期内，公司坚持“深耕存量客户、拓展增量市场”的经营主线，持续加大客户需求挖掘力度，加快潜在客户试样验证及导入量产的全流程推进，不断优化市场响应机制，深化全链条客户服务能力，切实提升业务转化效率与客户粘性。
　　在市场布局方面，公司坚持国内市场为主体、海外市场为补充的双轮驱动策略。境内市场，持续巩固与各细分领域头部企业的战略合作关系，紧抓国产替代提速机遇，稳步提升本土市场份额；境外市场，依托新加坡子公司构建全球化运营枢纽，有序推进海外相关核心区域的业务布局，持续强化品牌影响力，稳步扩大公司在全球功率半导体赛道中的市场占有率和竞争位势。
　　从具体结构来看：
　　汽车电子领域：2026年上半年，整车及车载供应链进入调整周期，公司依托完备的车规产品体系、稳定可靠的交付品质，紧抓海外器件国产化替代窗口期，实现份额稳中有升，筑牢车载功率器件技术壁垒与竞争优势。截至报告期末，公司累计车规级功率器件产品近400款，上半年整体出货量突破1.3亿颗，产品全面覆盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成、底盘系统五大车载核心场景，广泛适配车载OBC、DC-DC转换器、线控底盘、PTC加热器等关键车载模块。凭借优异的产品性能与长期稳定的批量交付实力，公司深度绑定比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、欣锐等国内主流车企与一线Tier1供应商，合作规模持续扩容，行业领先地位进一步夯实。同时公司前瞻把握车载电压平台迭代趋势，技术落地节奏稳步推进：适配48V车载系统的80V-200V功率MOSFET已实现大规模量产；面向下一代800V高压车载平台研发的车规级SiCMOSFET正处于严苛产品验证阶段，未来有望成为公司车载业务全新增长曲线。
　　AI算力及通信领域：2026年上半年，全球AI算力需求持续迸发，高阶算力芯片、HBM、DrMOS需求旺盛，拉动服务器算力供电系统（SST、AIDC、二次DC-DC电源等）需求快速扩容。公司精准把握市场布局AI算力与通信电源赛道，自研SiCMOSFET、高速SGTMOSFET产品在可靠性、能效指标层面已比肩国际一线品牌水准。报告期内，公司相关产品顺利导入包括E-Fuse、液冷在内的算力服务器细分应用，并逐步实现销售，未来有望成为公司新的成长支撑点。
　　光伏储能领域：报告期内，全球油气供给端扰动持续，能源安全战略地位进一步凸显；叠加国内外新能源政策利好频出，以及欧洲市场前期库存已基本去化完毕，光伏及储能行业迎来景气度上行周期，境内外装机需求与储能配置需求均实现显著回暖。公司紧抓全球能源结构转型长期机遇，以IGBT、MOSFET等功率器件为核心，精准匹配光伏、储能各类应用场景。报告期内，公司持续深化与阳光电源、德业股份、思格能源、固德威等储能逆变器领域头部客户的战略合作，供应品类稳步拓宽，交付规模显著提升，客户合作黏性进一步增强。同时，公司围绕光伏储能市场，系统布局功率模块PIM、大电流单管及SiC产品线，并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等差异化细分场景，实施精细化市场渗透策略。受益于前瞻性产品布局及下游客户的强劲采购需求，报告期内公司在该业务领域的销售规模实现较大幅度的同比增长，市场竞争力持续巩固。
　　工业自动化领域：报告期内，公司工业自动化功率器件在无人机、电动工具、伺服变频、具身机器人四大细分赛道收获亮眼增长。公司提前布局低空经济产业链优质客户，深度对接大疆等行业龙头，MOSFET产品作为电能变换与电控核心元器件，大规模应用于无人机电池管理系统、储能充电舱、机载电机驱动等关键单元。伴随具身机器人商业化落地提速、应用场景持续拓宽，公司多款功率器件顺利导入各类机器人关节驱动电机、整机BMS系统核心环节，已批量配套宇树科技等头部客户。后续公司将紧随终端产品迭代需求，持续研发适配机器人高动态工况的高性能功率产品，推动工控板块营收规模稳步上行。
　　（二）研发创新
　　2026年1-6月，公司实现研发投入5,638.37万元。2026年上半年公司（含子公司）新增授权专利13项，其中发明专利8项、实用新型专利5项。截至目前，公司共有专利258项，其中发明专利135项（不含已到期专利）。
　　SGTMOS平台：
　　（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N15V第五代SGTMOS已完成仿真设计，进入工程流片阶段，目标市场为AI算力、大功率数据中心等。
　　（2）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期，进行可靠性优化验证，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
　　（3）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N30V第三代SGTMOS平台实现量产，涉及大功率数据中心、电机驱动、锂电保护、工控电源等领域，并且该平台在第三代半导体cascode合封应用领域实现批量交付。该平台目前正在进行车规级考核验证。
　　（4）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段，涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等；在此基础上开发N40V第五代平台，进一步降低品质因子FOM。
　　（5）N60V第三代SGTMOS平台Rsp相较上一代产品降低26%，首颗产品量产，开始平台衍生产品拓展工作，同步开始车规级考核验证。
　　（6）N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台目前处于量产阶段，产品进入AI算力、新能源汽车、机器人、光伏储能、工业电源等行业，且两个平台均在持续进行系列产品拓展。
　　（7）N80V第五代SGTMOS平台已完成初期工程批流片，基本功能达预期，正在进行工艺微调以保证足够的工艺窗口，以最终固化工艺，目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。
　　（8）N100V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计，目前处于工程开发阶段，目标市场AI算力、大功率数据中心、机器人、通信、高能效电源等领域。
　　（9）N120V第三代SGTMOS平台首颗产品量产，开始平台衍生产品拓展工作，同步开始车规级考核验证，目标市场新能源汽车、光伏储能、通信、高能效电源等领域。
　　（10）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用。同时该平台已完成第二产线技术转移，进一步提升产能，以满足客户端的持续需求。
　　（11）N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片，基本功能均满足需求，目前正在调整工艺，实现性能参数与工艺窗口折中最优化，以最终固化工艺条件。
　　（12）基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发，其动静态参数符合预期，反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%，目前处于市场推广阶段。同时向下延伸开发150V、100V电压档位产品，搭建完备的超快恢复器件产品矩阵，适配大功率电机控制器、车载充电机、新能源充电桩等高功率应用场景。
　　TrenchMOS平台：
　　（1）在8寸，P20~40V0.75&0.8umpitch工艺平台完成frozen&衍生系列产品。
　　（2）TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品，P250V~300V工艺平台确认设计优化方案、工艺条件和材料片，layout中，待ETO和工程流片。
　　（3）完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产，更高电压系列CSP产品（N20V、N30V），N20V已完成1st工程流片，封测评估中。
　　（4）G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）基本frozen，优化成本的背面选择性电镀厚金属的工艺完成评估，待后续frozen。
　　（5）宽SOA的用于大功率调速的N40V产品完成1st工程流片，封测中，待后续完成应用评测后确定工艺条件。
　　（6）在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺固化。
　　（7）N30V超短沟工艺优化：Rsp优化7%，工艺固化待衍生系列产品。
　　（8）带ESD的工艺平台基本frozen，N30V工艺流程基本frozen；已ETON20V，目前工程批流片中。
　　（9）开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp，工程流片中。
　　（10）0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%，待衍生系列产品。
　　（11）开发短路能力强的用于安全气囊控制的N40~60V产品平台&LFPAK封装，1stN60V工程批完成流片，封测完成应用评测中。
　　（12）进一步丰富车规产品家族。
　　IGBT平台：
　　（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产，产品平均良率提升至98%左右，第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩、消费电子等行业都已批量交付。
　　（2）基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经完成多轮工程流片，目前1200V产品已经通过可靠性考核。
　　（3）第八代1400V/1200V/750VIGBT产品已经初步完成动静态参数优化，目前正在进行良率改善和产品电流规格拓展。
　　（4）第八代1200VIGBT具有一类短路能力的产品系列已经初步完成工程流片，产品短路能力达到设计预期，开始进行模块产品评估。
　　（5）第八代650VRCIGBT已经完成动态参数优化和可靠性考核，正在进行良率优化以及产品验证推广。
　　（6）基于第八代技术平台的1700VIGBT已经完成产品设计，正在进行首轮单芯片工程批流片验证。
　　（7）配合第八代IGBT产品的1700VFRD产品正在进行工程流片，流片完成后用于功率模块产品。
　　SJMOS平台：
　　（1）第四代600~650VSJMOS产品在fab2、fab7、fab9全面稳定量产，基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用，正式进入量产阶段。第四代SJMOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。
　　（2）第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计，使用优化工艺、材料规格，在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片，目前产品参数已经达成设计目标，正在进行可靠性验证和应用测试；
　　（3）650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，进一步提升器件功率密度，可以在相同器件规格中使用更小的封装体积，并且进一步降低器件成本。目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　（4）新一代200V~250V低压SJMOS产品已经完成首轮工程批流片，200V产品已经完成168小时可靠性考核，正在进行良率改善和工艺窗口验证。
　　（5）新一代300VSJMOS产品已经完成首轮工程流片，产品特征导通电阻达到设计目标，正在进行可靠性优化。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　（1）公司第2~3代SiCMOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台，导通电阻覆盖13mohm~1ohm，新增产品型号20余款，其中第三代SiCMOSFET可以实现0电压关断，有助于终端客户简化电路设计，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并已广泛应于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化等领域。
　　（2）第4代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，电压段覆盖650V~2300V，目标市场包括SST、高压直流断路器、光伏逆变、储能、新能源汽车、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域，相关产品处于工程验证阶段。
　　同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，并启动第一代沟槽SiCMOSFET产品研发，相关产品处于工艺设计、产品设计阶段。
　　（3）已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。
　　（4）SiC功率模块产品已通过客户测试，相关产品处于小批量阶段。
　　（5）100V/200VGaNHEMT产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　（1）上半年持续丰富公司车规级产品矩阵，累计新增55款车规级产品，所有产品均顺利通过AEC-Q101车规认证。其中40V电压平台新增20款产品，60V电压平台新增12款产品，100V~150V中高压平台新增14款产品，P型40~60V电压平台新增9款产品。本次新增产品主要采用PDFN3*3、PDFN5*6、TOLT、TOLL等主流封装形式，精准适配汽车电子零部件高功率密度、高散热效率的行业发展趋势与终端需求，有效完善了公司车规产品布局，为产品后续规模化市场应用筑牢技术与产品基础。
　　（2）稳步推进车规产品原材料与生产环节国产化替代工作，针对晶圆衬底、外延、键合引线、引脚框架、焊接材料等核心物料完成国产化适配开发。通过供应链国产化升级，有效规避外部供应链风险，全面保障公司车规产品供应链自主安全，同时实现生产降本增效。其中，Cu键合工艺已顺利完成工程验证，后续将加速推进小批量试制与产业化验证工作，进一步落地国产化替代方案。
　　（3）依托TrenchMOS晶圆核心技术平台，持续拓展车规级P型功率MOSFET产品家族版图。目前已有5款新品完成全方位可靠性验证，现已进入客户DV认证阶段。该系列产品具备高性价比、宽安全工作区（SOA）的核心优势，量产后可进一步丰富公司汽车功率器件产品体系，为车企及车载零部件客户提供差异化、高适配的P型车规级产品解决方案。
　　（4）聚焦车载48V电气系统应用场景，针对性布局80V~150V电压段产品研发，其中100V，3mohmsToll封装产品，成功导入国内头部Tier1厂商DCDC电源系统供应链，目前已实现大批量量产交付，市场落地成果显著。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。面对行业整体供给紧张，原材料、生产成本持续上行的现状，运营部门一方面积极与供应商开展多轮商务洽谈与资源协调，全力争取更多产能配额，建立常态化价格监控机制，实时跟踪市场原材料行情走势及供应商报价变动，主动联动合作供应商开展成本复盘拆解，通过长期战略合作议价、批量集中下单、年度锁价合作等方式优化成本；另一方面构建多元化供应链，持续拓展供应商资源渠道，加速推进芯片研发匹配，全力推动新项目落地量产，进一步扩充整体产能储备，夯实供应链交付能力。同时，公司积极推进供应链国产化替代战略，全力配合封装材料国产化落地推进工作，稳步推进封装供应链自主可控，降低进口材料依赖及供应链风险。
　　公司持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力，保障了公司供应链的稳定供应。公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配，为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。
　　报告期内，公司积极开拓芯片代工产能，8寸及12寸芯片回货量明显增长，其中FRD产品、SiCMOSFET产品出货量实现大幅提升。与此同时，探索封装技术创新，开发了QDPAK、TSC5X7等高性能封装工艺支撑产品竞争力提升；加强数字化转型，全面实现订单电子化，提高运营工作效率；在团队建设方面，公司注重提升员工专业技能与综合素养，为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司全资子公司电基集成，专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。
　　报告期内，受下游终端市场需求旺盛驱动，子公司核心封装产线持续保持满产运行状态，经营规模实现持续提升。为抢抓市场发展机遇、保障订单交付能力，公司上半年重点针对TOLL、TO-247等市场需求量较大的功率器件封装产品实施产能扩产改造。根据当前项目推进进度，预计下半年TOLL、TO-247产品产能将实现约一倍增长，其余各扩产封装形式产能也将获得20%-50%的不同幅度提升，进一步夯实公司功率器件封装业务的供给保障能力。
　　伴随公司IPM（智能功率模块）及SiC业务板块的快速放量，封装测试环节的产能瓶颈正逐步显现。为缓解当前IPM及SiC封装工序的产能紧张态势，子公司电基集成将积极扩大相关产品的流片后道加工及规模化生产规模，从而弥补现阶段产能短板，提升综合制造交付能力，为公司未来业务规模的持续增长提供坚实支撑。
　　信息化建设方面，CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。其中，CIM系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP），PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem），有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。作为区域内稀缺的同时斩获三大权威认证的高科技企业，电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前公司已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，也有很好的生产品质管理经验。完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。
　　产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业控制，完成开发了电流覆盖10A~800A的101款产品；在光伏逆变、储能、风电领域，完成开发了电流100A~600A的43款产品；在电源应用和电网自动化领域，完成开发了27款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~300A系列产品15款，其他领域包括SIC模块23款产品。
　　（2）正在开发：基于750V、1200V、1400V、1700V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和第三代SICMOS芯片，1款600A/750V储能模块：1款2毫欧1200V固态断路器SIC模块；基于升级的1400V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，3款10A50A75A应用于马达驱动；多款1700V平台产品应用于风电、高压电机驱动、高压SVG、集中式储能；第三代SICMOS芯片，多款SIC模块正在开发，模块内阻从2毫欧到5毫欧不等，应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。
　　公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上拓展产品，完善产品系列，同时积极开发针对新应用领域的产品，如固态变压器（SST）、固态断路器应用领域等。
　　截止到2026年上半年公司申请了专利39项（其中10项为发明专利），已授权34项（发明5项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”、“科技型中小企业”、“江苏省星级上云企业”的认定。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，专注于智能功率集成电路芯片设计，具备自主研发体系，掌握多项国内领先的核心技术，产品应用覆盖汽车电子、光伏及储能、数据中心、工业控制等领域。自纳入公司合并报表范围以来，国硅持续加强研发体系建设与生产质量管控，已通过ISO9001质量管理体系认证。在驱动芯片领域，国硅已形成从低压到高压、从分立驱动到智能模块的全覆盖产品布局。
　　低侧驱动系列：25V低侧驱动已量产50款，产品成熟度及出货规模持续提升。2026年上半年，公司新增35V耐压档产品17款，进一步拓展至SiCMOSFET驱动、光伏MPPT及家电PFC等应用场景，适配第三代半导体及新能源需求增长趋势。
　　低压桥式驱动系列：40V桥式驱动已量产11款，主要应用于中小功率风机、中低压水泵及小型电机等领域。
　　高压桥驱动系列：250V半桥驱动已量产55款，期内新增10款，覆盖智能短交通、电动工具等市场；700V高压半桥驱动已量产58款，期内新增12款，面向储能及工业控制等高压应用场景。高压产品线的持续扩充，契合储能、工控等领域对高耐压驱动的需求增长。
　　碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）：该产品线于2025年布局，涵盖半桥IPM及三相桥IPM两种架构。报告期内，SiC-IPM产品已在头部厂商及标杆风机客户实现量产交付，应用覆盖大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等终端市场，商业化推进进展符合预期。量产应用情况：上述驱动芯片及功率模块产品已在储能、工业控制、电池化成柜、智能短交通、电动工具等多个领域的头部客户实现大批量出货，产品验证及客户导入持续推进。
　　2026年上半年，国硅通过高新技术企业复审，并获无锡市太湖湾科创带企业补助。知识产权方面，期内新增授权知识产权5项（均为发明专利）。截至报告期末，国硅累计获得知识产权73项，其中专利25项（含发明专利18项、实用新型7项），集成电路布图设计47件，软件著作权1件。
　　4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd
　　功率半导体全球市场规模中，海外市场占比约60%，市场空间广阔。公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转，承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措，旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势，推动功率半导体前沿技术的研发与突破。海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。
　　在研发层面，子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势，致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态，同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制，持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。报告期内，公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队，有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。基于该团队的研发能力，公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。样品已完成测试。设计更新工作正在进行中。该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统，依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台，提供多种导通电阻选项，可满足不同负载场景下的应用需求。与此同时，面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。该类产品可与公司SiCMOSFET产品协同使用，实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度，同时有效降低系统热损耗，助力下游客户提升电源系统整体能效。未来，公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求，依托国际化人才与技术资源，推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代，进一步完善公司产品生态，提升在高端市场的综合竞争力。
　　在经营及销售方面，公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd.已正式投入运营并保持有序运转，主要承担公司全球销售中心职能。报告期内，Eruby已组建一支具备多语言能力、熟悉当地市场环境并拥有功率半导体专业知识的国际化销售团队，以新加坡为核心枢纽，统筹海外客户开发、渠道管理、技术支持及区域业务拓展，持续加强对东南亚、印度、欧洲及北美等重点市场的客户覆盖与本地化服务能力。市场拓展方面，Eruby重点推进东南亚经销商网络建设，并积极开拓印度等高潜力市场。其中，在印度和越南市场，公司通过客户拜访、技术交流及项目跟进，深入了解客户应用需求，加快产品推荐、样品测试及项目认证。同时，公司积极参与及支持越南当地展会和行业活动，集中展示新洁能、金兰半导体及国硅集成产品组合，并通过展后客户筛选、持续跟进及技术支持，推动潜在需求向实际项目转化。代理商建设方面，Eruby持续拓展重点市场的本地经销商，并通过定期项目检讨、联合客户拜访、产品培训及市场推广等方式，深化与现有区域经销商的合作，提升其产品推广、客户服务及项目转化能力。同时，公司不断加强新加坡销售中心、区域经销商与技术团队之间的协同，持续优化客户开发、项目管理、报价、送样及交付流程，逐步完善区域销售与服务体系。
　　目前，Eruby已在光伏逆变与储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS及服务器电源、电动自行车等应用领域取得积极进展，部分相关产品已实现批量交付。海外市场拓展及渠道建设成效逐步显现，为公司海外业务持续增长及全球化战略的深入推进奠定了良好基础。
　　（五）内部管理
　　报告期内，公司持续完善内部治理体系，不断健全内部控制制度与流程管理体系。通过强化内部培训与企业文化建设，公司进一步整合优化各项制度流程，提升了组织协同效率与整体运营能力。同时，严格按照资本市场规范要求，持续提升公司治理水平和合规运营能力，确保公司运作透明、规范、高效。在信息披露方面，公司严格遵守相关法律法规，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性，保障投资者公平获取公司信息的权利。公司高度重视投资者关系管理，通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流，积极传递公司价值，树立了良好的资本市场形象。此外，公司在合法合规的前提下，聚焦主业发展，稳步推进市值管理工作，致力于做优做强公司价值，并积极借力资本市场工具，推动公司实现高质量、可持续发展。
　　（六）资本市场
　　2026年1-6月，公司紧紧围绕整体发展战略，持续关注并积极推进外延式发展机遇。投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域，通过直接或间接方式，对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资，稳步推进横向整合与纵向延伸。通过上述资源整合，公司充分发挥产业链协同效应，进一步加深与核心客户的合作黏性，提升对下游市场的响应能力与理解深度，为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。相关举措有效增强了公司的核心竞争力，有助于提升长期盈利能力，实现经济效益与社会价值的协同增长。同时，公司积极通过产业投资拓展产品线布局，不断完善产业链生态体系，加快产品集成化进程，为公司可持续发展注入新动能。
　　报告期内，公司参股投资了专注于高性能特色工艺功率器件及功率集成电路生产的高科技企业；以及掌握GPU核心架构和软件驱动、专注于图形图像和AMOLED显示驱动解决方案的研发与应用的高新技术企业。相关投资有利于公司产能开拓，构建从研发、制造到市场应用的全链条合作体系，夯实交付能力，完善产业链布局。
　　（七）荣誉奖项
　　截至目前，公司新增荣誉如下：
　　2025年中国半导体行业功率器件十强企业
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有258项专利（其中发明专利135项、美国专利2项，不含已到期专利），集成电路布局图共47项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期产学研合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及高集成度智能化功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件及模块的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司核心产品涵盖IGBT、屏蔽栅功率MOSFET（SGT-MOSFET）、超结功率MOSFET（SJ-MOSFET）、沟槽型功率MOSFET（Trench-MOSFET）等半导体芯片及功率器件，构建了十二大核心产品平台。除上述四大成熟产品线外，公司持续向高端化、集成化方向拓展，产品布局已延伸至车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、智能功率模块（IPM）及MCU等领域，可为下游客户提供多元化的系统解决方案。
　　凭借深厚的技术积累与平台化开发能力，公司目前已形成覆盖12V至1700V电压范围、0.1A至450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内功率半导体行业中MOSFET产品系列最为齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类持续丰富，除广泛应用于光伏储能、新能源汽车及工业控制等领域的单管产品外，IGBT模块产品已实现批量销售。在化合物半导体领域，公司SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现批量销售，GaNHEMT部分产品已完成开发并通过可靠性测试，为后续市场拓展奠定基础。
　　公司坚持“构建-衍生-升级”的良性发展模式，通过搭建主要产品工艺技术平台，持续衍生开发细分型号产品，并推动工艺平台迭代升级。该模式有效支撑了细分型号产品的快速、“裂变式”生成，使公司能够及时响应下游多领域客户的多样化需求，驱动经营规模持续增长。
　　在研发端，公司持续引进高端技术人才，新增开发多款将数字、模拟及功率半导体技术单芯片集成的电机驱动IC与电源管理IC芯片，不断丰富产品品类。同时，公司加快数模混合产品的研发进程，积极布局智能化和集成化发展方向。截至目，公司已拥有4000余款细分型号产品，能够充分满足不同下游市场客户及同一市场内不同客户的差异化应用需求。
　　3、产品品质优势
　　公司始终高度重视产品质量，构建了覆盖产品全生命周期的质量管控体系，确保产品性能优良、质量稳定可靠、一致性强。公司已通过CNAS实验室认证、ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949、AEC-Q100等汽车行业质量管理体系认证，并严格按照相关标准开展研发、生产及供应链管理，保障各环节质量可控。
　　在供应链建设方面，公司建立了严格的供应商准入与动态评估机制，合作伙伴均为行业内技术领先、质量可靠的知名企业。芯片代工环节，公司与华虹宏力等国内外领先的芯片代工厂保持长期紧密合作；封装测试环节，公司与子公司电基集成及日月光（ASX.US）、长电科技（600584.SH）、捷敏电子等国内外优质封测企业建立了稳定的合作关系。强劲且多元化的供应链体系为公司产品的品质保障与可靠交付奠定了坚实基础。
　　凭借卓越的产品性能与可靠性，公司“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”“超结功率MOSFET”“沟槽型功率MOSFET”等多款产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级可靠性认证。公司产品在功率半导体细分市场形成了显著的品质优势与差异化竞争力，持续赢得下游头部客户的信赖与认可。
　　4、产业链协作优势
　　对于半导体功率器件研发设计企业而言，稳定高效的产业链协作能力是确保产品性能与交付质量的核心要素。IGBT、MOSFET等功率器件因其结构设计与参数性能的复杂性，需在更为严苛的制造工艺平台下方可达到最优状态。目前，上述产品主要依托8英寸及12英寸芯片工艺平台进行流片，并对封装测试环节的工艺水平提出较高要求，通常需与具备先进封测技术的厂商协同完成。
　　公司在产业链协同方面形成了显著的先发优势与规模优势。截至目前，公司已成为国内8英寸及12英寸工艺平台上IGBT与MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计企业之一。凭借长期的战略合作与深度互信，公司与华虹宏力等主流芯片代工厂，以及日月新、长电科技等头部封测企业建立了共同发展的紧密合作关系，为公司产能保障及工艺迭代提供了有力支撑。
　　在外部协同的基础上，公司持续强化自主制造能力布局。通过全资子公司电基集成，公司建设了先进的封装测试生产线，致力于研发和量产国际一流同行已具备但国内尚缺的先进封装技术与产品，有效填补关键环节的资源空白。同时，子公司金兰半导体已完成先进功率模块生产线的建设，进一步提升公司在模块级产品领域的制造能力与响应速度。
　　上述产业链协同布局，使公司在产能保障、工艺适配、先进封装及模块集成等方面形成了较为突出的综合竞争壁垒，为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。
　　5、进口替代优势
　　我国半导体产品，尤其是中高端领域，仍较大程度依赖进口。作为国内领先的半导体功率器件设计企业，公司通过多年自主研发积累与技术引进，在技术水平、生产工艺及产品质量等方面已具备与国际先进水平接轨的能力。公司研发设计紧贴英飞凌等国际一线品牌技术路线，产品涵盖沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等，已成为公司主力销售产品。其中，部分产品的关键参数及实际应用表现已达到国际主流厂商同期或最新产品水平，在MOSFET、IGBT等中高端功率器件领域逐步实现国产替代，展现出显著的进口替代优势与核心竞争力。
　　6、品牌和客户优势
　　公司始终将质量管控与客户价值置于战略核心，构建了迅捷的客户服务与反馈响应体系。该机制不仅能精准对接客户动态需求，保障产品线的快速迭代，更使公司始终与市场趋势同频共振。
　　凭借领先的产品技术、多元的产品矩阵、卓越的产品品质以及专业的销售服务，公司业务已广泛渗透至新能源汽车与充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、高端工控等前沿领域。在下游多个细分赛道，公司已与多家头部客户建立深度合作，并借助龙头客户的市场辐射效应，持续向行业内更多企业拓展，市场份额稳步提升。
　　2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强榜单，公司成为唯一上榜的中国功率半导体设计企业。这一荣誉不仅彰显了公司日益强大的品牌影响力，更是客户及行业对公司技术实力与服务质量的高度认可。
　　7、人才优势
　　公司始终将人才作为创新发展的核心驱动力，致力于构建长期稳定、结构合理的人才梯队。通过持续的培养与投入，现已打造出一支研发实力雄厚的技术团队和一支兼具市场洞察力与实战能力的销售团队。
　　以董事长朱袁正先生为核心的研发团队，是国内最早专注于8英寸及12英寸芯片工艺平台、开展MOSFET与IGBT等先进功率器件研发的开拓者之一。团队在高端功率器件细分领域积淀深厚，具备领先的技术实力与丰富的产品开发经验。公司销售团队则具备出色的市场拓展能力，不仅对产品性能与应用有深刻理解，能够快速响应并解决客户现场问题，还承担起客户回款管理职责，保障公司现金流的健康与安全。
　　报告期内，公司把握全球半导体产业发展趋势，设立海外全资子公司，积极引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才。结合属地化激励机制，公司迅速组建起精干高效的海外团队，并建立与国际头部企业的技术交流机制，推动国内外研发资源协同，持续提升团队整体技术水平。
　　在人才管理方面，公司不断健全激励与约束并重的长效机制。通过实施股权激励等多种方式，充分调动核心人才的积极性与创造力，确保人才战略与公司长期发展目标高度一致，为公司战略落地和持续成长提供坚实保障。
　　四、可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，关税壁垒持续升级，国际贸易摩擦加深，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控、机器人等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系，同时加强海外渠道建设，应对国际贸易限制；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，预计募投项目实现投产后新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲

　　一、报告期内公司从事的业务情况　　1、主要业务　　公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了 IGBT、屏蔽栅MOSFET （SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余... 查看全部▼

　　一、报告期内公司从事的业务情况
　　1、主要业务
　　公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了 IGBT、屏蔽栅MOSFET （SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
　　3、市场地位
　　公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第 5，其中在设计领域公司名列第一。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司是上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司。
　　
　　二、报告期内公司所处行业情况
　　1、行业特点及发展趋势
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件，主要承担功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）及整流（交流转直流）等关键功能。随着国家持续推进电能替代与节能改造战略，各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。目前，全球范围内绝大部分电能需经功率半导体器件处理后才能投入使用，且该比例有望进一步扩大，为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。
　　自功率半导体诞生以来，历经数十年技术演进，行业围绕基材迭代、结构设计优化、先进封装技术及大尺寸晶圆应用等方面持续创新。技术演进的主要方向为更高的功率密度、更小的器件体积、更低的功耗及损耗，器件结构设计亦不断接近理想目标，以适应日益丰富的应用场景。据行业研究机构Yole数据显示，功率半导体器件约每二十年进行一次产品迭代，相较于其他半导体品类，其迭代周期相对较长，每一代芯片产品均拥有较长的生命周期，这为具备技术积累的企业提供了稳定的市场回报期。
　　发展至今，我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的技术体系。在中低端领域，国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化替代，成功从依赖进口转向国内自给自足。然而，在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT及化合物半导体等方向，因国内起步相对较晚、设计门槛较高、工艺复杂且缺乏充分的验证机会，国内厂商仍处于追随海外技术发展路线的发展阶段。
　　公司自成立以来，始终立足于全球功率半导体先进技术的前沿，致力于成为国内中高端功率半导体领域的领先企业。公司专注于功率半导体器件的设计与市场推广，精准把握市场需求及供应节奏，与国际一流代工厂保持长期紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划及产能调配等方面形成了显著的竞争优势，为公司在市场竞争中持续巩固领先地位奠定了坚实基础。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测，受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求，2025年全球半导体销售额同比增长25.6%，达到7,917亿美元；展望2026年，市场有望进一步增长23%，约9,750亿美元。从地区结构看，亚太地区作为全球半导体产业的重要引擎，2025年营收预计增长24.9%，2026年将继续保持24.9%的增长率。另据Gartner预测，2025年全球半导体收入将达772.6亿美元，2026年有望增至909.8亿美元。
　　功率半导体作为半导体产业的重要分支，其市场规模在全球半导体行业中的占比保持在8%—10%的稳定区间。由于其广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业，且受益于新能源汽车与充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通信等新兴应用领域的快速发展，功率半导体市场呈现出弱周期性和稳健增长态势。据Research and Markets数据显示，2025年全球功率半导体市场规模约为568.7亿美元，预计到2031年将增长至 782.5亿美元，年复合增长率达5.46%。从区域格局来看，亚太地区凭借其完整的制造产业链优势，占据全球功率半导体市场51.35%的份额，且保持着6.74%的复合年增长率。
　　中国作为全球最大的功率半导体消费国，市场发展前景持续向好。伴随新能源、AI基础设施、高端工控等下游领域的加速渗透，国内功率半导体市场有望保持高于全球平均的增速，为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。
　　①功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。
　　②按应用领域在新能源汽车与充电设施、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏储能、无人机、5G通信、物联网及人工智能等新兴市场的驱动下，功率半导体行业的应用场景正持续向纵深拓展。与此同时，工业自动化和消费电子等传统支柱产业亦稳步发展，为行业需求侧提供了坚实支撑。作为上述领域终端产品的核心元器件，高性能功率器件的应用需求有望伴随技术迭代与产业升级而持续释放，为公司业务发展带来广阔的市场空间与战略机遇。
　　AI算力服务器及数据中心
　　在云计算、大数据及人工智能技术迭代的驱动下，智慧城市、数字政府与工业互联网等应用场景加速落地，推动数据中心作为数字基础设施的需求持续走高。随着人工智能算力需求呈指数级增长，AI服务器及数据中心正成为功率半导体市场增长最为迅猛的下游应用领域之一。高算力芯片的功耗攀升与机柜功率密度的持续提升，对供电架构提出了全新挑战，也为功率器件创造了广阔的市场空间。
　　服务器作为数据中心的核心算力载体，当前市场呈现传统服务器、云服务器、AI服务器与边缘服务器协同发展的格局。受益于"互联网+"、大数据战略及数字经济等政策红利，超大规模数据中心及行业用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求持续走强。据IDC数据，2025年上半年中国加速服务器（AI服务器）市场规模已达160亿美元，同比增长超一倍，预计到2029年将突破1400亿美元。全球市场方面，360iResearch显示2025年AI服务器市场规模为1398.3亿美元，预计2026年增至1498.5亿美元，2032年有望达2349.9亿美元；从出货量看，DIGITIMES预计2025年高端AI服务器出货109万台，2026年将增至130万台。国内外厂商加速布局千亿级参数大模型，训练与推理需求共振，驱动算力革命持续深化。
　　技术演进趋势方面，AI服务器电源正沿着三大方向加速演进：一是GaN/SiC等第三代半导体的加速渗透，带来更高能效与更低单位功耗成本。二是800V HVDC与固态变压器（SST）架构自2027年起逐步放量，推动高压直流化集中趋势。高压直流（HVDC）市场方面，随着数据中心向高密度、高能耗方向发展，供配电系统正经历从传统交流向高压直流的深刻变革，高压HVDC方案能够释放机柜空间、提升供电效率、节省铜材用量，成为新一代数据中心供电的更优解。英伟达发布的800V直流供电白皮书指出，未来数据中心配电的最终方案将向中压整流器或固态变压器（SST）方案演进。固态变压器（SST）市场方面，作为下一代供电方案的核心，SST通过高频变换技术实现电压转换，摒弃传统变压器的铁心与线圈结构，以IGBT、SiC MOSFET等功率半导体器件为核心，可实现10kV中压交流直转直流输出，供电路径更短、效率更高。三是智能电源管理与数字化控制快速渗透，强化电源厂商在客户侧的黏性与定价权。从价值量分布看，电源供应单元（PSU）和电压调节模块（VRM）目前约占AI服务器功率半导体需求的70%，是转换电网电力并向GPU提供稳定电力的核心环节。
　　作为电能变换与电路控制的核心器件，公司的MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体产品可广泛应用于AI服务器及数据中心的电源供应单元、电压调节模块、HVDC系统及SST等关键环节。随着全球AI算力基础设施建设的加速推进以及数据中心供电架构向高压直流化、智能化方向的持续升级，公司将持续紧跟技术前沿，深化与头部服务器电源厂商及云服务提供商的合作，以高可靠性、高效率的功率器件助力AI数据中心绿色低碳发展，积极把握该领域爆发式增长的历史机遇。
　　新能源汽车及充电桩
　　在汽车产业电动化、智能化、网联化深度融合的背景下，功率半导体作为电能转换与管理的核心器件，正迎来前所未有的发展机遇。2025年，我国汽车产销量跃升至3,440万辆以上，同比增长9.4%，再创历史新高。中国汽车工业协会预测，2026年汽车市场总销量有望达到3,475万辆，同比增长1%，其中乘用车销量3,025万辆，商用车销量450万辆。
　　新能源汽车持续引领产业转型。2025年，我国新能源汽车销量达1,649万辆，同比增长28.2%，新车渗透率首次突破50%，达到50.8%。中汽协展望2026年，新能源汽车销量有望增至1,900万辆，同比增长15.2%，渗透率进一步提升至54.7%。汽车出口方面，2025年出口达709.8万辆，继续保持全球首位；预计2026年出口将达740万辆，同比增长4.3%。
　　汽车芯片需求呈现倍增态势。据中汽协统计，传统燃油车所需芯片数量为600至700颗，而电动车所需芯片数量提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量有望提升至3,000颗/辆。功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车价值约为传统燃油车的2至3倍。根据Research and Markets数据，全球功率半导体市场规模2025年已达568.7亿美元，预计2026年增至599.8亿美元，2031年有望达782.5亿美元，2026-2031年年复合增长率5.46%。从汽车应用看，电机驱动、主驱逆变器、DC/DC、OBC（车载充电器）及热管理等场景对高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET需求广泛。根据IC WISE预测，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将持续提升，成为支撑行业发展的中坚力量。
　　充电桩基础设施同步快速发展。2025年，我国公共充电桩额定总功率达2.1亿千瓦，私人充电桩报装用电容量达1.29亿千伏安，充电基础设施总功率约3亿千瓦。交通运输部持续推进公路服务区充电基础设施建设，适合公路场景的"超快充、大功率"充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度及可靠性提出更高要求。据QYResearch数据，全球充电桩用功率器件市场规模2025年为2亿美元，预计2032年将达7.9亿美元，2026-2032年年复合增长率达22.0%。充电机作为充电桩核心部件，成本占比超50%，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占比过半，为公司相关产品提供了广阔市场空间。
　　工控自动化：细分领域增长强劲
　　根据行业权威研究机构最新统计，全球功率半导体下游应用市场中，工业电子仍是占比最大的领域，市场份额维持在36%左右。该领域应用场景广泛，涵盖电机驱动、机器人、轨道交通、工业电源、工程机械等多个细分方向。2024年以来，随着全球制造业智能化转型加速，无人机、智能机器人、高端电动工具等细分赛道迎来高速发展机遇。
　　低空经济领域，政策支持力度持续加大。2024年《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行，为行业规范发展提供了法律保障；工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局联合印发的《通用航空装备创新应用实施方案（2024-2030年）》明确了产业发展路线图。2026年政府工作报告进一步将低空经济定位为"新兴支柱产业"，连续三年的政策升级彰显国家战略决心。据行业数据显示，2025年我国低空经济市场规模已达1.5万亿元，预计2030年将突破2万亿元。无人机（消费级、工业级）、直升机和电动垂直起降飞行器（eVTOL）等产品市场空间持续拓展。根据权威机构最新预测，2035年全球eVTOL市场规模预计将达到50.8亿美元，2025-2035年复合增长率达12.3%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空应用场景对功率半导体提出高能量密度、轻量化、高安全、超级快充等严苛要求。公司已与低空经济产业链相关客户建立合作，MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中批量应用，部分客户已实现规模化销售。公司将紧抓行业发展机遇，持续提供高可靠性产品，深化与头部客户的战略合作。
　　智能机器人领域正以前所未有的速度重塑生产生活方式。我国智能机器人产业凭借政策支持、技术创新和庞大市场需求，已跻身全球科技竞争前沿。根据国际数据公司（IDC）最新预测，2026年全球智能机器人硬件市场规模将接近300亿美元，其中中国将引领全球具身智能机器人市场增长，届时中国市场规模有望突破110亿美元。智能机器人正广泛应用于工业制造、医疗服务、家庭服务、特种作业等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，应用场景持续丰富。随着智能机器人市场的快速崛起，公司已有多款产品进入机器人应用领域，获得头部客户认可及批量订单。公司将紧跟客户需求，持续加强新品研发与配套能力，推动该领域销售规模进一步提升，长期看好下游发展前景并积极布局。
　　在工业应用领域，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等设备中扮演核心角色，通过精确控制电机速度和扭矩，实现节能降耗与性能优化。IGBT和MOSFET等功率器件的大规模应用，显著提升了工业设备的能源使用效率和运行性能，为工业自动化和智能制造提供关键支撑。
　　光伏储能：光伏逐步回暖、储能需求爆发
　　在全球能源转型战略深入推进的背景下，以光伏为代表的新能源产业迎来历史性发展机遇。我国能源安全保障能力持续增强，绿色低碳转型步伐不断加快，为功率半导体市场开辟了广阔的增长空间。
　　光伏市场方面，根据中国光伏行业协会最新发布的路线图，2026年全球新增光伏装机规模预计为500GW至667GW。尽管我国新增装机预计为180GW至240GW，较2025年有所回调，但"十五五"期间中国年均光伏新增装机规模有望达到238GW至287GW，全球年均装机规模预计为725GW至870GW。这一阶段性调整主要受分布式管理办法、上网电价市场化改革等新政策影响，市场短期存在观望情绪，但中长期增长趋势依然明确。逆变器出口方面，最新海关数据显示，2025年10月至2026年1月，我国光伏逆变器出口呈现"量价齐升"态势。2026年1-2月，光伏逆变器出口同比增速达18.2%。区域结构持续优化，中东、非洲、拉美等新兴市场表现突出，成为我国逆变器企业出海的重要增长极。
　　储能市场则呈现爆发式增长态势。据权威机构预测，2026年全球储能新增装机有望突破438GWh，同比增长62%。增长动力已由过去的单一新能源消纳，转变为"AI算力基建+能源转型刚需+电网阻塞"的三重驱动。从区域结构看，中国市场预计2026年装机达250GWh，同比+67%；美国市场受益于AI数据中心需求，预计装机70GWh，同比+35%；欧洲市场装机预计51GWh，同比+55%；新兴市场表现尤为亮眼，预计装机67GWh，同比+91%。行业供需关系显著改善，已由去库周期转入补库繁荣期。
　　IGBT器件及模块、MOSFET、碳化硅等功率器件作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件，承担着功率变换和能量传输的关键作用，直接决定系统性能、稳定性、发电效率及使用寿命，是光伏与储能系统的"心脏"。其中，IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同应用场景对功率器件需求呈现差异化特征：集中式光伏主要采用IGBT模块，分布式光伏则以IGBT单管或模块为主。随着光伏装机稳步增长、储能市场爆发式扩容，功率半导体市场规模将同步扩张，公司作为产业链核心供应商将持续受益于下游高景气发展。
　　泛消费及其他市场稳步增长
　　功率半导体器件广泛应用于各类消费电子、电动两三轮车及智能家居产品中，涵盖电机驱动、电源适配器、电源供应器及LED照明系统等核心环节，各品类家用电器均需依赖功率半导体实现电能的精准控制与转换，在满足设备精细化用电需求的同时，显著提升能效水平、降低待机能耗。根据行业权威研究机构最新统计，全球功率半导体下游应用市场中，消费电子占比19%，其庞大的市场规模构成了功率半导体产业的稳定基本盘。
　　政策层面，国家持续加力支持消费品以旧换新。2026年国家发展改革委、财政部安排 2500亿元超长期特别国债资金，深入实施大规模设备更新和消费品以旧换新政策。补贴范围从2024年的汽车报废更新和八大类家电，扩大至2025年的12类家电产品，并新增手机、平板电脑、智能手表（手环）等数码产品及智能家居设备。政策明确对个人消费者购买一级能效或水效的冰箱、洗衣机、电视、空调、电脑、热水器等家电产品，按最终销售价格的15% 给予补贴；对购买手机、平板、智能手表手环、智能眼镜等数码及智能产品，按售价的15% 给予补贴。各地也结合实际配套资金，进一步优化补贴发放机制，简化审核流程，加大了对农村地区的倾斜力度。今年以来，县域农村换新提速明显，空调套装、壁挂式洗衣机等大家电销量同比增长超六倍，黑龙江、湖南、贵州等偏远农村地区国补电视、空调、冰箱产品订单量同比大幅增长。
　　作为消费电子及智能家电电源管理、电机控制等模块的核心器件，公司的MOSFET、IGBT等功率半导体产品广泛应用于电源适配器、变频家电、智能家居控制系统等领域。随着国家以旧换新政策的深入推进和农村消费市场的持续激活，消费端对高效节能、智能化的产品需求不断提升，将为公司功率半导体业务带来稳定的市场增量。公司将紧抓政策机遇，持续深化与家电及消费电子头部客户的合作，以高可靠性产品助力下游产业绿色智能化升级。
　　全球电动两轮车市场方面，根据行业权威机构最新统计，2025年全球电动两轮车市场规模约为786亿美元，预计到2035年将达到1439亿美元，复合年增长率为6.4%。在区域结构上，亚太地区是全球最大的电动两轮车市场，中国、印度等国家凭借庞大的两轮车保有量和政策支持，持续引领全球增长。中国市场作为全球最大的电动两轮车及三轮车生产与消费市场，发展态势尤为突出。2025年，中国电动两轮车市场在"以旧换新"政策和新国标切换的双重刺激下，生产规模达6316万台，同比增长14.8%。新版《电动自行车安全技术规范》的实施，推动行业向安全化、智能化、轻量化方向加速升级，铅酸电池车型占比显著提升，锂电池则在高端市场持续突破。在电动载货三轮车细分领域，受益于电商快递物流迅猛发展，2025年中国市场规模约211亿元，预计2030年将增长至232.2亿元，需求量有望达到838.4万辆。政策层面，国家持续推动新能源汽车补贴政策向电动三轮车延伸，乡村振兴战略进一步激活农村市场，同时部分城市对燃油三轮车的限行政策趋严，为电动三轮车带来结构性替代机遇。
　　作为电动两轮车及三轮车电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、充电设施等核心部件的关键元器件，MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）等功率半导体产品广泛应用于整车控制器、直流转换器、充电器等环节，承担着电能变换与精准控制的核心功能。随着新国标对车辆安全性能要求的提升以及消费者对智能化、长续航需求的增长，电动两轮车及三轮车对高可靠性、高能量密度的功率半导体需求将持续释放。公司已与多家头部整车企业形成合作，产品批量应用于电动两轮车及三轮车的电机控制器和BMS系统。公司将紧抓行业绿色智能化转型机遇，持续以高性能功率器件助力下游客户产品升级，推动该领域销售规模稳步提升。
　　三、经营情况讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入187,706.95万元，较去年同期增加2.66%；其中主营业务收入186,964.41万元，较去年同期增加2.68%；归属于上市公司股东的净利润39,363.19万元，较去年同期减少9.42%。
　　（一）市场营销
　　近年来，在国家政策大力推动半导体产业国产化进程的宏观背景下，叠加新能源汽车、AI算力基础设施、工业机器人及光伏储能等战略性新兴市场的爆发式增长，公司所处的功率半导体行业迎来结构性复苏机遇。下游核心应用需求持续释放，带动行业整体订单量回升，国产功率半导体凭借在性价比、响应速度及本土化服务等方面的突出优势，市场份额稳步提升。与此同时，随着前期库存逐步消化，行业库存水位回归合理水平，库存结构显著优化，产品周转效率有效提升，标志着行业已逐步摆脱周期性低谷，步入高质量发展的复苏新阶段。
　　尽管行业整体呈现向好态势，但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商为巩固在国内的市场地位，主动调整经营策略，一方面加速核心技术本土化落地，另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重，采取价格竞争策略，以短期利润换取市场份额，进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾，对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。
　　面对机遇与挑战并存的市场环境，公司始终坚持“技术驱动、市场导向”的发展战略，以积极姿态应对行业变革。内部持续深化以客户需求为核心的运营体系，快速响应定制化需求；外部着力开拓新兴市场蓝海，挖掘优质新客户资源，持续优化市场布局。依托长期积累的核心技术领先优势、覆盖全场景的丰富产品矩阵，以及高效产业链协同能力，公司不断推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。
　　凭借过硬的产品实力与综合服务能力，公司在战略新兴领域取得突破性进展：产品已顺利通过新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、工业机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户的严格认证，并实现规模化量产销售，有力推动公司在中高端功率半导体市场的销售规模持续扩大，凭借在核心场景的稳定表现，公司品牌认可度与核心竞争力显著提升，差异化竞争壁垒逐步构建。
　　此外，公司全球化战略布局在报告期内取得里程碑式进展。作为公司拓展海外市场的核心枢纽，新加坡研发及销售中心已于上半年正式建成并投入运营，目前已全面启动对东南亚、欧洲、北美等地区海外客户的技术支持与市场服务。该中心的落地具有多重战略价值：既是深化全球化布局的重要支点，助力公司融入全球半导体产业链分工；也是推动产品升级迭代的研发高地，依托国际化人才与技术资源，加速产品向国际高端标准靠拢；同时更是拓展海外销售渠道的前沿阵地，为公司抢占全球功率半导体市场份额开辟了新路径。
　　 产品结构方面：
　　（1）SGT-MOSFET产品：现已成为公司综合竞争力最强、销售规模最大及客户群体最为广泛的核心产品平台。2025年，公司SGT第三代产品全系列成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源及新一代高功率密度电动工具等战略新兴领域。报告期内，受益于汽车电子、储能、无人机、电动工具及AI算力服务器等下游市场需求持续释放，公司订单保持稳健增长。公司积极把握市场机遇，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，及时响应客户需求，提前布局备货并充分利用扩大的产能保障供应。得益于上述举措，公司SGT-MOSFET产品2025年实现销售收入8.66亿元，占主营业务收入比例为46.3%。
　　（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司 IGBT产品的主要应用领域，在此基础上，公司持续加大在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步拓展产品应用范围，提升销售规模。2025年，公司第七代IGBT产品进入批量供货阶段，第八代IGBT产品亦实现市场销售，在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，逐步形成销售规模。报告期内，公司IGBT产品实现销售收入2.79亿元，占主营业务收入比例为14.9%。
　　（3）SJ-MOSFET产品：公司SJ-MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。2025年，公司在移动储能、AI服务器电源及工业电源等市场的推广取得积极进展，销售规模稳步提升。但在小电流小封装消费电子领域，市场价格竞争激烈，公司针对性加大第四代SJ-MOSFET产品的推广力度，凭借产品性能优势积极扩大市场份额；同时，在汽车OBC及充电桩领域，持续加强大电流产品推广力度。报告期内，公司SJ-MOSFET产品实现销售收入2.05亿元，占主营业务收入比例为11.0%。
　　（4）Trench-MOSFET产品：Trench-MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具备应用领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现多款产品的成功导入与量产销售。但与此同时，Trench-MOSFET市场竞争最为激烈，部分中低端产品同质化严重，国内部分设计公司及封装厂采取降价策略争夺市场份额，对行业盈利空间形成压力。公司根据市场变化及时调整产品销售价格，在稳固现有市场地位的同时积极寻求增量机会。2025年第四季度以来，Trench-MOSFET对应市场需求快速恢复，出现供不应求的局面，对全年销售产生积极影响。报告期内，Trench-MOSFET产品实现销售收入4.86亿元，占主营业务收入比例为26.0%。2026年以来，Trench-MOSFET市场需求呈现旺盛趋势，公司将积极把握时机，充分利用产能资源，力争实现业务规模的进一步突破。
　　 市场结构和客户结构方面：
　　报告期内，公司坚持深耕存量市场与拓展增量客户并重，持续提升重点领域的市场份额。通过深度挖掘客户需求，公司加速推动潜在客户的验证导入及量产落地进程，不断增强市场响应能力与客户服务深度。在市场战略层面，公司坚定实施“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动策略：一方面，持续深化与国内行业头部客户的战略合作，巩固并扩大本土市场优势；另一方面，以新加坡子公司为海外核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展东南亚、欧洲及北美等重点市场，进一步提升公司在全球功率半导体领域的品牌影响力与市场份额。
　　从具体结构来看：
　　汽车电子领域：在车规级功率器件领域，公司已构筑起具备核心竞争力的产品技术护城河。
　　电动力等国内一线Tier 1供应商及头部车企的深度认可与广泛合作，市场
　　此同时，公司精准把握行业业技术演进趋势，前瞻性布局成效显著：针对48V车载系统开发的80V-150V功率MOSFET产品已实现大规模量产，并进入客户端小批量试产阶段；面向800V高
　　发展态势，高阶算力芯片及HBM高带宽内存需求尤为旺盛，带动服务器算力供电系统（包括SST、
　　AIDC、二次DCDC电源等）细分领域快速增长。
　　力及通信市场，自主研发的SiC MOSFET及高速SGT MOSFET产品在可靠性和能效方面已达到
　　与欧美竞品相当的水平。
　　海内外市场的批量销售，且更多的产品在高端客户开展送样验证，为公司
　　在中高端功率半导体市
　　场的持续拓展奠定了坚实基础。
　　光伏储能领域：报告期内，受益于国内外光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现高速反弹态势。公司秉持长期主义理念，聚焦全球能源结构转型趋势，IGBT及MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景，深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。为满足客户多样化需求，公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及SiC产品，并针对微型逆器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。得益于上述布局以及下游客户的强需求，公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。
　　（二）研发创新
　　2025年度，公司实现研发投入11,794.62万元，占营业收入的比例为6.28%。
　　 SGT MOS平台：
　　(1) 具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N25V第三代SGT MOS平台动静态参数符合预期，正在进行可靠性验证，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
　　(2) 具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N40V第三代SGT MOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至148款，其中车规产品62款，包含sTOLL、TSC5x7、双面散热DFN5x6、双面散热DFN3x3等先进封装。
　　(3) N40V第三代SGT MOS产品已经全面进入量产阶段，涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等。
　　(4) N80V第三代SGT MOS平台和N100V第三代SGT MOS平台Rsp相较于上一代产品分别降低35%和50%，均通过工规和车规考核，这两个平台全面进入量产阶段，产品进入AI算力、新能源汽车、光伏储能、电机驱动、工业电源等行业。
　　(5) 达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V 第三代SGT MOS平台，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用，市场需求量持续增加。
　　(6) 基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发，其动静态参数符合预期，反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%，目前处于市场推广阶段，主要针对通信、电机控制、工业电源等应用领域。
　　(7) 基于华虹12寸新产线，N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均不但完成技术转移，并且实现大批量投产。
　　(8) N120V、N200V、N250V第三代SGT MOS平台首个工程批已完成流片，基本功能均满足需求，部分参数需进一步调试。
　　(9) N40V第五代SGT MOS平台和N80V第五代SGT MOS平台已完成仿真设计，目前处于工程开发阶段，目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。
　　 Trench MOS平台：
　　(1) 在8寸平台TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品，P250V~300V工艺平台完成模拟优化和设计定型，确认工艺条件和材料片基本确定，待ETO和工程流。
　　(2) TTO结构的N200V工艺平台工程流片结果表明窗口需进一步优化，已完成进一步模拟优化，待新ETO&工程流片。
　　(3) 完成用于穿戴设备的G2世代CSP N12V系列产品后道流程的固化及量产，更高电压系列CSP产品（N20V、N30V）完成设计定型和ETO，工程流片中。
　　(4) G3世代CSP 12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）完成初步评估待进一步工程确认并固化
　　(5) 宽SOA的平台产品通过汽车客户所有严苛评测，工艺固化具备量产能力。
　　(6) 在12寸平台完成第六代（0.65um Cell Pitch）N30V 产品平台工艺初步固化。
　　(7) N30V超短沟工艺优化基本达成参数要求：Rsp优化7%，待工艺固化后会展开到全系列产品。
　　(8) 带ESD的N30V工艺平台基本frozen。开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp，工程流片中。
　　(9) 0.9um N60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%，将衍生出系列产品。
　　(10) 用于三代半导体cascode合封的N30V高Vth &高ESD产品工艺条件frozen，三家客户完成验证。
　　(11) 进一步丰富了车规产品家族。
　　 IGBT平台：
　　(1) 第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产，产品平均良率大于97%，第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩，消费电子等行业都已批量交付。
　　(2) 基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经在8寸和12寸同步开发，目前已经有650V、750V和1200V产品工程批产出。
　　(3) 第八代IGBT产品在确保器件击穿电压耐测性的同时，器件漂移区厚度降低10%以上，器件开关损耗和导通损耗大幅降低，器件电流密度可以上升10~20%。此外，随着电流密度提升，芯片尺寸变小，IGBT器件短路能力理论上会下降，第八代IGBT中使用了新的短路能力优化技术，在保证器件短路电流的前提下，可以确保IGBT的短路能力符合器件和模块的要求。
　　(4) 目前第八代产品1200V高频系列已经在核心客户进行应用测试，1200V中频短路系列产品已经有PIM模块客户通过应用测试，开始排量供货。
　　(5) 第八代650V RC IGBT 也有工程批产出，参数基本符合预期，已经有消费电子客户开始进行应用测试评估。
　　(6) 1400V和1700V第八代IGBT产品已经完成MPW工程流片，产品参数基本符合设计预期，已进入单芯片产品开发阶段。
　　(7) 1400V FRD和1600V 整流二极管已经完成产品开发和可靠性验证，1700V FRD产品开发中，研发进度基本于IGBT芯片同步。
　　 SJ MOS平台：
　　(1) 第四代600~650V SJ MOS 产品目前已经在fab2、fab7、fab9全面量产，基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJ MOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用，正式进入量产阶段。第四代SJ MOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。
　　(2) 在12寸工艺平台上，基于第四代SJ MOS设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的小电流产品，已完成可靠性测试，样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，已经完成360mohm~900mohm的650V和700V多款产品开发，开始进入批量阶段。
　　(3) 第五代600~650V SJ MOS平台基于7um pitch设计，使用优化工艺、材料规格，在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片，目前产品参数已经达成设计目标，正在进行一致性和良率优化，预计2026年Q2投入市场。
　　(4) 650V第五代7um pitch SJ MOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，进一步提升器件功率密度，可以在相同器件规格中使用更小的封装体积，并且进一步降低器件成本。目标市场主要是对器件成本、体积和效率由要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　(5) LV SJ MOS 150V ~300V产品已经开始工程开发，目前正在进行工程流片。
　　 第三代半导体功率器件平台：
　　(1) 公司第 2代和第
　　2.5代 SiC MOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖
　　650V/750V/900V/1200V/1700V平台，导通电阻覆盖13mohm~1ohm，新增产品型号40余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。
　　(2) 第三代SiC MOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。
　　(3) 同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。
　　(4) 已开发完成1200V和650V SiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。
　　(5) 开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。
　　(6) 100V/200V GaN产品开发中。
　　 汽车电子平台：
　　(1) 基于第三代SGT晶圆开发的电压等级为40V的车规品，其中，PDFN3*3开发10款产品全部开发完成并取得车规认证，以导通电阻8mohm为代表的产品在车载无线充上实现大批量交付。PDFN5*6开发24款产品，18款产品开发完成并取得车规认证，以1.5mohm为代表的产品在线控底盘EPB中实现大批量交付。TOLL与sToll产品系列新增4款新品开发，累计11款产品，进一步细分产品规格，其中6款产品开发完成并取得车规认证，以0.8mohm为代表的产品在汽车电子稳定控制系统（ESC）上处于小批量验证中。PDFN5*6双芯开发13款产品，10款产品开发完成并取得车规认证，以6.5mohm为代表的产品在车载150W水泵中实现批量交付。
　　(2) 针对新能源汽车48V系统使用的80V~150V产品，累计开发完成40余款产品并取得车规认证，其中以100V 1.5mohm的TOLT产品为例，已导入多家头部Tier1，应用在DCDC中，以其顶部散热的独特优势，进一步提高了其零部件的功率密度，处于小批量试产中。
　　(3) 先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品，已开发完成2款40V的产品，导通电阻典型值为0.7mohm，目前已给客户送样，处于DV验证阶段。
　　(4) 适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列，处于可靠性验证阶段。
　　(5) PDFN3*3双面散热、PDFN3*3 dual Die封装平台处于产品可靠性验证阶段。
　　报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI与数据中心，新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。面对市场供需环境的动态变化，运营部门前瞻布局，积极协同代工厂推进新品导入流程，快速完成产品验证并实现量产上量，持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力，保障了公司供应链的稳定供应。公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配，目前已与十余家封测领域供应商建立并保持良好合作关系，为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。
　　报告期内，公司芯片代工供应整体稳定，芯片回货量稳步增长。其中，FRD产品出货量实现大幅提升，SiC MOSFET产品顺利进入批量生产阶段，并积极拓展代工资源以应对持续增长的市场需求。与此同时，公司持续推进封装成本优化，构建多元化供应链体系，不断开发更具性价比优势的供应商资源；协同推进关键材料的国产化替代进程。在团队建设方面，公司注重提升员工专业技能与综合素养，为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司全资子公司电基集成，专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。
　　报告期内，电基集成公司应用于汽车电子、电池管理、电机驱动等关键领域的 TOLL 封装产品销售增长显著，同比增速显著。
　　产品与技术布局方面，PDFN3.3×3.3、sTOLL等无引脚先进功率封装已实现规模化量产；面向车载及工业设备应用的大功率双面散热封装技术已完成立项，相关研发工作稳步推进。
　　信息化建设方面，CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。其中，CIM 系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP），PMS 系统为预防性维护系统（Preventive Maintenance System），有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业，电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，也有很好的生产品质管理经验。完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。
　　产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V 电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业控制，完成开发了电流覆盖10A~800A 的45款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流100A~600A的34款产品；在电源应用和电网自动化领域，完成开发了18款产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品11款，其他领域25款产品。
　　（2）正在开发：基于750V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片和第三代SIC MOS 芯片，2款应用于商用车主驱的IGBT和SIC模块产品正开发: 550A/750V IGBT模块和600A/1200V SIC 模块；基于升级的750V 、1100V 和1400V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，3款应用于光伏储能应用的产品正开发:150KW 450A/750V储能模块,320KW 600A/1100V逆变模块, 600A/1400V 逆变模块；第三代SIC MOS 芯片，多款SIC模块正在开发，模块内阻从2毫欧到5毫欧不等，应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。
　　公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上拓展产品，完善产品系列，同时积极开发针对新应用领域的产品，如固态变压器（SST）应用领域等。
　　截止到2025年5公司申请了专利39项（其中10项为发明专利），已授权30项（发明4项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”的认定。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅持续注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品33款（2025年新增15款），适用于SiCMOS驱动、光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品11款（2025年新增5款），适用于中小功率风机、中低压水泵、小型电机；量产250V半桥驱动芯片45款（2025年新增15款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片36款（2025年新增8款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅2025年新增的碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）产品线，包括半桥IPM以及三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售；IPM产品2025年已经在头部白电厂商和标杆风机客户实现批量供应。
　　国硅2025年通过：江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；国硅2025年通过：“规模以上企业”、科技型中小企业年审；国硅2025年获得无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。
　　4、Singapore Eruby Microelectronics PteLtd
　　功率半导体全球市场规模中，海外市场占比约60%，市场空间广阔。公司海外全资子公司Singapore Eruby Microelectronics Pte Ltd.已正式投入运营并高效运转，承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措，旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势，推动功率半导体前沿技术的研发与突破。海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。
　　在研发层面，子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势，致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态，同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制，持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。报告期内，公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队，有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。基于该团队的研发能力，公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统，依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台，提供多种导通电阻选项，可满足不同负载场景下的应用需求。与此同时，面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。该类产品可与公司SiC MOSFET产品协同使用，实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度，同时有效降低系统热损耗，助力下游客户提升电源系统整体能效。未来，公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求，依托国际化人才与技术资源，推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代，进一步完善公司产品生态，提升在高端市场的综合竞争力。
　　在销售层面，子公司积极拓展海外市场渠道，强化对东南亚、欧洲及北美等重点区域的客户覆盖与服务能力，为公司抢占全球功率半导体市场份额提供有力支撑。报告期内，公司已组建一支具备多国语言能力、熟悉当地市场环境且精通功率半导体专业知识的国际化销售团队，为新加坡销售中心的运营奠定了坚实的人才基础。公司海外销售团队以新加坡为核心枢纽，重点布局东南亚经销商网络，并聚焦印度等潜力市场，在太阳能逆变及储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS电源及E-bike等应用领域取得快速突破，相关产品已实现批量交付。海外市场拓展成效初显，为公司全球化战略的深入推进奠定了良好基础。
　　（五）内部管理
　　报告期内，公司持续完善内部治理体系，不断健全内部控制制度与流程管理体系。通过强化内部培训与企业文化建设，公司进一步整合优化各项制度流程，提升了组织协同效率与整体运营能力。同时，严格按照资本市场规范要求，持续提升公司治理水平和合规运营能力，确保公司运作透明、规范、高效。在信息披露方面，公司严格遵守相关法律法规，认真履信息披露义务，确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性，保障投资者公平获取公司信息的权利。公司高度重视投资者关系管理，通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流，积极传递公司价值，树立了良好的资本市场形象。此外，公司在合法合规的前提下，聚焦主业发展，稳步推进市值管理工作，致力于做优做强公司价值，并积极借力资本市场工具，推动公司实现高质量、可持续发展。
　　（六）资本市场
　　2025年，公司紧紧围绕整体发展战略，持续关注并积极推进外延式发展机遇。投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域，通过直接或间接方式，对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资，稳步推进横向整合与纵向延伸。通过上述资源整合，公司充分发挥产业链协同效应，进一步加深与核心客户的合作黏性，提升对下游市场的响应能力与理解深度，为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。相关举措有效增强了公司的核心竞争力，有助于提升长期盈利能力，实现经济效益与社会价值的协同增长。同时，公司积极通过产业投资拓展产品线布局，不断完善产业链生态体系，加快产品集成化进程，为公司可持续发展注入新动能。
　　（七）荣誉奖项
　　2025年，公司新增荣誉如下：
　　2024年中国功率半导体十强企业
　　2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质
　　2025年国家级创新型中小企业资质复审
　　2025年江苏省专精特新小巨人企业资质复核
　　2025年无锡市集成电路产业专项
　　2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目
　　2025年无锡市生态型创新联合体建设项目
　　2025年无锡市新吴区集成电路产业发展资金项目
　　
　　四、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
　　此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司核心产品涵盖IGBT、屏蔽栅功率MOSFET（SGT-MOSFET）、超结功率MOSFET（SJ-MOSFET）、沟槽型功率MOSFET（Trench-MOSFET）等半导体芯片及功率器件，构建了十二大核心产品平台。除上述四大成熟产品线外，公司持续向高端化、集成化方向拓展，产品布局已延伸至车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、智能功率模块（IPM）及MCU等领域，可为下游客户提供多元化的系统解决方案。
　　凭借深厚的技术积累与平台化开发能力，公司目前已形成覆盖12V至1700V电压范围、0.1A至450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内功率半导体行业中MOSFET产品系列最为齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类持续丰富，除广泛应用于光伏储能、新能源汽车及工业控制等领域的单管产品外，IGBT模块产品已实现小批量销售，进入市场验证阶段。在化合物半导体领域，公司SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小批量销售，GaN HEMT部分产品已完成开发并通过可靠性测试，为后续市场拓展奠定基础。
　　公司坚持“构建-衍生-升级”的良性发展模式，通过搭建主要产品工艺技术平台，持续衍生开发细分型号产品，并推动工艺平台迭代升级。该模式有效支撑了细分型号产品的快速、“裂变式”生成，使公司能够及时响应下游多领域客户的多样化需求，驱动经营规模持续增长。
　　在研发端，公司持续引进高端技术人才，新增开发多款将数字、模拟及功率半导体技术单芯片集成的电机驱动IC与电源管理IC芯片，不断丰富产品品类。同时，公司加快数模混合产品的研发进程，积极布局智能化和集成化发展方向。截至目前，公司已拥有4000余款细分型号产品，能够充分满足不同下游市场客户及同一市场内不同客户的差异化应用需求。
　　3、产品品质优势
　　公司始终高度重视产品质量，构建了覆盖产品全生命周期的质量管控体系，确保产品性能优良、质量稳定可靠、一致性强。公司已通过ISO 9001:2015质量管理体系及IATF 16949汽车行业质量管理体系认证，并严格按照相关标准开展研发、生产及供应链管理，保障各环节质量可控。
　　在供应链建设方面，公司建立了严格的供应商准入与动态评估机制，合作伙伴均为行业内技术领先、质量可靠的知名企业。芯片代工环节，公司与华虹宏力等国内外领先的芯片代工厂保持长期紧密合作；封装测试环节，公司与子公司电基集成及日月光（ASX.US）、长电科技（600585.SH）、捷敏电子等国内外优质封测企业建立了稳定的合作关系。强劲且多元化的供应链体系为公司产品的品质保障与可靠交付奠定了坚实基础。
　　凭借卓越的产品性能与可靠性，公司“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”“超结功率MOSFET”“沟槽型功率MOSFET”等多款产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级可靠性认证。公司产品在功率半导体细分市场形成了显著的品质优势与差异化竞争力，持续赢得下游头部客户的信赖与认可。
　　4、产业链协作优势
　　对于半导体功率器件研发设计企业而言，稳定高效的产业链协作能力是确保产品性能与交付质量的核心要素。IGBT、MOSFET等功率器件因其结构设计与参数性能的复杂性，需在更为严苛的制造工艺平台下方可达到最优状态。目前，上述产品主要依托8英寸及12英寸芯片工艺平台进行流片，并对封装测试环节的工艺水平提出较高要求，通常需与具备先进封测技术的厂商协同完成。
　　公司在产业链协同方面形成了显著的先发优势与规模优势。截至目前，公司已成为国内8英寸及12英寸工艺平台上IGBT与MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计企业之一。凭借长期的战略合作与深度互信，公司与华虹宏力等国内外主流芯片代工厂，以及日月光、长电科技等头部封测企业建立了共同发展的紧密合作关系，为公司产能保障及工艺迭代提供了有力支撑。
　　在外部协同的基础上，公司持续强化自主制造能力布局。通过全资子公司电基集成，公司建设了先进的封装测试生产线，致力于研发和量产国际一流同行已具备但国内尚缺的先进封装技术与产品，有效填补关键环节的资源空白。同时，子公司金兰半导体已完成先进功率模块生产线的建设，进一步提升公司在模块级产品领域的制造能力与响应速度。
　　上述产业链协同布局，使公司在产能保障、工艺适配、先进封装及模块集成等方面形成了较为突出的综合竞争壁垒，为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。
　　5、进口替代优势
　　我国半导体产品，尤其是中高端领域，仍较大程度依赖进口。作为国内领先的半导体功率器件设计企业，公司通过多年自主研发积累与技术引进，在技术水平、生产工艺及产品质量等方面已具备与国际先进水平接轨的能力。公司研发设计紧贴英飞凌等国际一线品牌技术路线，产品涵盖沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等，已成为公司主力销售产品。其中，部分产品的关键参数及实际应用表现已达到国际主流厂商同期或最新产品水平，在MOSFET、IGBT等中高端功率器件领域逐步实现国产替代，展现出显著的进口替代优势与核心竞争力。
　　6、品牌和客户优势
　　公司始终将质量管控与客户价值置于战略核心，构建了迅捷的客户服务与反馈响应体系。该机制不仅能精准对接客户动态需求，保障产品线的快速迭代，更使公司始终与市场趋势同频共振。
　　凭借领先的产品技术、多元的产品矩阵、卓越的产品品质以及专业的销售服务，公司业务已广泛渗透至新能源汽车与充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、高端工控等前沿领域。在下游多个细分赛道，公司已与多家头部客户建立深度合作，并借助龙头客户的市场辐射效应，持续向行业内更多企业拓展，市场份额稳步提升。
　　2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强榜单，公司成为唯一上榜的中国功率半导体设计企业。这一荣誉不仅彰显了公司日益强大的品牌影响力，更是客户及行业对公司技术实力与服务质量的高度认可。
　　7、人才优势
　　公司始终将人才作为创新发展的核心驱动力，致力于构建长期稳定、结构合理的人才梯队。通过持续的培养与投入，现已打造出一支研发实力雄厚的技术团队和一支兼具市场洞察力与实战能力的销售团队。
　　以董事长朱袁正先生为核心的研发团队，是国内最早专注于8英寸及12英寸芯片工艺平台、开展MOSFET与IGBT等先进功率器件研发的开拓者之一。团队在高端功率器件细分领域积淀深厚，具备领先的技术实力与丰富的产品开发经验。公司销售团队则具备出色的市场拓展能力，不仅对产品性能与应用有深刻理解，能够快速响应并解决客户现场问题，还承担起客户回款管理职责，保障公司现金流的健康与安全。
　　报告期内，公司把握全球半导体产业发展趋势，设立海外全资子公司，积极引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才。结合属地化激励机制，公司迅速组建起精干高效的海外团队，并建立与国际头部企业的技术交流机制，推动国内外研发资源协同，持续提升团队整体技术水平。
　　在人才管理方面，公司不断健全激励与约束并重的长效机制。通过实施股权激励等多种方式，充分调动核心人才的积极性与创造力，确保人才战略与公司长期发展目标高度一致，为公司战略落地和持续成长提供坚实保障。
　　
　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司共实现营业收入187,706.95万元，较去年同期增加2.66%；其中主营业务收入186,964.41万元，较去年同期增加2.68%；归属于上市公司股东的净利润39,363.19万元，较去年同期减少9.42%。业绩变化的主要原因：报告期内，行业整体呈现向好态势，但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商为巩固在国内的市场地位，主动调整经营策略，一方面加速核心技术本土化落地，另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重，采取价格竞争策略，以短期利润换取市场份额，进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾，对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。此外，上游代工厂稼动率提升，进而导致了公司的代工成本上涨，多重因素叠加导致盈利有所下滑。
　　面对机遇与挑战并存的市场环境，公司积极应对变化，响应客户需求，并着力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以及高效的产业链协同，公司持续优化产品、市场及客户结构，产品已成功导入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能等战略领域的头部客户并实现量产销售，进一步扩大了在中高端市场的应用规模与品牌影响力，并持续提高盈利能力。
　　
　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　(二)公司发展战略
　　作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发MCU产品、功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。
　　同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，加强海外销售渠道建设，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
　　(三)经营计划
　　新的一年，公司将继续提升和巩固在MOSFET和IGBT产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下：
　　1、产品开发与技术创新计划
　　（1）不断扩宽产品线，并丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。公司目前已形成十二大产品系列，未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。
　　（2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于基于RISC-V内核开发的MCU及集成预驱类芯片、功率芯片的数模混合产品，公司将进一步推进其研发落地和产业化进程，为客户提供更多元的解决方案。
　　（3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，加快建设车规级CNAS实验室，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。
　　（4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。
　　2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划
　　封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。
　　公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、MCU、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。
　　3、人力资源建设计划
　　（1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一支高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。报告期内，公司聚集了海外高端研发、市场人才，为公司产品线升级、海外渠道建设打下了坚实的基础。
　　（2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。
　　4、市场开拓与宣传建设计划
　　（1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。
　　（2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。
　　（3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。
　　（4）坚持多维驱动的市场开拓策略，构建企业全球竞争力，实现价值跃迁。海外市场约占全球功率半导体60%的份额，公司利用其产品线丰富、质量可靠、研发迭代能力强等优势，打入国际市场。汇聚海外高端人才，快速拓展精悍团队，立足东南亚辐射全球，着力开拓海外成熟市场，实现本土化运营+国际化生态圈共建的市场开拓策略。
　　(四)可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，关税壁垒持续升级，国际贸易摩擦加深，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控、机器人等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系，同时加强海外渠道建设，应对国际贸易限制；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务
　　1、主营业务
　　公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
　　2、经营模式
　　公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车、工控等重点应用领域客户的需求。
　　3、行业情况
　　（1）所处行业
　　公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。
　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。
　　据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。
　　发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达到了优秀水平。
　　（2）市场规模分析
　　根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将同比增长13.1%，到2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%，从地区来看，亚太地区预计增长10.4%。Gartner则预测全球半导体收入预计将在2025年增长14%，达到7170亿美元。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omdia的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元；根据中商产业研究院预测数据，2024年中国功率半导体的市场规模达到238亿美元，其中功率IC市场占54.3%，MOSFET占16.4%，功率二极管占比14.8%，IGBT占比12.4%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
　　①按产品品类
　　功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiC MOSFET为代表的功率器件需求旺盛。
　　②按应用领域
　　随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏及储能、无人机、5G、物联网等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。
　　新能源汽车及充电桩汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐渐成熟。据中国汽车工业协会分析，2025年上半年我国汽车产销量首次双超1500万辆，均同比实现两位数增长，汽车产业活力持续释放，对拉动市场整体增长贡献显著。随着一系列政策的出台落地，政策组合效应不断释放，多措并举共同激发了车市终端的消费活力，此举将进一步释放汽车市场的消费潜力。中汽协数据显示，2025年1-6月，汽车产销分别完成1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销分别完成696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。汽车出口方面，2025年1-6月，汽车整车出口308.3万辆，同比增长10.4%，新能源汽车出口106万辆，同比增长75.2%。预计至2025年末，我国汽车市场将继续呈现稳中向好发展态势，汽车产销将继续保持增长，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。
　　随着新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。根据YOLE报告显示，汽车上的半导体器件市场规模将从2023年的520亿美元增长到2029年的970亿美元，2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元，到2029年将增长到约1,000美元。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。根据ICWISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。
　　充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国电动汽车充电基础设施促进联盟发布的报告显示，2025年1-6月，全国充电基础设施新增328.2万个，跟去年同期比，涨幅高达99.2%，公共充电桩2025年上半年新增51.7万个，同比增长30.6%，私人充电桩新增276.5万个，同比增长120.8%。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。
　　AI算力服务器及数据中心随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。
　　受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。
　　以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用，服务器电源对硅的替代也取得了进展。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。
　　工控自动化：细分领域迎来爆发式发展根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比36%，是功率半导体最大的应用领域，该领域涉及细分行业广泛，2025年无人机、智能机器人、电动工具等细分领域迎来高速增长。
　　2024年以来，随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品迎来了更广阔的市场前景。根据Precedence Research预计，2032年全球eVTOL市场规模将达到357.9亿美元左右，2022-2032年10年复合增长率为12.4%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。
　　智能机器人广泛应用于工业、服务、家庭、医疗等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，智能机器人正以惊人的速度重塑人类生产与生活方式。我国智能机器人产业正在蓬勃发展，凭借政策支持、技术创新和庞大的市场需求，迅速跻身全球科技竞争的前沿阵地。2025年第二届中国人形机器人与具身智能产业大会上发布的《2025人形机器人与具身智能产业研究报告》显示，本年度中国具身智能市场规模预计达52.95亿元，占全球约27%；人形机器人市场规模预计达82.39亿元，占全球约50%。2025年，智能机器人产业迎来技术突破与规模化落地的关键节点。根据该报告，2025年，人形机器人产业有望从“技术验证期”向“规模化商用期”快速过渡。随着成本下探与生态完善，产业有望复制新能源汽车发展路径，成为中国经济新增长极。2025年，全球具身智能市场规模预计达195.25亿元，2030年预计达2326.3亿元，复合年增长率(CAGR)达64.18%。目前公司已有多款产品进入智能机器人、机器狗等应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升。目前公司的MOSFET、IGBT等产品广泛应用于机器人多个细分领域，如工业机器人、水下机器人、智能家居机器人、机器狗等，其他多个机器人领域客户正在积极拓展中。
　　在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。
　　光伏储能：库存改善、市场回暖随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。据中国光伏行业协会预测，2025年全球需求约570-630GW。国家能源局的政策支持以及光伏产业链价格的触底反弹，进一步刺激了企业的装机积极性。为把握430和531两大政策节点，终端市场启动抢装潮，带动4-5月国内新增光伏装机规模节节高升。2024年中央经济工作会议提出，综合整治"内卷式"竞争，工信部在2024年11月份发布了《光伏制造行业规范条件（2024年本）》，光伏行业破内卷，需要将限制价格、控制产能与提升品质相结合，通过产业升级逐渐淘汰落后产能，提升行业利润率，促进良性循环发展。随着技术进步和政策支持，光伏行业有望继续保持健康平稳增长。
　　中国是全球最大的光伏市场，中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。目前欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，中东、非洲、拉美等新兴市场表现亮眼，成为了我国逆变器企业出海的重要目的地。2025年上半年，光伏市场回暖，亚非市场增长强劲，欧洲需求回调，逆变器出口韧性显现。
　　IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。
　　泛消费及其他市场稳步增长功率半导体广泛应用于各种消费电子及智能家居产品中，比如电机驱动、电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。
　　2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；提高农业机械报废更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，消费品领域的市场空间有望进一步释放，有望持续带动功率半导体应用规模的提升。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　报告期内，公司共实现营业收入92,970.31万元，较去年同期增长了6.44%；利润总额26,755.02万元，较去年同期增加了8.92%；归属于上市公司股东的净利润23,512.05万元，较去年同期增长了8.03%。
　　2025年第二季度，公司实现营业收入48,066.35万元，环比第一季度增长7.04%；实现归属于上市公司股东的净利润12,685.05万元，环比第一季度增长17.16%。
　　（一）市场营销
　　近两年来，随着半导体国产化进程的持续进行，叠加新能源汽车、AI算力、机器人等新兴应用市场的需求驱动，公司所处行业的部分下游领域景气度有所回暖，国产功率半导体的市场份额逐步提升，库存结构亦得到显著优化，行业整体已逐步走出周期性低谷。然而，从竞争角度来看，市场的竞争激烈程度进一步加剧，一方面国际厂商积极调整策略参与国内市场竞争以期保障市场份额，另一方面国内同行以内卷价格的方式努力扩大自身销售规模，整体来看目前仍然供大于需。
　　面对机遇与挑战并存的市场环境，公司积极应对变化，响应客户需求，并着力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以及高效的产业链协同，公司持续优化产品、市场及客户结构，产品已成功导入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能等战略领域的头部客户并实现量产销售，进一步扩大了在中高端市场的应用规模与品牌影响力。
　　此外，公司全球化战略取得重要进展。新加坡研发及销售中心已于上半年正式投入运营，并已开始服务海外客户。该中心的设立为公司深化全球化布局、促进产品升级迭代、拓展海外销售渠道以及有效应对国际贸易政策风险奠定了坚实基础。
　　产品结构方面：
　　（1）SGT-MOSFET产品：为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。2025年以来，公司SGT第三代产品全系列已成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含车舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源以及新一代高功率密度电动工具等战略领域。报告期内，汽车电子、储能、无人机、电动工具、AI算力服务器等下游领域的需求持续释放，订单保持增长态势。公司积极把握市场机遇，通过深入市场调研，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，动态优化产品及市场策略，并适时扩充产能以保障产品供应。得益于此，公司SGT-MOSFET产品2025年上半年实现销售收入4.19亿元，占主营业务收入比例达45.21%。
　　（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域，公司自2024年起持续加强IGBT产品在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步扩大产品的应用范围以相应提高销售规模。2025年上半年，全球光储市场呈现差异化增长态势：一方面，主要客户积极推进机型迭代及新产品开发；另一方面，原有成熟产品市场需求逐步回暖，尤其是受国家光伏储能并网发电政策推动，市场需求一度出现短期集中释放。目前，公司第七代IGBT产品已进入批量供货阶段，并在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，形成一定销售规模。报告期内，公司IGBT产品实现销售收入人民币1.32亿元，占主营业务收入比例为14.26%。展望下半年，随着光伏储能市场的持续回暖，以及第七代IGBT产品在更多客户处完成验证并实现量产，预计公司的IGBT产品销售将呈现稳步回升态势。
　　（3）SJ-MOSFET产品：公司的SJ MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等多个领域。2025年上半年，公司在消费类家电、照明等市场实现第四代SJ MOSFET产品的快速放量，凭借产品优势持续扩大市场份额。同时，积极加大在汽车OBC、移动储能、服务器电源等应用领域的产品市场推广力度，相关销售取得积极进展。报告期内，公司的SJ MOSFET产品实现销售收入1.04亿元，占主营业务收入比例为11.21%。
　　（4）Trench-MOSFET产品：Trench MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具有应用领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现了多款产品的成功导入与量产销售。但同时，Trench MOSFET市场竞争亦最为激烈，2025年上半年，公司积极应对市场竞争态势，动态调整产品销售策略，在稳固现有市场地位的基础上寻求更多市场机会。报告期内，Trench MOSFET产品实现销售收入2.50亿元，占主营业务收入比例为26.95%，同期产品销量实现了5.7%的同比增长。展望下半年，公司将通过协同研发加快新品推广、优化运营降低成本，积极把握市场机遇，推动Trench MOSFET产品全年销售的稳定增长。
　　市场结构和客户结构方面：报告期内，公司持续深耕现有市场，着力提升市场份额，并加大对潜在客户的开发力度。通过深度挖掘客户需求，加速推动潜在客户的验证导入及量产进程。公司坚持“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动的市场战略：一方面深化与国内行业头部客户的战略合作；另一方面以新加坡子公司为核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展海外市场，提升品牌影响力及市场份额。
　　从具体结构来看：汽车电子领域：截至目前，公司已推出300余款车规级MOSFET产品，报告期内出货量达8,500万颗，产品覆盖汽车电子车身控制域、智能信息域、辅助驾驶域、动力域及底盘域全域控，广泛应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。同时，公司IGBT产品于报告期内成功导入汽车主控制器应用，并实现月度批量交付。凭借连续多年的高质量稳定交付，公司产品已获得比亚迪、联合电子、伯特利、阳光电动力、威睿等头部车企TIER1&TIER2供应商的高度认可。公司目前重点布局800V高压平台及48V车载系统，车规级SiC MOSFET产品预计将于2025年第四季度实现量产。
　　工业自动化领域：报告期内，公司相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域实现高速增长。公司前瞻性布局低空经济产业客户（如大疆等），MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件，已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电驱动系统等核心部件。伴随智能机器人市场的快速发展与应用场景的消费化落地，公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统，并实现对宇树科技等头部客户的批量供货。公司将持续开发适配机器人应用的产品，紧密跟进客户需求迭代，推动该领域销售规模持续提升。
　　AI算力及通信领域：2025年初Deepseek等AI应用引爆大模型热潮，在AI应用需求激增的推动下，全球半导体行业保持增长态势，国内外众多厂商加速布局千亿级参数大模型。公司紧跟行业发展趋势，一方面在传统服务器电源客户中稳步扩大份额；另一方面，凭借迭代的高性能、高性价比产品，成功导入国内外新兴AI算力服务器客户，并实现海内外市场的批量销售。
　　光伏储能领域：报告期内，受益于国内光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现复苏态势。公司秉持长期主义理念，着眼全球能源结构转型。面对光伏行业的长周期属性及当前“去产能、去库存、反内卷、格局优化”的发展阶段，公司IGBT产品精准定位于光伏应用，深度服务于阳光电源、德业股份、上能电气、固德威等头部客户。公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。通过细分布局微型逆变器、10-50KW户用及工商业光伏储能逆变器等应用场景，公司在该领域销售额实现稳步增长。
　　（二）研发创新
　　2025年1-6月，公司实现研发投入5297.10万元，占营业收入的比例为5.70%。截至报告期末，公司共有专利248项，其中发明专利122项（不含已到期专利）。
　　SGT MOS平台：
　　（1）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N25V第三代SGT MOS平台完成设计，开始进行工程流片，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
　　（2）具有业界最小单位元胞尺寸的N40V第三代SGT MOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至133款，其中车规产品达到56余款。
　　（3）N40V第三代SGT MOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6先进封装产品，同时双面散热DFN3x3封装产品正在研发中。
　　（4）N40V第三代SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、新一代高功率密度电动工具等行业应用。
　　（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGT MOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、服务器电源、植物照明等领域基本完成了整机测试。
　　（6）N85V第三代SGT MOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、服务器、电机驱动等行业实现批量交付。
　　（7）N100V第三代SGT MOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低50%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在锂电保护、电机控制、短途交通等行业基本完成整机测试。
　　（8）N85V和N100V第三代产品均已完成车规认证，已给多家车企及Tier1送样评测。
　　（9）基于华虹12寸新产线，N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均已完成技术转移。
　　Trench MOS平台：
　　（1）基于8寸平台具有创新结构的（后续简称TTO结构）高可靠性P30V~200V产品平台，已frozen P60V、P100V和P150V及以上工艺和design rule&P60V-200V，可靠性能满足车规要求。
　　（2）P60V已tapeout3颗系列产品，P100V已tapeout6颗系列产品，P150V和P200V各已tapeout2颗。
　　（3）完成TTO结构P250V~300V工艺平台模拟和初步design，后续将E-tapeout并工程流片。
　　（4）TTO结构N200V工程批已产出，基本功能达成，需进一步优化工艺窗口等后续再衍生N100~150V产品。
　　（5）超高元胞密度（0.55umCell Pitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化产品均已量产。
　　（6）现有世代CSP产品平台计划新开穿戴设备用系列产品；新一代CSP产品已完成工艺和design定型，后续投工程批流片验证。
　　（7）基于12寸平台0.9umpitch含超短沟N40工艺平台已完成开发，系列产品已tapeout4套；60V产品需进一步优化EPI条件等已达成更优Rsp水平。
　　（8）具有超高元胞密度（0.65umCell Pitch）第六代N沟道20V~60V含超短沟工艺平台工艺条件已确定需进一步优化窗口。
　　（9）带ESD的N30V工艺平台工程批产出，参数基本达成，ESD HBM达到5KV满足器件要求，目前优化良率中。
　　IGBT平台：
　　（1）12寸华虹Fab9第七代微沟槽高功率密度IGBT平台1200V产品已经完成风险批流片，产品良率达到预期水平，可靠性考核已通过，进入量产阶段。
　　（2）第七代微沟槽高功率密度IGBT1200V平台增加140A产品，650V/750V平台增加120A产品，均已有样品产出，进一步丰富了大电流IGBT分立产品的产品家族，第七代产品目前在光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩等行业都有客户进入量产。
　　（3）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品电流规格从55A增加到最大电流240A，形成了完整的400V产品系列，主要用于马达驱动、工业变频等应用。
　　（4）1200V和650V平台已经各有部分产品完成了车规认证，开始批量用于PTC、车载空调等领域。
　　（5）内部开发的第八代微沟槽高功率密度IGBT平台首轮工程批芯片已产出，静态基本达到设计预期，第八代产品预计在损耗上会较第七代产品再降低10~15%，且开关特性和短路特性等会得到进一步优化。
　　（6）目前同步开发650V，750V，1200V，1400V，1700V第八代IGBT平台。
　　SJ MOS平台：
　　（1）第四代9um pitch在华虹fab9已经开始批量投产，截至目前已经完成了在fab2、fab7、fab9全面量产。
　　（2）在12寸工艺平台上，基于第四代超结设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的650V/360mohm产品，目前产品样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，产品已经通过完整的可靠性测试。目前正在将650V和700V小电流产品全部在此平台上开发，达到降低成本，提升EMI性能的目标。
　　（3）基于12寸工艺平台的第四代950V深沟槽SJ MOS平台产品目前已经通过可靠性考核，正式进入量产阶段，并在此基础上，进行800V产品开发。
　　（4）第五代SJ MOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，首轮工程批已产出，650V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度，正在进行样品封装和动静态参数测试。产品成本预计降低20%，目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
　　第三代半导体功率器件平台：
　　（1）公司第二代SiC MOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V平台，导通电阻覆盖13mohm~160mohm，新增产品型号20余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。
　　（2）完成2.5代SiC MOSFET产品开发，新增750V/1200V/1700V电压平台，导通电阻涵盖13mohm~1ohm，新增产品型号10余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。
　　（3）第三代SiC MOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。
　　（4）同时，公司规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程流片阶段。
　　（5）已开发完成1200V和650V SiC二极管平台搭建，新增产品6款。
　　（6）开发SiC功率模块产品2款，相关产品处于客户验证阶段。
　　（7）100V/200VGaN产品开发中。
　　汽车电子平台：
　　（1）在40V电压段，采用公司第三代SGT晶圆的车规品已全面完成产品迭代，其中，PDFN3*3产品系列的导通电阻覆盖2mohm~12mohm，开发10款产品，8款产品量产；PDFN5*6产品系列
　　的导通电阻覆盖0.8mohm~10mohm，开发24款产品，13款产品量产；TOLL与sToll产品系列的导通电阻覆盖0.6mohm~2mohm，开发7款产品，4款产品量产；PDFN5*6双芯产品系列导通电阻覆盖4.5mohm~13mohm，12款产品，6款产品量产。
　　（2）在80V~150V电压段，针对新能源汽车48V系统应用的产品，累计开发70余款产品，累计实现量产30款。其中，TOLL、TOLT、sToLL系列产品电阻覆盖范围1mohm~3mohm，开发22款产品，量产13款；PDFN5*6、PDFN3*3系列产品电阻覆盖范围1mohm~30mohm，开发15款产品，量产5款。
　　（3）先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
　　（4）适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
　　（5）同期，基于车规级产品质量管控需求，公司加强了车规级晶圆CP测试能力，优化了车规级晶圆CP测试中SPAT/DPAT/SBL/SYL管控规范，进一步提高了异常探测与筛选的能力，提高产品质量。
　　报告期内，公司进一步加大了研发投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI算力与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化等下游应用相关产品的开发力度。
　　（三）生产运营
　　报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的回暖，上游晶圆产能趋于紧张，公司的运营部门持续做好供应链协调工作，确保公司供应链稳定供货，业务量维持了稳健增长。同时，公司确保了芯片代工、封装测试等各个环节的产销衔接及产能调配，目前与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步扩大规模实现了供应保障。
　　报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，在华虹FAB9厂12寸工艺平台顺利通线并实现批量投片；FRD、SiC MOSFET等产品实现批量生产；进行封装资源整合，维护现有供应链完整的同时，针对客户特定需求，及时开发符合要求的封装供应商；已开发完成IGBT的CP测试资源；完成生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动了封装运营管理系统进一步电子化。
　　（四）子公司建设
　　1、电基集成
　　公司的全资子公司电基集成，始终秉持“用心生产产品，品质赢得客户；行动突破过去，创新迈向未来”的方针，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。
　　电基集成目前已建设了先进车规级封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内难以找到代工资源的先进封装技术和产品，已实现量产十余种高门槛、高附加值的封装形式，满足母公司近四成封装需求。
　　在新能源与智能化浪潮中，公司积极布局车规级功率器件封装和测试技术，2025年实现TOLL封装产能提升21.8%，TO-247封装产能跃升51%，已完成QFN IPM立项，体现了电基集成在高端封装领域的研发实力，为新能源汽车、工业控制等领域客户提供了更可靠的供应链保障。
　　2、金兰半导体
　　公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
　　目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，同时具备卓越的生产品质管理经验。目前，金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。
　　产品开发方面：
　　（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，完成开发了电流覆盖10A~800A的64款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流100A~600A的27款产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品5款。
　　（2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正在开发。包括应用于工商业储能的产品E3_400A/1000VT电平模块、E3_600A/1100VINPC（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）E3480A/1200VANPC SIC硅基混合模块。公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上实现产品的进一步拓展，持续完善产品系列。
　　报告期内，金兰半导体申请了专利38项（其中9项为发明专利），已授权27项（发明3项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”等认定。
　　3、国硅集成
　　公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。一直以来，国硅集成特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
　　目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品26款（2025年新增8款），适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品8款（2025年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片40款（2025年新增10款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片30款（2025年新增2款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅集成2024年新增的智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM以及三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售，2025年上半年三相IPM产品已经在头部白色家电厂商小批量试产。
　　报告期内，国硅集成通过江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；“规模以上企业”、科技型中小企业年审；无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。
　　国硅集成2025年度新增授权知识产权6项，其中发明专利3项。截至目前，国硅集成累计获得知识产权62项，其中专利17项（发明专利10项，实用新型7项），软件著作权1件。
　　4、Singapore Eruby MicroelectronicsPte.Ltd
　　公司的海外全资子公司Singapore Eruby MicroelectronicsPte.Ltd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。
　　海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司已有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。报告期内公司积极扩充具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，完成了前期市场调研和产品定义，首款产品正在研发中。
　　功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已培养了一定规模的海外经销商及终端客户，完成了批量订单的交付。
　　（五）内部管理
　　报告期内，公司继续完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。
　　（六）投资情况
　　报告期内，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
　　（七）荣誉奖项
　　2025年上半年，公司新增荣誉如下：
　　2024年中国功率半导体十强企业2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目2025年无锡市生态型创新联合体建设项目2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质2025年国家级创新型中小企业资质复审

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　1、研发实力优势
　　自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至报告期末，公司（含子公司）拥有248项专利（其中发明专利122项、美国专利2项），软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
　　公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
　　2、产品系列优势
　　公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，形成了十二大产品平台，除上述四个成熟产品线外，还包括车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU，为客户提供多元化解决方案。公司已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。同时，公司引进高端人才，新增开发多款将数字、模拟、功率半导体三大领域的技术单芯片集成电机驱动IC芯片和电源管理IC芯片以不断丰富产品品类，加快搭载基于RISC-V内核的MCU芯片及数模混合产品。截至目前，公司已拥有近4000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
　　3、产品品质优势
　　公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
　　4、产业链协作优势
　　产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
　　公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
　　5、进口替代优势
　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
　　6、品牌和客户优势
　　公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司作为上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司，展现了强大的品牌影响力和客户认可度。
　　7、人才优势
　　公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。报告期内，公司设立海外全资子公司，引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才，制定适宜当地情况的激励机制，快速组建精悍团队，同时建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升国内外人才团队技术素养水平。
　　公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
　　四、可能面对的风险
　　1、市场波动风险
　　半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，关税壁垒持续升级，国际贸易摩擦加深，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
　　针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI算力、无人机、高端工控、机器人等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系，同时加强海外渠道建设，应对国际贸易限制；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现稳定发展。
　　2、采购价格波动风险
　　芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
　　针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
　　3、供应商依赖的风险
　　公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
　　针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
　　4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
　　公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
　　针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 收起▲