要点一:专精特新
       2023年8月份，根据江苏省工业和信息化厅发布《关于江苏省第五批专精特新“小巨人”企业和第二批专精特新“小巨人”复核通过企业名单的公示》，公司入选第五批国家级专精特新“小巨人”企业。截止至本公告日，公示已结束。本次专精特新“小巨人”企业的有效期为3年。

要点二:汽车电子方面
       2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，公司通过加大汽车客户的销售人员配置与支持力度，实现了产品生产组织，品质管控，销售发货，到客户使用的全过程跟踪与服务协调，并得以进一步扩大合作规模，拓展合作深度，公司的车规产品已大批量交付近60家Tier1厂商及终端车企，除域控制器，主驱电控，发动机冷却风扇，刹车控制器，自动启停，油泵/水泵，PTC，OBC等应用外，新增导入线控刹车系统，车身控制模块，变速箱控制器，电控悬架等动力安全领域。2023年下半年公司在汽车电子领域的销售规模预计将得到快速提升，目标成为汽车市场出货品种最多，出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。

要点三:行业地位
       公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET，屏蔽栅MOSFET量产的企业。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET，超结功率MOSFET，屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET，IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

要点四:股权投资
       公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资。除继续对全资子公司电基集成追加投资外，截止至目前，公司已通过直接或间接的方式实现了对多个项目的参股投资，分别涉及到功率驱动IC的设计，IOT智能电源驱动芯片的设计，封装模块相关材料的生产，水下智能设备的研发生产和销售，功率器件冲压引线框架研发生产及销售等，以谋求产业链及细分领域的纵向与横向整合。

要点五:IGBT，第三代半导体功率器件
       IGBT平台：在已量产IGBT-B系列产品基础上工艺优化，进一步提升产品良率。完成IGBT-C650V系列产品开发，在相同开关损耗条件下，饱和压降可以降低10%~15%。完成1200V中低频和高频IGBT芯片开发，产品电流规格覆盖15A~100A，形成了完整的产品系列。逆导IGBT产品已具备量产条件，可以将续流二极管集成到IGBT芯片中。第三代半导体功率器件平台：在第三代半导体功率器件产品研发方面，公司全球范围内积极寻找代工合作伙伴，目前已选定境内外的代工合作伙伴，1200V新能源汽车用SiCMOSFET和650VPD电源用GaNHEMT正在积极研发中。

要点六:进口替代
       国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平，生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率MOSFET，超结功率MOSFET及沟槽型场截止IGBT等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET，IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。

要点七:研发实力
       自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET，GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截止至目前，公司（含子公司）拥有182项专利，其中发明专利81项，美国专利1项，集成电路布局图26项，软件著作权1项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列，公司拥有的专利与IGBT，MOSFET，功率模块及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文18篇，其中SCI收录论文11篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT，MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT，超结功率MOSFET，屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。