投资要点
　　AI拉动重掺需求，加快重掺磷、重掺砷超低阻产品迭代开发。AI需求拉动公司重掺产品增长，公司8吋、12吋重掺低阻硅片，主要配套AI服务器的功率器件与PMIC电源芯片。重掺低阻基材能够有效降低芯片导通电阻、减少功耗发热；相较普通服务器，AI设备供电密度、瞬时工作电流大幅提升，只有重掺低阻方案才能控制导通损耗、改善散热，因此下游订单持续向好。在重掺硅片领域，公司持续巩固领先地位，同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。其中12吋重掺砷、12吋重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术，实现了极高浓度及高均匀性掺杂，衬底电阻率可低至0.001Ω·cm量级，可显著降低功率器件的导通电阻和开关损耗，满足AI服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可，出货量及市场占有率强势攀升；12吋MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量，广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过，应用于高频滤波器的超高阻抛光片持续增量。
　　轻掺坚持高端差异化，CIS器件应用领域28nm制程标志性突破。公司以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基，全速推进12吋轻掺硅片的快速上量和新客户拓展。公司12吋轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线，充分发挥深厚的外延工艺技术积淀，着力构建多元化的产品矩阵，区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局，已在逻辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。其中，逻辑电路用轻掺硼外延片，BCD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片等相较于常规轻掺硅片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破，应用于安防监控、手机摄像及医疗检测的CIS外延产品快速上量，特别是适配下一代更高像素CIS器件的渐变外延产品研发成功，国内外头部客户积极验证中。嘉兴金瑞泓的产品定位于28nm先进制程用的12吋轻掺抛光片，产能规划40万片/月，目前月产能15万片已经投产。
　　功率器件芯片持续提升车规级比重，加速SGT、SJMOS、FRD等高端产品研发量产。公司全面启动车规级产品对标国际标杆工程，建立动态技术对标机制，集中突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗、IGBT开关特性等关键技术瓶颈，新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯片在新能源汽车与工业控制领域实现国产替代。自主搭建的设计代工开发平台获得产业链主流厂商认可，为工业通信、电源管理芯片自主可控提供重要支撑。2025全年完成225款新品开发，其中FRD产品占比20%左右，某重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客户验证，其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化，产品竞争力显著提升。
　　加快射频和光电芯片产能释放，全力拓展高速VCSEL、GaN-on-SiC等高端产品。作为国内较早建成6吋砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μmE/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。此外，公司开发的6吋GaN-on-SiC晶圆性能已达到国际先进水平，全方位巩固了公司在该领域的核心竞争地位。产能方面，海宁基地一期年产6万片产线进入产量爬坡阶段，已通过多家核心客户审核；2026年将逐步释放新增产能，实现HBT、2DVCSEL、6吋GaN-on-SiC等高端产品规模化量产。杭州基地产线效能大幅提升，晶圆入库量及出货量创历史新高。目前两大基地合计年产能15万片，通过协同制造保障客户多样化订单需求，增强抗周期能力与综合盈利能力。
　　投资建议
　　我们预计公司2026/2027/2028年分别实现收入50/70/85亿元，归母净利润分别为2.9/7.1/10.6亿元，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　行业周期波动风险，技术迭代风险，市场竞争风险，人才短缺风险，原材料价格波动风险，存货减值的风险，商誉减值风险。