一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明　　（一）所属行业情况　　半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体产业涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业。随着生成式人工智能技术的爆发，下游市场需求持续增长。为应对AI驱动的增量需求，行业持续加大对产能及基础设施的投资力度，重点推进先进逻辑芯片、动态随机存储器（DRAM）及先进封装等方向的产能扩张与技术升级。在强劲的市场需求驱动下，半导体专用设备制造业保持高速增长态势。　　公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
　　（一）所属行业情况
　　半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体产业涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业。随着生成式人工智能技术的爆发，下游市场需求持续增长。为应对AI驱动的增量需求，行业持续加大对产能及基础设施的投资力度，重点推进先进逻辑芯片、动态随机存储器（DRAM）及先进封装等方向的产能扩张与技术升级。在强劲的市场需求驱动下，半导体专用设备制造业保持高速增长态势。
　　公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
　　报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，营业收入持续增长，报告期内保持持续盈利。
　　公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业、工信部制造业单项冠军、全国工业和信息化系统先进集体，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，曾荣获首批“上海市企业重点实验室”，获得“上海市企业技术中心”、“上海市专精特新企业”、“上海市创新型企业总部”和“上海市制造业单项冠军企业”等荣誉，“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，同年被评为上海市专利示范企业，2022年获浦东新区大企业开放创新中心（GOI）挂牌。
　　（二）公司主营业务情况
　　公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　（1）前道半导体工艺设备
　　①清洗设备
　　A.SAPS兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
　　公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
　　B.TEBO兆声波单片清洗设备公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
　　公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。
　　C.高温单片SPM设备随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM设备装入盛美上海的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26nm小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗；19nm小颗粒数量少于10颗；15nm颗粒数量少于15颗，颗粒控制水平达到全球领先水平。
　　D.单片槽式组合清洗设备公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。
　　E.单片背面清洗设备公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
　　F.边缘湿法刻蚀设备该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
　　G.前道刷洗设备
　　设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
　　H.全自动槽式清洗设备公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
　　②半导体电镀设备
　　A.前道铜互连电镀铜设备公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。
　　B.三维堆叠电镀设备应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
　　C.新型化合物半导体电镀设备UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。
　　③立式炉管系列设备
　　公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国集成电路晶圆制造厂，通过初步验证，为后续奠定基础。
　　④前道涂胶显影Track设备
　　公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300mm前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备已于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。
　　⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备
　　公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
　　⑥前道无应力铜互连平坦化设备
　　公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。
　　⑦新型化合物半导体刻蚀设备
　　公司推出了6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
　　⑧光刻胶固化设备
　　该设备专为解决光刻工艺中均匀性不足、温度漂移及临界尺寸变异等难题而设计，助力制造商在器件尺寸持续微缩的趋势下，维持稳定的良率与图形保真度。凭借行业领先的紫外固化均匀性与精密温控技术，该设备可实现高度稳定且可重复的光刻工艺，温度均匀性达±0.1°C。整机采用可配置设计，支持客户根据不同工艺配方与光刻胶集成需求灵活配置。
　　（2）后道晶圆级先进封装工艺设备
　　①先进封装电镀设备
　　公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。
　　②涂胶设备
　　公司的升级版8/12英寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
　　③显影设备
　　公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。
　　④湿法刻蚀设备
　　公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。
　　⑤湿法去胶设备
　　公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。
　　⑥金属剥离设备
　　公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。
　　⑦后道无应力抛光先进封装平坦化设备
　　公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
　　⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备
　　公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。
　　⑨聚合物清洗设备
　　聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。
　　⑩TSV清洗设备
　　TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。
　　背面清洗/刻蚀设备背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。
　　键合胶清洗设备
　　键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。
　　带框晶圆清洗设备
　　公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。
　　化合物电化学去镀设备公司推出了用于化合物半导体金蚀刻工艺的UltraECDP电化学去镀设备，该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。
　　（3）面板级先进封装设备
　　①面板级先进封装负压清洗设备
　　面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板以及高达7mm的面板翘曲。该设备在2025年11月荣获《GlobalSMT&Packaging》颁发的2025年度全球技术大奖清洁设备类奖项。
　　②面板级先进封装边缘刻蚀设备
　　该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mm×515mm至600mm×600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。
　　③水平式面板级先进封装电镀设备
　　该设备采用公司全球专利申请保护的世界独家水平电镀技术，并支持铜、镍、锡银及金等多材质电镀工艺。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板。设备配备电镀腔内清洗功能以最大限度减少不同电镀腔之间的化学交叉污染，并采用水平电镀设计，通过同步旋转卡盘与旋转矩形电场实现卓越的膜厚均匀性。该设备在2025年3月获得国际3DInCites协会颁发的“TechnologyEnablementAward”奖项。
　　（4）硅材料衬底制造工艺设备
　　①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备
　　公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。
　　②FinalClean清洗设备
　　公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6英寸、8英寸或12英寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。
　　二、经营情况的讨论与分析
　　2026年半导体产业在全球范围内呈现出持续向好发展态势，同时中国半导体市场也展现出积极的发展趋势。随着当前中国半导体企业的大力投资与扩张，半导体产业实现了快速发展，并在全球半导体产业链中占据了越来越重要的地位。
　　自创立之初，公司锚定全球集成电路产业，始终践行以原始创新驱动的差异化技术发展路线。通过长年的技术深耕与自主攻关，公司不仅筑牢了知识产权护城河，更完成了从单一技术突破到全流程平台化布局的跨越，为全球客户提供极具竞争力的整体解决方案。公司现有产品包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　公司在集成电路设备领域多年发展，积累了深厚的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力及原始创新能力，并建立了完善的供应链管理和制造体系，能够有效契合产业链中下游应用市场需求。凭借领先的技术实力与丰富的产品组合，公司已成长为中国大陆具备一定国际竞争力的半导体设备供应商之一，其产品获得了众多国内外主流半导体厂商的认可。报告期内，伴随技术水平持续提升、产品成熟度增强及市场认可度提高，公司业务拓展成效显著，营业收入实现持续增长，并保持稳定的盈利能力。
　　（一）报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，较上年同期增长13.87%；归属于上市公司股东的净利润为9.89亿元，较上年同期增长42.14%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为5.71亿元，较上年同期下降15.31%。
　　1、生产研发方面
　　报告期内，通过与全球一线半导体企业的深度协作，精准把握前沿市场需求，技术与产品竞争力得到全面提升。在巩固现有客户关系的同时，公司积极拓展新客户资源，市场基础愈加稳固。公司“盛美半导体设备研发与制造中心”的投入使用，显著提升了公司生产效能与规模，构建了国际一流的研发环境与创新生态，为核心技术攻关提供持久动力，并为支撑业务的快速发展并保障未来订单的及时交付提供了坚实保障。
　　公司的核心产品线在报告期内市场表现卓越，技术创新成果显著。在半导体清洗设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达8.3%（位居全球第四）。在国内市场，盛美在国产清洗设备中市场份额达60.5%，位居国内设备企业首位，国内市场整体份额占比仅次于日本DNS公司；报告期内，盛美高温SPM清洗方案关键技术获得重大突破，为GAA与DRAM/HBM量产提供良率有利保障；在半导体电镀设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达9.6%（位列全球第二），报告期内，公司ECP设备2000电镀腔完成交付，实现电镀技术全领域覆盖（前道铜互连/后道晶圆级封装/3D堆叠/化合物半导体）；公司首台PECVDSiCN设备顺利出机，该设备为公司自研世界首台三工位旋转沉积架构，可满足IC工艺后段应用及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求。
　　公司通过持续的研发投入和长期的技术、工艺积累，在新产品开发、生产工艺改进等方面形成了一系列科技成果，对公司持续提升产品品质、丰富产品布局起到了关键性的作用。公司取得的科技成果是公司竞争力的重要组成部分，亦是公司产品销售规模得以持续增长的基础。报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，呈持续增长态势。公司主要产品在行业主流客户的规模化销售与高度认可，是公司科技成果与产业发展趋势深度融合的有力证明，为公司长期、健康发展奠定了坚实基础。
　　2、供应保障方面
　　公司持续加强客户沟通，做好标准机型的销售预测及零部件安全库存管理，优化设备交付周期；为了应对国际供应链复杂性及多变性，公司进一步推进零部件多元化及本土化，提升供应链柔性，更好地满足市场及客户需求。
　　3、运营管理方面
　　公司在运营管理中涵盖了多个方面，包括计划管理、生产管理、供应链开发及优化管理、质量管理、安全环境管理、信息化管理、人力资源管理、法务管理、IP管理、仓库管理。在生产和物料方面、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等多个维度。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论，制定出关键指标的改进要求。报告期内，公司营运效率持续提高，生产制造缺陷率持续下降、设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。4、知识产权方面公司高度重视科技创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。截至2026年6月30日，公司及控股子公司累计申请（含被授权许可）专利共计2,633项，公司及控股子公司拥有及被许可已获授予的专利权的主要专利为646项，其中发明专利640项。从地区上看，境内授权专利245项，境外授权专利401项，境外与境内授权专利比例高达1.5:1，在同行企业中名列前茅。报告期内，公司新增专利申请229项，全部为发明专利申请，彰显了公司源源不断的强劲创新活力。
　　5、人才建设方面
　　公司将持续深化人才发掘机制，保障团队稳定健康发展。中层管理团队主要来源于内部基层体系培养，注重能力素质与职业品格的同步提升，其中包括部分学历背景有限但专业技能精湛、具备工匠精神的特殊人才。针对此类核心人才，公司提供具有市场竞争力的薪酬及股权激励，并委任至关键岗位，从而构建了积极进取、良性竞争的组织氛围。
　　伴随人员规模持续扩张，公司正系统性强化多层级人才培养。一方面，采取模式创新，建立多元化培训机制，形成人才开发与梯队建设的正向循环；另一方面，持续完善机制，通过优化培训激励体系与提升管理效能，有效促进员工专业能力提升与学习主动性。6、内部治理方面公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构。报告期内，为公司发行境外上市股份（H股）并在香港联合交易所有限公司（以下简称“香港联交所”）挂牌上市（以下简称“本次H股上市”）之目的，根据境内外有关法律、行政法规、部门规章、规范性文件的规定以及相关监管要求，结合公司的实际情况及需求，公司对本次H股上市后适用的《公司章程（草案）》及附件进行了修订，并梳理更新了涉及董事会运作、内部审计、信息披露等十五项内部治理制度。同时，公司新制定了《董事会及雇员多元化政策（草案）》和《境外发行证券与上市相关保密和档案管理工作制度》。通过本次系统性制度修订与制定，公司进一步优化了董事会架构和决策机制，确保了治理实践与境内外监管要求的全面对接，有效提升了公司整体运作的规范性和治理水平。
　　7、信息披露及防范内幕交易方面
　　报告期内，公司严格遵守法律法规及监管机构的各项规定，确保信息披露真实、准确、完整、及时、公平，通过公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证e互动平台、电话会议、电子邮件等多元化渠道，全方位、多角度保持信息披露的透明度，保障投资者和市场参与者全面、及时了解公司经营情况及发展动态。2026年6月，公司在临港成功举办“2026年投资者开放日”活动，参会投资者约300名，公司全面展示公司生产运营、研发创新及未来发展战略，现场与投资者面对面交流，增进投资者对公司的了解与信任，取得良好反响。
　　在内幕交易防范方面，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格界定内幕信息范围，完善知情人登记制度，强化内部信息流转管控。定期对董事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，督促相关人员严格遵守公司股票买卖管理规定，持续提升内幕交易风险防控水平，切实维护市场公平公正。
　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售。
　　公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸、510×515mm的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。
　　我们认为，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。
　　(二)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术情况
　　公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性，2025年开发完成超5种新工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备UltraLith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2025年，原子层沉积炉管设备继续在客户端进行调试优化，并完成其他炉管设备新产品开发。
　　国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。
　　公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。
　　（2）公司的技术先进性及具体表征
　　①SAPS兆声波清洗技术
　　针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。
　　2025年，依托该技术的RCA产品工艺在客户端高端工艺验证中取得系列突破，已正式列为公司标准方案并全面推广应用。截至2026年6月，公司依托SAPS技术的清洗设备持续获得国内外多家客户订单，进一步巩固了公司在高端制程清洗领域的市场地位。②TEBO兆声波清洗技术随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。报告期内，公司持续推动TEBO技术在高端存储和逻辑领域的应用拓展，该技术已成为公司清洗设备产品矩阵的核心支柱之一。③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。该设备综合槽式和单片技术优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证了良好的清洗效果，实现了绿色工艺、成本节约、环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。
　　2025年，该技术实现多项关键突破，性能指标持续优化，为高端制程规模化应用提供坚实支撑。截至2026年6月，Tahoe设备已在多家头部逻辑客户、头部存储客户完成工艺验证，工艺达到国际领先水平。
　　④单晶圆高温SPM清洗技术
　　公司自主研发的单晶圆高温SPM（硫酸过氧化氢混合物）清洗设备，采用全球独有的专利喷嘴设计（全球专利申请保护中），可有效避免高温SPM气体残留物造成的污染问题，无需周期性DI水清洗腔体即可实现稳定高效的清洗效果。
　　截至2026年6月，公司在高温单片SPM清洗设备上取得重大技术突破，颗粒控制性能显著优于当前市场主流方案。该产品已在临港mini-line与主要客户完成数月联合测试及工艺参数优化，完成性能验证后已成功获得多家客户批量订单。2026年5月，公司在全球半导体表面制备与清洗会议SPCC2026上公布该技术重大突破，被认为是单片高温硫酸清洗市场十余年来的重要里程碑。⑤无应力抛光技术公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。
　　⑥多阳极局部电镀技术
　　公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。
　　公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备UltraECPmap，UltraECPmap+，UltraECPmap++，并已覆盖逻辑、存储、功率、特色工艺、化合物半导体等集成电路领域，实现大规模量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。⑦ECP先进封装电化学电镀技术公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装PillarBump、RDL、HDFan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。（1）多阳极电镀技术：基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。同时，采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；（2）脉冲电镀技术：通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀、大电流造成的添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售，2026年上半年进一步扩大市场规模。其中，针对CoWoS工艺的大铜柱（TIV）等电镀解决方案已获客户广泛认可，市场份额显著提升。⑧面板级先进封装电镀技术公司自主研发的水平电镀设备ECPap-p产品取得关键突破。在国内大客户工艺验证中，其工艺性能表现优异，尤其在大铜柱（CoWoS-L）关键工艺及micropad（Cu-Ni-Au）工艺中，性能全面优于垂直电镀设备，有效打通了客户产线瓶颈，提升了产品良率。此外，310mm尺寸面板工艺验证亦获突破性进展：采用优化多阳极腔体，光片整面均匀性达5%以内，图形面板验证满足国际大客户规格要求。
　　⑨面板级真空负压清洗技术
　　公司采用独创的真空负压清洗技术，有效攻克客户工艺难题。在中国大陆，该设备已于大客户端实现量产，并于2026年上半年完成最终验收；在中国大陆以外国际市场（含中国台湾地区）亦凭借优异性能取得突破，获得510×515mm面板级负压清洗设备订单并顺利交付，目前设备验证进展良好。此外，公司同步开发了针对310mm面板级封装的负压清洗设备机型，为国内外产线提供全面解决方案。
　　⑩Furnace立式炉管技术
　　立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。
　　公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和具备良好阶梯覆盖率的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证，部分工艺完成小批量验证，正在做最后优化测试。2026年自主开发的超高温立式炉管和HighK原子层沉积炉管正在公司临港测试研发线上进行测试调优，为后续产业化做准备。
　　涂胶显影Track技术公司推出前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300mm前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。
　　最新研发的KrF工艺300WPHTrack设备已经于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂，各项工艺指标正在验证中，预计年底完成全生产流程验证。
　　PECVD设备工艺技术（等离子体增强化学气相沉积技术）公司推出的UltraPmaxTMPECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力更少的颗粒特性。UltraPmaxTMPECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。2025年UltraPmaxTMPECVD设备在多工艺成膜上实现突破，在公司临港测试研发线上成功完成demo测试。2026年上半年，出机客户端的首台机台在TEOS和SiN两种工艺薄膜上均取得关键性突破。针对TEOS工艺的颗粒问题与SiN工艺的均匀性问题，项目团队通过CIP持续改善，使两项指标成功达到客户Spec要求，设备现已具备进入产品片验证阶段的条件，实现了质的飞跃。与此同时，首台PECVDSiCN工艺设备也于2026年4月顺利交付国内头部逻辑晶圆制造厂，正式进入工艺验证阶段。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2026年6月30日，公司及控股子公司拥有及被许可已获授予专利权的主要专利646项（其中发明专利共计640项），其中境内授权专利245项，境外授权专利401项。该等在中国境内已授权的专利存在0件质押、0件司法查封等权利受限制的情形。
　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，较上年同期增长13.87%；归属于上市公司股东的净利润为9.89亿元，较上年同期增长42.14%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为5.71亿元，较上年同期下降15.31%。
　　五、可能面对的风险
　　（一）核心竞争力风险
　　1.技术更新风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于技术密集型行业，涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等众多学科领域，具有较高的技术研发门槛。随着全球半导体行业的蓬勃发展，半导体行业技术日新月异，清洗设备对晶圆表面污染物的控制要求越来越高，以避免杂质影响芯片良率和产品性能。此外，客户对清洗设备清洗表面污染物的种类、清洗效率、腔体数量、适用技术节点等需求也随之不断变化。公司长期坚持差异化竞争和创新的发展战略，若不能继续保持充足的研发投入，亦或芯片工艺节点继续缩小，再或芯片制造新技术的出现，都可能导致公司核心技术及相关产品的领先程度下降，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.关键技术人才流失风险
　　作为技术密集型行业，技术人才是决定半导体专用设备行业竞争力的关键因素。随着中国大陆半导体专用设备行业的持续发展，对技术人才的竞争将不断加剧。如果由于薪酬或其他原因，公司的关键技术人才大量流失，或者公司无法激励现有技术人才，亦或无法吸引优秀技术人才，公司可能发生技术团队配置不足的情形，从而无法继续研发和销售新产品，无法为客户提供优质的服务，公司也可能会面临更高的招聘及培训成本，可能对公司技术研发能力和经营业绩造成不利影响。
　　3.核心技术泄密风险
　　公司一向重视对核心技术的保护，但如果因公司或供应商的网络安全系统无法防范未经授权的访问、复杂的网络攻击，或者公司的员工、供应商对敏感数据的不当处理等原因导致公司的知识产权、核心技术泄露，公司可能会受到客户的重大责任索赔，导致公司的声誉和竞争地位受到严重损害，进而对公司的业务发展和经营成果产生不利影响。
　　4.技术研发风险
　　公司为保持在技术方面的领先，未来需要持续研发新产品并改进现有产品。任何新技术、新产品的研发都需要较长的时间、大量的资金。如果公司的技术研发方向不能顺应市场需求、技术变化和不断发展的标准，或者公司研发出的新产品不能满足客户对成本、尺寸、验收标准、规格、性能及交货周期的要求，亦或公司研发出的新产品缺乏能够及时供应关键零部件的供应商，公司将面临技术研发投入无法取得预期效果的风险。
　　此外，公司对设备产品的某些改进可能会导致客户对现有设备产品的需求下降。客户对新产品的等待可能导致客户的购买行为延迟，导致公司现期的订单下降，从而影响公司的经营业绩。
　　（二）经营风险
　　1.市场竞争风险
　　全球半导体专用设备行业市场竞争激烈，市场主要被国际巨头企业所占据，公司产品在其面向的市场均与国际巨头直接竞争。与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有更强的资金实力、技术储备、销售团队、制造能力、销售渠道和市场知名度，拥有更广泛的客户和合作伙伴关系，也拥有更长的经营历史、更为丰富的产品系列、更为广泛的地域覆盖，能够更好地识别和应对市场和客户需求的变化。部分国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。
　　近年来随着中国半导体终端应用市场的不断增长，中国半导体制造、封测、材料、设备等子行业的发展迅速。中国大陆市场预计将成为全球半导体设备企业竞争的主战场，公司未来将面临国际巨头企业和中国新进入者的双重竞争。公司产品与国际巨头相比，在适用技术节点、市场占有率等方面有一定的差距，如果公司无法有效应对与该等竞争对手之间的竞争，公司的业务收入、经营成果和财务状况都将受到不利影响。
　　2.市场开拓失败风险
　　公司的市场开拓策略是首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。公司通过向客户展示公司设备的差异化、创新性、性能及可靠性，使全球领先的芯片制造企业能够评估和验证公司的技术和产品。在公司的市场开拓过程中，如果这些领先的芯片制造企业不愿接受和验证公司的设备产品；或者即使这些领先的芯片制造企业采用公司的技术和设备，其他芯片制造企业也可能不会接受公司的技术和设备。公司产品的市场开拓存在失败的风险，可能会对公司的业务、经营成果和财务状况产生重大不利影响。
　　公司产品的销售周期可能非常漫长，并且具有不确定性。从最初与客户接触到执行采购订单，公司的销售周期一般是一年至一年半甚至更长。客户建厂、扩厂计划可能会随终端市场需求下行而放缓，进一步放慢或缩减采购计划，从而影响公司产品的最终销售。另外，客户对国产设备的采购计划，也会受国外主流设备商交货情况影响，机遇与风险并存。在销售周期内，公司在营销活动中将投入大量的时间和资金，尤其是对新产品的推广方面，产品试用的周期较长，会对公司的经营成果及财务状况造成一定不利影响。
　　3.客户集中度较高的风险
　　根据行业惯例，公司的销售是以客户的采购订单为基础的。在正式收到采购订单之前，公司不会获得具有约束力的采购承诺。公司的主要客户可能会向公司提供了无约束力的采购预测，但这些预测可以随时更改，无需通知公司。但由于公司产品的交货期可能长达6个月，因此公司可能需要根据非约束性采购预测开始安排原材料、零部件的外购和外协，但不能保证客户会在公司期望的时间下订单。同时，公司客户也可能会下超过预测数量的订单，这可能导致公司无法按时交付产品，从而丧失销售机会。鉴于公司客户集中度较高，如果公司对主要客户的销售预测出现重大偏差，或者主要客户的生产经营发生重大问题或财务状况出现恶化，将会对公司的产品销售和应收账款的及时回收等产生不利影响。
　　4.产品质量风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，半导体专用设备的质量、技术指标和运行稳定性对芯片产品的品质尤为重要。公司的半导体专用设备产品具有高度复杂性，在设计和制造过程中可能产生缺陷，也可能无法达到客户的具体规格要求，而公司的检测程序也可能无法发现其中的质量问题，可能导致客户延迟或拒绝接受公司的设备产品，甚至发生退货；公司还可能遭受到客户的负面评价、负面报道和声誉损害，从而导致现有客户的订单减少，并影响公司对新客户的开拓；公司亦可能因产品质量问题产生额外的保修或服务义务，产生额外的成本；还可能因公司产品质量缺陷导致客户产生损失，从而导致客户对公司产品的责任索赔或者诉讼，公司可能需要承担高额的诉讼费用，也可能需要承担重大损害赔偿的责任。若公司产品出现上述质量问题，将可能对公司的经营业绩和市场声誉产生不利影响。
　　5.市场声誉风险
　　公司所处的半导体专用设备行业集中度高、竞争激烈。公司需要与少数国际半导体专用设备巨头竞争，而该等竞争对手拥有更长的经营历史、更全的产品系列和更高的市场声誉。在该等竞争格局下，传统营销的价值是有限的，而市场声誉则至关重要。如果因产品质量事故、交货周期延迟、技术落后、服务不及时等原因，导致公司的市场声誉受到损害，将对公司的经营成果和财务状况产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1.应收账款回收的风险
　　报告期末，公司的应收账款账面价值为356,225.61万元，占总资产的比例为17.18%。报告期内，公司的应收账款金额较大，对公司造成了一定的营运资金压力。但公司的主要客户均为国内外主流半导体企业，总体信用状况良好。公司已根据谨慎性原则对应收账款计提了坏账准备。如果未来公司应收账款管理不当或者客户自身发生重大经营困难，可能导致公司应收账款无法及时收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.存货跌价风险
　　公司的半导体专用设备产品进入市场需要经历较长的验证过程，生产阶段需要根据订单提前备货，且交付后需要安装调试后客户才完成验收，因此公司的原材料及发出商品随着业务规模快速扩张、产品种类的增加、在手订单规模的扩大而增加。报告期末，公司的存货账面价值为507,612.86万元，占流动资产的比例为29.85%，库存商品和发出商品账面价值为173,265.83万元，占存货账面价值的比例为34.13%，账面价值较高。
　　公司难以准确预测客户的需求，公司的设备需求预测基于多项假设，包括从客户处得到的非约束性预测，但每一个假设都可能导致公司的预测出现差错，导致原材料及零部件的存货水平超过客户需求。或者由于产品设计方案变更造成零部件或原材料清单变化、客户订单的减少，均可能导致公司的部分零部件和原材料在库存期间过时或过剩，从而导致存货发生跌价风险。
　　如果未来产品销售价格发生重大不利变化或发出商品在客户端未能验收通过而被退回，可能导致存货可变现净值低于账面净值，而需要计提存货跌价准备，从而影响公司的盈利水平。
　　3.税收优惠风险
　　报告期内，公司享受高新技术企业所得税的税收优惠和研发费用加计扣除。如果中国有关税收优惠的法律、法规、政策等发生重大调整，或者由于公司未来不能持续取得中国高新技术企业资格或不满足研发费用加计扣除的条件等，将对公司的经营业绩造成一定影响。
　　4.汇率波动风险
　　报告期内，公司的大多数产品销售以美元计价，部分原材料、零部件采购以美元和韩元计价，而其他原材料、零部件、员工薪酬、其他成本费用以人民币计价，人民币对美元、韩元的汇率将会对公司的经营成果造成影响。报告期内，公司财务费用中汇兑损失为14,611.27万元。人民币汇率随着国际政治、经济环境的变化而波动，具有一定的不确定性。随着公司业务规模的持续扩大，若未来人民币对美元、韩元的汇率发生剧烈波动，将对公司的业绩带来一定的不确定性，可能导致汇兑损失的产生，从而对公司的经营成果和财务状况造成不利影响。
　　5.毛利率波动的风险
　　公司为晶圆制造、先进封装、半导体硅片制造等半导体企业提供半导体专用设备，公司产品呈现显著的定制化特征，不同客户的产品配置、性能要求以及议价能力可能有所不同，对相同客户的首台订单和重复订单价格也可能存在差异，从而导致公司产品毛利率存在一定差异。报告期内，公司主营业务毛利率为45.61%，较为平稳。如果未来公司的经营规模、产品结构、客户资源、成本控制、技术创新优势等方面发生较大变动，或者行业竞争加剧，导致公司产品销售价格下降、成本费用提高或客户的需求发生较大的变化，公司将面临主营业务毛利率出现波动的风险。领先技术产品可提高公司毛利，公司的高端工艺产品的研发速度及市场化进程将会对公司的整体毛利造成影响。
　　（四）行业风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，其需求直接受到芯片制造、封测行业及终端应用市场的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致5G通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等终端市场需求下降，晶圆制造、封测企业将面临产能过剩的局面，从而导致芯片产品销量和价格的下降，其营业收入、盈利能力也将随之下降。晶圆制造、封测企业通常会在行业低迷期间大幅削减资本性支出，而且资本性支出的下降幅度往往会超过其营业收入的下降幅度，从而削减对半导体专用设备的采购金额，将会对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　而在半导体行业景气度提升的周期，公司必须提高产量以满足预期的客户需求，这要求公司及供应商增加库存、扩大生产能力。如果公司不能及时应对客户需求的快速增长，或者对需求增长的期间、持续时间或幅度判断错误，一方面公司可能会失去现有客户，另一方面也可能发生与营业收入增长不成比例的成本增加，进而可能会对公司的业务、经营成果、财务状况或现金流量产生重大不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　近年来，国际政治经济环境变化，国际贸易摩擦不断升级，半导体产业成为受到影响最为明显的领域之一，也对中国相关产业的发展造成了客观不利影响。国际政治环境的不确定性可能会对半导体行业产生负面影响，包括降低晶圆制造、封测企业对半导体专用设备的需求。如果所在国贸易政策、关税、附加税、出口限制或其他贸易壁垒进一步恶化，将可能对公司客户的生产或销售能力造成不利影响，使公司客户的经营状况恶化，导致客户对公司设备产品的需求降低。盛美韩国于2025年收到了韩国首尔海关部门关于由盛美韩国生产设备并运往海外市场的问询。盛美韩国已经应韩国首尔海关部门的要求提供了相关信息，收到韩国首尔海关部门处罚并已缴纳罚款，公司已就该事项向有关部门提起上诉，目前案件正在审理中。根据韩国律师意见，该事项不构成重大违法违规或行政处罚，除已缴纳罚款外，就该事项不会产生其他处罚措施，亦不会对盛美韩国后续经营产生重大影响。此外，如果中国政府对公司从美国采购的原材料或零部件加征关税，公司的经营成本也将增加，进而会对公司的营业收入、经营成果或财务状况产生不利影响。
　　（六）其他重大风险
　　1.公司规模扩张带来的管理和内控风险
　　报告期期末，公司资产总额为2,073,604.49万元，报告期内，公司营业收入为371,809.71万元。资产规模与营收规模均实现了快速的增长。然而，随着公司资产、业务、机构和人员规模的进一步扩张，公司研发、采购、生产、销售等环节的资源配置和内控管理的复杂度不断上升，对公司的组织架构和经营管理能力提出了更高要求，不排除公司内控体系和管理水平不能适应公司规模快速扩张的可能性，可能导致公司运营效率下滑，使公司的成本费用增长率超过收入增长率，从而损害公司的竞争力。因此，公司存在因规模扩张导致的管理和内部控制风险。
　　2.知识产权争端风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于典型的技术密集型行业，具有技术优势的行业领先企业需要通过申请专利的方式对自身核心技术进行保护。公司取得的经营成果在一定程度上依赖于自身知识产权体系，以及公司维持该等知识产权和保护商业秘密的能力，还包括公司在不侵犯他人专利的情况下开展经营的能力。公司高度重视知识产权的保护，帮助技术研发人员形成专利技术成果，同时提高不侵犯他人知识产权的意识。若公司被竞争对手诉诸知识产权争端，或者公司自身的知识产权被竞争对手侵犯，将对公司的生产经营造成不利影响。
　　3.公司与控股股东ACMR分别在科创板和NASDAQ股票市场上市的相关风险
　　公司于2021年11月18日在上海证券交易所科创板上市后，与公司控股股东美国ACMR分别在上海证券交易所和美国NASDAQ股票市场挂牌上市。公司与美国ACMR需要同时遵循两地法律法规和监管部门的上市监管要求，对于需要依法公开披露的信息，应当在两地同步披露。
　　由于中美两国存在法律法规和监管理念差异，公司和美国ACMR因适用不同的会计准则并受不同监管要求，会在具体会计处理及财务信息披露方面存在一定差异。同时，由于证券监管部门对上市公司信息披露要求的差异及语言、文化、表述习惯差异，以及中美两地投资者的构成和投资理念不同、资本市场具体情况不同，公司在科创板上市的股票价格与美国ACMR在NASDAQ股票市场的股票价格可能存在差异。该差异及美国ACMR的股票波动可能对公司在科创板上市股票的价格造成影响。
　　4.公司及部分子公司被列入“实体清单”的风险
　　2024年12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了针对出口及转移至中国的半导体新管制措施，涵盖先进集成电路（IC）产品、特定集成电路制造设备与技术，以及与人工智能（AI）和先进计算相关的超级计算机领域。根据新规，公司及部分子公司被列入BIS实体清单。
　　根据美国《出口管理条例》（ExportAdministrationRegulations，英文简称“EAR”）的规定，被列入“实体清单”的企业采购EAR管制物项时，其供应商需要事先向美国商务部申请出口许可证。未来若相关供应商无法获得美国的出口许可，公司及其子公司因被列入BIS实体清单可能存在不能采购EAR管制物项的风险。 收起▲

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明：
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备；以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　（1）前道半导体工艺设备①清洗设备
　　A.SAPS兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明：
　　(一)主要业务、主要产品或服务情况
　　公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备；以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　（1）前道半导体工艺设备①清洗设备
　　A.SAPS兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
　　公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
　　B.TEBO兆声波单片清洗设备公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
　　公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。
　　C.高温单片SPM设备随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM设备装入盛美上海的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26nm小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗；19nm小颗粒数量少于10颗；15nm颗粒数量少于20颗，颗粒控制水平达到全球领先水平。
　　D.单片槽式组合清洗设备公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。
　　E.单片背面清洗设备公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zero undercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
　　F.边缘湿法刻蚀设备该设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
　　G.前道刷洗设备设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
　　H.全自动槽式清洗设备公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
　　A.前道铜互连电镀铜设备公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。
　　B.三维堆叠电镀设备应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
　　C.新型化合物半导体电镀设备Ultra ECP GIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。
　　③立式炉管系列设备
　　公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国集成电路晶圆制造厂，通过初步验证，为后续奠定基础。
　　④前道涂胶显影Track设备
　　公司的前道涂胶显影Ultra Lith TM Track设备是一款应用于300 mm前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备已于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。
　　⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备
　　公司的等离子体增强化学气相沉积Ultra PmaxTM PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
　　⑥前道无应力铜互连平坦化设备
　　公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。
　　⑦新型化合物半导体刻蚀设备
　　公司推出了6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
　　⑧光刻胶固化设备
　　该设备专为解决光刻工艺中均匀性不足、温度漂移及临界尺寸变异等难题而设计，助力制造商在器件尺寸持续微缩的趋势下，维持稳定的良率与图形保真度。凭借行业领先的紫外固化均匀性与精密温控技术，该设备可实现高度稳定且可重复的光刻工艺，温度均匀性达±0.1°C。整机采用可配置设计，支持客户根据不同工艺配方与光刻胶集成需求灵活配置。
　　（2）后道晶圆级先进封装工艺设备
　　①先进封装电镀设备
　　公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。
　　②涂胶设备
　　公司的升级版8/12英寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
　　③显影设备
　　公司的UltraC dv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。
　　④湿法刻蚀设备
　　公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。
　　⑤湿法去胶设备
　　公司的UltraC pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。
　　⑥金属剥离设备
　　公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。
　　⑦后道无应力抛光先进封装平坦化设备
　　公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
　　⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备
　　公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-frame wafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。
　　⑨聚合物清洗设备
　　聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。
　　⑩TSV清洗设备
　　TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。
　　背面清洗/刻蚀设备
　　背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。
　　键合胶清洗设备
　　键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。
　　带框晶圆清洗设备
　　公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。
　　化合物电化学去镀设备
　　公司推出了用于化合物半导体金蚀刻工艺的Ultra ECDP电化学去镀设备，该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。
　　（3）面板级先进封装设备
　　①面板级先进封装负压清洗设备
　　面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510×515 mm和600×600 mm的面板以及高达7 mm的面板翘曲。该设备在2025年11月荣获《GlobalSMT&Packaging》颁发的2025年度全球技术大奖清洁设备类奖项。
　　②面板级先进封装边缘刻蚀设备
　　该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mm×515mm至600mm×600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。
　　③水平式面板级先进封装电镀设备
　　该设备采用公司全球专利申请保护的世界独家水平电镀技术，并支持铜、镍、锡银及金等多材质电镀工艺。该设备可处理510×515 mm和600×600 mm的面板。设备配备电镀腔内清洗功能以最大限度减少不同电镀腔之间的化学交叉污染，并采用水平电镀设计，通过同步旋转卡盘与旋转矩形电场实现卓越的膜厚均匀性。该设备在2025年3月获得国际3D InCites协会颁发的“Technology Enablement Award”奖项。
　　（4）硅材料衬底制造工艺设备
　　①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备
　　公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。
　　②Final Clean清洗设备
　　公司的Final Clean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在Pre Clean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6英寸、8英寸或12英寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。
　　(二)主要经营模式
　　1、盈利模式
　　公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。
　　2、研发模式
　　公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。公司将继续吸引优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。
　　3、采购模式
　　为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供应商基础信息调查表》，了解供应商的人员构成、财务情况、设计能力、制造能力、检测能力、关键材料/零部件来源、质量管控体系等，对供应商的技术能力、质量能力、交付能力和售后服务等进行综合评估，并最终确定是否纳入合格供应商名录。报告期内，公司保持与主要供应商长期稳定的合作关系。
　　4、生产模式
　　公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。
　　公司根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，运用MES、WMS系统分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由总装配车间进行各模块整体组装生产线组装，然后由测试部门进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。
　　5、销售模式
　　公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与国内外存储及逻辑半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。
　　公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。
　　(三)所处行业情况
　　1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
　　（1）行业发展态势与面临的机遇
　　①半导体应用和消费市场需求长期保持增长
　　近年来，受下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮，带动半导体设备投资大幅上升。SEMI的报告预测，到2026年，各地区12英寸晶圆厂产能，中国大陆晶圆厂产能将达30.6%，对比韩国占比21.6%，中国台湾占比20.2%。这些新建的晶圆产能大多数是中国实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。
　　②全球半导体行业区域竞争加剧
　　半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。
　　（2）半导体专用设备行业特点
　　①半导体专用设备在半导体产业链中的地位至关重要
　　半导体专用设备作为产业链中发挥着重要的基础性支撑作用，是核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。
　　②半导体专用设备技术壁垒高，通过客户验证难度大
　　半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长，难度较大。
　　（3）集成电路设备行业技术门槛
　　集成电路设备行业技术门槛高，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。
　　2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
　　全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率接近90%，其中DNS市场份额最高，市场占有率在41%以上。本土12英寸晶圆厂单片清洗设备主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。
　　目前，中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的国内市占率为23%；而Gartner 2025年数据显示，公司清洗设备的国际市占率为8.0%，电镀设备的国际市占率为8.2%，全球排名分别为第四和第三。同时公司亦积极扩大产品组合，在半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备、前道涂胶显影（Track）设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、面板级先进封装设备等领域扩大布局。2024年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，公司位列其中。
　　3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
　　为落实“十五五”发展规划，支撑新一代信息技术产业创新发展，中国正大力推进半导体制造装备与工艺的研发与应用。此举不仅有助于促进科技创新、增强产业链关键环节的竞争力，还能加速制造业转型升级，推动引领性科技攻关，筑牢数字经济发展的基础。
　　（1）将向高精密化与高集成化方向发展
　　半导体产业具有“一代设备、一代工艺和一代产品”的特点，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。因此，半导体设备企业需要不断提高技术研发能力，推动产品的迭代升级及新产品研发，持续优化产品布局。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，由12μm-0.35μm（1965年-1995年）到65nm-22nm（2005年-2015年），且还在向更领先的方向发展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸逐渐缩小，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。在3D NAND制造工艺中，核心思路是将传统2D NAND中在二维平面内横向排布的串联存储单元，转变为垂直方向的堆叠结构。通过增加存储单元的立体层数，有效突破了平面结构在尺寸微缩上的瓶颈。目前，3D NAND的堆叠层数已从早期的32层、64层，逐步发展到200层及以上的技术节点。这些对半导体专用设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。
　　（2）各类技术等级设备并存发展
　　考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较大，如手机使用的SoC逻辑芯片，往往需要使用12英寸晶圆，而对于工业、汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用6英寸和8英寸晶圆及μm级工艺。不同技术等级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着半导体产业技术的持续发展，适用于12英寸晶圆以及更领先工艺的半导体专用设备需求将以更快的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。

　　二、经营情况讨论与分析
　　作为全球经济的关键组成部分，半导体产业正由人工智能特别是大模型带来的算力需求强劲驱动，进入新一轮上行与深刻变革周期，同时也受益于汽车、工业等多元市场的复苏。技术演进沿着先进制程微缩与以芯粒（Chiplet）为代表的先进封装异构集成两条路径并行突破，以持续提升系统性能。全球竞争格局在地缘政治与供应链自主诉求推动下加速重塑，区域产能布局趋向多元化。在此过程中，中国集成电路产业正抓住市场与技术变革的机遇，成为全球产业格局中日益重要的力量。
　　公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有有效的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
　　公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业和国家制造业单项冠军企业，连续多年入选“中国半导体设备五强”。公司拥有上海市企业技术中心、上海市专精特新企业及上海市创新型企业总部资质，报告期间先后获得工信部“全国工业和信息化系统先进集体”、浦东新区“2024年度经济突出贡献奖”、全国工商联“2025年民营企业发展新质生产力系列典型案例”、中国国际工博会“2025年集成电路创新成果奖”，同时荣列上海市集成电路设备企业营收前五名，入选上海硬核科技企业TOP100（知识产权榜TOP50），并获得上海产学研合作优秀项目一等奖等多项荣誉。此外，在2023至2025年度的上市公司信息披露评价中，公司荣获了优秀的“A”级评级，这是公司连续第三年获得该评级。这一成绩充分体现了公司在信息披露领域的高度透明度和严谨性，同时也反映了公司在规范治理、合规管理方面的卓越表现，彰显了公司稳健的治理结构和对投资者负责的态度。
　　（一）报告期内主要经营情况
　　报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。2025年营业收入67.86亿元，2024年为56.18亿元，同比增长20.80%；2025年归属于上市公司股东的净利润13.96亿元，2024年为11.53亿元，同比增长21.05%；2025年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润12.20亿元，2024年为11.09亿元，同比增长10.02%；2025年末公司总资产188.95亿元，2024年末为121.28亿元，增长55.79%；2025年末归属于上市公司股东的净资产134.70亿元，2024年末为76.66亿元，增长75.71%；2025年基本每股收益为3.10元，2024年为2.64元，同比增长17.42%。
　　（二）报告期内重点任务完成情况
　　1、生产研发方面
　　得益于中国半导体设备市场需求增长、公司在清洗设备领域竞争优势的提升以及不断开拓新的半导体设备产品，报告期内公司销售收入为678,617.02万元，呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技成果与产业深度融合的具体表征。公司产品研发方向符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。产品的研发成果取得了行业主流客户的认可，客户验证情况良好，增强了公司产品的竞争力。
　　2、供应保障方面
　　持续优化供应商结构，积极拓展本土优质资源，成功引入一批新供应商。扎实推进高风险物料的替代工作，并在多个关键零部件与品类上完成第二资源开发，均已实现量产或测试验证。通过有效管控，物料成本实现同比再降。同时，已完成对通用高频高风险物料的长期战略储备，增强了供应链韧性。
　　3、运营管理方面
　　公司在营运管理中深化关键指标管理体系，尤其聚焦生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现，精细设定一系列严苛关键考核指标，全面覆盖质量、效率、成本和安全等关键维度。公司生产运营效率持续提升，设备产量实现同比增长，并通过流程优化达到了较高的准时交付率。产能整合顺利完成，工厂全面实行数字化管理体系，智能物流系统投入运行。公司全面推进质量体系建设，强化了全员质量文化与流程闭环。安全与环保管理在项目建设中同步落实，数字化与信息安全体系持续升级。
　　4、知识产权方面
　　公司高度重视科技创新与知识产权保护工作，通过构建完善的知识产权管理体系，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》，为技术创新成果提供坚实保障，持续增强核心竞争力。2025年，公司及控股子公司共申请专利447项，比上年增长了43.73%，截至2025年末累计申请专利2,087项，比上年末增长了36.76%。2025年，公司及控股子公司共获得专利权57项，截至2025年末公司及控股子公司拥有已获授予专利权533项（其中发明专利共计528项），比上年末增长了13.40%，其中境内授权专利212项，境外授权专利321项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押、0件司法查封等权利受限制的情形。
　　5、人才建设方面
　　2025年，公司人数从2,002人增长到2,485人，净增长483人，人数增长率为24.13%。随着公司经营规模不断扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，不断提高生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术差异化、产品平台化、客户全球化的理念，公司不断加强高端技术研发人才的引进和培养，在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，维持了研发团队的稳定健康发展。
　　6、内部治理方面
　　公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内，为顺应《公司法》《上市公司治理准则》的最新修订趋势，进一步提升公司治理效率与决策科学性，公司对治理结构实施了重大改革。核心举措为取消监事会，将其全部法定职权整合至董事会审计委员会（以下简称“审计委员会”），从而构建起权责更为集中的治理架构。与此配套，公司对《公司章程》及附件进行了修订，梳理更新了涉及董事会运作、内部审计、信息披露等三十余项内部治理制度、制定了《董事、高级管理人员离职管理制度》《董事和高级管理人员薪酬管理制度》等。通过系统性制度修订与制定，公司不仅确保了治理实践与最新法规的对齐，更强化了审计委员会在监督体系中的核心作用，有效提升了公司整体运作的规范性和效率。
　　7、信息披露及防范内幕交易方面
　　公司严格遵守《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律法规以及监管机构的各项规定，严格执行公司《信息披露管理制度》，确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多元化渠道，全方位、多角度地保持信息披露的透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面、及时了解公司经营状况和发展动态。2025年6月，公司在临港成功举办“2025年投资者开放日”活动，全面展示公司生产运营、研发创新及未来发展战略，现场与投资者面对面交流，增进投资者对公司的了解与信任，取得良好反响。
　　在内幕交易防范方面，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格界定内幕信息范围，完善《内幕信息知情人登记制度》，强化内部信息流转管控。公司定期对董事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，督促相关人员严格遵守公司股票买卖管理的规定，持续提升内幕交易风险防控水平，切实维护市场公平公正。
　　非企业会计准则财务指标的变动情况分析及展望2025年度，公司剔除股份支付费用后的净利润达15.46亿元，同比增长7.05%，主要源于全球半导体行业发展活跃带来的市场机遇，特别是中国大陆市场需求强劲增长，以及公司在产品技术创新和市场拓展方面取得的显著成果。
　　展望未来，在全球半导体产业链重构和本土化进程加速的背景下，公司将持续加大研发投入，深化技术创新，巩固差异化竞争优势。尽管实施股权激励计划产生的股份支付费用可能在一定程度上影响会计准则下的净利润表现，但这是吸引和留住核心人才的重要举措，有助于增强团队凝聚力和创新动力，对公司长期发展至关重要。公司将继续优化人才激励机制，在平衡短期费用影响和长期发展收益的同时，不断提升核心业务的盈利能力，持续为股东创造价值。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸、510×515mm的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。
　　我们认为，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。
　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
　　(三)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术情况
　　公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性，2025年开发完成超5种新工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备Ultra Lith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2025年，原子层沉积炉管设备继续在客户端进行调试优化，并完成其他炉管设备新产品开发。
　　国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。
　　公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。
　　（2）公司的技术先进性及具体表征①SAPS兆声波清洗技术
　　针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。
　　2025年，依托该技术的RCA产品工艺在客户端高端工艺验证中取得系列突破，已正式列为公司标准方案并全面推广应用。
　　②TEBO兆声波清洗技术
　　随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。
　　公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
　　③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术
　　公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。该设备综合槽式和单片技术优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。
　　2025年，该技术实现多项关键突破，性能指标持续优化，为高端制程规模化应用提供坚实支撑。
　　④无应力抛光技术
　　公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。
　　⑤多阳极局部电镀技术
　　公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。
　　公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备Ultra ECP map，Ultra ECPmap+，Ultra ECPmap++，并已实现量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。
　　⑥ECP先进封装电化学电镀技术
　　公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。
　　（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；
　　（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。
　　依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售。
　　⑦面板级先进封装电镀技术
　　ECP ap-p取得显著进展，成功进入大客户生产线进行工艺验证，在2025年3月获得国际3D InCites协会颁发的“Technology Enablement Award”奖项。
　　⑧面板级真空负压清洗技术
　　采用独创的真空负压清洗技术解决客户难题，在客户端已经量产，并且在2025年11月获得了《GlobalSMT&Packaging》颁发的清洗设备大奖。
　　⑨Furnace立式炉管技术
　　立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。
　　公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。
　　公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和具备良好阶梯覆盖率的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证，部分工艺完成小批量验证，正在做最后优化测试。
　　⑩涂胶显影Track技术
　　公司推出前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300mm前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。
　　公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。最新研发的KrF工艺300WPH Track设备已经于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。
　　公司推出的Ultra PmaxTM PECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。Ultra PmaxTM PECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。
　　2025年Ultra PmaxTM PECVD设备在多工艺成膜上实现突破，在公司临港测试研发线上成功完成demo测试。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2025年12月31日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利533项（其中发明专利共计528项），其中境内授权专利212项，境外授权专利321项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押、0件司法查封等权利受限制的情形。
　　3、研发投入情况表研发投入总额较上年发生重大变化的原因
　　研发投入合计较上年同比上升49.64%，主要是随着现有产品改进、工艺开发以及新产品和新工艺开发，相应研发物料消耗增加，聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加所致。
　　研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明：公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期增加6.97个百分点，主要是2025年根据研发项目的进度，将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
　　4、在研项目情况
　　5、研发人员情况研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响
　　报告期内，公司研发人员增加297人，较上年同比增长31.90%，其中硕士及以上学历人员增加158人，本科学历人员增加111人。研发人员数量及学历结构的不断优化，将有利于提升公司的持续创新能力，提高公司研发效率，进一步提升夯实公司核心竞争力。
　　6、其他说明：
　　无。
　　四、风险因素
　　(一)尚未盈利的风险
　　无。
　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险
　　无。
　　(三)核心竞争力风险
　　1.技术更新风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于技术密集型行业，涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等众多学科领域，具有较高的技术研发门槛。随着全球半导体行业的蓬勃发展，半导体行业技术日新月异，清洗设备对晶圆表面污染物的控制要求越来越高，以避免杂质影响芯片良率和产品性能。此外，客户对清洗设备清洗表面污染物的种类、清洗效率、腔体数量、适用技术节点等需求也随之不断变化。公司长期坚持差异化竞争和创新的发展战略，若不能继续保持充足的研发投入，亦或芯片工艺节点继续缩小，再或芯片制造新技术的出现，都可能导致公司核心技术及相关产品的领先程度下降，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.关键技术人才流失风险
　　作为技术密集型行业，技术人才是决定半导体专用设备行业竞争力的关键因素。随着中国大陆半导体专用设备行业的持续发展，对技术人才的竞争将不断加剧。如果由于薪酬或其他原因，公司的关键技术人才大量流失，或者公司无法激励现有技术人才，亦或无法吸引优秀技术人才，公司可能发生技术团队配置不足的情形，从而无法继续研发和销售新产品，无法为客户提供优质的服务，公司也可能会面临更高的招聘及培训成本，可能对公司技术研发能力和经营业绩造成不利影响。
　　3.核心技术泄密风险
　　公司一向重视对核心技术的保护，但如果因公司或供应商的网络安全系统无法防范未经授权的访问、复杂的网络攻击，或者公司的员工、供应商对敏感数据的不当处理等原因导致公司的知识产权、核心技术泄露，公司可能会受到客户的重大责任索赔，导致公司的声誉和竞争地位受到严重损害，进而对公司的业务发展和经营成果产生不利影响。
　　4.技术研发风险
　　公司为保持在技术方面的领先，未来需要持续研发新产品并改进现有产品。任何新技术、新产品的研发都需要较长的时间、大量的资金。如果公司的技术研发方向不能顺应市场需求、技术变化和不断发展的标准，或者公司研发出的新产品不能满足客户对成本、尺寸、验收标准、规格、性能及交货周期的要求，亦或公司研发出的新产品缺乏能够及时供应关键零部件的供应商，公司将面临技术研发投入无法取得预期效果的风险。
　　此外，公司对设备产品的某些改进可能会导致客户对现有设备产品的需求下降。客户对新产品的等待可能导致客户的购买行为延迟，导致公司现期的订单下降，从而影响公司的经营业绩。
　　(四)经营风险
　　1.市场竞争风险
　　全球半导体专用设备行业市场竞争激烈，市场主要被国际巨头企业所占据，公司产品在其面向的市场均与国际巨头直接竞争。与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有更强的资金实力、技术储备、销售团队、制造能力、销售渠道和市场知名度，拥有更广泛的客户和合作伙伴关系，也拥有更长的经营历史、更为丰富的产品系列、更为广泛的地域覆盖，能够更好地识别和应对市场和客户需求的变化。部分国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。
　　近年来随着中国半导体终端应用市场的不断增长，中国半导体制造、封测、材料、设备等子行业的发展迅速。中国大陆市场预计将成为全球半导体设备企业竞争的主战场，公司未来将面临国际巨头企业和中国新进入者的双重竞争。公司产品与国际巨头相比，在适用技术节点、市场占有率等方面有一定的差距，如果公司无法有效应对与该等竞争对手之间的竞争，公司的业务收入、经营成果和财务状况都将受到不利影响。
　　2.市场开拓失败风险
　　公司的市场开拓策略是首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。公司通过向客户展示公司设备的差异化、创新性、性能及可靠性，使全球领先的芯片制造企业能够评估和验证公司的技术和产品。在公司的市场开拓过程中，如果这些领先的芯片制造企业不愿接受和验证公司的设备产品；或者即使这些领先的芯片制造企业采用公司的技术和设备，其他芯片制造企业也可能不会接受公司的技术和设备。公司产品的市场开拓存在失败的风险，可能会对公司的业务、经营成果和财务状况产生重大不利影响。
　　公司产品的销售周期可能非常漫长，并且具有不确定性。从最初与客户接触到执行采购订单，公司的销售周期一般是一年至一年半甚至更长。客户建厂、扩厂计划可能会随终端市场需求下行而放缓，进一步放慢或缩减采购计划，从而影响公司产品的最终销售。另外，客户对国产设备的采购计划，也会受国外主流设备商交货情况影响，机遇与风险并存。在销售周期内，公司在营销活动中将投入大量的时间和资金，尤其是对新产品的推广方面，产品试用的周期较长，会对公司的经营成果及财务状况造成一定不利影响。
　　3.客户集中度较高的风险
　　根据行业惯例，公司的销售是以客户的采购订单为基础的。在正式收到采购订单之前，公司不会获得具有约束力的采购承诺。公司的主要客户可能会向公司提供了无约束力的采购预测，但这些预测可以随时更改，无需通知公司。但由于公司产品的交货期可能长达6个月，因此公司可能需要根据非约束性采购预测开始安排原材料、零部件的外购和外协，但不能保证客户会在公司期望的时间下订单。同时，公司客户也可能会下超过预测数量的订单，这可能导致公司无法按时交付产品，从而丧失销售机会。鉴于公司客户集中度较高，如果公司对主要客户的销售预测出现重大偏差，或者主要客户的生产经营发生重大问题或财务状况出现恶化，将会对公司的产品销售和应收账款的及时回收等产生不利影响。
　　4.产品质量风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，半导体专用设备的质量、技术指标和运行稳定性对芯片产品的品质尤为重要。公司的半导体专用设备产品具有高度复杂性，在设计和制造过程中可能产生缺陷，也可能无法达到客户的具体规格要求，而公司的检测程序也可能无法发现其中的质量问题，可能导致客户延迟或拒绝接受公司的设备产品，甚至发生退货；公司还可能遭受到客户的负面评价、负面报道和声誉损害，从而导致现有客户的订单减少，并影响公司对新客户的开拓；公司亦可能因产品质量问题产生额外的保修或服务义务，产生额外的成本；还可能因公司产品质量缺陷导致客户产生损失，从而导致客户对公司产品的责任索赔或者诉讼，公司可能需要承担高额的诉讼费用，也可能需要承担重大损害赔偿的责任。若公司产品出现上述质量问题，将可能对公司的经营业绩和市场声誉产生不利影响。
　　5.市场声誉风险
　　公司所处的半导体专用设备行业集中度高、竞争激烈。公司需要与少数国际半导体专用设备巨头竞争，而该等竞争对手拥有更长的经营历史、更全的产品系列和更高的市场声誉。在该等竞争格局下，传统营销的价值是有限的，而市场声誉则至关重要。如果因产品质量事故、交货周期延迟、技术落后、服务不及时等原因，导致公司的市场声誉受到损害，将对公司的经营成果和财务状况产生不利影响。
　　(五)财务风险
　　1.应收账款回收的风险
　　报告期末，公司的应收账款账面价值为315,915.59万元，占总资产的比例为16.72%。报告期内，公司的应收账款金额较大，对公司造成了一定的营运资金压力。但公司的主要客户均为国内外主流半导体企业，总体信用状况良好。公司已根据谨慎性原则对应收账款计提了坏账准备。如果未来公司应收账款管理不当或者客户自身发生重大经营困难，可能导致公司应收账款无法及时收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.存货跌价风险
　　公司的半导体专用设备产品进入市场需要经历较长的验证过程，生产阶段需要根据订单提前备货，且交付后需要安装调试后客户才完成验收，因此公司的原材料及发出商品随着业务规模快速扩张、产品种类的增加、在手订单规模的扩大而增加。报告期末，公司的存货账面价值为482,193.57万元，占流动资产的比例为30.36%，库存商品和发出商品账面价值为194,203.59万元，占存货账面价值的比例为40.28%，账面价值较高。
　　公司难以准确预测客户的需求，公司的设备需求预测基于多项假设，包括从客户处得到的非约束性预测，但每一个假设都可能导致公司的预测出现差错，导致原材料及零部件的存货水平超过客户需求。或者由于产品设计方案变更造成零部件或原材料清单变化、客户订单的减少，均可能导致公司的部分零部件和原材料在库存期间过时或过剩，从而导致存货发生跌价风险。
　　如果未来产品销售价格发生重大不利变化或发出商品在客户端未能验收通过而被退回，可能导致存货可变现净值低于账面净值，而需要计提存货跌价准备，从而影响公司的盈利水平。
　　3.税收优惠风险
　　报告期内，公司享受高新技术企业所得税的税收优惠和研发费用加计扣除。如果中国有关税收优惠的法律、法规、政策等发生重大调整，或者由于公司未来不能持续取得中国高新技术企业资格或不满足研发费用加计扣除的条件等，将对公司的经营业绩造成一定影响。
　　4.汇率波动风险
　　报告期内，公司的大多数产品销售以美元计价，部分原材料、零部件采购以美元和韩元计价，而其他原材料、零部件、员工薪酬、其他成本费用以人民币计价，人民币对美元、韩元的汇率将会对公司的经营成果造成影响。报告期内，公司财务费用中汇兑损失为6,411.94万元。人民币汇率随着国际政治、经济环境的变化而波动，具有一定的不确定性。随着公司业务规模的持续扩大，若未来人民币对美元、韩元的汇率发生剧烈波动，将对公司的业绩带来一定的不确定性，可能导致汇兑损失的产生，从而对公司的经营成果和财务状况造成不利影响。
　　5.毛利率波动的风险
　　公司为晶圆制造、先进封装、半导体硅片制造等半导体企业提供半导体专用设备，公司产品呈现显著的定制化特征，不同客户的产品配置、性能要求以及议价能力可能有所不同，对相同客户的首台订单和重复订单价格也可能存在差异，从而导致公司产品毛利率存在一定差异。报告期内，公司主营业务毛利率为47.48%，较为平稳。如果未来公司的经营规模、产品结构、客户资源、成本控制、技术创新优势等方面发生较大变动，或者行业竞争加剧，导致公司产品销售价格下降、成本费用提高或客户的需求发生较大的变化，公司将面临主营业务毛利率出现波动的风险。领先技术产品可提高公司毛利，公司的高端工艺产品的研发速度及市场化进程将会对公司的整体毛利造成影响。
　　(六)行业风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，其需求直接受到芯片制造、封测行业及终端应用市场的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致5G通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等终端市场需求下降，晶圆制造、封测企业将面临产能过剩的局面，从而导致芯片产品销量和价格的下降，其营业收入、盈利能力也将随之下降。晶圆制造、封测企业通常会在行业低迷期间大幅削减资本性支出，而且资本性支出的下降幅度往往会超过其营业收入的下降幅度，从而削减对半导体专用设备的采购金额，将会对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　而在半导体行业景气度提升的周期，公司必须提高产量以满足预期的客户需求，这要求公司及供应商增加库存、扩大生产能力。如果公司不能及时应对客户需求的快速增长，或者对需求增长的期间、持续时间或幅度判断错误，一方面公司可能会失去现有客户，另一方面也可能发生与营业收入增长不成比例的成本增加，进而可能会对公司的业务、经营成果、财务状况或现金流量产生重大不利影响。
　　(七)宏观环境风险
　　近年来，国际政治经济环境变化，国际贸易摩擦不断升级，半导体产业成为受到影响最为明显的领域之一，也对中国相关产业的发展造成了客观不利影响。国际政治环境的不确定性可能会对半导体行业产生负面影响，包括降低晶圆制造、封测企业对半导体专用设备的需求。如果所在国贸易政策、关税、附加税、出口限制或其他贸易壁垒进一步恶化，将可能对公司客户的生产或销售能力造成不利影响，使公司客户的经营状况恶化，导致客户对公司设备产品的需求降低。盛美韩国于2025年收到了韩国首尔海关部门关于由盛美韩国生产设备并运往海外市场的问询。盛美韩国已经应韩国首尔海关部门的要求提供了相关信息，收到韩国首尔海关部门处罚并已缴纳罚款（韩国律师已出具确认函不属于重大违法违规或行政处罚），目前公司正就该事项向有关部门提起上诉。此外，如果中国政府对公司从美国采购的原材料或零部件加征关税，公司的经营成本也将增加，进而会对公司的营业收入、经营成果或财务状况产生不利影响。
　　(八)存托凭证相关风险
　　(九)其他重大风险
　　1.公司规模扩张带来的管理和内控风险
　　报告期期末，公司资产总额为1,889,489.47万元，报告期内，公司营业收入为678,617.02万元。资产规模与营收规模均实现了快速的增长。然而，随着公司资产、业务、机构和人员规模的进一步扩张，公司研发、采购、生产、销售等环节的资源配置和内控管理的复杂度不断上升，对公司的组织架构和经营管理能力提出了更高要求，不排除公司内控体系和管理水平不能适应公司规模快速扩张的可能性，可能导致公司运营效率下滑，使公司的成本费用增长率超过收入增长率，从而损害公司的竞争力。因此，公司存在因规模扩张导致的管理和内部控制风险。
　　2.知识产权争端风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于典型的技术密集型行业，具有技术优势的行业领先企业需要通过申请专利的方式对自身核心技术进行保护。公司取得的经营成果在一定程度上依赖于自身知识产权体系，以及公司维持该等知识产权和保护商业秘密的能力，还包括公司在不侵犯他人专利的情况下开展经营的能力。公司高度重视知识产权的保护，帮助技术研发人员形成专利技术成果，同时提高不侵犯他人知识产权的意识。若公司被竞争对手诉诸知识产权争端，或者公司自身的知识产权被竞争对手侵犯，将对公司的生产经营造成不利影响。
　　3.公司与控股股东ACMR分别在科创板和NASDAQ股票市场上市的相关风险
　　公司于2021年11月18日在上海证券交易所科创板上市后，与公司控股股东美国ACMR分别在上海证券交易所和美国NASDAQ股票市场挂牌上市。公司与美国ACMR需要同时遵循两地法律法规和监管部门的上市监管要求，对于需要依法公开披露的信息，应当在两地同步披露。
　　由于中美两国存在法律法规和监管理念差异，公司和美国ACMR因适用不同的会计准则并受不同监管要求，会在具体会计处理及财务信息披露方面存在一定差异。同时，由于证券监管部门对上市公司信息披露要求的差异及语言、文化、表述习惯差异，以及中美两地投资者的构成和投资理念不同、资本市场具体情况不同，公司在科创板上市的股票价格与美国ACMR在NASDAQ股票市场的股票价格可能存在差异。该差异及美国ACMR的股票波动可能对公司在科创板上市股票的价格造成影响。
　　4.公司及部分子公司被列入“实体清单”的风险
　　2024年12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了针对出口及转移至中国的半导体新管制措施，涵盖先进集成电路（IC）产品、特定集成电路制造设备与技术，以及与人工智能（AI）和先进计算相关的超级计算机领域。根据新规，公司及部分子公司被列入BIS实体清单。
　　根据美国《出口管理条例》（Export Administration Regulations，英文简称“EAR”）的规定，被列入“实体清单”的企业采购EAR管制物项时，其供应商需要事先向美国商务部申请出口许可证。未来若相关供应商无法获得美国的出口许可，公司及其子公司因被列入BIS实体清单可能存在不能采购EAR管制物项的风险。

　　五、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入67.86亿元，较上年同期增长20.80%；归属于上市公司股东的净利润为13.96亿元，较上年同期增长21.05%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为12.20亿元，较上年同期增长10.02%。

　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
　　(一)行业格局和趋势
　　1、下游市场需求带动全球半导体专用设备规模持续增长
　　受益人工智能快速演进重塑半导体需求结构，半导体产业在2025年实现新一轮增长。人工智能在各类应用场景快速普及，对半导体逻辑芯片的算力及存储芯片的容量提出更高要求，驱动行业市场规模持续扩容，同时，对半导体设备技术原始创新及迭代提出更高要求。半导体专用设备市场与半导体产业景气度息息相关，其中芯片制造设备是需求最大的领域，半导体设备构成晶圆厂主要资本支出来源。根据Gartner的最新预测数据显示，在先进逻辑、存储和技术转型带动下，2026年半导体制造设备销售额有望进一步提高，约至1,385亿美元，中国大陆、中国台湾和韩国仍将是设备支出的前三大区域。
　　2、国外厂商在全球半导体专用设备市场占主导，行业集中度较高
　　半导体专用设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒，以美国Applied Material、荷兰ASML、美国LAM、日本TEL和DNS、美国KLA等为代表的国际知名企业经过多年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体专用设备市场的主要份额。
　　全球范围内，美国Applied Materials作为最大的半导体专用设备供应商，在晶圆制造设备的核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球；日本半导体设备公司更擅长制造刻蚀设备、清洗设备、涂胶设备、显影设备、测试设备等产品；荷兰ASML则在高端光刻机领域处于领先地位；美国LAM在刻蚀、清洗、电镀设备领域拥有较强的竞争优势；中国大陆的半导体专用设备企业经过多年来的快速发展，在刻蚀设备、清洗设备及封装测试设备等领域，已具备与全球行业内领先企业竞争的能力。
　　3、中国大陆半导体专用设备市场规模快速发展
　　随着全球半导体行业企业开展多方面竞争，中国集成电路产业持续快速发展。芯片制造行业，尤其是晶圆制造行业往往设备投资规模庞大。当前，12英寸晶圆制造项目投资以数十亿甚至百亿美元计。晶圆制造的技术复杂，工艺步骤繁多，生产所需的设备种类较多，单一设备的效率、可靠性等将直接影响整条生产线的工作效率和芯片产品的良率，因此晶圆制造企业对新设备的选择非常慎重，需要经过较长验证周期，首先确保其在技术领先性、设备可靠性上符合其要求，之后才会考虑诸如经济性等商业条件，决定是否采购，是否实际用于生产。
　　近年来，随着中国对半导体产业的高度重视，中国部分半导体专用设备企业经过了十年以上的技术研发和积累，在部分技术领域陆续取得了突破，成功地通过了部分集成电路制造企业的验证，成为了制造企业的设备供应商。近年来，受益于中国晶圆厂建厂潮兴起，以及多品类半导体设备本土化的旺盛需求，中国大陆半导体设备销售额增速远高于全球平均水平，行业产值转移趋势明显。
　　根据半导体行业业界统计显示的最新进展，2025年大陆国产半导体制造设备的整体市场占比已攀升至35%。这一数据不仅较2024年的25%大幅提升了10个百分点，更一举超越了此前设定的30%年度目标，显示出本土化正以超乎预期的速度全线推进。预计随着国家政策的大力支持，中国半导体企业技术水平将进一步提升，中国半导体市场在全球市场亦将维持较高的占比。
　　综上，随着中国半导体专用设备行业部分企业的技术突破，中国半导体专用设备产业的发展进程预计将提速。展望未来，人工智能市场规模预测将来到万亿美金时代，大模型时代、高算力需求，高性能芯片和先进封装并重。集成电路产业将面临新型芯片和高端工艺的产能扩张需求，这将为半导体专用设备行业带来广阔的市场空间。
　　(二)公司发展战略
　　公司将努力抓住中国半导体行业的快速发展机遇，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，密切关注全球半导体专用设备行业的前沿技术，确保公司产品品质、核心技术始终处于中国行业领先地位，并奋力赶超全球领先水平。公司将在现有产品的基础上实现产品性能和技术升级，持续跟踪新兴终端市场的变化，确保公司产品与市场需求有效结合。
　　公司自设立以来，始终坚持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”的发展战略，专注于半导体专用设备领域，旨在以持续的研发团队建设，吸引高端专业人才，通过自主研发提升科技创新能力；通过有力的全球市场开拓，提升市场占有率；通过不断的推出差异化的新产品、新技术，提升公司的核心竞争力，扩大公司的收入和利润规模，为股东创造价值，为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升生产效率和产品良率。
　　(三)经营计划
　　公司将紧紧围绕整体发展战略，以技术创新为核心发展动力，以市场为导向，不断提高经营管理水平，通过技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率，在保持合理的毛利率的同时，扩大公司的收入规模，为客户及股东创造价值。
　　1、产品研发方面
　　公司将进一步深化研发管理机制与创新激励机制，构建包含中长期激励在内的多元化奖励体系，并健全创新容错机制，持续激发技术研发人员的创造力和工作热情。将持续保障研发投入的稳定增长，优化投入结构，并着力建设更高能级的研发实验平台与中试基地，为技术突破与产品创新奠定更坚实的基础。设备的研发方面，公司将继续提升2025年下半年启用的临港研发验证线的使用效率，加快公司的设备内部迭代验证的速度，进一步减少研发设备进入客户端的验证时间。公司将在持续攻关、改善现有设备核心性能的同时，大力推进模块化设计，以快速组合开发满足不同应用场景的定制化产品。与此同时，公司将加强前瞻性技术布局，规划下一代产品的平台架构。新产品开发方面，公司将建立市场与技术联动的需求洞察机制，并引入系统的技术路线图方法，与客户及合作伙伴联合定义下一代产品的技术指标与实施方案，确保新产品精准满足未来市场需求。
　　2、人力资源方面
　　公司将根据实际情况和未来发展规划，继续引进和培养各方面的人才，优化人才结构；公司将以技能培训体系优化与职级体系搭建为核心，系统推进人才队伍建设与结构升级。一方面，持续引进与培养符合公司战略需求的各类人才，继续增加博士、硕士生招聘比例，积极吸纳全球高端智力资源，强化人才梯队布局。另一方面，着力构建多层次、全方位的员工职业发展通道，通过完善职级评定体系与晋升机制，明确职业发展路径，实现人才有序成长与合理配置。
　　在技能培训领域，公司将系统升级培训计划，整合内外部培训资源，结合课题研究、项目实践等方式，持续提升员工专业能力与综合素质。在支持员工个性化、差异化发展的同时，强化团队协作意识与合作精神，打造具备全球竞争力的高水平人才团队，为公司可持续发展提供坚实支撑。
　　公司设立了项目奖金，以项目完成的质量与时间作为奖金发放的基准，激发员工的自驱力及积极性，推动公司的运营效率提升。
　　此外，公司还将进一步健全长效激励机制，对表现优异的员工实施股权或期权激励，实现公司、个人与股东利益的紧密联结，持续激发人才创新活力与发展动力。
　　3、市场拓展方面
　　公司将立足中国大陆芯片制造企业的需求，重点面向中国大陆需求，提高现有产品在已有客户的市场占有率，加快新客户产品验证的进程，力图实现多客户、多产品同步推进验证工作。同时，公司将在已进入韩国、中国台湾地区、东南亚市场、美国的基础上，密切关注全球范围内芯片制造生产线的投产计划，紧跟全球半导体行业第一梯队的大客户，提高中国大陆以外国际市场的销售比例。
　　4、合作开发方面
　　在全球半导体行业竞争高度集中、技术迭代加速的产业形势下，单一企业的资源与技术边界日益凸显，有机成长与外部并购成为突破发展瓶颈的核心路径。为强化产业链韧性、保持上下游环节的完整性与协同效率，公司战略布局零部件领域的投资与孵化。形成“设备研发-零部件配套-市场应用”的良性循环，进一步巩固公司在行业中的核心竞争地位。
　　5、内控建设方面
　　随着公司发展规模扩张，公司经营管理水平和风险防范意识也需相应加强。2026年公司将深耕并完善公司内控制度，提高风险管控能力；规范业务流程，明确相关部门人员的职责和权限，建立“责任到人”制度；提高信息透明度和各部门运营效率，进一步加强跨部门合作，加强并提升各个部门的内控意识。有效管理内部资源，搭建适合公司发展的内部控制管理体系，确保财务报告的准确性与完整性，贴合监管部门对上市公司的要求。 收起▲

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明：　　（一）所属行业情况　　半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AI PC等消费电子市场的复苏，以及汽车电子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，不断发展壮大。　　公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提... 查看全部▼

　　一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明：
　　（一）所属行业情况
　　半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AI PC等消费电子市场的复苏，以及汽车电子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，不断发展壮大。
　　公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
　　报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，营业收入持续增长，报告期内保持持续盈利。
　　公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业、全国工业和信息化系统先进集体，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，曾荣获首批“上海市企业重点实验室”，获得“上海市企业技术中心”、“上海市专精特新企业”、“上海市创新型企业总部”“上海市制造业单项冠军企业”和“浦东新区突出贡献企业”等荣誉，“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，同年被评为上海市专利示范企业，2022年获浦东新区大企业开放创新中心（GOI）挂牌。
　　（二）公司主营业务情况
　　1.主要业务
　　公司从事对集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的研发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
　　2.主要产品
　　公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
　　（1）前道半导体工艺设备
　　①清洗设备
　　A.SAPS兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
　　公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
　　B.TEBO兆声波单片清洗设备公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
　　公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。
　　C.高温单片SPM设备随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM装入盛美的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26纳米小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。
　　D.单片槽式组合清洗设备公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。
　　E.单片背面清洗设备公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zero undercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
　　F.边缘湿法刻蚀设备该设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
　　G.前道刷洗设备设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
　　H.全自动槽式清洗设备公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
　　②半导体电镀设备
　　A.前道铜互连电镀铜设备公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。
　　B.三维堆叠电镀设备应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备Ultra ECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
　　C.新型化合物半导体电镀设备Ultra ECP GIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。
　　③立式炉管系列设备
　　公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。
　　④前道涂胶显影Track设备
　　公司的前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。
　　⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备
　　公司的等离子体增强化学气相沉积Ultra PmaxTM PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
　　⑥无应力铜互连平坦化设备
　　公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。
　　⑦新型化合物半导体刻蚀设备
　　公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
　　（2）后道先进封装工艺设备
　　①先进封装电镀设备
　　公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。
　　②涂胶设备
　　公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
　　③显影设备
　　公司的UltraC dv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。
　　④湿法刻蚀设备
　　公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。
　　⑤湿法去胶设备
　　公司的UltraC pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。
　　⑥金属剥离设备
　　公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。
　　⑦无应力抛光先进封装平坦化设备
　　公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
　　⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备
　　公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-frame wafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。
　　⑨聚合物清洗设备
　　聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。
　　⑩TSV清洗设备
　　TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。
　　背面清洗/刻蚀设备背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。
　　键合胶清洗设备键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。
　　带框晶圆清洗设备公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。
　　（3）硅材料衬底制造工艺设备
　　①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备
　　公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。
　　②Final Clean清洗设备
　　公司的Final Clean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在Pre Clean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。
　　（4）面板级先进封装设备
　　①面板级先进封装负压清洗设备
　　面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达10毫米的面板翘曲。
　　②面板级先进封装边缘刻蚀设备
　　该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mmx515mm至600mmx600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。


　　二、经营情况的讨论与分析
　　2025年半导体产业在全球范围内呈现出持续向好发展态势，同时中国半导体市场也展现出积极的发展趋势。随着当前中国半导体企业的大力投资与扩张，半导体产业实现了快速发展，并在全球半导体产业链中占据了越来越重要的地位。
　　公司自设立以来，始终坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，通过自主研发，建立了较为完善的知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了具有国际领先的半导体清洗系列设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等领先技术和产品线，致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案。
　　公司在集成电路设备领域多年发展，积累了深厚的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力及原始创新能力，并建立了完善的供应链管理和制造体系，能够有效契合产业链中下游应用市场需求。凭借领先的技术实力与丰富的产品组合，公司已成长为中国大陆具备一定国际竞争力的半导体设备供应商之一，其产品获得了众多国内外主流半导体厂商的认可。报告期内，伴随技术水平持续提升、产品成熟度增强及市场认可度提高，公司业务拓展成效显著，营业收入实现持续增长，并保持稳定的盈利能力。

　　三、报告期内核心竞争力分析
　　(一)核心竞争力分析
　　公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，公司兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备、铜互连电镀工艺设备。
　　公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。
　　我们认为，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。
　　(二)核心技术与研发进展
　　1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
　　（1）核心技术情况
　　公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。
　　其中Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，2024年第三季度向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备，验证TEOS及SiN工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备Ultra Lith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2024年炉管设备继续推出新技术产品，包括两款新型ALD炉管，并开始进入工艺验证阶段，进一步强化公司在炉管设备上的竞争力。
　　国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。
　　公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。
　　（2）公司的技术先进性及具体表征
　　①SAPS兆声波清洗技术
　　针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。
　　②TEBO兆声波清洗技术
　　随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。
　　公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
　　③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术
　　公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。2024年Ultra C Tahoe通过升级取得重要性能突破，升级版Ultra C Tahoe的新功能和优势如下：
　　更强的颗粒去除性能：Tahoe平台具备更强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，满足高端制造的严格要求。该设备未来会增加更精密的微粒过滤系统，能够去除1x纳米的微粒，可用于行业领先的逻辑和内存应用。
　　更高的产能：升级后的槽式模块和多个单晶圆腔体每小时产能超过200片晶圆，可与12腔体单片SPM系统媲美。
　　④无应力抛光技术
　　公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。
　　⑤多阳极局部电镀技术
　　公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。
　　公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备Ultra ECP map，Ultra ECP map+，Ultra ECP map++，并已实现量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。
　　⑥ECP先进封装电化学电镀技术
　　公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。
　　（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；
　　（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。
　　依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售。
　　⑦Furnace立式炉管技术
　　立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。
　　公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。
　　公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和高均匀度的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证。
　　⑧涂胶显影Track技术
　　公司推出前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300毫米前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。
　　公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。最新研发的KrF工艺300WPH Track设备整机内部测试完成。
　　⑨PECVD设备工艺技术（等离子体增强化学气相沉积技术）
　　公司推出的Ultra PmaxTM PECVD设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。Ultra PmaxTM PECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。
　　基于Ultra PmaxTM PECVD设备平台基础上进行了改进，更好地兼顾了薄膜沉积的均匀性及设备的多应用兼容性，全新设计大幅缩减设备占地面积，有效节省产线部署空间；在超薄薄膜沉积工艺中表现卓越。
　　2、报告期内获得的研发成果
　　截至2025年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利494项（其中发明专利共计489项），其中境内授权专利189项，境外授权专利305项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押，不存在司法查封等权利受限制的情形。

　　四、报告期内主要经营情况
　　报告期内，公司实现营业收入32.65亿元，较上年同期增长35.83%；归属于上市公司股东的净利润为6.96亿元，较上年同期增长56.99%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6.74亿元，较上年同期增长55.17%。
　　五、风险因素
　　（一）核心竞争力风险
　　1.技术更新风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于技术密集型行业，涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等众多学科领域，具有较高的技术研发门槛。随着全球半导体行业的蓬勃发展，半导体行业技术日新月异，清洗设备对晶圆表面污染物的控制要求越来越高，以避免杂质影响芯片良率和产品性能。此外，客户对清洗设备清洗表面污染物的种类、清洗效率、腔体数量、适用技术节点等需求也随之不断变化。公司长期坚持差异化竞争和创新的发展战略，若不能继续保持充足的研发投入，亦或芯片工艺节点继续缩小，再或芯片制造新技术的出现，都可能导致公司核心技术及相关产品的领先程度下降，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.关键技术人才流失风险
　　作为技术密集型行业，技术人才是决定半导体专用设备行业竞争力的关键因素。随着中国大陆半导体专用设备行业的持续发展，对技术人才的竞争将不断加剧。如果由于薪酬或其他原因，公司的关键技术人才大量流失，或者公司无法激励现有技术人才，亦或无法吸引优秀技术人才，公司可能发生技术团队配置不足的情形，从而无法继续研发和销售新产品，无法为客户提供优质的服务，公司也可能会面临更高的招聘及培训成本，可能对公司技术研发能力和经营业绩造成不利影响。
　　3.核心技术泄密风险
　　公司一向重视对核心技术的保护，但如果因公司或供应商的网络安全系统无法防范未经授权的访问、复杂的网络攻击，或者公司的员工、供应商对敏感数据的不当处理等原因导致公司的知识产权、核心技术泄露，公司可能会受到客户的重大责任索赔，导致公司的声誉和竞争地位受到严重损害，进而对公司的业务发展和经营成果产生不利影响。
　　4.技术研发风险
　　公司为保持在技术方面的领先，未来需要持续研发新产品并改进现有产品。任何新技术、新产品的研发都需要较长的时间、大量的资金。如果公司的技术研发方向不能顺应市场需求、技术变化和不断发展的标准，或者公司研发出的新产品不能满足客户对成本、尺寸、验收标准、规格、性能及交货周期的要求，亦或公司研发出的新产品缺乏能够及时供应关键零部件的供应商，公司将面临技术研发投入无法取得预期效果的风险。
　　此外，公司对设备产品的某些改进可能会导致客户对现有设备产品的需求下降。客户对新产品的等待可能导致客户的购买行为延迟，导致公司现期的订单下降，从而影响公司的经营业绩。
　　（二）经营风险
　　1.市场竞争风险
　　全球半导体专用设备行业市场竞争激烈，市场主要被国际巨头企业所占据，公司产品在其面向的市场均与国际巨头直接竞争。与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有更强的资金实力、技术储备、销售团队、制造能力、销售渠道和市场知名度，拥有更广泛的客户和合作伙伴关系，也拥有更长的经营历史、更为丰富的产品系列、更为广泛的地域覆盖，能够更好地识别和应对市场和客户需求的变化。部分国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。
　　近年来随着中国半导体终端应用市场的不断增长，中国半导体制造、封测、材料、设备等子行业的发展迅速。中国大陆市场预计将成为全球半导体设备企业竞争的主战场，公司未来将面临国际巨头企业和中国新进入者的双重竞争。公司产品与国际巨头相比，在适用技术节点、市场占有率等方面有一定的差距，如果公司无法有效应对与该等竞争对手之间的竞争，公司的业务收入、经营成果和财务状况都将受到不利影响。
　　2.市场开拓失败风险
　　公司的市场开拓策略是首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。公司通过向客户展示公司设备的差异化、创新性、性能及可靠性，使全球领先的芯片制造企业能够评估和验证公司的技术和产品。在公司的市场开拓过程中，如果这些领先的芯片制造企业不愿接受和验证公司的设备产品；或者即使这些领先的芯片制造企业采用公司的技术和设备，其他芯片制造企业也可能不会接受公司的技术和设备。公司产品的市场开拓存在失败的风险，可能会对公司的业务、经营成果和财务状况产生重大不利影响。
　　公司产品的销售周期可能非常漫长，并且具有不确定性。从最初与客户接触到执行采购订单，公司的销售周期一般是一年至一年半甚至更长。客户建厂、扩厂计划可能会随终端市场需求下行而放缓，进一步放慢或缩减采购计划，从而影响公司产品的最终销售。另外，客户对国产设备的采购计划，也会受国外主流设备商交货情况影响，机遇与风险并存。在销售周期内，公司在营销活动中将投入大量的时间和资金，尤其是对新产品的推广方面，产品试用的周期较长，会对公司的经营成果及财务状况造成一定不利影响。
　　3.客户集中度较高的风险
　　根据行业惯例，公司的销售是以客户的采购订单为基础的。在正式收到采购订单之前，公司不会获得具有约束力的采购承诺。公司的主要客户可能会向公司提供了无约束力的采购预测，但这些预测可以随时更改，无需通知公司。但由于公司产品的交货期可能长达6个月，因此公司可能需要根据非约束性采购预测开始安排原材料、零部件的外购和外协，但不能保证客户会在公司期望的时间下订单。同时，公司客户也可能会下超过预测数量的订单，这可能导致公司无法按时交付产品，从而丧失销售机会。鉴于公司客户集中度较高，如果公司对主要客户的销售预测出现重大偏差，或者主要客户的生产经营发生重大问题或财务状况出现恶化，将会对公司的产品销售和应收账款的及时回收等产生不利影响。
　　4.产品质量风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，半导体专用设备的质量、技术指标和运行稳定性对芯片产品的品质尤为重要。公司的半导体专用设备产品具有高度复杂性，在设计和制造过程中可能产生缺陷，也可能无法达到客户的具体规格要求，而公司的检测程序也可能无法发现其中的质量问题，可能导致客户延迟或拒绝接受公司的设备产品，甚至发生退货；公司还可能遭受到客户的负面评价、负面报道和声誉损害，从而导致现有客户的订单减少，并影响公司对新客户的开拓；公司亦可能因产品质量问题产生额外的保修或服务义务，产生额外的成本；还可能因公司产品质量缺陷导致客户产生损失，从而导致客户对公司产品的责任索赔或者诉讼，公司可能需要承担高额的诉讼费用，也可能需要承担重大损害赔偿的责任。若公司产品出现上述质量问题，将可能对公司的经营业绩和市场声誉产生不利影响。
　　5.市场声誉风险
　　公司所处的半导体专用设备行业集中度高、竞争激烈。公司需要与少数国际半导体专用设备巨头竞争，而该等竞争对手拥有更长的经营历史、更全的产品系列和更高的市场声誉。在该等竞争格局下，传统营销的价值是有限的，而市场声誉则至关重要。如果因产品质量事故、交货周期延迟、技术落后、服务不及时等原因，导致公司的市场声誉受到损害，将对公司的经营成果和财务状况产生不利影响。
　　（三）财务风险
　　1.应收账款回收的风险
　　报告期末，公司的应收账款账面价值为272,855.79万元，占总资产的比例为20.53%。报告期内，公司的应收账款金额较大，对公司造成了一定的营运资金压力。但公司的主要客户均为国内外主流半导体企业，总体信用状况良好。公司已根据谨慎性原则对应收账款计提了坏账准备。如果未来公司应收账款管理不当或者客户自身发生重大经营困难，可能导致公司应收账款无法及时收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
　　2.存货跌价风险
　　公司的半导体专用设备产品进入市场需要经历较长的验证过程，生产阶段需要根据订单提前备货，且交付后需要安装调试后客户才完成验收，因此公司的原材料及发出商品随着业务规模快速扩张、产品种类的增加、在手订单规模的扩大而增加。报告期末，公司的存货账面价值为439,433.31万元，占流动资产的比例为41.55%，库存商品和发出商品账面价值为191,909.02万元，占存货账面价值的比例为43.67%，账面价值较高且在报告期内随公司业务发展逐年增加。
　　公司难以准确预测客户的需求，公司的设备需求预测基于多项假设，包括从客户处得到的非约束性预测，但每一个假设都可能导致公司的预测出现差错，导致原材料及零部件的存货水平超过客户需求。或者由于产品设计方案变更造成零部件或原材料清单变化、客户订单的减少，均可能导致公司的部分零部件和原材料在库存期间过时或过剩，从而导致存货发生跌价风险。
　　如果未来产品销售价格发生重大不利变化或发出商品在客户端未能验收通过而被退回，可能导致存货可变现净值低于账面净值，而需要计提存货跌价准备，从而影响公司的盈利水平。
　　3.税收优惠风险
　　报告期内，公司享受高新技术企业所得税的税收优惠和研发费用加计扣除。如果中国有关税收优惠的法律、法规、政策等发生重大调整，或者由于公司未来不能持续取得中国高新技术企业资格或不满足研发费用加计扣除的条件等，将对公司的经营业绩造成一定影响。
　　4.汇率波动风险
　　报告期内，公司的大多数产品销售以美元计价，部分原材料、零部件采购以美元和韩元计价，而其他原材料、零部件、员工薪酬、其他成本费用以人民币计价，人民币对美元、韩元的汇率将会对公司的经营成果造成影响。报告期内，公司财务费用中汇兑收益为374.66万元。人民币汇率随着国际政治、经济环境的变化而波动，具有一定的不确定性。随着公司业务规模的持续扩大，若未来人民币对美元、韩元的汇率发生剧烈波动，将对公司的业绩带来一定的不确定性，可能导致汇兑损失的产生，从而对公司的经营成果和财务状况造成不利影响。
　　5.毛利率波动的风险
　　公司为晶圆制造、先进封装、半导体硅片制造等半导体企业提供半导体专用设备，公司产品呈现显著的定制化特征，不同客户的产品配置、性能要求以及议价能力可能有所不同，对相同客户的首台订单和重复订单价格也可能存在差异，从而导致公司产品毛利率存在一定差异。报告期内，公司主营业务毛利率为49.97%，较为平稳。如果未来公司的经营规模、产品结构、客户资源、成本控制、技术创新优势等方面发生较大变动，或者行业竞争加剧，导致公司产品销售价格下降、成本费用提高或客户的需求发生较大的变化，公司将面临主营业务毛利率出现波动的风险。领先技术产品可提高公司毛利，公司的高端工艺产品的研发速度及市场化进程将会对公司的整体毛利造成影响。
　　（四）行业风险
　　公司所处的半导体专用设备行业是半导体产业链的关键性支撑行业，其需求直接受到芯片制造、封测行业及终端应用市场的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致5G通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等终端市场需求下降，晶圆制造、封测企业将面临产能过剩的局面，从而导致芯片产品销量和价格的下降，其营业收入、盈利能力也将随之下降。晶圆制造、封测企业通常会在行业低迷期间大幅削减资本性支出，而且资本性支出的下降幅度往往会超过其营业收入的下降幅度，从而削减对半导体专用设备的采购金额，将会对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
　　而在半导体行业景气度提升的周期，公司必须提高产量以满足预期的客户需求，这要求公司及供应商增加库存、扩大生产能力。如果公司不能及时应对客户需求的快速增长，或者对需求增长的期间、持续时间或幅度判断错误，一方面公司可能会失去现有客户，另一方面也可能发生与营业收入增长不成比例的成本增加，进而可能会对公司的业务、经营成果、财务状况或现金流量产生重大不利影响。
　　（五）宏观环境风险
　　近年来，国际政治经济环境变化，国际贸易摩擦不断升级，半导体产业成为受到影响最为明显的领域之一，也对中国相关产业的发展造成了客观不利影响。国际政治环境的不确定性可能会对半导体行业产生负面影响，包括降低晶圆制造、封测企业对半导体专用设备的需求。如果所在国贸易政策、关税、附加税、出口限制或其他贸易壁垒进一步恶化，将可能对公司客户的生产或销售能力造成不利影响，使公司客户的经营状况恶化，导致客户对公司设备产品的需求降低。盛美韩国于2025年收到了韩国首尔海关部门关于由盛美韩国生产并运往海外市场的某些产品的问询。盛美韩国已经应韩国首尔海关部门的要求提供了相关信息。该事项目前尚处于初步阶段，韩国相关政府部门尚未出具明确结论。此外，如果中国政府对公司从美国采购的原材料或零部件加征关税，公司的经营成本也将增加，进而会对公司的营业收入、经营成果或财务状况产生不利影响。
　　（六）其他重大风险
　　1.公司规模扩张带来的管理和内控风险
　　报告期期末，公司资产总额为1,328,853.07万元，报告期内，公司营业收入为326,529.18万元。资产规模与营收规模均实现了快速的增长。然而，随着公司资产、业务、机构和人员规模的进一步扩张，公司研发、采购、生产、销售等环节的资源配置和内控管理的复杂度不断上升，对公司的组织架构和经营管理能力提出了更高要求，不排除公司内控体系和管理水平不能适应公司规模快速扩张的可能性，可能导致公司运营效率下滑，使公司的成本费用增长率超过收入增长率，从而损害公司的竞争力。因此，公司存在因规模扩张导致的管理和内部控制风险。
　　2.知识产权争端风险
　　公司所处的半导体专用设备行业属于典型的技术密集型行业，具有技术优势的行业领先企业需要通过申请专利的方式对自身核心技术进行保护。公司取得的经营成果在一定程度上依赖于自身知识产权体系，以及公司维持该等知识产权和保护商业秘密的能力，还包括公司在不侵犯他人专利的情况下开展经营的能力。公司高度重视知识产权的保护，帮助技术研发人员形成专利技术成果，同时提高不侵犯他人知识产权的意识。若公司被竞争对手诉诸知识产权争端，或者公司自身的知识产权被竞争对手侵犯，将对公司的生产经营造成不利影响。
　　3.公司与控股股东ACMR分别在科创板和NASDAQ股票市场上市的相关风险
　　公司于2021年11月18日在上海证券交易所科创板上市后，与公司控股股东美国ACMR分别在上海证券交易所和美国NASDAQ股票市场挂牌上市。公司与美国ACMR需要同时遵循两地法律法规和监管部门的上市监管要求，对于需要依法公开披露的信息，应当在两地同步披露。
　　由于中美两国存在法律法规和监管理念差异，公司和美国ACMR因适用不同的会计准则并受不同监管要求，会在具体会计处理及财务信息披露方面存在一定差异。同时，由于证券监管部门对上市公司信息披露要求的差异及语言、文化、表述习惯差异，以及中美两地投资者的构成和投资理念不同、资本市场具体情况不同，公司在科创板上市的股票价格与美国ACMR在NASDAQ股票市场的股票价格可能存在差异。该差异及美国ACMR的股票波动可能对公司在科创板上市股票的价格造成影响。
　　4.公司及部分子公司被列入“实体清单”的风险
　　2024年12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了针对出口及转移至中国的半导体新管制措施，涵盖先进集成电路（IC）产品、特定集成电路制造设备与技术，以及与人工智能（AI）和先进计算相关的超级计算机领域。根据新规，公司及部分子公司被列入BIS实体清单。
　　根据美国《出口管理条例》（Export Administration Regulations，英文简称“EAR”）的规定，被列入“实体清单”的企业采购EAR管制物项时，其供应商需要事先向美国商务部申请出口许可证。未来若相关供应商无法获得美国的出口许可，公司及其子公司因被列入BIS实体清单可能存在不能采购EAR管制物项的风险。 收起▲